WO2012122876A1

WO2012122876A1 - 集成mems器件及其形成方法

Info

Publication number: WO2012122876A1
Application number: PCT/CN2012/071491
Authority: WO
Inventors: 柳连俊
Original assignee: 迈尔森电子（天津）有限公司
Priority date: 2011-03-15
Filing date: 2012-02-23
Publication date: 2012-09-20
Also published as: CN102180435B; CN102180435A

Description

集成 MEMS器件及其形成方法

本申请要求于 2011 年 3 月 15 日提交中国专利局、申请号为 201110061564.2、发明名称为"集成 MEMS器件及其形成方法"的中国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别地，本发明涉及集成 MEMS器件及其形成方法。背景技术

从二十世纪八十年代末开始，随着微机电系统 ( Micro-Electro-Mechanical-System, MEMS )技术的发展，各种传感器实现了敖小型化。

目前各种传感器中应用较多的主要包括 MEMS压力传感器、 MEMS惯性传感器和 MEMS麦克风。所述 MEMS压力传感器是一种用于检测压力的装置，目前的 MEMS压力传感器有硅压阻式压力传感器和硅电容式压力传感器，两者都是在硅片上生成的微机电传感器。 MEMS压力传感器广泛应用于汽车电子比如 TPMS (轮胎压力监测系统），消费电子比如胎压计、血压计，工业电子比如数字压力表、数字流量表、工业配料称重等领域。 MEMS麦克风是一种用于声音信号转换的装置。 MEMS麦克风普遍应用在手机、耳机、笔记本电脑、摄像机和汽车上。

所述 MEMS惯性传感器是一种利用惯性进行测量的装置。在实际应用中，所述 MEMS惯性传感器通常指的是加速度计或转角器（又称陀螺仪 )₀根据传感原理不同，主要有压阻式、电容式、压电式、隧道电流式、谐振式、热电耦合式和电磁式等。 MEMS 惯性传感器在消费电子类领域主要应用在手机、游戏机等便携式设备中；在汽车领域，主要应用于汽车电子稳定系统（ESP或者 ESC ) 比如汽车安全气嚢、车辆姿态测量等、或 GPS辅助导航系统；在军用或者宇航领域，主要应用于通讯卫星无线、导弹导引头等。

如前所述，各种传感器在消费类电子、汽车电子以及工业电子中均有广泛的应用，但由于各种传感器的制作与封装方法之间的明显差异，迄今为止仍未有集成化传感器产品进入市场。目前 MEMS惯性传感器和 MEMS压力传感器已经在汽车轮胎的 TPMS (轮胎压力监控系统）中有所应用，然而现在的加速度传感器、压力传感器芯片是分开设计制作，然后封装在一起的。由于各种传感器分别设计制作并封装在一起，这使得现有的集成多种传感器的 MEMS器件的工艺复杂、体积较大、成本较高。专利号为 US7,518,493 B2的美国专利就介绍了这样一种方法。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种集成 MEMS器件及其形成方法，克服了现有技术的工艺复杂、体积大、成本较高的缺陷。为解决上述问题，本发明实施例提供一种集成 MEMS器件，包括：第一衬底，包括第一表面和与之相对的第二表面，所述第一衬底包括第一区域和第三区域；至少一层或多层导电层，形成于所述第一衬底的第一表面；惯性传感器的可移动敏感元素，釆用第一区域的第一衬底形成；第二衬底和第三衬底，所述第二衬底与所述第一衬底上的导电层的表面结合 ,所述第三衬底与所述第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素一侧结合，且所述第三衬底和所述第二衬底分别位于惯性传感器的可移动敏感元素的相^两侧；麦克风的敏感薄膜或背板电极，至少包括第三区域的第一衬底，或者至少包括第三区域的第一衬底上的导电层中的一层。可选地，所述第一衬底为单晶半导体材料。可选地，所述导电层包括惯性传感器的第一电屏蔽层。可选地，所述麦克风的敏感薄膜为多层，所述麦克风的敏感薄膜包括所述导电层中的一层、及位于该层导电层之上或者之下的材料层；或者，所述麦克风的敏感薄膜包括第一衬底、及位于所述第一衬底之上或之下的材料层。

可选地，所述第三衬底上形成有与所述第一衬底结合的导电材料层；麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极包括位于所述第三区域的第一衬底上的导电层中的一层，或者所述第三区域的第一衬底，或者所述第三衬底上的导电材料层。

可选地，所述第一衬底还包括第二区域，所述集成 MEMS器件还包括：压力传感器的敏感薄膜或固定电极，至少包括第二区域的第一衬底，或者至少包括第二区域的第一衬底上的导电层中的一层。可选地，所述导电层包括惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层、惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器的固定电极的支撑点、惯性传感器的可移动敏感元素的支撑点或者其任意组合。

可选地，所述导电层包括包括惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层，所述互连层比所述第一电屏蔽层更为靠近所述第一衬底的第一表面。可选地，所述第三衬底上形成有与所述第一衬底结合的导电材料层；所述压力传感器的敏感薄膜或固定电极釆用第二区域的第一衬底上的导电层中的一层形成、或者釆用第二区域的第一衬底形成、或者釆用第三衬底上的导电材料层形成。可选地，所述压力传感器的敏感薄膜包括形成所述惯性传感器的第一电屏蔽层的材料层或者包括形成所述惯性传感器的互连层的材料层；所述麦克风的敏感薄膜包括形成所述惯性传感器的第一电屏蔽层的材料层或包括形成所述惯性传感器的互连层的材料层。可选地，所述压力传感器的固定电极釆用第二区域的第一衬底形成，所述压力传感器的固定电极内形成有孔洞；所述麦克风的背板电极釆用所述第三区域的第一衬底形成，所述麦克风的背板电极内形成有孔洞。可选地，所述压力传感器的敏感薄膜与压力传感器的固定电极之间还形成有压力传感器的可移动敏感元素，所述压力传感器的可移动敏感元素与所述敏感薄膜之间通过连接臂连接，所述压力传感器的可移动敏感元素内形成有孔洞；所述麦克风的敏感薄膜与麦克风的背板电极之间还形成有麦克风的可移动敏感元素，所述麦克风的可移动敏感元素与所述麦克风的敏感薄膜之间通过连接臂连接，所述麦克风的可移动敏感元素内形成有孔洞。

可选地，所述压力传感器的敏感薄膜为多层；所述敏感薄膜包括导电层中的一层、及位于该层导电层之上或者之下的材料层；或者，所述压力传感器的敏感薄膜包括第一衬底，及位于所述第一衬底之上或者之下的材料层。

可选地，还包括：麦克风通道开口，暴露出所述麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极；麦克风空腔，位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口的一侧；压力通道开口，暴露出所述压力传感器的敏感薄膜；所述麦克风的敏感薄膜内形成有孔洞，所述麦克风的背板电极内形成有孔洞，所述麦克风的敏感薄膜内的孔洞与所述麦克风的背板电极内的孔洞以及麦克风空腔和麦克风通道开口相连通；所述麦克风通道开口与所述压力传感器的压力通道开口位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的相同一侧；所述麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口和压力传感器的压力通道开口的一侧；所述麦克风空腔贯穿所述第二衬底、第二衬底与所述麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极之间的材料层，或所述麦克风空腔贯穿所述第三衬底、第三衬底与所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极之间的材料层；所述麦克风空腔作为声音信号和压力信号的共同通道。

相应地，本发明还提供一种集成 MEMS器件的形成方法，包括：提供第二衬底和第三衬底；提供第一衬底，所述第一衬底包括第一表面和与之相对的第二表面，所述第一衬底包括第一区域和第三区域；

在所述第一衬底的第一表面形成一层或者多层导电层；将所述第二衬底结合至所述第一衬底上的导电层的表面；釆用第一区域的第一衬底形成惯性传感器的可移动敏感元素；形成麦克风的敏感薄膜或背板电极，所述麦克风的敏感薄膜或背板电极至少包括所述第三区域的第一衬底、或者至少包括第三区域上的第一衬底上的导电层中的一层；将所述第三衬底结合至第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素的一侧，且所述第三衬底和所述第二衬底分别位于所述惯性传感器的可移动敏感元素的相对两侧。

可选地，所述第一衬底釆用单晶半导体材料。可选地，所述导电层包括惯性传感器的第一电屏蔽层。可选地，形成所述导电层包括形成惯性传感器和麦克风的互连层、惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器的固定电极的支撑点、惯性传感器的可移动敏感元素的支撑点或者其任意组合。

可选地，形成所述导电层包括形成惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器和麦克风的互连层，所述互连层比所述第一电屏蔽层更为靠近所述第一衬底的第一表面。可选地，所述麦克风的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的第一电屏蔽层的材料层形成，或所述麦克风的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的第一电屏蔽层和第一电屏蔽层之上和 /或之下的材料层形成，或所述麦克风的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的互连层的材料层形成 ,或所述麦克风的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的互连层的材料层和该层互连层之上和 /或之下的材料层形成。

可选地，所述麦克风的背板电极釆用所述第三区域的第一衬底形成，所述集成 MEMS器件的形成方法还包括在所述麦克风的背板电极内形成孔洞的步骤。

可选地，还包括：在所述麦克风的敏感薄膜与麦克风的背板电极之间形成麦克风的可移动敏感元素；

在所述麦克风的可移动敏感元素与所述麦克风的敏感薄膜之间形成连接臂，所述连接臂将所述麦克风的可移动敏感元素与所述麦克风的敏感薄膜连接；

在所述麦克风的可移动敏感元素内形成孔洞。

可选地，所述麦克风的敏感薄膜为多层，所述麦克风的敏感薄膜包括导电层中的一层、及位于该层导电层之上或者之下的材料层；或者所述麦克风的敏感薄膜包括第一衬底及位于所述第一衬底之上或之下的材料层。

可选地，还包括：在所述第三衬底上形成与所述第一衬底结合的导电材料层；所述麦克风的敏感电极或背板电极釆用第三区域的第一衬底上的导电层中的一层、或者所述第三区域的第一衬底或所述第三衬底上的导电材料层形成。

可选地，所述第一衬底还包括第二区域，所述集成 MEMS器件的形成方法还包括：

形成压力传感器的敏感薄膜或固定电极，所述压力传感器的敏感薄膜或固定电极至少包括所述第二区域的第一衬底、或者至少包括第二区域的第一衬底上的导电层中的一层。可选地，所述导电层包括惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层、惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器的固定电极的支撑点、惯性传感器的可移动敏感元素的支撑点或者其任意组合。

可选地，所述导电层包括惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层，所述互连层比所述第一电屏蔽层更为靠近所述第一村底的第一表面。

可选地，所述压力传感器的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的第一电屏蔽层的材料层形成，或所述压力传感器的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的第一电屏蔽层和所述第一电屏蔽层之上和 /或之下的材料层形成，或所述压力传感器的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的互连层的材料层形成，或所述压力传感器的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的互连层和所述互连层之上和 /或之下的材料层形成。可选地，还包括：在所述第三衬底上形成与所述第一衬底结合的导电材料层；

所述压力传感器的敏感薄膜或固定电极釆用第二区域的第一衬底上的导电层中的一层、或者釆用第二区域的第一衬底、或者釆用第三衬底上的导电材料层形成。

可选地，所述压力传感器的敏感薄膜釆用所述第一衬底形成；所述压力传感器的固定电极釆用第三衬底上的导电材料层形成。可选地，所述压力传感器的固定电极釆用第二区域的第一衬底形成，所述集成 MEMS器件的形成方法还包括在所述压力传感器的固定电极内形成孔洞的步骤。

可选地，还包括：在所述压力传感器的敏感薄膜与压力传感器的固定电极之间形成压力传感器的可移动敏感元素；在所述压力传感器的可移动敏感元素与所述敏感薄膜之间形成连接彼此的连接臂；在所述压力传感器的可移动敏感元素内形成孔洞。

可选地，所述压力传感器的敏感薄膜为多层；所述压力传感器的敏感薄膜包括导电层中的一层、及位于导电层中之上或者之下的材料层；或者所述压力传感器的敏感薄膜包括第一衬底、及位于第一衬底之上或者之下的材料层。

可选地，还包括：形成麦克风通道开口，暴露出麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极；形成麦克风空腔，所述麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口的一侧；形成压力通道开口，暴露出所述压力传感器的敏感薄膜；在所述麦克风的敏感薄膜内形成孔洞，在所述麦克风的背板电极形成孔洞，所述麦克风的敏感薄膜内的孔洞与所述麦克风的背板电极内的孔洞以及麦克风空腔和麦克风通道开口相连通；所述麦克风通道开口与所述压力传感器的压力通道开口位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的相同一侧；所述麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口和压力传感器的压力通道开口的一侧；所述麦克风空腔贯穿所述第二衬底、第二衬底与所述麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极之间的材料层，或所述麦克风空腔贯穿所述第三衬底、第三衬底与所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极之间的材料层；所述麦克风空腔作为声音信号和压力信号的共同通道。

可选地，所述第三衬底上还形成有压焊版片，所述集成 MEMS器件的形成方法还包括：形成麦克风通道开口，暴露出麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极；形成麦克风空腔，所述麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口的一侧；形成压力通道开口，暴露出所述压力传感器的敏感薄膜；

在形成所述麦克风通道开口或麦克风空腔或压力通道开口的同时暴露出所述压焊版片。与现有技术相比，本发明实施例具有以下优点：通过釆用第一衬底形成惯性传感器的可移动敏感元素，并且釆用第一衬底或者第一衬底上的导电层中的一层形成麦克风的敏感薄膜，形成的集成 MEMS器件的体积较小，成本低，而且封装后可靠性高。在本发明的实施例中，还可以釆用第一衬底或者第一衬底上的导电层中的一层形成压力传感器的敏感薄膜和麦克风的敏感薄膜，从而可以形成集成了惯性传感器、压力传感器和麦克风的集成 MEMS器件，进一步提高了本发明的集成 MEMS器件的集成度，并且，形成的集成 MEMS器件的体积小，成本低。而且本发明实施例釆用单晶的半导体材料制作惯性传感器的可移动敏感元素，可以制备出较厚的惯性传感器的可移动敏感元素，即可动电极，从而可以加大质量块的质量，提高所述惯性传感器的灵敏度和可靠性。再者，本发明实施例通过在所述第一衬底上还形成导电层，所述导电层可以用于制作惯性传感器的第一电屏蔽层，所述第一电屏蔽层与互连层中的屏蔽互连线电连接，从而可以防止惯性传感器的受到外界电信号的干扰。

