WO2009135652A1 - Vorrichtung und verfahren zum hochleistungs-puls-gasfluss-sputtern - Google Patents

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WO2009135652A1
WO2009135652A1 PCT/EP2009/003218 EP2009003218W WO2009135652A1 WO 2009135652 A1 WO2009135652 A1 WO 2009135652A1 EP 2009003218 W EP2009003218 W EP 2009003218W WO 2009135652 A1 WO2009135652 A1 WO 2009135652A1
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WO
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gas
equal
hollow cathode
flow sputtering
pulse
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PCT/EP2009/003218
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Ralf Bandorf
Thomas Jung
Kai Ortner
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Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V.
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    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
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    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32532—Electrodes
    • H01J37/32596—Hollow cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering

Definitions

  • the present invention relates to a Gasflußsput ter source with a hollow cathode for coating substrates and a method for coating substrates by means of pulsed gas flow sputtering.
  • Gas-flow sputter sources are well known in the art.
  • gas-flow sputtering sources comprise a hollow cathode, on one side of which an inert gas stream inlet device is arranged, and on the other side of which an opening, behind which a substrate to be coated is located, and an anode mounted at a certain distance.
  • the hollow cathode serves as a target.
  • the sputter source is operated either by DC voltage or by AC voltage.
  • Such a sputtering source is disclosed in DD 294 511 A5, wherein a plurality of electrically isolated from each other targets form a hollow cathode with a square cross-section.
  • a sputtering source is described in DE 42 35 953 A1, in which a linear hollow cathode with planar electrodes arranged parallel to one another and of the same or similar size is used. Through the two electrodes and perpendicularly arranged, non-conductive side surfaces, a cavity is clamped, within which, under appropriate circumstances, a hollow cathode glow discharge can take place.
  • Gasflußsputtern When Gasflußsputtern it comes by supplying inert gas into the interior of the hollow cathode to a hollow cathode glow discharge of the inert gas and thereby sputtered cathode material passes through the opening to the substrate where it deposits.
  • reactive Gasflußsputtern reactive gas is supplied in addition to the inert gas, so that preferably the atomized from the cathode material reacts with the reactive gas.
  • the plasma ions give off their energy, but only a small part of the energy goes into kinetic energy of the target atoms.
  • the target atoms arrive only slowly to the substrate and meet with low energies on this.
  • a bias voltage is additionally applied.
  • voltage can only be used to a limited extent or not at all.
  • the bias voltage can only act on plasma ions, but not on layer-forming target atoms.
  • the aim of the invention is therefore to provide a gas-flow sputtering source and a process for the production of stable, dense and / or hard coatings.
  • the gas-flow sputtering source basically has a conventional structure, ie a hollow cathode of arbitrary cross-section, at the first opening of which at least one inlet device for inert gas is attached and through whose second opening the target particles can emerge from the hollow cathode in order to be in the immediate vicinity Depositing the opening arranged substrate. At a certain distance from the hollow cathode there is an anode.
  • the gas-flow sputtering source is characterized by the use of specially pulsed voltage sources, in particular for generating high peak powers in the pulse and / or for generating an increased power density on a hollow cathode surface.
  • a high-power pulse generator with which voltage pulses having a high average power density on the cathode surface per pulse, can be used, is suitable as the voltage source Peak power in the pulse and with a duty cycle of less than or equal to 50% can be generated.
  • the duty cycle is the ratio of the duration of a single pulse to the time between the onset of a first pulse and the onset of a second pulse directly following the first one.
  • the gas-flow sputtering source according to the invention is preferably connected to a high-power pulse generator which generates pulses with peak powers in the
  • the gas-flow sputtering source according to the invention is connected to a high-power pulse generator, with which a pulsed voltage, preferably a pulsed DC voltage, with a power density of greater than or equal to 20 W / cm 2 per pulse, in particular greater than or equal to 50 W / cm 2 per pulse, in particular greater than or equal to 100 W / cm 2 per pulse, and / or with a duty cycle which is improved to less than or equal to 25%, in particular to less than or equal to 10%, is connected.
  • a pulsed voltage preferably a pulsed DC voltage
  • At least one additional reactive gas inflow device may be attached to the gas-flow sputtering source of the invention so that the gas-flow sputtering source can also be used for reactive gas-flow sputtering.
  • a pulsed voltage with a duty cycle of less than or equal to 50% is applied to the hollow cathode of any gas-flow sputtering source. It turned out that through Such a pulsed voltage in the interior of the hollow cathode not only generates gas ions with increased energy, but also target ions with high energy and high degree of ionization, so that the application of a bias voltage, as required in the prior art, can be dispensed with.
