WO2008043433A1 - Compact 3-mirror objective - Google Patents

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WO2008043433A1
WO2008043433A1 PCT/EP2007/008315 EP2007008315W WO2008043433A1 WO 2008043433 A1 WO2008043433 A1 WO 2008043433A1 EP 2007008315 W EP2007008315 W EP 2007008315W WO 2008043433 A1 WO2008043433 A1 WO 2008043433A1
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WO
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mirror
lens according
lens
aperture
catoptric
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PCT/EP2007/008315
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German (de)
French (fr)
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WO2008043433A8 (en
Inventor
Erik Sohmen
Hans-Jürgen Mann
Original Assignee
Carl Zeiss Smt Ag
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Filing date
Publication date
Application filed by Carl Zeiss Smt Ag filed Critical Carl Zeiss Smt Ag
Publication of WO2008043433A1 publication Critical patent/WO2008043433A1/en
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    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
    • G02B17/02—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system
    • G02B17/06—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror
    • G02B17/0647—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors
    • G02B17/0652—Catoptric systems, e.g. image erecting and reversing system using mirrors only, i.e. having only one curved mirror using more than three curved mirrors on-axis systems with at least one of the mirrors having a central aperture
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B21/00—Microscopes
    • G02B21/02—Objectives
    • G02B21/04—Objectives involving mirrors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems

Definitions

  • the invention relates to a lens, in particular a projection objective, preferably a microlithography projection objective with at least four reflecting lenses
  • Mirror surfaces in particular exactly four reflecting mirror surfaces which are formed on at least three mirrors, in particular exactly three mirrors, wherein at most two mirrors have an opening for the passage of a beam bundle, which passes through the lens from the object plane to the image plane.
  • the objective according to the invention is suitable in particular for light of a wavelength ⁇ 193 nm, but is not limited thereto.
  • WO 03/075068 An apparatus for process development for EUV lithography has become known, for example, from WO 03/075068.
  • the correction of the field curvature is achieved by the mirrors having nearly equal radii of curvature, and the correction of the spherical aberrations is achieved by aspherizing the mirrors.
  • a further lens with two reflections is shown in US Pat. No. 5,071,240 and in particular FIG. 8.
  • a disadvantage of the system of US Pat. No. 5,071,240 is that due to the strong curvature of the field, it is necessary to image a field of the order of 0.2 mm x 0.6 mm 2 or larger is not suitable.
  • EP 0267766 catoptric reduction systems with 3 mirrors and 4 reflections have become known.
  • a disadvantage of the system of EP 0267766, is that this system also has only one image-side numerical aperture NA of 0.3.
  • Another disadvantage is that in this system all mirrors have an opening. As a result, it is not possible to position the obscuration-defining obscuration diaphragm on a mirror.
  • the object of the invention is to provide a lens that overcomes the disadvantages of the prior art.
  • the objective is designed as a microlithography projection system, then such a projection objective should be distinguished in that an object field of sufficient size with the largest possible image-side aperture, e.g. NA> 0.3, preferably NA> 0.5, particularly preferably NA> 0.7 can be imaged.
  • the diameter of the image field should be more than 10 .mu.m, preferably more than 100 .mu.m, and the image-side aperture NA> 0.3, preferably> 0.5, more preferably> 0.7.
  • the size of the object field to be examined should be sufficiently large and the objective lens should have the largest possible object-side aperture.
  • the diameter of the object field should be more than 10 ⁇ m, preferably more than 100 ⁇ m, and the object-side aperture NA> 0.3, preferably> 0.5, very preferably> 0.7.
  • the part of the high-aperture lens is thus on the image side in a lens used as a microlithography projection system. With a lens used as a microscope, the high-aperture part of the lens is on the object side.
  • the lens should be simple and easy to produce.
  • the objective comprises at least four reflecting mirror surfaces which are formed on three mirrors.
  • two mirrors have an opening for the passage of a beam that passes through the objective from an object plane to an image plane.
  • a mirror has no opening for the passage of a ray bundle, which passes through the lens from the object plane to the image plane.
  • an obscuration diaphragm on the mirror which has no opening.
  • the size of the center shading, i. H. the size of the non-illuminated area is preferably set in the region of the optical axis.
  • the obscuration diaphragm should preferably be selected such that the size of the shading has an aperture which corresponds at least to the largest aperture aperture of the apertures for the passage of the beam tuft in order to avoid vignetting of the imaging light beam by the mirror substrate.
  • the numerical aperture NA on the high-aperture side of the objective is more than 0.3, preferably> 0.32, more preferably more than 0.4, particularly preferably more than 0.5.
  • the lens is formed in a preferred embodiment of the invention such that the field on the high-aperture side of the lens has an extension in the range of 0.1 mm 2 x 0.5 mm 2 to 1, 0 x 1, 0 mm 2 , in particular in the range of 0.2 mm 2 x 0.6 mm 2 to 1, 0 x 1, 0 mm 2 and the image is diffraction-limited.
  • the high-aperture side of the lens is at a Lens, which is used for example as a microlithography lens on the image side, in a lens that is used as a microscope, on the object side.
  • the field preferably has dimensions ⁇ 1 mm in each field direction, ie, the field is preferably less than 1 x 1 mm 2
  • the catoptric lens according to the invention a field, which is penetrated by the optical axis HA of the objective, a so-called on -axis field, map.
  • the catoptric objective can thus be used both as a projection objective for microlithography systems and also in the field of microscopy, in particular also for the inspection of lithographic masks and exposed wafers.
  • the system is characterized by a low manufacturing cost, since only three mirrors must be machined. In particular, only three interferometers are necessary to test the aspherical mirror surfaces. Independently of this, individual mirrors of the claimed system can be designed spherically or even as plane mirrors.
  • the reflective mirror surfaces of the double-use mirror lie on the same side of the mirror. If the mirror has, for example, a front and a rear side, then in a preferred embodiment of the invention both mirror surfaces are located on the same side, for example on the front side. The other side of the mirror, so the back then has no optical surface, so it does not need to be edited or checked.
  • the first mirror surface is formed as a convex mirror surface. The first mirror surface has several tasks.
  • the first convex mirror in combination with the two concave mirrors acts as an imaging element. Furthermore, the convex mirror corrects the field curvature caused by the two concave mirrors.
  • an aperture diaphragm can be arranged on the convex mirror. If the aperture is to be varied, in addition, swing-in aperture stops are required. Since the convex mirror is a mirror that has no opening, an obscuration diaphragm can also be arranged on the convex mirror. The obscuration diaphragm then lies in a diaphragm plane of the objective. Overall, it is thus possible with such a system to achieve a high resolution over a sufficient field of view, and also to place an obscuration diaphragm on a mirror using a minimum number of mirrors. Such a design combines the advantages of the design such as those known from WO 03/075068 with those of a concentric black shield design.
  • an aperture stop can also be arranged at a different location of the beam path, e.g. between the third and the fourth reflection.
  • the aperture diaphragm can even be realized in a particularly simple form, namely in the form of an iris diaphragm.
  • the convex mirror formed first reflective surface M1 is no longer in a diaphragm plane.
  • An obscuration diaphragm arranged there then leads to a field-dependent pupil shading which, however, is tolerable for certain applications because of the small field size.
  • the objective preferably has a magnification of 4x or greater, for example 5x, 8x or 10x or even 100x. Image scales of more than 100x are of particular interest when using the objective in microscope applications.
  • the objective can preferably be designed such that the object is imaged infinitely.
  • An illustration of the object at infinity, ie an image plane at infinity, has the advantage that a collimated beam path is formed on the image side by this structure.
  • a defined interface is provided.
  • a tube optics which can be introduced in the eliminate collimated beam path, the image, which lies at infinity, can be finely imaged and observed.
  • a lens is possible in which the object lies at infinity.
  • a defined interface for the coupling of light for example, provided for the lighting.
  • the coupling can take place, for example, in turn with the aid of a beam splitter, which can be arranged at any point in the object-side collimated beam path.