再进一步地，本发明实施例的导电层还可以为包括惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器的固定电极的支撑点、惯性传感器的可移动敏感元素的支撑点或者其任意组合，这样，可以充分利用这些材料形成压力传感器和麦克风的不同的结构，比如压力传感器的敏感薄膜和 /或可移动敏感元素、或者固定电极，或者又比如所述麦克风的敏感薄膜和 /或固定电极，一方面减小了集成 MEMS器件的体积；而且降低了制作工艺的难度，增加了制作器件的灵活性以及更易于进行布局，增加了与其他器件进行集成的灵活性。

再进一步地，本发明实施例的导电层除了包括惯性传感器的电屏蔽层，还可以包括制作惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层，这样所述惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层可以釆用共同的导电层制作，进一步减小了集成 MEMS器件的体积，一方面减小了集成 MEMS器件的体积；而且降低了制作工艺的难度，增加了制作器件的灵活性以及更易于进行布局，增加了与其他器件进行集成的灵活性。本发明实施例的所述压力传感器的敏感薄膜可以为多层也可以为单层，这样本发明实施例形成的集成 MEMS器件既可以适用于压力比较大的场合，也可以适用于压力比较小需要敏感薄膜比较灵敏的场合。本发明的实施例所述的麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口和压力传感器的压力通道开口的一侧；所述麦克风空腔贯穿所述第二衬底、第二衬底与所述麦克风敏的感薄膜或麦克风的背板电极之间的材料层，或所述麦克风空腔贯穿所述第三衬底、第三衬底与所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极之间的材料层；所述麦克风空腔作为声音信号和压力信号的共同通道，从而压力信号可以经过麦克风空腔、麦克风的背板电极内的孔洞、麦克风的敏感薄膜内的孔洞到达所述压力通道开口，从而压力通道开口无需暴露在外部，保护了压力传感器，避免压力传感器受到外部环境的干扰和污染，提高了压力传感器的寿命和可靠性。附图说明图 1是本发明的一个实施例的 X轴、 Y轴的加速度传感器结构示意图；图 2是本发明的一个实施例的 Z轴的及麦克风传感器立体结构示意图；图 3是本发明的另一个实施例的 Z轴的及麦克风传感器立体结构示意图；图 4是本发明的一个实施例的转角器的结构示意图；图 5是本发明的一个实施例的转角器的剖面结构示意图；图 6是本发明的一个实施例的形成集成 MEMS器件的方法的流程示意图；图 7 ~ 16是本发明的一个实施例的形成集成 MEMS器件的方法的剖面结构示意图；

图 17至图 34本发明的第二至第十七实施例的集成 MEMS器件的剖面结构示意图。具体实施方式本发明实施例通过釆用第一衬底形成惯性传感器的可移动敏感元素，并且釆用第一衬底或者第一衬底上的导电层中的一层形成麦克风的敏感薄膜，形成的集成 MEMS器件的体积较小，成本低，而且封装后可靠性高。在本发明的实施例中，还可以釆用第一衬底或者第一衬底上的导电层中的一层形成压力传感器的敏感薄膜和麦克风的敏感薄膜，从而可以形成集成了惯性传感器、压力传感器和麦克风的集成 MEMS器件，进一步提高了本发明的集成 MEMS器件的集成度，并且，形成的集成 MEMS器件的体积小，成本低。

而且本发明实施例釆用单晶的半导体材料制作惯性传感器的可移动敏感元素，可以制备出较厚的惯性传感器的可移动敏感元素，即可动电极，从而可以加大质量块的质量，提高所述惯性传感器的灵敏度和可靠性。再者，本发明实施例通过在所述第一衬底上还形成导电层，所述导电层可以用于制作惯性传感器的第一电屏蔽层，所述第一电屏蔽层与互连层中的屏蔽互连线电连接，从而可以防止惯性传感器的受到外界电信号的干扰。

再进一步地，本发明实施例的导电层还可以为包括惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器的固定电极的支撑点、惯性传感器的可移动敏感元素的支撑点或者其任意组合，这样，可以充分利用这些材料形成压力传感器和麦克风的不同的结构，比如压力传感器的敏感薄膜和 /或可移动敏感元素、或者固定电极，或者又比如所述麦克风的敏感薄膜和 /或固定电极，一方面减小了集成 MEMS 器件的体积；而且降低了制作工艺的难度，增加了制作器件的灵活性以及更易于进行布局，增加了与其他器件进行集成的灵活性。再进一步地，本发明实施例的导电层除了包括惯性传感器的电屏蔽层，还可以包括制作惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层，这样所述惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层可以釆用共同的导电层制作，进一步减小了集成 MEMS器件的体积，一方面减小了集成 MEMS器件的体积；而且降低了制作工艺的难度，增加了制作器件的灵活性以及更易于进行布局，增加了与其他器件进行集成的灵活性。本发明实施例的所述压力传感器的敏感薄膜可以为多层也可以为单层，这样本发明实施例形成的集成 MEMS器件既可以适用于压力比较大的场合，也可以适用于压力比较 d、需要敏感薄膜比较灵敏的场合。

本发明的实施例所述的麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口和压力传感器的压力通道开口的一侧；所述麦克风空腔贯穿所述第二衬底、第二衬底与所述麦克风敏感薄膜或麦克风的背板电极之间的材料层，或所述麦克风空腔贯穿所述第三衬底、第三衬底与所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极之间的材料层；所述麦克风空腔作为声音信号和压力信号的共同通道，从而压力信号可以经过麦克风空腔、麦克风的背板电极内的孔洞、麦克风的敏感薄膜内的孔洞到达所述压力通道开口，从而压力通道开口无需暴露在外部，保护了压力传感器，避免压力传感器受到外部环境的干扰和污染，提高了压力传感器的寿命和可靠性。为了达到上述发明目的，本发明实施例提供了如下了技术方案：本发明实施例首先提供一种集成 MEMS器件，所述集成 MEMS器件集成了

MEMS惯性传感器和 MEMS麦克风，包括：第一衬底，包括第一表面和与之相对的第二表面，所述第一衬底包括第一区域和第三区域；至少一层或多层导电层，形成于所述第一衬底的第一表面；惯性传感器的可移动敏感元素，釆用第一区域的第一衬底形成；第二衬底和第三衬底，所述第二衬底与所述第一衬底上的导电层的表面结合 ,所述第三衬底与所述第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素一侧结合，且所述第三衬底和所述第二衬底分别位于惯性传感器的可移动敏感元素的相对两侧；麦克风的敏感薄膜或背板电极，至少包括第三区域的第一衬底，或者至少包括第三区域的第一衬底上的导电层中的一层。上述实施例的集成 MEMS器件集成了 MEMS惯性传感器和 MEMS麦克风，其中所述麦克风的敏感薄膜至少包括第三区域的第一衬底、或者至少包括第三区域的第一衬底上的导电层中的一层，从而提高了所述集成 MEMS器件的集成度，将 MEMS惯性传感器和 MEMS麦克风集成在同一器件内，提高了器件的集成度和可靠度。

在上述实施例中，所述第一衬底的材质应为半导体材质，例如所述第一衬底的材质可以为非晶硅、多晶硅、锗硅、单晶硅等。作为本发明的一个实施例，所述第一衬底为单晶半导体材料，利用单晶半导体材料制作的惯性传感器的可移动敏感元素的质量大，从而可以加大质量块的质量，提高所述惯性传感器的灵敏度和可靠性。

并且，在本发明的一个实施例中，所述导电层包括惯性传感器的第一电屏蔽层，所述第一电屏蔽层能够与惯性传感器的互连层中的屏蔽互连线电连接，从而可以防止惯性传感器的受到外界电信号的干扰。在本发明的又一实施例中，所述麦克风的敏感薄膜为多层，所述麦克风的敏感薄膜包括所述导电层中的一层、及位于该层导电层之上或者之下的材料层；或者，所述麦克风的敏感薄膜包括第一衬底、及位于所述第一衬底之上或之下的材料层，从而本发明实施例形成的集成 MEMS器件既可以适用于压力比较大的场合，也可以适用于压力比较小需要敏感薄膜比较灵敏的场合。在本发明的再一实施例中，所述第三衬底上形成有与所述第一衬底结合的导电材料层；

麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极包括位于所述第三区域的第一衬底上的导电层中的一层，或者所述第三区域的第一衬底，或者所述第三衬底上的导电材料层。具体地，本发明所述的麦克风可以包括：麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极，其中，所述麦克风的敏感薄膜包括位于所述第三区域的第一衬底上的导电层中的一层；麦克风的背板电极或敏感薄膜釆用第三区域的第一衬底上的导电层中的另一层、或者所述第三区域的第一衬底形成或者釆用第三衬底上的导电材料层形成；或者，所述麦克风的敏感薄膜包括第三区域的第一衬底，麦克风的背板电极釆用第三区域的第一衬底上的导电层中的一层、或者釆用第三衬底上的导电材料层形成；或者，所述麦克风的敏感薄膜包括所述第三衬底上的导电材料层，麦克风的背板电极釆用第三区域的第一衬底上的导电层中的一层、或者釆用所述第三区域的第一衬底形成。上述各个实施例示出了集成了 MEMS惯性传感器和 MEMS麦克风的集成 MEMS器件的各种结构，本领域技术人员可以根据需要进行具体的选择和组合，在此不应限制本发明实施例的保护范围。作为可选的实施例，本发明所述的集成 MEMS器件还可以为集成了惯性传感器、压力传感器和麦克风的器件，在此情况下，所述集成 MEMS器件包括：第一衬底，包括第一表面和与之相对的第二表面，所述第一衬底包括第一区域、第二区域和第三区域；至少一层或多层导电层，形成于所述第一衬底的第一表面；惯性传感器的可移动敏感元素，釆用第一区域的第一衬底形成；第二衬底和第三衬底，所述第二衬底与所述第一衬底上的导电层的表面结合 ,所述第三衬底与所述第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素一侧结合，且所述第三衬底和所述第二衬底分别位于惯性传感器的可移动敏感元素的相对两侧；麦克风的敏感薄膜或背板电极，至少包括第三区域的第一衬底，或者至少包括第三区域的第一衬底上的导电层中的一层；压力传感器的敏感薄膜或固定电极，至少包括第二区域的第一衬底，或者至少包括第二区域的第一衬底上的导电层中的一层。所述集成 MEMS器件同时集成了 MEMS惯性传感器、压力传感器和麦克风，通过釆用第一衬底形成惯性传感器的可移动敏感元素，并且釆用第一衬底或者第一衬底上的导电层中的一层形成压力传感器的敏感薄膜和麦克风的敏感薄膜，形成的集成 MEMS的体积较小，成本低，而且封装后可靠性高。后续将以集成了 MEMS惯性传感器、 MEMS压力传感器和 MEMS麦克风的集成 MEMS器件为例，对本发明实施例的技术方案进行说明。在本实施例中，所述第一衬底的材质为单晶半导体材质，从而形成的 MEMS惯性传感器的可动电极的质量大，从而加大了质量块的质量，提高了 MEMS器件的可靠性。在其他的实施例中，所述第一衬底的材质还可以为多晶硅、非晶硅、锗硅等其他半导体材质。本发明实施例的集成 MEMS器件包括 MEMS惯性传感器，所述 MEMS惯性传感器可以是加速度传感器或者转角器（又称陀螺仪），无论是转角器还是加速度传感器，均包括用于信号转换（比如将加速度或者转动的角速度转换为电信号）的传感器单元，所述传感器单元包括可移动敏感元素（又称可动电极）、固定电极、以及将可动电极和固定电极进行对应引出的互连层、用于支撑可动电极和固定电极的支撑点，所述传感器单元为所述 MEMS惯性传感器的核心结构，本发明实施例的 MEMS惯性传感器的可动电极的材质为单晶半导体材料。所述第三衬底上形成有与所述第一衬底结合的导电材料层。通常，所述加速度传感器包括 X轴传感器、 Y轴传感器、 Z轴传感器或其结合，图 1给出本发明的一个实施例的加速度传感器的 X轴传感器的俯视结构示意图，包括：固定电极以及可动电极。所述固定电极包括两个相邻的固定电极指，分别为第一固定电极指 101和第二固定电极指 102。所述可动电极包括平行排列的可动电极指，分别为第一可动电极指 103和第二可动电极指 104, 所有可动电极指的两端分别连接至平行的两条可动连接臂上（未标记）。每两个相邻的固定电极指中间交错排列一个可动电极指，这样，所述第一固定电极指 101与第一可动电极指 103组成第一电容器，所述第二固定电极指 102与第二可动电极指 104组成第二电容器。当可动电极沿 X轴运动的时候，所述电容器的两个极板之间距离会发生改变，而且两个电容器的变化情况相反，通过侦测改变的电容量，可以获得所述加速度传感器的沿 X轴方向的加速度。所述加速度传感器的还可以包括 Y轴传感器，本领域技术人员知晓，所述 Y轴传感器的结构与所述 X轴传感器的结构类似，在此不再详述。所述加速度传感器的还包括 Z轴传感器，通常 Z轴传感器的结构具有两种结构，具体请参照图 2和图 3 , 首先请参照图 2, 包括：固定电极和可动电极，所述固定电极包括第一固定电极 201、第二固定电极 202, 所述可动电极包括第一可动电极 203和第二可动电极 204,所述固定电极固定在基板 200上。所述可动电极可以围绕扭转轴 206进行运动 ,所述可动电极上还设置有加重梁 ( Seismic mass ), 本实施例中，在所述第二可动电极 204的外侧设置了加重梁 205 , 故所述可动电极相对于所述扭转轴 206为非对称结构。所述固定电极和可动电极构成电容器的两个极板，当所述加速度传感器运动的时候，所述固定电极与所述可动电极之间的电容量会发生改变，通过侦测电容量的改变，可以获得所述加速度传感器沿 Z轴方向的加速度信息。另一种 Z轴传感器请参照图 3 , 包括：可动电极和固定电极，所述可动电极包括多个可动电极指 301 , 所述多个可动电极指 301的中部通过横梁进行连接形成一体结构并且可以上下移动，所述固定电极包括第一固定电极指 302 和第二固定电极指 303 , 所述第一固定电极指 302和第二固定电极指 303与所述可动电极指 301 之间相对放置，形成两个电容器，当所述可动电极指 301 上下运动时，所述可动电极指 301 与第一固定电极指 302和第二固定电极指 303之间形成的电容器的电容量发生改变，从而可以获得 Z轴方向的加速度信