  • the degree of ionization of the target atoms in contrast to the prior art, is significantly greater, so that a considerable portion of the target atoms in ionized form and thus with higher energy than the neutral target atoms reaches the substrate and has greater surface mobility there and thereby can form more compact layers.
  • the essence of the invention is therefore that not only energy-rich gas ions are generated by the use of a specially pulsed voltage source, ie by the application of a certain pulsed voltage to the hollow cathode, but also high-energy target particles.
  • the layers are thus formed not only by neutral particles, but by ions, whereby the structure of the growing layers can be influenced.
  • the energy-rich target ions generated in the gas-flow sputtering process according to the invention enable the deposition of insulating layers with thicknesses in the range from 0.1 .mu.m to 300 .mu.m, in particular in the range from 1 .mu.m to 50 .mu.m, while only conventional thicknesses up to 5 .mu.m can be achieved by means of conventional gas-flow sputtering without bias voltage ,
  • the density and hardness of the insulating layers and / or conductive layers deposited by means of pulsed gas flow sputtering are also increased over conventional methods.
  • an Al 2 O 3 layer deposited with a method known from the prior art has a density of 3.4 g / cm 3 and a hardness of 12 GPa
  • Al 2 O 3 layers can be deposited with a density of 3.8 g / cm 3 and a hardness of 20 GPa.
  • Another advantage of the method according to the invention is that the high-energy target particles have the structure and morphology. change the phology sustainably.
  • target particles produced by conventional methods have a columnar structure, while the target particles produced by the method of the present invention have a compact and isotropic microcrystalline structure.
  • the inert gas and reactive gas can be introduced into the hollow cathode, as is known from various known reactive sputtering.
  • this can lead to target poisoning.
  • the most varied layers can be deposited.
  • dielectric layers, oxide layers, tribological layers and / or sensory layers can be produced.
  • PZT lead zirconate titanate
  • CuAlO 2 and / or AgAlO 2 is preferably deposited.
  • Layers of TiO x , Al 2 O 3 , partially or completely stabilized ZrO 2 , ZnO, indium tin oxide and / or SiO x are preferably produced as oxide layers.
  • layers of the materials aC and / or aC: H and / or aC: Me and / or CrN x and / or TiN and / or ZrN and / or TiB 2 are understood to mean tribological layers, while Sensory layers, in particular magnetic and / or piezoelectric and / or piezoresistive and / or thermoelectric and / or thermoresistive layers are counted. Further preferred layers are NiCr and MAX phases. According to MW Barsoum and T. El-Raghy (American Principles, VoI 89 (2001), p.
  • MAX phases are understood as meaning compounds having the composition M n + iAX n , where n is 1, 2, or 3
  • M is a low group number transition metal, ie, a metal to the left of the center of the periodic table
  • A is an element of elemental group A, ie, an element, which usually appears in Group IIIA or IVA of the Periodic Table
  • X is either carbon or nitrogen.
  • Application Example 1 the deposition of PZT onto a silicon wafer is explained.
  • Application Example 2 describes a machine part coated with aluminum oxide made of steel.
  • a high-power pulse generator is connected to a PVD coating machine equipped with a tubular GFS source.
  • the negative output is connected to the hollow cathode of the GFS source and the positive output to the ground potential.
  • the GFS source is equipped with a sputtering target in hollow cathode form, which is composed of parts made of pure lead, zirconium and titanium.
  • the vacuum chamber is charged with a silicon disk which is mounted on a heatable substrate. holder is mounted.
  • the vacuum chamber is evacuated by means of a Roots pump. Subsequently, an argon gas flow of 1 slm (standard liters per minute) is set, which flows through the GFS source in the vacuum chamber, so that sets in the vacuum chamber, a pressure of 0.5 mbar.
  • the silicon wafer is heated to 600 0 C. Thereafter, a pulsed DC voltage of about -150 V is applied to the silicon wafer, resulting in a
  • Glow discharge forms which removes interfering surface coverings from the silicon wafer.
  • the GFS source is cleaned by low-power, approximately 200 W, oxide sputtering targets.
  • the opening of the GFS source is largely closed by a diaphragm.