  • An image from the infinite to the finite takes place in particular when the objective is used for imaging objects, for example when the objective is used in a camera.
  • the image scales can be realized in the design very easily by changing the input slice size and a corresponding choice of distances and mirror parameters such as radii or aspheric constants.
  • the objective according to the invention is not only suitable for use in microsteps in which an object is imaged in a reduced size in an image, but also for microscopic applications such. B. mask and wafer inspection systems.
  • the lens must be used in the opposite direction to the magnification, ie, the object is located at the high-aperture end of the lens.
  • the image plane of the reduction objective then becomes the object plane and the object plane of the reduction objective to the image plane.
  • the first, second, and third are then Mirror surface a concave mirror surface and the fourth mirror surface a convex mirror surface.
  • a reflected light illumination For use as a mask and / or wafer inspection system different types of illumination of the object such.
  • B. a reflected light illumination, a central dark field illumination or an oblique illumination can be realized.
  • the object-high aperture in a system used for microscopic applications as described herein allows the objective to be used with oblique illumination and subapertures of 0.2 and greater at different angles of incidence.
  • the objective is used in a system with a broadband light source, for example a mercury lamp or a light-emitting diode or a narrow-band light source, for example a KrF or ArF laser or an EUV light source.
  • a broadband light source for example a mercury lamp or a light-emitting diode or a narrow-band light source, for example a KrF or ArF laser or an EUV light source.
  • Fig. 1 an example of an on-axis mirror with opening
  • Fig. 2a-2d the structure of a first embodiment of the invention
  • the mirrors in the projection objective according to the invention can be divided into two groups:
  • FIG. 1 An example of a mirror 2600 comprising an opening for the passage of radiation and - Mirror in which no openings are present.
  • An example of a mirror 2600 comprising an opening for the passage of a jet tuft is shown in FIG.
  • the mirror 2600 includes an opening 2610.
  • the mirror 2600 may be disposed in the projection lens such that the optical axis 2105 intersects the opening 2610.
  • the mirror 2600 is circular in shape with a diameter D.
  • the opening has a diameter D 0 .
  • the apertures may be formed in different mirrors of the same shape or different shape. Furthermore, the openings for the passage of radiation in different mirrors may have the same dimension or different dimensions.
  • the projection lens may include mirrors of different shape and size, depending on the design.
  • the mirror with opening is rotationally symmetric to an optical axis HA of the system, since the system in FIGS. 2a-2d and 3a-3d is an on-axis system. In such systems, a mirror without opening is rotationally symmetrical to the optical axis HA.
  • FIG. 2a a first embodiment of the invention is shown in section in the meridional plane.
  • the meridional plane is the plane containing the optical axis HA of the objective and in the case of on-axis systems such as those shown in FIGS. 2a to 2d and 3a to 3d an off-axis pixel.
  • the system shown in FIG. 2a is a projection objective for microlithography.
  • the low-aperture part of the objective lies on the object side; the high-aperture part of the objective is on the image side.
  • the pencil of rays passes through the projection objective 102 from the object plane 100 to an image plane 200.
  • a mask for example a reticle, is arranged, for example.
  • the light beam of a bundle of light emanating from the object plane 100 is reflected by a first reflecting surface M1 on a mirror S1, meets a second reflective one Surface M2 on a second mirror S2, then the light beam is reflected from the second reflecting surface to a third reflecting surface M3 on a mirror S3 and from the reflecting surface M3 to the reflecting surface M4 disposed on the mirror S2. From the reflecting surface M4, the light of the light pencil is reflected in the image plane 200.
  • the mirror S2 thus comprises two reflecting surfaces, namely the reflecting surface M2 and M4.
  • the mirror S2 is thus used twice.
  • the first reflecting surface M1 lies in a pupil plane 101 of the objective. In the pupil plane 101, a variable aperture diaphragm B can be arranged.
  • the two surfaces M2 and M4 lie on the same side, for example the front side VS of the mirror S2.
  • the back RS of the mirror S2 is not used optically, so it does not need to be edited and / or checked.
  • the mirrors S2 and S3 are mirrors with a central opening, which allows the passage of the beam tuft extending from the object plane 100 to the image plane 200. This is shown in detail in FIG. 2b.
  • the illustration according to FIG. 2b shows the imaging beam path 500 of a light bundle with outer marginal rays 104.1, 104.2 and inner marginal rays 106.1, 106.2 in FIG. 2b
  • the first reflecting surface M1 is a convex mirror surface
  • the second M2, third M3 and fourth M4 reflecting surfaces are concave mirror surfaces, respectively.
  • the lens shown in Figures 2a and 2b has no intermediate image, and therefore has a short length.
  • the distance between the object plane 100 and the image plane 200 along the optical axis HA is referred to here.
  • an obscuration diaphragm OBS is formed on the first mirror, with which the center shading is set.
  • the size of the obscuration diaphragm OBS is essentially determined by the fact that a vignetting-free beam path is formed from the object plane 100 to the image plane 200.
  • the obscuration diaphragm OBS lies in the pupil plane 101, in which an aperture diaphragm B can also be arranged.
  • the obscuration diaphragm OBS can be realized for example by an antireflection coating on the mirror S1.
  • the obscuration diaphragm shadows the center of the beam path from the object plane 100 to the image plane 200. Since the obscuration diaphragm is arranged in a pupil plane, it defines a field-independent pupil obscuration, ie the pupil has the same annular shape for all field points. In FIG.
  • the beam path which passes through the objective from the object plane 100 to the image plane 200 and images an object in the object plane 100 into an image 200 in the image plane is shown in dark and is designated by the reference numeral 500 Object in the image depicts he is referred to as imaging beam path.
  • the rays 503 of the beam path which impinge on the mirror S1 from the object plane 100 through the opening O1 are blocked in imaging rays 501 of the imaging beam path 500 and rays 502 blocked by the obscuration stop and not in the direction of the surface of the second mirror S2 and in particular Object level 100 is reflected by the opening back, divided.
  • the size of the obscuration diaphragm can be varied within certain limits.
  • the size of the obscuration diaphragm OBS is advantageously chosen so that no field-dependent vignetting effects occur through the mirror substrates.
  • the non-pierced convex mirror S1 which allows light to pass directly from the object into the image field, thus also acts as a scattered-light diaphragm.
  • the optical data in the Code V format are shown in Table 1 below:
  • Table 1 Optical data of the embodiment according to Figures 2a-2d in the code V format
  • FIG. 2c the longitudinal spherical aberration is shown in FIG. 2c1, in FIG. 2c2 the astigmatic field curves and in FIG. 2c3 the distortion of the system according to FIGS. 2a and 2b.
  • FIG. 2d shows the transverse aberrations over the pupil for 5 different field points.
  • the field curvature is 20nm (peak-to-valley).
  • FIG. 3 a shows an alternative embodiment of the invention.
  • the objective according to FIGS. 3a to 3d is a projection objective used in microlithography.
  • the high-aperture part 102.1 lies on the side of the image plane 200 as in the objective according to FIGS. 2a to 2d, and the low-aperture part 102.2 on the side of the object plane 100.
  • the system according to FIG. 3a forms an object in the object plane 100 5 times smaller in FIG the picture plane off. Therefore, the system according to Figure 3a is also referred to as microlithography reduction system.
  • the same components as in FIGS. 2a and 2b are assigned the same reference numerals in FIGS. 3a and 3b.
  • the system according to FIGS. 3a and 3b has an object plane 100, an image plane 200 and three mirrors S1, S2 and S3. Overall, the system has four reflective surfaces, namely a first reflective surface M1, a second reflective surface M2, a third reflective surface M3 and a fourth reflective surface M4. As in the first embodiment, the two optical surfaces M2, M4 of the dual-use mirror S2 lie on the same side, namely the front side VS.
  • the aperture diaphragm and the obscuration diaphragm OBS are arranged on the first mirror S1 as in the first exemplary embodiment.
