WO2010146707A1 - アクティブマトリクス型有機ｅｌ表示装置及びその駆動方法 - Google Patents

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真一 石塚
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Definitions

  • the present invention relates to an active matrix organic EL display device using an organic EL element as a light emitting element and a driving method thereof.
  • FIG. 1 shows an example of an equivalent circuit of a drive circuit of an organic EL (Organic Electroluminescent) element (OEL) 100 for one pixel of the display.
  • this equivalent circuit includes two p-channel TFTs (Thin Film Transistors) 101 and 102 which are active elements, and a capacitor (Cs) 104.
  • the scanning line W S is connected to the gate of the selection TFT 101
  • the data line W D is connected to the source of the selection TFT 101
  • the power supply line W Z for supplying a constant power supply voltage V DD is connected to the source of the driving TFT 102.
  • the drain of the selection TFT 101 is connected to the gate of the driving TFT 102, and a capacitor 104 is formed between the gate and source of the driving TFT 102.
  • the anode of the OEL 100 is connected to the drain of the driving TFT 102, and the cathode thereof is connected to a common potential.
  • the selection TFT 101 When a selection pulse is applied to the scanning line W S , the selection TFT 101 as a switch is turned on, and the source and drain are conducted. At this time, from the data lines W D, the data voltage supplied through the source and drain of the selection TFT 101, it is stored in the capacitor CS104. Since the data voltage stored in the capacitor 104 is applied between the gate and source of the driving TFT 102, a drain current Id corresponding to the gate-source voltage (hereinafter referred to as gate voltage) Vgs of the driving TFT 102 flows. Supplied to the OEL 100.
  • gate voltage gate voltage
  • FIG. 2 is a graph illustrating the variation of luminance (L) with respect to the driving time of the organic EL element (OEL).
  • variation when drive current (I) is made constant is shown typically.
  • the luminance (L) of the organic EL element is normalized (normalized) with the luminance (L 0 ) in the initial state (when the driving time is 0 ) being 1 (100%).
  • the luminance-current (LI) characteristic changes with the driving time, and the emission luminance decreases with time.
  • Non-Patent Document 1 A driving circuit and a driving method for compensating the threshold voltage shift of the organic TFT are disclosed in, for example, Patent Documents 1-3.
  • Patent Documents 1-3 it is extremely important to realize a highly reliable organic EL display by suppressing the decrease in luminance over time of the organic EL element as described above.
  • An object of the present invention is to provide a highly reliable organic EL display that suppresses a decrease in luminance over time of an organic EL element in an active matrix driving type organic EL display. It is another object of the present invention to provide a color display device excellent in reliability and color rendering.
  • the display device of the present invention has an active matrix type display panel composed of a plurality of display cells each having an organic EL (Electroluminescent) element and a driving transistor for driving the organic EL element based on a data signal.
  • a display device that sequentially scans each of the scanning lines and supplies a data signal to a display cell according to the scanning,
  • a luminance reduction detector for detecting a luminance reduction of the organic EL element;
  • a reverse bias voltage generator for generating a reverse bias voltage pulse according to the magnitude of the luminance decrease;
  • a controller for controlling the application of the reverse bias voltage pulse to the driving transistor within a non-light-emitting period of the organic EL element.
  • the driving method of the present invention includes an active matrix type display panel including a plurality of display cells each having an organic EL (Electroluminescent) element and a driving transistor for driving the organic EL element based on a data signal.
  • Each of the scanning lines is sequentially scanned and a data signal is supplied to the display cell in accordance with the scanning to drive the display device, Detecting a decrease in luminance of the organic EL element; Generating a reverse bias voltage pulse according to the magnitude of the luminance decrease; And controlling to apply the reverse bias voltage pulse to the drive transistor within a non-light emitting period of the organic EL element.
  • FIG. 4 is a diagram showing a display cell PL j, i related to a data line Xi and a scanning line Yj among a plurality of display cells PL 1,1 to PL n, m of the display panel shown in FIG. It is a graph which illustrates the fluctuation
  • FIG. 1 is a diagram schematically showing a circuit configuration of Example 1.
  • FIG. 4 is a timing chart schematically showing application timings of scanning pulses applied to the respective scanning lines Y1 to Yn of the display panel 11 and voltages applied to the data lines X1 to Xm in the first embodiment.
  • 6 is a diagram schematically illustrating a circuit configuration of Example 2.
  • FIG. 3 shows a display device 10 using an active matrix display panel according to the present invention.
  • the display device 10 includes a display panel 11, a scan driver 12, a data driver 13, a controller 15, a light emitting element driving power supply 16, a luminance decrease detector 17, and a reverse bias voltage generator 18.
  • the display cells PL 1,1 to PL n, m are arranged at the intersections of the data lines X1 to Xm and the scanning lines Y1 to Yn, and all have the same configuration.
  • the display cells PL 1,1 to PL m, n are supplied with the light emitting element driving voltage (Va) from the power source 16 through the power line Z.
  • Va light emitting element driving voltage
  • the display device 10 is a color display device.
  • TFTs thin film transistors
  • Cs data holding capacitor
  • OEL organic EL
  • the gate G of the selection TFT (T1) 21 is connected to the scanning line Yj, and its source S is connected to the data line Xi.
  • the gate G of the driving TFT (T2) 22 is connected to the drain D of the selection TFT 21.
  • the source S of the TFT 22 is connected to the power supply line Z, and a power supply voltage (positive voltage Va) is supplied from the power supply 16.
  • the drain of the TFT 22 is connected to the anode of the EL element 25.
  • the cathode of the EL element 25 is connected to a predetermined potential (grounded in this embodiment).
  • One end (first terminal; electrode E1) of the capacitor (Cs) 24 is connected to the gate of the driving TFT (and the drain of the selection TFT 21), and the other end (second terminal; electrode E2) is the source of the driving TFT. Connected to S.
  • the scanning lines Y 1 to Yn of the display panel 11 are connected to the scanning driver 12, and the data lines X 1 to Xm are connected to the data driver 13.
  • the controller 15 is supplied with a video signal DI, a vertical synchronization signal Vsync, a horizontal synchronization signal Hsync, and a system clock CLK. Using the vertical synchronization signal Vsync, the horizontal synchronization signal Hsync, and the system clock CLK, a scanning control signal and a data control signal are generated in order to perform gradation drive control of the display panel 11 according to the video signal DI.
  • the scan control signal is supplied to the scan driver 12, and the data control signal is supplied to the data driver 13.
