WO2012091331A2 - 태양전지의 전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극 - Google Patents
태양전지의 전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2012091331A2 WO2012091331A2 PCT/KR2011/009672 KR2011009672W WO2012091331A2 WO 2012091331 A2 WO2012091331 A2 WO 2012091331A2 KR 2011009672 W KR2011009672 W KR 2011009672W WO 2012091331 A2 WO2012091331 A2 WO 2012091331A2
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- silver
- dopant
- paste composition
- resins
- electrode
- Prior art date
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 72
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 61
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 46
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 161
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 32
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 32
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 31
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 17
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 13
- FJOLTQXXWSRAIX-UHFFFAOYSA-K silver phosphate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[Ag+].[O-]P([O-])([O-])=O FJOLTQXXWSRAIX-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- -1 formate silver cyanide Chemical compound 0.000 claims description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 2-azaniumyl-2-(4-fluorophenyl)acetate Chemical compound OC(=O)C(N)C1=CC=C(F)C=C1 JKFYKCYQEWQPTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910021612 Silver iodide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229940045105 silver iodide Drugs 0.000 claims description 6
- RNJWWPJDKFJOGY-UHFFFAOYSA-M 13465-96-8 Chemical group [Ag+].[O-]P(=O)=O RNJWWPJDKFJOGY-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- CCXYPVYRAOXCHB-UHFFFAOYSA-N bismuth silver Chemical compound [Ag].[Bi] CCXYPVYRAOXCHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M silver bromide Chemical compound [Ag]Br ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 5
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001152 Bi alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YRXWPCFZBSHSAU-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Ag].[Te] Chemical compound [Ag].[Ag].[Te] YRXWPCFZBSHSAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 claims description 3
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 claims description 3
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- IRDHJHLKOGRHJJ-UHFFFAOYSA-M iodosilver;rubidium Chemical compound [Rb].I[Ag] IRDHJHLKOGRHJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940098221 silver cyanide Drugs 0.000 claims description 3
- MHLYOTJKDAAHGI-UHFFFAOYSA-N silver molybdate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[O-][Mo]([O-])(=O)=O MHLYOTJKDAAHGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VPKAOUKDMHJLAY-UHFFFAOYSA-J tetrasilver;phosphonato phosphate Chemical compound [Ag+].[Ag+].[Ag+].[Ag+].[O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O VPKAOUKDMHJLAY-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims description 3
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- KPAPHODVWOVUJL-UHFFFAOYSA-N 1-benzofuran;1h-indene Chemical compound C1=CC=C2CC=CC2=C1.C1=CC=C2OC=CC2=C1 KPAPHODVWOVUJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- DOVZUKKPYKRVIK-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-yl propanoate Chemical compound CCC(=O)OC(C)COC DOVZUKKPYKRVIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 1755-01-7 Chemical compound C1[C@H]2[C@@H]3CC=C[C@@H]3[C@@H]1C=C2 HECLRDQVFMWTQS-RGOKHQFPSA-N 0.000 claims description 2
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 claims description 2
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 claims description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 claims description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 claims description 2
- LGFYIAWZICUNLK-UHFFFAOYSA-N antimony silver Chemical compound [Ag].[Sb] LGFYIAWZICUNLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- RHFOYRRUVLOOJP-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;propanoic acid Chemical compound CCOCC.CCC(O)=O RHFOYRRUVLOOJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 claims description 2
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920001083 polybutene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 claims description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 2
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 claims description 2
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 claims description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- GNWCVDGUVZRYLC-UHFFFAOYSA-N [Se].[Ag].[Ag] Chemical compound [Se].[Ag].[Ag] GNWCVDGUVZRYLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N acetic acid;methoxymethane Chemical compound COC.CC(O)=O TUVYSBJZBYRDHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GHZFPSVXDWJLSD-UHFFFAOYSA-N chromium silver Chemical compound [Cr].[Ag] GHZFPSVXDWJLSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XQLMNMQWVCXIKR-UHFFFAOYSA-M silver bromate Chemical compound [Ag+].[O-]Br(=O)=O XQLMNMQWVCXIKR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 claims 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 19
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 14
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 14
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 14
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 10
- 229940019931 silver phosphate Drugs 0.000 description 8
- 229910000161 silver phosphate Inorganic materials 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- DJHGAFSJWGLOIV-UHFFFAOYSA-K Arsenate3- Chemical compound [O-][As]([O-])([O-])=O DJHGAFSJWGLOIV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Chemical class 0.000 description 2
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical class CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940000489 arsenate Drugs 0.000 description 2
- 235000010980 cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- KDSXXMBJKHQCAA-UHFFFAOYSA-N disilver;selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Ag+].[Ag+] KDSXXMBJKHQCAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Chemical class 0.000 description 2
- HKSGQTYSSZOJOA-UHFFFAOYSA-N potassium argentocyanide Chemical compound [K+].[Ag+].N#[C-].N#[C-] HKSGQTYSSZOJOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N sodium;9,10-dioxoanthracene-2-sulfonic acid Chemical compound [Na+].C1=CC=C2C(=O)C3=CC(S(=O)(=O)O)=CC=C3C(=O)C2=C1 GGCZERPQGJTIQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)COC(=O)C(C)=C RUMACXVDVNRZJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- GOQYUMGRTILYCE-UHFFFAOYSA-N [Ag]C#N.[Ag] Chemical compound [Ag]C#N.[Ag] GOQYUMGRTILYCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002518 antifoaming agent Substances 0.000 description 1
- AQTIRDJOWSATJB-UHFFFAOYSA-K antimonic acid Chemical compound O[Sb](O)(O)=O AQTIRDJOWSATJB-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWFZGCMQGLPBSX-UHFFFAOYSA-N carbendazim Chemical compound C1=CC=C2NC(NC(=O)OC)=NC2=C1 TWFZGCMQGLPBSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J diphosphate(4-) Chemical compound [O-]P([O-])(=O)OP([O-])([O-])=O XPPKVPWEQAFLFU-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 235000011180 diphosphates Nutrition 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- OJKANDGLELGDHV-UHFFFAOYSA-N disilver;dioxido(dioxo)chromium Chemical compound [Ag+].[Ag+].[O-][Cr]([O-])(=O)=O OJKANDGLELGDHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004356 hydroxy functional group Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N molybdate Chemical compound [O-][Mo]([O-])(=O)=O MEFBJEMVZONFCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229940079938 nitrocellulose Drugs 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229940009188 silver Drugs 0.000 description 1
- WQIJNCUKAOHNPM-UHFFFAOYSA-L silver selenite Chemical compound [Ag+].[Ag+].[O-][Se]([O-])=O WQIJNCUKAOHNPM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus decaoxide Chemical compound O1P(O2)(=O)OP3(=O)OP1(=O)OP2(=O)O3 DLYUQMMRRRQYAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
- H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Definitions
- the present invention relates to a paste composition for forming an electrode of a solar cell comprising a silver powder coated with a dopant and an electrode using the same.
- phosphate and P 2 0 5 Phosphorous pentoxide used as impurities of the n-type semiconductor have been introduced.
- the salt form compound may react with the composition for forming an electrode to affect the viscosity change of the paste, which may cause a problem in the stability of the paste later.
- the particles such as P 2 0 5 are applied, even diffusion does not occur between the electrode and the substrate, which does not significantly affect the improvement of contact resistance.
- phosphate may be coated on silver powder and used as a solar cell electrode material.