上述两种 Z轴传感器的结构不同，其传感原理类似，均是根据可动电极与固定电极之间形成的电容器的电容量的改变感知 Z轴方向加速度信息，但是二者之间不同的是，图 2所示的结构是根据改变电容器的两个极板之间的距离改变电容量，而图 3所示的结构是根据改变电容器的两个极板之间的面积改变电谷里。

图 4给出转角器的俯视结构示意图，图 5给出沿图 4中 AA'的剖面结构示意图，所述转角器包括：可动电极、固定电极、探测电极，具体地，所述可动电极包括第一可动电极 901、第二可动电极 902; 所述固定电极包括第一固定电极 903、第二固定电极 904、第三固定电极 905 , 所述第三固定电极 905位于第一固定电极 903和第二固定电极 904之间；所述第一可动电极 901位于第一固定电极 903和第三固定电极 905之间，所述第二可动电极 902位于所述第二固定电极 904与第三固定电极 905之间，所述第一可动电极 901与第一固定电极 903和第三固定电极 905之间分别形成两个叉指电容器 ,所述第二可动电极 902与第二固定电极 904和第三固定电极 905之间分别形成两个叉指电容器，当第一固定电极 903与第一可动电极 901之间具有电位差时，所述第一可动电极 901 会向所述第一固定电极 903 方向进行运动，当第三固定电极 905 与第一可动电极 901之间具有电位差时，所述第一可动电极 901会向所述第三固定电极 905方向进行运动，对于所述第二可动电极 902与第二固定电极 904 和第三固定电极 905之间具有同样的情况 ,故所述第一可动电极 901和第二可动电极 902在交流的电信号作用下会分别向靠近第一固定电极 903或者第二固定电极 904方向运动、或者向靠近第三固定电极 905方向运动。所述转角器还包括探测电极，所述探测电极包括第一探测电极 906和第二探测电极 907, 所述第一探测电极 906和第二探测电极 907分别与第一可动电极 901和第二可动电极 902之间具有交叠面积，而且所述探测电极与可动电极之间具有空腔或者介质，具体请参照图 5 , 所述探测电极与可动电极之间形成电容器，当所述第一可动电极 901和第二可动电极 902沿 X轴方向运动时候，同时，器件具有绕 Y轴的转动时，所述第一可动电极 901和第二可动电极 902会产生沿 Z轴方向的位移，所述探测电极与可动电极之间形成的电容器的电容量发生改变，从而可以感知角速度信息。本发明实施例的集成 MEMS器件还包括 MEMS压力传感器，所述 MEMS 压力传感器通常包括压力传感器的敏感薄膜和压力传感器的固定电极，所述压力传感器的敏感薄膜和压力传感器的固定电极组成电容器，所述压力传感器的敏感薄膜用于感知外界的压力，并且在外界压力作用下会变形，从而改变所述电容器的电容量，获知压力信息，此时，所述压力传感器的敏感薄膜即作为感知外界压力的部件又作为可移动敏感元素（即可动电极）。通常地，还可以在压力传感器的敏感薄膜和固定电极之间额外设置可动电极，而且可动电极与所述压力传感器的敏感薄膜之间具有连接臂，当所述压力传感器的敏感薄膜具有形变的时候，所述压力传感器的可动电极会发生位移，从而压力传感的器可动电极和压力传感器的固定电极之间的电容量会发生改变，通过测量压力传感器的可动电极和压力传感器的固定电极之间的电容量，可以获知压力信息。本发明实施例所述的集成 MEMS器件还包括麦克风，所述麦克风包括麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极。所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极组成电容器，所述麦克风的敏感薄膜用于感知外部的声音信号，并且在声音信号的作用下会变形，从而改变所述电容器的电容量，获得与所述声音信号对应的声音信息，此时所述麦克风的敏感薄膜作为可移动敏感元素（即可动电极）。所述麦克风的敏感薄膜上方或下方还可以有一层或多层导电层中部分绝缘层（所述绝缘层用于所述一层或多层导电层中的互连线的相互绝缘）；或所述麦克风的敏感薄膜与所述麦克风的背板电极之间可以额外设置麦克风的可动电极，而且所述麦克风的可动电极与所述麦克风的敏感薄膜之间具有连接臂，当所述麦克风的敏感薄膜发生形变的时候，所述可动电极会发生移动，使得所述麦克风的可动电极与麦克风的背板电极之间的距离发生变化，从而所述麦克风的可动电极和麦克风的背板电极之间的电容量会发生改变，通过测量所述麦克风可动电极和麦克风的背板电极之间的电容量，可以获得声音信息。所述第一衬底的第一表面形成有一层或者多层导电层；所述第二衬底直接结合或者通过键合层结合至所述第一衬底上的一层或者多层导电层的表面；惯性传感器的可移动敏感元素釆用第一区域的第一衬底形成 ,所述第三衬底结合至第一衬底的形成惯性传感器的可移动敏感元素的一侧 ,所述第三衬底和所述第二衬底分别位于所述惯性传感器的可移动敏感元素的相对两侧；所述麦克风的敏感薄膜至少包括第三区域的第一衬底、或者至少包括第三区域的第一衬底上的一层或多层导电层中的一层。本发明实施例的 MEMS器件还包括其他结构，比: ¾。包括：用于形成惯性传感器的可移动敏感元素的第一衬底，所述第一衬底为单晶半导体材料，所述第一衬底包括第一表面和第二表面，所述第一衬底的第一表面上形成有一层或者多层导电层。所述第一衬底包括第一区域、第二区域和第三区域，所述第一衬底的第二表面为经过减薄的表面，所述惯性传感器的可动电极釆用减薄后的第一衬底形成。所述集成 MEMS器件还可以包括第二衬底，所述第二衬底主要用于机械支撑，所述第二衬底直接结合或通过键合层结合至所述第一衬底上的一层或者多层导电层的表面。若所述一层或者多层导电层包括惯性传感器的第一电屏蔽层（所述第一电屏蔽层为最远离所述第一衬底的第一表面的导电层），无论所述一层或者多层导电层是否包括惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层，所述第二衬底可以直接结合或者通过键合层结合至第一衬底上的第一电屏蔽层的表面。而且，若所述第二衬底直接或者经过导电的键合层结合至所述第一衬底上的第一电屏蔽层上，所述第二衬底与所述第一电屏蔽层共同作为惯性传感器的电学屏蔽层；若所述第二衬底经由键合层键合至所述第一衬底上的一层或者多层导电层上，且所述键合层至少包括一层绝缘层的话，所述第一电屏蔽层可以单独作为惯性传感器的电学屏蔽层。所述集成 MEMS器件还可以包括第三衬底，所述第三衬底结合至所述惯性传感器的可动电极的一侧 ,所述第三衬底与所述第二衬底分别位于所述惯性传感器的可动电极的两侧。所述第三衬底用于将所述惯性传感器的可动电极和压力传感器的固定电极分别进行密封，同时所述第三衬底可以包含电路和 /或引线。

本发明实施例所述的一层或者多层导电层可以包括惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层、惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器的固定电极的支撑点、惯性传感器的可动电极的支撑点或者其任意组合。所述一层或者多层导电层还包括压力传感器的固定电极的支撑点、压力传感器的敏感薄膜和 / 或可动电极的支撑点、麦克风的敏感薄膜支撑点、麦克风的背板电极支撑点，所述三种传感器（惯性传感器、压力传感器和麦克风）的这些结构可以釆用不同的一层或者多层导电层形成。这样，可以充分利用这些材料形成压力传感器和麦克风的不同的结构，一方面减小了集成 MEMS器件的体积；而且降低了制作工艺的难度，增加了制作器件的灵活性以及更易于进行布局，增加了与其他器件进行集成的灵活性。本发明实施例的一层或者多层导电层可以包括惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层；所述互连层包括一层或者多层互连线。所述一层或者多层互连线与所述惯性传感器的固定电极、可动电极以及探测电极（转角器）以及压力传感器的固定电极、压力传感器的敏感薄膜或可动电极以及麦克风的敏感薄膜、麦克风的背板电极分别对应电连接。而且，为了减小集成 MEMS器件的体积，还可以釆用形成所述惯性传感器的互连层的材料制备所述压力传感器和麦克风的互连层，即所述惯性传感器的互连层、压力传感器和麦克风的互连层可以共用一些材料层。甚至还可以釆用形成惯性传感器的互连层制作压力传感器的敏感薄膜和 /或可动电极、或固定电极和麦克风的敏感薄膜。进一步优化地，也可以通过共用一些导电层材料共同形成这些传感器所需的结构，比如可以釆用形成惯性传感器的第一电屏蔽层形成压力传感器的敏感薄膜，釆用形成惯性传感器的互连层或者支撑点的材料形成压力传感器的固定电极；或者釆用形成惯性传感器的互连层或者支撑点的不同层的材料分别形成压力传感器的敏感薄膜和压力传感器的固定电极；还可以釆用形成惯性传感器的互连层或者支撑点的材料形成压力传感器的敏感薄膜，釆用第一衬底形成压力传感器的固定电极；甚至还可以釆用形成惯性传感器的第一电屏蔽层、互连层或者支撑点的材料或者第一衬底形成压力传感器的敏感薄膜，釆用第三衬底上的用于形成引线的导电材料层形成压力传感器的固定电极；还可以釆用形成惯性传感器的第一电屏蔽层或惯性传感器的互连层或者支撑点的材料中的一种或多种形成麦克风的敏感薄膜 ,釆用形成惯性传感器的互连层或者支撑点的不同层的材料层或第一衬底或第三衬底上的导电材料层形成麦克风的背板电极。