  • the controller 15 controls the entire display device 10, that is, controls the scanning driver 12, the data driver 13, the light emitting element driving power supply 16, the luminance reduction detector 17, and the reverse bias voltage generator 18.
  • FIG. 5 is a graph illustrating the fluctuation of the forward voltage (Vf) with respect to the driving time of the organic EL element (OEL). In addition, the fluctuation
  • FIG. 6 is a graph illustrating the shift of current (drain current: Id) with respect to the driving time of the organic TFT.
  • the vertical axis of the graph shows the drain current (Id) of the organic TFT normalized by setting the drain current (Id 0 ) at the time when the driving time is 0 to 1 (100%).
  • Vth threshold voltage
  • Vth the threshold voltage of the organic TFT changes depending on the magnitude of the applied reverse bias voltage (described later)
  • the magnitude of the fluctuation of the drain current with respect to the driving time of the organic TFT is large. Change. That is, as the reverse bias voltage increases, the drain current decreases less, and depending on the magnitude of the reverse bias voltage, the drain current increases from the initial time point (drive time 0).
  • FIG. 7 is a graph illustrating the drain current (Id) with respect to the gate voltage (Vgs) of the organic TFT when the reverse bias voltage (Vr) is used as a parameter.
  • the Id-Vgs curve is shown after driving for 60 minutes with the gate voltage (Vgs) set to -5 V and the reverse bias voltage (Vr) set to +2.5 V, +5 V, and +10 V, respectively. That is, as shown in the figure, when the reverse bias voltage is increased, the threshold voltage (Vth) of the organic TFT is shifted in a decreasing direction, and as a result, the drain current (that is, the driving current of the organic EL element) is increased. On the other hand, when the reverse bias voltage is decreased, the threshold voltage (Vth) is shifted to increase, and as a result, the drain current is decreased.
  • the drain current of the organic TFT (current that drives the organic EL element) can be adjusted without changing the display signal voltage, so that the luminance change (decrease) with respect to the driving time of the organic EL element ) Can be compensated.
  • a driving method using the characteristics of the organic TFT and the characteristics of the organic EL element will be described in detail.
  • FIG. 8 is a diagram schematically illustrating a circuit configuration of the first embodiment.
  • the luminance reduction detector 17 described above is configured as a forward voltage detector that detects fluctuations in the forward voltage (Vf) of the organic EL element (OEL) 25. That is, the luminance drop detector (referred to as a forward voltage detector in this embodiment) 17 is a predetermined display cell PL k1, k2 (display cell related to the scanning line Yk1, data line Xk2) of the display panel 11.
  • the forward voltage (Vf) of the organic EL element (OEL) 25 is detected, and the detected voltage is supplied to the reverse bias voltage generator 18.
  • the reverse bias voltage generator 18 generates a reverse bias voltage having a magnitude corresponding to the detected forward voltage of the OEL 25 and supplies the reverse bias voltage to the controller 15. More specifically, in the present embodiment, a case where a reverse bias voltage having a magnitude proportional to an increase in the forward voltage of the OEL 25 (difference from the initial value) is generated and applied to the organic TFT (driving TFT) 22 is taken as an example. Explained.
  • the controller 15 supplies the data driver 13 with a control signal for applying the reverse bias voltage and the reverse bias voltage to the drive TFT 22.
  • FIG. 9 is a timing chart schematically showing scanning pulses applied to the scanning lines Y1 to Yn of the display panel 11 and voltage timings applied to the data lines X1 to Xm.
  • scanning pulses SP are sequentially applied to the first to nth scanning lines (Y1 to Yn), and line sequential scanning is performed (address period: Tadr).
  • Charges corresponding to the data voltage Vdata are accumulated in the capacitor 24, and the voltage is held.
  • OEL organic light emitting element
  • the scanning pulse SP is applied to the scanning line Y2, and the scanning line Y2 is selected (selection period Ts).
  • the gate of the driving TFT 22 of the display cell PL 2, i (i 1, 2,..., M) connected to the scanning line Y2 during the reverse bias voltage application period Tr.
  • a reverse bias voltage pulse is applied to.
  • line-sequential scanning is performed up to the scanning line Yn (address period: Tadr), and a reverse bias voltage is applied to all the display cells of the display panel 11 and display control according to the video data signal is performed. Similar reverse bias voltage application and display control are performed for the next image frame. However, the reverse bias voltage application may not be performed for all frames, and may be performed every several frames.
  • the reverse bias voltage that is, the voltage value of the rectangular pulse
  • the OEL signal is not changed without changing the display signal voltage.
  • the drive current can be increased. Therefore, it is possible to compensate and reduce the decrease in luminance of the OEL over time.
  • the reverse bias voltage is applied in the address period (writing period).
  • the application period of the reverse bias voltage is not limited to the writing period. That is, since the organic EL element does not emit light when the reverse bias voltage is applied, the reverse bias voltage can be applied as long as the organic EL element may be non-light emitting. For example, a blanking period or a period between frames can be used.
  • the forward voltage detector 17 has been described as an example in which the forward voltage of the organic EL elements (OEL) 25 of the predetermined display cells PL k1 and k2 of the display panel 11 is detected.
  • the direction voltage detector 17 may be configured to detect the forward voltage of the plurality of OELs 25 of the display panel 11.
  • the entire display panel 11 can be configured to compensate for the reduction in luminance by a predetermined statistical method such as the average value of the forward voltage of the OEL 25.
  • FIG. 10 is a diagram schematically illustrating a circuit configuration of the second embodiment.
  • the monitor OEL 32 is driven by a predetermined drive current from the constant current circuit 31.
  • the forward voltage detector 17, which is a luminance reduction detector, detects the forward voltage (Vf) of the OEL 32 and supplies the detected voltage to the reverse bias voltage generator 18.
  • the reverse bias voltage generator 18 generates a reverse bias voltage corresponding to the detected forward voltage of the OEL 32 and supplies the reverse bias voltage to the controller 15.
  • the controller 15 supplies the data driver 13 with a control signal for applying the reverse bias voltage and the reverse bias voltage to the OEL 25 of the display panel 11.
  • Vdata a data voltage
  • the reverse bias voltage application and the data voltage signal application operation to the OEL 25 of the display panel 11 can be performed in the same manner as in the first embodiment.
  • a monitoring OEL 32 as a reference for detecting the forward voltage is provided, and the forward voltage when driven with a constant drive current is detected. That is, the monitoring OEL 32 is driven by a constant current from the constant current circuit 31, and the forward voltage is detected. Therefore, a more accurate forward voltage can be used as a reference, and highly accurate luminance reduction compensation that more reflects the luminance reduction of the display cells of the entire display panel 11 can be performed.