- the phosphate coated on the conductive particles (Ag powder) as an electrode composition, the dispersibility and even diffusion can be considered.
- Can contain ⁇ Desorption may occur due to unstable bonding with the conductive particles, which may adversely affect the viscosity and physical properties of the paste.
- An object of the present invention is to use a solar cell electrode and a substrate by using conductive particles coated with silver salt and phosphorus (P) salt at the same time or coated with a specific silver-containing compound such as silver phosphate as a dopant.
- the present invention provides a paste composition for forming an electrode of a solar cell and an electrode using the same, by improving contact resistance.
- the present invention provides a silver paste composition for forming an electrode of a solar cell including a dopant coated silver powder, an inorganic binder, a metal oxide, a binder, and an organic solvent.
- the dopant-coated silver powder is preferably formed by coating the dopant on the surface of the silver powder having an average particle diameter of 0. ffli to 10.
- the dopant is silver metaphosphate, silver orthophosphate, silver pyrophosphate, silver phosphide, nucleofluorophosphate silver, antimony acid silver, nucleofluoroantimonic acid silver, scattering silver, silver-bismuth alloy, Selected from the group consisting of chromic silver, silver cyanide, silver iodide, silver iodide, silver molybdate, silver silver cyanide, rubidium silver iodide, silver bromide, silver bromide, silver aselenic acid, silver telluride and silver selenide It is preferable to include 1 or more types of silver containing compounds.
- the silver paste composition may include 1 to 10% by weight of inorganic powder binder, 5 to 90% by weight of inorganic powder, 0.1 to 10% by weight of metal oxide, 1 to 20% by weight of binder, and organic solvent balance.
- the silver paste composition may further include a silver powder having an average particle diameter of 0.3 m to 10 mm 3 and not coated with a dopant.
- the silver paste composition is a dopant coated silver powder and dopant 5 to 90% by weight of a mixture of silver powder containing uncoated silver powder, 1 to 10 wt% of inorganic binder, 3 to 10 wt% of metal oxide, and 1 to 20 wt% of organic solvent, and the remaining amount of organic solvent.
- the mixture of silver powder may include 85% by weight or less of silver powder without a dopant in the total silver powder content, and may include the remaining amount of coated silver powder.
- the present invention provides a solar cell electrode produced using the silver paste composition.
- the present invention provides a solar cell comprising the electrode.
- the present invention will be described in more detail.
- the present invention uses silver powder coated with a specific dopant as conductive particles to provide excellent stability and uniform coating properties to ensure excellent dispersibility in the paste, thereby realizing low wire resistance and contact resistance, thereby improving battery efficiency.
- the present invention relates to a silver paste composition for forming an electrode of a solar cell to be improved and a solar cell electrode using the same.
- the conventional method is more stable in using the silver powder coated with a dopant coated with a silver-containing compound as the conductive particles in the present invention, compared to the use of conductive particles coated directly with phosphate or phosphate when phosphate is added directly to paste production. It is excellent in dispersibility.
- the silver-containing compound used as the dopant helps to improve adhesion between the silver electrode and the silicon substrate and improve contact resistance.
- the silver powder coated with the specific dopant is essentially used as the conductive particles in the paste composition.
- the silver powder coated with the specific dopant may optionally further comprise a silver powder that is not coated with a dopant as conductive particles.
- a silver paste composition for forming an electrode of a solar cell including a dopant coated silver powder, an inorganic binder, a metal oxide, a binder, and an organic solvent is provided.
- the silver paste composition is 5 to 90% by weight of the dopant coated silver powder, 1 to 10% by weight of the inorganic binder, 0.1 to 10% by weight of the metal oxide, binder 1 to 20 It is preferred to include the weight%, and the residual amount of the organic solvent.
- the method of the present invention includes silver powder coated with a specific dopant as a conductive particle, thereby exhibiting lower wire resistance and contact resistance than conventional ones, thereby improving electrical characteristics, thereby improving efficiency of a solar cell.
- the dopant-coated silver powder may be formed by coating the dopant on the surface of the silver powder having an average particle diameter of 0.0 zm to 10 mm 3.
- the dopant uses a specific silver-containing compound, which is stably and uniformly coated on the silver powder, which is a conductive particle, to improve adhesion to a substrate (for example, a silicon substrate) and It improves contact resistance.
- dopant coated silver powders are coated with silver salt and phosphorus (P) salt as a dopant or include silver containing compounds such as silver phosphate.
- the dopant is a silver metaphosphate (silver metaphosphate), silver orthophosphate (silver metaphosphate), silver pyrophosphate (si lver pyrophosphate), silver phosphide (silver phosphide), silver nucleofluorophosphate (si lver hexaf luorophosphate ), Silver antimonic acid (si lver ant imonite), silver nucleofluoride (si lver hexaf luoroant imonate), silver larsen arsenate, silver lbis-bismuth alloy, silver chromate silver (si lver chromate), silver cyanide (si lver cyanide), silver iodide (si lver iodate), silver iodide
- the dopant coated silver powder is silver phosphate coated silver powder, silver antimony acid coated silver powder, silver phosphate coated silver powder Powder (Si lver arsenate coated si lver powder), or silver bismuth alloy Silver bismuth coated silver powder is used, and most preferably silver phosphate coated silver powder is used.
- the silver phosphate coated silver powder when used as conductive particles, diffusion of phosphorus (P) present as impurities in the solar cell n-type semiconductor is prevented due to diffusion of phosphorus in the solar cell firing system, and between the electrode and the substrate. Maintains low contact resistance.
- P phosphorus
- phosphorus since the phosphorus is completely diffused when the silver phosphate coated silver powder is used, phosphorus does not remain in the conductive particles, so that excellent wire resistance and contact resistance can be obtained, and electrical characteristics can be improved, thereby improving solar cell efficiency. Can improve.
- the Ag-P (silver phosphate) coated conductive particles proposed in the present invention are more stable than the conductive particles coated with the conventional phosphate solution and phosphate by using aggregation, which is one of the characteristics of silver, and uniformity. It is advantageously coated to ensure excellent dispersibility in the paste. Therefore, since the coated phosphor (P) is present on the surface of the conductive particles in nano and angstrom sizes, it can be completely diffused in the electrode firing system, and thus it is less likely to remain in the conductive particles, thereby reproducing low wire resistance and contact resistance. can do.
- the silver powder used to prepare the silver powder coated with the dopant may be used without limitation as long as it is a silver particle commonly used in the art.
- the silver powder has an average particle diameter of 0.3 to 10 and a lap density of 2 to 6 g / cm 3 is used.
- the manufacturing method of the silver powder coated with the dopant is not particularly limited, and may be prepared by a conventional dipping method, a spraying method, a reducing method, and the like.
- the dopant-coated silver powder is preferably formed by coating a dopant with a thickness of 5A to 500 nm on the surface of the silver powder having an average particle diameter of 0.3 to 10 / m according to the reduction method.
- the dopant in the dopant-coated silver powder is preferably included in 0.1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of silver powder.
- the content thereof when included alone in the silver paste composition, the content thereof may be used in an amount of 5 to 90 wt% based on the total silver paste composition. At this time, the content of the silver powder coated with the dopant is 5 If the weight% is less than the conductive particles, the contact resistance and the line resistance between the metal electrode and the silicon substrate are increased due to insufficient content of the conductive particles, and as a result, the efficiency decreases. Since there may be phosphorus that may remain, the Rs value is increased to reduce the conversion efficiency and the viscosity is too high, resulting in a problem of poor printing and the price of the product.
