WO2010016262A1

WO2010016262A1 - 熱アシスト磁気ヘッドおよび熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法

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Publication number: WO2010016262A1
Application number: PCT/JP2009/003779
Authority: WO
Inventors: 松本拓也; 古市浩朗
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Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2008-08-08
Filing date: 2009-08-06
Publication date: 2010-02-11
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Also published as: JP5028526B2; JPWO2010016262A1

Abstract

　熱アシスト磁気ヘッドにおいて、光源からスライダに光を伝送するための導波路、もしくはスライダ上に置く半導体レーザの位置合わせを行う際、光源からスライダに光を伝送するための導波路とスライダ中の導波路の間に位置ずれが生じてしまう、もしくはスライダ上に置く半導体レーザとスライダ中の導波路の間に位置ずれが生じてしまうという問題が発生する。　記録用の光を伝送するための導波路３の両脇に、アライメント用の導波路１６を形成する。このアライメント用導波路１６の浮上面側の端から、記録に用いる光とは別の光を入射させ、その反対側（スライダ上面側の端）が光るようにする。この発光点の像を観察することにより、記録用導波路３の光が入射する位置を決定する。

Description

熱アシスト磁気ヘッドおよび熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法

　本発明は、磁気記録媒体に光照射しながら磁気記録を行う熱アシスト磁気ヘッドおよび熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法に関する。

　近年、１Ｔｂ／ｉｎ²以上の記録密度を実現する記録方式として、熱アシスト磁気記録方式が提案されている（非特許文献１）。従来の磁気記録装置では、記録密度が１Ｔｂ／ｉｎ²以上になると、熱揺らぎによる記録情報の消失が問題となる。これを防ぐには、磁気記録媒体の保磁力を上げる必要があるが、記録ヘッドから発生させることができる磁界の大きさには限りがあるため、保磁力を上げすぎると媒体に記録ビットを形成することが不可能となる。これを解決するために、熱アシスト磁気記録方式では、記録の瞬間、媒体を光で加熱して保磁力を低下させる。これにより、高保磁力媒体への記録が可能となり、１Ｔｂ／ｉｎ²以上の記録密度実現が可能となる。

　熱アシスト磁気記録装置において、照射する光のスポット径は、記録ビットと同程度の大きさ（数１０ｎｍ）にする必要がある。なぜなら、光スポット径がそれよりも大きいと、隣接トラックの情報を消去してしまうからである。このような微小な領域を加熱するためには、近接場光を用いる。近接場光は、光波長以下の微小物体近傍に存在する局在した電磁場（波数が虚数成分を持つ光）であり、径が光波長以下の微小開口や金属の散乱体を用いて発生させる。例えば、高効率な近接場光発生器として三角形の形状をした金属散乱体を用いた近接場光発生器が提案されている（非特許文献２）。金属散乱体に光を入射させると、金属散乱体中にプラズモン共鳴が励起され、三角形の頂点に強い近接場光が発生する。この近接場光発生器を用いることにより、光を数１０ｎｍ以下の領域に高効率に集めることが可能になる。

　熱アシスト磁気記録を実現するためには、磁界を印加するための磁極近傍の媒体を光で加熱する必要がある。そのためには、例えば導波路を磁極脇に形成し、光源である半導体レーザの光を、磁極の先端近傍にまで導く。このとき、半導体レーザは、非特許文献３に記載されているように、例えばサスペンションの根元に置いて、そこから浮上スライダまで光ファイバなどの導波路を用いて光を導くようにする。若しくは、半導体レーザをスライダの上に配置し、出射光が磁極脇に形成した導波路に導入されるようにする。

　また、半導体レーザを導波路に位置決めする方法として、特許文献１に記載されているように、記録に用いるスライダ中の導波路の横にアライメント用の導波路を１本形成し、まずそのアライメント用の導波路に対し、記録に用いる光を入射させながら半導体レーザをアライメントし、つぎにアライメント用導波路と記録用の導波路の間の距離だけ半導体レーザを動かす方法がある。

特開２００８－５９６９４号公報

H. Saga， H. Nemoto， H. Sukeda， and M. Takahashi， Jpn. J. Appl. Phys. 38， Part 1， pp.1839 （1999） Technical Digest of 6th international conference on near field optics and related techniques， the Netherlands， Aug. 27－31， 2000， p.55 Kenji Kato et al.， Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42， pp.5102－5106 （2003）

　半導体レーザから浮上スライダまで光を導くための導波路（光源とスライダ間の導波路）、もしくはスライダ上に置いた半導体レーザの位置は、磁極脇に形成した導波路（スライダ中の導波路）に対して正確に合わせないと、光源とスライダ間の導波路とスライダ中の導波路間との光の結合効率、もしくは半導体レーザとスライダ中の導波路間の光の結合効率が低下してしまう。その結果、スライダ中の導波路に導入される光強度が低下し、媒体の上昇温度が低下してしまう。

　光源とスライダ間の導波路、もしくはスライダ上に置く半導体レーザの位置を正確に決める方法の一つとして、位置決め用のマーク（アライメントマーク）をスライダ上面（浮上面と反対側の面）に形成し、そのマークを基準にして位置を決める方法が考えられる。このアライメントマークは、顕微鏡で観察可能なように、スライダ上面方向から見た大きさが数μｍ以上になるようにする必要がある。またアライメントマークが見えやすいように、周辺部と反射率が異なる材料（例えば金属など）でアライメントマークを形成する必要がある。ハードディスクドライブの作製工程を考えると、このようなアライメントマークを形成するためには、ヘッド加工プロセス途中において、アライメントマークを形成する部分に、数μｍの厚さの膜を堆積させる必要がある。しかし、このような厚膜を形成することは、作製コストおよび作製時間の増大を招く。また、アライメントマークとスライダ中の導波路の材料や寸法が互いに異なる場合、アライメントマークとスライダ中の導波路は別々に作製する必要があるが、アライメントマークとスライダ中の導波路の相対的な位置がずれる可能性もあり、もしずれてしまうと、光源とスライダ間の導波路、もしくはスライダ上に置く半導体レーザの位置がずれてしまう。

　第２の方法として、光源とスライダ間の導波路もしくはスライダ上の半導体レーザから光を放出させ、かつスライダ中の導波路の出射光をモニターしながらアライメントする方法（アクティブアライメント）が考えられる。しかし、一つ一つ出射光をモニターしながらアライメントすると、アライメント作業に時間がかかるだけでなく、レーザに電流を供給するための配線を接続する作業に時間がかかる。その結果コストが増大する。またアライメント作業中に半導体レーザが破損する可能性もあり、レーザ破損分コストが上昇する。

　第３の方法として、特許文献１に記載されているように、記録に用いるスライダ中の導波路の横にアライメント用の導波路を１本形成し、まずそのアライメント用の導波路に対して記録に用いる光を入射させながら半導体レーザをアライメントし、つぎにアライメント用導波路と記録用の導波路の間の距離だけ半導体レーザを動かす方法もある。しかし、このように記録に用いる光をアライメント中に点灯した状態で、半導体レーザやスライダを動かすと、生じたサージノイズなどにより半導体レーザが破損する可能性がある。また、半導体レーザに必要な電力をサスペンション上に形成された電線を通して供給する場合、アライメント前に半導体レーザをサスペンションに固定する必要があるが、サスペンションがついているため、半導体レーザが載った台の固定が難しくなる。また、アライメント用導波路と記録用の導波路の間の距離だけ半導体レーザを動かす際、アライメント用導波路と記録用の導波路の距離は分かっても、記録用導波路のある方向はきちんと決まっていないため、位置がずれてしまう可能性がある（アライメント用導波路と記録用導波路を結ぶベクトルを考えたとき、ベクトルの長さは分かっても、方向は分からない）。

　本発明の目的は、光源とスライダ間の導波路もしくはスライダ上に置く半導体レーザと、スライダ中の導波路との位置合わせを、高精度に行うことができる熱アシスト磁気ヘッドを提供することである。
本発明の他の目的は、光源とスライダ間の導波路もしくはスライダ上に置く半導体レーザと、スライダ中の導波路の位置合わせを、記録用のレーザを点灯することなく行うことにより、低コストな熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法を提供することである。

　本発明の熱アシスト磁気ヘッドは、スライダ中の記録用の光を伝送するための導波路の脇に、アライメント用の導波路を有する。スライダの浮上面と反対側の面に固定される、光源からの光を導入する導波路を支持する支持部材の、前記導波路の出射端の両脇に前記アライメント用の導波路と対応する位置にアライメントマークを有する。前記支持部材は、前記アライメントマークが前記アライメント用導波路に対応するように位置決めされてスライダに接着固定される。

　前記支持部材を前記スライダに接着固定する際、アライメント用導波路の浮上面側の端から、記録に用いる光とは別の光を入射させ、その反対側（スライダ上面側の端）が光るようにする。この発光点の像を観察することにより、記録用導波路の光が入射する位置を決定する。例えば、２つのアライメント用導波路と記録用導波路の光が入射する位置がトラック幅方向に一直線上に並び、かつ記録用導波路が２つのアライメント用導波路の中点に位置するように、アライメント用導波路を形成した場合、観察された２つの発光点の中点が、記録用導波路の位置となる。このようにして、記録用導波路の位置を決定した後、その位置に、光源からスライダまで光を伝送するための導波路の出射点や、半導体レーザの出射点が重なるように位置合わせを行うことにより、光源からスライダまで光を伝送するための導波路や、半導体レーザを最適な位置（最も効率よく光が結合する位置）に配置することが出来る。

