WO2011000659A1 - Radiation‑emitting semiconductor component - Google Patents

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WO2011000659A1
WO2011000659A1 PCT/EP2010/057728 EP2010057728W WO2011000659A1 WO 2011000659 A1 WO2011000659 A1 WO 2011000659A1 EP 2010057728 W EP2010057728 W EP 2010057728W WO 2011000659 A1 WO2011000659 A1 WO 2011000659A1
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WO
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radiation
layer
thickness
edge filter
semiconductor body
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PCT/EP2010/057728
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Stefan GRÖTSCH
Matthias Sabathil
Simon Kocur
Franz Eberhard
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
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    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector

Definitions

  • a radiation-emitting semiconductor component is specified. In the radiation-emitting
  • Semiconductor component is, for example, a light emitting diode.
  • the semiconductor device comprises a first semiconductor body.
  • the first semiconductor body is provided, in operation a first
  • Wavelength range to emit That is, in operation, for example, in an active zone of the first
  • Semiconductor body emits electromagnetic radiation in a first wavelength range, which is the first
  • Wavelength range is, for example, the wavelength range of red light.
  • electromagnetic radiation is then red light.
  • the semiconductor device comprises a second semiconductor body.
  • the second semiconductor body is provided, in operation, a second electromagnetic radiation in a second
  • Wavelength range is, for example, the wavelength range of green light, the second electromagnetic radiation is then green light.
  • the semiconductor device comprises a third semiconductor body.
  • the third semiconductor body is provided, in operation, a third electromagnetic radiation in a third
  • Wavelength range is, for example, the wavelength range of blue light, the third
  • electromagnetic radiation is then blue light.
  • the semiconductor device comprises a first optical edge filter.
  • the first optical edge filter is preferably arranged between the first semiconductor body and the second semiconductor body.
  • the first edge filter is such
  • Edge filter preferably has two sharply separated spectral ranges. In the first spectral range the edge filter is permeable, in the second spectral range the edge filter is impermeable.
  • the first edge filter is preferably a long-pass filter in which long-wave spectral components are transmitted and short-wave spectral components are suppressed. According to at least one embodiment of the
  • the radiation-emitting semiconductor device comprises a mirror which is arranged on the side remote from the second semiconductor body side of the first semiconductor body.
  • the mirror may, for example, contain or consist of one or more dielectric materials and / or metallic materials. According to at least one embodiment of the
  • Radiation-emitting semiconductor device are first, second and third semiconductor body stacked one above the other.
  • a connecting material may be located between two different semiconductor bodies, which interconnects the two semiconductor bodies mechanically.
  • Components of the radiation-emitting semiconductor component can be, for example, as follows: On an upper side of the
  • Mirror is arranged the first semiconductor body, on a side facing away from the mirror of the first semiconductor body, the first edge filter is disposed on one of the first
  • the second semiconductor body is disposed and on a side facing away from the edge filter side of the second semiconductor body, the third semiconductor body is arranged.
  • First, second and third semiconductor bodies can be arranged directly above one another without being in the lateral direction
  • the lateral direction is that direction which runs transversely to the stacking direction of the stack of first, second and third semiconductor bodies.
  • the first, second and third electromagnetic radiation can mix to white light. That is, first, second and third electromagnetic radiation are selected such that, with simultaneous operation of the first, second and third
  • Semiconductor body is a resulting mixed light white light. According to at least one embodiment of the
  • Radiation-emitting semiconductor device is the first edge filter for the first electromagnetic radiation predominantly transparent. Usually permeable means that at least 50%, preferably at least 75%, more preferably at least 90% of the first electromagnetic
  • Radiation that hits the edge filter is transmitted by the edge filter.
  • Radiation that hits the edge filter is transmitted by the edge filter.
  • For the second and / or the third electromagnetic radiation of the first edge filter is then preferably formed predominantly reflective.
  • predominantly reflective means that at least 50%, preferably at least 75%, particularly preferably at least 90% of the impinging second and / or third
  • Radiation-emitting semiconductor device is the mirror for the first electromagnetic radiation predominantly reflective. That is, preferably at least 50%, more preferably at least 75%, for example, at least 90% of the incident first electromagnetic radiation is reflected by the mirror. According to at least one embodiment of the
  • Radiation-emitting semiconductor device the radiation-emitting semiconductor device comprises a first
  • Wavelength range emitted Furthermore, this includes
  • a first edge filter which is arranged between the first semiconductor body and the second semiconductor body and a mirror, which is at the second
  • Semiconductor body is arranged.
  • the first, second and third semiconductor bodies are arranged stacked on top of one another, the second semiconductor body is arranged between the first and the third semiconductor body, the first, second and third electromagnetic radiation mix to white light, the first edge filter is for the first
  • Electromagnetic radiation predominantly permeable and predominantly reflective for the second and / or third electromagnetic radiation and the mirror is predominantly reflective for the first electromagnetic radiation.
  • first, second and third semiconductor bodies can be manufactured separately from one another.
  • the semiconductor bodies are then mechanically connected to one another, for example, by means of a connecting means.
  • the first electromagnetic radiation for example, the peak wavelength of the first Wavelength range is, is greater than the second electromagnetic radiation, which is the peak wavelength of the second wavelength range.
  • electromagnetic radiation is greater than the third electromagnetic radiation, which the
  • the third semiconductor body is predominantly transparent to the first and the second electromagnetic radiation.
  • the second semiconductor body is predominantly transparent to the first electromagnetic radiation.
  • Usually permeable means that at least 50%, preferably at least 75%, more preferably at least 90% of the impinging
  • the radiation-emitting semiconductor component is based inter alia on the following finding. ##
  • a radiation-transmissive, green-emitting for example, a radiation-transmissive, green-emitting and a radiation-transmissive, blue-emitting
  • Applied semiconductor body for example, the green light emitted from the second semiconductor body to the first semiconductor body and the blue light emitted from the third semiconductor body in the direction of the first and second semiconductor body largely from the first semiconductor body
  • Radiation-emitting semiconductor device is the first edge filter free of a semiconductor material. That is, the first edge filter is not one
  • Compound semiconductor material formed and / or the first edge filter has no semiconducting properties.
  • Radiation-emitting semiconductor device is a second edge filter between the second and the third
  • the second semiconductor body is for the first and the second electromagnetic
  • electromagnetic radiation predominantly reflective That is, for example, the blue light of the third
  • the semiconductor body Due to the second edge filter, the semiconductor body can hardly or not at all enter the second semiconductor body and is therefore not absorbed in it, but is available for the application.
  • the second edge filter is free of a semiconductor material. That is, the second edge filter is not one
  • Compound semiconductor material formed and / or the second edge filter has no semiconducting properties. According to at least one embodiment of the
  • the first and / or the second edge filter comprises at least two first layers of a first material and at least two second layers of a second material, wherein the first and the second material have different optical refractive indices and alternating first and second layers
  • first and second layers in the first and / or second edge filters are stacked one above the other. That is, the sequence of first and second layers in the first and / or second edge filters is, for example, as follows: first layer, second layer, first layer, second layer. In this way, the edge filter is formed as a multi-layer edge filter, the first and second layers with different
  • the first and second layers for example, by different optical and physical thicknesses differ from each other.
  • two first layers may also have different optical or physical thicknesses.
  • the edge filter may comprise a plurality of first layers and a plurality of second layers, each layer being one of another layer of the second
  • Edge filter may have different optical or physical thickness.
  • the first and / or second edge filter comprises at least ten first and at least ten second layers. Such a relatively large number of first and second layers for the first
  • edge filter has to be special proven advantageous for the tuning of the edge filter to the first, second and third wavelengths.
  • the first layers have an optical refractive index between 1.4 and 1.5 and the second layers an optical
  • Edge filter with a silica such as
  • Silicon dioxide formed and the second layers of the first and / or second edge filter are formed with a titanium oxide such as titanium dioxide. According to at least one embodiment of the
  • the first layers of the first and / or the second edge filter have physical thicknesses between at least 40 nm and at most 400 nm and the second layers have physical thicknesses between at least 10 nm and at most 65 nm.
  • a selection of the physical thicknesses for the first and the second layers of first and / or second edge filter from the specified ranges has in turn proven to be particularly advantageous for a particularly accurate adaptation of the first and / or second edge filter to the first, second and third wavelengths ,
  • Radiation-emitting semiconductor device is the first and / or the second edge filter on a
  • radiation-transmissive carrier may be, for example, a glass sheet, on which the first and second Layers of the edge filter are deposited.
  • First and / or second edge filter with associated radiation-transmissive support can then, for example by means of a
  • Radiation-emitting semiconductor device can be connected.
  • Radiation-emitting semiconductor device are the first and / or the second edge filter in direct contact with at least one of the semiconductor body.
  • the edge filter may be epitaxially deposited on the semiconductor body. In this case, that can
  • Radiation-emitting semiconductor device to be free of a radiation-transparent support for the edge filter.
  • the edge filter may, for example, be epitaxially deposited on one of the semiconductor bodies. It is also possible that two different edge filters are epitaxially deposited on two of the semiconductor body. Although the omission of a radiation-transmissive carrier can complicate the production of the edge filter, this results in a particularly compact design for the radiation-emitting semiconductor component.
  • FIGS. 1 to 4 show various exemplary embodiments of a radiation emitter described here
  • FIG. 1A shows a schematic sectional view of a radiation emitter described here
  • the radiation-emitting semiconductor component comprises a first semiconductor body 10, a second semiconductor body 20 and a third semiconductor body 30.