- the content of the inorganic binder in the paste composition of the present invention is used in 1 to 10% by weight.
- the content of the inorganic binder is less than 1% by weight, there is a limit in removing the anti-reflection film, which makes it difficult to express a function for forming adhesion between the metal electrode and the silicon substrate, resulting in a lower conversion efficiency. If it exceeds, the adhesion to the silicon substrate may be increased, but the contact resistance between the wafer and the electrode material, which is a paste, may be increased to reduce the conversion efficiency.
- the inorganic binder may be a glass frit commonly used in the art, but is preferably selected from the group consisting of Si-B-Pb-based, Si-Bi-Zn-based and Si-Pb-Al-Zn-based glass frits Use at least one kind.
- the content of the metal oxide in the silver paste composition of the present invention is less than 0.1% by weight, it is difficult to obtain a layered reduction of Rs, which is a series resistance, and when it exceeds 10% by weight, as a result of being affected by sintering of the metal. There is a problem in that electrical characteristics such as electrode resistance are inferior.
- the metal oxide may be used one or more selected from the group consisting of zinc oxide, tin oxide, iron oxide and magnesium oxide.
- the content of the binder in the paste composition of the present invention is used in 1 to 20% by weight. At this time, if the binder content is less than 1% by weight, smooth screen printing is difficult, and uniform thickness and shape are difficult to reproduce during printing. If it exceeds 20% by weight, the spreading of the line width of the ink occurs during printing, which makes it difficult to form a precise pattern, and the binder does not volatilize during firing, resulting in a loss of electrode resistance. There is.
- the binder is used to mix each of the components to form a paste, which may also be a material well known in the art.
- the binders include methyl cellulose, ethyl cellulose, Cellulose derivatives containing nitro cellulose or hydroxy cellulose; Acrylic resin containing isobutyl methacrylate; Alkyd resins; Polypropylene resin; Polyvinyl chloride resins; Polyurethane-based resins; Epoxy resins; Silicone resin; Rosin-based resins; Terpene-based resins; Phenolic resins; Aliphatic petroleum resins; Acrylic ester resins; Xylene resin; Coumarone-indene resins; Styrene resin; Dicyclopentadiene-based resins; Polybutene resin; Polyether resins; Urea resins; Melamine-based resins; Vinyl acetate type resin; And it may be used one or more selected from the group consisting of polyisobutyl resin.
- the binder uses ethyl cellulose or an acrylic resin.
- the content of the organic solvent in the paste composition of the present invention may be included as a residual amount in the silver paste composition, preferably 2 to 30 weight 3 ⁇ 4>. At this time, if the content of the organic solvent is less than 2% by weight, there is a problem of poor dissolution of the binder and poor dispersibility of the paste. If the content of the organic solvent exceeds 30% by weight, the dispersibility of the paste is improved. There is a problem.
- the organic solvent is a butyl carbate acetate, a butyl carbide, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether propionate, ethyl ether propionate, propylene glycol monomethyl ether acetate, terpine All or one selected from the group consisting of texanol, dimethylamino formaldehyde, methyl ethyl ketone, gamma butyrolactone and ethyl lactate can be used.
- the silver paste composition of the present invention may further include silver powder, which is not coated with a dopant, as conductive particles.
- a silver powder coated with a dopant is provided with a silver paste composition for forming an electrode of a solar cell including a silver powder, an inorganic binder, a metal oxide, a binder, and an organic solvent, which is not coated with a dopant. do.
- the silver paste composition is 5 to 90% by weight of a mixture of silver powder comprising a silver powder coated with a dopant and a silver powder not coated with a dopant, 1 to 10% by weight of an inorganic binder, and 0.1 to 10 metal oxides. Weight%, 1 to 20 weight% of binder, and organic solvent balance, wherein the silver powder mixture contains not more than 85 weight% of silver powder without a dopant in the total silver powder content, and coated silver It is preferable to include the powder in the remaining amount.
- the silver powder not coated with the dopant may use ordinary particles.
- an average particle diameter of 0.3 to 10 / im and a tap density of 2 to 6 g / cm 3 may be used. It is possible.
- the content of the entire silver powder is 5 to 90% by weight, preferably 50 to 90% by weight. Use in%.
- the content thereof may include 85 weight 3 ⁇ 4> or less of the total silver powder content (5 to 90 weight%), preferably 30 to 85 increments. May contain 3 ⁇ 4.
- the content of the coated silver powder may be included as a residual amount, except for the content of the total silver powder (the content of the uncoated silver powder in 5 to 90 weight «, preferably 5 to 50% by weight Can be.
- the contact resistance increases due to the lack of the dopant coated silver powder, and the content of the conductive particles is too high.
- the printing defect and the price of the product rises due to the viscosity increase.
- the resistance increases due to insufficient filling of the conductive particles, and as a result, there is a problem in that the conversion efficiency is lowered.
- the content of the coated silver powder is too small in the content of the entire silver powder, there is a problem in that the contact resistance is increased due to the poor function of the dopant, and thus the conversion efficiency is reduced.
- the paste is less stable, there is a fear of viscosity increase.
- each of the second embodiment The critical significance for the content range of the components is the same as in the first embodiment above.
- each component used in the second embodiment may be the same material as the first embodiment described above.
- each composition may further include, as necessary, conductive metal particles, antifoaming agents, dispersants, plasticizers, and the like as additives.
- the method for producing the silver paste composition is not particularly limited and can be carried out by a conventional method.
- the silver paste composition may be prepared by uniformly mixing the components of the first or second embodiment using a 3 roll mill or the like.
- the present invention also provides an electrode produced using the silver paste composition prepared above.
- the electrode may be formed by applying and baking the silver paste composition in a predetermined pattern on a substrate including an antireflection film.
- the electrode thus manufactured may be a front electrode of a silicon solar cell.
- the substrate may be a substrate used in manufacturing a conventional semiconductor device, for example, a silicon substrate may be preferably used.
- the present invention provides a solar cell comprising an electrode prepared using the silver paste composition.
- the solar cell may be a silicon solar cell.
- the silicon solar cell may include an emitter layer formed on the silicon semiconductor substrate, an antireflection film formed on the emitter layer, a front electrode connected to the upper surface of the emitter layer through the antireflection film, and the substrate. It may include a rear electrode connected to the back.
- the specific configuration of the solar cell is well known in the art, detailed description thereof will be omitted.
- the present invention by using a silver paste composition containing a silver powder coated using a specific silver-containing compound as a dopant as conductive particles, it is possible to prevent the diffusion of phosphorus (P) present in the solar cell n-type semiconductor as impurities With electrodes Low contact resistance between the substrates can be maintained.
- P phosphorus
- the silver paste composition of the present invention can not only effectively remove the antireflection film because the conductive particles are stably and uniformly coated on the substrate, but also improve the adhesion between the silver electrode and the silicon substrate and improve the contact resistance. have.
- each component was mixed to prepare silver paste compositions of Examples and Comparative Examples (unit: weight%).
- Silver Powder 6 Average particle size 2 5um, Silver bismuth coated silver powder
- Silver powder 1 2.5um average particle diameter, spherical shape
- Silver powder 2 Average particle size 0.5um, spherical shape
- Silver powder 3 Average particle size 2.5um, Phosphorus coated silver powder
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 은 함유 화합물이 도펀트로서 코팅된 전도성 입자를 사용하여 태양전지 전극과 기판과의 접촉저항을 개선함으로써 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 태양전지의 전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극에 관한 것이다.