而且在上述实施例中，若不额外设置压力传感器的可动电极，所述压力传感器的敏感薄膜也充当压力传感器的可动电极，根据实际的需要，当然也可以额外设置压力传感器的可动电极，比如在釆用形成惯性传感器的第一电屏蔽层、互连层或者支撑点的材料形成压力传感器的敏感薄膜的情况下，还可以釆用形成惯性传感器的不同的互连层或者支撑点的材料形成压力传感器的可动电极，所述压力传感器的可动电极与压力传感器的敏感薄膜之间具有连接臂连接，所述连接臂主要用于将压力传感器的敏感薄膜的形变传递给所述压力传感器的可动电极，使其产生位移，从而改变压力传感器的可动电极和固定电极之间的电容量。同样，在上述的实施例中，若不设置额外的麦克风传感器的可动电极，所述麦克风的敏感薄膜也可以充当可动电极。根据实际的需要，当然也可以额外设置麦克风的可动电极，比如在釆用形成惯性传感器的第一电屏蔽层、互连层或支撑点的材料层形成麦克风的敏感薄膜的情况下，还可以釆用形成麦克风的不同的互连层或者支撑点的材料形成麦克风的可动电极，所述麦克风的可动电极与麦克风的敏感薄膜之间可以设置连接臂，所述连接臂将所述麦克风的敏感薄膜的形变传递给所述麦克风的可动电极，使其产生位移，从而改变所述麦克风的可动电极与麦克风的背板电极之间的电容量。以上技术方案仅仅是举例，本领域技术人员基于本发明的思想可以根据实际器件以及设计的需要进行灵活布局，在此不应过分限制本发明的保护范围。本发明实施例的所述支撑点用于固定支撑所述惯性传感器、压力传感器和麦克风的固定电极 (麦克风的背板电极作为固定电极)、可动电极（麦克风的敏感薄膜、压力传感器的敏感薄膜、惯性传感器的可移动敏感元素） , 所述支撑点通常包括电连接所述可动电极、固定电极的支撑臂以及用于固定所述可动电极、固定电极的固定端。若所述一层或者多层导电层同时包括惯性传感器的第一电屏蔽层、以及惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层；所述互连层比所述第一电屏蔽层更为靠近所述第一衬底的第一表面。若所述一层或多层导电层仅包括惯性传感器的第一电屏蔽层，则可以利用第三衬底上的互连层作为惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层，以便将惯性传感器、压力传感器和麦克风与外部电连接。此时，所述第一电屏蔽层还可以作为麦克风的敏感薄膜或压力传感器的敏感薄膜。这样 ,可以充分利用这些材料形成压力传感器和麦克风的不同的结构 , 一方面减小了集成 MEMS器件的体积；而且降低了制作工艺的难度，增加了制作器件的灵活性以及更易于进行布局，增加了与其他器件进行集成的灵活性。本发明的惯性传感器的 X轴传感器和 Y轴传感器的可动电极和固定电极均釆用减薄后的第一衬底制作，而对于 Z轴传感器根据其结构的不同，具有如下区别：若所述 Z轴传感器釆用如图 2所示的结构，所述 Z轴传感器的固定电极釆用所述一层或者多层导电层形成。在本发明的一个实施例中，若所述一层或者多层导电层仅包括第一电屏蔽层，所述 Z轴传感器的固定电极釆用形成所述第一电屏蔽层的材料形成。在本发明的又一实施例中，若所述一层或者多层导电层包括互连层，无论所述一层或者多层导电层是否包括第一电屏蔽层，所述 Z轴传感器的固定电极釆用形成所述互连层的材料形成，而且，在本发明的再一实施例中，所述 Z轴传感器的固定电极釆用最靠近所述第一衬底的互连层中的导电材料层形成。若所述 Z轴传感器釆用如图 3所示的结构，所述 Z轴传感器的固定电极釆用所述第一衬底形成。作为本发明的一个可选的实施例，所述加速度传感器的 Z轴传感器的固定电极或者可动电极侧还形成有抗粘连结构，用于防止所述可动敏感元素与所述固定电极相接触时造成粘连，所述抗粘连结构可以导电层材料或者绝缘层材料制作，作为本发明的一个可选实施例，釆用一层或者多层导电层形成，或者釆用第一衬底形成。不管釆用如图 2所示的结构，还是如图 3所示的结构，作为一个实施例，所述抗粘连结构釆用一层或者多层导电层形成，作为本发明的又一实施例，釆用最靠近所述第一衬底的导电层形成。若所述惯性传感器为转角器，所述转角器包括 X轴转角器、 Y轴转角器、 Z轴转角器或其任意组合，所述 X轴转角器、 Y轴转角器、以及 Z轴转角器是指分别用于探测 X轴、 Y轴、 Z轴方向的角速度的转角器。所述转角器还包括探测电极和固定电极，作为一个实施例，所述 X轴转角器、 Y轴转角器的固定电极釆用所述第一衬底形成，所述 X轴转角器、 Y轴转角器的探测电极釆用所述一层或者多层导电层形成，所述 Z轴转角器的固定电极和探测电极均釆用第一衬底形成。可选地，若所述一层或者多层导电层为所述转角器的互连层，可以釆用形成所述互连层的材料形成 X轴转角器或者 Y轴转角器的探测电极。可选地，若所述一层或者多层导电层仅包括第一电屏蔽层，可以釆用形成所述第一电屏蔽层的材料形成 X轴转角器或者 Y轴转角器的探测电极。釆用所述第一衬底形成所述转角器的固定电极，由于固定电极可以形成的比较厚，这样在使用中拉伸的距离比较大，驱动的速度比较大，从而探测灵敏度比较高。本发明实施例釆用单晶的半导体材料制作惯性传感器敏感元素，可以制备出较厚的惯性传感器的可移动敏感元素，即可动电极，从而可以加大质量块的质量，提高所述惯性传感器的灵敏度和可靠性。再者，本发明实施例通过在所述第一衬底上还形成一层或者多层导电层，所述一层或者多层导电层可以用于制作惯性传感器的第一电屏蔽层，所述第一电屏蔽层与互连层中的屏蔽互连线电连接，从而可以防止惯性传感器的受到外界电信号的干扰。再进一步地，本发明实施例的一层或多层导电层还可以为包括惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器的固定电极的支撑点、惯性传感器的可移动敏感元素的支撑点或者其任意组合，这样，可以充分利用这些材料形成压力传感器和麦克风的不同的结构，比如压力传感器的敏感薄膜和 /或可移动敏感元素、或者固定电极，或者又比如所述麦克风的敏感薄膜和 /或固定电极，一方面减小了集成 MEMS器件的体积；而且降低了制作工艺的难度，增加了制作器件的灵活性以及更易于进行布局，增加了与其他器件进行集成的灵活性。再进一步地，本发明实施例的一层或多层导电层除了包括惯性传感器的电屏蔽层，还可以包括制作惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层，这样所述惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层可以釆用共同的导电层制作，进一步减小了集成 MEMS器件的体积，一方面减小了集成 MEMS器件的体积；而且降低了制作工艺的难度，增加了制作器件的灵活性以及更易于进行布局，增加了与其他器件进行集成的灵活性。本发明实施例的所述压力传感器的敏感薄膜可以为多层也可以为单层，这样本发明实施例形成的压力传感器既可以适用于压力比较大的场合，也可以适用于压力比较小需要敏感薄膜比较灵敏的场合。同样，对于转角器来说，由于釆用单晶的半导体衬底制备可动电极，形成的可动电极的厚度和质量较大，这样也可以灵敏地探测角速度。

作为一个实施例，所述麦克风还包括：麦克风通道开口和麦克风空腔，所述麦克风通道开口暴露出所述麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极，所述麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口的一侧；所述的压力传感器还包括：压力通道开口，所述压力通道开口暴露出所述压力传感器的敏感薄膜。具体地，对于麦克风来说，本发明实施例的麦克风通道开口和麦克风空腔分别位于麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极相对的两侧。所述麦克风通道开口可以作为声音信号的通道，声音信号自麦克风通道开口到达所述麦克风的敏感薄膜，压力信号自压力通道开口进入压力传感器的敏感薄膜；从而麦克风通道开口与压力传感器的压力通道开口相对独立；作为又一实施例，还可以利用所述麦克风空腔作为声音信号和压力信号的共同通道，此时，麦克风的背板电极和麦克风的敏感薄膜内均形成有相连通的孔洞，所述麦克风通道开口和压力传感器的压力通道开口位于麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的相同的一侧，所述麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口和压力传感器的压力通道开口的一侧，且所述麦克风空腔可以贯穿所述第二衬底、第二衬底与所述麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极之间的材料层，或所述麦克风空腔贯穿所述第三衬底、第三衬底与所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极之间的材料层，从而所述麦克风空腔可以与外部空气连通，使得所述麦克风空腔作为声音和压力信号的通道，在此种情况下，本领域技术人员可以选择麦克风空腔作为声音和压力信号的通道，从而避免压力传感器的压力通道开口暴露，避免压力传感器受到外部环境的干扰和污染，提高了压力传感器的寿命和可靠性；同样，本领域技术人员还可以分别选择麦克风声压通道和压力通道开口分别作为声音和压力信号的通道，使得集成 MEMS器件的结构更加灵活。总之，通过釆用第一衬底形成惯性传感器的可移动敏感元素，并且釆用第一衬底或者第一衬底上的一层或者多层导电层中的一层形成压力传感器的敏感薄膜和麦克风的敏感薄膜，形成的集成 MEMS器件的体积较小，成本低，而且封装后可靠性高。而且本发明实施例釆用单晶的半导体材料制作惯性传感器敏感元素，可以制备出较厚的惯性传感器的可移动敏感元素，即可动电极，从而可以加大质量块的质量，提高所述惯性传感器的灵敏度和可靠性。本发明实施例还给出一种形成上述集成 MEMS器件的方法，形成方法流程示意图具体请参照图 6, 所述方法包括：执行步骤 S101 , 提供第二衬底和第三衬底；执行步骤 S102, 提供第一衬底，所述第一衬底包括第一表面和与之相对的第二表面，所述第一衬底包括第一区域、第二区域和第三区域；执行步骤 S103 , 在所述第一衬底的第一表面形成一层或者多层导电层；执行步骤 S104, 将所述第二衬底结合至所述第一衬底上的导电层的表面；执行步骤 S105,釆用第一区域的第一衬底形成惯性传感器的可移动敏感元素；执行步骤 S106,形成麦克风的敏感薄膜或背板电极，所述麦克风的敏感薄膜或背板电极至少包括所述第三区域的第一衬底、或者至少包括第三区域上的第一衬底上的导电层中的一层；执行步骤 S107, 形成压力传感器的敏感薄膜或固定电极，所述压力传感器的敏感薄膜或固定电极至少包括所述第二区域的第一衬底、或者至少包括第二区域的第一衬底上的导电层中的一层；执行步骤 S108,将所述第三衬底结合至第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素的一侧 ,且所述第三衬底和所述第二衬底分别位于所述惯性传感器的可移动敏感元素的相对两侧。需要说明的是，本发明实施例中，若仅需要形成集成了 MEMS惯性传感器和 MEMS麦克风的集成 MEMS器件，则所述第一衬底仅包括第一区域和第三区域，且无需执行步骤 S107。

下面结合具体实施对本发明的技术方案进行详细的说明。具体地，请参照图 7至 16给出本发明的一个实施例的形成 MEMES器件的方法的剖面结构示意图，下面分别进行详细说明。首先请参照图 7, 提供第一衬底 401 , 所述第一衬底 401为单晶的半导体衬底，所述第一衬底 401包括第一表面和与之相对的第二表面，所述第一衬底包括第一区域 I、第二区域 II和第三区域 III, 所述第一区域 I用于形成惯性传感器，第二区域 II用于形成压力传感器，所述第三区域 III用于形成麦克风。所述第一衬底 401可以为单晶的半导体材料，比如所述第一衬底 401可以为单晶硅或者单晶锗硅等单晶的半导体材料。作为本发明的一个实施例，所述第一衬底 401为单晶硅。在本发明的其他实施例中，所述第一衬底 401的材质还可以为非晶硅、多晶硅等其他半导体材质。在所述第一衬底 401的第一表面上形成一层或多层导电层，本实施例中，所述一层或者多层导电层作为惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层、压力传感器的可动电极层、以及麦克风的敏感薄膜层，所述惯性传感器的互连层用于将惯性传感器的固定电极和可动电极进行引出，所述压力传感器的互连层用于将所述压力传感器的可动电极、压力传感器的固定电极引出，所述麦克风的互连层用于将麦克风的敏感薄膜、固定电极引出，所述压力传感器的可动电极层用于制作压力传感器的可动电极，所述麦克风的敏感薄膜层用于制作麦克风的敏感薄膜，而且本实施例中，所述压力传感器的可动电极层、所述麦克风的敏感薄膜层与所述惯性传感器的互连层共用一些材料层。

具体地，在第一衬底 401的第一表面上形成一层或多层导电层包括：在所述第一衬底 401的第一表面上形成第一绝缘层 402; 刻蚀所述第一绝缘层 402 , 在所述第一绝缘层 402内形成第一开口，所述第一开口用于在后续填充导电材料后将惯性传感器的可动电极、或者压力传感器的固定电极、或麦克风的第一互连线和第二互连线、或惯性传感器的电学屏蔽层进行引出。

所述第一绝缘层 402可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介质材料，作为一个实施例，所述第一绝缘层 402为氧化硅；在所述第一绝缘层 402上形成第一导电层，所述第一导电层填充满所述第一开口；刻蚀所述第一导电层，形成惯性传感器的互连层和压力传感器的可动电极层，所述惯性传感器的互连层具体包括位于第一区域 I的分立的作为不同用途的互连线。本实施例中，所述惯性传感器的互连层包括如下分立的互连线：用于将惯性传感器的固定电极引出的惯性固定电极互连线 403a、用于将惯性传感器的需要连接至电学屏蔽层的第一屏蔽互连线 403b、第一子互连线 403c、用于将惯性传感器的可动电极引出的惯性可动电极互连线（未图示）。本实施例中，还形成了惯性传感器的固定电极的支撑点 403d, 所述惯性传感器的固定电极的支撑点 403d还具有电连接的作用，与所述惯性传感器的惯性固定电极互连线 403a电连接。本实施例中，所述惯性传感器的固定电极的支撑点 403d釆用形成所述惯性传感器的互连层的第一导电层材料形成。在第二区域 II形成了如下结构：压力传感器的可动电极 403e。

还包括在所述压力传感器的可动电极 403e中形成孔洞，以便后续进行结构的释放，图中所述可动电极 403e显示为分立的结构，实际上在其他位置还具有相连的结构。在所述第三区域 III形成了用于麦克风的第一互连线 403g、第二互连线 403f。所述第一互连线 403g和第二互连线 403f 以根据设计需要，作为麦克风的敏感薄膜和 /或麦克风的背板电极与外部的互连线，本领域技术人员可以进行灵活具体的设置。例如，所述第二互连线 403f根据工艺需要，可以用于与麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极电连接，或者所述第二互连线 403f还可以用于将压力传感器的电学屏蔽层电连接。所述第一导电层可以釆用掺杂多晶硅或者其它导电材料形成，作为本发明的一个实施例，所述第一导电层为多晶硅。若所述第一导电层为多晶硅，还需要对所述第一导电层进行掺杂。在实际制作工艺中，还需要形成压力传感器和麦克风的互连层，但是由于其结构与所述惯性传感器的相类似，在此不再详细说明和图示。而且所述麦克风的互连层、麦克风的敏感薄膜的支撑点、压力传感器的互连层、压力传感器的可动电极的支撑点与惯性传感器的互连层可以釆用不同的导电层制作，也可以通过合理布局共用一些导电层。本领域技术人员知晓如何通过合理的布局形成这些结构。同时，在实际制作工艺中，还需要形成压力传感器的可动电极和固定电极的支撑点、惯性传感器的可动电极的支撑点，关于其结构和形成方法在此也没有——列举说明和图示，本领域技术人员基于本领域的普通技术知识和本发明知晓如何形成。此外，通常所述惯性传感器和压力传感器的互连层通常各不止一层，此处仅以一层为例加以说明，形成多层互连层的方法与此类似，在此特别说明，不应过分限制本发明的保护范围。接着，在所述互连层和可动电极层上形成第二绝缘层 404, 所述第二绝缘层 404填充满所述惯性传感器的互连层的分立的互连线之间的间隙以及所述压力传感器的可动电极中的孔洞。所述第二绝缘层 404可以釆用氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等介质材料，作为本发明一个实施例，所述第二绝缘层 404与第一绝缘层 402材料相同，均为氧化硅。参考图 8,在第二绝缘层 404上形成第二导电层 405,位于第一区域 I的所述第二导电层 405用做第一区域 I的惯性传感器的第一电屏蔽层，所述第一电屏蔽层作为电学屏蔽层，所述电学屏蔽层用于接入电学屏蔽信号，所述电学屏蔽信号可以是接地信号、直流驱动信号、或者其他驱动信号，本发明的电学屏蔽层所接入的电学屏蔽信号可以由设计者进行规划，故在设计上比较灵活。

同时本实施例釆用位于第二区域 II的第二导电层 405制作压力传感器的敏感薄膜；釆用位于所述第三区域 III的第二导电层 405制作麦克风的敏感薄膜。通常作为电学屏蔽层的材料可能不需要形成图案，本发明实施例中，将压力传感器、惯性传感器和麦克风进行了集成，并且为了进一步减小集成器件的体积，釆用形成惯性传感器的电学屏蔽层制作了压力传感器的敏感薄膜和 /或压力传感器的可动电极以及麦克风的敏感薄膜，因此需要将第二导电层 405 (即形成惯性传感器的电学屏蔽层）进行光刻、刻蚀以形成需要的图形和电结构，比如所需要的压力传感器的敏感薄膜和 /或压力传感器的可动电极以及麦克风的敏感薄膜。