　アライメント用導波路へは、スライダを置いた台座の中に設置した光ファイバやマイクロレンズ（分布屈折率レンズを含む）を用いて光を入射させる。このとき、アライメント用導波路に光が必ず入射するようにするためには、スライダを台座に置いたときの、台座上の基準点とスライダ側の基準点の距離（ずれ量）の最大値を±ｄ_maxとしたとき、アライメント用導波路に入射する光のスポット径Diが、2ｄ_max以上になるようにすれば良い。

　アライメント用導波路に結合する光の強度を高めるために、アライメント用導波路の入射端に、導波路の入射側のモードフィールド径を大きくするための構造を形成しても良い。例えば、導波路のコアの幅を変化させたり、コアの屈折率と、クラッドの屈折率の中間の屈折率を有する材料で出来た層を入れたりすることで、モードフィールド径を大きくすると良い。

　上記アライメント用に用いる光の波長は、記録用に用いる光の波長と同一でなくても良い。

　記録用導波路とアライメント用導波路の距離の距離は、短すぎると記録用導波路に入射する光がアライメント用導波路にも結合してしまい、記録に用いる光の強度が低下してしまう。これを防ぐためには、アライメント用導波路と記録用導波路の距離は、最低でも入射ビームの半径以上にする必要がある。また、スライダが回転して置かれたときの、回転量を検知するためには、アライメント用導波路と記録用導波路の距離は、１００μｍ以上にすると良い。

　アライメント用導波路に入射する光の強度分布は、中心付近において強度の変化量が小さく、あるスポット径Di以上で急激に小さくなるような分布になるようにすると良い。このような分布は、例えば、スライダを載せる台座の上面に直径がDiに等しい開口のついた遮光膜を形成し、スポット径がDiよりも大きな光を開口に入射させることにより作り出すことが出来る。入射光の分布をこのようにすることにより、スライダの位置ずれにより生じる、アライメント用導波路に入射する光の強度変化を小さくし、かつ周辺部のバックグランド光の影響を小さくすることが出来る。

　周辺に生じるバックグランド光の影響を抑えるために、アライメント用導波路の途中に４５度ミラーを２箇所入れたり、アライメント用導波路を曲線状に曲げたりして、アライメント用導波路の出射点の中心と、入射点の中心がずれるようにしても良い。このようにすれば、バックグランド光とアライメント用導波路からの出射光が像の中で重ならないので、アライメント用導波路からの出射光を区別することが出来る。

　また、周辺に生じるバックグランド光の影響を抑えるためには、アライメント用導波路の途中に４５度ミラーを形成することにより、光をスライダの側面から入れられるようにしても良い。アライメント用導波路に結合しなかった光（バックグランド光）は、スライダ浮上面に対し平行な方向に進むので、観察光学系に入射しなくなる。

　アライメント用導波路から出射する光は、スライダの上に、光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを載せた状態で、観察しても良い。このとき、光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを載せるためのマウント上に中心に開口の開いたアライメントマークを形成して置くと、開口を通過する光が最大となるようにマウントの位置を調整すると、光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを最適な位置に設置することが出来る。開口を通過する光の強度は、フォトダイオードなどの光検出器を用いて検出することができる。

　また、スライダの上に、光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを載せた状態で、アライメント用導波路に光を入射させ、マウント上のアライメントマークに当たり戻ってきた光を検出することで、位置合わせを行っても良い。アライメント用導波路の出射点にアライメントマークが存在すると、アライメントマークからの反射光強度が変化する。この変化を検出することで、マウントのずれを検知することが出来る。このためのアライメントマークは、例えば、マウント表面に、マウントとは異なる材料のマークを埋め込むことにより作製する。また、マウントマークは、マウント表面に形成した溝であっても良い。特に、アライメント用の光源の波長をλとしたとき、スライダの上面からアライメントマークの溝の底部までの距離ｄが、d＝λx（2n+1）/4　（n＝0以上の整数）となるようにすると、スライダ上面（導波路の出口における端面）における反射光と、アライメントマークの溝の底部における反射光が干渉し、アライメント用導波路に戻る光の強度が弱くなる。したがって、戻り光が最も弱くなるように合わせると、光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを最適位置に配置することが出来る。

　戻り光を検知する場合、バックグランド光の検出を除くために、光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを載せたマウントを振動数ｆで水平方向に振動させ、検出器で検出される光強度の内、周波数ｆで振動する成分を抜き出すことにより、アライメントマークからの反射光成分を抜き出しても良い。

　また、戻り光を検知する場合、左右２つのアライメントマークからの戻り光強度が等しくなるように光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを載せたマウントの傾きを合わせると、スライダに対し水平になるようにマウントを設置することができる。これはつぎの原理に基づく。
（１）アライメント用導波路の端面からの反射光とアライメントマークからの反射光は互いに干渉するため、スライダ上面からアライメントマークまでの距離が変化すると、導波路側に戻る光の強度は変化する。このとき、マウントが傾くと、スライダ上面からアライメントマークまでの距離は、それぞれのアライメントマークにおいて異なる。そのため、導波路側に戻る光の強度は、２つのアライメントマークで異なる。
（２）マウントの傾きが大きい場合、アライメントマークからの反射光は、斜めに進む。このとき、導波路に結合する光強度は、スライダ上面からアライメントマークまでの距離に依存するので、導波路に結合する光強度は、２つのアライメントマークで異なる。

　なお、アライメント用導波路から出射する光の強度は、２つのアライメントマークで、等しいとは限らない。これを補正するために、マウントをスライダの上に載せる前に、アライメント用導波路から出射する光の強度を測定しておき、それを元に光検出器の信号強度を補正するか、もしくは片側の光源の光強度を上げ下げすることにより補正すると良い。

　アライメントマークは、半球状の溝や、四角錘の形状をした溝など深さが場所により異なる溝を用いても良い。このとき、アライメントマークからの反射光は等方的に進まない。したがって、アライメント用導波路に結合する反射光の強度は、スライダ上面からアライメントマークまでの距離に依存する。したがって、２つのアライメントマークにおける戻り光強度を検出検出することにより、導波路マウントの傾きを検知することが出来る。また、スライダ上面からアライメントマークまでの距離により、強度が変化することを利用して、スライダ上面からアライメントマークまでの絶対的な距離を決めても良い。

　戻り光を検知する場合、異なる波長を持つ複数の光をアライメントマークに入れても良い。それぞれの波長の戻り光を分離して検出することにより、スライダ上面からアライメントマークまでの絶対的な距離を知ることが出来る。

　アライメント用導波路の本数は３本以上にしても良い。例えば４本配置すると、スライダに対するマウントの傾きを２方向に対し検出することが出来る。

　透過光強度や反射光強度を測定しながらアライメントを行う場合、アライメント用の光は、記録に用いる光の波長より短い波長を有する光を用いても良い。このように短波長の光を用いる場合、アライメント用導波路の出射端における光スポット径を小さくすることが出来るので、位置に対する分解能が向上する。また、アライメント用導波路の出射面に微小開口や散乱体を形成することで、出射光のスポット径を小さくしても良い。

　光源からの光を伝送するための導波路や半導体レーザを載せたマウント側にアライメントマークを形成することに替えて、マウント側にアライメント用導波路を形成し、マウント側のアライメント用導波路に結合した光を検出することで、アライメントを行っても良い。また、マウント上のアライメント用導波路に光を導入し、逆にスライダ中のアライメント用導波路に結合する光の強度を検出することで、アライメントを行っても良い。

　本発明によれば、光源からスライダに光を伝送するための導波路もしくはスライダ上に置く半導体レーザと、スライダ中の導波路との位置合わせを、高精度に実現することができる。また、光源からスライダに光を伝送するための導波路もしくはスライダ上に置く半導体レーザと、スライダ中の導波路との位置合わせを、記録用レーザを点灯することなく行うことができるので、熱アシスト磁気ヘッドの組み立てを低コストで実現することができる。