  • the driving current of the OEL 32 may be a fixed current that is set or may be a current corresponding to a display signal.
  • the reverse bias application period (Tr) is constant and the reverse bias voltage having a magnitude corresponding to the forward voltage (Vf) of the organic EL element (OEL) is applied has been described.
  • the reverse bias voltage may be constant, and the reverse bias voltage application period (or reverse bias voltage pulse width) may be adjusted according to the forward voltage (Vf) of the organic EL element.
  • the reverse bias voltage generator 18 generates the reverse bias voltage (Vr1) in the application period (Tr1, reverse bias voltage pulse width) corresponding to the detected forward voltage of the organic EL element (OEL).
  • the drive TFT 22 is configured to be applied.
  • the reverse bias voltage (Vr1) is made constant in the present embodiment, and the magnitude of the reverse bias voltage (Vr1) is implemented.
  • the reverse bias application period (Tr1) may be adjusted to be longer than that in the first embodiment (Tr) while being smaller than that in the first embodiment (Vr).
  • the magnitude of the reverse bias voltage (Vr1) of the present embodiment is made larger than that in the case of the first embodiment (Vr). Instead, the reverse bias application period (Tr1) of the first embodiment is used. What is necessary is just to adjust so that it may become shorter than the case (Tr).
  • FIG. 12 schematically shows the configuration of the color display device 10 of this embodiment. That is, pixels composed of three display cells of red (R), green (G), and blue (B) are sequentially arranged on one scanning line Yk. Specifically, the pixels (PL k, 1R , PL k, 1G , PL k, 1B ), (PL k, 2R , PL k, 2G , PL k, 2B ),..., (PL k, mB , PL k, mB , PL k, mB ) are sequentially arranged.
  • the forward voltage detector 17 is a forward voltage of the organic EL element (OEL) 25 of the display cell (PL k1, k2R , PL k1, k2G , PL k1, k2B ) of a predetermined pixel of the display panel 11.
  • OEL organic EL element
  • the reverse bias voltage generator 18 generates a reverse bias voltage (VrR, VrG, Vrf) having a magnitude corresponding to the detected forward voltage (VfR, VfG, VBf) of the OEL 25 and supplies it to the controller 15.
  • the data driver 13 Based on the control of the controller 15, the data driver 13 applies the reverse bias voltage (VrR, VrG, Vrf) to the data line (X1R corresponding to R, G, B) according to the scanning of each scanning line Y1 to Yn. , X1G, X1B) to (XmR, XmG, XmB).
  • VrR, VrG, Vrf reverse bias voltage
  • a reverse bias voltage having a magnitude proportional to an increase in the forward voltage of the OEL 25 for each color of R, G, B is generated, and an organic TFT (drive TFT) corresponding to the OEL 25 for each color of R, G, B ) 22 is applied.
  • the present embodiment it is possible to increase the driving current of the OEL 25 of each color of R, G, B without changing the display signal voltage. Therefore, even if the luminance degradation of the OEL of each color is different, the decrease in luminance can be compensated / reduced for each color. That is, since it is possible to compensate for a decrease in luminance for each color, it is possible to provide a color display device that has no luminance deterioration and excellent color rendering properties.
  • the luminance reduction detector 17 can be configured as a circuit that calculates the cumulative drive time of the organic EL elements of the display panel 11.
  • (A2) As a direct method for lowering the luminance of the organic EL element, a light receiving element for detecting the light emission luminance of the organic EL element is provided, and the magnitude of the reverse bias voltage, the application period, etc. based on the detected luminance reduction You may comprise so that it may change.
  • (A3) In the above-described embodiments, the case where the magnitude of the reverse bias voltage to be applied, the application period, and the like are determined in proportion to the increase in the forward voltage of the organic EL element has been described. However, the present invention is not limited to this. For example, the magnitude of the reverse bias voltage with respect to the magnitude of the forward voltage of the organic EL element may be determined to be non-linear (super linear or sub linear). In short, what is necessary is just to determine that the brightness
  • the second embodiment can be applied to the case of a color display device (fourth embodiment), and the monitor OELs for R, G, and B colors can be individually provided.
  • the monitor OELs for R, G, and B colors can be individually provided.
  • a dedicated monitor OEL since a dedicated monitor OEL is used, it is possible to realize a color display device that can detect a luminance drop (forward voltage change) with high accuracy and is excellent in color rendering.
  • both the magnitude of the reverse bias voltage and the application period may be adjusted according to the decrease in luminance of the organic EL element. In this case, it is possible to compensate for the luminance reduction with high accuracy and a large dynamic range.
  • the luminance decrease with time of the organic EL element is detected, and the reverse applied to the driving TFT that drives the organic EL element according to the magnitude of the luminance decrease.
  • the bias voltage is adjusted. That is, the reverse bias voltage is adjusted, and the drive current for driving the organic EL element is increased in accordance with the magnitude of the luminance decrease, thereby compensating / reducing the luminance decrease over time of the organic EL element.