Description
【명세서】
【발명의 명칭】
태양전지의 전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극 【기술분야】
본 발명은 도펀트가 코팅된 은 분말을 포함하는 태양전지의 전극형성용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극에 관한 것이다.
【배경기술】
태양전지에 포함되는 은 전극과 실리콘 기판과의 접촉저항을 높이기 위해， 종래에는 n형 반도체의 불순물로 사용되는 인산염 및 P205 (Phosphorous pentoxide)를 도입한 바 있다. 그런데 상기 인산염과 P205를 도입함에 있어서 주로 은 페이스트에 상기 물질을 직접 흔합하여 사용하거나， 또는 태양전지의 전극 형성용 조성물에 포함되는 전도성 입자 (Ag powder)에 인산 용액 및 인산염을 사용하여 인 (P)을 코팅하는 방법이 사용되고 있다. .
하지만 인산염을 페이스트에 직접 흔합하여 사용하면, 염 형태의 화합물이 전극 형성용 조성물과 반웅하여 페이스트의 점도 변화에 영향을 주게 되므로 추후 페이스트의 안정성에 문제를 야기할 수 있다. 또한 상기 P205와 같은 입자를 적용할 경우 전극과 기판 사이에 고른 확산이 일어나지 않아 접촉저항 개선에 큰 영향을 주지 못하는 단점이 있다.
또한 전극 소성시 인 (P)이 확산되면서 전도성 입자 사이에서 모두 빠져 나와 기판으로 확산이 일어나야 선저항 및 접촉저항이 낮아진다. 그런데, 상기 방법을 이용할 경우， 인이 완전히 확산되지 못하고 남은 인 (P) 입자가 전도성 입자 사이에 남아 있게 되어 저항을 증가시키는 요인으로 작용할 수 있다.
또한， 미국공개특허 제 2007-0289626호와 한국공개특허 제 2010-0080614호에서는 은 분말에 인산염을 코팅하여 사용할 수 있고， 그것을 태양전지 전극재료로 사용할 수 있다고 언급하고 있다. 이러한 경우 인산염을 전극 조성물인 전도성 입자 (Ag powder)에 코팅하여 사용함으로써 분산성이 좋고 고른 확산을 고려할 수는 있으나， 인산액 또는 인산염이 코팅된 전도성 입자는 인 (P) 이외의 다량의 불순물을 함유할 수 있고ᅳ
전도성 입자와 불안정한 결합으로 탈리 현상이 일어나 페이스트의 점도 및 물성 변화에 악영향을 줄 수 있다.
【발명의 내용】
【해결하려는 과제】
본 발명의 목적은 은염 (silver salt)과 인 (P)염이 동시에 코팅되어 있거나 인산은 (silver phosphate)과 같은 특정 은함유 화합물이 도펀트로서 코팅된 전도성 입자를 사용하여 태양전지 전극과 기판과의 접촉저항을 개선함으로써 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있는 태양전지의 전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극을.제공하는 것이다.
【과제의 해결 수단】
본 발명은 도펀트가 코팅된 은분말， 무기 결합제， 금속산화물， 바인더 및 유기용매를 포함하는 태양전지의 전극형성용 은 페이스트 조성물을 제공한다.
상기 도편트가 코팅된 은분말은 평균입경이 0. ffli 내지 10 인 은 분말 표면에 도편트를 코팅하여 형성된 것이 바람직하다. 이때, 상기 도펀트는， 실버 메타포스페이트， 실버 오르쏘포스페이트， 실버 피로포스페이트, 실버 포스파이드， 핵사플루오로인산 은， 아안티몬산 은, 핵사플루오로안티몬산 은， 비산 은， 실버-비스무쓰 합금, 크롬산 은， 시안화 은， 요오드산 은， 요오드화 은, 몰리브덴산 은 포타슘 실버 시아나이드， 루비듐 실버 아이오다이드， 브롬산 은， 브롬화 은， 아샐렌산 은， 실버 텔루라이드 및 셀렌화 은으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 은 함유 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 은 페이스트 조성물은 도편트가코팅된 은분말 5 내지 90 중량 % 무기 결합제 1 내지 10 중량 %， 금속산화물 0.1 내지 10 중량 %， 바인더 1 내지 20 중량 %， 및 유기용매 잔량을 포함할 수 있다.
또한 본 발명에서 상기 은 페이스트 조성물은 평균입경이 0.3 m 내지 10卿이고 도펀트가 코팅되지 않은 은분말을 더욱 포함할 수 있다. 이러한 경우， 상기 은 페이스트 조성물은 도편트가 코팅된 은분말 및 도펀트가
코팅되지 않은 은분말을 포함하는 은 분말의 흔합물 5 내지 90 중량 %, 무기 결합제 1 내지 10 증량 ¾>， 금속산화물 0.1 내지 10 중량 바인더 1 내지 20 중량 %， 및 유기용매 잔량을 포함하고， 상기 은 분말의 흔합물은 전체 은 분말의 함량 중 도펀트가 코팅되지 않은 은분말을 85 중량 % 이하로 포함하고， 코팅된 은 분말을 잔량으로 포함할 수 있다.
또한 본 발명은 상기 은 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 태양전지용 전극을 제공한다.
또한 본 발명은 상기 전극을 포함하는 태양전지를 제공한다. 이하에서 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다 .
본 발명은 특정 도펀트 (dopant)가 코팅된 은 분말을 전도성 입자로 사용하여 안정성이 우수하고， 균일한 코팅성을 나타내어 페이스트에서 우수한 분산성을 확보함으로써 낮은 선저항 및 접촉저항을 구현하여 전지 효율을 향상시키는 태양전지의 전극 형성용 은 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지용 전극에 관한 것이다.
특히, 기존 방법은 인산염을 페이스트 제조시 직접 첨가하거나 인산액 및 인산염으로 코팅된 전도성 입자를 사용하는 것에 비해， 본 발명의 경우 전도성 입자로 은 함유 화합물을 도펀트로 코팅한 은 분말을 사용하여 안정성이 뛰어나고, 분산성도 우수한 효과를 나타낸다. 또한 상기 도펀트로 사용하는 은 함유 화합물은 은 전극과 실리콘 기판과의 접착력을 향상 및 접촉저항을 개선 시키는데 도움을 준다.
따라서， 본 발명의 은 페이스트 조성물에 있어서， 상기 특정 도펀트가 코팅된 은 분말은 페이스트 조성물 중에 전도성 입자로서 필수 사용된다. 또한, 본 발명에 따르면 선택적으로 도펀트가 코팅되지 않은 은분말을 전도성 입자로 더욱 포함할 수 있다.
이러한 본 발명의 바람직한 제 1실시예에 따르면， 도펀트가 코팅된 은분말， 무기 결합제， 금속산화물， 바인더 및 유기용매를 포함하는 태양전지의 전극형성용 은 페이스트 조성물이 제공된다. 이러한 경우， 상기 은 페이스트 조성물은 도편트가 코팅된 은분말 5 내지 90 중량 %， 무기 결합제 1 내지 10 중량 %， 금속산화물 0.1 내지 10 중량 %， 바인더 1 내지 20
중량 %, 및 유기용매 잔량을 포함하는 것이 바람직하다 .