  • FIG. 3c shows the longitudinal spherical aberration in FIG. 3c.1, the astigmatic field curves in FIG. 3c2 and the distortion of the system according to FIGS. 3a and 3b in FIG. 3c3.
  • the transverse aberrations across the pupil are shown for 5 different field points.
  • the field curvature is 3 nm (peak-to-valley).
  • the objectives according to the invention can be used not only as projection objectives in so-called microsteps for the process development and qualification of the processes required for the lithography, eg. As the resist development can be used, but also for microscopic applications such. As the mask and wafer inspection. For these applications, the lens will be used in the opposite direction to the magnification. In such an application, the image plane 200 becomes the object plane and the object plane 100 becomes the image plane. The high-aperture part in the microscopic application is then on the side of the object plane, the lower-aperture part on the side of the image plane (not shown).
  • the presented systems allow in such an operation, the realization of different types of illumination when used as a microscope objective, such. B. the central dark field illumination and an oblique illumination. If the catoptric lenses described in this application are used in projection lithography, all illumination settings, in particular non-annular illumination settings, can also be used. Furthermore, the lenses are characterized by a high aperture and a good optical correction.

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Abstract

The invention relates to a catoptric objective for wavelengths below 193 nm for imaging an object in an object plane into an image in an image plane, wherein the objective comprises at least four reflecting mirrored surfaces (Ml, M2, M3, M4) which are constructed on at least three mirrors (Sl, S2, S3), wherein two mirrors (S2, S3) have an opening for the passage of a bundle of rays which passes through the objective from the object plane to the image plane, and one mirror has no opening for the passage of a bundle of rays.

Description

Kompaktes 3-Spiegel-Objektiv Compact 3-mirror lens
Die Erfindung betrifft ein Objektiv, insbesondere ein Projektionsobjektiv, bevorzugt ein Mikrolithographie-Projektionsobjektiv mit wenigstens vier reflektierendenThe invention relates to a lens, in particular a projection objective, preferably a microlithography projection objective with at least four reflecting lenses
Spiegelflächen, insbesondere genau vier reflektierenden Spiegelflächen, die auf wenigstens drei Spiegeln, insbesondere genau drei Spiegeln, ausgebildet werden, wobei höchstens zwei Spiegel eine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels, welches das Objektiv von der Objektebene zur Bildebene durchläuft, aufweisen.Mirror surfaces, in particular exactly four reflecting mirror surfaces which are formed on at least three mirrors, in particular exactly three mirrors, wherein at most two mirrors have an opening for the passage of a beam bundle, which passes through the lens from the object plane to the image plane.
Das erfindungsgemäße Objektiv ist insbesondere für Licht einer Wellenlänge ≤ 193 nm geeignet, aber nicht hierauf beschränkt.The objective according to the invention is suitable in particular for light of a wavelength ≦ 193 nm, but is not limited thereto.
Um auch sehr kleine Strukturbreiten herstellen zu können, wird derzeit der Einsatz von Lichtwellenlängen < 193nm, insbesondere von Licht mit Wellenlängen im Bereich des Röntgenlichtes, sogenannte EUV-Strahlung, diskutiert.In order to be able to produce even very small feature sizes, the use of light wavelengths <193 nm, in particular of light with wavelengths in the range of X-ray light, so-called EUV radiation, is currently being discussed.
Betreffend Mikrolithographieanlagen, die derartiges Röntgenlicht verwenden, gibt es eine Vielzahl von Patentanmeldungen. Des Weiteren gibt es auch eine Vielzahl von Patentanmeldungen betreffend Mikrolithographie-Projektionsobjektive, die speziell für einen Einsatz in einer derartigen Mikrolithographie- Projektionsbelichtungsanlage entwickelt wurden.Regarding microlithography equipment using such X-ray light, there are a variety of patent applications. Furthermore, there are also a large number of patent applications relating to microlithography projection lenses which have been specially developed for use in such a microlithography projection exposure apparatus.
Neben den Mikrolithographie-Projektionsbelichtungsanlagen werden auch optische Vorrichtungen benötigt, mit denen Entwicklung und Qualifizierung für die Lithographie notwendiger Prozesse, wie z. B. die Entwicklung von Photolacken, möglich ist, sowie Inspektionssysteme für die Qualifizierung von Masken und belichteten Wafern. Eine Vorrichtung für die Prozessentwicklung für die EUV- Lithographie ist beispielsweise aus der WO 03/075068 bekannt geworden ist. Die aus der WO 03/075068 bekannt gewordene Vorrichtung, zeichnet sich dadurch aus, dass das Projektionsobjektiv lediglich zwei Spiegel umfasst, wobei die beidseitige numerische Apertur des Objektives NA=0,30 beträgt. Die Korrektur der Bildfeldkrümmung wird dadurch erreicht, dass die Spiegel nahezu gleiche Krümmungsradien besitzen, und die Korrektur der sphärischen Aberrationen wird durch eine Asphärisierung der Spiegel erzielt.In addition to the microlithography projection exposure systems and optical devices are required with which development and qualification for the lithography of necessary processes such. As the development of photoresists, is possible, and inspection systems for the qualification of masks and exposed wafers. An apparatus for process development for EUV lithography has become known, for example, from WO 03/075068. The device disclosed in WO 03/075068 is distinguished by the fact that the projection objective comprises only two mirrors, the double-sided numerical aperture of the lens NA = 0.30. The correction of the field curvature is achieved by the mirrors having nearly equal radii of curvature, and the correction of the spherical aberrations is achieved by aspherizing the mirrors.
Bei dem aus der WO 03/075068 bekannten Projektionssystem besteht das Problem, dass die bildseitige numerische Apertur von NA=0,30 so klein ist, dass dieses Projektionssystem für die Prozessentwicklung von Lithographiesystemen mit einer bildseitigen Apertur von NA > 0,30 nicht geeignet ist.The projection system known from WO 03/075068 has the problem that the image-side numerical aperture of NA = 0.30 is so small that this projection system is not suitable for the process development of lithography systems with an image-side aperture of NA> 0.30 ,
Ein weiteres Objektiv mit zwei Reflektionen zeigt die US 5,071 ,240 und hier insbesondere die Figur 8. Nachteilig an dem System aus der US 5,071 ,240 ist, dass es aufgrund der starken Bildfeldkrümmung für die Abbildung eines Feldes in der Größenordnung von 0,2 mm x 0,6 mm2 oder größer nicht geeignet ist.A further lens with two reflections is shown in US Pat. No. 5,071,240 and in particular FIG. 8. A disadvantage of the system of US Pat. No. 5,071,240 is that due to the strong curvature of the field, it is necessary to image a field of the order of 0.2 mm x 0.6 mm 2 or larger is not suitable.
Aus der EP 0267766 sind katoptrische Reduktionssysteme mit 3 Spiegeln sowie 4 Reflektionen bekannt geworden. Nachteilig an dem System aus der EP 0267766, ist, dass auch dieses System lediglich eine bildseitige numerische Apertur NA von 0,3 aufweist. Ein weiterer Nachteil ist, dass bei diesem System sämtliche Spiegel eine Öffnung aufweisen. Hierdurch ist es nicht möglich, die die Obskuration definierende Obskurationsblende auf einem Spiegel zu positionieren.From EP 0267766 catoptric reduction systems with 3 mirrors and 4 reflections have become known. A disadvantage of the system of EP 0267766, is that this system also has only one image-side numerical aperture NA of 0.3. Another disadvantage is that in this system all mirrors have an opening. As a result, it is not possible to position the obscuration-defining obscuration diaphragm on a mirror.