実施例１による熱アシスト磁気ヘッドの断面図である。実施例１による熱アシスト磁気ヘッドの一部を示す図で、（ａ）はスライダの上面から流出端を見た図、（ｂ）はスライダの流出端側から見た図である。実施例１による熱アシスト磁気ヘッドの近接場光発生素子及び主磁極の部分斜視図である。アライメント用導波路に光を入射する方法を示す図で、（ａ）は光ファイバを利用する場合、（ｂ）はマイクロレンズを利用する場合を示す図である。幅が変化したアライメント用導波路を示す図である。導波路幅とモードフィールド径の関係を示す図である。アライメント用導波路の入射端部のクラッドの屈折率を変えた場合を示す図である。実施例１による熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法を示す図である。導波路マウント上に形成されたアライメントマークを示す図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は浮上面側から見た図である。スライダの位置が回転した場合を示す図で、（ａ）はスライダを浮上面と反対側から見た図、（ｂ）はアライメント用導波路と記録用導波路の距離と中心線からのずれ量の関係を示す図である。アライメント用導波路と記録用導波路が同一線上に存在しない場合を示す図である。入射光の強度分布をガウシアン分布でなくした場合を示す図で、（ａ）は強度分布を示す図、（ｂ）は光の導入方法を示す図である。アライメント用導波路の入射端側の中心軸と出射端側の中心軸がずれた場合を示す図で、（ａ）はミラーを２箇所設けた場合、（ｂ）は導波路を曲線状に曲げた場合を示す。光をスライダ側面から導入する場合の図で、（ａ）はミラーを設けた場合、（ｂ）は導波路を曲線状に曲げた場合を示す。透過光強度を検出しながら位置合わせを行う方法を示す図である。透過光強度を検出しながら位置合わせを行う場合のアライメントマークの形状を示す図である。反射光強度を検出しながら位置合わせを行う方法を示す図である。アライメントマークとして溝を利用した場合を示す図である。導波路マウントが傾いた場合を示す図である。溝の形状を示す図で、（ａ）は半球状の溝、（ｂ）は四角錘の形状をした溝を示す。アライメント用導波路を４本形成した場合を示す図である。アライメント用導波路の出射端に微小開口を形成した場合を示す図である。光源からスライダへ光を伝送するための導波路の横に、アライメント用導波路を形成した場合を示す図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は浮上面側から見た図である。光源からスライダへ光を伝送するための導波路の横に、アライメント用導波路を形成した場合でアライメント用導波路が光源近くまで延びた場合を示す図である。実施例２による熱アシスト磁気ヘッドの断面図である。実施例２による熱アシスト磁気ヘッドをスライダの流出端側から見た図である。実施例２による熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法を示す図である。実施例３による熱アシスト磁気ヘッドを示す図で、（ａ）は側面図、（ｂ）は媒体対向面側から見た斜視図である。実施例３による熱アシスト磁気ヘッドの変形例を示す図である。熱アシスト磁気ヘッドを搭載した記録再生装置の全体構成を示す図である。

　以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１、図２及び図３に、実施例１による熱アシスト磁気ヘッド１００の構成を示す。図１はサスペンションのフレクシャー４０に取り付けた熱アシスト磁気ヘッド１００を記録トラック方向に切断した断面図で、垂直磁気記録媒体１４も合わせて示す図である。図２（ａ）はスライダの上面（浮上面の反対側）の流出端側を示す図で、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ－Ａ線断面図である。図３は主磁極２及び近接場光発生素子１近傍の斜視図である。

　光源としては波長７８０nmの半導体レーザを用い、それをサスペンション１３の根元付近に設置した（図３０の符号４１参照）。光源からスライダ５まで光を伝送させるために、ポリマー導波路１０（図ではコア部を示す）を用いた。ポリマー導波路１０は導波路用マウント（支持部材）２４に形成された溝に配置した。ポリマー導波路１０のコアの幅W₁₀は８μｍ，コアの周辺部（クラッド）１１の厚さは３０μｍ，導波路下面から導波路コアの中心までの距離W₁₅は１０μｍとした。導波路用マウント２４はスライダ５の上面に配置し、ポリマー導波路１０から出射する光は、スライダ５の上面に垂直な方向に出射するように、ポリマー導波路１０の端面には４５度ミラー１２を形成した。本実施例では、光源からスライダ５まで光を伝送させるための導波路として、ポリマー導波路１０を用いたが、光ファイバやプラスチックファイバなど他の導波路を用いても良い。

　浮上スライダ５中には、光を媒体対向面１７の反対側から媒体対向面１７まで導くための記録用導波路３（図ではコア部を示す）を形成した。スライダ中の記録用導波路３のコアの材質はＴａ₂Ｏ₅とし、クラッド部１５の材質はＡｌ₂Ｏ₃とした。記録トラックの方向と垂直な方向のコア幅W₁は600nm，記録トラックの方向と平行な方向のコア幅W₂は300nmとした（図３参照）。導波路３の材質は、コアの屈折率がクラッドの屈折率よりも大きければ良く、例えば、クラッドの材質をＡｌ₂Ｏ₃にし、コアの材質をＴｉＯ₂にしても良い。またクラッドの材質をＳｉＯ₂にし、コアの材質をＴａ₂Ｏ₅，ＴｉＯ₂，ＳｉＯ_xＮ_y，ＧｅドープＳｉＯ₂にしても良い。

　導波路３下部（出射端）には、径が数１０ｎｍの光スポットを発生させるために光照射部として近接場光発生素子１を形成した。近接場光発生素子１としては、高効率に近接場光を発生させるために、図３に示すように、三角形の形状をした導電性の散乱体を用いた。散乱体の材質は金とし、散乱体の長さＳｙは１００ｎｍ、高さＳｈは１５０ｎｍとした。ｙ方向に偏光した光を散乱体に入射させると、散乱体中にプラズモン共鳴が発生し、散乱体頂点５６に強い近接場光が発生する。

　磁界は、主磁極２と磁極８とコイル７からなる書込ヘッドを有する磁気ヘッド部６のコイル７を用いて発生させ、その磁界を主磁極２によって近接場光発生素子１近傍に導いた。磁極８が、導波路３のコア近傍に存在すると、磁極８の存在により、導波路中を伝播する光の強度が減衰してしまう（クラッド部に染み出たエバネッセント光が磁極にぶつかり、光が磁極により吸収もしく散乱されてしまう）。そこで、磁極８と導波路３の距離は、なるべく大きくなるようにし、近接場光発生素子近くで主磁極２との距離が短くなるようにした。近接場光が発生する頂点５６と主磁極２の距離は１０～３０ｎｍとなるようにした。近接場光発生素子１を導波路３の中心に配置する場合、近接場光発生素子近くで主磁極２は導波路コア３の中に入り込むことになるが、そのときの主磁極２により吸収もしく散乱（反射）される光をなるべく小さくするためには、導波路コア３に入り込む部分の主磁極２の長さＷ₁₆はなるべく短くすると良い。ただし主磁極２の長さＷ₁₆を短くすると磁界強度が低下してしまうので、短すぎても良くない。本実施例ではＷ₁₆は２００ｎｍとした。主磁極先端部における磁極の幅は、ｙ方向の幅Ｗ₁₇を２００ｎｍ、ｘ方向の幅Ｗ₁₈を１００ｎｍとした。

　書込ヘッドの脇には、図１に示すように、磁気再生素子４を含む再生ヘッドを形成した。本実施例では、磁気再生素子４としてGiant Magneto Resistive（ＧＭＲ）素子又はTunneling Magneto Resistive（ＴＭＲ）素子を利用した。磁気再生素子４の周辺には、磁界の漏れを防ぐための磁気シールド９を形成した。なお、上記実施例では、主磁極２が導波路３の中に入り込むように形成したが、中に入り込んだ主磁極２により光強度が低下しないように、主磁極２をコア外側に配置しても良い。例えば、コアの側面に接するように主磁極２を配置しても良い。このとき、近接場光発生素子１の位置は導波路３の中心にある必要はなく、主磁極側に寄せて配置しても良い。記録ディスク１４としては、垂直記録媒体を用いた。媒体に光を照射しながら磁界を印加することで、記録層１４′に記録マークを書き込んだ。

　上記光源とスライダ間の導波路１０から出射する光が、スライダ中の導波路３に効率良く結合するためには、お互いの位置を正確に合わせる必要がある。このとき、導波路３の中心位置を知る必要がある。この導波路３の中心位置を知る手段として、図２に示すように、スライダ中の導波路３の横に、アライメント用導波路１６を２本形成した。導波路３から導波路１６までの距離W₅およびW’₅は、W₅＝W’₅＝２００μｍとなるようにした。導波路３の中心とアライメント用の導波路１６の中心は、一直線上に配置されるように作製した。アライメントを行う際は、このアライメント用導波路１６のスライダ上面側の出射端１８の反対側の端から、記録に用いる光とは別の光１９を入射させる。このとき、アライメント用導波路１６のスライダ上面側の出射端１８から光が出射し、明るく光る。この光った点を目印に、導波路３の位置を知ることが出来る。すなわち、２つの発光点の中点が、導波路３の中心位置になる。このように、アライメント用マークとして導波路１６を用いると、次の利点がある。
（１）アライメントマークが発光するため、アライメントマークの位置が分かりやすい。特に、スライダ上面の画像を取得し、画像解析によりアライメントマーク位置を決める場合、非常にコントラストの高い画像を得ることが出来るので、アライメントマークの位置を正確に決めることが出来る。
（２）アライメントマーク自身が発光するため、アライメントマークの寸法が小さくてもアライメントマークの位置を決めることが出来る。通常のアライメントマークの場合、画像観察において、アライメントマークを明確に観察するためには、アライメントマークの大きさを数μｍ以上にする必要がある。このように大きなマークをハードディスクドライブのスライダ上面に形成するためには、厚い膜を形成する必要があるが、そのような厚い膜を形成することはコスト増大につながる。これに対して、本実施例のようにアライメントマークが発光する場合、膜厚は薄くてもよく、１μｍ以下にすることも可能である。
（３）記録用導波路３のコアと同じ材料でアライメン用導波路１６を作製することができる。すなわち、導波路３とアライメント用導波路１６を作製するための成膜は、分けて行う必要はなく、同時に行うことができる。その結果、作製時間の短縮および、材料費削減が可能になる。
（４）アライメント用導波路１６を加工するためのリソグラフィにおいて、記録用導波路３のコア部とアライメント用導波路１６のコア部を同時に露光することが出来る。すなわち、記録用導波路３のコア部とアライメント用導波路１６のコア部を同一のマスクで露光することが出来る。その結果、作製時に生じる、導波路３とアライメント用導波路１６のずれ量を小さくすることが出来、最終的なアライメント精度を高めることが出来る。

