WO2012169452A1 - Elastic wave device, and manufacturing method therefor - Google Patents
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Abstract
Provided are an elastic wave device that has excellent reliability and a manufacturing method therefor. An elastic wave device (1) is provided with a piezoelectric substrate (20), and an IDT electrode (10) formed on top of the piezoelectric substrate (20). At least one part of the IDT electrode (10) has a first metal layer (13) that does not contain Al, a second metal layer (15) that contains Al, and a third metal layer (17) that does not contain Al. The second metal layer (15) is disposed above the first metal layer (13). The third metal layer (17) is disposed above the second metal layer (15). At least one part of the IDT electrode (10) also has a first metal oxide layer (14) made from an oxide of the first metal layer (13), and a second metal oxide layer (16) made from an oxide of the second metal layer (15). The first metal oxide layer (14) is disposed between the first metal layer (13) and the second metal layer (15). The second metal oxide layer (16) is disposed between the third metal layer (17) and the second metal layer (15).
Description
本発明は、弾性波装置及びその製造方法に関する。
The present invention relates to an elastic wave device and a manufacturing method thereof.
従来、携帯電話機などの通信機器におけるＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路に、デュプレクサや段間フィルタなどとして、弾性波装置が搭載されている。弾性波装置としては、例えば弾性表面波を利用した弾性表面波装置などが知られている。
Conventionally, an elastic wave device is mounted as a duplexer, an interstage filter, or the like on an RF (Radio Frequency) circuit in a communication device such as a mobile phone. As a surface acoustic wave device, for example, a surface acoustic wave device using a surface acoustic wave is known.
弾性波装置は、圧電基板の上に形成されたＩＤＴ電極において励振された弾性波を利用する。この弾性波の特性は、ＩＤＴ電極の構成材料によって変化する。得ようとする弾性波の特性によっては、ＩＤＴ電極を複数の金属層の積層体とする場合もある。例えば、特許文献１には、圧電基板側から順に、下地層と、Ａｌ合金層と、酸化膜層と、Ａｌ以外の金属からなる金属層とが積層されてなるＩＤＴ電極が開示されている。特許文献１には、Ａｌ合金層と金属層との間に酸化膜層としてＡｌ合金層の自然酸化層を配置することにより、Ａｌ合金層から金属層へのＡｌまたはＡｌ合金粒子の移動を抑制できる旨が記載されている。
The elastic wave device uses an elastic wave excited by an IDT electrode formed on a piezoelectric substrate. The characteristics of this elastic wave vary depending on the constituent material of the IDT electrode. Depending on the characteristics of the elastic wave to be obtained, the IDT electrode may be a laminate of a plurality of metal layers. For example, Patent Document 1 discloses an IDT electrode in which a base layer, an Al alloy layer, an oxide film layer, and a metal layer made of a metal other than Al are stacked in this order from the piezoelectric substrate side. Patent Document 1 suppresses the movement of Al or Al alloy particles from the Al alloy layer to the metal layer by disposing a natural oxide layer of the Al alloy layer as an oxide film layer between the Al alloy layer and the metal layer. It states that it can be done.
しかしながら、特許文献１に記載の積層構造を有するＩＤＴ電極では、十分に高い信頼性が得られない場合がある。
However, the IDT electrode having the laminated structure described in Patent Document 1 may not provide sufficiently high reliability.
本発明の目的は、優れた信頼性を有する弾性波装置及びその製造方法を提供することにある。
An object of the present invention is to provide an elastic wave device having excellent reliability and a method for manufacturing the same.
本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板の上に形成されているＩＤＴ電極とを備える。ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、Ａｌを含まない第１の金属層と、Ａｌを含む第２の金属層と、Ａｌを含まない第３の金属層とを有する。第２の金属層は、第１の金属層の上に配されている。第３の金属層は、第２の金属層の上に配されている。ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、第１の金属層の酸化物からなる第１の金属酸化物層と、第２の金属層の酸化物からなる第２の金属酸化物層とをさらに有する。第１の金属酸化物層は、第１の金属層と第２の金属層との間に配されている。第２の金属酸化物層は、第３の金属層と第２の金属層との間に配されている。
The elastic wave device according to the present invention includes a piezoelectric substrate and an IDT electrode formed on the piezoelectric substrate. At least a part of the IDT electrode includes a first metal layer not including Al, a second metal layer including Al, and a third metal layer not including Al. The second metal layer is disposed on the first metal layer. The third metal layer is disposed on the second metal layer. At least a part of the IDT electrode further includes a first metal oxide layer made of an oxide of the first metal layer and a second metal oxide layer made of an oxide of the second metal layer. The first metal oxide layer is disposed between the first metal layer and the second metal layer. The second metal oxide layer is disposed between the third metal layer and the second metal layer.
なお、本発明において、「Ａｌを含まない」とは、Ａｌを実質的に含まないことを意味する。すなわち、Ａｌを含まない第１及び第３の金属層は、不純物としてごく微量のＡｌを含んでもよい。また、本発明においては、金属には合金が含まれるものとする。
In the present invention, “does not contain Al” means substantially not containing Al. That is, the first and third metal layers not containing Al may contain a very small amount of Al as an impurity. In the present invention, the metal includes an alloy.
本発明に係る弾性波装置のある特定の局面では、第２の金属層は、ＡｌまたはＡｌＣｕ合金からなる。
In a specific aspect of the acoustic wave device according to the present invention, the second metal layer is made of Al or an AlCu alloy.
本発明に係る弾性波装置の別の特定の局面では、第１及び第３の金属層の少なくとも一方は、Ｔｉ、Ｎｉ及びＣｒからなる群から選ばれる少なくとも１種からなる。
In another specific aspect of the acoustic wave device according to the present invention, at least one of the first and third metal layers is made of at least one selected from the group consisting of Ti, Ni, and Cr.
本発明に係る弾性波装置の他の特定の局面では、第１及び第２の金属酸化物層のそれぞれの厚みは、１ｎｍ以上である。
In another specific aspect of the acoustic wave device according to the present invention, each of the first and second metal oxide layers has a thickness of 1 nm or more.
本発明に係る弾性波装置の製造方法では、第１の金属層を形成した後に、第１の金属層に酸素を接触させることにより第１の金属酸化物層を形成する。さらに、第２の金属層を形成した後に、第２の金属層に酸素を接触させることにより第２の金属酸化物層を形成する。
In the method for manufacturing an acoustic wave device according to the present invention, after forming the first metal layer, the first metal oxide layer is formed by bringing oxygen into contact with the first metal layer. Furthermore, after forming the second metal layer, the second metal oxide layer is formed by bringing oxygen into contact with the second metal layer.