Aus der US 5,212,588 ist ein Zwei-Spiegelsystem bekannt geworden, bei dem jeder der beiden Spiegel zweifach reflektierend wirkt. Nachteilig an diesem System ist, dass aufgrund der geringen Anzahl an Spiegeln und damit der wenigen Freiheitsgrade keine ausreichend hohe Apertur korrigiert werden kann. Ein weiterer Nachteil des aus der US 5,212,588 bekannten Zwei-Spiegelsystems ist, dass die Aperturblende auf einem Spiegel mit einer Öffnung, einem sog. durchbohrten Spiegel, lokalisiert ist. Bei einem solchen System ist es nicht möglich, die die Obskuration definierende Obskurationsblende direkt auf einem Spiegel zu positionieren. Hochaperturige Spiegelsysteme zeigt beispielsweise die US 6,894,834. In der US 6,894,834 sind 4- und 6-Spiegel-Systeme mit zentraler Öffnung gezeigt, die eine bildseitige Apertur von NA=0,7 bzw. NA=0,9 aufweisen. Auch bei diesen Systemen lässt sich die Obskurationsblende nicht auf einem Spiegel lokalisieren, da sämtliche Spiegel der Systeme, die in der US 6,844,834 gezeigt sind, eine zentrale Öffnung aufweisen.From US 5,212,588 a two-mirror system has become known in which each of the two mirrors has a double reflective effect. A disadvantage of this system is that due to the small number of mirrors and thus the few degrees of freedom, a sufficiently high aperture can not be corrected. A further disadvantage of the two-mirror system known from US Pat. No. 5,212,588 is that the aperture diaphragm is located on a mirror with an opening, a so-called pierced mirror. In such a system, it is not possible to position the obscuration-defining obscuration diaphragm directly on a mirror. High-aperture mirror systems are shown for example in US Pat. No. 6,894,834. US Pat. No. 6,894,834 shows central opening 4 and 6 mirror systems having an image-side aperture of NA = 0.7 and NA = 0.9, respectively. Even with these systems, the obscuration shutter can not be located on a mirror since all the mirrors of the systems shown in US Pat. No. 6,844,834 have a central opening.
Aus der DE 10 2005 042 005 A1 ist ein hochaperturiges Objektiv mit obskurierter Pupille und einer Vielzahl von Spiegeln und reflektierenden Spiegelflächen bekannt geworden.From DE 10 2005 042 005 A1, a high-aperture objective with obscured pupil and a multiplicity of mirrors and reflecting mirror surfaces has become known.
Reflektive Objektive mit wenigen Spiegeln, sind beispielsweise auch in der US 5,253,117, der JP-A-57042014 oder der WO 01/77734 gezeigt.Reflective objectives with few mirrors are also shown for example in US 5,253,117, JP-A-57042014 or WO 01/77734.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Objektiv anzugeben, das die Nachteile des Standes der Technik überwindet.The object of the invention is to provide a lens that overcomes the disadvantages of the prior art.
Wird das Objektiv als Mikrolithographie-Projektionssystem ausgebildet, so soll sich ein derartiges Projektionsobjektiv dadurch auszeichnen, dass ein Objektfeld ausreichender Größe mit möglichst großer bildseitiger Apertur, z.B. NA > 0.3, bevorzugt NA > 0.5, besonders bevorzugt NA > 0.7 abgebildet werden kann. Bevorzugt soll der Durchmesser des Bildfeldes mehr als 10 μm, bevorzugt mehr als 100μm und die bildseitige Apertur NA > 0,3, bevorzugt > 0,5, ganz bevorzugt > 0,7 sein.If the objective is designed as a microlithography projection system, then such a projection objective should be distinguished in that an object field of sufficient size with the largest possible image-side aperture, e.g. NA> 0.3, preferably NA> 0.5, particularly preferably NA> 0.7 can be imaged. Preferably, the diameter of the image field should be more than 10 .mu.m, preferably more than 100 .mu.m, and the image-side aperture NA> 0.3, preferably> 0.5, more preferably> 0.7.
Wird das Objektiv als Mikroskopobjektiv oder als Objektiv zur Untersuchung von Masken- oder Waferstrukturen eingesetzt, so soll die Größe des zu untersuchenden Objektfeldes ausreichend groß sein und das Objektiv eine möglichst große objektseitige Apertur aufweisen. Bevorzugt soll der Durchmesser des Objektfeldes mehr als 10 μm, bevorzugt mehr als 100μm und die objektseitige Apertur NA > 0,3, bevorzugt > 0,5, ganz bevorzugt > 0,7 sein. Der Teil des Objektivs mit hoher Apertur liegt somit bei einem Objektiv, das als Mikrolithographie-Projektionssystem eingesetzt wird, auf der Bildseite. Bei einem Objektiv, das als Mikroskop eingesetzt wird, liegt der hochaperturige Teil des Objektivs auf der Objektseite.If the objective is used as a microscope objective or as an objective for examining mask or wafer structures, then the size of the object field to be examined should be sufficiently large and the objective lens should have the largest possible object-side aperture. Preferably, the diameter of the object field should be more than 10 μm, preferably more than 100 μm, and the object-side aperture NA> 0.3, preferably> 0.5, very preferably> 0.7. The part of the high-aperture lens is thus on the image side in a lens used as a microlithography projection system. With a lens used as a microscope, the high-aperture part of the lens is on the object side.
Des Weiteren soll das Objektiv einfach und mit geringem Aufwand herzustellen sein.Furthermore, the lens should be simple and easy to produce.
Erfindungsgemäß wird dies dadurch erreicht, dass bei einem Objektiv gemäß der Erfindung das Objektiv wenigstens vier reflektierende Spiegelflächen umfasst, die auf drei Spiegeln ausgebildet werden. Von den drei Spiegeln verfügen zwei Spiegel über eine Öffnung für den Durchtritt eine Strahlbüschels, das das Objektiv von einer Objektebene zu einer Bildebene durchläuft. Ein Spiegel verfügt über keine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels, welches das Objektiv von der Objektebene zur Bildebene durchläuft. Hierdurch ist es vorteilhafterweise möglich, auf dem Spiegel, der keine Öffnung aufweist, eine Obskurationsblende auszubilden. Mit einer Obskurationsblende wird die Größe der Mittenabschattung, d. h. die Größe des nicht beleuchteten Bereiches bevorzugt im Bereich der optischen Achse eingestellt. Hierbei sollte bevorzugt die Obskurationsblende so gewählt werden, dass die Größe der Abschattung eine Apertur aufweist, die wenigstens der größten Öffnungsapertur der Spiegel mit Öffnung für den Durchtritt des Strahlbüschel entspricht, um eine Vignettierung des abbildenden Lichtbündels durch das Spiegelsubstrat zu vermeiden.According to the invention, this is achieved in that, in the case of an objective according to the invention, the objective comprises at least four reflecting mirror surfaces which are formed on three mirrors. Of the three mirrors, two mirrors have an opening for the passage of a beam that passes through the objective from an object plane to an image plane. A mirror has no opening for the passage of a ray bundle, which passes through the lens from the object plane to the image plane. As a result, it is advantageously possible to form an obscuration diaphragm on the mirror which has no opening. With an obscuration diaphragm, the size of the center shading, i. H. the size of the non-illuminated area is preferably set in the region of the optical axis. In this case, the obscuration diaphragm should preferably be selected such that the size of the shading has an aperture which corresponds at least to the largest aperture aperture of the apertures for the passage of the beam tuft in order to avoid vignetting of the imaging light beam by the mirror substrate.