　本実施例では、アライメント用導波路１６のコアの材質はＴａ₂Ｏ₅とし、クラッドの材質はＡｌ₂Ｏ₃とした。記録トラックの方向と垂直な方向のコア幅W₃は600nm，記録トラックの方向と平行な方向のコア幅W₄は300nmとした。アライメント用導波路１６の材質は、コアの屈折率がクラッドの屈折率よりも大きければ良く、例えば、クラッドの材質をＡｌ₂Ｏ₃にし、コアの材質をＴｉＯ₂にしても良い。またクラッドの材質をＳｉＯ₂にし、コアの材質をＴａ₂Ｏ₅，ＴｉＯ₂，ＳｉＯ_xＮ_y，ＧｅドープＳｉＯ₂にしても良い。

　図４は、アライメント用導波路１６に光を導入するための方法を示す。図４（a）に示す例では、アライメント用導波路１６に入れる光１９は、光ファイバ２１を用いて導入した。光源としては、波長６７０nmの半導体レーザを用いた。光ファイバ２１は台座２０の中に埋め込まれるように配置し、その台座２０の上にスライダ５を置くことで、光をアライメント用導波路１６に導入した。スライダ５と台座２０の位置合わせは、台座上に設けた基準点にスライダ側の基準点（スライダの角など）を合わせることにより行った。このとき、アライメント用導波路１６と光ファイバー２１の位置がずれる可能性がある。光ファイバ２１の位置がずれても、アライメント用導波路１６に光が導入されるようにするには、スライダ５を台座２０に置いたとき、台座上の基準点とスライダ側の基準点の距離（ずれ量）の最大値が±ｄ_maxであるとき、光ファイバ２１の出射位置おける光スポット径Di（中心強度の１/e²となる位置での直径）が、2d_max以上になるようにすれば良い。この例では、ずれ量の最大値は±７μｍであったので、光ファイバ２１のスポット径Diは16μｍとなるようにした。図４（ｂ）の例では、光１９をアライメント用導波路１６に導入するために、マイクロレンズ２２を用いた。スライダ５を載せるための台座２０は光透過性を有するもので作製し、その中にマイクロレンズ２２を入れた。マイクロレンズ２２の焦点にアライメント用導波路１６の中心が位置するように、マイクロレンズ２２の位置を調整した。このとき、マイクロレンズ２２の焦点とアライメント用導波路１６の中心がずれてもアライメント用導波路１６に光が入るようにするためには、スライダ５を台座２０に置いたとき、台座上の基準点とスライダ側の基準点の距離（ずれ量）の最大値が±ｄ_maxであるとき、焦点における光スポット径Diが、2ｄ_max以上になるようにすれば良い。この例では、ずれ量の最大値は±７μｍであったので、焦点におけるスポット径は１６μｍとなるようにした。なお、マイクロレンズ２２としては、球面レンズを用いても良いが、円筒状の分布屈折率レンズを用いても良い。

　アライメント用導波路１６に結合する光の量をなるべく大きくするためには、アライメント用導波路１６の入射端側のモードフィールド径（導波路中の光スポット径）がなるべく大きくなるようにするのが良い。そのために、本実施例では、図２（ｂ）に示すように、入射端側の導波路幅W₇が出射端側の導波路幅W₃よりも大きくなるようにすることで、入射端側のモードフィールド径を大きくした。入射端側の導波路幅W₇は２μｍとした。また、図５に示すように、入射端側の導波路の幅を逆に小さくすることにより、入射端側のモードフィールド径を大きくしても良い。すなわち、一般にモードフィールド径は、導波路の幅を小さくする程小さくなるが、図６に示すように、ある値（Ｗ_０）よりも小さくすると、モードフィールド径は逆に大きくなる。したがって、入射端側の導波路幅Ｗ₇をＷ_０よりも小さくすることにより、入射端側のアライメント用導波路１６のモードフィールド径を大きくすることが出来る。本実施例では、入射端側の導波路幅Ｗ₇を150nmとした。

　アライメント用導波路１６の入射端側のモードフィールド径をさらに広げるために、IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics， Vol. 11， No. 1， 2005， p232中の図２に記載されているようなスポット径変換器をアライメント用導波路１６の入射端側に形成しても良い。本実施例では、アライメント用導波路１６のコアの材料をＴａ₂Ｏ₅（屈折率＝２．１８）とし、クラッド１５の材料をＡｌ₂Ｏ₃（屈折率＝１．６３）とした。図７に示すように、導波路入口付近においてコアの幅が小さくなるようにし、Ｔａ₂Ｏ₅のコア周辺に、アライメント用導波路１６のコアの屈折率と、クラッド１５の屈折率の中間の屈折率を有する材料で出来た層２５を形成した。中間屈折率層２５の材料はＳｉＯ_xＮ_yとし、ＳｉＯ_xＮ_yのＯとＮの比率は、ＳｉＯ_xＮ_yの屈折率がＡｌ₂Ｏ₃の屈折率よりも０．０５大きくなるように調整した。アライメント用波路１６のコアの幅は、幅Ｗ₃を６００ｎｍ、Ｗ₄を３００ｎｍ、入射端側の幅Ｗ₇を１５０ｎｍとした。中間屈折率層２５の幅Ｗ₁₂は１０μｍ、幅Ｗ₁₃は５μｍ、長さＷ₁₄は２００μｍとした。

　上記実施例では、光源としては波長670nmの半導体レーザを用いたが、別の波長のレーザ光を用いても良く、例えば、波長633nmのHe－Neレーザや、波長488nmのＡｒレーザ、波長445nm、785nm、890nm、1.3μｍ、1.5μｍの半導体レーザなどを用いても良い。

　上記アライメント用導波路１６から出射する光のスポット径は、小さいほうが精度の高いアライメントが出来る（観察したときの点の大きさが小さくなるので、位置を精度良く決めることが出来る）。そのために、図５に示すように、出射端１８の幅Ｗ_８を狭めることにより、光スポット径を小さくしても良い。ただし、図６に示すように、幅を小さくしすぎると、逆にスポット径が大きくなってしまう。したがって、幅Ｗ_８はモードフィールド径が最小となる幅Ｗ_０より大きくする必要がある。本実施例では、幅Ｗ_８は0.3μｍとした。

　図８にアライメント手順を示す。スライダ５を台座２０上に配置し、アライメント用導波路１６に光を入射させた。アライメント用導波路１６の出射端１８から出る光を、観察用光学系２９（像を拡大するためのレンズとＣＣＤカメラを組み合わせもの）で観察し、測定された２点の位置から記録用導波路３の位置を求めた。一方、スライダ上に載せるポリマー導波路１０は、図９に示すように、ポリマー導波路用マウント（支持部材）２４上に配置した。ポリマー導波路１０の出射端に形成したミラー１２から出射する光のスポット位置が分かるように、出射端の両側にアライメントマーク２３を形成した。本実施例では、マウント２４の材質はＳiＯ_２とし、そのマウント上に導波路１０を配置するための溝を形成し、その中に導波路１０を配置した。マウント２４の材質は、Ｓｉや、プラスチック、金属であっても良い。光出射位置の両側に配置するアライメントマーク２３としては、１辺の長さが３μｍの正方形の形状をした金属のマークをＳiＯ_２表面に埋め込むように作製した。金属の材質は、クロムとした。材質は、周りの材質（ＳiＯ_２）と異なれば何でも良く、金、銀、銅、アルミ、チタン等であっても良い。また、別の材質のマークを埋め込む代わりに、溝を形成しても良い。２つのアライメントマーク２３と導波路１０の距離Ｗ₆、Ｗ’₆はＷ₆＝Ｗ’₆＝２００μｍとした。以上のようなアライメントマークを、図８に示すように、観察光学系２９を使い観察し、ポリマー導波路１０の端部の位置（光が出射する位置）を決めた。導波路マウント２４はホルダ２８に真空吸着などにより固定し、ホルダ２８の位置はピエゾステージにより動かせるようにした。導波路３の端部の位置とポリマー導波路１０の端部の位置を決めた後、ピエゾステージを用いて、ホルダ２８を動かし、導波路３の端部とポリマー導波路１０の端部が重なるようにした。その後、紫外線硬化接着剤を利用して、ポリマー導波路用マウント２４とスライダ５を固定した。上記方法では、導波路１０側を動かしたが、スライダ５の方を動かしても良い。

　上記アライメントでは、ポリマー導波路１０の端部の位置（光が出射する位置）を、ポリマー導波路１０の脇に形成したアライメントマークを観察することにより決めたが、導波路１０に光を入射させ、導波路１０の端部から出射する光を観察することで、ポリマー導波路１０の端部の位置（光が出射する位置）を決めても良い。導波路マウント２４上に形成したアライメントマーク２３を用いる場合、アライメントマーク２３とポリマー導波路１０の端部の位置（光が出射する位置）がずれる可能性があり、ずれた場合、ポリマー導波路１０の端部の位置を正確に決めることが困難になる。これに対し、ポリマー導波路１０に実際に光を入れて、光が出射する場所を観察すれば、光が出射する位置を直接知ることが出来る。したがって、導波路マウント２４上に形成したアライメントマーク２３と導波路１０の端部の位置との位置ずれによる、位置合わせ精度低下がなくなる。ただし、アライメント時に記録用レーザを部品ごとに点灯する必要があり、アライメント作業に要する時間が増えるデメリットも有する。