  • the first semiconductor body 10 comprises a first semiconductor body 10, a second semiconductor body 20 and a third semiconductor body 30.
  • Semiconductor body 10 is, for example, a red light-emitting thin-film semiconductor chip which is applied to a carrier 60. Between the carrier 60 and the first semiconductor body 10, a mirror 50 is arranged.
  • the mirror 50 is, for example, a dielectric mirror comprising layers of silicon dioxide and silver.
  • the first semiconductor body 10 emits during operation first electromagnetic radiation 11 from the
  • the second semiconductor body 20 is epitaxial
  • Semiconductor body 20 is free of a carrier or a growth substrate and includes only epitaxial
  • the second semiconductor body 20 generates second electromagnetic radiation 21, for example from the spectral range of green light.
  • the third semiconductor body 30 is likewise a substrateless semiconductor chip, which is free of a carrier or a
  • Growth substrate is and includes only epitaxially deposited layers. In operation, the third generates
  • Semiconductor body 30 third electromagnetic radiation 31 from the spectral range of blue light.
  • the second semiconductor body 20 is for the first
  • Semiconductor body 30 is for the first electromagnetic
  • the first edge filter 41 comprises a
  • radiation-transparent support 45 which is formed for example of glass.
  • first layers 43 and second layers 44 are applied, which are each in their refractive index
  • the first edge filter 41 is transmissive to the first electromagnetic radiation 11 and reflective to the second electromagnetic radiation 21 and the third electromagnetic radiation 31, respectively
  • FIG. 1B shows an idealized transfer characteristic of the first edge filter 41.
  • the transmittivity increases abruptly from about 580 nm wavelength and changes from 0% to 100%. That is, the edge filter 41 is permeable to long-wavelength light, for short-wavelength light, however, impermeable and reflective.
  • the first edge filter 41 is a separate element which is applied to its own radiation-transmissive support 45.
  • FIG. 2A shows with reference to FIG
  • FIG. 2B again shows an idealized transfer characteristic of the first edge filter 41.
  • Semiconductor body 20 is deposited.
  • Figure 3C shows the idealized transfer characteristic of the first edge filter 41, which transmits red light and reflects green light.
  • the second edge filter 42 is directly on the second semiconductor body 20 facing outer surface of the third Semiconductor body 30 deposited.
  • the second edge filter 42 is transparent to green and red light and reflective to blue light, see also the
  • both edge filters are deposited directly on opposite surfaces of the second semiconductor body 20.
  • the direct deposition of the edge filter on at least one of the semiconductor bodies can make the manufacture of the edge filter more complicated, but allows a particularly compact construction of the radiation-emitting
  • an edge filter 41 is arranged between the first semiconductor body 10 and the second semiconductor body 20.
  • the semiconductor bodies 10, 20, 30 are each mechanically connected to one another by a connection means 80.
  • the connecting means 80 may be, for example, a silicone and / or an epoxy resin.
  • Each of the semiconductor bodies has a roughened surface, are formed by the coupling-out structures 12, 22, 32, the probability of total reflection at the Reduce the outer surface of the respective semiconductor body.
  • Respective contact layers 71, 72, 73 are arranged between the semiconductor bodies, which allow an independent electrical contacting of the semiconductor bodies. That is, each semiconductor body 10, 20, 30 can be independent of the other
  • Semiconductor body can be operated.
  • Semiconductor bodies can thus produce red, green and blue light. In a simultaneous operation of all semiconductor body white mixed light is generated.
  • First contact layer 71, second contact layer 72 and third contact layer 73 are formed, for example, with a transparent material such as a transparent conductive oxide (TCO) material.
  • TCO transparent conductive oxide
  • Contact layers may include, for example, ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide).
  • FIG. 4B shows the extraction probability E relative to that of the respective individual semiconductor body, which is not arranged in a stack.
  • the measuring points at A relate to an air gap between the first
  • the measurement points at B are for a
  • Radiation-emitting semiconductor device as shown in Figure 4A calculated. That is, between the first semiconductor body 10 and the second semiconductor body 20 is the first edge filter 41, the semiconductor body are each mechanically by means of a connecting means 80
  • the connection means 80 is an epoxy resin.
  • the measurement points at C show the situation without a first edge filter 41.
  • the curve a shows the extraction for blue light, the curve b for green light and the curve c for red light.
  • the curve d shows the
  • First, second and third contact layers are each formed from a 100 nm thick layer of IZO.
  • Edge filter 41 is particularly advantageous.
  • Figure 4C shows the average extraction relative to a single chip for four different situations.
  • Bars at a indicate the mean extraction for situations A, B, C above
  • the first, second and third contact layers each consist of IZO with a thickness of 250 nm, wherein the third
  • Contact layer 73 is applied to a lens which consists of silicone.
  • the bars at b show the mean extraction for the same radiation-emitting semiconductor device without
  • the bars at c show the mean extraction for first, second and third contact layers of IZO with a thickness of 100 nm each and a silicone lens.
  • the bars at d show the situation for the radiation emitter
  • the curve a shows the transmittance for an angle of incidence of 0 °
  • the curve b for a
  • First and second layers of the edge filter are applied to a transparent support 45, for example made of sapphire, thin glass, diamond or another
  • the radiation-permeable material may consist.
  • the first layers are formed of a silicon dioxide, the second layers of a titanium dioxide. That is, the first and second layers are free of one
  • edge filter 41 which is particularly well suited for the reflection of green and blue light.
  • Such an edge filter can be used, for example, in the manner described in conjunction with FIGS. 1A and 4A
  • Embodiments find use.
  • the physical thickness values given in the table are preferred, but may be 10% greater or less than the value given in each case.
  • the layers are preferably arranged directly above one another.
  • the invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses every new feature as well as every combination of features, which in particular includes any combination of features in the patent claims, even if this feature or combination itself is not explicitly described in the claims

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Abstract

A radiation‑emitting semiconductor component is specified comprising: a first, a second and a third semiconductor body (10, 20, 30), which emit, during operation, first, second and third electromagnetic radiation (11, 21, 31) in a first, second and third wavelength range; a first cut‑off filter (41), which is arranged between the first semiconductor body (10) and the second semiconductor body (20); and a mirror (50), which is arranged at that side of the first semiconductor body (10) which faces away from the second semiconductor body (20).

Description

Beschreibung description
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement Radiation-emitting semiconductor component
Es wird ein Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement angegeben. Bei dem Strahlungsemittierenden A radiation-emitting semiconductor component is specified. In the radiation-emitting
Halbleiterbauelement handelt es sich beispielsweise um eine Leuchtdiode .  Semiconductor component is, for example, a light emitting diode.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement einen ersten Halbleiterkörper. Der erste Halbleiterkörper ist vorgesehen, im Betrieb eine erste  Radiation-emitting semiconductor device, the semiconductor device comprises a first semiconductor body. The first semiconductor body is provided, in operation a first
elektromagnetische Strahlung in einem ersten electromagnetic radiation in a first
Wellenlängenbereich zu emittieren. Das heißt, im Betrieb wird beispielsweise in einer aktiven Zone des ersten  Wavelength range to emit. That is, in operation, for example, in an active zone of the first
Halbleiterkörpers elektromagnetische Strahlung in einem ersten Wellenlängenbereich emittiert, welcher die erste  Semiconductor body emits electromagnetic radiation in a first wavelength range, which is the first
elektromagnetische Strahlung umfasst. Bei dem ersten includes electromagnetic radiation. At the first
Wellenlängenbereich handelt es sich beispielsweise um den Wellenlängenbereich von rotem Licht. Bei der ersten  Wavelength range is, for example, the wavelength range of red light. In the first
elektromagnetischen Strahlung handelt es sich dann um rotes Licht. electromagnetic radiation is then red light.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement einen zweiten Halbleiterkörper. Der zweite Halbleiterkörper ist vorgesehen, im Betrieb eine zweite elektromagnetische Strahlung in einem zweiten  Radiation-emitting semiconductor device, the semiconductor device comprises a second semiconductor body. The second semiconductor body is provided, in operation, a second electromagnetic radiation in a second
Wellenlängenbereich zu emittieren. Bei dem zweiten  Wavelength range to emit. At the second
Wellenlängenbereich handelt es sich beispielsweise um den Wellenlängenbereich von grünem Licht, die zweite elektromagnetische Strahlung ist dann grünes Licht. Wavelength range is, for example, the wavelength range of green light, the second electromagnetic radiation is then green light.