본 발명의 방법은 전도성 입자로서， 특정 도펀트가 코팅된 은 분말을 필수로 포함하여 기존에 비해 낮은 선저항과 접촉 저항을 나타내어 전기적 특성을 향상시킴으로써 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
이때， 상기 도펀트가 코팅된 은분말은 평균입경이 0. zm 내지 10卿인 은분말 표면에 도편트를 코팅하여 형성된 것일 수 있다.
상기 도펀트가 코팅된 은분말 (silver-dopant coating silver powder)에서 도펀트는 특정 은 함유 화합물을 사용하는데， 이것은 전도성 입자인 은 분말에 안정성 있고 균일하게 코팅되어 기판 (예를 들어 실리콘 기판) 접착력 향상 및 접촉저항을 개선시키는 역할을 한다.
이러한 도펀트가 코팅된 은 분말은 도펀트로서 은염 (silver salt)과 인 (P)염이 동시에 코팅되어 있거나 인산은 (silver phosphate)과 같은 은 함유 화합물을 포함한다. 바람직하게， 상기 도편트는 실버 메타포스페이트 (silver metaphosphate) , 실버 오르쏘포스페이트 (silver metaphosphate) , 실버 피로포스페이트 (si lver pyrophosphate) , 실버 포스파이드 (silver phosphide), 핵사플루오로인산 은 (si lver hexaf luorophosphate) , 아안티몬산 은 (si lver ant imonite) , 핵사플루오로안티몬산 은 (si lver hexaf luoroant imonate) , 비산 은 (si lver arsenate) , 실버-비스무쓰 합금 (si lver-bismuth alloy), 크롬산 은 (si lver chromate) , 시안화 은 (si lver cyanide) , 요오드산 은 (si lver iodate) , 요오드화 은 (si lver iodide), 몰리브덴산 은 (si lver molybdate) , 포타슘 실버 시아나이드 (potassium silver cyanide) , 루비듬 실버 아이오다이드 (Rubidium silver iodide), 브롬산 은 (si lver bromate), 브름화 은 (si lver bromide), 아샐렌산 은 (si lver selenite), 실버 텔루라이드 (silver telluride) 및 셀렌화 은 (silver selenide)로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 은 함유 화합물을 포함할 수 있다.
보다 바람직하게, 상기 도펀트가 코팅된 은 분말은 인산은이 코팅된 은 분말 (Si lver phosphate coated silver powder), 안티몬산은이 코팅된 은 분말 (Silver ant imonate coated silver powder) , 비산염이 코팅된 은 분말 (Si lver arsenate coated si lver powder ) , 또는 은一비스무쓰 합금이
코팅된 은분말 (Silver bismuth coated silver powder)을 사용하고， 가장 바람직하게는 인산은이 코팅된 은 분말을 사용한다.
여기서， 상기 인산은이 코팅된 은 분말을 전도성 입자로 사용하면， 태양전지 소성 시스템에서 인의 확산현상으로 인해 태양전지 n형 반도체에 불순물로 존재하는 인 (P)의 확산을 방지하고 전극과 기판 사이의 낮은 접촉저항을 유지할 수 있다. 그 뿐만 아니라， 상기 인산은이 코팅된 은 분말을 사용할 경우 인이 완전히 확산되기 때문에 전도성 입자 내에 인이 잔류하지 않아 우수한 선저항 및 접촉저항을 얻을 수 있고, 전기적 특성을 향상시킬 수 있어 태양전지 효율을 향상 시킬 수 있다. 즉， 본 발명에서 제시하는 Ag-P (인산은)가 코팅된 전도성 입자는 은의 특성 중의 하나인 응집현상 (aggregation)을 이용한 것으로 기존 인산액 및 인염으로 코팅된 전도성 입자 보다 안정성이 우수하고， 균일하게 코팅되는 장점이 있어서 페이스트에서 우수한 분산성을 확보할 수 있다. 따라서, 이렇게 코팅된 인 (P)은 전도성 입자 표면에 나노 및 옹스트통 크기로 존재하기 때문에 전극 소성 시스템에서 완전 확산이 가능하므로， 전도성 입자 내에 잔류할 가능성이 적어 낮은 선저항 및 접촉저항을 재현할 수 있다.
또한 상기 도펀트가 코팅된 은분말을 제조할 때 사용하는 은분말은 이 분야에서 통상적으로 사용되는 은 입자라면 제한없이 사용할 수 있다. 바람직하게， 상기 은 분말은 평균입경이 0.3 내지 10 이고 랩밀도는 2 내지 6 g/cm3인 것을 사용한다.
또한 상기 도펀트가 코팅된 은 분말의 제조방법은 특별히 한정되지 않으나， 통상의 침지법， 분사법， 환원법 등에 의해 제조될 수 있다. 예를 들어， 상기 도펀트가 코팅된 은 분말은 환원법에 따라 평균입경이 0.3 내지 10/m인 은 분말 표면에 도펀트를 5A 내지 500nm의 두께로 코팅하여 형성된 것이 바람직하다. 또한 상기 도펀가 코팅된 은 분말에서 도펀트는 은 분말 100 중량부에 대하여 0.1 내지 30 중량부로 포함하는 것이 바람직하다.
또한 상기 도펀트가 코팅된 은분말이 은 페이스트 조성물에 단독으로 포함될 경우， 그 함량은 전체 은 페이스트 조성물에 대하여 5 내지 90 중량 %로 사용할 수 있다. 이때， 상기 도편트가 코팅된 은분말의 함량이 5
중량 % 미만이면 전도성 입자의 함량 부족으로 금속 전극과 실리콘 기판과의 접촉저항 및 선저항이 증가하고 이로 인해 효율이 감소하는 문제가 있고， 90 중량 %를 초과하면 접촉저항은 개선되지만 금속 전극 내부에 잔류할 수 있는 인이 존재할 수 있으므로 Rs값이 증가하여 변환효율을 떨어뜨리고 점도가 너무 높아서 인쇄불량과 제품의 가격이 상승하는 문제점이 있다.
또한 본 발명의 페이스트 조성물에서 상기 무기 결합제의 함량은 1 내지 10 중량 %로 사용한다. 이때 무기 결합제의 함량이 1 중량 % 미만이면 반사방지막을 제거하는데 한계가 있어 금속 전극과 실리콘 기판과의 접착력 형성을 위한 기능발휘가 어렵게 되며， 결과적으로 변환효율이 떨어지는 문제가 있고， 10 중량 ¾>를 초과하면 실리콘 기판과의 접착력을 증가시킬 수 있으나， 웨이퍼와 페이스트인 전극재료의 접촉저항을 증가시키는 작용을 하게 되어 변환효율을 떨어뜨리는 문제가 있다.
상기 무기 결합제는 이 분야에서 통상적으로 사용되는 유리 프릿을 사용 가능하나， 바람직하게는 Si-B-Pb계， Si-Bi-Zn계 및 Si-Pb-Al-Zn 계 유리프릿으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용한다.
상기 본 발명의 은 페이스트 조성물에서 금속산화물의 함량이 0.1 중량 % 미만이면 직렬저항인 Rs의 층분한 감소가 얻어지기 어려운 문제가 있고， 10 중량 %를 초과하면 금속의 소결에 영향을 받게 되는 결과로 전극 저항과 같은 전기적 특성이 떨어지는 문제가 있다.