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Abstract

アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬディスプレイにおける有機ＥＬ素子の経時的な輝度低下を抑制し、信頼性の高い有機ＥＬディスプレイを提供する。有機ＥＬ素子の輝度低下を検出する輝度低下検出器（１７）と、上記輝度低下の大きさに応じた逆バイアス電圧パルスを生成する逆バイアス電圧生成器（１８）と、有機ＥＬ素子の非発光期間内において、駆動トランジスタに上記逆バイアス電圧パルスを印加する制御をなすコントローラ（１５）と、を有する表示装置である。

Description

アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置及びその駆動方法 発明の属する技術分野
　本発明は、有機ＥＬ素子を発光素子とするアクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイ表示装置及びその駆動方法に関する。
　アクティブマトリクス型の有機ＥＬディスプレイは薄型で、高画質なディスプレイが実現可能であるとして活発に研究開発が進められている。図１は、有機ＥＬ（Organic Electroluminescent）素子（ＯＥＬ）１００の駆動回路の等価回路の一例を、当該ディスプレイの一つの画素について示している。図１を参照すると、この等価回路は、能動素子である２つのｐチャンネルＴＦＴ（Thin Film Transistor）１０１，１０２と、キャパシタ（Ｃs）１０４とを含む。走査線ＷSは選択ＴＦＴ１０１のゲートに接続され、データ線ＷDは選択ＴＦＴ１０１のソースに接続され、一定の電源電圧ＶDDを供給する電源線ＷZは駆動ＴＦＴ１０２のソースに接続されている。選択ＴＦＴ１０１のドレインは駆動ＴＦＴ１０２のゲートに接続されており、駆動ＴＦＴ１０２のゲートとソース間にキャパシタ１０４が形成されている。ＯＥＬ１００のアノードは駆動ＴＦＴ１０２のドレインに、そのカソードは共通電位にそれぞれ接続されている。
　走査線ＷSに選択パルスが印加されると、スイッチとしての選択ＴＦＴ１０１がターンオンし、ソース及びドレイン間が導通する。このとき、データ線ＷDから、選択ＴＦＴ１０１のソースとドレイン間を介してデータ電圧が供給され、キャパシタＣs１０４に蓄積される。このキャパシタ１０４に蓄積されたデータ電圧が駆動ＴＦＴ１０２のゲートとソース間に印加されるので、駆動ＴＦＴ１０２のゲート・ソース間電圧（以下、ゲート電圧と称する。）Ｖgsに応じたドレイン電流Ｉｄが流れ、ＯＥＬ１００に供給される。
　しかしながら、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の発光輝度は駆動時間とともに低下する。図２は、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の駆動時間に対する輝度（Ｌ）の変動を例示するグラフである。なお、駆動電流（Ｉ）を一定にしたときの変動を模式的に示している。また、有機ＥＬ素子の輝度（Ｌ）は、初期状態（駆動時間が０の時点）における輝度（Ｌ0）を１（100％）として規格化（ノーマライズ）して示している。図２に示すように、有機ＥＬ素子は一定電流で駆動しても駆動時間とともに輝度－電流（Ｌ－Ｉ）特性は変化し、経時的に発光輝度は低下する。
　一方、有機ＴＦＴ（駆動トランジスタ）について、閾値電圧が駆動時間とともにシフトすることが知られている（例えば、非特許文献１参照）。このような駆動トランジスタの閾値電圧シフトは、ＯＥＬの発光輝度の低下を引き起こす。有機ＴＦＴの閾値電圧シフトを補償するための駆動回路および駆動方法については、たとえば、特許文献１－３に開示されている。しかしながら、上記したような有機ＥＬ素子の経時的な輝度低下を抑制し、信頼性の高い有機ＥＬディスプレイを実現することが極めて重要である。
S. J. Zilker, C. Detcheverry, E. Cantatore, and D. M. de Leeuw, "Bias stress in organic thin-film transistors and logic gates," Applied Physics Letters Vol 79(8) pp. 1124-1126, August 20, 2001.
特表２００２－５１４３２０号公報（第１３－１５頁、図２，３） 特開２００２－３５１４０１号公報（第４頁、図１） 特開２００６－３５１４０１号公報（第１１頁、図５）
　本発明が解決しようとする課題には、上記した問題が一例として挙げられる。本発明は、アクティブマトリクス駆動方式の有機ＥＬディスプレイにおける有機ＥＬ素子の経時的な輝度低下を抑制し、信頼性の高い有機ＥＬディスプレイを提供することを目的とする。また、信頼性及び演色性に優れたカラーディスプレイ装置を提供することを目的とする。
　本発明の表示装置は、各々が有機ＥＬ（Electroluminescent）素子及び上記有機ＥＬ素子をデータ信号に基づいて駆動する駆動トランジスタを有する複数の表示セルからなるアクティブマトリクス型の表示パネルを有し、表示パネルの各走査線を順次走査するとともに、走査に応じてデータ信号を表示セルに供給して表示をなす表示装置であって、
　有機ＥＬ素子の輝度低下を検出する輝度低下検出器と、
　上記輝度低下の大きさに応じた逆バイアス電圧パルスを生成する逆バイアス電圧生成器と、
　有機ＥＬ素子の非発光期間内において、駆動トランジスタに上記逆バイアス電圧パルスを印加する制御をなすコントローラと、を有することを特徴としている。
　本発明の駆動方法は、各々が有機ＥＬ（Electroluminescent）素子及び上記有機ＥＬ素子をデータ信号に基づいて駆動する駆動トランジスタを有する複数の表示セルからなるアクティブマトリクス型の表示パネルを有し、表示パネルの各走査線を順次走査するとともに、上記走査に応じてデータ信号を表示セルに供給して表示をなす表示装置の駆動方法であって、
　有機ＥＬ素子の輝度低下を検出するステップと、
　上記輝度低下の大きさに応じた逆バイアス電圧パルスを生成するステップと、
　有機ＥＬ素子の非発光期間内において、駆動トランジスタに上記逆バイアス電圧パルスを印加する制御をなすステップと、を有している。
