WO2012080989A3 - Dispositif de photodetection - Google Patents

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Christophe Largeron
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Abstract

La présente invention concerne un photodétecteur pour une radiation lumineuse infrarouge d'une longueur d'onde donnée (λ) comprenant un empilement de couches avec : - une couche (11 ) d'un matériau semi-conducteur partiellement absorbant, - une couche (12) d'espacement en un matériau transparent à ladite longueur d'onde, et - un miroir métallique structuré (13), la distance (g) entre le sommet dudit miroir et ladite couche d'espacement étant inférieure à λ et ledit miroir présentant un réseau de trous définissant un réseau de reliefs métalliques avec un pas P compris entre 0,5 λ/nSC et 1,5 λ/nSC, où nSC est la partie réelle de l'indice de réfraction du matériau semi-conducteur, une largeur L de relief comprise entre 9P/10 et P/2 et une profondeur h de trou comprise entre λ/100 et λ/15.
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