所述第二导电层 405可以为掺杂的多晶硅或者其它导电材料，作为本发明的一个实施例，所述第二导电层 405釆用多晶硅，故还包括对所述多晶硅进行掺杂的步骤，在此不再详述。

形成第二导电层 405之后，还可以在所述第二导电层 405上形成第三绝缘层（未图示），所述第三绝缘层用于在后续与第二衬底键合过程中作为键合层，通常所述第三绝缘层釆用氧化硅。

请参照图 9, 提供第二衬底 501 , 所述第二衬底 501主要作为机械支撑。所述第二衬底 501可以为单晶的半导体材料，比如所述第二衬底 501可以为单晶硅、单晶锗硅，当然，所述第二衬底 501也可以为例如多晶硅、非晶硅或锗硅等半导体材料。作为本发明的一个实施例，所述第二衬底 501可以为表面具有绝缘层或不具有绝缘层的单晶硅。

作为一个实施例，所述第二衬底为表面上具有绝缘层的单晶硅，如图 9所示，所述绝缘层为第四绝缘层 502。所述第四绝缘层 502用于后续与第一衬底键合过程中作为键合层，增加两者的结合力。

根据所述集成 MEMS器件的布局，还可以根据需要在与第一衬底结合之前对所述第四绝缘层 502进行刻蚀。所述第四绝缘层 502和前述的第三绝缘层仅形成一层就可以，当然也可以都形成，或者都不形成；而且，所述第一衬底和第二衬底 501之间的键合层还可以为导电材料，比如釆用多晶硅，在此特意说明，不应过分限制本发明的保护范围。

所述第二衬底 501分为第一区域 I、第二区域 II和第三区域 III, 所述第一区域 I、第二区域 Π和第三区域 m分别与第一衬底上的所述第一衬底包括第一区域 I、第二区域 Π和第三区域 m对应设置。在后续所述第二衬底 501的第一区域 I 将与第一衬底的第一区域 I直接结合或通过键合层结合，所述第二衬底 502的第二区域 II将与第一衬底的第二区域 II直接结合或通过键合层结合，所述第二衬底 502的第三区域 III将与第一衬底的第三区域 III直接结合或通过键合层结合。接着，请参照图 10, 将第二衬底 501键合至第一衬底 401的形成有第一互连层和第二互连层的表面，将所述第一衬底 401和第二衬底 501合成为微机电（MEMS )晶圆，所述将第二衬底 501与第一衬底 401进行键合技术为本领域公知技术，在此不再详述。如前所述，若第二衬底 501 直接或者通过导电的键合层结合至第一衬底 401的第一电屏蔽层上，即二者之间没有其他材料层或者二者之间仅存在导电的键合层，所述第一电屏蔽层和所述第二衬底 501将共同作为所述惯性传感器的电学屏蔽层；若第二衬底 501经由键合层结合至第一衬底 401的第一电屏蔽层上，所述键合层包含至少一层电学绝缘层，比如所述第二衬底 501上形成有第四绝缘层或者第一电屏蔽层上形成有第三绝缘层，所述第一电屏蔽层可以单独作为所述惯性传感器的电学屏蔽层，在此特意说明。本实施例中所述第一衬底 401和第二衬底 501之间具有键合层，而且所述键合层为绝缘层。同时需要说明的是，在将第二衬底 501与第一衬底 401结合之前，需要对两个结合面进行抛光，比如对所述第一衬底 401上的第一电屏蔽层或者第三绝缘层（若所述第一电屏蔽层上形成有第三绝缘层）进行抛光，若第二衬底 501 上形成有第四绝缘层，也可能根据需要对第四绝缘层进行抛光，然后进行键合。

然后，沿所述第一衬底 401的未形成互连层的第二表面进行减薄，减薄至厚度为 5μηι至 ΙΟΟμηι, 经过减薄步骤后，形成第一衬底 401，。然后要釆用减薄后的第一衬底 401，形成本发明的惯性传感器的可动电极、压力传感器的固定电极和麦克风的背板电极。

参照图 11 , 在所述第一衬底 401，上形成第一粘合层，所述第一粘合层用于制作与第三衬底结合的粘合垫。

所述第一粘合层釆用导电材料制作，比如可以为金属、合金或者其他导电材料，进一步地，可以为金属 Al、金属 Cu, 硅，锗，金，锡，或其合金。

然后对所述第一粘合层进行刻蚀，去除与所述第三衬底粘合区域之外的粘合层，暴露出部分第一衬底 401，的表面，形成第一粘合垫 601。

在所述第一粘合垫 601 上以及暴露出的第一衬底 401，上形成第一掩膜层

602, 所述第一掩膜层 602可以釆用光刻胶、氧化硅、氮化硅等，所述第一掩膜层 602用作后续刻蚀第一衬底 401，过程中的掩膜。

请参照图 12, 对所述第一掩膜层 602进行图形化，将待转移的图形转移至所述第一掩膜层 602中。

接着，以图形化后的第一掩膜层 602为掩膜刻蚀第一衬底 40Γ ,直至暴露出第一绝缘层 402。经过此步骤，形成惯性传感器的可动电极、固定电极、压力传感器的固定电极、麦克风的背板电极的初步结构。

具体在第一区域 I形成了：惯性传感器固定电极 406、惯性传感器可动电极 407、第一密封传感器结构 408、第一惯性传感器结构 409; 所述惯性传感器固定电极 406与所述惯性固定电极互连线 403a电连接，所述惯性传感器可动电极 407与惯性可动电极互连线电连接（未示出），所述惯性传感器固定电极 406、惯性传感器可动电极 407之间具有间隙且相对设置，所述第一密封传感器结构 408与第一屏蔽互连线 403b对应电连接。具体在第二区域 Π形成了：压力传感器固定电极 410、第一压力传感器结构 412、第二压力传感器结构 413; 所述压力传感器固定电极 410与所述压力传感器的可动电极 403e位置相对应。

在此步骤中，还在所述压力传感器固定电极 410中形成了孔洞，以便后续进行结构的释放，图中所述压力传感器固定电极 410显示为分立的结构，实际上其为整体结构，在其他位置还具有相连的结构。

具体地，在所述第三区域 III形成了：麦克风的背板电极 414、第二密封传感器结构 411、第三麦克风结构 413。所述麦克风的背板电极 414与麦克风的背板电极互连线（未图示）电连接。

在此步骤中，还在所述麦克风的背板电极 414中形成了孔洞，以便后续进行结构的释放，图中所述麦克风的背板电极 414显示为分立的结构，实际上其为整体结构，在其他位置还具有相连的结构。需要说明的是，作为一个实施例，上述刻蚀工艺还将位于第一区域 I的与第一密封传感器结构 408相邻的部分第一衬底去除掉。此步骤是为了在后续步骤中将所述第三衬底上的电结构（比如压焊片 )暴露。在其他的实施例中，所述与第一密封传感器结构 408相邻的部分第一衬底也可以保留。由上文可以看出，所述惯性传感器的固定电极与惯性传感器的可动电极均釆用减薄后第一衬底形成；所述压力传感器的固定电极 410釆用减薄后第一衬底形成；所述麦克风的背板电极 414釆用减薄后的第一衬底形成。所述压力传感器的固定电极 410和压力传感器的可动电极 403e构成电容器的两个极板，所述压力传感器的可动电极产生位移时，所述电容器的两个极板之间距离改变。请参照图 13 , 去除部分第一绝缘层以及部分第二绝缘层，对所述压力传感器的可动电极、对惯性传感器的可动电极、麦克风的背板电极进行结构释放。由于惯性传感器的可动电极 407与所述惯性传感器的固定电极 406之间具有间隙，所述惯性传感器可动电极 407下方的第一绝缘层 402被完全去除，从而释放惯性传感器的可动电极 407, 形成可移动的惯性传感器的可动电极 407, 所述惯性传感器的可动电极 407发生移动时候（左右移动的时候），所述惯性传感器的可动电极 407与所述惯性传感器的固定电极 406之间的距离发生改变，所述惯性传感器的可动电极 407、固定电极 406与所述惯性固定电极互连线 403a之间形成第五空腔，所述第五空腔、所述惯性传感器的可动电极 407与所述惯性传感器的固定电极 406之间的间隙气体连通。同时由于惯性传感器的互连层的互连线之间分立，而且本实施例中，所述第二绝缘层 404与所述第一绝缘层 402材料相同，故所述第二绝缘层 404也被去除部分。此外，由于压力传感器固定电极 410内具有孔洞，所述压力传感器固定电极 410与压力传感器的可动电极 403e之间的第一绝缘层也被完全去除，形成了第二空腔，而且由于压力传感器的可动电极 403e内具有孔洞，所述压力传感器的可动电极 403e与形成惯性传感器的第一电屏蔽层的第二导电层 405(位于第二区域的第二导电层作为压力传感器的敏感薄膜）之间的第二绝缘层 404 也被部分或完全去除，形成第一空腔，当然此处第一绝缘层可以没有被完全去除，在第二导电层与压力传感器的可动电极 403e之间还形成了连接彼此的连接臂。本实施例中，所述连接臂釆用绝缘材料形成，所述连接臂还可以釆用导电的材料形成，只要在需要形成连接臂的地方预先布局形成导电材料即可，本领域技术人员知晓如何变通形成，在此不再详述。所述第一空腔、所述压力传感器的可动电极 403e上的孔洞、所述第二空腔、以及所述压力传感器固定电极 410上的孔洞之间气体连通，所述压力传感器的可动电极 403e与压力传感器固定电极 410构成电容器的两个极板，压力传感器的可动电极 403e移动时，所述电容器的两个极板之间距离改变。由于所述麦克风的背板电极 414 内形成有孔洞，所述麦克风的背板电极 414与麦克风的敏感薄膜（所述麦克风的敏感薄膜利用形成惯性传感器的第一电屏蔽层的位于第三区域 III的第二导电层 405形成，位于第一区域 I的第二导电层 405形成惯性传感器的第一电屏蔽层）之间的第二绝缘层 404和第一绝缘层 402被去除，形成第四空腔。所述麦克风的背板电极 414作为麦克风的固定电极，所述麦克风的敏感薄膜作为麦克风的可动电极，所述固定电极与可动电极构成电容器的两个极板，麦克风的敏感薄膜变形时，所述电容器的两个极板之间的距离改变。经过该步骤，从而实现了压力传感器的可动电极、惯性传感器的可动电极和麦克风的背板电极的释放。在去除所述部分第一绝缘层以及部分第二绝缘层过程中，同时余留的第一掩膜层也被去除。去除所述部分第一绝缘层、第二绝缘层需要根据材料进行选择刻蚀剂，作为本发明的一个实施例，所述第一绝缘层、第二绝缘层均为氧化硅，去除部分所述第一绝缘层、第二绝缘层的刻蚀剂可以选择氢氟酸。通过控制刻蚀时间以及刻蚀溶液的浓度 , 可以控制需要保留的第一绝缘层以及第二绝缘层的量。经过上述工艺，形成了本发明的集成 MEMS器件的核心部分，后续还需要在所述集成 MEMS器件上覆盖第三衬底，以便对所述惯性传感器进行密封，并且还需要形成麦克风通道开口和压力传感器的压力通道开口。具体请参照图 14。提供第三衬底 701 , 所述第三衬底 701上形成有各类互连结构（未标记），而且所述第三衬底 701中可以形成有各种 CMOS电路（未图示）和 /或引线（未标记）。同时所述第三衬底 701的表面上还形成有第二粘合垫 703和压焊版片 702, 所述第二粘合垫 703用于后续与形成压力传感器的固定电极、惯性传感器可动电极和麦克风的背板电极的一侧进行对应结合，所述压焊版片 702用于与外界电路进行电连接。请参照图 15 , 将所述第三衬底 701键合至釆用第一衬底形成的惯性传感器的可动电极、压力传感器的固定电极和麦克风的背板电极的一侧，所述第三衬底 701和所述第二衬底分别位于惯性传感器的可动电极的相对两侧。在此步骤中，所述第三衬底 701的第二粘合垫 703将与所述第一衬底上的第一粘合垫 601 对应粘合。所述第一粘合垫 601和第二粘合垫 703也充当电极的作用，第一衬底中的需要电连接至第三衬底的互连结构以及电路的电极通过第一粘合垫 601引出，并且通过第二粘合垫 703电连接至第三衬底上的互连结构以及电路中。然后，请参照图 16, 在所述第二衬底的对着形成压力传感器的第二区域 II形成压力通道开口 505, 所述压力通道开口 505作为将压力施加至压力传感器的入口。所述压力通道开口 505暴露出第二导电层 405, 位于第一区域 I的第二导电层 405形成惯性传感器的第一电屏蔽层，位于第二区域 II的第二导电层 405作为压力传感器的敏感薄膜，从而外界压力能够通过敏感薄膜进而将压力传递至所述压力传感器的可动电极上。作为可选的实施例，在形成所述压力通道开口 505的同时，还在所述第二衬底的对着第三区域 III的位置形成麦克风通道开口 503 , 在所述第三衬底的对着第三区域 III的位置形成麦克风空腔 504。所述麦克风通道开口 503暴露出位于第三区域 III的第二导电层 405 (所述第三区域 III的第二导电层 405作为麦克风的敏感薄膜），所述麦克风空腔 504暴露出所述麦克风的背板电极 414, 所述麦克风通道开口 503和麦克风空腔 504均可以作为将声音信号施加至麦克风的敏感薄膜的入口，声音信号通过所述麦克风通道开口 503或麦克风空腔 504将声音信号传递至所述麦克风的敏感薄膜上。在形成压力通道开口 505的同时，部分的所述第二衬底也被去除，形成了第二衬底 50Γ, 以暴露出位于第三衬底上的压焊版片 702, 具体请参照图 16。在其他的实施例中，所述压焊版片 702还可以在形成所述麦克风通道开口（当所述麦克风通道开口位于所述第二衬底内时)或麦克风空腔（当所述麦克风空腔位于所述第二衬底内时）的时候暴露出来。作为一个实施例，为了防止刻蚀工艺损伤麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极，所述麦克风通道开口 503 和麦克风空腔 504通过两次刻蚀工艺分别形成。在其他的实施例中，若能够通过对刻蚀工艺参数的优选设置，在保证不损伤麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的前提下，所述麦克风通道开口 503和麦克风空腔 504还可以在同一次刻蚀工艺中形成，以提高本发明的集成 MEMS器件的制作工艺的集成度，降低工艺成本。本实施例中，所述第三衬底中形成有 CMOS 电路和引线，所述第三衬底第三衬底，本领域技术人员知晓根据第三衬底的类型如何对形成的惯性传感器进行密封，而且本领域技术人员还知晓如何根据第三衬底的类型对第一衬底上形成的一层或者多层导电层进行布局，在此不再赘述。需要说明的是，本实施例中，所述一层或多层导电层包括惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层以及惯性传感器的电屏蔽层，在其他的实施例中，若所述一层或多层导电层仅包括惯性传感器的电屏蔽层，则还需要在第三衬底的表面（该表面为第三衬底的与第二衬底键合的表面）形成惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层。此时，位于第二区域 II的电屏蔽层可以作为压力传感器的敏感薄膜，位于第三区域 III的电屏蔽层可以作为麦克风的敏感薄膜，这样，可以充分利用这些材料形成压力传感器和麦克风的不同的结构，一方面减小了集成 MEMS器件的体积；而且降低了制作工艺的难度，增加了制作器件的灵活性以及更易于进行布局，增加了与其他器件进行集成的灵活性。