従来の有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の画素の等価回路の一例を示す図である。 有機ＥＬ素子の駆動時間に対する輝度（Ｌ）の変動を例示するグラフである。 本発明によるアクティブマトリクス表示パネルを用いた表示装置を示す図である。 図３に示す表示パネルの複数の表示セルＰＬ1,1～ＰＬn,mのうち、データ線Ｘｉ及び走査線Ｙｊに関連する表示セルＰＬj,iについて示す図である。 有機ＥＬ素子の駆動時間に対する順方向電圧（Ｖｆ）の変動を例示するグラフである。 有機ＴＦＴの駆動時間に対する電流（ドレイン電流：Iｄ）のシフトを例示するグラフである。 逆バイアス電圧（Ｖｒ）をパラメータとした場合の、有機ＴＦＴのゲート電圧（Ｖgs）に対するドレイン電流（Iｄ）を例示するグラフである。 実施例１の回路構成を模式的に示す図である。 実施例１において、表示パネル１１の各走査線Ｙ１～Ｙｎに印加される走査パルス及びデータ線Ｘ１～Ｘｍに印加される電圧の印加タイミングを模式的に示すタイミングチャートである。 実施例２の回路構成を模式的に示す図である。 実施例２において、走査線に印加される走査パルス及びデータ線Ｘｊ（ｊ＝１～ｍ）に印加される電圧タイミングを模式的に示すタイミングチャートである。 実施例４のカラー表示装置の構成を模式的に示す図である。
　以下、本発明の実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。尚、以下に説明する図において、実質的に同等な部分には同一の参照符を付している。
　図３は本発明によるアクティブマトリクス表示パネルを用いた表示装置１０を示している。この表示装置１０は、表示パネル１１、走査ドライバ１２、データドライバ１３、コントローラ１５、発光素子駆動電源１６、輝度低下検出器１７及び逆バイアス電圧生成器１８を備えている。
　表示パネル１１は、ｍ×ｎ個（ｍ，ｎは２以上の整数）の表示セルからなるアクティブマトリクス型のものであり、各々が平行に配置された複数のデータ線Ｘ１～Ｘｍ（Ｘｉ：ｉ＝１～ｍ）と、複数の走査線Ｙ１～Ｙｎ（Ｙｊ：ｊ＝１～ｎ）と、複数の表示セルＰＬ1,1～ＰＬn,mを有している。表示セルＰＬ1,1～ＰＬn,mは、データ線Ｘ１～Ｘｍと走査線Ｙ１～Ｙｎとの交差部分に配置され、全て同一の構成を有する。また、表示セルＰＬ1,1～ＰＬm,nには電源１６から電源線Ｚを介して発光素子駆動電圧（Ｖa）が供給される。なお、本実施例においては、表示装置１０がモノクロ表示装置であって、各表示セルＰＬが１画素を構成している場合を例に説明する。しかし、表示装置１０がカラー表示装置であって、カラー表示のために、例えば、それぞれ赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の３つの表示セルが１画素を構成するように構成されていてもよい。
　図４は、表示パネル１１の複数の表示セルＰＬ1,1～ＰＬn,mのうち、データ線Ｘｉ（ｉ＝１，２，．．，ｍ）及び走査線Ｙｊ（ｊ＝１，２，．．，ｎ）に関連する表示セルＰＬj,iについて示している。より具体的には、選択及び駆動ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）２１，２２と、データ保持用キャパシタ（Ｃｓ）２４と、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）発光素子（ＯＥＬ）２５とが備えられている。なお、以下においては、駆動ＴＦＴ２２がＰチャネルＴＦＴの場合を例に説明するが、ＮチャネルＴＦＴの場合であっても同様である。
　選択ＴＦＴ（Ｔ１）２１のゲートＧは走査線Ｙｊに接続され、そのソースＳはデータ線Ｘｉに接続されている。選択ＴＦＴ２１のドレインＤには駆動ＴＦＴ（Ｔ２）２２のゲートＧが接続されている。ＴＦＴ２２のソースＳは電源線Ｚに接続され、電源１６から電源電圧（正電圧Ｖa）が供給される。ＴＦＴ２２のドレインはＥＬ素子２５のアノードに接続されている。ＥＬ素子２５のカソードは所定の電位に接続（本実施例では接地）されている。また、キャパシタ（Ｃｓ）２４の一端（第１の端子；電極Ｅ１）は駆動ＴＦＴのゲート（及び選択ＴＦＴ２１のドレイン）に接続され、他端（第２の端子；電極Ｅ２）は駆動ＴＦＴのソースＳに接続されている。表示パネル１１の走査線Ｙ１～Ｙｎは走査ドライバ１２に接続され、またデータ線Ｘ１～Ｘｍはデータドライバ１３に接続されている。
　コントローラ１５には、映像信号ＤＩ、垂直同期信号Ｖsync、水平同期信号Ｈsync及びシステムクロックＣＬＫが供給される。垂直同期信号Ｖsync、水平同期信号Ｈsync及びシステムクロックＣＬＫを用い、映像信号ＤＩに応じて表示パネル１１を階調駆動制御するために走査制御信号及びデータ制御信号を生成する。走査制御信号は走査ドライバ１２に供給され、データ制御信号はデータドライバ１３に供給される。コントローラ１５は表示装置１０全体の制御、すなわち走査ドライバ１２、データドライバ１３、発光素子駆動電源１６、輝度低下検出器１７及び逆バイアス電圧生成器１８の制御を行う。
　図５は、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の駆動時間に対する順方向電圧（Ｖｆ）の変動を例示するグラフである。なお、駆動電流（Ｉ）を一定にしたときの変動を模式的に示している。図５に示すように、有機ＥＬ素子の順方向電圧（Ｖｆ）は駆動時間に応じて変化（増加）する。
　図６は、有機ＴＦＴの駆動時間に対する電流（ドレイン電流：Iｄ）のシフトを例示するグラフである。グラフの縦軸は、有機ＴＦＴのドレイン電流（Iｄ）を駆動時間が０の時点におけるドレイン電流（Iｄ0）を１（100％）として規格化して示している。横軸は駆動時間ｔ（単位：分）を示している。すなわち、図６に示すように、駆動トランジスタなどに用いられる有機ＴＦＴは、ゲートに順バイアスを印加し続ければドレイン電流は低下する一方であるが（Ｖｒ＝０、鎖線で示している）、逆バイアス電圧を印加することによってドレイン電流の低下を補償することができる。そして、印加する逆バイアス電圧の大きさにより、有機ＴＦＴの閾値電圧（Ｖth）が変化するため（後述する）、表示信号電圧が一定でも、有機ＴＦＴの駆動時間に対するドレイン電流の変動の大きさが変化する。つまり、逆バイアス電圧が大きいほどドレイン電流の低下は少なく、逆バイアス電圧の大きさによっては、ドレイン電流は初期の時点（駆動時間が０）よりも増加する。