In einer bevorzugten Ausführungsform beträgt die numerische Apertur NA auf der hochaperturigen Seite des Objektives mehr als 0,3, bevorzugt > 0,32, ganz bevorzugt mehr als 0,4, insbesondere bevorzugt mehr als 0,5. Das Objektiv ist in einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung derart ausgebildet, dass das Feld auf der hochaperturigen Seite des Objektives eine Ausdehnung im Bereich 0,1 mm2 x 0,5 mm2 bis 1 ,0 x 1 ,0 mm2, insbesondere im Bereich von 0,2 mm2 x 0,6 mm2 bis 1 ,0 x 1 ,0 mm2 besitzt und die Abbildung beugungsbegrenzt ist. Wie zuvor beschrieben befindet sich die hochaperturige Seite des Objektives bei einem Objektiv, das zur Abbildung beispielsweise als Mikrolithographieobjektiv Verwendung findet auf der Bildseite, bei einem Objektiv, das als Mikroskop Verwendung findet, auf der Objektseite. Da das Feld bevorzugt Abmaße < 1 mm in jeder Feldrichtung hat, d.h. das Feld bevorzugt kleiner als 1 x 1 mm2 ist, kann das katoptrische Objektiv gemäß der Erfindung ein Feld, das von der optischen Achse HA des Objektives durchdrungen wird, ein sogenanntes on-axis Feld, abbilden. Das katoptrische Objektiv kann somit sowohl als Projektionsobjektiv für Mikrolithographieanlagen wie auch im Bereich der Mikroskopie insbesondere auch für die Inspektion von Lithographiemasken und belichteten Wafern eingesetzt werden.In a preferred embodiment, the numerical aperture NA on the high-aperture side of the objective is more than 0.3, preferably> 0.32, more preferably more than 0.4, particularly preferably more than 0.5. The lens is formed in a preferred embodiment of the invention such that the field on the high-aperture side of the lens has an extension in the range of 0.1 mm 2 x 0.5 mm 2 to 1, 0 x 1, 0 mm 2 , in particular in the range of 0.2 mm 2 x 0.6 mm 2 to 1, 0 x 1, 0 mm 2 and the image is diffraction-limited. As described above, the high-aperture side of the lens is at a Lens, which is used for example as a microlithography lens on the image side, in a lens that is used as a microscope, on the object side. Since the field preferably has dimensions <1 mm in each field direction, ie, the field is preferably less than 1 x 1 mm 2 , the catoptric lens according to the invention, a field, which is penetrated by the optical axis HA of the objective, a so-called on -axis field, map. The catoptric objective can thus be used both as a projection objective for microlithography systems and also in the field of microscopy, in particular also for the inspection of lithographic masks and exposed wafers.
Dadurch, dass in einem bevorzugten System drei Spiegel für insgesamt vier reflektierende Spiegelflächen verwendet werden, also ein Spiegel zweifach reflektierend genutzt wird, wird durch die gerade Anzahl von Reflektionen gewährleistet, dass Objektebene und Bildebene auf verschiedenen Seiten des Objektives liegen und daher keine Bauraumkonflikte zwischen den in diesen beiden Ebenen typischerweise angeordneten Objekten auftreten können. Des Weiteren zeichnet sich das System durch einen niedrigen Herstellaufwand aus, da nur drei Spiegel mechanisch bearbeitet werden müssen. Insbesondere sind lediglich drei Interferometer notwendig, um die asphärischen Spiegeloberflächen zu prüfen. Unabhängig hiervon können einzelne Spiegel des beanspruchten Systems sphärisch oder sogar als Planspiegel ausgestaltet werden.Due to the fact that in a preferred system three mirrors are used for a total of four reflecting mirror surfaces, ie a mirror is used twice reflecting, the even number of reflections ensures that the object plane and image plane lie on different sides of the objective and therefore no space conflicts between the object In these two levels typically arranged objects can occur. Furthermore, the system is characterized by a low manufacturing cost, since only three mirrors must be machined. In particular, only three interferometers are necessary to test the aspherical mirror surfaces. Independently of this, individual mirrors of the claimed system can be designed spherically or even as plane mirrors.
Eine ganz besonders einfache Herstellung wird erreicht, wenn die reflektierenden Spiegelflächen des doppelt genutzten Spiegels auf derselben Seite des Spiegels liegen. Hat der Spiegel, z.B. eine Vorder- und eine Rückseite, so befinden sich in einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung beide Spiegelflächen auf derselben Seite, beispielsweise auf der Vorderseite. Die andere Seite des Spiegels, also die Rückseite weist dann keine optische Fläche auf, sie braucht daher nicht bearbeitet oder geprüft zu werden. In einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die erste Spiegelfläche als konvexe Spiegelfläche ausgebildet. Die erste Spiegelfläche hat mehrere Aufgaben. So wirkt der erste Konvexspiegel in Kombination mit den beiden Konkavspiegeln als abbildendes Element. Weiterhin korrigiert der Konvexspiegel die Bildfeldkrümmung, die durch die beiden Konkavspiegel verursacht wird.A particularly simple production is achieved when the reflective mirror surfaces of the double-use mirror lie on the same side of the mirror. If the mirror has, for example, a front and a rear side, then in a preferred embodiment of the invention both mirror surfaces are located on the same side, for example on the front side. The other side of the mirror, so the back then has no optical surface, so it does not need to be edited or checked. In a preferred embodiment of the invention, the first mirror surface is formed as a convex mirror surface. The first mirror surface has several tasks. Thus, the first convex mirror in combination with the two concave mirrors acts as an imaging element. Furthermore, the convex mirror corrects the field curvature caused by the two concave mirrors.
Weiterhin kann auf dem Konvexspiegel eine Aperturblende angeordnet werden. Falls die Apertur variiert werden soll, werden zusätzlich ein- und ausschwenkbare Aperturblenden benötigt. Da der Konvexspiegel ein Spiegel ist, der keine Öffnung aufweist, kann auf dem Konvexspiegel auch eine Obskurationsblende angeordnet werden. Die Obskurationsblende liegt dann in einer Blendenebene des Objektivs. Insgesamt ist es also möglich, mit einem solchen System eine hohe Auflösung über einem ausreichenden Bildfeld zu erreichen, und zudem eine Obskurationsblende auf einem Spiegel unter Verwendung einer minimalen Spiegelanzahl zu plazieren. Eine derartige Ausgestaltung kombiniert die Vorteile des Designs wie die aus der WO 03/075068 bekannt mit denen eines konzentrischen Schwarzschilddesigns.Furthermore, an aperture diaphragm can be arranged on the convex mirror. If the aperture is to be varied, in addition, swing-in aperture stops are required. Since the convex mirror is a mirror that has no opening, an obscuration diaphragm can also be arranged on the convex mirror. The obscuration diaphragm then lies in a diaphragm plane of the objective. Overall, it is thus possible with such a system to achieve a high resolution over a sufficient field of view, and also to place an obscuration diaphragm on a mirror using a minimum number of mirrors. Such a design combines the advantages of the design such as those known from WO 03/075068 with those of a concentric black shield design.
Alternativ lässt sich eine Aperturblende auch an einer anderen Stelle des Strahlenganges anordnen, z.B. zwischen der dritten und der vierten Reflexion. An dieser Stelle lässt sich die Aperturblende sogar in besonders einfacher Form, nämlich in Form einer Irisblende realisieren. In diesem Falle befindet sich jedoch die als Konvexspiegel ausgebildete erste reflektierende Fläche M1 nicht mehr in einer Blendenebene. Eine dort angeordnet Obskurationsblende führt dann zu einer feldabhängigen Pupillenabschattung, die jedoch aufgrund der kleinen Feldgröße für bestimmte Anwendungen tolerierbar ist.Alternatively, an aperture stop can also be arranged at a different location of the beam path, e.g. between the third and the fourth reflection. At this point, the aperture diaphragm can even be realized in a particularly simple form, namely in the form of an iris diaphragm. In this case, however, the convex mirror formed first reflective surface M1 is no longer in a diaphragm plane. An obscuration diaphragm arranged there then leads to a field-dependent pupil shading which, however, is tolerable for certain applications because of the small field size.