Beispielsweise wird in einer aktiven Zone des zweiten For example, in an active zone of the second
Halbleiterkörpers im Betrieb des Halbleiterkörpers die Semiconductor body in the operation of the semiconductor body the
elektromagnetische Strahlung im zweiten Wellenlängenbereich emittiert. emits electromagnetic radiation in the second wavelength range.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement einen dritten Halbleiterkörper. Der dritte Halbleiterkörper ist vorgesehen, im Betrieb eine dritte elektromagnetische Strahlung in einem dritten  Radiation-emitting semiconductor device, the semiconductor device comprises a third semiconductor body. The third semiconductor body is provided, in operation, a third electromagnetic radiation in a third
Wellenlängenbereich zu emittieren. Bei dem dritten Wavelength range to emit. At the third
Wellenlängenbereich handelt es sich beispielsweise um den Wellenlängenbereich von blauem Licht, die dritte Wavelength range is, for example, the wavelength range of blue light, the third
elektromagnetische Strahlung ist dann blaues Licht. electromagnetic radiation is then blue light.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Halbleiterbauelement einen ersten optischen Kantenfilter. Der erste optische Kantenfilter ist vorzugsweise zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet. Der erste Kantenfilter ist dabei derart  Radiation-emitting semiconductor device, the semiconductor device comprises a first optical edge filter. The first optical edge filter is preferably arranged between the first semiconductor body and the second semiconductor body. The first edge filter is such
angeordnet, dass im Betrieb vom ersten Halbleiterkörper und vom zweiten Halbleiterkörper erzeugte elektromagnetische arranged that in operation generated by the first semiconductor body and the second semiconductor body electromagnetic
Strahlung auf den ersten Kantenfilter treffen kann. Der Radiation can hit the first edge filter. Of the
Kantenfilter besitzt bevorzugt zwei scharf voneinander getrennte Spektralbereiche. Im ersten Spektralbereich ist der Kantenfilter durchlässig, im zweiten Spektralbereich ist der Kantenfilter undurchlässig. Bei dem ersten Kantenfilter handelt es sich vorzugsweise um einen Langpassfilter, bei dem langwellige Spektralanteile durchgelassen und kurzwellige Spektralanteile unterdrückt werden. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Edge filter preferably has two sharply separated spectral ranges. In the first spectral range the edge filter is permeable, in the second spectral range the edge filter is impermeable. The first edge filter is preferably a long-pass filter in which long-wave spectral components are transmitted and short-wave spectral components are suppressed. According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement einen Spiegel, der an der dem zweiten Halbleiterkörper abgewandten Seite des ersten Halbleiterkörpers angeordnet ist. Der Spiegel kann beispielsweise ein oder mehrere dielektrische Materialien und/oder metallische Materialien enthalten oder aus diesen Materialien bestehen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des  Radiation-emitting semiconductor device, the radiation-emitting semiconductor device comprises a mirror which is arranged on the side remote from the second semiconductor body side of the first semiconductor body. The mirror may, for example, contain or consist of one or more dielectric materials and / or metallic materials. According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements sind erster, zweiter und dritter Halbleiterkörper übereinander gestapelt angeordnet. Zwischen zwei unterschiedlichen Halbleiterkörpern kann sich beispielsweise jeweils ein Verbindungsmaterial befinden, das die beiden Halbleiterkörper mechanisch fest miteinander verbindet. Vorzugsweise ist der zweite  Radiation-emitting semiconductor device are first, second and third semiconductor body stacked one above the other. For example, a connecting material may be located between two different semiconductor bodies, which interconnects the two semiconductor bodies mechanically. Preferably, the second one
Halbleiterkörper dabei zwischen dem ersten und dem dritten Halbleiterkörper angeordnet. Das heißt, die Abfolge von Semiconductor body arranged between the first and the third semiconductor body. That is, the sequence of
Komponenten des Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements kann beispielsweise wie folgt sein: An einer Oberseite desComponents of the radiation-emitting semiconductor component can be, for example, as follows: On an upper side of the
Spiegels ist der erste Halbleiterkörper angeordnet, an einer dem Spiegel abgewandten Seite des ersten Halbeiterkörpers ist der erste Kantenfilter angeordnet, an einer dem ersten Mirror is arranged the first semiconductor body, on a side facing away from the mirror of the first semiconductor body, the first edge filter is disposed on one of the first
Halbleiterkörper abgewandten Seite des ersten Kantenfilters ist der zweite Halbleiterkörper angeordnet und an einer dem Kantenfilter abgewandten Seite des zweiten Halbleiterkörpers ist der dritte Halbleiterkörper angeordnet. Erster, zweiter und dritter Halbleiterkörper können dabei direkt übereinander angeordnet sein, ohne dass sie in lateraler Richtung Semiconductor body side facing away from the first edge filter, the second semiconductor body is disposed and on a side facing away from the edge filter side of the second semiconductor body, the third semiconductor body is arranged. First, second and third semiconductor bodies can be arranged directly above one another without being in the lateral direction
zueinander versetzt sind. Die laterale Richtung ist dabei diejenige Richtung, die quer zur Stapelrichtung des Stapels aus erstem, zweitem und dritten Halbleiterkörper verläuft. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des offset from each other. The lateral direction is that direction which runs transversely to the stacking direction of the stack of first, second and third semiconductor bodies. According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements kann sich die erste, zweite und dritte elektromagnetische Strahlung zu weißem Licht mischen. Das heißt, erste, zweite und dritte elektromagnetische Strahlung sind derart gewählt, dass bei gleichzeitigem Betrieb von erstem, zweitem und drittem  Radiation-emitting semiconductor device, the first, second and third electromagnetic radiation can mix to white light. That is, first, second and third electromagnetic radiation are selected such that, with simultaneous operation of the first, second and third
Halbleiterkörper ein resultierendes Mischlicht weißes Licht ist. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Semiconductor body is a resulting mixed light white light. According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der erste Kantenfilter für die erste elektromagnetische Strahlung überwiegend durchlässig. Überwiegend durchlässig heißt dabei, dass wenigstens 50 %, vorzugsweise wenigstens 75 %, besonders bevorzugt wenigstens 90 % der ersten elektromagnetischen Radiation-emitting semiconductor device is the first edge filter for the first electromagnetic radiation predominantly transparent. Mostly permeable means that at least 50%, preferably at least 75%, more preferably at least 90% of the first electromagnetic
Strahlung, die auf den Kantenfilter trifft, vom Kantenfilter transmittiert wird. Für die zweite und/oder die dritte elektromagnetische Strahlung ist der erste Kantenfilter dann vorzugsweise überwiegend reflektierend ausgebildet. Radiation that hits the edge filter is transmitted by the edge filter. For the second and / or the third electromagnetic radiation of the first edge filter is then preferably formed predominantly reflective.
Überwiegend reflektierend heißt dabei, dass wenigstens 50 %, vorzugsweise wenigstens 75 %, besonders bevorzugt wenigstens 90 % der auftreffenden zweiten und/oder dritten In this case, predominantly reflective means that at least 50%, preferably at least 75%, particularly preferably at least 90% of the impinging second and / or third
elektromagnetischen Strahlung vom ersten Kantenfilter electromagnetic radiation from the first edge filter
reflektiert wird. is reflected.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der Spiegel für die erste elektromagnetische Strahlung überwiegend reflektierend. Das heißt, vorzugsweise wenigstens 50 %, besonders bevorzugt wenigstens 75 % beispielsweise wenigstens 90 % der auftreffenden ersten elektromagnetischen Strahlung wird vom Spiegel reflektiert. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Radiation-emitting semiconductor device is the mirror for the first electromagnetic radiation predominantly reflective. That is, preferably at least 50%, more preferably at least 75%, for example, at least 90% of the incident first electromagnetic radiation is reflected by the mirror. According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst das Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement einen ersten  Radiation-emitting semiconductor device, the radiation-emitting semiconductor device comprises a first
Halbleiterkörper, der im Betrieb eine erste elektromagnetische Strahlung in einem ersten Wellenlängenbereich emittiert, einen zweiten Halbleiterkörper, der im Betrieb eine zweite Semiconductor body which emits during operation a first electromagnetic radiation in a first wavelength range, a second semiconductor body, which in operation a second
elektromagnetische Strahlung in einem zweiten electromagnetic radiation in a second
Wellenlängenbereich emittiert, und einen dritten Wavelength range emitted, and a third
Halbleiterkörper, der im Betrieb eine dritte Semiconductor body, which in operation a third
elektromagnetische Strahlung in einem dritten electromagnetic radiation in a third
Wellenlängenbereich emittiert. Ferner umfasst das  Wavelength range emitted. Furthermore, this includes
Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement in dieser Radiation-emitting semiconductor device in this
Ausführungsform einen ersten Kantenfilter, der zwischen dem ersten Halbleiterkörper und dem zweiten Halbleiterkörper angeordnet ist und einen Spiegel, der an der dem zweiten Embodiment, a first edge filter, which is arranged between the first semiconductor body and the second semiconductor body and a mirror, which is at the second
Halbleiterkörper abgewandten Seite des ersten Semiconductor body side facing away from the first
Halbleiterkörpers angeordnet ist. Erster, zweiter und dritter Halbleiterkörper sind dabei übereinander gestapelt angeordnet, der zweite Halbleiterkörper ist zwischen dem ersten und dem dritten Halbleiterkörper angeordnet, die erste, zweite und dritte elektromagnetische Strahlung mischt sich zu weißem Licht, der erste Kantenfilter ist für die erste  Semiconductor body is arranged. The first, second and third semiconductor bodies are arranged stacked on top of one another, the second semiconductor body is arranged between the first and the third semiconductor body, the first, second and third electromagnetic radiation mix to white light, the first edge filter is for the first
elektromagnetische Strahlung überwiegend durchlässig und für die zweite und/oder dritte elektromagnetische Strahlung überwiegend reflektierend und der Spiegel ist für die erste elektromagnetische Strahlung überwiegend reflektierend. Electromagnetic radiation predominantly permeable and predominantly reflective for the second and / or third electromagnetic radiation and the mirror is predominantly reflective for the first electromagnetic radiation.