本発明に係る弾性波装置の製造方法のある特定の局面では、第１の金属層を形成した後に、大気雰囲気下で第１の金属層に酸素を接触させることにより第１の金属酸化物層を形成する。さらに、第２の金属層を形成した後に、大気雰囲気下で第２の金属層に酸素を接触させることにより第２の金属酸化物層を形成する。
In a specific aspect of the method for manufacturing an acoustic wave device according to the present invention, after the first metal layer is formed, the first metal oxide layer is formed by bringing oxygen into contact with the first metal layer in an air atmosphere. Form. Furthermore, after forming the second metal layer, the second metal oxide layer is formed by bringing oxygen into contact with the second metal layer in an air atmosphere.
本発明によれば、優れた信頼性を有する弾性波装置及びその製造方法を提供することができる。
According to the present invention, it is possible to provide an elastic wave device having excellent reliability and a method for manufacturing the same.
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。
Hereinafter, an example of a preferable embodiment in which the present invention is implemented will be described. However, the following embodiment is merely an example. The present invention is not limited to the following embodiments.
また、実施形態などにおいて参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態などにおいて参照する図面は、模式的に記載されたものであり、図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率などが異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率などは、以下の説明を参酌して判断されるべきである。
In each drawing referred to in the embodiment and the like, members having substantially the same function are referred to by the same reference numerals. The drawings referred to in the embodiments and the like are schematically described, and the ratio of dimensions of objects drawn in the drawings may be different from the ratio of dimensions of actual objects. The dimensional ratio of the object may be different between the drawings. The specific dimensional ratio of the object should be determined in consideration of the following description.
図１は、本実施形態に係る弾性波装置の略図的平面図である。図２は、図１の線ＩＩ－ＩＩにおける模式的断面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of an elastic wave device according to the present embodiment. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
本実施形態に係る弾性波装置１は、弾性表面波や弾性境界波などの弾性波を利用した弾性波装置である。弾性波装置１は、例えば弾性波共振子であってもよいし、弾性波フィルタ装置であってもよい。なお、弾性波フィルタ装置には、弾性波デュプレクサや弾性波トリプレクサなどの弾性波分波器が含まれるものとする。
The elastic wave device 1 according to the present embodiment is an elastic wave device using an elastic wave such as a surface acoustic wave or a boundary acoustic wave. The elastic wave device 1 may be, for example, an elastic wave resonator or an elastic wave filter device. The elastic wave filter device includes an elastic wave duplexer such as an elastic wave duplexer or an elastic wave triplexer.
弾性波装置１は、圧電基板２０を備える。圧電基板２０は、適宜の圧電体により構成することができる。圧電基板２０は、例えばＬｉＮｂＯ３基板、ＬｉＴａＯ３基板、ニオブ酸カリウム基板、水晶基板、ランガサイト基板、酸化亜鉛基板、チタン酸ジルコン酸鉛基板、四ホウ酸リチウム基板などにより構成することができる。
The acoustic wave device 1 includes a piezoelectric substrate 20. The piezoelectric substrate 20 can be composed of an appropriate piezoelectric body. The piezoelectric substrate 20 can be composed of, for example, a LiNbO 3 substrate, a LiTaO 3 substrate, a potassium niobate substrate, a quartz substrate, a langasite substrate, a zinc oxide substrate, a lead zirconate titanate substrate, a lithium tetraborate substrate, or the like.
圧電基板２０の主面２０ａの上には、ＩＤＴ電極１０が形成されている。ＩＤＴ電極１０は、互いに間挿し合う一対のくし歯状電極を有する。
The IDT electrode 10 is formed on the main surface 20 a of the piezoelectric substrate 20. The IDT electrode 10 has a pair of comb-like electrodes that are interleaved with each other.
ＩＤＴ電極１０の少なくとも一部は、複数の金属層と複数の金属酸化物層とから構成される。具体的には、図２に示されるように、ＩＤＴ電極１０の少なくとも一部は、複数の金属層１１～１３，１５，１７～１９を有する。これら複数の金属層１１～１３，１５，１７～１９のうち、第１の金属層１３と第３の金属層１７とは、Ａｌを含まない。一方、第２の金属層１５は、Ａｌを含んでいる。ＩＤＴ電極１０の少なくとも一部は、第１及び第２の金属酸化物層１４，１６をさらに有する。第１の金属酸化物層１４は、第１の金属層１３の酸化物からなる。第２の金属酸化物層１６は、第２の金属層１５の酸化物からなる。
At least a part of the IDT electrode 10 is composed of a plurality of metal layers and a plurality of metal oxide layers. Specifically, as shown in FIG. 2, at least a part of the IDT electrode 10 includes a plurality of metal layers 11 to 13, 15, and 17 to 19. Of the plurality of metal layers 11 to 13, 15, and 17 to 19, the first metal layer 13 and the third metal layer 17 do not contain Al. On the other hand, the second metal layer 15 contains Al. At least a part of the IDT electrode 10 further includes first and second metal oxide layers 14 and 16. The first metal oxide layer 14 is made of the oxide of the first metal layer 13. The second metal oxide layer 16 is made of an oxide of the second metal layer 15.
金属層１１は、圧電基板２０の主面２０ａの上に配されている。金属層１１を構成する金属は、特に限定されない。金属層１１の構成金属は、金属層１１に付与しようとする機能等に応じて適宜選択することができる。例えば、金属層１１を下地層や密着層として機能させようとする場合には、金属層１１を、Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ，ＮｉＣｒ合金などにより構成することができる。なお、金属層１１の厚みは、特に限定されない。金属層１１の厚みは、通常５ｎｍ～３０ｎｍ程度である。
The metal layer 11 is disposed on the main surface 20 a of the piezoelectric substrate 20. The metal constituting the metal layer 11 is not particularly limited. The constituent metal of the metal layer 11 can be appropriately selected according to the function to be imparted to the metal layer 11 and the like. For example, when the metal layer 11 is to function as an underlayer or an adhesion layer, the metal layer 11 can be made of Ti, Ni, Cr, NiCr alloy, or the like. The thickness of the metal layer 11 is not particularly limited. The thickness of the metal layer 11 is usually about 5 nm to 30 nm.
金属層１２は、金属層１１の上に配されている。金属層１２を構成する金属は、特に限定されない。金属層１２の構成金属は、金属層１２に付与しようとする機能等に応じて適宜選択することができる。例えば、質量付加の観点から、金属層１２を、例えばＰｔ、Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄなどにより構成することができる。なお、金属層１２の厚みは、特に限定されない。金属層１２の厚みは、通常１０ｎｍ～２００ｎｍ程度である。
The metal layer 12 is disposed on the metal layer 11. The metal which comprises the metal layer 12 is not specifically limited. The constituent metal of the metal layer 12 can be appropriately selected according to the function to be imparted to the metal layer 12 and the like. For example, from the viewpoint of mass addition, the metal layer 12 can be made of, for example, Pt, Au, Cu, Pd, or the like. The thickness of the metal layer 12 is not particularly limited. The thickness of the metal layer 12 is usually about 10 nm to 200 nm.