　上記スライダ中の導波路３の脇に形成するアライメント用導波路１６と導波路３の距離Ｗ₅は、短すぎると導波路３を伝わる記録用の光の強度が、アライメント用導波路１６の影響により小さくなってしまう。すなわち、スライダ中の導波路３に入射する光が、効率よく導波路３に結合するためには、導波路３の入口側のモードフィールド径を大きくする必要がある（モードフィールド径が小さいと、入射光の位置がわずかにずれたとき、結合効率が大きく低下する）。そのために、図５に示すように、導波路３の入口側の幅Ｗ₇を小さくしたり、図７に示すような、低屈折率層２５を設ける等の方法により、入口側のモードフィールド径を広げる必要がある。このとき、導波路３に入射する光のスポット径もそれに合わせて大きくする必要がある。ここで、もし導波路３とアライメント用導波路１６の距離が近すぎると、記録用の光がアライメント用導波路１６にも入射してしまい、導波路３から出射する光の強度が低下してしまう。これを防ぐためには、アライメント用導波路１６と導波路３の距離Ｗ₅は、最低でも入射ビームの半径以上にする必要がある。例えば、入射ビームの半径が２μｍであるとき、距離Ｗ₅は、最低でも２μｍ以上にする必要がある。また、スライダ５の向きを、アライメント用導波路１６を元に調整する場合は、アライメント用導波路１６と導波路３の距離Ｗ₅は、さらに大きくする必要がある。すなわち、２つのアライメント用導波路１６の中点に導波路３が位置するとして合わせても、図１０（a）のように、スライダ５が、スライダ上面に平行な面内において回転して置かれている可能性もある（図１０（a）は、スライダ５の上面を見た図）。このように、スライダ５が回転した状態で接着されると、導波路３に導入される光の偏光方向が回転してしまう。近接場光発生素子は偏光依存性を有するため、偏光方向がずれると、強度の低下を招く。また、スライダ５が回転した状態で接着されると、スライダ５の浮上が不安定になる。このような偏光および浮上安定性への影響を考慮すると、回転量θは１度以下に抑える必要がある。回転量θは、図１０（a）に示すように、変位量aを測定することで知ることが出来る。図１０（ｂ）は、θが１度であるときの、Ｗ₅と変位量aの関係を示す。このように、アライメント用導波路１６と導波路３の距離Ｗ₅が大きいほど、変位量aは大きくなる。ここで、変位量aが観察光学系の分解能より小さいと、その変位量を測定することができない。今、１０Xの対物レンズ（開口数＝０．２５）で、青色の光（波長0.45μｍ）を観察する場合、その分解能は450/0.25＝1.8μｍとなる。したがって、θ＝１度の回転量を検出するためには、変位量aは1.8μｍ以上である必要があり、そのためには、アライメント用導波路１６と導波路３の距離Ｗ₅は、１００μｍ以上にするのが好ましい。

　上記実施例では、２つのアライメント用導波路１６と導波路３の距離は、Ｗ₅＝Ｗ’₅としたが、Ｗ₅とＷ’₅が互いに異なるようにしても良い。例えば、Ｗ₅＝１００μｍ、Ｗ’₅＝２００μｍとした場合、２つの点１８（光が出射する点）を結んだ直線を１：２に分割する点を導波路３の位置とすれば良い。また、２つのアライメント用導波路は、導波路３の両脇ではなく、導波路３の片側に２つ形成しても良い。また、上記実施例では、記録用導波路３とアライメント用導波路１６は一直線上にあるとしたが、図１１に示すように、スライダの長手方向（ｙ方向）にずれても良い。記録用導波路３とアライメント用導波路１６のずれ量がｂで、２つのアライメント用導波路１６と導波路３の距離がＷ₅＝Ｗ’₅である場合、２つの点１８（光が出射する点）の中点からｂだけｙ方向にずらした位置を、記録用の導波路３の位置とすれば良い。

　上記実施例では、入射光は、スライダ５の下側（媒体対向面側）に配置した光ファイバ２１またはマイクロレンズ２２を用いてアライメント用導波路１６に導入したが、このとき入射光の強度分布は、図１２（ａ）の点線に示すようなガウシアン分布となる。このとき、台座上の基準点とスライダ側の基準点の距離（ずれ量）が大きくなると、アライメント用導波路１６に入射する光の強度が小さくなってしまう。このことは、入射光のビーム径Diをずれ量の最大値d_maxの２倍よりも十分大きくすることにより防ぐことが出来るが、このとき、アライメント用導波路１６に結合しない光がバックグランド光として多く発生してしまう。このバックグランド光が、観察光学系に入射すると、出射端１８における光の像のコントラストが低下してしまう。これを防ぐために入射光の強度分布が、図１２（a）中の実線のように、中心付近において強度の変化量が小さく、直径Di以上で急激に小さくなるような分布になるようにすると良い。このような分布は、例えば、図１２（ｂ）に示すように、台座２０の上面に直径W₂₀がDiに等しい開口のついた遮光膜５９を形成し、スポット径がW₂₀よりも大きな光を開口に入射させることにより作り出すことが出来る。入射光の分布をこのようにすることにより、スライダ５の位置ずれによるアライメント用導波路１６に入射する光の強度の変化を小さくし、かつ周辺部のバックグランド光の影響を小さくすることが出来る。本実施例では、出射端面におけるビーム径が３０μｍとなる分布屈折率レンズ６０で光を集光し、その端面に、開口径１６μｍの開口を有する遮光膜５９を形成した。これによりDi＝16μｍとなる、図１２（ａ）の実線のような分布を作り出すことが出来る。

　上記バックグランド光の影響を防ぐために、図１３に示すように、アライメント用導波路１６を途中で曲げて、アライメント用導波路１６の出射点１８の中心と、入射点の中心がずれるようにしても良い。このように中心がずれていれば、入射光１９とアライメント用導波路１６からの出射光６１とが像の中で重ならないので、アライメント用導波路１６からの出射光６１を区別することが出来る。図１３（ａ）の例では、アライメント用導波路１６の途中に４５度ミラー２７を２箇所形成することで、出射点１８の中心と、入射点の中心をずらした。また、図１３（ｂ）の例では、アライメント用導波路１６を曲線状に曲げることで、出射点１８の中心と、入射点の中心をずらした。入射位置と出射位置とのずれ量W₉は、入射ビームの半径以上にするのが好ましく、本実施例では、入射ビームの半径が８μｍであったので、ずれ量W₉は１０μｍとした。

　バックグランド光の影響を抑えるためには、図１４のようにアライメント導波路１６を途中で折り曲げても良い。このように折り曲げることにより、アライメント用導波路１６に結合しなかった光（バックグランド光）は、スライダ浮上面に対し平行な方向に進むので、観察光学系に入射しない。図１４（ａ）の例では、アライメント用導波路１６の途中に４５度ミラー２７を形成することで、光路を９０度曲げた。入射光１９は、光ファイバ２１をスライダ側面に近づけることで、アライメント用導波路１６に導入した。図１４（ｂ）の例では、アライメント用導波路１６を曲線状に曲げることで、スライダ上面に光が出射するようにした。曲げる部分の曲率半径は１００μｍとした。

　上記アライメントでは、アライメント用導波路１６から出射する光を、導波路用マウント２４をスライダ上に載せる前に観察したが、図１５に示すように、導波路用マウント２４を載せた状態で観察しても良い。すなわち、導波路用マウント２４上に、アライメントマーク２３を形成し、それを上部の観察光学系で観察すると同時に、スライダ中のアライメント用導波路１６から出射する光も上部観察光学系で観察する。導波路用マウント上のアライメントマーク２３と、アライメント用導波路１６の位置関係が適切になるように位置合わせを行い、位置が確定した段階で導波路用マウント２４をスライダ５に接着する。この例では、図１６に示すように導波路用マウント２４の上に、中心に開口の開いた２つのアライメントマーク２３を形成した。導波路用マウント２４の材質はSiO₂とし、アライメントマーク２３の材質はクロムとした。アライメントマーク２３の形状は、１辺の長さが１０ミクロンの正方形とし、その中心に１辺の長さが１μmの正方形の開口を形成した。アライメントマーク２３とポリマー導波路１０の距離W₆、W’₆はW₆＝W’₆＝200μｍ、スライダ中の導波路３とアライメント用導波路１６の距離W₅、W’₅はW₅＝W’₅＝200μｍとした。アライメント用導波路１６からの出射光および、アライメントマーク２３は、検出器３０で観察した（レンズ３１で結像させた後、その像をCCD素子等の光検出器３２で検出した）。導波路用マウント２４はホルダ２８に真空吸着などにより固定し、ホルダ２８の位置をピエゾ素子を用いて動かした。検出した画像において、アライメント用導波路１６から出射する光の位置と、導波路用マウント２４上のアライメントマーク２３が重なるように、導波路マウント１４の位置を調整した。このとき、検出される光量が最も大きくなる（アライメントマーク２３を透過する光が最も大きくなる）ように合わせると、最適な位置に合わせることが出来る。

　上記アライメントでは、アライメント用導波路１６から出射する光をCCD素子を用いて観察したが、フォトダイオードなどの光検出器３２で検出しても良い。光検出器３２で検出される光量が最大となるように導波路１０の位置を移動させると、最適な位置に合わせることが出来る。