Bei einem solchen Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement können erster, zweiter und dritter Halbleiterkörper getrennt voneinander gefertigt sein. Die Halbleiterkörper werden dann beispielsweise mittels eines Verbindungsmittels mechanisch miteinander verbunden. Die erste elektromagnetische Strahlung, die beispielsweise die Peakwellenlänge des ersten Wellenlängenbereichs ist, ist dabei größer als die zweite elektromagnetische Strahlung, welche die Peakwellenlänge des zweiten Wellenlängenbereichs ist. Die zweite In such a radiation-emitting semiconductor component, first, second and third semiconductor bodies can be manufactured separately from one another. The semiconductor bodies are then mechanically connected to one another, for example, by means of a connecting means. The first electromagnetic radiation, for example, the peak wavelength of the first Wavelength range is, is greater than the second electromagnetic radiation, which is the peak wavelength of the second wavelength range. The second
elektromagnetische Strahlung wiederum ist größer als die dritte elektromagnetische Strahlung, welche die In turn, electromagnetic radiation is greater than the third electromagnetic radiation, which the
Peakwellenlänge des dritten Wellenlängenbereichs ist. Der dritte Halbleiterkörper ist überwiegend durchlässig für die erste und die zweite elektromagnetische Strahlung. Der zweite Halbleiterkörper ist überwiegend durchlässig für die erste elektromagnetische Strahlung. Überwiegend durchlässig heißt, dass wenigstens 50 %, vorzugsweise wenigstens 75 %, besonders bevorzugt wenigstens 90 % der auftreffenden  Peak wavelength of the third wavelength range. The third semiconductor body is predominantly transparent to the first and the second electromagnetic radiation. The second semiconductor body is predominantly transparent to the first electromagnetic radiation. Mostly permeable means that at least 50%, preferably at least 75%, more preferably at least 90% of the impinging
elektromagnetischen Strahlung durch den jeweiligen electromagnetic radiation through the respective
Halbleiterkörper transmittiert wird. Semiconductor body is transmitted.
Dem Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelement liegt dabei unter anderem die folgende Erkenntnis zugrunde. Werden The radiation-emitting semiconductor component is based inter alia on the following finding. Become
beispielsweise ein strahlungsdurchlässiger, grün emittierender und ein strahlungsdurchlässiger, blau emittierender for example, a radiation-transmissive, green-emitting and a radiation-transmissive, blue-emitting
Halbleiterkörper auf einen rotes Licht emittierenden Semiconductor body emitting on a red light
Halbleiterkörper aufgebracht, so wird beispielsweise das vom zweiten Halbleiterkörper hin zum ersten Halbleiterkörper emittierte grüne Licht sowie das vom dritten Halbleiterkörper in Richtung vom ersten und zweiten Halbleiterkörper emittierte blaue Licht größtenteils vom ersten Halbleiterkörper  Applied semiconductor body, for example, the green light emitted from the second semiconductor body to the first semiconductor body and the blue light emitted from the third semiconductor body in the direction of the first and second semiconductor body largely from the first semiconductor body
absorbiert und steht für die Anwendung nicht zur Verfügung. Einem hier beschriebenen Strahlungsemittierenden absorbed and is not available for the application. A radiation emitter described here
Halbleiterbauelement liegt die Idee zugrunde, einen Semiconductor component is based on the idea, a
wellenlängenselektiven Kantenfilter in das wavelength-selective edge filter in the
Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement zu integrieren, der zum Beispiel für das rote Licht des ersten To integrate radiation-emitting semiconductor device, for example, for the red light of the first
Halbleiterkörpers überwiegend durchlässig und für das grüne und blaue Licht des zweiten und dritten Halbleiterkörpers überwiegend reflektierend ausgebildet ist. Auf diese Weise können das blaue und das grüne Licht nicht in den ersten Semiconductor body predominantly transparent and for the green and blue light of the second and third semiconductor body is formed predominantly reflective. In this way, the blue and the green light can not be in the first
Halbleiterkörper oder kaum in den ersten Halbleiterkörper gelangen und werden auf diese Weise nicht vom ersten Semiconductor body or hardly get into the first semiconductor body and are not in this way from the first
Halbleiterkörper absorbiert. Semiconductor body absorbed.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der erste Kantenfilter frei von einem Halbleitermaterial. Das heißt, der erste Kantenfilter ist nicht mit einem  Radiation-emitting semiconductor device is the first edge filter free of a semiconductor material. That is, the first edge filter is not one
Verbindungshalbleitermaterial gebildet und/oder der erste Kantenfilter weist keine halbleitenden Eigenschaften auf.  Compound semiconductor material formed and / or the first edge filter has no semiconducting properties.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist ein zweiter Kantenfilter zwischen dem zweiten und dem dritten Radiation-emitting semiconductor device is a second edge filter between the second and the third
Halbleiterkörper angeordnet. Der zweite Halbleiterkörper ist dabei für die erste und die zweite elektromagnetische Semiconductor body arranged. The second semiconductor body is for the first and the second electromagnetic
Strahlung überwiegend durchlässig und für die dritte Radiation mostly permeable and for the third
elektromagnetische Strahlung überwiegend reflektierend. Das heißt, beispielsweise das blaue Licht des dritten electromagnetic radiation predominantly reflective. That is, for example, the blue light of the third
Halbleiterkörpers kann aufgrund des zweiten Kantenfilters kaum oder gar nicht in den zweiten Halbleiterkörper gelangen und wird daher nicht in diesem absorbiert, sondern steht für die Anwendung zur Verfügung. Due to the second edge filter, the semiconductor body can hardly or not at all enter the second semiconductor body and is therefore not absorbed in it, but is available for the application.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der zweite Kantenfilter frei von einem Halbleitermaterial. Das heißt, der zweite Kantenfilter ist nicht mit einem  Radiation-emitting semiconductor device, the second edge filter is free of a semiconductor material. That is, the second edge filter is not one
Verbindungshalbleitermaterial gebildet und/oder der zweite Kantenfilter weist keine halbleitenden Eigenschaften auf. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Compound semiconductor material formed and / or the second edge filter has no semiconducting properties. According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst der erste und/oder der zweite Kantenfilter zumindest zwei erste Schichten aus einem ersten Material und zumindest zwei zweite Schichten aus einem zweiten Material, wobei das erste und das zweite Material unterschiedliche optische Brechungsindices aufweisen und erste und zweite Schichten alternierend  Radiation-emitting semiconductor component, the first and / or the second edge filter comprises at least two first layers of a first material and at least two second layers of a second material, wherein the first and the second material have different optical refractive indices and alternating first and second layers
übereinander gestapelt angeordnet sind. Das heißt, die Abfolge von ersten und zweiten Schichten im ersten und/oder zweiten Kantenfilter ist beispielsweise wie folgt: Erste Schicht, zweite Schicht, erste Schicht, zweite Schicht. Auf diese Weise ist der Kantenfilter als Mehrschicht-Kantenfilter ausgebildet, der erste und zweite Schichten mit unterschiedlichen Are stacked one above the other. That is, the sequence of first and second layers in the first and / or second edge filters is, for example, as follows: first layer, second layer, first layer, second layer. In this way, the edge filter is formed as a multi-layer edge filter, the first and second layers with different
Brechungsindices aufweist. Neben den unterschiedlichen Having refractive indices. In addition to the different ones
Brechungsindices können sich die ersten und zweiten Schichten beispielsweise auch durch unterschiedliche optische und physikalische Dicken voneinander unterscheiden. Dabei können auch zwei erste Schichten unterschiedliche optische oder physikalische Dicken aufweisen. Das Gleiche gilt für zwei zweite Schichten. Das heißt, die Dicke der ersten und der zweiten Schichten muss nicht gleichmäßig gewählt sein. Refractive indices, the first and second layers, for example, by different optical and physical thicknesses differ from each other. In this case, two first layers may also have different optical or physical thicknesses. The same applies to two second layers. That is, the thickness of the first and second layers need not be uniform.