Ａｌを含まない第１の金属層１３は、金属層１２の上に配されている。第１の金属層１３を構成する金属は、Ａｌ以外の金属であれば、特に限定されない。金属層１３は、積層電極の拡散防止などの観点から、例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属や、これらの金属のうちの１種以上を主成分とする合金などにより構成されることが好ましい。なお、第１の金属層１３の厚みは、特に限定されない。第１の金属層１３の厚みは、通常５ｎｍ～３０ｎｍ程度である。
The first metal layer 13 not containing Al is disposed on the metal layer 12. The metal constituting the first metal layer 13 is not particularly limited as long as it is a metal other than Al. The metal layer 13 is preferably made of, for example, a metal such as Ti, Ni, Cr, or an alloy containing one or more of these metals as a main component from the viewpoint of preventing diffusion of the laminated electrode. Note that the thickness of the first metal layer 13 is not particularly limited. The thickness of the first metal layer 13 is usually about 5 nm to 30 nm.
Ａｌを含む第２の金属層１５は、第１の金属層１３の上に配されている。第２の金属層１５は、Ａｌを含む金属または合金からなる。第２の金属層１５は、電気伝導性などの観点から、例えばＡｌや、ＡｌＣｕ合金などＡｌを主体とする合金などにより構成されることが好ましい。なお、第２の金属層１５の厚みは、特に限定されない。第２の金属層１５の厚みは、通常１００ｎｍ～５００ｎｍ程度である。
The second metal layer 15 containing Al is disposed on the first metal layer 13. The second metal layer 15 is made of a metal or alloy containing Al. The second metal layer 15 is preferably made of, for example, Al or an alloy mainly composed of Al, such as an AlCu alloy, from the viewpoint of electrical conductivity. The thickness of the second metal layer 15 is not particularly limited. The thickness of the second metal layer 15 is usually about 100 nm to 500 nm.
Ａｌを含まない第３の金属層１７は、Ａｌを含む第２の金属層１５の上に配されている。第３の金属層１７を構成する金属は、Ａｌ以外の金属であれば、特に限定されない。第３の金属層１７は、積層電極の拡散防止などの観点から、例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属や、これらの金属のうちの１種以上を主成分とする合金などにより構成されることが好ましい。なお、第３の金属層１７の厚みは、特に限定されない。第３の金属層１７の厚みは、通常５ｎｍ～３０ｎｍ程度である。
The third metal layer 17 that does not contain Al is disposed on the second metal layer 15 that contains Al. The metal constituting the third metal layer 17 is not particularly limited as long as it is a metal other than Al. The third metal layer 17 is made of, for example, a metal such as Ti, Ni, Cr, or an alloy containing one or more of these metals as a main component from the viewpoint of preventing diffusion of the laminated electrode. Is preferred. The thickness of the third metal layer 17 is not particularly limited. The thickness of the third metal layer 17 is usually about 5 nm to 30 nm.
金属層１８は、Ａｌを含まない第３の金属層１７の上に配されている。金属層１８を構成する金属は、特に限定されない。金属層１８は、質量付加などの観点から、例えばＰｔ、Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄなどにより構成されることが好ましい。なお、金属層１８の厚みは、特に限定されない。金属層１８の厚みは、通常１０ｎｍ～２００ｎｍ程度である。
The metal layer 18 is disposed on the third metal layer 17 not containing Al. The metal which comprises the metal layer 18 is not specifically limited. The metal layer 18 is preferably composed of, for example, Pt, Au, Cu, Pd, etc. from the viewpoint of mass addition. The thickness of the metal layer 18 is not particularly limited. The thickness of the metal layer 18 is usually about 10 nm to 200 nm.
金属層１９は、金属層１８の上に配されている。金属層１９を構成する金属は、特に限定されない。金属層１９は、例えばＩＤＴ電極を覆う誘電体膜などの保護膜との密着性などの観点から、例えばＴｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、ＮｉＣｒ合金などにより構成されることが好ましい。なお、金属層１９の厚みは、特に限定されない。金属層１９の厚みは、通常５ｎｍ～３０ｎｍ程度である。
The metal layer 19 is disposed on the metal layer 18. The metal which comprises the metal layer 19 is not specifically limited. The metal layer 19 is preferably made of, for example, Ti, Ni, Cr, NiCr alloy or the like from the viewpoint of adhesion to a protective film such as a dielectric film covering the IDT electrode. The thickness of the metal layer 19 is not particularly limited. The thickness of the metal layer 19 is usually about 5 nm to 30 nm.
第１の金属層１３の酸化物からなる第１の金属酸化物層１４は、Ａｌを含まない第１の金属層１３とＡｌを含む第２の金属層１５との間に配されている。第１の金属酸化物層１４は、第１の金属層１３の直上に配されている。第２の金属層１５は、第１の金属酸化物層１４の直上に配されている。第１の金属層１３と第１の金属酸化物層１４とは互いに接している。また、第１の金属酸化物層１４と第２の金属層１５とは互いに接している。第１の金属層１３と第２の金属層１５との間には、第１の金属酸化物層１４のみが配されている。すなわち、第１の金属層１３と第２の金属層１５とは、第１の金属酸化物層１４のみを介して互いに接続されている。
The first metal oxide layer 14 made of an oxide of the first metal layer 13 is disposed between the first metal layer 13 not containing Al and the second metal layer 15 containing Al. The first metal oxide layer 14 is disposed immediately above the first metal layer 13. The second metal layer 15 is disposed immediately above the first metal oxide layer 14. The first metal layer 13 and the first metal oxide layer 14 are in contact with each other. Further, the first metal oxide layer 14 and the second metal layer 15 are in contact with each other. Only the first metal oxide layer 14 is disposed between the first metal layer 13 and the second metal layer 15. That is, the first metal layer 13 and the second metal layer 15 are connected to each other only through the first metal oxide layer 14.
第１の金属酸化物層１４は、第１の金属層１３を構成する金属の酸化物から構成される。すなわち、第１の金属酸化物層１４は、第１の金属層１３を構成する金属と酸素とが結合した化合物から構成される。金属酸化物層１４を構成する金属酸化物としては、例えばＴｉＯ２などの酸化チタン、ＮｉＯなどの酸化ニッケル、Ｃｒ２Ｏ３などの酸化クロムや、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒなどの金属のうちの１種以上を主成分とする合金の酸化物などが好ましい。
The first metal oxide layer 14 is composed of a metal oxide constituting the first metal layer 13. That is, the first metal oxide layer 14 is composed of a compound in which the metal constituting the first metal layer 13 and oxygen are combined. Examples of the metal oxide constituting the metal oxide layer 14 include titanium oxide such as TiO 2, nickel oxide such as NiO, chromium oxide such as Cr 2 O 3, and one of metals such as Ti, Ni, and Cr. An oxide of an alloy mainly composed of seeds or more is preferable.