  • the silicon wafer is moved in front of the GFS source, the source power at the high-power pulse generator is set to 1 kW, pure oxygen with a mass flow of 0.01 slm is fed into the chamber, the substrate bias is set to -80 V and the aperture is removed from the source opening. This leads to the separation of a crystalline, piezoelectric
  • a high-power pulse generator is connected to a PVD coating facility equipped with a linear GFS source.
  • the negative output is connected to the hollow cathode of the GFS source and the positive output to the ground potential.
  • the GFS source is equipped with two rectangular sputtering targets made of pure aluminum, which form a hollow cathode.
  • the vacuum chamber is equipped with a machine part, which consists of steel and is to be provided with a thin-film sensor.
  • the vacuum chamber is evacuated by means of a Roots pump. Subsequently, an argon gas flow of 3 slm (standard liters per minute) is set, which flows through the GFS source into the vacuum chamber.
  • the machine part is heated to 150 0 C. Thereafter, a pulsed DC voltage of about -150 V is applied to the machine part, whereby a glow discharge is formed, which removes interfering surface deposits from the surface of the machine part.
  • the GFS source is cleaned by low power operation of oxide sputtering targets.
  • the opening of the GFS source is largely closed by a diaphragm.
  • the machine part is moved in front of the GFS source, the source power at the high-power pulse generator is set to 3 kW, pure oxygen with a mass flow of
  • the substrate prestressing set to -100 V and remove the shutter from the source opening. This results in the deposition of a microcrystalline, electrically highly insulating layer of aluminum oxide on the machine part.
  • the source opening is closed and the GFS source and the process gases are shut off. Subsequently, the machine part is moved in front of another GFS source, with which a sensor layer is then deposited on top of the aluminum oxide layer.

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Abstract

Die vorliegende Erfindung betrifft eine Gasflußsputter-Quelle mit einer Hohlkathode zum Beschichten von Substraten sowie ein Verfahren zur Beschichtung von Substraten mittels gepulstem Gasflußsputtern. Dabei wird zwischen Hohlkathode und Anode ein Hochleistungspulsgenerator angeschlossen, mit dem eine speziell gepulste Spannung erzeugbar ist.

Description

Vorrichtung und Verfahren zum Hochleistungs-Puls- Gasfluß-Sputtern
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Gasflußsput- ter-Quelle mit einer Hohlkathode zum Beschichten von Substraten sowie ein Verfahren zur Beschichtung von Substraten mittels gepulstem Gasflußsputtern.
Gasflußsputter-Quellen sind in der Technik allgemein bekannt. In der Regel weisen Gasflußsputter-Quellen eine Hohlkathode, auf deren einer Seite eine Einströmvorrichtung für einen Inertgasstrom und auf deren anderer Seite eine Öffnung, hinter welcher sich ein zu beschichtendes Substrat befindet, angeordnet ist, und eine in gewisser Entfernung angebrachte Anode auf . Dabei dient die Hohlkathode als Target . Die Sputterquelle wird entweder mittels Gleichspannung oder mittels Wechselspannung betrieben. Eine solche Sputterquelle wird in der DD 294 511 A5 offenbart, wobei mehrere elektrisch voneinander isolierte Targets eine Hohlkathode mit quadratischem Querschnitt bilden. Eine weitere Ausführungsform einer Sputter- quelle wird in der DE 42 35 953 Al beschrieben, wo- bei eine lineare Hohlkathode mit planaren, parallel zueinander angeordneten Elektroden von gleicher oder ähnlicher Größe verwendet wird. Durch die beiden E- lektroden und senkrecht dazu angeordnete, nicht leitende Seitenflächen wird ein Hohlraum aufgespannt, innerhalb dessen unter geeigneten Umständen eine Hohlkathoden-Glimmentladung stattfinden kann.
Beim Gasflußsputtern kommt es durch das Zuführen von Inertgas in den Innenraum der Hohlkathode zu einer Hohlkathoden-Glimmentladung des Inertgases und das dadurch abgestäubte Kathodenmaterial gelangt durch die Öffnung auf das Substrat, wo es sich ablagert. Beim reaktiven Gasflußsputtern wird zusätzlich zum Inertgasstrom reaktives Gas zugeführt, so dass vorzugsweise das von den Kathoden abgestäubte Material mit dem Reaktivgas reagiert.