Vielmehr ist es möglich, dass der Kantenfilter eine Vielzahl erster Schichten und eine Vielzahl zweiter Schichten umfasst, wobei jede Schicht eine von einer anderen Schicht des Rather, it is possible for the edge filter to comprise a plurality of first layers and a plurality of second layers, each layer being one of another layer of the second
Kantenfilters unterschiedliche optische oder physikalische Dicke aufweisen kann. Edge filter may have different optical or physical thickness.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements umfasst der erste und/oder zweite Kantenfilter wenigstens zehn erste und wenigstens zehn zweite Schichten. Eine solch relativ große Anzahl von ersten und zweiten Schichten für den ersten  Radiation-emitting semiconductor device, the first and / or second edge filter comprises at least ten first and at least ten second layers. Such a relatively large number of first and second layers for the first
und/oder zweiten Kantenfilter hat sich dabei als besonders vorteilhaft für die Abstimmung des Kantenfilters auf die ersten, zweiten und dritten Wellenlängen erwiesen. and / or second edge filter has to be special proven advantageous for the tuning of the edge filter to the first, second and third wavelengths.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weisen die ersten Schichten einen optischen Brechungsindex zwischen 1,4 und 1,5 und die zweiten Schichten einen optischen Radiation-emitting semiconductor device, the first layers have an optical refractive index between 1.4 and 1.5 and the second layers an optical
Brechungsindex zwischen 2,3 und 2,5 auf. Beispielsweise sind die ersten Schichten des ersten und/oder des zweiten Refractive index between 2.3 and 2.5. For example, the first layers of the first and / or the second
Kantenfilters mit einem Siliziumoxid, wie zum Beispiel Edge filter with a silica, such as
Siliziumdioxid gebildet und die zweiten Schichten des ersten und/oder zweiten Kantenfilters sind mit einem Titanoxid wie beispielsweise Titandioxid gebildet. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des  Silicon dioxide formed and the second layers of the first and / or second edge filter are formed with a titanium oxide such as titanium dioxide. According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements weisen die ersten Schichten des ersten und/oder des zweiten Kantenfilters physikalische Dicken zwischen wenigstens 40 nm und höchstens 400 nm auf und die zweiten Schichten weisen physikalische Dicken zwischen wenigstens 10 nm und höchstens 65 nm auf. Eine Auswahl der physikalischen Dicken für die ersten und die zweiten Schichten von erstem und/oder zweitem Kantenfilter aus den angegebenen Bereichen hat sich wiederum als besonders vorteilhaft für eine besonders genaue Anpassung von erstem und/oder zweitem Kantenfilter an die ersten, zweiten und dritten Wellenlängen erwiesen.  Radiation-emitting semiconductor device, the first layers of the first and / or the second edge filter have physical thicknesses between at least 40 nm and at most 400 nm and the second layers have physical thicknesses between at least 10 nm and at most 65 nm. A selection of the physical thicknesses for the first and the second layers of first and / or second edge filter from the specified ranges has in turn proven to be particularly advantageous for a particularly accurate adaptation of the first and / or second edge filter to the first, second and third wavelengths ,
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements ist der erste und/oder der zweite Kantenfilter auf einem  Radiation-emitting semiconductor device is the first and / or the second edge filter on a
strahlungsdurchlässigen Träger angeordnet. Bei dem arranged radiation-transparent carrier. In which
strahlungsdurchlässigen Träger kann es sich beispielsweise um eine Glasscheibe handeln, auf welche die ersten und zweiten Schichten des Kantenfilters abgeschieden sind. Erster und/oder zweiter Kantenfilter mit zugehörigem strahlungsdurchlässigen Träger können dann beispielsweise mittels eines radiation-transmissive carrier may be, for example, a glass sheet, on which the first and second Layers of the edge filter are deposited. First and / or second edge filter with associated radiation-transmissive support can then, for example by means of a
Verbindungsmittels mit den Halbleiterkörpern des Lanyard with the semiconductor bodies of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements verbunden werden . Radiation-emitting semiconductor device can be connected.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform des According to at least one embodiment of the
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements stehen der erste und/oder der zweite Kantenfilter in direktem Kontakt mit zumindest einem der Halbleiterkörper. Beispielsweise kann der Kantenfilter dabei epitaktisch auf den Halbleiterkörper abgeschieden sein. In diesem Fall kann das Radiation-emitting semiconductor device are the first and / or the second edge filter in direct contact with at least one of the semiconductor body. For example, the edge filter may be epitaxially deposited on the semiconductor body. In this case, that can
Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement frei von einem strahlungsdurchlässigen Träger für den Kantenfilter sein. Radiation-emitting semiconductor device to be free of a radiation-transparent support for the edge filter.
Vielmehr bildet zumindest einer der Halbleiterkörper des Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements selbst den Rather, at least one of the semiconductor bodies of the radiation-emitting semiconductor component itself forms the
Träger für die Schichten des Kantenfilters und damit für den Kantenfilter. Der Kantenfilter kann beispielsweise auf einen der Halbleiterkörper epitaktisch abgeschieden sein. Dabei ist es auch möglich, dass auf zwei der Halbleiterkörper zwei unterschiedliche Kantenfilter epitaktisch abgeschieden sind. Der Verzicht auf einen strahlungsdurchlässigen Träger kann zwar die Herstellung des Kantenfilters komplizieren, jedoch ergibt sich auf diese Weise ein besonders kompakter Aufbau für das Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement. Support for the layers of the edge filter and thus for the edge filter. The edge filter may, for example, be epitaxially deposited on one of the semiconductor bodies. It is also possible that two different edge filters are epitaxially deposited on two of the semiconductor body. Although the omission of a radiation-transmissive carrier can complicate the production of the edge filter, this results in a particularly compact design for the radiation-emitting semiconductor component.
Im Folgenden wird das hier beschrieben Halbleiterbauelement gemäß von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert. Die Figuren 1 bis 4 zeigen verschiedene Ausführungsbeispiele eines hier beschriebenen Strahlungsemittierenden In the following, the semiconductor component described here according to embodiments and the associated figures will be explained in more detail. FIGS. 1 to 4 show various exemplary embodiments of a radiation emitter described here
Halbleiterbauelements . Anhand der graphischen Auftragung der Figur 5 ist ein Semiconductor device. With reference to the graphic plot of Figure 5 is a
Kantenfilter für ein hier beschriebenes Edge filter for one described here
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement näher erläutert. Radiation-emitting semiconductor device explained in more detail.
Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit denselben Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren dargestellten Elemente untereinander sind nicht als maßstäblich zu The same, similar or equivalent elements are provided in the figures with the same reference numerals. The figures and the proportions of the elements shown in the figures with each other are not to scale
betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. consider. Rather, individual elements may be exaggerated in size for better representability and / or better understanding.
Die Figur IA zeigt eine schematische Schnittdarstellung eines hier beschriebenen Strahlungsemittierenden FIG. 1A shows a schematic sectional view of a radiation emitter described here
Halbleiterbauelements gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel. Das Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement umfasst einen ersten Halbleiterkörper 10, einen zweiten Halbleiterkörper 20 und einen dritten Halbleiterkörper 30. Bei dem ersten Semiconductor device according to a first embodiment. The radiation-emitting semiconductor component comprises a first semiconductor body 10, a second semiconductor body 20 and a third semiconductor body 30. In the first
Halbleiterkörper 10 handelt es sich beispielsweise um einen rotes Licht emittierenden Dünnfilmhalbleiterchip, der auf einen Träger 60 aufgebracht ist. Zwischen dem Träger 60 und dem ersten Halbleiterkörper 10 ist ein Spiegel 50 angeordnet. Bei dem Spiegel 50 handelt es sich beispielsweise um einen dielektrischen Spiegel, der Schichten aus Siliziumdioxid und Silber umfasst. Der erste Halbleiterkörper 10 emittiert im Betrieb erste elektromagnetische Strahlung 11 aus dem Semiconductor body 10 is, for example, a red light-emitting thin-film semiconductor chip which is applied to a carrier 60. Between the carrier 60 and the first semiconductor body 10, a mirror 50 is arranged. The mirror 50 is, for example, a dielectric mirror comprising layers of silicon dioxide and silver. The first semiconductor body 10 emits during operation first electromagnetic radiation 11 from the
Spektralbereich von rotem Licht. Der zweite Halbleiterköper 20 ist ein epitaktisch Spectral range of red light. The second semiconductor body 20 is epitaxial
hergestellter substratloser Halbleiterchip. Der zweite manufactured substrateless semiconductor chip. The second
Halbleiterkörper 20 ist dabei frei von einem Träger oder einem Aufwachssubstrat und umfasst lediglich epitaktisch Semiconductor body 20 is free of a carrier or a growth substrate and includes only epitaxial
abgeschiedene Schichten. Der zweite Halbleiterkörper 20 erzeugt im Betrieb zweite elektromagnetische Strahlung 21, beispielsweise aus dem Spektralbereich von grünem Licht. deposited layers. During operation, the second semiconductor body 20 generates second electromagnetic radiation 21, for example from the spectral range of green light.
Der dritte Halbleiterkörper 30 ist ebenfalls ein substratloser Halbleiterchip, der frei von einem Träger oder einem The third semiconductor body 30 is likewise a substrateless semiconductor chip, which is free of a carrier or a
Aufwachssubstrat ist und lediglich epitaktisch abgeschiedene Schichten umfasst. Im Betrieb erzeugt der dritte  Growth substrate is and includes only epitaxially deposited layers. In operation, the third generates
Halbleiterkörper 30 dritte elektromagnetische Strahlung 31 aus dem Spektralbereich von blauem Licht. Semiconductor body 30 third electromagnetic radiation 31 from the spectral range of blue light.
Der zweite Halbleiterkörper 20 ist für die erste The second semiconductor body 20 is for the first
elektromagnetische Strahlung 11 durchlässig. Der dritte electromagnetic radiation 11 permeable. The third
Halbleiterkörper 30 ist für die erste elektromagnetische Semiconductor body 30 is for the first electromagnetic
Strahlung 11 und die zweite elektromagnetische Strahlung 21 durchlässig. Radiation 11 and the second electromagnetic radiation 21 permeable.