第２の金属層１５の酸化物からなる第２の金属酸化物層１６は、Ａｌを含む第２の金属層１５とＡｌを含まない第３の金属層１７との間に配されている。第２の金属酸化物層１６は、第２の金属層１５の直上に配されている。第３の金属層１７は、第２の金属酸化物層１６の直上に配されている。第２の金属層１５と第２の金属酸化物層１６とは互いに接している。また、第２の金属酸化物層１６と第３の金属層１７とは互いに接している。第２の金属層１５と第３の金属層１７との間には、第２の金属酸化物層１６のみが配されている。すなわち、第２の金属層１５と第３の金属層１７とは、第２の金属酸化物層１６のみを介して互いに接続されている。
The second metal oxide layer 16 made of an oxide of the second metal layer 15 is disposed between the second metal layer 15 containing Al and the third metal layer 17 not containing Al. The second metal oxide layer 16 is disposed directly on the second metal layer 15. The third metal layer 17 is disposed immediately above the second metal oxide layer 16. The second metal layer 15 and the second metal oxide layer 16 are in contact with each other. Further, the second metal oxide layer 16 and the third metal layer 17 are in contact with each other. Only the second metal oxide layer 16 is disposed between the second metal layer 15 and the third metal layer 17. That is, the second metal layer 15 and the third metal layer 17 are connected to each other only through the second metal oxide layer 16.
第２の金属酸化物層１６は、第２の金属層１５を構成する金属の酸化物から構成される。すなわち、第２の金属酸化物層１６は、第２の金属層１５を構成する金属と酸素とが結合した化合物から構成される。金属酸化物層１６を構成する金属酸化物としては、Ａｌ２Ｏ３などの酸化アルミニウムなどが好ましい。
The second metal oxide layer 16 is composed of a metal oxide constituting the second metal layer 15. That is, the second metal oxide layer 16 is composed of a compound in which the metal constituting the second metal layer 15 and oxygen are combined. As the metal oxide constituting the metal oxide layer 16, aluminum oxide such as Al 2 O 3 is preferable.
第１の金属酸化物層１４の厚みは、特に限定されない。第１の金属酸化物層１４の厚みは、１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ～１０ｎｍ程度であることがより好ましい。第２の金属酸化物層１６の厚みは、特に限定されない。金属酸化物層１６の厚みは、１ｎｍ以上であることが好ましく、３ｎｍ～１０ｎｍ程度であることがより好ましい。第１及び第２の金属酸化物層１４、１６の厚みが小さすぎると、金属酸化物層１４、１６を介して、第１の金属層１３と第２の金属層１５との間や第２の金属層１５と第３の金属層１７との間で金属の移動が生じる虞がある。第２の金属層１５と第１または第３の金属層１３，１７との間で金属の移動が生じると、弾性波装置１の電極指抵抗が劣化する虞がある。さらに、第２の金属層１５と第１または第３の金属層１３，１７との間で金属の移動が生じると、これをきっかけに第１または第３の金属層１３，１７に直接接する金属層１２や金属層１８と第２の金属層１５との間で金属の移動が生じてしまい、さらなる電極指抵抗の劣化を引き起こすことになる。また、金属酸化物層１４、１６の厚みが大きすぎると、ＩＤＴ電極１０の電極指抵抗が高くなり、弾性波装置１の特性が劣化する虞がある。
The thickness of the first metal oxide layer 14 is not particularly limited. The thickness of the first metal oxide layer 14 is preferably 1 nm or more, and more preferably about 3 nm to 10 nm. The thickness of the second metal oxide layer 16 is not particularly limited. The thickness of the metal oxide layer 16 is preferably 1 nm or more, and more preferably about 3 nm to 10 nm. If the thicknesses of the first and second metal oxide layers 14 and 16 are too small, the first metal layer 13 and the second metal layer 15 are interposed between the first metal layer 13 and the second metal layer 15 via the metal oxide layers 14 and 16. There is a possibility that the metal moves between the metal layer 15 and the third metal layer 17. If metal movement occurs between the second metal layer 15 and the first or third metal layer 13, 17, the electrode finger resistance of the acoustic wave device 1 may be deteriorated. Furthermore, when a metal movement occurs between the second metal layer 15 and the first or third metal layer 13, 17, the metal directly in contact with the first or third metal layer 13, 17 is triggered by this. Metal movement occurs between the layer 12 or the metal layer 18 and the second metal layer 15, thereby further deteriorating the electrode finger resistance. Moreover, when the thickness of the metal oxide layers 14 and 16 is too large, the electrode finger resistance of the IDT electrode 10 is increased, and the characteristics of the acoustic wave device 1 may be deteriorated.
本実施形態において、金属層１１，１２，１３，１５，１７，１８，１９及び金属酸化物層１４，１６によって構成されるＩＤＴ電極１０の少なくとも一部の厚みは、通常２００ｎｍ～１０００ｎｍ程度である。
In the present embodiment, the thickness of at least a part of the IDT electrode 10 constituted by the metal layers 11, 12, 13, 15, 17, 18, 19 and the metal oxide layers 14 and 16 is usually about 200 nm to 1000 nm. .
ＩＤＴ電極１０の他の一部は、金属層１１，１２，１３，１５，１７，１８，１９及び金属酸化物層１４，１６によって構成されていてもよいし、異なる金属層や金属酸化物層から構成されてもよい。また、ＩＤＴ電極１０の他の一部は、単一の金属層により構成されていてもよい。ＩＤＴ電極１０の他の一部が、単一の金属層により構成される場合、単一の金属層は、例えばＡｌまたはＡｌ合金からなる金属により構成されていてもよい。Ａｌ合金としては、例えばＡｌＣｕ合金が挙げられる。ＩＤＴ電極１０の他の一部の厚みは、上記のＩＤＴ電極１０の少なくとも一部の厚みと同様とすればよい。
The other part of the IDT electrode 10 may be composed of metal layers 11, 12, 13, 15, 17, 18, 19 and metal oxide layers 14, 16, or different metal layers or metal oxide layers. May be configured. The other part of the IDT electrode 10 may be composed of a single metal layer. When the other part of the IDT electrode 10 is composed of a single metal layer, the single metal layer may be composed of a metal made of Al or an Al alloy, for example. Examples of the Al alloy include an AlCu alloy. The thickness of the other part of the IDT electrode 10 may be the same as the thickness of at least a part of the IDT electrode 10 described above.