Die durch die Hohlkathodenentladung entstandenen Plasmaionen treffen auf die Kathoden auf und schlagen dabei Targetatome aus den Kathoden heraus. Dabei geben die Plasmaionen ihre Energie ab, wobei jedoch nur ein geringer Teil der Energie in kinetische Energie der Targetatome übergeht. Somit gelangen die Targetatome nur langsam zum Substrat und treffen mit niedrigen Energien auf dieses auf. Es liegen also durch den Prozess der Kathodenabstäubung keine energiereichen Teilchen zur Schichtbildung vor. Dies erweist sich als Nachteil, da für das Abscheiden von Schichten mit besonderer Beschaffenheit, beispielsweise von harten Schichten, eine erhöhte Energie des zerstäubten Targetmaterials notwendig ist. Daher wird herkömmlicher- weise zusätzlich eine Biasspannung angelegt. Eine Bi- asspannung lässt sich jedoch speziell im Fall von isolierenden Schichten oder isolierenden Substraten nur begrenzt oder gar nicht einsetzen. Außerdem kann die Biasspannung nur auf Plasmaionen, nicht aber auf schichtbildende Targetatome wirken.
Ziel der Erfindung ist es daher, eine Gasflußsputter- Quelle und ein Verfahren zur Herstellung von stabilen, dichten und/oder harten Beschichtungen zur Verfügung zu stellen.
Diese Aufgabe wird durch die Gasflußsputter-Quelle nach Anspruch 1 und den vorteilhaften Weiterbildungen in den zugehörigen abhängigen Ansprüchen sowie durch das Verfahren zur Beschichtung von Substraten mittels Gasflußsputtern nach Anspruch 6 und dessen vorteil- haften Ausgestaltungsformen nach den zugehörigen, abhängigen Ansprüchen gelöst.
Die erfindungsgemäße Gasflußsputter-Quelle weist grundsätzlich einen herkömmlichen Aufbau auf, also eine Hohlkathode mit beliebigem Querschnitt, an deren erster Öffnung mindestens eine Einströmvorrichtung für Inertgas angebracht ist und durch deren zweite Öffnung die Targetteilchen aus der Hohlkathode austreten können, um sich auf dem in unmittelbarer Nähe der Öffnung angeordneten Substrat abzulagern. In ge- wissem Abstand zur Hohlkathode befindet sich eine A- node . Erfindungsgemäß zeichnet sich die Gasflußsputter-Quelle durch den Einsatz speziell gepulster Spannungsquellen, insbesondere zur Erzeugung hoher Spitzenleistungen im Puls und/oder zur Erzeugung einer erhöhten Leistungsdichte auf einer Hohlkathodenober- flache aus. Als Spannungsquelle bietet sich insbesondere ein Hochleistungspulsgenerator an, mit dem Spannungspulse mit einer hoher gemittelter Leistungsdichte auf der Kathodenoberfläche pro Puls, mit hohen Spitzenleistungen im Puls und mit einem Tastverhältnis (engl. "Duty cycle") von kleiner oder gleich 50 % erzeugbar sind. Unter dem Tastverhältnis versteht man das Verhältnis von der Dauer eines einzelnen Pulses zur Zeitspanne zwischen dem Einsetzen eines ersten Pulses und dem Einsetzen eines zweiten, direkt auf den ersten folgenden Pulses.
Bevorzugt ist die erfindungsgemäße Gasflußsputter- Quelle an einen Hochleistungspulsgenerator ange- schlössen, welcher Pulse mit Spitzenleistungen im
Puls im Bereich von 100 kW bis 50 MW, insbesondere im Bereich von einigen 100 kW bis einigen MW, insbesondere im Bereich von 200 kW bis 3 MW, erzeugt.
Vorteilhafterweise ist die erfindungsgemäße Gasflußsputter-Quelle an einen Hochleistungspulsgenerator, mit dem eine gepulste Spannung, bevorzugt eine gepulste Gleichspannung, mit einer Leistungsdichte von größer oder gleich 20 W/cm2 pro Puls, insbesondere größer oder gleich 50 W/cm2 pro Puls, insbesondere größer oder gleich 100 W/cm2 pro Puls, und/oder mit einem auf kleiner oder gleich 25 %, insbesondere auf kleiner oder gleich 10 %, verbesserten Tastverhältnis erzeugbar ist, angeschlossen.
Vorzugsweise kann an die erfindungsgemäße Gasflußsputter-Quelle mindestens eine zusätzliche Einströmvorrichtung für reaktives Gas angebracht sein, so dass die Gasflußsputter-Quelle auch für reaktives Gasflußsputtern eingesetzt werden kann.