또한 상기 금속산화물은 아연산화물， 주석산화물， 철산화물 및 마그네슘 산화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다. 본 발명의 페이스트 조성물에서 바인더의 함량은 1 내지 20 중량 %로 사용한다. 이때 바인더의 함량이 1 중량 % 미만이면 원활한 스크린 인쇄 작업이 어렵고， 인쇄시 균일한 두께 및 형상의 재현이 어렵게. 되는 문제가 있고， 20 중량 %를 초과하면 인쇄작업시 잉크의 선폭의 퍼짐현상이 발생하여 정밀한 패턴 형성에 어려움이 있고， 소성시 휘발이 되지 않은 바인더가 남아있어 전극 저항의 손실을 가져오게 되는 문제가 있다. 상기 바인더는 상기 각 성분을 흔합하여 페이스트 상으로 제조하기 위해 사용하며 이 역시 이 분야에 잘 알려진 물질을 사용할 수 있다.
상기 바인더의 예를 들면， 메틸 셀롤로오스， 에틸 샐롤로오스，
니트로 셀롤로오스 또는 하이드록시 셀를로오스를 포함하는 셀를로오스계 유도체 ; 이소부틸메타아크릴레이트를 포함하는 아크릴계 수지 ; 알키드 수지; 폴리프로필렌계 수지; 폴리염화비닐계 수지; 폴리우레탄계 수지; 에폭시계 수지; 실리콘계 수지; 로진계 수지; 테르펜계 수지; 페놀계 수지; 지방족계 석유 수지; 아크릴산 에스테르계 수지; 크실렌계 수지; 쿠마론인덴 (Coumarone-Indene)계 수지; 스틸렌계 수지; 디시클로펜타디엔계 수지; 폴리부텐계 수지; 폴리에테르계 수지; 요소계 수지; 멜라민계 수지; 초산비닐계 수지; 및 폴리이소부틸계 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다. 바람직하게 상기 바인더는 에틸 셀를로오스 또는 아크릴계 수지를 사용한다.
상기 본 발명의 페이스트 조성물에서 유기용매의 함량은 은 페이스트 조성물에 잔량으로 포함될 수 있고, 바람직하게는 2 내지 30 중량 ¾>로 사용할 수 있다. 이때 유기용매의 함량이 2 중량 % 미만이면 바인더의 용해 불량 및 페이스트의 분산성이 좋지 못한 문제가 있고， 30 중량 %를 초과하면 페이스트의 분산성은 좋아지나 인쇄시 빠짐현상의 발생이나 선폭의 퍼짐현상에 문제가 있다.
상기 유기용매는 부틸카비를아세테이트， 부틸카비를， 프로필렌글리콜모노메틸에테르， 디프로필렌글리콜모노메틸에테르， 프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트， 에틸에테르프로피오네이트， 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 터피네올， 텍사놀， 디메틸아미노 포름알데히드， 메틸에틸케톤， 감마부티로락톤 및 에틸락테이트로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 사용할 수 있다.
한편 본 발명의 은 페이스트 조성물은 선택적으로 도편트가 코팅되지 않은 은분말을 전도성 입자로 더욱 포함할 수 있다.
이러한 본 발명의 바람직한 계 2 실시예에 따르면， 도펀트가 코팅된 은분말 도펀트가 코팅되지 않은 은분말, 무기 결합제， 금속산화물， 바인더 및 유기용매를 포함하는 태양전지의 전극형성용 은 페이스트 조성물이 제공된다. 이러한 경우， 상기 은 페이스트 조성물은 도편트가 코팅된 은분말 및 도펀트가 코팅되지 않은 은분말을 포함하는 은 분말의 흔합물 5 내지 90 중량 %， 무기 결합제 1 내지 10 중량 %, 금속산화물 0.1 내지 10
중량 %， 바인더 1 내지 20 중량 %， 및 유기용매 잔량을 포함하고, 상기 은 분말의 흔합물은 전체 은 분말의 함량 중 도펀트가 코팅되지 않은 은분말을 85 중량 % 이하로 포함하고, 코팅된 은 분말을 잔량으로 포함하는 것이 바람직하다.
또한 상기 도편트가 코팅되지 않은 은분말은 통상의 입자를 사용 가능하며， 상술한 제 1실시예와 같이， 평균입경이 0.3 내지 10/im이고 탭밀도는 2 내지 6 g/cm3인 것을 사용 가능하다.
구체적으로， 상기 제 2실시예와 같이 도펀트가 코팅된 은분말과 도펀트가 코팅되지 않은 은분말이 함께 사용될 경우에도, 전체 은 분말의 함량은 5 내지 90 중량 %로 사용하고， 바람직하게 50 내지 90 중량 %로 사용한다. 이때， 상기 도펀트가 코팅되지 않은 은분말을 더욱 포함하는 경우, 그 함량은 전체 은 분말의 함량 (5 내지 90 중량 %) 중 85 중량 ¾> 이하로 포함할 수 있고， 바람직하게는 30 내지 85 증량 %로 포함 ¾ 수 있다. 또한 상기 코팅된 은 분말의 함량은， 상기 전체 은 분말의 함량 (5 내지 90 중량 « 중 상기 코팅되지 않은 은 분말의 함량을 제외하고, 잔량으로 포함될 수 있고， 바람직하게 5 내지 50 중량 %로 포함될 수 있다.
이때 상기 도펀트가 코팅되지 않은 은분말의 함량이 전체 은 분말의 함량 중 85 중량 %를 초과하여 지나치게 많이 사용되면， 도펀트가 코팅된 은분말의 부족으로 접촉저항이 증가하고， 전도성 입자의 함량이 너무 많아서 점도 상승으로 인한 인쇄불량 및 제품의 가격이 상승하는 문제가 있다. 또한 상기 도편트가 코팅되지 않은 은분말의 함량이 전체 은 분말의 함량 중 30 중량 % 미만이면 전도성 입자의 충진 부족으로 저항이 증가하고， 결과적으로 변환효율이 떨어지는 문제가 있다. 또한 상기 코팅된 은 분말의 함량이 전체 은 분말의 함량 중 지나치게 작으면 도편트의 기능을 제대로 발휘하지 못해 접촉저항이 증가하고 이로 인해 변환효율이 감소하는 문제가 있고， 그 함량이 지나치게 높으면 도펀트가 코팅되지 않은 은분말 표면에 처리된 유기물과 호환성의 문제가 발생하여 페이스트이 안정성이 떨어지고， 점도상승의 우려가 있다.
이때, 본 발명에서 상기 도펀트가 코팅된 은분말과 도펀트가 코팅되지 않은 은분말의 사용 함량을 제외하고는， 상기 제 2실시예의 각
성분의 함량 범위에.대한 임계적 의의는 상기 제 1실시예와 동일하다. 또한， 상기 게 2실시예에서 사용된 각 성분도 상술한 게 1실시예와 동일한 물질을 사용할 수 있다.
그 밖에， 본 발명의 제 1실시예 및 제 2실시예에 있어세 각 조성물은 필요에 따라 또 다른 성분의 도전성 금속 입자， 소포제， 분산제， 가소제 등을 첨가제로 더욱 포함할 수 있다.
한편 본 발명에서 은 페이스트 조성물의 제조방법은 특별히 그 조건이 한정되지 않고 통상의 방법으로 수행할 수 있다. 예를 들면， 상기 제 1실시예 또는 제 2실시예의 성분들을 3를 밀 (3 roll mill) 등을 이용하여 균일하게 흔합하여 은 페이스트 조성물을 제조할 수 있다.
또한 본 발명은 상기에서 제조된 은 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 전극을 제공한다.