なお、ＩＤＴ電極１０の形成は、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成した薄膜をリフトオフ法などによりパターニングすることにより行うことができる。以下、ＩＤＴ電極１０の形成方法の一例についてさらに詳細に説明する。
The IDT electrode 10 can be formed by patterning a thin film formed by vapor deposition or sputtering using a lift-off method or the like. Hereinafter, an example of a method for forming the IDT electrode 10 will be described in more detail.
まず、圧電基板２０の主面２０ａの上に、金属層１１、１２、１３を構成する金属を順次蒸着させて、金属層１１、１２、１３をこの順に形成する。次に、第１の金属層１３に酸素を接触させて第１の金属層１３を酸化させることにより、第１の金属酸化物層１４を形成する。すなわち、第１の金属層の表層に位置する金属に酸素を接触させて、第１の金属酸化物層１４を形成する。次に、第１の金属酸化物層１４の上に金属層１５を形成する。次に、第２の金属層１５に酸素を接触させて第２の金属層１５を酸化させることにより、第２の金属酸化物層１６を形成する。すなわち、第２の金属層１５の表層に位置する金属に酸素を接触させて、第２の金属酸化物層１６を形成する。そして、第２の金属酸化物層１６の上に第３の金属層１７、金属層１８、１９をこの順に形成する。以上の工程により、ＩＤＴ電極１０を形成することができる。
First, on the main surface 20a of the piezoelectric substrate 20, the metals constituting the metal layers 11, 12, and 13 are sequentially deposited to form the metal layers 11, 12, and 13 in this order. Next, oxygen is brought into contact with the first metal layer 13 to oxidize the first metal layer 13, thereby forming the first metal oxide layer 14. That is, oxygen is brought into contact with the metal located on the surface layer of the first metal layer to form the first metal oxide layer 14. Next, the metal layer 15 is formed on the first metal oxide layer 14. Next, oxygen is brought into contact with the second metal layer 15 to oxidize the second metal layer 15, thereby forming the second metal oxide layer 16. That is, oxygen is brought into contact with the metal located on the surface layer of the second metal layer 15 to form the second metal oxide layer 16. Then, the third metal layer 17 and the metal layers 18 and 19 are formed in this order on the second metal oxide layer 16. The IDT electrode 10 can be formed by the above steps.
第１及び第２の金属層１３、１５に酸素を接触させる方法は、特に限定されない。例えば、第１及び第２の金属層１３、１５をそれぞれ形成した後、チャンバー内に酸素ガスを導入して、第１及び第２の金属層１３、１５それぞれの表層に位置する金属と酸素とを接触させてもよい。また、チャンバー内を大気雰囲気下として、大気中に含まれる酸素と第１及び第２の金属層１３、１５それぞれの表層に位置する金属とを接触させてもよい。また、チャンバーから大気中に取り出し、大気中の酸素と接触させてもよい。
The method for bringing oxygen into contact with the first and second metal layers 13 and 15 is not particularly limited. For example, after forming the first and second metal layers 13 and 15 respectively, oxygen gas is introduced into the chamber, and the metal and oxygen located on the surface layer of each of the first and second metal layers 13 and 15. May be contacted. In addition, the atmosphere in the chamber may be placed in an air atmosphere, and oxygen contained in the air may be brought into contact with the metal located on the surface layer of each of the first and second metal layers 13 and 15. Further, it may be taken out from the chamber into the atmosphere and brought into contact with oxygen in the atmosphere.
ところで、従来、弾性波装置において、ＩＤＴ電極を複数の金属層の積層体とする場合、ＴｉやＮｉからなる層とＡｌまたはＡｌ合金からなる層との間では、金属の移動はほとんど起こらないと考えられていた。このため、例えば特許文献１のように、Ｔｉ層の直上にＡｌ層やＡｌＣｕ合金層を配して積層体としていた。
By the way, in the conventional acoustic wave device, when the IDT electrode is a laminate of a plurality of metal layers, there is almost no metal movement between the layer made of Ti or Ni and the layer made of Al or Al alloy. It was thought. For this reason, for example, as disclosed in Patent Document 1, an Al layer or an AlCu alloy layer is arranged directly on the Ti layer to form a laminated body.
ところが、本発明者が検討したところ、Ｔｉ層などのＡｌを含まない金属層とＡｌを含む金属層との間に金属酸化物層を設けることにより、金属酸化物層を設けない場合に比して、弾性波装置の信頼性が向上することが確認された。このことから、ＴｉやＮｉからなる層とＡｌまたはＡｌ合金からなる層との間でも、金属の移動が起こり、これによって、弾性波装置の信頼性が低下するものと考えられる。
However, the present inventors have examined that a metal oxide layer is provided between a metal layer that does not contain Al, such as a Ti layer, and a metal layer that contains Al, compared to a case where a metal oxide layer is not provided. Thus, it was confirmed that the reliability of the acoustic wave device was improved. For this reason, it is considered that metal movement also occurs between a layer made of Ti or Ni and a layer made of Al or an Al alloy, thereby reducing the reliability of the acoustic wave device.
本実施形態に係る弾性波装置１においては、Ａｌを含まない第１の金属層１３とＡｌを含む第２の金属層１５との間に、第１の金属酸化物層１４が配されている。このため、弾性波装置１では、Ａｌを含まない第１の金属層１３とＡｌを含む第２の金属層１５との間の金属の移動が効果的に抑制されていると考えられる。
In the acoustic wave device 1 according to the present embodiment, the first metal oxide layer 14 is arranged between the first metal layer 13 not containing Al and the second metal layer 15 containing Al. . For this reason, in the acoustic wave device 1, it is considered that the movement of the metal between the first metal layer 13 not containing Al and the second metal layer 15 containing Al is effectively suppressed.
さらに、ＩＤＴ電極１０には、Ａｌを含む第２の金属層１５とＡｌを含まない第３の金属層１７との間にも、金属酸化物層１６が配されている。よって、Ａｌを含む第２の金属層１５とＡｌを含まない第３の金属層１７との間の金属の移動が効果的に抑制されていると考えられる。
Furthermore, the metal oxide layer 16 is disposed on the IDT electrode 10 between the second metal layer 15 containing Al and the third metal layer 17 not containing Al. Therefore, it is considered that the movement of the metal between the second metal layer 15 containing Al and the third metal layer 17 not containing Al is effectively suppressed.
すなわち、本実施形態に係る弾性波装置１では、第１及び第２の金属酸化物層１４、１６によって、Ａｌを含む第２の金属層１５とＡｌを含まない第１及び第３の金属層１３、１７それぞれとが隔てられているため、Ａｌを含む第２の金属層１５が有する界面を通した金属の移動が抑制されている。その結果、優れた信頼性が実現されている。
That is, in the elastic wave device 1 according to the present embodiment, the first and second metal oxide layers 14 and 16 make the second metal layer 15 containing Al and the first and third metal layers not containing Al. Since 13 and 17 are separated from each other, the movement of the metal through the interface of the second metal layer 15 containing Al is suppressed. As a result, excellent reliability is realized.