　上記実施例では、マウント２４の材質は可視光において光透過性のあるSiO₂としたが、Si等の別の材料であっても良い。Siの場合、可視光は透過しないが、アライメントに用いる光として波長980nmなど長波長の光を用いれば、光は導波路用マウント２４を透過することが出来るので、導波路用マウント２４越しに、アライメント用導波路１６からの出射光および、アライメントマーク２３を観察することが出来る。

　上記アライメントでは、導波路用マウント２４を透過する光を検出したが、図１７に示すように、導波路用マウント２４上のアライメントマーク２３で反射した光を検出することにより、位置合わせを行っても良い。この例では、SiO₂の導波路用マウント２４の下部に、１辺の大きさが１μｍの正方形の形状をしたアライメントマーク２３を形成した。アライメントマーク２３の材質はアルミニウムとした。アライメントマーク２３とポリマー導波路１０の距離W₆、W’₆はW₆＝W’₆＝200μｍ、スライダ中の導波路３とアライメント用導波路１６の距離W₅、W’₅はW₅＝W’₅＝200μｍとした。アライメントに用いる光１９には、波長633nmの光を用い、入射光は光ファイバ２１で導入した。アライメント用導波路１６から出射した光は、導波路用マウント２４の表面もしくはアライメントマーク２３に当たり、アライメント用導波路１６に戻る。この戻ってくる反射光６２をビームスプリッタ６３で分離し、フォトダイオードなどの光検出器３２で検出した。アライメント用導波路１６とアライメントマーク２３の位置が一致すると、アライメントマーク２３に当たり戻ってくる反射光の強度が大きくなる。したがって、光検出器３２で検出される光が最大となるように、位置合わせを行うと、導波路１０を最適位置に設置することが出来る。

　上記のように反射光強度を検出する場合、導波路用マウント２４上のアライメントマークは、図１８に示すように、導波路用マウント２４表面に形成した溝３３であっても良い。特に、アライメント用の光源の波長をλとしたとき、スライダ５の上面からアライメントマークの溝３３の底部までの距離ｄが、d＝λx（2n+1）/4　（n＝0以上の整数）となるようにすると、スライダ５上面（導波路１６の出口における端面）における反射光と、アライメントマークの溝３３の底部における反射光が干渉し、アライメント用導波路１６に戻る光の強度が弱くなる。したがって、戻り光が最も弱くなるように合わせると、導波路１０を最適位置に配置することが出来る。

　上記のように反射光強度を検出する場合、光検出器３２には、アライメントマーク２３からの反射光の他に、スライダ５の底面で反射した光など、バックグランド光も入射する。このようにバックグランド光が入射すると、検出信号の信号/ノイズ比が低下する。このバックグランド光による影響を除去するために、導波路用マウント２４の位置を変調させても良い。すなわち、導波路用マウント２４のホルダ２８の位置を、ピエゾ素子を用いて周波数fでｘ方向に正弦波状に振動させる。このとき、アライメントマーク２３で反射してアライメント用導波路１６に戻る光の強度は周波数fで振動する。これに対し、アライメントマーク２３に当たらない部分からの反射光は、強度が変化しない。したがって、検出器３２で検出される光強度の内、周波数ｆで振動する成分を抜き出すことにより、アライメントマーク２３からの反射光成分を抜き出すことが出来る。この例では、ホルダ２８の振動の振幅は１μｍ、周波数ｆは１kHzとし、周波数１kHzで振動する成分を、ロックインアンプで抽出した。この振動成分が最も大きくなるように合わせると、導波路１０を最適位置に配置することが出来る。位置合わせを行った後は、ホルダ２８の振動を止め、導波路ホルダ２４をスライダ５に固定した。なお、上記の例では、導波路１０側を振動させたが、スライダ５およびその台座２０の方を振動させても良い。

　上記のように反射光強度を検出する場合、図１９に示すように、導波路用マウント２４の傾きを検知することも可能である。すなわち、導波路用マウント２４が傾くと、次の理由によりアライメント導波路１６側に戻る光６２の強度が、２つのアライメントマーク２３（A，B）において異なるようになる。アライメント用導波路１６の端面からの反射光６４とアライメントマーク２３からの反射光６５は互いに干渉するため、スライダ上面からアライメントマーク２３（A，B）までの距離（DaおよびDb）が変化すると、アライメント用導波路１６側に戻る光６２の強度は変化する。

　導波路用マウント２４が傾くと、スライダ上面からアライメントマークまでの距離は、それぞれのアライメントマーク２３（A，B）において異なる（DaとDｂの値が異なる）。そのため、アライメント用導波路１６側に戻る光６２の強度は、アライメントマークAとBで異なる。

　また、導波路用マウント２４の傾きが大きい場合、アライメントマーク２３からの反射光６５は斜めに進む。このとき、アライメント用導波路１６に結合する光強度は、スライダ上面からアライメントマーク２３までの距離（DaおよびDｂ）に依存するので、アライメント用導波路１６に結合する光強度は、アライメントマークAとBで異なる。

　したがって、アライメント用導波路１６側に戻る光６２の強度が、アライメントマークAとBで等しくなるように合わせると、傾きφが０になるように、導波路用マウント２４を設置することが出来る。なお、アライメント用導波路１６の出射端１８から出射する光の強度は、アライメントマークAとBで等しいとは限らない。なぜならスライダ５を台座２０に置いたときの、台座上の基準点とスライダ側の基準点の距離（ずれ量）により、アライメント用導波路１６に導入される光の量が変化するので、２つのアライメント用導波路１６に導入される光の量が等しいとは限らないからである。これを補正するために、導波路用マウント２４をスライダ５の上に載せる前に、アライメント用導波路１６の出射端１８から出射する光の強度を測定しておき、それを元に光検出器３２の信号強度を補正すると良い。例えば、導波路用マウント２４をスライダ５の上に載せる前、アライメント用導波路１６の出射端１８から出射する光の強度が、アライメントマークAおよびBにおいて、PA，PBであるとする。A側，B側それぞれの光検出器３２の信号強度がSA，SBであるとき、B側の信号強度をPA/PB倍して、SAと（SB・PA/PB）を比較することで、アライメント用導波路１６の出射端１８から出射する光の強度差を補正することが出来る。また、検出器３２の信号強度を補正することに替えて、入射光１９の強度（光源の光強度）を変えることで調整しても良い。すなわち、アライメント用導波路１６の出射端１８から出射する光の強度が、アライメントマークAおよびBにおいて、等しくなるように光源の強度を調整すれば良い。

　上記アライメントでは、平らなアライメントマークを用いたが、図２０に示すように、深さが場所により異なる溝３３を用いても良い。例えば図２０（ａ）の例では、半球状の溝３３を形成した。直径ｄ1は１μｍとした。図２０（ｂ）の例では四角錘の形状をした溝３３を形成した。この溝３３は、SiO₂の異方性エッチングを利用して作製した。溝３３の幅ｄ2は１μｍとした。このような形状の溝３３を利用した場合、アライメントマークからの反射光６５は等方的に進まない。したがって、アライメント用導波路１６に結合する反射光の強度は、スライダ上面からアライメントマークの溝３３までの距離Dに依存する。したがって、A，B、２つのアライメントマーク２３における戻り光強度６２を検出することにより、導波路用マウント２４の傾きを検知することが出来る。なお、上記の例では溝を用いたが、突起を用いても良い。

　上記のように反射光強度を検出する方法を用いて、導波路用マウント２４のｚ方向の絶対的な位置を調整しても良い。すなわち、つぎの方法によりｚ方向の絶対的な位置を調整することが出来る。
方法１：上記深さが場所により異なる溝を用いた場合、導波路用マウント２４のｚ方向の位置が変わるとアライメント用導波路１６に戻る光６２の強度が変わる。したがって、戻り光強度の絶対的な値の大小により、ｚ方向の絶対的な位置を決めることが出来る。
方法２：アライメントマークの形状が平らな場合、アライメント用導波路１６の出射端面からの反射光６４とアライメントマーク２３からの反射光６５は互いに干渉するため、スライダ上面からアライメントマーク２３までの距離（d）が変化すると、アライメント用導波路１６側に戻る光６２の強度Iは変化する。このとき、強度Iと距離ｄの間にはI＝I₀cos²（2dπ/λ）となる関係がある（I₀は定数，λは波長）。このように周期性があるので、強度Iを検出するだけではdの値は決まらない。ｄの絶対値を決めるために、アライメント用導波路１６に複数の波長の光を導入し、戻り光６５をフィルタ等を用いて波長ごとに分離する。このとき、各波長の戻り光強度は、距離ｄに対し異なる周期で変化する。したがって、各波長の戻り光強度を測定することにより、距離ｄの絶対値を知ることが出来る。このように距離ｄの絶対値を知ることにより、導波路用マウント２４とスライダ５の間の接着剤の厚さを正確に調整することができる（接着剤の厚さは、マウント２４をスライダ５の方向に押しつけるとき、押し付け加重を調整することにより行う）。

　上記実施例１では、アライメント用導波路１６の本数は２本としたが、３本以上にしても良い。例えば、図２１の例では、記録用導波路３を含む直線上に２個形成し、記録用導波路３からスライダの長手方向（ｙ方向）にずれた直線上に２個形成した。このようにアライメント用導波路１６を形成して反射光強度を検出すると、導波路用マウント２４のスライダ５に対する傾きを、ｘ方向だけでなく、ｙ方向に対しても検知することが出来る。