经过上述工艺，形成了本发明的第一个实施例的集成 MEMS器件。图 16 中虚线框 10内表示形成的压力传感器，虚线框 20表示形成的惯性传感器，虚线框 30表示形成的麦克风。具体包括：惯性传感器的可动电极 407、压力传感器的固定电极 410和麦克风的背板电极 414; 第二衬底 501，和第三衬底 701 , 所述惯性传感器的可动电极 407、压力传感器的固定电极 410和麦克风的背板电极 414位于所述第二衬底 501，和第三衬底 701之间；所述惯性传感器 20的可动电极 407釆用第一衬底形成；所述压力传感器的固定电极 410釆用形成所述惯性传感器的可动电极 407的同一第一衬底形成；所述麦克风的背板电极 414釆用形成所述惯性传感器的可动电极 407的同一第一衬底形成；所述第一衬底为单晶半导体材料，所述第一衬底包括第一表面和第二表面，所述第一衬底包括第一区域和第二区域；所述第一衬底的第一表面的第一区域和第二区域形成有一层或者多层导电层；所述第二衬底直接结合或者通过键合层结合至所述第一衬底上的一层或者多层导电层的表面，所述第三衬底结合至所述惯性传感器的可动电极 407、压力传感器的固定电极 410和麦克风的背板电极 414的一侧；所述第三衬底 701与所述惯性传感器可动电极 407之间、与所述压力传感器的固定电极 410 之间、以及与所述麦克风的背板电极 414之间分别形成第六空腔、第七空腔和第八空腔。本实施例中，所述第一衬底的第一表面的一层或者多层导电层包括惯性传感器第一电屏蔽层、惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层，所述第一电屏蔽层比所述互连层更为远离所述第一衬底。

本实施例中，所述压力通道开口 505暴露出用于形成惯性传感器的第一电屏蔽层的第一导电层，所述暴露出的第一导电层作为压力传感器 10的敏感薄膜；所述压力传感器 10还包括压力传感器的可动电极 403e, 所述压力传感器的可动电极 403e釆用形成惯性传感器的第一互连层的材料形成，具体来说，本实施例中，釆用形成 X轴传感器或 Y轴传感器的固定电极互连线材料层形成。所述压力传感器的可动电极 403e内具有孔洞，所述压力传感器可动电极 403e与压力传感器的敏感薄膜之间形成了第一空腔并通过连接臂连接，在外力作用下，所述压力传感器的敏感薄膜会移动（垂直于所述第一电屏蔽层的方向移动），从而带动所述压力传感器的可动电极 403e产生位移。

所述压力传感器还包括与压力传感器的可动电极 403e相对设置的压力传感器的固定电极 410, 所述压力传感器固定电极 410中形成有孔洞，所述压力传感器的可动电极 403e与压力传感器的固定电极 410之间具有间隙，形成了第二空腔，所述第一空腔、压力传感器的可动电极 403e上的孔洞、第二空腔、压力传感器的固定电极 410上的孔洞气体连通，所述压力传感器的可动电极 403e与压力传感器的固定电极 410构成电容器的两个极板，压力传感器的可动电极 403e变形时，所述电容器的两个极板之间距离改变。

本实施例中，所述麦克风空腔 504暴露出麦克风的背板电极 414, 所述麦克风的背板电极 414内形成有孔洞，所述孔洞与所述麦克风空腔 504相连通；所述麦克风通道开口 503暴露出用于形成惯性传感器的第一电屏蔽层的第一导电层，所述暴露出的第一导电层作为麦克风 30的敏感薄膜；所述麦克风空腔 504 所述麦克风的背板电极 414作为麦克风 30的固定电极，声音信号的作用下，所述麦克风的敏感薄膜会移动，使得所述麦克风 30的敏感薄膜与麦克风 30的背板电极 414之间的距离发生改变，从而所述麦克风 30的敏感薄膜与麦克风的背板电极 414之间的电容的电容值发生改变，从而将声音信号转换为电信号。本实施例中 ,所述麦克风通道开口 503和压力通道开口 505位于所述麦克风的敏感薄膜和压力敏感薄膜的一侧，所述麦克风空腔 504位于所述麦克风的背板电极 414 的远离所述麦克风通道开口 503和压力通道开口 505的一侧。所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极 414内均形成有相连通的孔洞；所述麦克风空腔 504 贯穿所述第三衬底 701、第三衬底 701与所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极 414之间的材料层；因此，作为一个实施例，所述麦克风空腔 504作为声音信号和压力信号的共同通道，这样，在后续将本发明的集成 MEMS器件封装后，仅露出麦克风空腔 504, 并且在所述麦克风通道开口 503和压力通道开口 505上方形成空腔，从而压力信号可以经过麦克风的背板电极 414内的孔洞、麦克风的敏感薄膜内的孔洞、麦克风通道开口 503、所述空腔、进入压力传感器的压力通道开口 505, 所述压力通道开口 505无需暴露在外部，这样可以保护压力传感器，防止压力传感器受到外部的污染和干扰，提高压力传感器的抗干扰能力和寿命。当然，作为其他的实施例，也可以分别釆用麦克风通道开口 503和压力通道开口 505分别作为声音信号和压力信号的通道，在封装时，将所述麦克风空腔 504密封起来，本领域技术人员可以进行具体灵活的选择。本发明还提供了第二个集成 MEMS器件的实施例，具体请参照图 17, 与图 16结构的区别是：所述压力通道开口 505暴露出第一衬底和第二衬底 501，之间的键合层（本实施例中所述键合层为位于第二衬底 501，上的第四绝缘层 502 ) , 位于第二区域 II的键合层和第二导电层 405共同作为压力传感器的敏感薄膜。本实施例中，所述键合层可以起到保护第二导电层的作用。当然，所述压力传感器的敏感薄膜也可以釆用其它导电材料和绝缘层组合制备，在下文的实施例中还可以有所其它变形。甚至，所述压力传感器的敏感薄膜还可以包括更多的材料层，只要所述压力传感器的敏感薄膜满足包含一层导电层、而且能够在外力作用下产生变形的条件即可。形成如图 17所述的集成 MEMS器件的形成方法与形成如图 16所述的结构的区别在于形成压力通道开口 505的时候停止于键合层，本领域技术人员知晓如何变通形成。本发明还提供了第三个集成 MEMS器件的实施例，具体请参照图 i8 , 与图 16结构的区别是：所述压力通道开口 505暴露出形成惯性传感器的第一电屏蔽层的第二导电层 405, 但是没有额外形成压力传感器的可动电极，即暴露出的第二导电层既作为压力传感器的敏感薄膜又作为压力传感器的可动电极，在所述压力传感器的敏感薄膜与固定电极之间的所有导电层被去除，形成第三空腔，所述第三空腔、压力传感器的固定电极中的孔洞、第七空腔气体连通；所述压力传感器的敏感薄膜与压力传感器的固定电极构成电容器的两个极板，压力传感器的敏感薄膜变形时，所述电容器的两个极板之间距离改变。具体的如图 18的集成 MEMS器件的形成方法可以为：在形成所述惯性传感器的互连层时候，在压力传感器的固定电极对应位置釆用刻蚀的办法去除这些构成惯性传感器的互连层的导电层，从而当所述压力传感器的敏感薄膜与压力传感器的固定电极之间的绝缘层在结构释放的时候被除去，在所述压力传感器的敏感薄膜与固定电极之间形成第三空腔。本发明还提供了第四个集成 MEMS器件的实施例，具体请参照图 19, 与图 18的所述集成惯性传感器与压力传感器的区别在于：压力通道开口暴露出键合层（本实施例中所述键合层为位于第二衬底 501，上的第四绝缘层 502 ) , 位于第二区域 II的键合层、第二导电层 405、第二绝缘层共同作为压力传感器的敏感薄膜。同样形成本实施例的集成惯性传感器与压力传感器方法也可以参照上述方法，在此不再赘述。 +

本发明还提供了第五个集成 MEMS器件的实施例，具体请参照图 20, 与图 18的所述集成惯性传感器与压力传感器的区别在于：在第二衬底 501，中形成的压力通道开口 505暴露出形成惯性传感器的 X轴传感器或 Y轴传感器的固定电极互连线的导电层 403e, 在第二区域 II釆用此材料层形成了压力传感器的敏感薄膜，所述压力传感器可动电极能够在外加压力作用下产生变形。具体的形成图 20所示的集成 MEMS器件的方法类似形成前述图 18所示的集成惯性传感器与压力传感器的方法，区别在于：在形成所述惯性传感器的互连层时候，在压力传感器的固定电极对应位置形成构成压力传感器的敏感薄膜的导电层，且在第二区域 II的第二导电层内不形成孔洞，并且在形成作为所述惯性传感器的第一电屏蔽层的导电层之后，根据所要形成的压力传感器的压力通道开口的大小和位置，去除与所述压力通道开口位置相对应的第二导电层，或者在形成压力通道开口的时候去除该位置的第二导电层，暴露出形成惯性传感器的互连层的导电层，作为压力传感器的敏感薄膜，本实施例中，也没有额外形成压力传感器的可动电极。本发明还提供了第六个集成 MEMS器件的实施例，具体请参照图 21 , 与前述图 20所示结构的区别在于，位于第二区域 II的第二绝缘层和用于形成惯性传感器的互连层的导电层共同作为压力传感器的敏感薄膜，本实施例中，没有额外形成压力传感器的可动电极。具体的形成如图 21所示结构的方法与形成前述结构类似，在此不再赘述。本发明还提供了第七个集成 MEMS器件的实施例，具体请参照图 22, 与前述图 20所示结构的区别在于，釆用位于第二区域 II的第二导电层和位于第二区域 II的第一导电层分别形成压力传感器的敏感薄膜和压力传感器的固定电极，即本实施例中，分别釆用形成惯性传感器的第一电屏蔽层和互连层的导电材料形成压力传感器的敏感薄膜和压力传感器的固定电极，没有额外形成压力传感器的可动电极。形成如图 22所示结构的方法与形成前述结构类似，在此不再赘述。当然作为本实施例的变形，也可以釆用形成惯性传感器的不同互连层的导电材料形成压力传感器的敏感薄膜和固定电极。本发明还提供了第八个集成 MEMS器件的实施例，具体请参照图 23 , 与前述所有实施例的区别在于，釆用位于第二区域 II的第一衬底形成压力传感器的敏感薄膜 403ζ ,釆用与所述压力传感器的敏感薄膜位置对应的第三衬底上的导电材料层形成压力传感器的固定电极，本实施例中，也没有额外形成压力传感器的可动电极。具体的形成如图 23所示结构的方法与形成前述结构类似，在此不再赘述。需要说明的是，若所述第一衬底减薄后的厚度比较厚，且釆用第一衬底制作压力传感器的敏感薄膜，形成的压力传感器可以适用于需要检测压力比较大的场合。同样，对于本发明的实施例的压力传感器的敏感薄膜，若其厚度选择比较大或者由多层材料构成较厚的敏感薄膜，同样可以适用于需要检测压力比较大的场合，因此，通过控制压力传感器的敏感薄膜的厚度，可以形成用于检测不同压力大小的压力传感器。本发明还提供了第九个集成 MEMS器件的实施例，具体请参照图 24, 与前述所有实施例的区别在于，釆用位于第二区域 II的第一导电层 403 e形成压力传感器的敏感薄膜，釆用与所述压力传感器的敏感薄膜位置对应的第一衬底 403z形成压力传感器的固定电极，本实施例中，也没有额外形成压力传感器的可动电极。具体的形成如图 24所示结构的方法与形成前述结构类似，在此不再赘述。