상기 전극은 반사 방지막을 포함하는 기판 위에 상기 은 페이스트 조성물을 소정의 패턴으로 도포하고 소성하여 형성할 수 있다. 이렇게 제조된 전극은 실리콘 태양전지의 전면 전극일 수 있다.
또한 상기 기판은 통상의 반도체 소자 제조시 사용되는 기판을 사용할 수 있고， 예를 들어， 실리콘 기판이 바람직하게 사용될 수 있다. 또한 본 발명은 상기 은 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 전극을 포함하는 태양전지를 제공한다. 상기 태양전지는 실리콘 태양전지일 수 있다. 예를 들어， 상기 실리콘 태양전지는 실리콘 반도체 기판의 상부에 형성되는 에미터층， 상기 에미터층 상에 형성된 반사방지막， 상기 반사방지막을 관통하여 에미터층의 상부 표면과 접속된 전면 전극， 및 상기 기판의 배면에 접속된 후면 전극을 포함할 수 있다. 다만， 상기 태양전지의 구체적인 구성은 이 분야에서 잘 알려진 구성이므로， 상세한 기재는 생략하기로 한다.
【발명의 효과】
본 발명의 경우 특정 은 함유 화합물을 도편트로 사용하여 코팅된 은 분말을， 전도성 입자로 포함하는 은 페이스트 조성물을 사용함으로써， 태양전지 n형 반도체에 불순물로 존재하는 인 (P)의 확산을 방지하고 전극과
기판 사이의 낮은 접촉저항을 유지할 수 있다. 또한 본 발명의 경우 기존에 단순히 인염을 직접 첨가하거나 인산액 및 인산염으로 코팅된 전도성 입자를 사용하는 것에 비해， 안정성이 뛰어나고， 분산성도 우수하여 전기적 특성 향상으로 태양전지 효율도 향상시킬 수 있다 . 또한 본 발명의 은 페이스트 조성물은 전도성 입자가 기판 위에 안정성이 있고 균일하게 코팅되어 있어서 반사방지막을 효율적으로 제거할 수 있을 뿐만 아니라， 은 전극과 실리콘 기판과의 접착력을 향상시키고 접촉저항을 개선시킬 수 있다.
【발명을 실시하기 위한 구체적인 내용】
이하 본 발명을 하기 실시예 및 비교예를 참조로 하여 설명한다. 그러나， 이들 예는 본 발명을 예시하기 위한 것일 뿐， 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.
<실시예 1-18및 비교예 1-5 >
하기 표 1 내지 4의 조성과 함량으로， 각 성분을 흔합하여 실시예 및 비교예의 은 페이스트 조성물을 제조하였다 (단위 : 중량 %) .
【표 11
은분말 6: 평균입경 2 5um, Silver bismuth coated silver powder
【표 2]
으보아 평균입경 2 5um, Si lver bi smuth coated si lver powder
【표 3]
~ ΪΕΓ 2 5um, Si lver bismuth coated si lver powder
【표 4】
RsdiiQ) 3.10 3.25 3.08 3.25 3.68 단결정 Cell Voc(V) 0.623 0.622 0.623 0.623 0.620 (6 inch) F.F(%) 77.20 77.15 77.34 77.33 76.58
Eff(%) 17.48 17.45 17.44 17.49 17.12 주)
은분말 1: 평균입경 2.5um, 구형
은분말 2: 평균입경 0.5um, 구형
은분말 3: 평균입경 2.5um , Phosphorus coated silver powder 상기 표 1 내지 4의 결과를 통해， 본 발명의 실시예 1 내지 18의 경우 도펀트가 코팅된 은 분말을 포함하여， 비교예 1 내지 5에 비해 안정성과 분산성이 우수하여 낮은 저항 특성을 나타내었다. 또한 본 발명의 경우 전기적 특성도 향상되어 태양전지 효율이 기존과 동등 이상의 수준을 나타내어 효과가 향상되었음을 알 수 있다.
Claims
【청구항 1】
도펀트가 코팅된 은분말, 무기 결합제， 금속산화물， 바인더 및 유기용매를 포함하는 태양전지의 전극형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 2】
제 1항에 있어서， 상기 도편트가 코팅된 은분말은 평균입경이 0.3 내지 10 1인 은 분말 표면에 도펀트를 코팅하여 형성된 것인 태양전지의 전극형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 3]
제 1항에 있어서， 상기 도펀트는，
실버 메타포스페이트， 실버 오르쏘포스페이트， 실버 피로포스페이트， 실버 포스파이드， 핵사플루오로인산 은， 아안티몬산 은， 핵사플루오로안티몬산 은, 비산 은， 실버-비스무쓰 합금, 크롬산 은， 시안화 은， 요오드산 은， 요오드화 은， 몰리브덴산 은， 포타슴 실버 시아나이드, 루비듐 실버 아이오다이드， 브롬산 은, 브롬화 은, 아샐렌산 은， 실버 텔루라이드 및 샐렌화 은으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 은 함유 화합물을 포함하는 태양전지의 전극형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 4]
계 1항에 있어서， 상기 은 페이스트 조성물은
도펀트가 코팅된 은분말 5내지 90중량 %，
무기 결합제 1 내지 10중량 ¾),
금속산화물 0.1 내지 10중량 %，
바인더 1 내지 20중량 %， 및
유기용매 잔량
을 포함하는 태양전지의 전극형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 5】
제 1항에 있어서, 상기 은 페이스트 조성물은 평균입경이 0.3/im 내지 10 이고 도펀트가 코팅되지 않은 은분말을 더욱 포함하는 은 페이스트 조성물.
【청구항 6】
제 5항에 있어서， 상기 은 페이스트 조성물은
도펀트가 코팅된 은분말 및 도펀트가 코팅되지 않은 은분말을 포함하는 은 분말의 흔합물 5 내지 90 중량 %，
무기 결합제 1 내지 10 중량 %,
금속산화물 0.1 내지 10 중량 ¾)，
바인더 1 내지 20 중량 %， 및
유기용매 잔량을 포함하고，
상기 은 분말의 흔합물은 전체 은 분말의 함량 중 도펀트가 코팅되지 않은 은분말을 85 중량 % 이하로 포함하고， 코팅된 은 분말을 잔량으로 포함하는， 은 페이스트 조성물.
【청구항 7]
제 1항에 있어서， 상기 무기 결합제는 Si-B-Pl^L Si-Bi-Zn계 및 Si-Pb-Al-Zn 계 유리프릿으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 태양전지의 전극형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 8】
제 1항에 있어서， 상기 바인더는 셀를로오스계 유도체; 아크릴계 수지; 알키드 수지; 폴리프로필렌계 수지; 폴리염화비닐계 수지; 폴리우레탄계 수지; 에폭시계 수지; 실리콘계 수지; 로진계 수지; 테르펜계 수지; 페놀계 수지; 지방족계 석유 수지; 아크릴산 에스테르계 수지; 크실렌계 수지; 쿠마론인덴 (Coumarone-Indene)계 수지; 스틸렌계 수지; 디시클로펜타디엔계 수지; 폴리부텐계 수지; 폴리에테르계 수지; 요소계 수지; 멜라민계 수지; 초산비닐계 수지; 및 폴리이소부틸계 수지로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 태양전지의 전극형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 9】
계 1항에 있어서， 상기 유기용매는 부틸카비를아세테이트， 부틸카비를， 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르， 프로필렌글리콜모노메틸에테르프로피오네이트, 에틸에테르프로피오네이트， 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트， 터피네올， 텍사놀， 디메틸아미노 포름알데히드， 메틸에틸케톤， 감마부티로락톤 및 에틸락테이트로 이루어진
군에서 선택된 1종 이상인 태양전지의 전극형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 10]
제 1항에 있어서， 상기 금속산화물은 아연산화물， 주석산화물， 철산화물 및 마그네슘 산화물로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 태양전지의 전극형성용 은 페이스트 조성물.