Bei dem erfindungsgemäßen Gasflußsputterverfahren wird an die Hohlkathode einer beliebigen Gasflußsput- ter-Quelle eine gepulste Spannung mit einem Tastverhältnis (engl. "Duty cycle") von kleiner oder gleich 50 % angelegt. Es hat sich herausgestellt, dass durch eine derartig gepulste Spannung im Inneren der Hohl- kathode nicht nur Gasionen mit erhöhter Energie, sondern auch Targetionen mit hoher Energie und hohem Ionisationsgrad erzeugt werden, so dass auf das Anlegen einer Biasspannung, wie im Stand der Technik erforderlich, verzichtet werden kann.
Beim Verfahren der vorliegenden Erfindung ist der Ionisationsgrad der Targetatome im Unterschied zum Stand der Technik deutlich größer, so dass ein erheb- licher Teil der Targetatome in ionisierter Form und damit mit höherer Energie als die neutralen Targetatome das Substrat erreicht und dort über eine größere Oberflächenbeweglichkeit verfügt und dadurch kompaktere Schichten bilden kann. Um die Energie der Targetionen noch weiter zu erhöhen, können Spannungspulse mit Leistungsdichten von 20 W/cm2 oder mehr, insbesondere 50 W/cm2 pro Puls oder mehr, insbesondere 100 W/cm2 pro Puls oder mehr, mit Spitzenleistungen im Bereich von 100 kW bis 50 MW, insbesondere im Bereich von einigen 100 kW bis einigen MW, insbesondere im Bereich von 200 kW bis 3 MW, und/oder mit einem Tastverhältnis (engl . "Duty cycle") von 50 % oder weniger, insbesondere von 25 % oder weniger, insbesondere von 10 % oder weniger, an- gelegt werden.
Der Kern der Erfindung besteht also darin, dass durch den Einsatz einer speziell gepulsten Spannungsquelle, also durch das Anlegen einer bestimmten gepulsten Spannung an die Hohlkathode, nicht nur energiereiche Gasionen erzeugt werden, sondern auch energiereiche Targetteilchen. Die Schichten werden damit nicht nur durch Neutralteilchen, sondern durch Ionen gebildet, wodurch die Struktur der aufwachsenden Schichten beeinflussbar ist. Im Gegensatz zu herkömmlichen Ver- fahren, mit denen Targetteilchen mit einer Energie von kleiner als 0.5 eV erzeugt werden, können mit der erfindungsgemäßen Gasflußsputter-Quelle bzw. mit dem erfindungsgemäßen Gasflußsputterverfahren Targetionen mit Energien im Bereich von 0.5 bis 5eV, insbesondere im Bereich von 1 bis 3 eV, erzeugt werden. Somit treffen auch ohne zusätzliche elektrische (Biasspan- nung) oder magnetische Felder oder mit Feldern mit verminderter Feldstärke energiereiche Targetteilchen auf das Substrat auf, so dass Schichten mit besonderen Anforderungen, beispielsweise besonders harte Schichten, erzeugt werden können. Da durch die vorliegende Erfindung auf eine Biasspannung am Substrat verzichtet werden kann, können auch auf isolierende Substrate problemlos unterschiedliche Schichten abgeschieden werden.
Die im erfindungsgemäßen Gasflußsputterverfahren erzeugten, energiereichen Targetionen ermöglichen die Abscheidung von isolierenden Schichten mit Dicken im Bereich von 0.1 μm bis 300 μm, insbesondere im Bereich von 1 μm bis 50 μm, während mittels herkömmlichem Gasflußsputtern ohne Biasspannung nur Dicken bis zu 5 μm erreicht werden können. Auch die Dichte und Härte der mittels gepulstem Gasflußsputtern abge- schiedenen isolierenden Schichten und/oder leitenden Schichten sind gegenüber herkömmlichen Verfahren erhöht. So weist eine mit einem aus dem Stand der Technik bekannten Verfahren abgeschiedene Al2O3 -Schicht eine Dichte von 3.4 g/cm3 und eine Härte von 12 GPa auf, während im Gegensatz dazu mit dem erfindungsgemäßen Verfahren beispielsweise Al2O3 -Schichten mit einer Dichte von 3.8 g/cm3 und einer Härte von 20 GPa abgeschieden werden können. Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens liegt darin, dass die energiereichen Targetteilchen die Struktur und Mor- phologie nachhaltig verändern. So haben mit herkömmlichen Verfahren erzeugte Targetteilchen eine Säulenstruktur, während die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren erzeugten Targetteilchen eine kompakte und i- sotrope, mikrokristalline Struktur aufweisen.
