WO2008147105A3 - Procédé de fabrication de dispositif à del au gan de structure verticale - Google Patents

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Hyun Chul Ko
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Abstract

L'invention concerne un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente (DEL) au nitrure de gallium (GaN) de structure verticale, en particulier un procédé de fabrication d'un dispositif à DEL au GaN de structure verticale caractérisé par un rendement et des caractéristiques de dispositif améliorés, obtenus par la réduction au minimum des contraintes physiques exercées sur le dispositif à DEL lors du processus de séparation d'un substrat saphir. Par ailleurs, le procédé de fabrication d'une DEL au GaN de structure verticale comprend: (a) la formation d'une couche tampon sur le substrat saphir à retirer; (b) la croissance d'une structure DEL au GaN présentant une couche GaN de type n, une couche active et une couche GaN de type p, pour obtenir de multiples dispositifs DEL séparés sur la couche tampon formée précédemment (a); (c) la formation séquentielle d'une couche électrode et d'une couche de support de structure sur les multiples dispositifs à DEL formés précédemment (b); et enfin, (d) la séparation du substrat saphir des multiples dispositifs DEL formés précédemment (b) par retrait de la couche tampon à l'aide d'un procédé de retrait chimique (chemical lift-off, ou CLO).
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