　図７は、逆バイアス電圧（Ｖｒ）をパラメータとした場合の、有機ＴＦＴのゲート電圧（Ｖgs）に対するドレイン電流（Iｄ）を例示するグラフである。具体的には、ゲート電圧（Ｖgs）を－５Ｖとし、逆バイアス電圧（Ｖｒ）をそれぞれ＋２．５Ｖ，＋５Ｖ，＋１０Ｖとして６０分駆動した後のIｄ－Ｖgs曲線を示している。すなわち、図に示されるように、逆バイアス電圧を大きくすると有機ＴＦＴの閾値電圧（Ｖth）が小さくなる方向にシフトし、その結果ドレイン電流（すなわち、有機ＥＬ素子の駆動電流）が増加する。また、これとは反対に、逆バイアス電圧を小さくすると閾値電圧（Ｖth）が大きくなる方向にシフトし、その結果、ドレイン電流が減少する。
　上記した特性を利用することによって、表示信号電圧を変えることなく、有機ＴＦＴのドレイン電流（有機ＥＬ素子を駆動する電流）を調整することができるので、有機ＥＬ素子の駆動時間に対する輝度変化（低下）を補償することができる。以下に、かかる有機ＴＦＴの特性及び有機ＥＬ素子の特性を利用した駆動方法について具体的に説明する。
　図８は、実施例１の回路構成を模式的に示す図である。本実施例１においては、上記した輝度低下検出器１７は、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）２５の順方向電圧（Ｖｆ）の変動を検出する順方向電圧検出器として構成されている。すなわち、輝度低下検出器（本実施例において、順方向電圧検出器という。）１７は、表示パネル１１の所定の表示セルＰＬk1,k2（走査線Ｙk1，データ線Ｘk2に関連する表示セル）の有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）２５の順方向電圧（Ｖｆ）を検出し、検出電圧を逆バイアス電圧生成器１８に供給する。逆バイアス電圧生成器１８は、検出されたＯＥＬ２５の順方向電圧に応じた大きさの逆バイアス電圧を生成し、コントローラ１５に供給する。より詳細には、本実施例では、ＯＥＬ２５の順方向電圧の増加（初期値からの差分）に比例した大きさの逆バイアス電圧を生成し、有機ＴＦＴ（駆動ＴＦＴ）２２に印加する場合を例に説明する。
　コントローラ１５は、当該逆バイアス電圧及び逆バイアス電圧を駆動ＴＦＴ２２に印加するための制御信号をデータドライバ１３に供給する。データドライバ１３は、コントローラ１５の制御に基づいて、逆バイアス電圧又はデータ電圧（Ｖdata）をデータ線Ｘｉ（ｉ＝１，２，．．，ｍ）を介して各表示セルに供給する。
　次に、順方向電圧検出器１７、逆バイアス電圧生成器１８の動作及びコントローラ１５の逆バイアス電圧印加制御について詳細に説明する。図９は、表示パネル１１の各走査線Ｙ１～Ｙｎに印加される走査パルス及びデータ線Ｘ１～Ｘｍに印加される電圧タイミングを模式的に示すタイミングチャートである。
　入力映像データ信号の各映像フレームにおいて、第１～第ｎ走査線（Ｙ１～Ｙｎ）には走査パルスＳＰが順次印加され、線順次走査が行われる（アドレス期間：Ｔadr）。まず、走査線Ｙ１に走査パルスＳＰが印加されて走査線Ｙ１が選択される（走査線Ｙ１がＯＮ、選択期間Ｔｓ）と、選択ＴＦＴ２１が導通し、データドライバ１３からデータ線Ｘｉ（ｉ＝１，２，．．，ｍ）に逆バイアス電圧（Ｖｒ）が供給される。従って、当該逆バイアス電圧の供給期間において走査線Ｙ１に接続された表示セルＰＬ1,i（ｉ＝１，２，．．，ｍ）の駆動ＴＦＴ２２のゲートには逆バイアス電圧が印加される（印加期間は一定、かつＴｒ＜Ｔｓ）。逆バイアス電圧の印加期間Ｔｒが経過した後、データドライバ１３からデータ線Ｘｉ（ｉ＝１，２，．．，ｍ）に映像データ信号（データ電圧Ｖdata）がキャパシタ２４の電極Ｅ１に供給される。キャパシタ２４にはデータ電圧Ｖdataに対応する電荷が蓄積され、当該電圧が保持される。そして、駆動ＴＦＴ２２にはゲート電圧Ｖgs（＝Ｖdata－Ｖａ）に応じたドレイン電流が流れる。従って、映像データ信号に応じた輝度で有機発光素子（ＯＥＬ）２５は駆動され、発光する。
　走査線Ｙ１のデータ書込が終了後（選択期間Ｔｓの経過後）、走査線Ｙ２に走査パルスＳＰが印加されて走査線Ｙ２が選択される（選択期間Ｔｓ）。上記した走査線Ｙ１の場合と同様に、逆バイアス電圧の印加期間Ｔｒにおいて、走査線Ｙ２に接続された表示セルＰＬ2,i（ｉ＝１，２，．．，ｍ）の駆動ＴＦＴ２２のゲートには逆バイアス電圧パルスが印加される。逆バイアス印加期間Ｔｒが経過した後、データドライバ１３からデータ線Ｘｉ（ｉ＝１，２，．．，ｍ）に映像データ信号（データ電圧Ｖdata）が供給され、映像データ信号に応じた輝度で表示セルＰＬ2,i（ｉ＝１，２，．．，ｍ）のＯＥＬ２５は駆動され、発光する。
　同様に、走査線Ｙｎまで線順次走査が行われ（アドレス期間：Ｔadr）、表示パネル１１の表示セルの全てについて逆バイアス電圧の印加及び映像データ信号に応じた表示制御が行われる。そして、次の画像フレームについても同様な逆バイアス電圧印加及び表示制御が行われる。しかしながら、全てのフレームについて逆バイアス電圧印加を行わず、数フレーム毎に行うようにしてもよい。
　従って、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の順方向電圧の増加に比例して駆動ＴＦＴ２２に印加する逆バイアス電圧（すなわち、矩形パルスの電圧値）を大きくすることにより、表示信号電圧を変えずにＯＥＬの駆動電流を増加させることができる。従って、ＯＥＬの経時的な輝度の低下を補償・軽減することができる。
　なお、上記においては、アドレス期間（書き込み期間）において逆バイアス電圧を印加する場合について説明した。しかしながら、逆バイアス電圧の印加期間は当該書き込み期間に限らない。すなわち、逆バイアス電圧の印加によって有機ＥＬ素子は非発光となるので、有機ＥＬ素子が非発光であってもよい期間であれば逆バイアス電圧を印加することができる。例えば、ブランキング期間や、フレーム間の期間など、を利用することができる。
　また、上記においては、順方向電圧検出器１７は、表示パネル１１の所定の表示セルＰＬk1,k2の有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）２５の順方向電圧を検出する場合を例に説明したが、順方向電圧検出器１７が表示パネル１１の複数のＯＥＬ２５の順方向電圧を検出するように構成するようにしてもよい。また、この場合、これらのＯＥＬ２５の順方向電圧の平均値など所定の統計的な手法により、表示パネル１１全体の輝度低下を補償するように構成することができる。
　上記した実施例１においては、表示パネル１１の所定の表示セルＰＬk1,k2の有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）２５の順方向電圧を検出する場合を例に説明した。しかし、本実施例においては、表示パネル１１のＯＥＬ２５とは別にモニタ用のＯＥＬ３２を設け、モニタ用ＯＥＬ３２の順方向電圧を検出するようにしている。図１０は、実施例２の回路構成を模式的に示す図である。