【청구항 11】
제 1항 내지 제 10항 중 어느 한 항에 따른 은 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 태양전지용 전극.
【청구항 12]
제 11항에 따른 전극을 포함하는 태양전지 .
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020100139390A KR20120077439A (ko) | 2010-12-30 | 2010-12-30 | 태양전지의 전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극 |
| KR10-2010-0139390 | 2010-12-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| WO2012091331A2 true WO2012091331A2 (ko) | 2012-07-05 |
| WO2012091331A3 WO2012091331A3 (ko) | 2012-09-07 |
Family
ID=46383631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PCT/KR2011/009672 WO2012091331A2 (ko) | 2010-12-30 | 2011-12-15 | 태양전지의 전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20120077439A (ko) |
| TW (1) | TW201229146A (ko) |
| WO (1) | WO2012091331A2 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112786235A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-05-11 | 上海银浆科技有限公司 | 一种细绒面硅片用正面银浆专用有机载体 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201423767A (zh) * | 2012-12-04 | 2014-06-16 | Taiwan Mao Cheng Electronic Material Co Ltd | 免電鍍銀膏 |
| EP2787510B1 (en) * | 2013-04-02 | 2018-05-30 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Particles comprising Al, Si and Mg in electro-conductive pastes and solar cell preparation |
| KR101396444B1 (ko) * | 2013-05-06 | 2014-05-22 | 한화케미칼 주식회사 | 태양전지의 전극의 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 |
| CN104167237A (zh) * | 2013-05-20 | 2014-11-26 | 比亚迪股份有限公司 | 一种太阳能电池背电极用导电浆料及其制备方法和太阳能电池片 |
| EP2853567A1 (en) * | 2013-09-27 | 2015-04-01 | Heraeus Precious Metals GmbH & Co. KG | Solar cells produced from high ohmic wafers and paste comprising Ag metal-oxide additive |
| US10636540B2 (en) | 2015-03-27 | 2020-04-28 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive pastes comprising an oxide additive |
| US10056508B2 (en) | 2015-03-27 | 2018-08-21 | Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG | Electro-conductive pastes comprising a metal compound |
| KR20170064570A (ko) * | 2015-10-31 | 2017-06-12 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지용 전극 페이스트 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 |
| KR101733161B1 (ko) * | 2015-10-31 | 2017-05-08 | 엘에스니꼬동제련 주식회사 | 태양전지용 전극 페이스트 조성물 및 이를 사용하여 제조된 태양전지 |
| KR101859017B1 (ko) | 2015-12-02 | 2018-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 형성 방법, 이로부터 제조된 전극 및 태양 전지 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080099406A (ko) * | 2007-05-09 | 2008-11-13 | 주식회사 동진쎄미켐 | 태양전지 전극 형성용 페이스트 |
| KR20100080614A (ko) * | 2007-10-18 | 2010-07-09 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 반도체 소자의 제조에 사용하기 위한 전도성 조성물 및 공정： Ｍｇ-함유 첨가제 |
-
2010
- 2010-12-30 KR KR1020100139390A patent/KR20120077439A/ko not_active Application Discontinuation
-
2011
- 2011-12-15 WO PCT/KR2011/009672 patent/WO2012091331A2/ko active Application Filing
- 2011-12-21 TW TW100147728A patent/TW201229146A/zh unknown
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20080099406A (ko) * | 2007-05-09 | 2008-11-13 | 주식회사 동진쎄미켐 | 태양전지 전극 형성용 페이스트 |
| KR20100080614A (ko) * | 2007-10-18 | 2010-07-09 | 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 | 반도체 소자의 제조에 사용하기 위한 전도성 조성물 및 공정： Ｍｇ-함유 첨가제 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| PORTER, L. M. ET AL.: 'Phosphorus-doped, silver-based pastes for self-doping ohmic contacts for crystalline silicon solar cells' SOLAR ENERGY MATERIALS & SOLAR CELLS vol. 73, 2002, pages 209 - 219 * |
| ROHATGI, A. ET AL.: 'Self-Aligned Self-Doping Selective Emitter for Screen-Printed Silicon Solar Cells' 17TH EUROPEAN PHOTOVOLTAIC SOLAR ENERGY CONFERENCE AND EXHIBITION 22 October 2001, MUNICH, GERMANY, * |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112786235A (zh) * | 2021-01-06 | 2021-05-11 | 上海银浆科技有限公司 | 一种细绒面硅片用正面银浆专用有机载体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120077439A (ko) | 2012-07-10 |
| TW201229146A (en) | 2012-07-16 |
| WO2012091331A3 (ko) | 2012-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2012091331A2 (ko) | 태양전지의 전극 형성용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 전극 | |
| JP5817827B2 (ja) | 導電性ペースト | |
| CN105051830B (zh) | 形成太阳电池电极用的组成物及以所述组成物制备的电极 | |
| TWI576863B (zh) | 一種含無鉛玻璃熔塊之導電漿（一） | |
| CN104376894B (zh) | 太阳能电池导电正面银浆 | |
| TWI638367B (zh) | 含有氧化銻之厚膜組成物及其於製造半導體裝置的用途 | |
| JP6042931B2 (ja) | 鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト | |
| KR101434167B1 (ko) | 태양전지 전극용 은 페이스트 조성물 | |
| JP5934411B1 (ja) | 鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト | |
| EP3032547B2 (en) | A conductive paste containing lead-free glass frit | |
| EP3032546B1 (en) | A conductive paste containing lead-free glass frit | |
| CN102637467A (zh) | 用于硅晶太阳能电池正面电极的导电浆料 | |
| KR101765185B1 (ko) | 실버 코팅 글래스 프릿의 제조방법 및 이를 이용한 솔라셀용 실버 페이스트 조성물 | |
| CN109036622B (zh) | 导电浆组成物及使用导电浆组成物的太阳能电池 | |
| KR20150089939A (ko) | 유리 조성물 및 이를 이용한 태양전지용 전극 조성물 | |
| TWI570747B (zh) | 用於形成太陽電池電極的組成物及使用其製備的電極 | |
| KR101857779B1 (ko) | 실버 코팅 글래스 프릿, 그 제조방법 및 실버 코팅 글래스 프릿을 이용한 솔라셀용 실버 페이스트 조성물 | |
| TW201818558A (zh) | 膏狀組成物 | |
| JP2016110973A (ja) | 鉛フリーのガラスフリットを含む導電ペースト | |
| CN102714237B (zh) | 结晶太阳能电池后面电极制造用组合物 | |
| JPWO2015076157A1 (ja) | 導電性組成物の製造方法 | |
| WO2018221578A1 (ja) | 太陽電池用ペースト組成物 | |
| CN113362983A (zh) | 导电浆料、太阳能电池电极及其制作方法、太阳能电池 | |
| TWI778141B (zh) | 太陽電池電極形成用導電性糊膏 | |
| KR101002694B1 (ko) | 태양전지 전극용 페이스트 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11853405 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A2 |
|
| NENP | Non-entry into the national phase in: |
Ref country code: DE |
|
| 122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 11853405 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A2 |