Zwischen dem ersten Halbleiterkörper 10 und dem zweiten Between the first semiconductor body 10 and the second
Halbleiterkörper 20 ist der erste Kantenfilter 41 angeordnet. Der erste Kantenfilter 41 umfasst einen Semiconductor body 20, the first edge filter 41 is arranged. The first edge filter 41 comprises a
strahlungsdurchlässigen Träger 45, der beispielsweise aus Glas gebildet ist. Auf den strahlungsdurchlässigen Träger 45 sind eine Vielzahl erster Schichten 43 und zweiter Schichten 44 aufgebracht, die sich in ihrem Brechungsindex jeweils radiation-transparent support 45, which is formed for example of glass. On the radiation-transmissive carrier 45, a plurality of first layers 43 and second layers 44 are applied, which are each in their refractive index
voneinander unterscheiden. Der erste Kantenfilter 41 ist für die erste elektromagnetische Strahlung 11 durchlässig und für die zweite elektromagnetische Strahlung 21 und die dritte elektromagnetische Strahlung 31 jeweils reflektierend differ from each other. The first edge filter 41 is transmissive to the first electromagnetic radiation 11 and reflective to the second electromagnetic radiation 21 and the third electromagnetic radiation 31, respectively
ausgebildet . Die Figur IB zeigt eine idealisierte Übertragungskennlinie des ersten Kantenfilters 41. Die Transmittivität steigt ab zirka 580 nm Wellenlänge plötzlich an und wechselt von 0 % auf 100 %. Das heißt, der Kantenfilter 41 ist für langwelliges Licht durchlässig, für kurzwelliges Licht hingegen undurchlässig und reflektierend. Im Ausführungsbeispiel der Figur IA ist der erste Kantenfilter 41 ein separates Element, das auf einen eigenen, strahlungsdurchlässigen Träger 45 aufgebracht ist. educated . FIG. 1B shows an idealized transfer characteristic of the first edge filter 41. The transmittivity increases abruptly from about 580 nm wavelength and changes from 0% to 100%. That is, the edge filter 41 is permeable to long-wavelength light, for short-wavelength light, however, impermeable and reflective. In the exemplary embodiment of FIG. 1A, the first edge filter 41 is a separate element which is applied to its own radiation-transmissive support 45.
Im Unterschied dazu zeigt die Figur 2A anhand einer In contrast, FIG. 2A shows with reference to FIG
schematischen Schnittdarstellung ein weiteres schematic sectional view another
Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Embodiment of a described here
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements, bei dem der erste Kantenfilter 41 direkt auf den ersten HalbleiterkörperRadiation-emitting semiconductor device, wherein the first edge filter 41 directly to the first semiconductor body
10 abgeschieden ist. Beispielsweise ist der erste Kantenfilter 41 epitaktisch auf die dem Träger 60 abgewandte Oberseite des ersten Halbleiterkörpers 10 abgeschieden. Die Figur 2B zeigt wiederum eine idealisierte Übertragungskennlinie des ersten Kantenfilters 41. 10 is deposited. For example, the first edge filter 41 is epitaxially deposited on the upper side of the first semiconductor body 10 facing away from the carrier 60. FIG. 2B again shows an idealized transfer characteristic of the first edge filter 41.
Im Ausführungsbeispiel der Figur 3A umfasst das In the embodiment of Figure 3A includes the
Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement den ersten Radiation-emitting semiconductor device the first
Kantenfilter 41, der direkt auf die dem ersten Edge filter 41, which is directly on the first
Halbleiterkörper 10 zugewandte Außenfläche des zweiten Semiconductor body 10 facing outer surface of the second
Halbleiterkörpers 20 abgeschieden ist. Semiconductor body 20 is deposited.
Die Figur 3C zeigt die idealisierte Übertragungskennlinie des ersten Kantenfilters 41, der rotes Licht durchlässt und grünes Licht reflektiert. Figure 3C shows the idealized transfer characteristic of the first edge filter 41, which transmits red light and reflects green light.
Der zweite Kantenfilter 42 ist direkt auf die dem zweiten Halbleiterkörper 20 zugewandte Außenfläche des dritten Halbleiterkörpers 30 abgeschieden. Der zweite Kantenfilter 42 ist für grünes und rotes Licht durchlässig und für blaues Licht reflektierend ausgebildet, siehe dazu auch die The second edge filter 42 is directly on the second semiconductor body 20 facing outer surface of the third Semiconductor body 30 deposited. The second edge filter 42 is transparent to green and red light and reflective to blue light, see also the
idealisierte Übertragungskennlinie der Figur 3B für den zweiten Kantenfilter 42. Beim Ausführungsbeispiel der Figur 3A ist es alternativ zum direkten Abscheiden von erstem idealized transfer characteristic of Figure 3B for the second edge filter 42. In the embodiment of Figure 3A, it is alternative to the direct deposition of the first
Kantenfilter 41 und zweitem Kantenfilter 42 auf Edge filter 41 and second edge filter 42 on
unterschiedliche Halbleiterkörper auch möglich, dass beide Kantenfilter auf gegenüberliegende Oberflächen des zweiten Halbleiterköpers 20 direkt abgeschieden werden. Darüber hinaus ist es auch möglich, dass zumindest einer der Kantenfilter, wie in Verbindung mit der Figur IA gezeigt, auf einen Different semiconductor body also possible that both edge filters are deposited directly on opposite surfaces of the second semiconductor body 20. Moreover, it is also possible that at least one of the edge filters, as shown in connection with the figure IA, to a
separaten, strahlungsdurchlässigen Träger 45 aufgebracht ist. Das direkte Abscheiden des Kantenfilters auf zumindest einen der Halbleiterköper kann die Herstellung des Kantenfilters komplizierter machen, ermöglicht jedoch einen besonders kompakten Aufbau des Strahlungsemittierenden separate, radiation-transparent carrier 45 is applied. The direct deposition of the edge filter on at least one of the semiconductor bodies can make the manufacture of the edge filter more complicated, but allows a particularly compact construction of the radiation-emitting
Halbleiterbauelements . In Verbindung mit der Figur 4A ist ein weiteres Semiconductor device. In connection with the figure 4A is another
Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Embodiment of a described here
Strahlungsemittierenden Halbleiterbauelements dargestellt. In diesem Ausführungsbeispiel ist ein Kantenfilter 41, wie er in Verbindung mit der Figur IA beschrieben ist, zwischen dem ersten Halbleiterkörper 10 und dem zweiten Halbleiterkörper 20 angeordnet. Die Halbleiterkörper 10, 20, 30 sind jeweils durch ein Verbindungsmittel 80 mechanisch miteinander verbunden. Bei dem Verbindungsmittel 80 kann es sich beispielsweise um ein Silikon und/oder ein Epoxidharz handeln.  Radiation-emitting semiconductor device shown. In this exemplary embodiment, an edge filter 41, as described in connection with FIG. 1A, is arranged between the first semiconductor body 10 and the second semiconductor body 20. The semiconductor bodies 10, 20, 30 are each mechanically connected to one another by a connection means 80. The connecting means 80 may be, for example, a silicone and / or an epoxy resin.
Jeder der Halbleiterkörper weist eine aufgeraute Oberfläche auf, durch die Auskoppelstrukturen 12, 22, 32 gebildet sind, welche die Wahrscheinlichkeit für Totalreflexion an der Außenfläche des jeweiligen Halbleiterkörpers reduzieren. Each of the semiconductor bodies has a roughened surface, are formed by the coupling-out structures 12, 22, 32, the probability of total reflection at the Reduce the outer surface of the respective semiconductor body.
Zwischen den Halbleiterkörpern sind jeweils Kontaktschichten 71, 72, 73 angeordnet, die ein unabhängiges elektrisches Kontaktieren der Halbleiterköper erlauben. Das heißt, jeder Halbleiterkörper 10, 20, 30 kann unabhängig vom anderen Respective contact layers 71, 72, 73 are arranged between the semiconductor bodies, which allow an independent electrical contacting of the semiconductor bodies. That is, each semiconductor body 10, 20, 30 can be independent of the other
Halbleiterkörper betrieben werden. Der Stapel aus Semiconductor body can be operated. The stack off
Halbleiterkörpern kann auf diese Weise rotes, grünes und blaues Licht erzeugen. Bei einem gleichzeitigen Betrieb aller Halbleiterkörper wird weißes Mischlicht erzeugt. Semiconductor bodies can thus produce red, green and blue light. In a simultaneous operation of all semiconductor body white mixed light is generated.
Erste Kontaktschicht 71, zweite Kontaktschicht 72 und dritte Kontaktschicht 73 sind beispielsweise mit einem transparenten Material, wie einem transparenten leitfähigen Oxid (TCO - Transparent Conductive Oxide) -Material gebildet. Die First contact layer 71, second contact layer 72 and third contact layer 73 are formed, for example, with a transparent material such as a transparent conductive oxide (TCO) material. The
Kontaktschichten können dabei zum Beispiel ITO (Indium Tin Oxide) oder IZO (Indium Zinc Oxide) umfassen. Contact layers may include, for example, ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide).
Die Figur 4B zeigt die Extraktionswahrscheinlichkeit E relativ zu der des jeweiligen einzelnen Halbleiterkörpers, der nicht in einem Stapel angeordnet ist. Die Messpunkte bei A beziehen sich dabei auf einen Luftspalt jeweils zwischen erstem FIG. 4B shows the extraction probability E relative to that of the respective individual semiconductor body, which is not arranged in a stack. The measuring points at A relate to an air gap between the first
Halbleiterkörper 10 und zweitem Halbleiterkörper 20 und zwischen zweitem Halbleiterköper 20 und drittem Semiconductor body 10 and second semiconductor body 20 and between the second semiconductor body 20 and third
Halbleiterkörper 30. Die Messpunkte bei B sind für ein Semiconductor body 30. The measurement points at B are for a
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, wie es in der Figur 4A gezeigt ist, berechnet. Das heißt, zwischen erstem Halbleiterkörper 10 und zweitem Halbleiterkörper 20 befindet sich der erste Kantenfilter 41, die Halbleiterkörper sind jeweils mittels eines Verbindungsmittels 80 mechanisch Radiation-emitting semiconductor device, as shown in Figure 4A calculated. That is, between the first semiconductor body 10 and the second semiconductor body 20 is the first edge filter 41, the semiconductor body are each mechanically by means of a connecting means 80
miteinander verbunden. Bei den Verbindungsmitteln 80 handelt es sich um ein Epoxidharz. Die Messpunkte bei C zeigen die Situation ohne einen ersten Kantenfilter 41. Die Kurve a zeigt die Extraktion für blaues Licht, die Kurve b für grünes Licht und die Kurve c für rotes Licht. Die Kurve d zeigt die connected with each other. The connection means 80 is an epoxy resin. The measurement points at C show the situation without a first edge filter 41. The curve a shows the extraction for blue light, the curve b for green light and the curve c for red light. The curve d shows the
Gesamtextraktion . Total extraction.