　より詳細には、図１０に示すように、モニタ用ＯＥＬ３２は、定電流回路３１からの所定の駆動電流で駆動される。輝度低下検出器である順方向電圧検出器１７は、ＯＥＬ３２の順方向電圧（Ｖｆ）を検出し、検出電圧を逆バイアス電圧生成器１８に供給する。逆バイアス電圧生成器１８は、検出されたＯＥＬ３２の順方向電圧に応じた逆バイアス電圧を生成し、コントローラ１５に供給する。コントローラ１５は、当該逆バイアス電圧及び逆バイアス電圧を表示パネル１１のＯＥＬ２５に印加するための制御信号をデータドライバ１３に供給する。データドライバ１３は、コントローラ１５の制御に基づいて、逆バイアス電圧又はデータ電圧（Ｖdata）をデータ線Ｘｉ（ｉ＝１，２，．．，ｍ）を介して各表示セルの駆動ＴＦＴ２２に供給する。なお、表示パネル１１のＯＥＬ２５への逆バイアス電圧印加及びデータ電圧信号の印加動作は上記した実施例１の場合と同様にすることができる。
　本実施例の場合、順方向電圧の検出基準とするモニタ用のＯＥＬ３２を設け、一定の駆動電流で駆動したときの順方向電圧を検出する構成としている。すなわち、定電流回路３１からの一定電流によってモニタ用ＯＥＬ３２を駆動し、その順方向電圧を検出している。従って、より高精度な順方向電圧を基準とでき、表示パネル１１全体の表示セルの輝度低下をより反映した高精度な輝度低下補償を行うことができる。なお、ＯＥＬ３２の駆動電流は設定された固定電流でもよく、あるいは、表示信号に応じた電流であってもよい。
　上記した実施例１、２においては、逆バイアス印加期間（Ｔr）を一定とし、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の順方向電圧（Ｖｆ）に応じた大きさの逆バイアス電圧を印加する場合について説明した。しかしながら、逆バイアス電圧の大きさを一定とし、有機ＥＬ素子の順方向電圧（Ｖｆ）に応じて、逆バイアス電圧の印加期間（あるいは、逆バイアス電圧パルス幅）を調整するようにしてもよい。
　図１１は図９と同様な、走査線に印加される走査パルス及びデータ線Ｘｊ（ｊ＝１～ｍ）に印加される電圧タイミングを模式的に示すタイミングチャートであるが、説明及び理解の容易さのため、第ｋ走査線Ｙｋ（ｋ＝１～ｎ）についてのみ示している。
　本実施例においては、逆バイアス電圧生成器１８は、検出された有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の順方向電圧に応じた印加期間（Ｔr1、逆バイアス電圧のパルス幅）で逆バイアス電圧（Ｖr1）を駆動ＴＦＴ２２に印加するよう構成されている。具体的には、例えば、実施例１の場合と同じ逆バイアス印加効果を得る場合には、本実施例においては逆バイアス電圧（Ｖr1）を一定とし、逆バイアス電圧（Ｖr1）の大きさを実施例１の場合（Ｖr）よりも小さくする一方、逆バイアス印加期間（Ｔr1）を実施例１の場合（Ｔr）よりも長くするように調整すればよい。また、これとは逆に、本実施例の逆バイアス電圧（Ｖr1）の大きさを実施例１の場合（Ｖr）よりも大きくし、代わりに、逆バイアス印加期間（Ｔr1）を実施例１の場合（Ｔr）よりも短くするように調整すればよい。
　本発明はカラーディスプレイ装置にも適用することができる。図１２は、本実施例のカラー表示装置１０の構成を模式的に示している。すなわち、１の走査線Ｙｋ上に赤色（Ｒ），緑色（Ｇ），青色（Ｂ）の３つの表示セルからなる画素が順次配置されている。具体的には、画素（ＰＬk,1R，ＰＬk,1G，ＰＬk,1B），（ＰＬk,2R，ＰＬk,2G，ＰＬk,2B），・・・，（ＰＬk,mB，ＰＬk,mB，ＰＬk,mB）が順次配置されている。
　本実施例において、順方向電圧検出器１７は、表示パネル１１の所定画素の表示セル（ＰＬk1,k2R，ＰＬk1,k2G，ＰＬk1,k2B）の有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）２５の順方向電圧（ＶfR，ＶfG，ＶBf）を検出し、検出電圧を逆バイアス電圧生成器１８に供給する。逆バイアス電圧生成器１８は、検出されたＯＥＬ２５の順方向電圧（ＶfR，ＶfG，ＶBf）に応じた大きさの逆バイアス電圧（ＶrR，ＶrG，Ｖrf）を生成し、コントローラ１５に供給する。そして、データドライバ１３はコントローラ１５の制御に基づき、各走査線Ｙ１～Ｙｎの走査に応じて、当該逆バイアス電圧（ＶrR，ＶrG，Ｖrf）を、Ｒ，Ｇ，Ｂに対応するデータ線（Ｘ1R，Ｘ1G，Ｘ1B）～（ＸmR，ＸmG，ＸmB）を介して各表示セルに供給する。
　すなわち、本実施例では、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のＯＥＬ２５の順方向電圧の増加に比例した大きさの逆バイアス電圧を生成し、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のＯＥＬ２５に対応する有機ＴＦＴ（駆動ＴＦＴ）２２に印加するように構成されている。
　本実施例によれば、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のＯＥＬ２５の駆動電流を表示信号電圧を変えずに増加させることができる。従って、各色のＯＥＬの輝度劣化が異なる場合であっても、各色ごとに輝度の低下を補償・軽減することができる。すなわち、各色ごとに輝度低下の補償を行うことができるので、輝度劣化の無い、かつ演色性に優れたカラーディスプレイ装置を提供することができる。
　上記した実施例においては、有機ＥＬ素子（ＯＥＬ）の輝度低下を検出するために、有機ＥＬ素子の順方向電圧を検出する場合を例に説明したが、これに限らない。例えば、以下のような改変例が挙げられる。
（Ａ１）上記したように、有機ＥＬ素子は駆動時間と共に輝度が低下するので、表示パネル１１、すなわち有機ＥＬ素子の累積駆動時間に基づいて、逆バイアス電圧の大きさ、印加期間等を変えるように構成してもよい。この場合、輝度低下検出器１７が表示パネル１１の有機ＥＬ素子の累積駆動時間を算出する回路として構成することができる。
（Ａ２）有機ＥＬ素子の輝度低下の直接的な方法として、有機ＥＬ素子の発光輝度を検出する受光素子を設け、当該検出された輝度低下に基づいて、逆バイアス電圧の大きさ、印加期間等を変えるように構成してもよい。
（Ａ３）上記した実施例においては、有機ＥＬ素子の順方向電圧の増加に比例して、印加する逆バイアス電圧の大きさ、印加期間等を定める場合について説明したが、これに限らない。例えば、有機ＥＬ素子の順方向電圧の大きさに対する逆バイアス電圧の大きさが非線形（スーパリニア、又はサブリニア）であるように定めてもよい。要は、有機ＥＬ素子の輝度低下（順方向電圧の変化）分が、逆バイアス電圧印加による駆動ＴＦＴのドレイン電流の増加によって補償されるように定めればよい。