　上記のように透過光強度や反射光強度を測定しながらアライメントを行う場合、アライメント用の光は、記録に用いる光の波長より短い波長を有する光を用いても良い。例えば波長450nmの半導体レーザの光を用いても良い。このように短波長の光を用いる場合、アライメント用導波路１６の出射端１８における光スポット径を小さくすることが出来るので、位置に対する分解能が向上する。光スポット径を小さくするためには、アライメント用導波路１６の幅W₃，W₄を小さくする必要があり、この例では、W₃＝W₄＝250nmとした。ただし、導波路用マウント２４を透過する光を検出する場合、光は導波路用マウント２４を透過する必要があるので、短波長に出来ない場合もある。

　上記のように透過光強度や反射光強度を測定しながらアライメントを行う場合、図２２に示すように、アライメント用導波路１６の出射端面に微小開口３４を形成することで、出射光のスポット径を小さくしても良い。図２２の例では、クロムで出来た遮光膜を出射端面に形成し、アライメント用導波路１６の中心部に、１辺の長さW₂₁が２００nmの正方形の微小開口３４を形成した。この微小開口３４により、近接場光が発生し、波長よりも小さな光スポットを作り出すことが出来る。したがって、位置に対する分解能が向上する。このような近接場光は、正方形の微小開口に替えて、C字の形状をした開口や，三角形，長方形，球などの形状をした散乱体を用いて発生させても良い。

　上記実施例１では、導波路用マウント２４の上に、アライメントマークを形成したが、ポリマー導波路１０をサスペンションのフレクシャー４０上に直接配置し、アライメントマークをフレクシャー４０上に形成しても良い。

　また、アライメントマークは、ポリマー導波路１０上に形成しても良い。例えば、ポリマー導波路１０のクラッド部またはその周辺部に、凹凸を形成してアライメントマークとしたり、屈折率の異なる材料を埋め込んでアライメントマークとしても良い。

　また、アライメントマークに替えて、図２３に示すようにアライメント用の導波路３８を形成し、マウント上のアライメント用導波路３８に結合する光強度を検出することで、マウント２４の位置合わせを行っても良い。図２３の例では、光源とスライダ間の導波路１０の横に、アライメント用の導波路３８を２本形成した。導波路としては、ポリマー導波路を利用し、サスペンション１３のフレクシャー４０の上に配置した。アライメント用の導波路３８は、ポリマー導波路１０と同じ素材で作製した。導波路３８の端面１２は、導波路１０と同様、４５度に削った。これにより、スライダ５中のアライメント用導波路１６から出射した光が、導波路３８に結合する。導波路３８の途中には、ミラー２７を形成し、スライダ５の側面方向に光が出射するようにした。スライダ５の側面方向に出射した光は、レンズにより集光し、フォトダイオードなどの検出器で検出した。光源－スライダ間の導波路１０と導波路１０側のアライメント用導波路３８との距離W₆およびW’₆は，スライダ中のアライメント用導波路１６と記録用導波路３の距離W₅およびW’₅に等しくなるようにした。この例では、W₅＝W’₅＝W₆＝W’₆＝２００μｍとした。２つの導波路３８に結合する光が最も強くなるように合わせると、導波路１０の位置を最適な位置に設置することが出来る。なお、上記アライメント用導波路３８は、途中でミラーをつけて曲げずに、図２４のように光源近くまで伸ばしても良い。

　次に、図２５～図２７を参照して実施例２による熱アシスト磁気ヘッドの構成と、スライダと半導体レーザの固定方法について説明する。実施例２による熱アシスト磁気ヘッド１０２は、光源である半導体レーザ４１をスライダ５の上に直接配置するものである。
図２５に示すように、スライダ５の上に、半導体レーザ４１を配置した。半導体レーザ４１の片側の出射面には、角度４５度で素子をエッチングすることにより、ミラー４２を形成した。これにより、レーザ光はスライダ５の上面に対して垂直な方向に出射する。半導体レーザ４１からの出射光は、スライダ中の導波路３に直接導入させた。実際には、図２６に示すように、半導体レーザ４１はレーザ用マウント４３に固定し、レーザ用マウント４３はホルダ４４に真空チャック等により固定した。ホルダ４４は、微動ステージにより位置を動かした。半導体レーザ４１の表面には、ポリマー導波路の場合と同様、レーザ出射点の両脇にアライメントマークを形成した。本実施例では、両脇に正方形の形状をした溝３３を形成した。溝３３の深さは、溝３３の底部からスライダ５の上面までの距離Dが、アライメント用光源の波長の1/4となるようにした。アライメント用導波路１６へは、波長450nmの光１９を導入した。アライメントマークの溝３３からの反射光６２を検出することにより、アライメントマークの溝３３の位置とアライメント用導波路１６の位置が一致するように位置を調整し、調整後、紫外線硬化接着剤で、スライダ５の上に半導体レーザ４１を固定した。

　図２７に実施例２の変形例を示す。この例では、レーザ用マウント４３の上側に半導体レーザ４１を入れるための深溝を形成し、その底部に半導体レーザ４１を固定した。半導体レーザ４１の出射点の下には、記録用レーザ光を透過させるための開口４６を形成した。開口４６を透過した光は、記録用導波路３に結合させた。溝底部の半導体レーザ４１の脇には、アライメント用の開口４５を２つ形成した。アライメント用の開口４５と半導体レーザ４１の出射光位置は、一直線上に並ぶように、あらかじめレーザ用マウント４３に対する半導体レーザ４１の位置を調整した。アライメント用導波路１６へは、波長450nmの光を導入した。アライメント用導波路１６とアライメント用の開口４５の位置が一致すると、アライメント用導波路１６から出射する光は、開口４５を透過する。それをフォトダイオードなどの光検出器３１により検出した。なお、フォトダイオードに代えてCCD素子を使用しても良い。開口４５を透過する光が最も強くなるようにレーザ用マウント４３の位置を合わせると、半導体レーザ４１の位置を最適位置に合わせることが可能になる。

　次に、図２８を参照して実施例３による熱アシスト磁気ヘッドの構成と、スライダの上部に半導体レーザを実装した導波路マウント２４を固定する方法について説明する。
図２８に示すように、実施例３による熱アシスト磁気ヘッド１０４は、１端にミラーが形成された半導体レーザ４１を導波路用マウント（支持部材）２４′の上に取り付け、導波路用マウント２４′をスライダ５に固定したものである。半導体レーザ４１の電極は、導波路用マウント２４′上に形成した電極パッドから供給した。導波路用マウント２４′の上には、導波路６６を形成した（図中６６は導波路のコア部を指す）。導波路６６の両端には、ミラー６８，１２を形成した（斜めにエッチングすることにより作製した）。半導体レーザ４１を出射した光はミラー６８により反射され、導波路６６に導入される。導波路６６を伝わる光は、ミラー１２により反射され、導波路用マウント２４′の面に垂直な方向に出射する。導波路用マウント２４′の材質はSiとした。この材質は，AlNやAlTiCなど他の材質であっても良い。導波路コアの材質はSiOxNyとし、OとNの比率を変えることで屈折率を調整した。クラッド６７の材質はSiO₂とした。導波路６６の出射端の両脇には、アライメントマークとなる溝３３をエッチングにより作製した。溝３３の形状は、１辺の長さが１μｍの正方形とした。スライダ側に設けたアライメント用導波路１６から出射する光と、導波路用マウント２４′側のアライメントマークの溝３３を観察することにより、導波路６６の位置合わせを行った。

　上記実施例において、導波路用マウント２４′上に形成した導波路６６とスライダ中の導波路３の間の光結合効率は、導波路６６のモードフィールド径と導波路３のモードフィールド径が等しくなる時に最も高くなる。また、導波路６６と半導体レーザ４１間の光結合効率も、導波路６６のモードフィールド径と半導体レーザ４１の出射光のスポット径が等しくなる時に最も高くなる。導波路３のモードフィールド径と、半導体レーザ４１の出射光のスポット径が異なっている場合、全体の光結合効率を上げるためには，導波路６６のモードフィールド径が，半導体レーザ４１側では，半導体レーザの出射光のスポット径に等しく、導波路３側では、導波路３のモードフィールド径に等しくなるように、導波路６６中のモードフィールド径が変化するようにすると良い。そのためには、導波路６６中の導波路の幅を、図５のように変化させたり、図７のように、導波路６６のコアーを２層構造にして、モードフィールド径を変化させると良い。

　図２９に実施例３の変形例を示す。この例では、導波路用マウント２４′上に、スライダ中のアライメント用導波路１６から出射する光を受けるための、アライメント用の導波路３８を形成した。アライメント用導波路３８の両端には、導波路６６と同様に、エッチングによりミラーを形成した。導波路用マウント２４′中の導波路６６からの光が、スライダ中の記録用導波路３に最も効率良く結合するように、導波路用マウント２４′を配置したとき、スライダ中のアライメント用導波路１６からの光が、導波路用マウント２４′上のアライメント用導波路３８に最も効率よく結合するように、アライメント用導波路３８を導波路用マウント２４′上に形成した。アライメント用導波路３８に結合したアライメント用の光は、出射側のミラーにより、導波路用マウント２４′の面に垂直な方向に出射する。この出射光６９をフォトダイオードなどの光検出器で検出した。この光検出器で検出される光の強度が最大になるように、導波路用マウント２４′の位置を調整することにより、導波路用マウント２４′を最適位置に設置した。