Bevorzugt weist das Objektiv einen Abbildungsmaßstab von 4x oder größer bspw. 5x, 8x oder 10x oder sogar 100x auf. Abbildungsmaßstäbe von mehr als 100x sind insbesondere bei Verwendung des Objektives in Mikroskopanwendungen von Interesse. Bei Verwendung des Objektives in Mikroskopanwendungen kann das Objektiv bevorzugt so ausgebildet werden, dass das Objekt nach unendlich abgebildet wird. Eine Abbildung des Objektes ins Unendliche, d. h. eine Bildebene im Unendlichen, hat den Vorteil, dass durch diesen Aufbau bildseitig ein kollimierter Strahlengang ausgebildet wird. Hierdurch wird bspw. zur Auskopplung von Licht oder für die Detektion des Lichtes eine definierte Schnittstelle zur Verfügung gestellt. Mit Hilfe einer Tubusoptik, die in dem beseitigen kollimierten Strahlengang eingebracht werden kann, kann das Bild, das im Unendlichen liegt, ins endliche abgebildet und beobachtet werden. Zur Auskopplung von Licht ist es möglich, an beliebigen Stellen im kollimierten Strahlengang einen Strahlteiler einzubringen. Mit Hilfe des Strahlteilers kann bspw. Licht zur Beobachtung ausgekoppelt werden.The objective preferably has a magnification of 4x or greater, for example 5x, 8x or 10x or even 100x. Image scales of more than 100x are of particular interest when using the objective in microscope applications. When using the objective in microscope applications, the objective can preferably be designed such that the object is imaged infinitely. An illustration of the object at infinity, ie an image plane at infinity, has the advantage that a collimated beam path is formed on the image side by this structure. As a result, for example, for decoupling of light or for the detection of the light, a defined interface is provided. With the help of a tube optics, which can be introduced in the eliminate collimated beam path, the image, which lies at infinity, can be finely imaged and observed. For decoupling of light, it is possible to introduce a beam splitter at arbitrary locations in the collimated beam path. For example, light can be coupled out for observation with the aid of the beam splitter.
Umgekehrt ist auch ein Objektiv möglich, bei dem das Objekt im Unendlichen liegt. Hierdurch wird eine definierte Schnittstelle für die Einkopplung von Licht bspw. für die Beleuchtung zur Verfügung gestellt. Die Einkoppelung kann bspw. wiederum mit Hilfe eines Strahlteilers erfolgen, der an beliebiger Stelle im objektseitigen kollimierten Strahlengang angeordnet werden kann. Eine Abbildung aus dem Unendlichen ins Endliche erfolgt insbesondere bei einer Verwendung des Objektives zur Abbildung von Objekten wie bspw. bei einer Verwendung des Objektives in einem Fotoapparat.Conversely, a lens is possible in which the object lies at infinity. As a result, a defined interface for the coupling of light, for example, provided for the lighting. The coupling can take place, for example, in turn with the aid of a beam splitter, which can be arranged at any point in the object-side collimated beam path. An image from the infinite to the finite takes place in particular when the objective is used for imaging objects, for example when the objective is used in a camera.
Die Abbildungsmaßstäbe können im Design sehr leicht durch eine Veränderung der Eingangsschnittweite und eine entsprechende Wahl der Abstände und Spiegelparameter wie Radien oder Asphärenkonstanten realisiert werden. Das Objektiv gemäß der Erfindung ist aber nicht nur dazu geeignet, in Mikrosteppern eingesetzt zu werden, bei denen ein Objekt verkleinert in ein Bild abgebildet wird, sondern auch für mikroskopische Anwendungen wie z. B. Masken- und Waferinspektionssysteme. In einem derartigen Fall muss das Objektiv in umgekehrter Richtung zur Vergrößerung eingesetzt werden, d.h. das Objekt befindet sich am hochaperturigen Ende des Objektives. Die Bildebene des Reduktionsobjektivs wird dann zur Objektebene und die Objektebene des Reduktionsobjektivs zur Bildebene. Im Strahlengang von der Objektebene zur Bildebene ist bei einem Projektionsobjektiv dann die erste, zweite und dritte Spiegelfläche eine konkave Spiegelfläche und die vierte Spiegelfläche eine konvexe Spiegelfläche.The image scales can be realized in the design very easily by changing the input slice size and a corresponding choice of distances and mirror parameters such as radii or aspheric constants. However, the objective according to the invention is not only suitable for use in microsteps in which an object is imaged in a reduced size in an image, but also for microscopic applications such. B. mask and wafer inspection systems. In such a case, the lens must be used in the opposite direction to the magnification, ie, the object is located at the high-aperture end of the lens. The image plane of the reduction objective then becomes the object plane and the object plane of the reduction objective to the image plane. In the beam path from the object plane to the image plane, in the case of a projection objective, the first, second, and third are then Mirror surface a concave mirror surface and the fourth mirror surface a convex mirror surface.
Für die Verwendung als Masken- und/oder Waferinspektionssystem können verschiedene Beleuchtungsarten des Objektes wie z. B. eine Auflichtbeleuchtung, eine zentrale Dunkelfeldbeleuchtung oder eine schräge Beleuchtung realisiert werden. Durch die objektseitig hohe Apertur bei einem für mikroskopische Anwendungen eingesetzten System wie hier beschrieben, kann das Objektiv bei schräger Beleuchtung und Subaperturen von 0,2 und größer mit verschiedenen Einfallswinkeln genutzt werden.For use as a mask and / or wafer inspection system different types of illumination of the object such. B. a reflected light illumination, a central dark field illumination or an oblique illumination can be realized. The object-high aperture in a system used for microscopic applications as described herein allows the objective to be used with oblique illumination and subapertures of 0.2 and greater at different angles of incidence.
Je nach Anwendungsfall wird das Objektiv in einem System mit einer breitbandigen Lichtquelle, beispielsweise einer Quecksilberlampe oder einer Leuchtdiode oder einer schmalbandigen Lichtquelle, beispielsweise einem KrF- oder ArF-Laser oder einer EUV-Lichtquelle eingesetzt.Depending on the application, the objective is used in a system with a broadband light source, for example a mercury lamp or a light-emitting diode or a narrow-band light source, for example a KrF or ArF laser or an EUV light source.
Die Erfindung soll nachfolgend anhand der Ausführungsbeispiele beschrieben werden. Es zeigen:The invention will be described below with reference to the embodiments. Show it:
Fig. 1 : ein Beispiel eines on-axis-Spiegels mit ÖffnungFig. 1: an example of an on-axis mirror with opening
Fig. 2a-2d: den Aufbau eines ersten Ausführungsbeispiels der ErfindungFig. 2a-2d: the structure of a first embodiment of the invention
Fig. 3a-3d: den Aufbau eines zweiten Ausführungsbeispiels der3a-3d: the structure of a second embodiment of the
Erfindung.Invention.
Generell können die Spiegel in dem erfindungsgemäßen Projektionsobjektiv in zwei Gruppen aufgeteilt werden:In general, the mirrors in the projection objective according to the invention can be divided into two groups:
- Spiegel umfassend eine Öffnung für den Durchtritt von Strahlung und - Spiegel bei denen keine Öffnungen vorhanden sind. Ein Beispiel eines Spiegels 2600 der eine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels umfasst, ist in Figur 1 gezeigt. Der Spiegel 2600 umfasst eine Öffnung 2610. Der Spiegel 2600 kann im Projektionsobjektiv so angeordnet sein, dass die optische Achse 2105 die Öffnung 2610 schneidet. Der Spiegel 2600 ist von kreisförmiger Form mit einem Durchmesser D. Die Öffnung hat einen Durchmesser D0.- Mirror comprising an opening for the passage of radiation and - Mirror in which no openings are present. An example of a mirror 2600 comprising an opening for the passage of a jet tuft is shown in FIG. The mirror 2600 includes an opening 2610. The mirror 2600 may be disposed in the projection lens such that the optical axis 2105 intersects the opening 2610. The mirror 2600 is circular in shape with a diameter D. The opening has a diameter D 0 .
In Ausführungsbeispielen, in denen das Projektionsobjektiv mehr als einen Spiegel mit einer Öffnung umfasst, können die Öffnungen in verschiedenen Spiegeln von gleicher Form oder unterschiedlicher Form ausgebildet werden. Des Weiteren können die Öffnungen für den Durchtritt von Strahlung in unterschiedlichen Spiegeln dieselbe Dimension oder unterschiedliche Dimensionen besitzen.In embodiments in which the projection objective comprises more than one mirror with an aperture, the apertures may be formed in different mirrors of the same shape or different shape. Furthermore, the openings for the passage of radiation in different mirrors may have the same dimension or different dimensions.
