WO2009036730A3 - Optoelektronischer halbleiterchip mit quantentopfstruktur - Google Patents

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Christian Rumbolz
Christoph Eichler
Alfred Lell
Adrian Stefan Avramescu
Georg Bruederl
Uwe Strauss
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
Marc Schillgalies
Christian Rumbolz
Christoph Eichler
Alfred Lell
Adrian Stefan Avramescu
Georg Bruederl
Uwe Strauss
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Abstract

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, der eine strahlungsemittierende Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer aktiven Zone (120) aufweist. Die aktive Zone enthält eine erste Quantentopfschicht (3), eine zweite Quantentopfschicht (4) und zwei Abschluss-Barriereschichten (51). Die erste Quantentopfschicht und die zweite Quantentopfschicht sind zwischen den zwei Abschluss-Barriereschichten angeordnet. Die aktive Zone weist ein Halbleitermaterial auf, das mindestens eine erste und eine zweite Komponente enthält. Der Anteil der ersten Komponente in dem Halbleitermaterial der zwei Abschluss-Barriereschichten ist geringer als in der ersten und der zweiten Quantentopfschicht. Die zweite Quantentopfschicht weist im Vergleich zur ersten Quantentopfschicht entweder eine geringere Schichtdicke und einen größeren Anteil der ersten Komponente des Halbleitermaterials oder eine größere oder die gleiche Schichtdicke und einen geringeren Anteil der ersten Komponente des Halbleitermaterials auf.
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