Erste, zweite und dritte Kontaktschichten sind jeweils aus einer 100 nm dicken Lage aus IZO gebildet. First, second and third contact layers are each formed from a 100 nm thick layer of IZO.
Wie der graphischen Auftragung der Figur 4B zu entnehmen ist, wäre die Effizienz im Falle eines Lufteinschlusses zwischen den Halbleiterkörpern (Messpunkt A) am besten. Sind die As can be seen from the graph of FIG. 4B, the efficiency in the case of an air inclusion between the semiconductor bodies (measuring point A) would be best. Are the
Halbleiterkörper mittels eines Verbindungsmittels 80 Semiconductor body by means of a connecting means 80th
mechanisch miteinander verbunden, erweist sich der erste mechanically interconnected, the first proves
Kantenfilter 41 als besonders vorteilhaft. Edge filter 41 is particularly advantageous.
Die Figur 4C zeigt die mittlere Extraktion relativ zu einem einzelnen Chip für vier unterschiedliche Situationen. DieFigure 4C shows the average extraction relative to a single chip for four different situations. The
Balken bei a zeigen die mittlere Extraktion für die oben beschriebenen Situationen A, B, C für ein Bars at a indicate the mean extraction for situations A, B, C above
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement, bei dem erste, zweite und dritte Kontaktschichten jeweils aus IZO mit einer Dicke von jeweils 250 nm bestehen, wobei auf die dem dritten Radiation-emitting semiconductor device, wherein the first, second and third contact layers each consist of IZO with a thickness of 250 nm, wherein the third
Halbleiterkörper 30 abgewandte Oberseite der dritten Semiconductor body 30 facing away from the top of the third
Kontaktschicht 73 eine Linse aufgebracht ist, die aus Silikon besteht . Die Balken bei b zeigen die mittlere Extraktion für das gleiche Strahlungsemittierende Halbleiterbauelement ohne  Contact layer 73 is applied to a lens which consists of silicone. The bars at b show the mean extraction for the same radiation-emitting semiconductor device without
Linse, also an Luft. Lens, so in the air.
Die Balken bei c zeigen die mittlere Extraktion für erste, zweite und dritte Kontaktschichten aus IZO mit einer Dicke von jeweils 100 nm und einer Silikonlinse. Die Balken bei d zeigen die Situation für das Strahlungsemittierende The bars at c show the mean extraction for first, second and third contact layers of IZO with a thickness of 100 nm each and a silicone lens. The bars at d show the situation for the radiation emitter
Halbleiterbauelement wie in c, jedoch ohne Silikonlinse. Insgesamt ist aus der Figur 4C ersichtlich, dass mit einer Linse, die beispielsweise aus Silikon besteht, die mittlere Extraktion stark verbessert werden kann. Semiconductor device as in c, but without silicone lens. Overall, it can be seen from FIG. 4C that with a lens which consists, for example, of silicone, the mean extraction can be greatly improved.
Anhand der graphischen Auftragung der Figur 5 ist ein hier beschriebener Kantenfilter, beispielsweise ein erster With reference to the graphical representation of Figure 5 is an edge filter described here, for example, a first
Kantenfilter 41, näher erläutert. Dabei ist die  Edge filter 41, explained in more detail. It is the
Durchlässigkeit T in Prozent gegen die Wellenlänge λ in  Permeability T in percent against the wavelength λ in
Nanometer aufgetragen. Die Kurve a zeigt die Durchlässigkeit für einen Einfallwinkel von 0°, die Kurve b für einen  Nanometer applied. The curve a shows the transmittance for an angle of incidence of 0 °, the curve b for a
Einfallwinkel von 30° für p-polarisiertes Licht, die Kurve c für einen Einfallwinkel von 30° für s-polarisiertes Licht, die Kurve d für einen Einfallwinkel von 60° für p-polarisiertes Licht und die Kurve e für einen Einfallwinkel von 60° für s- polarisiertes Licht.  Angle of incidence of 30 ° for p-polarized light, curve c for an angle of incidence of 30 ° for s-polarized light, curve d for an angle of incidence of 60 ° for p-polarized light and curve e for an angle of incidence of 60 ° for s-polarized light.
Erste und zweite Schichten des Kantenfilters sind dabei auf einen transparenten Träger 45 aufgebracht, der beispielsweise aus Saphir, Dünnglas, Diamant oder einem anderen First and second layers of the edge filter are applied to a transparent support 45, for example made of sapphire, thin glass, diamond or another
strahlungsdurchlässigen Material bestehen kann. Die ersten Schichten sind dabei aus einem Siliziumdioxid gebildet, die zweiten Schichten aus einem Titandioxid. Das heißt, die ersten und die zweiten Schichten sind frei von einem  radiation-permeable material may consist. The first layers are formed of a silicon dioxide, the second layers of a titanium dioxide. That is, the first and second layers are free of one
Halbleitermaterial. Diese Schichten sind also weder mit einem Verbindungshalbleitermaterial gebildet oder bestehen aus einem solchen, noch weisen sie halbleitende Eigenschaften auf. Die Abfolge der Schichten kann beispielsweise wie folgt sein:  Semiconductor material. These layers are therefore neither formed with a compound semiconductor material or consist of such, nor have they semiconducting properties. The sequence of layers may be as follows, for example:
Figure imgf000019_0001
Figure imgf000019_0001
Figure imgf000020_0001
Figure imgf000020_0001
Dabei handelt es sich um einen Kantenfilter 41, der zur Reflexion von grünem und blauem Licht besonders gut geeignet ist. Ein solcher Kantenfilter kann beispielsweise in den in Verbindung mit den Figuren IA und 4A beschriebenen It is an edge filter 41, which is particularly well suited for the reflection of green and blue light. Such an edge filter can be used, for example, in the manner described in conjunction with FIGS. 1A and 4A
Ausführungsbeispielen Verwendung finden. Die in der Tabelle angegebenen Werte für die physikalische Dicke sind dabei bevorzugt, können aber um 10 % größer oder kleiner als der jeweils angegebene Wert sein. Entsprechendes gilt für die optischen Dicken. Die Schichten sind bevorzugt direkt übereinander angeordnet. Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Embodiments find use. The physical thickness values given in the table are preferred, but may be 10% greater or less than the value given in each case. The same applies to the optical thicknesses. The layers are preferably arranged directly above one another. The invention is not limited by the description based on the embodiments of these. Rather, the invention encompasses every new feature as well as every combination of features, which in particular includes any combination of features in the patent claims, even if this feature or combination itself is not explicitly described in the claims
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Claims or embodiments is given.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2009 031 147.5, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. This patent application claims the priority of German Patent Application 10 2009 031 147.5, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.

Claims

Patentansprüche claims
1. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit 1. radiation-emitting semiconductor device with
- einem ersten Halbleiterkörper (10), der im Betrieb eine erste elektromagnetische Strahlung (11) in einem ersten  - A first semiconductor body (10), which in operation a first electromagnetic radiation (11) in a first
Wellenlängenbereich emittiert,  Emitted wavelength range,
- einem zweiten Halbleiterkörper (20), der im Betrieb eine zweite elektromagnetische Strahlung (21) in einem zweiten Wellenlängenbereich emittiert,  a second semiconductor body (20) which, during operation, emits a second electromagnetic radiation (21) in a second wavelength range,
- einem dritten Halbleiterkörper (30), der im Betrieb eine dritte elektromagnetische Strahlung (31) in einem dritten Wellenlängenbereich emittiert, a third semiconductor body (30) which in operation emits a third electromagnetic radiation (31) in a third wavelength range,
- einem ersten Kantenfilter (41), der zwischen dem ersten Halbleiterkörper (10) und dem zweiten Hableiterkörper (20) angeordnet ist, und  - A first edge filter (41) which is arranged between the first semiconductor body (10) and the second Hableiterkörper (20), and
- einem Spiegel (50), der an der dem zweiten Halbeiterkörper (20) abgewandten Seite des ersten Halbleiterkörpers (10) angeordnet ist,  a mirror (50) which is arranged on the side of the first semiconductor body (10) facing away from the second semiconductor body (20),
wobei in which
- erster, zweiter und dritter Halbleiterkörper übereinander gestapelt angeordnet sind, - First, second and third semiconductor bodies are stacked on top of each other,
- der zweite Halbleiterkörper (20) zwischen dem ersten (10) und dem dritten Halbleiterkörper (30) angeordnet ist,  the second semiconductor body (20) is arranged between the first (10) and the third semiconductor body (30),
- sich die erste, zweite und dritte elektromagnetische  - Are the first, second and third electromagnetic
Strahlung zu weißem Licht mischt, Radiation to white light mixes,
- der erste Kantenfilter (41) für die erste elektromagnetische Strahlung überwiegend durchlässig und für die zweite und/oder dritte elektromagnetische Strahlung überwiegend reflektierend ist, und  - The first edge filter (41) for the first electromagnetic radiation is predominantly transparent and predominantly reflective for the second and / or third electromagnetic radiation, and
- der Spiegel (50) für die erste elektromagnetische Strahlung überwiegend reflektierend ist. - The mirror (50) for the first electromagnetic radiation is predominantly reflective.
2. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß dem vorherigen Anspruch, 2. Radiation-emitting semiconductor component according to the preceding claim,
bei dem ein zweiter Kantenfilter (42) zwischen dem zweiten und dritten Halbleiterkörper angeordnet ist, wobei der zweite Kantenfilter (42) für die erste (11) und die zweite in which a second edge filter (42) is arranged between the second and third semiconductor bodies, wherein the second edge filter (42) for the first (11) and the second
elektromagnetische Strahlung (21) überwiegend durchlässig und für die dritte elektromagnetische Strahlung (31) überwiegend reflektierend ist. electromagnetic radiation (21) is predominantly permeable and predominantly reflective for the third electromagnetic radiation (31).
3. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, 3. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
bei dem der erste Kantenfilter (41) frei von einem wherein the first edge filter (41) is free from a
Halbleitermaterial ist. Semiconductor material is.
4. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, 4. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
bei dem der zweite Kantenfilter (42) frei von einem wherein the second edge filter (42) is free of one
Halbleitermaterial ist. Semiconductor material is.
5. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, 5. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
bei dem erster (41) und/oder zweiter Kantenfilter (42) zumindest zwei erste Schichten (43) aus einem ersten Material und zumindest zwei zweite Schichten (44) aus einem zweiten Material umfassen, wobei das erste und das zweite Material unterschiedliche optische Brechungsindices aufweisen und erste und zweite Schichten alternierend übereinander gestapelt angeordnet sind. at least two first layers (43) of a first material and at least two second layers (44) of a second material, wherein the first and the second material have different optical refractive indices and first and second layers are stacked alternately stacked.
6. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß dem vorherigen Anspruch, bei dem erster (41) und/oder zweiter Kantenfilter (42) wenigstens zehn erste (43) und wenigstens zehn zweite 6. Radiation-emitting semiconductor component according to the preceding claim, at least ten first (43) and at least ten second ones of the first (41) and / or second edge filters (42)
Schichten (44) aufweisen. Layers (44) have.
7. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß einem der beiden vorherigen Ansprüche, 7. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the two preceding claims,
bei dem die ersten Schichten (43) einen optischen in which the first layers (43) have an optical
Brechungsindex zwischen 1,4 und 1,5 aufweisen und die zweiten Schichten (44) einen optischen Brechungsindex zwischen 2,3 und 2,5 aufweisen. Refractive index between 1.4 and 1.5 and the second layers (44) have an optical refractive index between 2.3 and 2.5.
8. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß einem der drei vorherigen Ansprüche, 8. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the three preceding claims,
bei dem die ersten Schichten (43) physikalische Dicken wherein the first layers (43) have physical thicknesses
zwischen wenigstens 40 nm und höchstens 400 nm aufweisen und die zweiten Schichten (44) physikalische Dicken zwischen wenigstens 10 nm und höchstens 65 nm aufweisen. between at least 40 nm and at most 400 nm and the second layers (44) have physical thicknesses between at least 10 nm and at most 65 nm.
9. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, 9. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
bei dem erster und/oder zweiter Kantenfilter (41, 42) auf einem strahlungsdurchlässigen Träger (45) angeordnet sind. in the first and / or second edge filter (41, 42) are arranged on a radiation-transparent support (45).
10. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, 10. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
bei dem erster (41) und/oder zweiter Kantenfilter (42) in direktem Kontakt mit zumindest einem der Halbleiterkörper stehen . in the first (41) and / or second edge filter (42) are in direct contact with at least one of the semiconductor bodies.
11. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, 11. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
bei dem erster und/oder zweiter Kantenfilter epitaktisch auf einem der Halbleiterkörper abgeschieden sind. in the first and / or second edge filter are epitaxially deposited on one of the semiconductor body.
12. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß einem der vorherigen Ansprüche, 12. Radiation-emitting semiconductor component according to one of the preceding claims,
bei dem der erste Kantenfilter (41) die folgenden Schichten mit den folgenden physikalischen Dicken aufweist: eine Schicht aus SiO2 mit einer Dicke von 390 nm +/-10%, eine Schicht aus TiO2 mit einer Dicke von 26,56 nm +/-10%, eine Schicht aus SiO2 mit einer Dicke von 299,35 nm +/-10%, eine Schicht aus TiO2 mit einer Dicke von 15,22 nm +/-10%, eine Schicht aus SiO2 mit einer Dicke von 235,03 nm +/-10%, eine Schicht aus TiO2 mit einer Dicke von 52,99 nm +/-10%, eine Schicht aus SiO2 mit einer Dicke von 45,86 nm +/-10%, eine Schicht aus TiO2 mit einer Dicke von 52,61 nm +/-10%, eine Schicht aus SiO2 mit einer Dicke von 86,38 nm +/-10%, eine Schicht aus TiO2 mit einer Dicke von 59,86 nm +/-10%, eine Schicht aus SiO2 mit einer Dicke von 65, 66 nm +/-10%, eine Schicht aus TiO2 mit einer Dicke von 54,62 nm +/-10%, eine Schicht aus SiO2 mit einer Dicke von 79,12 nm +/-10%, eine Schicht aus TiO2 mit einer Dicke von 43,72 nm +/-10%, eine Schicht aus SiO2 mit einer Dicke von 305,42 nm +/-10%, eine Schicht aus TiO2 mit einer Dicke von 52,03 nm +/-10%, eine Schicht aus SiO2 mit einer Dicke von 265,35 nm +/-10%, eine Schicht aus TiO2 mit einer Dicke von 56,56 nm +/-10%, eine Schicht aus SiO2 mit einer Dicke von 281,42 nm +/-10%, und wherein the first edge filter (41) comprises the following layers having the following physical thicknesses: a layer of SiO 2 having a thickness of 390 nm +/- 10%, a layer of TiO 2 having a thickness of 26.56 nm +/- 10 %, a layer of SiO 2 having a thickness of 299.35 nm +/- 10%, a layer of TiO 2 having a thickness of 15.22 nm +/- 10%, a layer of SiO 2 having a thickness of 235.03 nm +/- 10%, a layer of TiO 2 having a thickness of 52.99 nm +/- 10%, a layer of SiO 2 having a thickness of 45.86 nm +/- 10%, a layer of TiO 2 having a thickness of 52.61 nm +/- 10%, a layer of SiO 2 having a thickness of 86.38 nm +/- 10%, a layer of TiO 2 having a thickness of 59.86 nm +/- 10%, a layer of SiO 2 with a thickness of 65, 66 nm +/- 10%, a layer of TiO 2 with a thickness of 54.62 nm +/- 10%, a layer of SiO 2 with a thickness of 79.12 nm +/- 10%, a layer of TiO 2 having a thickness of 43.72 nm +/- 10%, a layer of SiO 2 having a thickness of 305.42 nm +/- 10% e layer of TiO2 with a thickness of 52.03 nm +/- 10%, a layer of SiO2 with a thickness of 265.35 nm +/- 10%, a layer of TiO2 with a thickness of 56.56 nm + / -10%, a layer of SiO 2 having a thickness of 281.42 nm +/- 10%, and
eine Schicht aus TiO2 mit einer Dicke von 22,41 nm +/-10%. a layer of TiO2 with a thickness of 22.41 nm +/- 10%.
13. Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement gemäß dem vorherigen Anspruch, 13. Radiation-emitting semiconductor component according to the preceding claim,
bei dem die Schichten direkt aufeinander abfolgen, wobei die erste Schicht aus SiO2 an Luft grenzt und die letzte Schicht aus TiO2 auf einen strahlungsdurchlässigen Träger (45) aus Glas aufgebracht ist. in which the layers follow each other directly, wherein the first layer of SiO 2 is adjacent to air and the last layer of TiO 2 is applied to a radiation-transmissive support (45) made of glass.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016104280A1 (en) * 2016-03-09 2017-09-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Component and method for manufacturing a device

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002075819A2 (en) * 2001-03-15 2002-09-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting optical component
US20080251799A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1275337C (en) * 2003-09-17 2006-09-13 北京工大智源科技发展有限公司 High-efficiency high-brightness multiple active district tunnel reclaimed white light light emitting diodes
DE102004002101A1 (en) * 2003-10-17 2005-05-25 Han Shin Company Ltd. Light emitting device uses omnidirectional reflector that receives secondary light and unconverted primary light from wavelength-converter connected to omnidirectional photonic crystal
US7278760B2 (en) * 2004-05-24 2007-10-09 Osram Opto Semiconductor Gmbh Light-emitting electronic component

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002075819A2 (en) * 2001-03-15 2002-09-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting optical component
US20080251799A1 (en) * 2007-04-13 2008-10-16 Kabushiki Kaisha Toshiba Light emitting device

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