WO2013041275A3 - Procédé de déclenchement d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur se trouvant en mode inverse - Google Patents

Procédé de déclenchement d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur se trouvant en mode inverse Download PDF

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Abstract

L'invention concerne un procédé et une circuiterie (150) pour assurer le déclenchement d'un transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (120, 122) se trouvant en mode inverse, ainsi qu'un convertisseur continu-continu (100) doté d'une telle circuiterie (150). En mode inverse, un courant qui parcourt une diode inverse (130, 140) du transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (120, 122) entraîne la baisse d'une tension au-dessus de ladite diode à tension inverse (130, 140). La tension au-dessus de la diode à tension inverse (130, 140) est utilisée pour mettre le transistor à effet de champ métal-oxyde-semi-conducteur (120, 122) en marche.
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