　上記実施例３では、スライダ中のアライメント用導波路１６から出射する光を導波路用マウント上のアライメント用導波路３８で受けて、その反対側から出射する光６９を検出することにより位置を調整した。これとは反対に、導波路用マウント上のアライメント用導波路３８の反対側から光を導入し（図２９中矢印７０）、スライダ中のアライメント用導波路１６に光が、スライダ５の上面側から入射するようにしても良い。この場合、スライダ中のアライメント用導波路１６の媒体対向面側（浮上面側）から出射光を検出する。この出射光が最大になるように位置合わせをすることにより、導波路用マウント２４′を最適位置に設置することが出来る。なお、このような導波路用マウント上に形成したアライメント用導波路３８は、単に、中心の導波路６６の出射位置を示すためのアライメントマークとして利用しても良い。すなわち、アライメント用導波路３８に、光を矢印７０のように入れ、その反対側から光が出射するようにする。この出射点の位置を結んだ直線上に、中心の導波路６６の出射点が位置するようにすれば、アライメント用導波路３８から出射する光は、光るアライメントマークとして利用で出来る。すなわち、それを観察光学系で観察することにより、アライメント用導波路３８の出射位置を知ることが出来る。

　図３０に、上記実施例１による熱アシスト磁気ヘッドを搭載した記録再生装置の全体構成を示す。熱アシスト磁気ヘッドのスライダ５はサスペンション１３に固定され、磁気ディスク１４の上を浮上量１０ｎｍ以下で浮上し、ボイスコイルモータ４９からなるアクチュエータによって磁気ディスク１４上の所望トラック位置に位置決めされる。磁気ディスク１４は、モータによって回転駆動されるスピンドル５３に固定され、回転される。半導体レーザ４１は、サブマウント５１上にはんだで固定され、サブマウント５１はサスペンション１３が取り付けられているアームの根元（e－blockと呼ばれる部分）に固定されている。半導体レーザ４１のドライバは、e－block横に配置された回路基板５２の上に実装されている。この回路基板５２には、熱アシスト磁気ヘッド用のドライバも搭載されている。半導体レーザ４１を搭載するサブマウント５１は、e－block上に直接配置しても良いし、回路基板５２の上に配置しても良い。半導体レーザ４１からの出射光は、導波路１０を半導体レーザ４１に直接結合させるか、導波路１０と半導体レーザ４１の間にレンズを入れることで、導波路１０に結合させる。このとき、導波路１０、半導体レーザ４１、及びそれを結合させるための素子や部品は、モジュールとして一体化し、それをe－block上又は、e－block横の回路基板上に配置しても良い。また、半導体レーザ４１の寿命を長くするために、モジュール内を気密封じしても良い。記録信号は、信号処理回路５４で生成され、記録信号及び半導体レーザ用電源は、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）５０を通して回路基板５２に供給される。記録の瞬間、スライダ５中に設けられたコイルにより磁界を発生させると同時に、半導体レーザ４１を発光させることにより、磁気ディスク１４に記録マーク（データ）を形成する。磁気ディスク１４上に記録されたデータは、スライダ５中に形成された磁気再生素子４で再生される。再生信号の信号処理は信号処理回路５４により行なわれる。

　なお、図３０に示す記録装置では、実施例１による熱アシスト磁気ヘッドを搭載したが、実施例２及び実施例３による熱アシスト磁気ヘッドを搭載した場合も基本な構成は同じであり、半導体レーザ４１の実装位置が異なるだけである。

　本発明は、高記録密度を実現する熱アシスト磁気記録装置に適用可能である。

１…近接場光発生素子、
２…主磁極、
３…記録用導波路、
４…再生素子、
５…スライダ、
６…磁気ヘッド部、
７…コイル、
８…磁極、
９…シールド、
１０…ポリマー導波路、
１１…クラッド、
１２…ミラー、
１３…サスペンション、
１４…磁気ディスク、
１４′…記録層、
１５…クラッド、
１６…アライメント用導波路、
１７…媒体対抗面（浮上面）、
１８…出射端、
１９…入射光、
２０…台座、
２１…光ファイバ、
２２…マイクロレンズ、
２３…アライメントマーク、
２４，２４′…導波路用マウント、
２５…中間屈折率層、
２７…ミラー、
２８…ホルダ、
２９…観察用光学系、
３０…光検出器、
３１…レンズ、
３２…フォトダイオード又はCCD素子、
３３…溝、
３４…微小開口、
３８…アライメント用導波路、
４０…フレクシャー、
４１…半導体レーザ、
４２…ミラー、
４３…レーザ用マウント、
４４…ホルダ、
４５…アライメント用開口、
４６…記録用レーザ光透過用開口、
５６…近接場光が発生する頂点、
５９…遮光膜、
６０…分布屈折率レンズ、
６１…出射光、
６２…反射光、
６３…ビームスプリッタ、
６４…出射端面からの反射光、
６５…アライメントマークからの反射光、
６６…導波路、
６７…クラッド、
６８…入射側ミラー、
６９…アライメント用導波路から出射する光、
７０…アライメント用導波路に入射する光、
１００，１０２，１０４…熱アシスト磁気ヘッド。

Claims

　媒体対向面と、磁界を発生する磁気ヘッド部と、該磁気ヘッド部の近傍であって前記媒体対向面の近傍に設けられた光照射部と、光を前記光照射部に導く導波路とを有するスライダと、を備える熱アシスト磁気ヘッドにおいて、
　前記スライダの導波路の脇にアライメント用導波路を２本以上有することを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、前記導波路と、前記アライメント用導波路が直線上に配置されていることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、前記アライメント用導波路が前記導波路から前記スライダの長手方向にずれた直線上に配置されていることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、前記アライメント用導波路が、前記導波路を含む直線上に２個設けられ、前記導波路から前記スライダの長手方向にずれた直線上に２個設けられていることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、前記導波路と前記アライメント用導波路との距離が１００μｍ以上であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、前記光照射部は近接場発光素子であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、前記アライメント用導波路の入射端のモードフィールド径が出射端のモードフィールド径よりも大きいことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、光源からの光を導入する第２の導波路を支持する支持部材が前記スライダの媒体対向面と反対側に取り付けられ、前記支持部材の前記第２の導波路の入射端側に光源が取り付けられていることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、前記アライメント用導波路の入射端の中心軸と出射端の中心軸がずれていることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　請求項１記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、前記アライメント用導波路が折れ曲がり、その入射端が前記スライダの側面に位置することを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　光源と、
　媒体対向面と、磁界を発生する磁気ヘッド部と、前記磁気ヘッド部の近傍であって前記媒体対向面の近傍に設けられた光照射部と、前記光源からの出射光を前記光照射部に導く導波路とを有するスライダと、を備える熱アシスト磁気ヘッドにおいて、
　前記スライダの導波路の脇にアライメント用導波路を２本以上有し、前記光源の光出射点の脇にアライメントマークを有し、前記スライダの媒体対向面と反対側に前記光源が取り付けられていることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　請求項１１記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、前記光源は半導体レーザであることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　請求項１１記載の熱アシスト磁気ヘッドにおいて、前記アライメントマークは溝であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッド。
　光の出射点の両側にアライメントマークを有するレーザ基板、又は光を導入する第１の導波路を支持し該第１の導波路の両側にアライメントマークを有する支持部材を用意する工程と、
　媒体対向面と、磁界を発生する磁気ヘッド部と、該磁気ヘッド部の近傍であって前記媒体対向面の近傍に設けられた光照射部と、前記媒体対向面と反対側に入射端を有し前記光照射部に光を導く第２の導波路と、該第２の導波路の両側に前記アライメントマークと同じ間隔のアライメント用導波路とを有するスライダを用意する工程と、
　前記スライダの媒体対向面と反対側に、前記光源又は支持部材を前記アライメントマークを有する側を対向させて配置する工程と、
　前記スライダのアライメント用導波路に、媒体対向面側から前記第２の導波路に導入する光とは別の光を導入する工程と、
　前記アライメント用導波路から出射する光の位置と前記アライメントマークが重なるように、前記スライダと前記光源又は支持部材の位置を調整する工程と、
　前記スライダと前記光源又は支持部材を固定する工程と、
を有することを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法。
　請求項１４記載の熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法において、前記スライダと前記光源又は支持部材の位置を調整する工程は、前記アライメントマークを透過する光の強度を検出し、検出した光の強度が最大もしくは最小となるように調整する工程であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法。
　請求項１４記載の熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法において、前記スライダと前記光源又は支持部材の位置を調整する工程は、前記アライメントマークにより反射された光の強度を検出し、検出した光の強度が最大もしくは最小となるように調整する工程であることを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法。
　請求項１６記載の熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法において、前記スライダと前記光源又は支持部材の位置を調整する工程は、前記アライメントマークにより反射された光の強度を前記アライメント用導波路ごとに検出し、それぞれの強度を比較することにより、前記光源又は支持部材の傾きを調整する工程を含むことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法。
　請求項１５又は１６記載の熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法において、前記スライダと前記光源又は支持部材の位置を調整する工程は、前記光源又は支持部材を振動させ、前記検出した光の強度の内、前記振動の周波数で変調された成分を検出する工程を含むことを特徴とする熱アシスト磁気ヘッドの組み立て方法。