Vorzugsweise kann neben dem Inertgas auch reaktives Gas in die Hohlkathode eingeleitet werden, wie es aus diversen bekannten reaktiven Sputterverfahren bekannt ist. In herkömmlichen Gasflußsputterverfahren kann es dabei zu einer Targetvergiftung kommen. Nach dem
Stand der Technik können selbst unter Einsatz einer Biasspannung auch bei leitfähiger/m Schicht/Substrat keine dicken, insbesondere mit einer Dicke größer o- der gleich 10 μm, und gleichzeitig kompakten, gut i- solierenden Schichten abgeschieden werden, da die Argonionen so hohe Schichtspannungen erzeugen, dass die Schichten abplatzen.
Diese Phänomene werden bei der vorliegenden Erfindung durch die Präsenz der energiereichen Targetteilchen weitgehend unterdrückt.
Mit Hilfe des erfindungsgemäßen Gasflußsputterverfah- rens können die unterschiedlichsten Schichten abgeschieden werden. Insbesondere können dielektrische Schichten, Oxidschichten, tribologische Schichten und/oder sensorische Schichten hergestellt werden.
Zur Erzeugung dielektrischer Schichten wird bevorzugt Blei-Zirkonat-Titanat (PZT) und/oder CuAlO2 und/oder AgAlO2 abgeschieden. Als Oxidschichten werden bevorzugt Schichten aus TiOx, Al2O3, teil- oder vollstabi- lisiertes ZrO2, ZnO, Indium-Zinn-Oxid und/oder SiOx erzeugt. Unter tribologischen Schichten werden insbesondere Schichten aus den Materialien a-C und/oder a- C:H und/oder a-C: Me und/oder CrNx und/oder TiN und/oder ZrN und/oder TiB2 verstanden, während zu sensorischen Schichten insbesondere magnetische und/oder piezoelektrische und/oder piezoresistive und/oder thermoelektrische und/oder thermoresistive Schichten gezählt werden. Weitere bevorzugte Schich- ten sind NiCr und MAX-Phasen. Unter MAX-Phasen werden nach M.W. Barsoum und T. El-Raghy (American Scien- tists, VoI 89 (2001), S. 334) Verbindungen mit der Zusammensetzung Mn+iAXn verstanden, wobei n die Werte 1, 2, oder 3 annimmt, M ein Übergangsmetall niedri- ger Gruppenzahl, d.h. ein Metall, das links vom Zentrum des Periodensystems steht, ist, A für ein Element aus der Elementgruppe A, d.h. ein Element, was üblicherweise in der Gruppe IIIA oder IVA des Periodensystems erscheint, steht und X entweder Kohlenstoff oder Stickstoff ist.
Im Folgenden werden zwei konkrete Anwendungsbeispiele des erfindungsgemäßen Gasflußsputterverfahrens gegeben: Im Anwendungsbeispiel 1 wird die Abscheidung von PZT auf eine Siliziumscheibe erläutert. Anwendungs- beispiel 2 beschreibt ein mit Aluminiumoxid beschichtetes Maschinenteil aus Stahl.
Anwendungsbeispiel 1
An eine PVD-Beschichtungsanlage, die mit einer rohr- förmigen GFS-Quelle ausgerüstet ist, wird ein Hoch- leistungspulsgenerator angeschlossen. Dabei wird der negative Ausgang mit der Hohlkathode der GFS-Quelle verbunden und der positive Ausgang mit dem Massepotential .
Die GFS-Quelle ist mit einem Sputtertarget in Hohlka- thodenform bestückt, welches aus Teilen zusammengesetzt ist, die aus reinem Blei, Zirkonium und Titan bestehen. Die Vakuumkammer wird mit einer Silizium- Scheibe beschickt, die auf einem heizbaren Substrat- halter montiert ist.
Die Vakuumkammer wird mittels einer Wälzkolbenpumpe evakuiert. Anschließend wird ein Argon-Gasström von 1 slm (Standard-Liter pro Minute) eingestellt, der durch die GFS-Quelle in die Vakuumkammer strömt, so dass sich in der Vakuumkammer ein Druck von 0.5 mbar einstellt.
Die Silizium-Scheibe wird auf 600 0C geheizt. Danach wird eine gepulste Gleichspannung von etwa -150 V an die Silizium-Scheibe angelegt, wodurch sich eine
Glimmentladung ausbildet, die störende Oberflächenbeläge von der Silizium-Scheibe entfernt.