Im Allgemeinen kann das Projektionsobjektiv Spiegel unterschiedlicher Form und Größe umfassen, in Abhängigkeit vom Design.In general, the projection lens may include mirrors of different shape and size, depending on the design.
In vorliegendem Fall ist der Spiegel mit Öffnung rotationssymmetrisch zu einer optischen Achse HA des Systems, da es sich bei dem System in Fig.2a-2d und 3a-3d um ein on-axis System handelt. Bei derartigen Systemen ist auch ein Spiegel ohne Öffnung rotationssymmetrisch zur optischen Achse HA.In the present case, the mirror with opening is rotationally symmetric to an optical axis HA of the system, since the system in FIGS. 2a-2d and 3a-3d is an on-axis system. In such systems, a mirror without opening is rotationally symmetrical to the optical axis HA.
In Figur 2a ist im Schnitt in der Meridionalebene ein erstes Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt. Die Meridionalebene ist die Ebene, die die optische Achse HA des Objektives und bei on-axis Systemen wie den in Fig. 2a bis 2d und 3a bis 3d gezeigten einen außeraxialen Bildpunkt enthält. Bei dem in Figur 2a gezeigten System handelt es sich um ein Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie. Der niederaperturige Teil des Objektives liegt objektseitig; der hochaperturige Teil des Objektives liegt bildseitig. Das Strahlbüschel durchläuft das Projektionsobjektiv 102 von der Objektebene 100 zu einer Bildebene 200. In der Objektebene 100 ist bspw. eine Maske, bspw. ein Retikel angeordnet. Das von der Objektebene 100 ausgehende Licht eines Lichtbüschels wird von einer ersten reflektierenden Fläche M1 auf einem Spiegel S1 reflektiert, trifft auf eine zweite reflektierende Fläche M2 auf einem zweiten Spiegel S2, anschließend wird der Lichtstrahl von der zweiten reflektierenden Fläche auf eine dritte reflektierende Fläche M3 auf einem Spiegel S3 reflektiert und von der reflektierenden Fläche M3 auf die reflektierende Fläche M4, die auf dem Spiegel S2 angeordnet ist. Von der reflektierenden Fläche M4 wird das Licht des Lichtbüschels in die Bildebene 200 reflektiert. Der Spiegel S2 umfasst somit zwei reflektierende Flächen, nämlich die reflektierende Fläche M2 und M4. Der Spiegel S2 wird also doppelt genutzt. Die erste reflektierende Fläche M1 liegt in einer Pupillenebene 101 des Objektivs. In der Pupillenebene 101 kann eine variable Aperturblende B angeordnet sein.In FIG. 2a, a first embodiment of the invention is shown in section in the meridional plane. The meridional plane is the plane containing the optical axis HA of the objective and in the case of on-axis systems such as those shown in FIGS. 2a to 2d and 3a to 3d an off-axis pixel. The system shown in FIG. 2a is a projection objective for microlithography. The low-aperture part of the objective lies on the object side; the high-aperture part of the objective is on the image side. The pencil of rays passes through the projection objective 102 from the object plane 100 to an image plane 200. In the object plane 100, a mask, for example a reticle, is arranged, for example. The light beam of a bundle of light emanating from the object plane 100 is reflected by a first reflecting surface M1 on a mirror S1, meets a second reflective one Surface M2 on a second mirror S2, then the light beam is reflected from the second reflecting surface to a third reflecting surface M3 on a mirror S3 and from the reflecting surface M3 to the reflecting surface M4 disposed on the mirror S2. From the reflecting surface M4, the light of the light pencil is reflected in the image plane 200. The mirror S2 thus comprises two reflecting surfaces, namely the reflecting surface M2 and M4. The mirror S2 is thus used twice. The first reflecting surface M1 lies in a pupil plane 101 of the objective. In the pupil plane 101, a variable aperture diaphragm B can be arranged.
Wie des weiteren zu sehen ist, liegen die beiden Flächen M2 und M4 auf derselben Seite, beispielsweise der Vorderseite VS des Spiegels S2. Die Rückseite RS des Spiegels S2 ist optisch nicht genutzt, sie braucht daher nicht bearbeitet und/oder geprüft zu werden.As can further be seen, the two surfaces M2 and M4 lie on the same side, for example the front side VS of the mirror S2. The back RS of the mirror S2 is not used optically, so it does not need to be edited and / or checked.
Die Spiegel S2 und S3 sind Spiegel mit einer zentralen Öffnung, die den Durchtritt des von der Objektebene 100 zur Bildebene 200 verlaufenden Strahlbüschels erlaubt. Dies ist detailliert in Figur 2b dargestellt. Die Darstellung gemäß Fig. 2b zeigt den abbildenden Strahlengang 500 eines Lichtbüschels mit äußeren Randstrahlen 104.1 , 104.2 und inneren Randstrahlen 106.1 , 106.2 in derThe mirrors S2 and S3 are mirrors with a central opening, which allows the passage of the beam tuft extending from the object plane 100 to the image plane 200. This is shown in detail in FIG. 2b. The illustration according to FIG. 2b shows the imaging beam path 500 of a light bundle with outer marginal rays 104.1, 104.2 and inner marginal rays 106.1, 106.2 in FIG
Meridionalebene. Die Lage der äußeren und inneren Randstrahlen 104.1 , 104.2, 106.1 106.2 wird durch die Größe der ersten Öffnung O1 , die Größe der zweiten Öffnung O2 und dem Durchmesser der Fläche M1 bestimmt. Des Weiteren weist das Objektiv gemäß Figur 2a und 2b einen Abbildungsmaßstab von 4x und eine bildseitige Apertur von NA=O, 5 auf. Andere Abbildungsmaßstäbe, z. B. 5x, 8x, 10x können leicht durch Verlängerung der Eingangsschnittweite realisiert werden. In dem in Figur 2a bis 2d gezeigten Beispiel eines Projektionsobjektives bedeutet ein Abbildungsmaßstab von 4x, dass ein Objekt in der Objektebene 100 4-fach verkleinert in die Bildebene 200 abgebildet wird.Meridional. The position of the outer and inner marginal rays 104.1, 104.2, 106.1 106.2 is determined by the size of the first opening O1, the size of the second opening O2 and the diameter of the area M1. Furthermore, the objective according to FIGS. 2a and 2b has a magnification of 4x and an image-side aperture of NA = 0.5. Other magnifications, z. B. 5x, 8x, 10x can be easily realized by extending the input section width. In the example of a projection objective shown in FIGS. 2a to 2d, a magnification of 4x means that an object in the object plane 100 is imaged 4 times smaller in the image plane 200.
Die erste reflektierende Fläche M1 ist eine konvexe Spiegelfläche, die zweite M2, dritte M3 und vierte M4 reflektierende Fläche sind jeweils konkave Spiegelflächen. Das in den Figuren 2a und 2b dargestellte Objektiv besitzt kein Zwischenbild, und besitzt daher eine kurze Baulänge. Als Baulänge wird vorliegend der Abstand zwischen der Objektebene 100 und der Bildebene 200 entlang der optischen Achse HA bezeichnet. Erfindungsgemäß ist auf dem ersten Spiegel eine Obskurationsblende OBS ausgebildet, mit der die Mittenabschattung eingestellt wird. Die Größe der Obskurationsblende OBS wird im Wesentlichen dadurch bestimmt, dass ein vignettierungsfreier Strahlengang von der Objektebene 100 zur Bildebene 200 ausgebildet wird.The first reflecting surface M1 is a convex mirror surface, the second M2, third M3 and fourth M4 reflecting surfaces are concave mirror surfaces, respectively. The lens shown in Figures 2a and 2b has no intermediate image, and therefore has a short length. As a construction length, the distance between the object plane 100 and the image plane 200 along the optical axis HA is referred to here. According to the invention, an obscuration diaphragm OBS is formed on the first mirror, with which the center shading is set. The size of the obscuration diaphragm OBS is essentially determined by the fact that a vignetting-free beam path is formed from the object plane 100 to the image plane 200.