本実施形態の弾性波装置１の製造方法においては、Ａｌを含まない第１の金属層１３及びＡｌを含む第２の金属層１５を酸素と接触させることにより、第１及び第２の金属酸化物層１４、１６を容易に形成することができる。特に、大気雰囲気下に金属層１３、１５と酸素とを接触させることにより、第１及び第２の金属酸化物層１４、１６を形成する場合は、第１及び第２の金属酸化物層１４，１６をより容易に形成することができる。
In the method of manufacturing the acoustic wave device 1 of the present embodiment, the first and second metal oxidations are performed by bringing the first metal layer 13 not containing Al and the second metal layer 15 containing Al into contact with oxygen. The physical layers 14 and 16 can be easily formed. In particular, when the first and second metal oxide layers 14 and 16 are formed by bringing the metal layers 13 and 15 and oxygen into contact with each other in an air atmosphere, the first and second metal oxide layers 14 are formed. 16 can be formed more easily.
なお、本発明において、ＩＤＴ電極は、一部が第１～第３の金属層と、第１及び第２の金属酸化物層とを有するものである限りにおいて特に限定されず、他の層を有していなくてもよい。
In the present invention, the IDT electrode is not particularly limited as long as a part thereof includes the first to third metal layers and the first and second metal oxide layers. It may not have.
以下、本発明について、具体的な実施例に基づいて、さらに詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲において適宜変更して実施することが可能である。なお、以下の説明において、上記の実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を共通の符号で参照する。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail on the basis of specific examples. However, the present invention is not limited to the following examples, and may be appropriately modified and implemented without departing from the scope of the present invention. Is possible. In the following description, members having substantially the same functions as those in the above embodiment are referred to by common reference numerals.
（実施例１）
チャンバー内にＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を導入し、圧力と温度を調整しながら、圧電基板上にＮｉＣｒ（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０（重量比））、Ｐｔ、Ｔｉをこの順に蒸着し、ＮｉＣｒからなる金属層１１、Ｐｔからなる金属層１２、Ｔｉからなる第１の金属層１３をこの順に形成した。次に、チャンバー内に大気を導入し、第１の金属層１３の表層にＴｉＯ２からなる第１の金属酸化物層１４を形成した。チャンバー内を減圧し、圧力と温度を調整しながら、第１の金属酸化物層１４の上にＡｌＣｕ（Ａｌ：Ｃｕ＝９９：１（重量比））を蒸着し、ＡｌＣｕからなる第２の金属層１５を形成した。そして、チャンバー内に大気を導入し、第２の金属層１５の表層にＡｌ２Ｏ３からなる第２の金属酸化物層１６を形成した。次に、チャンバー内を減圧し、圧力と温度を調整しながら、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｔｉをこの順に蒸着し、Ｔｉからなる第３の金属層１７、Ｐｔからなる金属層１８、Ｔｉからなる金属層１９をこの順に形成し、圧電基板２０上にＩＤＴ電極１０が形成された弾性波装置１を作製した。 Example 1
A piezoelectric substrate made of LiNbO 3 was introduced into the chamber, and while adjusting the pressure and temperature, NiCr (Ni: Cr = 80: 20 (weight ratio)), Pt, and Ti were deposited in this order on the piezoelectric substrate, and NiCrA metal layer 11 made of Pt, a metal layer 12 made of Pt, and a first metal layer 13 made of Ti were formed in this order. Next, air was introduced into the chamber, and a first metal oxide layer 14 made of TiO 2 was formed on the surface layer of the first metal layer 13. While reducing the pressure in the chamber and adjusting the pressure and temperature, AlCu (Al: Cu = 99: 1 (weight ratio)) is vapor-deposited on the first metal oxide layer 14 to form a second metal made of AlCu. Layer 15 was formed. Then, air was introduced into the chamber, and a second metal oxide layer 16 made of Al 2 O 3 was formed on the surface layer of the second metal layer 15. Next, while reducing the pressure in the chamber and adjusting the pressure and temperature, Ti, Pt, and Ti are deposited in this order, the third metal layer 17 made of Ti, the metal layer 18 made of Pt, and the metal layer made of Ti. 19 was formed in this order, and the acoustic wave device 1 in which the IDT electrode 10 was formed on the piezoelectric substrate 20 was produced.
チャンバー内にＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を導入し、圧力と温度を調整しながら、圧電基板上にＮｉＣｒ（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０（重量比））、Ｐｔ、Ｔｉをこの順に蒸着し、ＮｉＣｒからなる金属層１１、Ｐｔからなる金属層１２、Ｔｉからなる第１の金属層１３をこの順に形成した。次に、チャンバー内に大気を導入し、第１の金属層１３の表層にＴｉＯ２からなる第１の金属酸化物層１４を形成した。チャンバー内を減圧し、圧力と温度を調整しながら、第１の金属酸化物層１４の上にＡｌＣｕ（Ａｌ：Ｃｕ＝９９：１（重量比））を蒸着し、ＡｌＣｕからなる第２の金属層１５を形成した。そして、チャンバー内に大気を導入し、第２の金属層１５の表層にＡｌ２Ｏ３からなる第２の金属酸化物層１６を形成した。次に、チャンバー内を減圧し、圧力と温度を調整しながら、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｔｉをこの順に蒸着し、Ｔｉからなる第３の金属層１７、Ｐｔからなる金属層１８、Ｔｉからなる金属層１９をこの順に形成し、圧電基板２０上にＩＤＴ電極１０が形成された弾性波装置１を作製した。 Example 1
A piezoelectric substrate made of LiNbO 3 was introduced into the chamber, and while adjusting the pressure and temperature, NiCr (Ni: Cr = 80: 20 (weight ratio)), Pt, and Ti were deposited in this order on the piezoelectric substrate, and NiCr
ＩＤＴ電極１０を構成する金属層１１の厚みは１０ｎｍであった。金属層１２の厚みは２０ｎｍであった。第１の金属層１３の厚みは２０ｎｍであった。第１の金属酸化物層１４の厚みは、３ｎｍ程度であった。第２の金属層１５の厚みは３００ｎｍであった。第２の金属酸化物層１６の厚みは３ｎｍ程度であった。第３の金属層１７の厚みは２０ｎｍであった。金属層１８の厚みは２０ｎｍであった。金属層１９の厚みは１０ｎｍであった。
The thickness of the metal layer 11 constituting the IDT electrode 10 was 10 nm. The thickness of the metal layer 12 was 20 nm. The thickness of the first metal layer 13 was 20 nm. The thickness of the first metal oxide layer 14 was about 3 nm. The thickness of the second metal layer 15 was 300 nm. The thickness of the second metal oxide layer 16 was about 3 nm. The thickness of the third metal layer 17 was 20 nm. The thickness of the metal layer 18 was 20 nm. The thickness of the metal layer 19 was 10 nm.