Gleichzeitig wird die GFS-Quelle durch Betrieb mit einer geringen Leistung von etwa 200 W von Oxidbelä- gen der Sputtertargets gereinigt. In dieser Phase ist die Öffnung der GFS-Quelle durch eine Blende weitgehend verschlossen.
Nach Abschluss dieser Vorbereitungen wird die Silizium-Scheibe vor die GFS-Quelle bewegt, die Quellen- leistung am Hochleistungspulsgenerator auf 1 kW eingestellt, reiner Sauerstoff mit einem Massenfluss von 0,01 slm in die Kammer geleitet, die Substratvorspannung auf -80 V eingestellt und die Blende von der Quellenöffnung entfernt. Dadurch kommt es zur Ab- Scheidung einer kristallinen, piezoelektrischen
Schicht aus Blei-Zirkonat-Titanat auf der Silizium- Scheibe .
Nach Erreichen einer Schichtdicke von 10 μm wird die Quellenöffnung verschlossen, die GFS-Quelle, die Pro- zessgase und die Substratheizung abgestellt. Nach Abkühlung auf 80 0C wird die Vakuumkammer belüftet und die Silizium-Scheibe entnommen. Anwendungsbeispiel 2
An eine PVD-Beschichtungsanlage, die mit einer linearen GFS-Quelle ausgerüstet ist, wird ein Hochleistungspulsgenerator angeschlossen. Dabei wird der ne- gative Ausgang mit der Hohlkathode der GFS-Quelle verbunden und der positive Ausgang mit dem Massepotential .
Die GFS-Quelle ist mit zwei rechteckigen Sputtertar- gets aus reinem Aluminium bestückt, die eine Hohlka- thode bilden.
Die Vakuumkammer wird mit einem Maschinenteil bestückt, welches aus Stahl besteht und mit einem Dünnschicht-Sensor versehen werden soll.
Die Vakuumkammer wird mittels einer Wälzkolbenpumpe evakuiert. Anschließend wird ein Argon-Gasström von 3 slm (Standard-Liter pro Minute) eingestellt, der durch die GFS-Quelle in die Vakuumkammer strömt.
Das Maschinenteil wird auf 150 0C geheizt. Danach wird eine gepulste Gleichspannung von etwa -150 V an das Maschinenteil angelegt, wodurch sich eine Glimmentladung ausbildet, die störende Oberflächenbeläge von der Oberfläche des Maschinenteils entfernt.
Gleichzeitig wird die GFS-Quelle durch Betrieb bei geringer Leistung von Oxidbelägen der Sputtertargets gereinigt. In dieser Phase ist die Öffnung der GFS- Quelle durch eine Blende weitgehend verschlossen.
Nach Abschluss dieser Vorbereitungen wird das Maschinenteil vor die GFS-Quelle bewegt, die Quellenleistung am Hochleistungspulsgenerator auf 3 kW einge- stellt, reiner Sauerstoff mit einem Massenfluss von
0,04 slm in die Kammer geleitet, die Substratvorspan- nung auf -100 V eingestellt und die Blende von der Quellenöffnung entfernt. Dadurch kommt es zur Abscheidung einer mikrokristallinen, elektrisch hoch isolierenden Schicht aus Aluminiumoxid auf dem Ma- schinenteil.
Nach Erreichen einer Schichtdicke von 2 μm wird die Quellenöffnung verschlossen und die GFS-Quelle und die Prozessgase abgestellt. Anschließend wird das Maschinenteil vor eine weitere GFS-Quelle bewegt, mit welcher dann eine Sensorschicht auf der Oberseite der Aluminiumoxidschicht abgeschieden wird.

Claims

Patentansprüche
1. Gasflußsputter-Quelle mit einer Hohlkathode und einer Anode, wobei an einer ersten Seite der Hohlkathode mindestens eine Einströmvorrichtung für Inertgas angebracht ist und an einer zweiten Seite der Hohlkathode eine Öffnung zum Überführen von zerstäubtem Kathodenmaterial auf ein Substrat gegeben ist, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen der Anode und der Hohlkathode ein Hochleistungspulsgenerator angeschlossen ist, mit dem eine gepulste Spannung mit einem Tast- verhältnis zwischen der Dauer eines Pulses und der Periodendauer von kleiner oder gleich 50 % erzeugbar ist.
