WO2008054846A3 - Mélangeur optique permettant de créer un rayonnement térahertzien cohérent et de détecter le rayonnement - Google Patents

Mélangeur optique permettant de créer un rayonnement térahertzien cohérent et de détecter le rayonnement Download PDF

Info

Publication number
WO2008054846A3
WO2008054846A3 PCT/US2007/065475 US2007065475W WO2008054846A3 WO 2008054846 A3 WO2008054846 A3 WO 2008054846A3 US 2007065475 W US2007065475 W US 2007065475W WO 2008054846 A3 WO2008054846 A3 WO 2008054846A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
absorbing layer
photomixer
radiation
generation
electrodes
Prior art date
Application number
PCT/US2007/065475
Other languages
English (en)
Other versions
WO2008054846A2 (fr
Inventor
Subrahmanyam Pilla
Original Assignee
Univ California
Subrahmanyam Pilla
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Univ California, Subrahmanyam Pilla filed Critical Univ California
Publication of WO2008054846A2 publication Critical patent/WO2008054846A2/fr
Publication of WO2008054846A3 publication Critical patent/WO2008054846A3/fr

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S1/00Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range
    • H01S1/02Masers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the microwave range solid

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

L'invention concerne un mélangeur optique permettant de créer un rayonnement térahertzien et micro-onde, ou qui est utilisé dans un détecteur optique ayant un volume actif contenant une couche absorbante semi-conductrice dotée d'une surface supérieure et d'un fond, d'une couche de recouvrement anti-réfléchissante attenante à la surface supérieure de la couche absorbante, d'un espace libre situé au-dessus de la couche de recouvrement, d'un miroir encastré attenant au fond de la couche absorbante, et d'une pluralité d'électrodes interdigitées incorporées dans la couche absorbante à différents emplacements le long d'un axe z, où chaque électrode contient un plomb pour se connecter aux autres électrodes de la pluralité d'électrodes. Les électrodes sont formées au cours de la croissance épitaxiale de la couche absorbante semi-conductrice.
PCT/US2007/065475 2006-03-29 2007-03-29 Mélangeur optique permettant de créer un rayonnement térahertzien cohérent et de détecter le rayonnement WO2008054846A2 (fr)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US78711506P 2006-03-29 2006-03-29
US60/787,115 2006-03-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2008054846A2 WO2008054846A2 (fr) 2008-05-08
WO2008054846A3 true WO2008054846A3 (fr) 2008-09-25

Family

ID=39344943

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/US2007/065475 WO2008054846A2 (fr) 2006-03-29 2007-03-29 Mélangeur optique permettant de créer un rayonnement térahertzien cohérent et de détecter le rayonnement

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO2008054846A2 (fr)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008031751B3 (de) * 2008-07-04 2009-08-06 Batop Gmbh Photoleitende Antenne zur Abstrahlung oder zum Empfang von Terahertz-Strahlung
GB0912512D0 (en) 2009-07-17 2009-08-26 Univ Leeds Generating and detecting radiation
EP2466686A1 (fr) 2010-12-15 2012-06-20 Philipps-Universität Marburg Antenne d'émission et de réception de rayonnement GHz et/ou THz ayant une caractéristique de fréquence optimisée
GB2493193B (en) * 2011-07-27 2015-07-08 Thales Holdings Uk Plc Semiconductor device for optoelectric switching
DE102013020216A1 (de) * 2013-12-12 2015-07-02 Christopher Matheisen Auslegermikrostrukturbauelement zur optischen Erzeugung von elekromagnetischen Signalen im Terahertzfrequenzbereich
US9810578B2 (en) 2015-03-06 2017-11-07 Massachusetts Institute Of Technology Systems, methods, and apparatus for radiation detection
RU2657306C2 (ru) * 2016-10-07 2018-06-13 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) Материал на основе InGaAs на подложках InP для фотопроводящих антенн
US10686084B2 (en) 2017-03-01 2020-06-16 Phase Sensitive Innovations, Inc. Diamond-backed photodiodes, diamond-sandwiched photodiodes, photodiode systems and related methods of manufacture
CN113904208B (zh) * 2021-09-18 2023-07-14 江苏师范大学 一种高纯度拉盖尔高斯光束产生系统及其产生方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6490381B1 (en) * 2000-06-01 2002-12-03 Optical Coating Laboratory, Inc. Fabry-Perot optical switch
US7010012B2 (en) * 2001-07-26 2006-03-07 Applied Optoelectronics, Inc. Method and apparatus for reducing specular reflections in semiconductor lasers

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6490381B1 (en) * 2000-06-01 2002-12-03 Optical Coating Laboratory, Inc. Fabry-Perot optical switch
US7010012B2 (en) * 2001-07-26 2006-03-07 Applied Optoelectronics, Inc. Method and apparatus for reducing specular reflections in semiconductor lasers

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
BJARNASON J.E.: "ERAs: GaAs photomixer with two-decade tunability and 12 uW peak output power", APPL. PHYS. LETT., vol. 85, no. 18, 1 November 2004 (2004-11-01), pages 3983, XP012063150, DOI: doi:10.1063/1.1813635 *

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008054846A2 (fr) 2008-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2008054846A3 (fr) Mélangeur optique permettant de créer un rayonnement térahertzien cohérent et de détecter le rayonnement
WO2012103212A3 (fr) Cellules photovoltaïques transparentes
WO2008057629A3 (fr) Dispositifs photovoltaïques et de photodétection à base de réseaux de nanostructures alignées
DE602007012854D1 (de) Implementierung von lawinenfotodioden in (bi) cmos-verfahren
WO2009100023A3 (fr) Dispositif photovoltaïque multi-jonction
WO2009150654A3 (fr) Structure volumétrique solaire
WO2008066696A3 (fr) Détecteur à photodiode à avalanche
TW200943486A (en) Anti-fuse and method for forming the same, unit cell of non volatile memory device with the same
EP1811578A4 (fr) Photodiode avalanche
WO2008156521A3 (fr) Structure d'électrode arrière texturée pour une utilisation dans un dispositif photovoltaïque tel qu'une cellule solaire cigs/cis
WO2010071341A3 (fr) Cellule solaire et procédé pour la fabriquer
WO2007031886A3 (fr) Detecteurs transistorises presentant des performances ameliorees
WO2011025631A3 (fr) Cristal semi-conducteur basé sur un détecteur de radiations et procédé de production dudit cristal
TW200943596A (en) Phase-change memory device and method of fabricating the same
WO2010031011A3 (fr) Photodiode en arête de poisson à couche active mince comportant une couche n+ peu profonde et son procédé de fabrication
WO2011136488A3 (fr) Cellule solaire
WO2009145501A3 (fr) Dispositif électroluminescent et procédé de fabrication correspondant
WO2012032064A3 (fr) Dispositif photovoltaïque à semi-conducteurs de type chalcopyrite
WO2011119001A3 (fr) Générateur photovoltaïque et son procédé de fabrication
WO2011129856A3 (fr) Détecteur en silicium transparent et tête chercheuse multimode utilisant ledit détecteur
WO2012054477A3 (fr) Dispositifs optoélectroniques et leurs applications
WO2014131059A8 (fr) Dispositif de conversion et de stockage d'énergie, et dispositif électronique mobile le comprenant
TW200729520A (en) Ultraviolet detector
WO2012037379A3 (fr) Cellules de gestion de collecte de lumière et de porteur mono-jonction et multi-jonction
WO2006122114A3 (fr) Cellule solaire rechargeable sensibilisee par application d'un colorant

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07868201

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07868201

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2