　さらに、上記した実施例及び改変例は適宜組み合わせて、及び改変して適用することができるのはもちろんである。例えば、実施例２をカラーディスプレイ装置（実施例４）の場合に適用し、Ｒ，Ｇ，Ｂ各色のモニタ用ＯＥＬを個別に設けるように構成することができる。この場合、専用のモニタ用ＯＥＬを用いているため、高精度に輝度低下（順方向電圧変化）を検出でき、かつ演色性に優れたカラーディスプレイ装置を実現することができる。
　また、有機ＥＬ素子の輝度低下に応じて、逆バイアス電圧の大きさ及び印加期間（あるいは、逆バイアス電圧パルスの電圧値及びパルス幅）の両者を調整するようにしてもよい。この場合、高精度かつ大きなダイナミックレンジで輝度低下の補償が可能となる。
　以上、詳細に説明したように、本発明によれば、有機ＥＬ素子の経時的な輝度低下を検出して、当該輝度低下の大きさに応じて有機ＥＬ素子を駆動する駆動ＴＦＴに印加する逆バイアス電圧を調整している。すなわち、逆バイアス電圧の調整を行い、輝度低下の大きさに応じて有機ＥＬ素子を駆動する駆動電流を増加させて、有機ＥＬ素子の経時的な輝度低下を補償・軽減している。
　従って、有機ＥＬディスプレイにおける有機ＥＬ素子の経時的な輝度低下を高精度に補償し、信頼性の高い有機ＥＬディスプレイを提供することができる。また、信頼性かつ演色性に優れたカラーディスプレイ装置を提供することができる。
主要部分の符号の説明
１０  表示装置
１１  表示パネル
１２　走査ドライバ
１３　データドライバ
１５　コントローラ
１６　発光素子駆動電源
１７　輝度低下検出器
１８　逆バイアス電圧生成器
２１　選択ＴＦＴ
２２　駆動ＴＦＴ
２４　保持キャパシタ
２５　有機ＥＬ素子

Claims (13)

  1. 各々が有機ＥＬ（Electroluminescent）素子及び前記有機ＥＬ素子をデータ信号に基づいて駆動する駆動トランジスタを有する複数の表示セルからなるアクティブマトリクス型の表示パネルを有し、前記表示パネルの各走査線を順次走査するとともに、前記走査に応じて前記データ信号を前記表示セルに供給して表示をなす表示装置であって、
    　前記有機ＥＬ素子の輝度低下を検出する輝度低下検出器と、
    　前記輝度低下の大きさに応じた逆バイアス電圧パルスを生成する逆バイアス電圧生成器と、
    　前記有機ＥＬ素子の非発光期間内において、前記駆動トランジスタに前記逆バイアス電圧パルスを印加する制御をなすコントローラと、を有することを特徴とする表示装置。
  2. 　前記輝度低下検出器は、前記有機ＥＬ素子の順方向電圧の大きさに基づいて前記有機ＥＬ素子の輝度低下を検出することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記複数の表示セルの有機ＥＬ素子とは異なるモニタ用有機ＥＬ素子をさらに有し、
    　前記輝度低下検出器は、前記モニタ用有機ＥＬ素子の順方向電圧の大きさに基づいて前記有機ＥＬ素子の輝度低下を検出することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
  4. 　前記逆バイアス電圧パルスは、前記輝度低下の大きさに応じた電圧値を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１に記載の表示装置。
  5. 　前記逆バイアス電圧パルスは、前記輝度低下の大きさに応じたパルス幅を有することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１に記載の表示装置。
  6. 　前記駆動トランジスタは有機ＴＦＴ（Thin Film Transistor）であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１に記載の表示装置。
  7. 　前記表示セルは３色の有機ＥＬ素子を含み、前記輝度低下検出器は前記３色の有機ＥＬ素子の各々の輝度低下を検出し、前記逆バイアス電圧生成器は前記３色の有機ＥＬ素子の各々の輝度低下の大きさに応じた逆バイアス電圧パルスを生成し、前記コントローラは、前記３色の有機ＥＬ素子の各々についての前記逆バイアス電圧パルスを前記表示セルの３色の有機ＥＬ素子の各々に対応させて印加する制御をなすことを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１に記載の表示装置。
  8. 各々が有機ＥＬ（Electroluminescent）素子及び前記有機ＥＬ素子をデータ信号に基づいて駆動する駆動トランジスタを有する複数の表示セルからなるアクティブマトリクス型の表示パネルを有し、前記表示パネルの各走査線を順次走査するとともに、前記走査に応じて前記データ信号を前記表示セルに供給して表示をなす表示装置の駆動方法であって、
    　前記有機ＥＬ素子の輝度低下を検出するステップと、
    　前記輝度低下の大きさに応じた逆バイアス電圧パルスを生成するステップと、
    　前記有機ＥＬ素子の非発光期間内において、前記駆動トランジスタに前記逆バイアス電圧パルスを印加する制御をなすステップと、を有することを特徴とする駆動方法。
  9. 　前記輝度低下を検出するステップは、前記有機ＥＬ素子の順方向電圧の大きさに基づいて前記輝度低下を検出することを特徴とする請求項８に記載の駆動方法。
  10. 　前記表示パネルは前記複数の表示セルの有機ＥＬ素子とは異なるモニタ用有機ＥＬ素子を含み、
    　前記輝度低下を検出するステップは、前記モニタ用有機ＥＬ素子の順方向電圧の大きさに基づいて前記有機ＥＬ素子の輝度低下を検出することを特徴とする請求項８に記載の駆動方法。
  11. 　前記逆バイアス電圧パルスは、前記輝度低下の大きさに応じた電圧値を有することを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１に記載の駆動方法。
  12. 　前記逆バイアス電圧パルスは、前記輝度低下の大きさに応じたパルス幅を有することを特徴とする請求項８ないし１０のいずれか１に記載の駆動方法。
  13. 　前記駆動トランジスタは有機ＴＦＴ（Thin Film Transistor）であることを特徴とする請求項８ないし１２のいずれか１に記載の駆動方法。
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