2. Gasflußsputter-Quelle nach dem vorhergehenden Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass mit dem
Hochleistungspulsgenerator eine gepulste Spannung mit einer hohen gemittelten Leistungsdichte auf der Kathodenoberfläche, vorteilhafterweise größer oder gleich 20 W/cm2 pro Puls, insbeson- dere größer oder gleich 50 W/cm2 pro Puls, insbesondere größer oder gleich 100 W/cm2 pro Puls, erzeugbar ist.
3. Gasflußsputter-Quelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mit dem Hochleistungspulsgenerator eine gepulste
Spannung mit hohen Spitzenleistungen im Puls, vorteilhafterweise im Bereich von 100 kW bis 50MW, insbesondere im Bereich von einigen 100 kW bis einigen MW, erzeugbar ist.
4. Gasflußsputter-Quelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mit dem Hochleistungspulsgenerator Pulse mit einem Tastverhältnis zwischen der Dauer eines PuI- ses und der Periodendauer kleiner oder gleich 25
%, insbesondere kleiner oder gleich 10 %, erzeugbar sind.
5. Gasflußsputter-Quelle nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Gasflußsputter-Quelle zusätzlich zu der mindestens einen Einströmvorrichtung für Inertgas mindestens eine Einströmvorrichtung für reaktives Gas aufweist .
6. Gasflußsputterverfahren zur Beschichtung von Substraten mittels Gasflußsputtern mit einer
Hohlkathodenentladung in einem Inertgasstrom, dadurch gekennzeichnet, dass die Hohlkathodenentladung im Inneren der Hohlkathode durch eine gepulste Spannung mit einem Tastverhältnis zwi- sehen der Dauer eines Pulses und der Periodendauer von kleiner oder gleich 50 % angeregt wird.
7. Gasflußsputterverfahren zur Beschichtung von Substraten nach dem vorhergehenden Anspruch, da- durch gekennzeichnet, dass die Hohlkathodenentladung durch eine gepulste Spannung mit einer hohen gemittelten Leistungsdichte auf der Kathodenoberfläche, vorteilhafterweise größer oder gleich 20 W/cm2, insbesondere größer oder gleich 50 W/cm2 pro Puls, insbesondere größer oder gleich 100 W/cm2 pro Puls, angeregt wird.
8. Gasflußsputterverfahren zur Beschichtung von Substraten nach einem der Ansprüche 6 und 7, da- durch gekennzeichnet, dass die Hohlkathodenent - ladung durch eine gepulste Spannung mit hohen Leistungsspitzen im Puls, vorteilhafterweise im Bereich von 100 kW bis 50MW, insbesondere im Be- reich von einigen 100 kW bis einigen MW, angeregt wird.
9. Gasflußsputterverfahren zur Beschichtung von
Substraten nach einem der Ansprüche 6 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass die Hohlkathodenent- ladung durch eine gepulste Spannung mit einem
Tastverhältnis zwischen der Dauer eines Pulses und der Periodendauer von kleiner oder gleich 25 %, insbesondere kleiner oder gleich 10 %, angeregt wird.
10. Gasflußsputterverfahren zur Beschichtung von
Substraten nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat elektrisch isolierendes oder elektrisch leitendes Material enthält oder daraus besteht.
11. Gasflußsputterverfahren nach einem der Ansprüche
6 bis 10 dadurch gekennzeichnet, dass eine
Gasflußsputter-Quelle nach einem der Ansprüche 1 bis 4 verwendet wird.
12. Gasflußsputterverfahren zur Beschichtung von Substraten nach einem der Ansprüche 6 bis 11, dadurch gekennzeichnet, dass neben Inertgas auch reaktives Gas in das Innere der Hohlkathode eingeleitet wird.
13. Gasflußsputterverfahren zur Beschichtung von Substraten nach einem der Ansprüche 6 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass auf das Substrat mindestens eine Schicht aufgebracht wird ausgewählt aus der Gruppe von Schichten enthaltend dielektrische Schichten, insbesondere PZT (Blei- Zirkonat-Titanat) und/oder CuAlO2 und/oder AgA- 1O2, Oxidschichten, insbesondere TiOx, Al2O3, teil- oder vollstabilisiertes ZrO2, ZnO, Indium- Zinn-Oxid und/oder SiOx, tribologische Schichten, insbesondere a-C und/oder a-C:H und/oder a- C: Me und/oder CrNx und/oder TiN und/oder ZrN und/oder TiB2, und sensorische Schichten, insbesondere magnetische und/oder piezoelektrische und/oder piezoresistive und/oder thermoelektri- sche und/oder thermoresistive Schichten, sowie NiCr und MAX-Phasen.
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