本发明还提供了第十个集成 MEMS器件的实施例，具体请参照图 25 , 与前述所有实施例的区别在于，釆用位于第二区域 II的第二导电层形成压力传感器的敏感薄膜，釆用与所述敏感薄膜位置对应的第三衬底上的导电材料层形成压力传感器的固定电极，本实施例中，也没有额外形成压力传感器的可动电极。具体的形成如图 25所示结构的方法与形成前述结构类似，在此不再赘述。需要说明的是，图 17〜图 25所示的集成 MEMS器件均是以第一实施例的麦克风结构为例加以说明，而对压力传感器的不同结构进行了说明。在实际中，麦克风的结构也可以有多种不同的结构。下面将以第一实施例的压力传感器的结构为例，对麦克风的不同结构进行分别描述。图 26给出本发明第十一个集成 MEMS器件的实施例，本实施例与第一实施例（如图 16所示） MEMS器件相比，位于第三区域 III的键合层（所述键合层位于第二衬底 501，和第一衬底之间）和位于第三区域 III的第二导电层共同作为麦克风的敏感薄膜，所述麦克风通道开口 503暴露出所述麦克风的敏感薄膜。本实例的集成 MEMS器件的制作方法与第一实施例的集成 MEMS器件的制作方法的区别在于：在所述第二衬底 501，内形成所述麦克风通道开口 503时，需要保留位于所述第三区域 III的与所述麦克风的位置对应的第四绝缘层。图 27给出本发明的第十二个集成 MEMS器件的实施例，本实施例与图 16 所示的集成 MEMS器件相比，位于第三区域 III的第二绝缘层和位于第三区域 III 的导电层共同作为麦克风的敏感薄膜，所述麦克风通道开口 503暴露出所述麦克风的敏感薄膜。本实施例与第一实施例的区别在于，在继续刻蚀工艺释放所述第一衬底形成惯性传感器的固定电极、压力传感器的固定电极和麦克风的背板电极时，保留所述第二绝缘层，通过调整所述刻蚀工艺的参数可以保留所述第二绝缘层，本领域技术人员知晓如何调整所述刻蚀工艺的参数。图 28给出本发明的第十三个集成 MEMS器件的实施例，本实施例与第十二个实施例的区别在于，位于第三区域 III的第二绝缘层、键合层（位于所述第二衬底和第一衬底之间）和位于第三区域 III的导电层共同作为麦克风的敏感薄膜；本实施例的制作方法与图 27的实施例的区别在于，在形成所述麦克风通道开口 503时，保留位于所述第三区域 III的键合层。图 29给出本发明的第十四个集成 MEMS器件的实施例，本实施例与第一实施例的区别在于，所述第一衬底上的互连层中的一层互连线作为麦克风的敏感薄膜，而不是利用形成惯性传感器的电屏蔽层作为麦克风的敏感薄膜。需要说明的是，根据实际需要，还可以利用所述第一衬底上的互连层的多层互连线作为麦克风的敏感薄膜，各个互连层的互连线之间可以通过导电或绝缘的连接臂相连接。本实施例的集成 MEMS器件的制作方法与第一实施例的区别在于，在形成第一衬底上的一层或多层互连层时，保留位于第三区域 III的至少一层或多层互连线作为集成惯性传感器的敏感薄膜，同时在形成所述麦克风通道开口 503 时，可以进行刻蚀工艺，依次去除位于第三区域 III的第一电屏蔽层和第二绝缘层，位于第三区域 III的导电层的一层互连线层被暴露出，形成麦克风的敏感薄膜。图 30给出本发明的第十五个集成 MEMS器件的实施例，本实施例与第十三个实施例的区别在于，所述第一衬底上的互连层的一层和位于第三区域 III 的第二绝缘层作为麦克风的敏感薄膜 ,而不是利用形成惯性传感器的电屏蔽层作为麦克风的敏感薄膜。需要说明的是，根据实际需要，还可以利用所述第一衬底上的互连层的多层作为麦克风的敏感薄膜，各个互连层之间可以通过导电或绝缘的连接臂相连接。本实施例的集成 MEMS器件的制作方法与第十三个实施例的区别在于，在形成第一衬底上的一层或多层互连层时，保留位于第三区域 III的至少一层或多层互连层作为集成惯性传感器的敏感薄膜，同时在形成所述麦克风通道开口 503时，可以进行刻蚀工艺，去除位于第三区域 III的第一电屏蔽层；同时在释放所述惯性传感器的可动电极、压力传感器的固定电极和麦克风的背板电极时，保留位于所述第三区域 III的第二绝缘层。图 31给出本发明的第十五个集成 MEMS器件的实施例，本实施例与第一实施例的区别在于，位于第三区域 III的第一衬底作为麦克风的背板电极 414, 且所述麦克风的背板电极 414内形成有孔洞；位于第三区域 III的第三衬底 701 上的互连层的一层作为麦克风的敏感薄膜；对应地，所述麦克风的麦克风通道开口 503和麦克风空腔 504位置如图 31所示，所述麦克风通道开口 503露出所述麦克风的背板电极 414; 所述麦克风空腔 504露出所述麦克风的敏感薄膜。本实施例的集成 MEMS器件的制作方法与第一实施例的制作方法的区别在于，刻蚀所述第二衬底 501，形成所述麦克风通道开口 503 , 并且需要将位于第三区域 III的第一衬底上的第一电屏蔽层、一层或多层互连层、键合层和第一绝缘层、第二绝缘层去除，直至露出所述麦克风的背板电极 414; 刻蚀所述第三衬底 701形成所述麦克风空腔 504时，保留位于第三区域 III的第三衬底 701上的至少一层互连层，所述互连层作为麦克风的敏感薄膜，被所述麦克风空腔 504 暴露。图 32给出本发明的第十六个集成 MEMS器件的实施例，本实施例与第十五个实施例的区别在于，位于第三区域 III的第三衬底 701上的两层互连层和互连层之间的绝缘层作为麦克风的敏感薄膜。本实施例中，所述麦克风的敏感薄膜内可以形成孔洞（图中未示出），所述孔洞与麦克风的背板电极 414内的孔洞以及麦克风空腔 504和麦克风的通道开口 503相连通，从而所述麦克风的通道开口 503和所述麦克风空腔 504均可以作为声音信号进入麦克风的敏感薄膜的通道，并且所述麦克风空腔 504还可以同时作为压力信号进入所述压力传感器的通道（此时，所述麦克风的通道开口 503需要与压力传感器的压力通道开口 505相连通，从而压力信号依次经过所述麦克风空腔 504、麦克风的敏感薄膜内的孔洞、麦克风的背板电极 411内的孔洞、麦克风的通道开口 503到达麦克风的压力通道开口 505 ) 。当然，所述麦克风的敏感薄膜内也可以没有空洞，从而仅利用所述麦克风空腔 504作为声音信号进入麦克风的敏感薄膜的通道，压力信号自压力传感器的压力通道开口 505进入压力传感器。本实施例的集成 MEMS器件的形成方法与前一实施例的 MEMS器件的形成方法的区别在于，在刻蚀所述第三衬底 701形成麦克风空腔 504时，保留位于第三区域 III的两层导电层和位于两层导电层之间的材料层，所述两层导电层和材料层共同作为麦克风的敏感薄膜。根据需要，还可以对所述麦克风的敏感薄膜进行刻蚀，以在所述麦克风的敏感薄膜内形成孔洞。图 33给出本发明的第十七个 MEMS器件实施例，本实施例与前述所有实施例的区别在于，麦克风空腔 504位于第二衬底 501，与麦克风的背板电极 414之间，所述麦克风空腔 504的远离所述麦克风的背板电极 414的一侧被所述第二衬底 50Γ密封。麦克风通道开口 503位于所述麦克风的背板电极 414与麦克风的敏感薄膜的远离所述麦克风空腔 504的一侧，且所述麦克风通道开口 503贯穿所述第三衬底 701、第三衬底 701与所述麦克风的敏感薄膜之间的材料层，所述麦克风通道开口 503作为声音信号进入麦克风的通道。麦克风通道开口 503与压力传感器 505的压力通道开口 505分别位于麦克风的背板电极 414和麦克风的敏感薄膜的两侧。需要说明的是，本实施例中，在所述第二衬底 501，将所述麦克风空腔 504 远离所述麦克风的背板电极 414的一侧密封的前提下，所述麦克风空腔 504还可以部分地形成于所述第二衬底 501，内。本实施例集成 MEMS器件的制作方法与前述所有实施例的 MEMS器件的制作方法的区别在于，刻蚀所述压力通道开口 505时，与所述麦克风对应的第二衬底 501，被保留。并且在所述麦克风的背板电极 414内形成孔洞后，利用所述麦克风的背板电极内的孔洞将所述第二衬底 501，与所述麦克风的背板电极 414之间的材料层去除，以在所述麦克风的背板电极 414与第二衬底 501，之间形成麦克风空腔 504。当然，若所述麦克风空腔 504需要部分地形成在所述第二衬底 501，内，则还需要对所述第二衬底 501，进行部分刻蚀。所述刻蚀可以为将所述第二衬底 501，与第一衬底键合之前进行，在所述位于第三区域 III的与所述麦克风的背板电极 414对应的第二衬底 501，内形成凹槽。在利用所述麦克风的背板电极内的孔洞将所述第二衬底 501，与所述麦克风的背板电极 414之间的材料层去除后，形成麦克风空腔。当然，还需要将所述麦克风的敏感薄膜对应位置的第三衬底 701以及第三衬底 701与麦克风的敏感薄膜之间的材料层去除，以形成麦克风通道开口 503。

需要说明的是，所述麦克风的背板电极 414和麦克风的敏感薄膜的结构不限于本实施例所示，本领域技术人员可以结合前述各个实施例对麦克风的背板电极 414和麦克风的敏感薄膜的结构进行灵活变化。图 34示出了本发明第十八个实施例的集成 MEMS器件的结构示意图。本实施例与第十七实施例的区别在于，所述麦克风通道开口 503位于所述第三衬底 701与所述麦克风的背板电极 414之间，所述麦克风通道开口 503的远离所述麦克风的背板电极 414和麦克风的敏感薄膜的一侧被所述第三衬底 701密封。所述麦克风空腔 504位于所述麦克风的背板电极 414和麦克风的敏感薄膜的远离所述麦克风通道开口 503的一侧，所述麦克风空腔 504与压力传感器的压力通道开口 505位于所述麦克风的背板电极 414和麦克风的敏感薄膜的相同的一侧。所述麦克风空腔 504和压力通道开口 505分别作为声音信号和压力信号的通道。当然，所述麦克风通道开口 503还可以部分地形成于第三衬底 701内。本实施例的集成 MEMS器件的制作方法与前一实施例的集成惯性传感器和压力传感器和麦克风的制作方法的区别在于，在将所述第三衬底 701与第一衬底键合前，可以在第三衬底 701的对应于麦克风的位置进行刻蚀，去除与所述麦克风的背板电极 414和麦克风的敏感薄膜对应的位置的第三衬底表面的部分或全部材料层，甚至还可以将部分第三衬底去除，以便于将第三衬底 701与第一衬底键合后，在所述第三衬底与第一衬底之间对应于麦克风的背板电极 414和麦克风的敏感薄膜的位置形成麦克风的通道开口 503。在进行刻蚀工艺形成压力通道开口 505的同时，可以对与麦克风的背板电极 414和麦克风的敏感薄膜对应的第二衬底进行刻蚀，并且将所述第二衬底与麦克风的背板电极 414之间的材料层去除，以形成麦克风空腔 504。所述麦克风空腔 504作为声音信号进入麦克风的通道。

需要说明的是，所述麦克风的背板电极 414和麦克风的敏感薄膜的结构不限于本实施例所示，本领域技术人员可以结合前述各个实施例对麦克风的背板电极 414和麦克风的敏感薄膜的结构进行灵活变化。比如，所述麦克风的背板电极还可以釆用至少包括第三区域的第一衬底上的导电层中的一层形成，此时，所述麦克风的敏感薄膜还可以釆用第三区域的第三衬底上的导电材料层 (若第三衬底上形成有导电材料层）形成，或者，所述麦克风的敏感薄膜可以釆用第三区域的第一衬底上的导电层中的一层或多层形成；或者，所述麦克风的敏感薄膜可以釆用第三区域的第一衬底上的第一电屏蔽层或互连层形成。图 17〜图 25和图 26〜图 34分别针对压力传感器和麦克风的不同结构进行了说明，在实际中，本领域技术人员可以根据工艺的需要进行自由组合，灵活地设置集成 MEMS器件的内部结构，可以将图 17〜图 25与图 26〜图 34中的压力传感器和麦克风的不同结构进行自由灵活的组合，在此不再——列举，基于上述实施例本领域技术人员知晓如何变通形成，而且上述实施例也可以说明，釆用本发明的方法可以灵活地根据实际器件以及设计的需要进行灵活布局，以达到不同的目的，而且还可以减小 MEMS器件的体积的目的。再者，上述的形成集成 MEMS器件的方法中，所述惯性传感器仅以加速度传感器的 X轴或者 Y轴传感器为例加以说明，而且在 X轴或者 Y轴传感器的结构中，上述实施例中也未将所有结构图示和说明，仅选取了比较有典型意义的 X轴或者 Y轴传感器的固定电极、可动电极、第一密封传感器结构、第二密封了压力传感器的固定电极、压力传感器的可动电极和 /或敏感薄膜的形成方法进行了图示和说明；对于麦克风，选取了麦克风的背板电极和麦克风的敏感薄膜及其形成方法进行了说明；同时，前述实施例中还图示和说明了第一子互连线、第二子互连线、第一惯性传感器结构、第一压力传感器结构的形成方法，所述第一子互连线、第二子互连线、第一惯性传感器结构、第一压力传感器结构、第二压力传感器结构和麦克风结构用于表示集成 MEMS器件中可能应用到的其他结构，在此图示和说明用于向本领域技术人员显示，釆用本发明实施例的制备集成 MEMS器件的方法不但可以形成悬浮可动的惯性传感器和压力传感器的可动电极、惯性传感器和压力传感器的固定电极、麦克风的背板电极、麦克风的敏感薄膜以及固定在所述第一屏蔽电极和第二屏蔽电极上的第一密封传感器结构和第二密封传感器结构，釆用本发明实施例的方法还可以形成通过第一绝缘层固定在所述互连层上方的惯性传感器结构、压力传感器结构和麦克风结构，即釆用本发明实施例的方法可以形成所述惯性传感器、压力传感器和麦克风所需要的所有结构。在此特别加以说明，不应过分限制本发明实施例的保护范围。同时，在上述实施例中，以加速度传感器的 X轴或 Y轴传感器为例加以详细说明，对于加速度传感器 Z轴传感器来说，也可以釆用本发明实施例的方法形成，区别仅仅在于布局、或者设计不同。在此特别加以说明，不应过分限制本发明的保护范围。同时，在上述实施例中，以加速度传感器的 X轴或 Y轴传感器为例加以详细说明，对于转角器来说，从结构上来说，其用于测试每个方向的转角器（即 X轴转角器、 Y轴转角器、 Z转角器）结构类似于加速传感器的三个方向的传感器（即 X轴传感器、 Y轴传感器、 Z传感器）的综合体，若釆用本发明实施例的方法可以形成加速度传感器的每个方向的传感器，釆用本发明实施例的方法也可以形成各个方向的转角器结构，区别仅在于布局、或者设计的不同，故关于转角器的形成方法不再详述，基于本领域的普通技术知识以及本发明的实施例，本领域技术人员知晓如何变更、修改或者增补。本发明的实施例通过釆用第一衬底形成惯性传感器的可移动敏感元素，并且釆用第一衬底或者第一衬底上的一层或者多层导电层中的一层形成麦克风的敏感薄膜，形成的集成 MEMS器件的体积较小，成本低，而且封装后可靠性高。在本发明的实施例中，还可以釆用第一衬底或者第一衬底上的一层或者多层导电层中的一层形成压力传感器的敏感薄膜和麦克风的敏感薄膜，从而可以形成集成了惯性传感器、压力传感器和麦克风的集成 MEMS器件，进一步提高了本发明的集成 MEMS器件的集成度，并且，形成的集成 MEMS器件的体积小，成本低。本发明的实施例所述的麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口和压力传感器的压力通道开口的一侧；所述麦克风空腔贯穿所述第二衬底、第二衬底与所述麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极之间的材料层，或所述麦克风空腔贯穿所述第三衬底、第三衬底与所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极之间的材料层；所述麦克风空腔作为声音信号和压力信号的共同通道，从而压力信号可以经过麦克风空腔、麦克风的背板电极内的孔洞、麦克风的敏感薄膜内的孔洞到达所述压力通道开口，从而压力通道开口无需暴露在外部，保护了压力传感器，避免压力传感器受到外部环境的干扰和污染，提高了压力传感器的寿命和可靠性。本发明虽然以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以做出可能的变动和修改，因此本发明的保护范围应当以本发明权利要求所界定的范围为准。