次に、実施例１で得られた弾性波装置５つを窒素雰囲気中、３２５℃、３５０℃、３６２℃、３７５℃、３８７℃、及び４００℃の各温度で２時間加熱処理をした。加熱処理後の各弾性波装置のシート抵抗（ｍΩ／□）を測定した。加熱処理後の各弾性波装置について、熱処理温度とシート抵抗との関係を図５及び図６のグラフに示す。
Next, the five acoustic wave devices obtained in Example 1 were heat-treated at 325 ° C., 350 ° C., 362 ° C., 375 ° C., 387 ° C., and 400 ° C. for 2 hours in a nitrogen atmosphere. The sheet resistance (mΩ / □) of each acoustic wave device after the heat treatment was measured. The relationship between the heat treatment temperature and the sheet resistance is shown in the graphs of FIGS. 5 and 6 for each acoustic wave device after the heat treatment.
（比較例１）
図３は、比較例１で得られた弾性波装置におけるＩＤＴ電極の略図的断面図である。 (Comparative Example 1)
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an IDT electrode in the acoustic wave device obtained in Comparative Example 1.
図３は、比較例１で得られた弾性波装置におけるＩＤＴ電極の略図的断面図である。 (Comparative Example 1)
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an IDT electrode in the acoustic wave device obtained in Comparative Example 1.
比較例１では、チャンバー内に大気を導入する工程を除いて、実施例１と同様の工程及び電極膜厚となるようにしてＩＤＴ電極を作製した。得られたＩＤＴ電極の金属層の膜厚は、金属酸化物層を除いて、実施例１と同様であった。
In Comparative Example 1, an IDT electrode was fabricated in the same process and electrode film thickness as in Example 1 except for the process of introducing air into the chamber. The thickness of the metal layer of the obtained IDT electrode was the same as that of Example 1 except for the metal oxide layer.
次に、比較例１で得られた弾性波装置５つについて、実施例１と同様にして加熱処理した。加熱処理後の各弾性波装置について、熱処理温度とシート抵抗との関係を図５及び図６のグラフに示す。
Next, the five acoustic wave devices obtained in Comparative Example 1 were heat-treated in the same manner as in Example 1. The relationship between the heat treatment temperature and the sheet resistance is shown in the graphs of FIGS. 5 and 6 for each acoustic wave device after the heat treatment.
（参考例１）
図４は、参考例１で得られた弾性波装置におけるＩＤＴ電極の略図的断面図である。 (Reference Example 1)
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an IDT electrode in the acoustic wave device obtained in Reference Example 1.
図４は、参考例１で得られた弾性波装置におけるＩＤＴ電極の略図的断面図である。 (Reference Example 1)
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of an IDT electrode in the acoustic wave device obtained in Reference Example 1.
チャンバー内にＬｉＮｂＯ３からなる圧電基板を導入し、圧力と温度を調整しながら、圧電基板上にＮｉＣｒ（Ｎｉ：Ｃｒ＝８０：２０（重量比））、Ｐｔ、Ｔｉをこの順に蒸着し、ＮｉＣｒからなる金属層１１２、Ｐｔからなる金属層１２２、Ｔｉからなる金属層１３２をこの順に形成した。次に、チャンバー内に大気を導入し、金属層１３２の表層にＴｉＯ２からなる金属酸化物層１４２を形成した。チャンバー内を減圧し、圧力と温度を調整しながら、金属酸化物層１４２の上にＡｌＣｕ（Ａｌ：Ｃｕ＝９９：１（重量比））、Ｔｉをこの順に蒸着し、ＡｌＣｕからなる金属層１５２及びＴｉからなる金属層１７２ａを形成した。そして、チャンバー内に大気を導入し、金属層１７２ａの表層にＴｉＯ２からなる金属酸化物層１６２を形成した。次に、チャンバー内を減圧し、圧力と温度を調整しながら、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｔｉをこの順に蒸着し、Ｔｉからなる金属層１７２ｂ、Ｐｔからなる金属層１８２、Ｔｉからなる金属層１９２をこの順に形成し、圧電基板２０上にＩＤＴ電極１０が形成された弾性波装置１を作製した。
A piezoelectric substrate made of LiNbO 3 was introduced into the chamber, and while adjusting the pressure and temperature, NiCr (Ni: Cr = 80: 20 (weight ratio)), Pt, and Ti were deposited in this order on the piezoelectric substrate, and NiCr A metal layer 112 made of Pt, a metal layer 122 made of Pt, and a metal layer 132 made of Ti were formed in this order. Next, air was introduced into the chamber, and a metal oxide layer 142 made of TiO 2 was formed on the surface of the metal layer 132. While reducing the pressure in the chamber and adjusting the pressure and temperature, AlCu (Al: Cu = 99: 1 (weight ratio)) and Ti are deposited in this order on the metal oxide layer 142, and the metal layer 152 made of AlCu is deposited. And the metal layer 172a which consists of Ti was formed. Then, by introducing air into the chamber to form a metal oxide layer 162 made of TiO 2 on the surface layer of the metal layer 172a. Next, while reducing the pressure in the chamber and adjusting the pressure and temperature, Ti, Pt, and Ti are vapor-deposited in this order, and the Ti metal layer 172b, the Pt metal layer 182 and the Ti metal layer 192 are formed. The acoustic wave device 1 in which the IDT electrode 10 was formed on the piezoelectric substrate 20 was manufactured in order.
ＩＤＴ電極１０を構成する金属層の膜厚は、金属酸化物層１６２が３ｎｍ程度であること以外は、実施例１と同様であった。
The film thickness of the metal layer constituting the IDT electrode 10 was the same as in Example 1 except that the metal oxide layer 162 was about 3 nm.
次に、参考例１で得られた弾性波装置５つについて、実施例１と同様にして加熱処理した。加熱処理後の各弾性波装置について、熱処理温度とシート抵抗との関係を図５及び図６のグラフに示す。
Next, the five acoustic wave devices obtained in Reference Example 1 were heat treated in the same manner as in Example 1. The relationship between the heat treatment temperature and the sheet resistance is shown in the graphs of FIGS. 5 and 6 for each acoustic wave device after the heat treatment.