Claims

权利要求

1、一种集成 MEMS器件，其特征在于，包括：第一衬底，包括第一表面和与之相对的第二表面，所述第一衬底包括第一区域和第三区域；至少一层或多层导电层，形成于所述第一衬底的第一表面；惯性传感器的可移动敏感元素，釆用第一区域的第一衬底形成；第二衬底和第三衬底，所述第二衬底与所述第一衬底上的导电层的表面结合 ,所述第三衬底与所述第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素一侧结合，且所述第三衬底和所述第二衬底分别位于惯性传感器的可移动敏感元素的相 ^两侧；麦克风的敏感薄膜或背板电极，至少包括第三区域的第一衬底，或者至少包括第三区域的第一衬底上的导电层中的一层。

2、如权利要求 1所述的集成 MEMS器件，其特征在于，所述第一衬底为单晶半导体材料。

3、如权利要求 1所述的集成 MEMS器件，其特征在于，所述导电层包括惯性传感器的第一电屏蔽层。

4、如权利要求 1所述的集成 MEMS器件，其特征在于，所述麦克风的敏感薄膜为多层，所述麦克风的敏感薄膜包括所述导电层中的一层、及位于该层导电层之上或者之下的材料层；或者，所述麦克风的敏感薄膜包括第一衬底、及位于所述第一衬底之上或之下的材料层。

5、如权利要求 1所述的集成 MEMS器件，其特征在于，所述第三衬底上形成有与所述第一衬底结合的导电材料层；麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极包括位于所述第三区域的第一衬底上的导电层中的一层，或者所述第三区域的第一衬底，或者所述第三衬底上的导电材料层。

6、如权利要求 1所述的集成 MEMS器件，其特征在于，所述第一衬底还包括第二区域，所述集成 MEMS器件还包括：压力传感器的敏感薄膜或固定电极，至少包括第二区域的第一衬底，或者至少包括第二区域的第一衬底上的导电层中的一层。

7、如权利要求 6所述的集成 MEMS器件，其特征在于，所述导电层包括惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层、惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器的固定电极的支撑点、惯性传感器的可移动敏感元素的支撑点或者其任意组合。

8、如权利要求 6所述的集成 MEMS器件，其特征在于，所述导电层包括惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层，所述互连层比所述第一电屏蔽层更为靠近所述第一衬底的第一表面。

9、如权利要求 6所述的集成 MEMS器件，其特征在于，所述第三衬底上形成有与所述第一衬底结合的导电材料层；所述压力传感器的敏感薄膜或固定电极釆用第二区域的第一衬底上的导电层中的一层形成、或者釆用第二区域的第一衬底形成、或者釆用第三衬底上的导电材料层形成。

10、如权利要求 6所述的集成 MEMS器件，其特征在于，所述压力传感器的敏感薄膜包括形成所述惯性传感器的第一电屏蔽层的材料层或者包括形成所述惯性传感器的互连层的材料层；所述麦克风的敏感薄膜包括形成所述惯性传感器的第一电屏蔽层的材料层或包括形成所述惯性传感器的互连层的材料层。

11、如权利要求 6所述的集成 MEMS器件，其特征在于，所述压力传感器的固定电极釆用第二区域的第一衬底形成，所述压力传感器的固定电极内形成有孔洞；

所述麦克风的背板电极釆用所述第三区域的第一衬底形成，所述麦克风的背板电极内形成有孔洞。

12、如权利要求 6所述的集成 MEMS器件，其特征在于，所述压力传感器的敏感薄膜与压力传感器的固定电极之间还形成有压力传感器的可移动敏感元素，所述压力传感器的可移动敏感元素与所述敏感薄膜之间通过连接臂连接，所述压力传感器的可移动敏感元素内形成有孔洞；所述麦克风的敏感薄膜与麦克风的背板电极之间还形成有麦克风的可移动敏感元素，所述麦克风的可移动敏感元素与所述麦克风的敏感薄膜之间通过连接臂连接，所述麦克风的可移动敏感元素内形成有孔洞。

13、如权利要求 6所述的集成 MEMS器件，其特征在于，所述压力传感器的敏感薄膜为多层；所述敏感薄膜包括导电层中的一层、及位于该层导电层之上或者之下的材料层；或者，所述压力传感器的敏感薄膜包括第一衬底，及位于所述第一衬底之上或者之下的材料层。

14、如权利要求 6所述的集成 MEMS器件，其特征在于，还包括：麦克风通道开口，暴露出所述麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极；麦克风空腔，位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口的一侧；压力通道开口，暴露出所述压力传感器的敏感薄膜；所述麦克风的敏感薄膜内形成有孔洞，所述麦克风的背板电极内形成有孔洞，所述麦克风的敏感薄膜内的孔洞与所述麦克风的背板电极内的孔洞以及麦克风空腔和麦克风通道开口相连通；所述麦克风通道开口与所述压力传感器的压力通道开口位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的相同一侧；所述麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口和压力传感器的压力通道开口的一侧；所述麦克风空腔贯穿所述第二衬底、第二衬底与所述麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极之间的材料层，或所述麦克风空腔贯穿所述第三衬底、第三衬底与所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极之间的材料层；所述麦克风空腔作为声音信号和压力信号的共同通道。

15、一种集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供第二衬底和第三衬底；

提供第一衬底，所述第一衬底包括第一表面和与之相对的第二表面，所述第一衬底包括第一区域和第三区域；

在所述第一衬底的第一表面形成一层或者多层导电层；将所述第二衬底结合至所述第一衬底上的导电层的表面；

釆用第一区域的第一衬底形成惯性传感器的可移动敏感元素；形成麦克风的敏感薄膜或背板电极，所述麦克风的敏感薄膜或背板电极至少包括所述第三区域的第一衬底、或者至少包括第三区域上的第一衬底上的导电层中的一层；将所述第三衬底结合至第一衬底形成的惯性传感器的可移动敏感元素的一侧，且所述第三衬底和所述第二衬底分别位于所述惯性传感器的可移动敏感元素的相对两侧。

16、如权利要求 15所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第一衬底釆用单晶半导体材料。

17、如权利要求 15所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述导电层包括惯性传感器的第一电屏蔽层。

18、如权利要求 15所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，形成所述导电层包括形成惯性传感器和麦克风的互连层、惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器的固定电极的支撑点、惯性传感器的可移动敏感元素的支撑点或者其任意组合。

19、如权利要求 15所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，形成所述导电层包括形成惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器和麦克风的互连层，所述互连层比所述第一电屏蔽层更为靠近所述第一衬底的第一表面。

20、如权利要求 19所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述麦克风的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的第一电屏蔽层的材料层形成 , 或所述麦克风的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的第一电屏蔽层和第一电屏蔽层之上和 /或之下的材料层形成，或所述麦克风的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的互连层的材料层形成，或所述麦克风的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的互连层的材料层和该层互连层之上和 /或之下的材料层形成。

21、如权利要求 15所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述麦克风的背板电极釆用所述第三区域的第一衬底形成，所述集成 MEMS器件的形成方法还包括在所述麦克风的背板电极内形成孔洞的步骤。

22、如权利要求 15所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述麦克风的敏感薄膜与麦克风的背板电极之间形成麦克风的可移动敏感元素；在所述麦克风的可移动敏感元素与所述麦克风的敏感薄膜之间形成连接臂，所述连接臂将所述麦克风的可移动敏感元素与所述麦克风的敏感薄膜连接；在所述麦克风的可移动敏感元素内形成孔洞。

23、如权利要求 15所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述麦克风的敏感薄膜为多层，所述麦克风的敏感薄膜包括导电层中的一层、及位于该层导电层之上或者之下的材料层；或者所述麦克风的敏感薄膜包括第一衬底及位于所述第一衬底之上或之下的材料层。

24、如权利要求 15所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第三衬底上形成与所述第一衬底结合的导电材料层；所述麦克风的敏感电极或背板电极釆用第三区域的第一衬底上的导电层中的一层、或者所述第三区域的第一衬底或所述第三衬底上的导电材料层形成。

25、如权利要求 15所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第一衬底还包括第二区域，所述集成 MEMS器件的形成方法还包括：形成压力传感器的敏感薄膜或固定电极，所述压力传感器的敏感薄膜或固定电极至少包括所述第二区域的第一衬底、或者至少包括第二区域的第一衬底上的导电层中的一层。

26、如权利要求 25所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述导电层包括惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层、惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器的固定电极的支撑点、惯性传感器的可移动敏感元素的支撑点或者其任意组合。

27、如权利要求 25所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述导电层包括惯性传感器的第一电屏蔽层、惯性传感器、压力传感器和麦克风的互连层，所述互连层比所述第一电屏蔽层更为靠近所述第一衬底的第一表面。

28、如权利要求 25所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述压力传感器的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的第一电屏蔽层的材料层形成，或所述压力传感器的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的第一电屏蔽层和所述第一电屏蔽层之上和 /或之下的材料层形成，或所述压力传感器的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的互连层的材料层形成，或所述压力传感器的敏感薄膜釆用形成所述惯性传感器的互连层和所述互连层之上和 /或之下的材料层形成。

29、如权利要求 25所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第三衬底上形成与所述第一衬底结合的导电材料层；所述压力传感器的敏感薄膜或固定电极釆用第二区域的第一衬底上的导电层中的一层、或者釆用第二区域的第一衬底、或者釆用第三衬底上的导电材料层形成。

30、如权利要求 25所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述压力传感器的敏感薄膜釆用所述第一衬底形成；所述压力传感器的固定电极釆用第三衬底上的导电材料层形成。

31、如权利要求 25所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述压力传感器的固定电极釆用第二区域的第一衬底形成，所述集成 MEMS器件的形成方法还包括在所述压力传感器的固定电极内形成孔洞的步骤。

32、如权利要求 25所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，还包括：在所述压力传感器的敏感薄膜与压力传感器的固定电极之间形成压力传感器的可移动敏感元素；在所述压力传感器的可移动敏感元素与所述敏感薄膜之间形成连接彼此的连接臂；

在所述压力传感器的可移动敏感元素内形成孔洞。

33、如权利要求 25所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述压力传感器的敏感薄膜为多层；

所述压力传感器的敏感薄膜包括导电层中的一层、及位于导电层中之上或者之下的材料层；或者所述压力传感器的敏感薄膜包括第一衬底、及位于第一衬底之上或者之下的材料层。

34、如权利要求 25所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，还包括：形成麦克风通道开口，暴露出麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极；形成麦克风空腔，所述麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口的一侧；形成压力通道开口，暴露出所述压力传感器的敏感薄膜；在所述麦克风的敏感薄膜内形成孔洞，在所述麦克风的背板电极形成孔洞，所述麦克风的敏感薄膜内的孔洞与所述麦克风的背板电极内的孔洞以及麦克风空腔和麦克风通道开口相连通；所述麦克风通道开口与所述压力传感器的压力通道开口位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的相同一侧；所述麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口和压力传感器的压力通道开口的一侧；所述麦克风空腔贯穿所述第二衬底、第二衬底与所述麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极之间的材料层，或所述麦克风空腔贯穿所述第三衬底、第三衬底与所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极之间的材料层；所述麦克风空腔作为声音信号和压力信号的共同通道。

35、如权利要求 25所述的集成 MEMS器件的形成方法，其特征在于，所述第三衬底上还形成有压焊版片，所述集成 MEMS器件的形成方法还包括：形成麦克风通道开口，暴露出麦克风的敏感薄膜或麦克风的背板电极；形成麦克风空腔，所述麦克风空腔位于所述麦克风的敏感薄膜和麦克风的背板电极的远离所述麦克风通道开口的一侧；

形成压力通道开口，暴露出所述压力传感器的敏感薄膜；在形成所述麦克风通道开口或麦克风空腔或压力通道开口的同时暴露出所述压焊版片。