図５及び図６から明らかなように、金属酸化物層を設けない比較例１では、熱処理温度が３２５℃である場合に、抵抗値に上昇がみられる。また、第２の金属層の両側をＴｉ層とし、自然酸化により酸化チタン膜を配置した参考例１では、比較例１よりは熱処理による抵抗値の上昇が抑制されているが、それでも熱処理温度が３５０℃を超えると徐々に抵抗値の上昇傾向がみられる。これに対し、実施例１では、熱処理温度が３７５℃であっても、熱処理後の抵抗値は、熱処理前と同程度であり、この結果から、温度上昇に伴う金属の移動が抑制され、弾性波装置の信頼性が向上することがわかる。
As apparent from FIGS. 5 and 6, in Comparative Example 1 in which the metal oxide layer is not provided, the resistance value increases when the heat treatment temperature is 325 ° C. Further, in Reference Example 1 in which both sides of the second metal layer are Ti layers and the titanium oxide film is disposed by natural oxidation, the increase in resistance value due to heat treatment is suppressed as compared with Comparative Example 1, but the heat treatment temperature is still high. When the temperature exceeds 350 ° C., the resistance value gradually increases. On the other hand, in Example 1, even if the heat treatment temperature is 375 ° C., the resistance value after the heat treatment is almost the same as that before the heat treatment. It can be seen that the reliability of the wave device is improved.
１…弾性波装置
１０…ＩＤＴ電極
１１，１２，１８，１９…金属層
１３…第１の金属層
１４…第１の金属酸化物層
１５…第２の金属層
１６…第２の金属酸化物層
１７…第３の金属層
２０…圧電基板 DESCRIPTION OFSYMBOLS 1 ... Elastic wave apparatus 10 ... IDT electrode 11, 12, 18, 19 ... Metal layer 13 ... 1st metal layer 14 ... 1st metal oxide layer 15 ... 2nd metal layer 16 ... 2nd metal oxide Layer 17 ... third metal layer 20 ... piezoelectric substrate
１０…ＩＤＴ電極
１１，１２，１８，１９…金属層
１３…第１の金属層
１４…第１の金属酸化物層
１５…第２の金属層
１６…第２の金属酸化物層
１７…第３の金属層
２０…圧電基板 DESCRIPTION OF
Claims (6)
- 圧電基板と、
前記圧電基板の上に形成されているＩＤＴ電極と、
を備える弾性波装置であって、
前記ＩＤＴ電極の少なくとも一部は、Ａｌを含まない第１の金属層と、第１の金属層の上に配されており、Ａｌを含む第２の金属層と、第２の金属層の上に配されており、Ａｌを含まない第３の金属層とを有し、
前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に配されており、前記第１の金属層の酸化物からなる第１の金属酸化物層と、
前記第３の金属層と前記第２の金属層との間に配されており、前記第２の金属層の酸化物からなる第２の金属酸化物層と、
をさらに有する、弾性波装置。 A piezoelectric substrate;
An IDT electrode formed on the piezoelectric substrate;
An elastic wave device comprising:
At least a part of the IDT electrode is disposed on the first metal layer that does not contain Al, the first metal layer, the second metal layer that contains Al, and the second metal layer. And a third metal layer not containing Al,
A first metal oxide layer disposed between the first metal layer and the second metal layer, the first metal oxide layer comprising an oxide of the first metal layer;
A second metal oxide layer disposed between the third metal layer and the second metal layer, the second metal oxide layer comprising an oxide of the second metal layer;
An elastic wave device further comprising: - 前記第２の金属層は、ＡｌまたはＡｌＣｕ合金からなる、請求項１に記載の弾性波装置。 The elastic wave device according to claim 1, wherein the second metal layer is made of Al or an AlCu alloy.
- 前記第１及び第３の金属層の少なくとも一方は、Ｔｉ、Ｎｉ及びＣｒからなる群から選ばれる少なくとも１種からなる、請求項１または２に記載の弾性波装置。 The elastic wave device according to claim 1 or 2, wherein at least one of the first and third metal layers is made of at least one selected from the group consisting of Ti, Ni, and Cr.
- 前記第１及び第２の金属酸化物層のそれぞれの厚みが、１ｎｍ以上である、請求項１～３のいずれか一項に記載の弾性波装置。 The elastic wave device according to any one of claims 1 to 3, wherein each of the first and second metal oxide layers has a thickness of 1 nm or more.
- 請求項１～４のいずれか一項に記載の弾性波装置の製造方法であって、
前記第１の金属層を形成した後に、前記第１の金属層に酸素を接触させることにより前記第１の金属酸化物層を形成し、
前記第２の金属層を形成した後に、前記第２の金属層に酸素を接触させることにより前記第２の金属酸化物層を形成する、弾性波装置の製造方法。 An acoustic wave device manufacturing method according to any one of claims 1 to 4,
After forming the first metal layer, forming the first metal oxide layer by bringing oxygen into contact with the first metal layer;
A method of manufacturing an acoustic wave device, wherein after forming the second metal layer, the second metal oxide layer is formed by bringing oxygen into contact with the second metal layer. - 前記第１の金属層を形成した後に、大気雰囲気下で前記第１の金属層に酸素を接触させることにより前記第１の金属酸化物層を形成し、
前記第２の金属層を形成した後に、大気雰囲気下で前記第２の金属層に酸素を接触させることにより前記第２の金属酸化物層を形成する、請求項５に記載の弾性波装置の製造方法。 After forming the first metal layer, forming the first metal oxide layer by bringing oxygen into contact with the first metal layer in an air atmosphere;
6. The acoustic wave device according to claim 5, wherein after forming the second metal layer, the second metal oxide layer is formed by bringing oxygen into contact with the second metal layer in an air atmosphere. Production method.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014185331A1 (en) * | 2013-05-14 | 2014-11-20 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device and method for manufacturing same |
| KR20180122734A (en) * | 2016-06-07 | 2018-11-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Seismic wave device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001007674A (en) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Surface acoustic wave device |
| JP2003243961A (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Surface acoustic wave element |
| WO2008108215A1 (en) * | 2007-03-06 | 2008-09-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic boundary wave device |
-
2012
- 2012-06-04 JP JP2013519478A patent/JPWO2012169452A1/en active Pending
- 2012-06-04 WO PCT/JP2012/064353 patent/WO2012169452A1/en active Application Filing
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001007674A (en) * | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Toyo Commun Equip Co Ltd | Surface acoustic wave device |
| JP2003243961A (en) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | Surface acoustic wave element |
| WO2008108215A1 (en) * | 2007-03-06 | 2008-09-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic boundary wave device |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014185331A1 (en) * | 2013-05-14 | 2014-11-20 | 株式会社村田製作所 | Elastic wave device and method for manufacturing same |
| US10084428B2 (en) | 2013-05-14 | 2018-09-25 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elastic wave device and method for manufacturing the same |
| KR20180122734A (en) * | 2016-06-07 | 2018-11-13 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Seismic wave device |
| KR102095213B1 (en) * | 2016-06-07 | 2020-03-31 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | Seismic device |
| US11239820B2 (en) | 2016-06-07 | 2022-02-01 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acoustic wave device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2012169452A1 (en) | 2015-02-23 |
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