Die Obskurationsblende OBS liegt vorliegend in der Pupillenebene 101 , in der auch eine Aperturblende B angeordnet sein kann. Die Obskurationsblende OBS kann beispielsweise durch eine Antireflexbeschichtung auf dem Spiegel S1 realisiert werden. Die Obskurationsblende schattet die Mitte des Strahlenganges von der Objektebene 100 zur Bildebene 200 ab. Dadurch dass die Obskurationsblende in einer Pupillenebene angeordnet ist, definiert sie eine feldunabhängige Pupillenobskuration, d.h. die Pupille hat für alle Feldpunkte die gleiche ringförmige Gestalt. In Fig. 2b ist der Strahlengang, der das Objektiv von der Objektebene 100 zur Bildebene 200 durchläuft, und ein Objekt in der Objektebene 100 in ein Bild 200 in der Bildebene abbildet, dunkel eingezeichnet, und trägt die Bezugsziffer 500. Da dieser Strahlengang 500 das Objekt in das Bild abbildet wird er als abbildender Strahlengang bezeichnet. Die Strahlen 503 des Strahlenganges die von der Objektebene 100 durch die Öffnung O1 auf den Spiegel S1 auftreffen sind in abbildende Strahlen 501 des abbildenden Strahlengangs 500 und Strahlen 502, die durch die Obskurationsblende abgeblockt und nicht in Richtung der Oberfläche des zweiten Spiegels S2 und insbesondere zur Objektebene 100 durch die Öffnung zurück reflektiert werden, unterteilt. Wie in Fig. 2b deutlich zu erkennen ist, kann die Größe der Obskurationsblende in gewissen Grenzen variiert werden. Dabei ist die Größe der Obskurationsblende OBS vorteilhaft so gewählt, dass keine feldabhängigen Vignettierungseffekte durch die Spiegelsubstrate auftreten. Im Gegensatz zu der in Figur 4 der EP 0267766 gezeigten Ausführungsform verhindert der nicht durchbohrte Konvexspiegel S1 , das Licht auf direktem Wege vom Objekt in das Bildfeld gelangen kann, wirkt also auch als Streulichtblende. Die optischen Daten im Code-V-Format sind aus nachfolgender Tabelle 1 zu entnehmen:In the present case, the obscuration diaphragm OBS lies in the pupil plane 101, in which an aperture diaphragm B can also be arranged. The obscuration diaphragm OBS can be realized for example by an antireflection coating on the mirror S1. The obscuration diaphragm shadows the center of the beam path from the object plane 100 to the image plane 200. Since the obscuration diaphragm is arranged in a pupil plane, it defines a field-independent pupil obscuration, ie the pupil has the same annular shape for all field points. In FIG. 2 b, the beam path which passes through the objective from the object plane 100 to the image plane 200 and images an object in the object plane 100 into an image 200 in the image plane is shown in dark and is designated by the reference numeral 500 Object in the image depicts he is referred to as imaging beam path. The rays 503 of the beam path which impinge on the mirror S1 from the object plane 100 through the opening O1 are blocked in imaging rays 501 of the imaging beam path 500 and rays 502 blocked by the obscuration stop and not in the direction of the surface of the second mirror S2 and in particular Object level 100 is reflected by the opening back, divided. As can be clearly seen in FIG. 2b, the size of the obscuration diaphragm can be varied within certain limits. The size of the obscuration diaphragm OBS is advantageously chosen so that no field-dependent vignetting effects occur through the mirror substrates. In contrast to the embodiment shown in FIG. 4 of EP 0267766, the non-pierced convex mirror S1, which allows light to pass directly from the object into the image field, thus also acts as a scattered-light diaphragm. The optical data in the Code V format are shown in Table 1 below:
Tabelle 1 : Optische Daten des Ausführungsbeispieles gemäß Fig 2a-2d im Code V-FormatTable 1: Optical data of the embodiment according to Figures 2a-2d in the code V format
Figure imgf000014_0001
Figure imgf000014_0002
Hierbei ist K: konische Konstante
Figure imgf000014_0001
Figure imgf000014_0002
Where K is a conic constant
A1 B, C, D, E: AsphärenkoeffizientenA 1 B, C, D, E: aspheric coefficients
In Figur 2c ist in Fig. 2c1 die longitudinale sphärische Aberration, in Fig. 2c2 die astigmatischen Feldkurven und in Fig. 2c3 die Verzeichnung des Systems gemäß den Figuren 2a und 2b gezeigt. In Figur 2d sind die Queraberrationen über der Pupille für 5 verschiedene Feldpunkte gezeigt. Wie aus den Fig. 2c1- 2c3 und 2d hervorgeht, ist das Projektionssystem gemäß Ausführungsbeispiel 1 bei einer Apertur von NA=0.50 beugungsbegrenzt korrigiert. Die Wellenfrontkorrektur liegt im Feldmittel bei 40mλ rms (bei einer Wellenlänge von λ=13.4nm) bei einem bildseitigen Feldradius von 0.4mm. Die Bildfeldkrümmung beträgt 20nm (peak-to- valley).In FIG. 2c the longitudinal spherical aberration is shown in FIG. 2c1, in FIG. 2c2 the astigmatic field curves and in FIG. 2c3 the distortion of the system according to FIGS. 2a and 2b. FIG. 2d shows the transverse aberrations over the pupil for 5 different field points. As is apparent from Figs. 2c1-2c3 and 2d, the projection system according to Embodiment 1 is corrected for diffraction limited at an aperture of NA = 0.50. The wavefront correction lies in the field average at 40mλ rms (at a wavelength of λ = 13.4nm) with a field-side field radius of 0.4mm. The field curvature is 20nm (peak-to-valley).
In Figur 3a ist ein alternatives Ausführungsbeispiel der Erfindung gezeigt. Das Ausführungsbeispiel gemäß Figur 2a zeichnet sich dadurch aus, dass die bildseitige numerische Apertur NA = 0,7 beträgt und der Abbildungsmaßstab 5x beträgt.FIG. 3 a shows an alternative embodiment of the invention. The exemplary embodiment according to FIG. 2a is characterized in that the image-side numerical aperture NA = 0.7 and the magnification is 5x.
Wie bei Fig.2a-2d handelt es sich bei dem Objektiv gemäß den Figuren 3a bis 3d um ein Projektionsobjektiv, das in der Mikrolithographie verwendet wird.As in FIGS. 2a-2d, the objective according to FIGS. 3a to 3d is a projection objective used in microlithography.
Demgemäß liegt der hochaperturige Teil 102.1 wie beim Objektiv gemäß Figur 2a bis 2d auf der Seite der Bildebene 200, und der niederaperturige Teil 102.2 auf der Seite der Objektebene 100. Das System gemäß Figur 3a bildet ein Objekt in der Objektebene 100 5-fach verkleinert in die Bildebene ab. Daher wird das System gemäß Figur 3a auch als Mikrolithographie-Reduktionssystem bezeichnet.Accordingly, the high-aperture part 102.1 lies on the side of the image plane 200 as in the objective according to FIGS. 2a to 2d, and the low-aperture part 102.2 on the side of the object plane 100. The system according to FIG. 3a forms an object in the object plane 100 5 times smaller in FIG the picture plane off. Therefore, the system according to Figure 3a is also referred to as microlithography reduction system.
Gleiche Bauteile wie in Figur 2a und 2b sind in den Figuren 3a und 3b mit denselben Bezugsziffern belegt. Das System gemäß Figur 3a und 3b weist eine Objektebene 100 auf, eine Bildebene 200 sowie drei Spiegel S1 , S2 und S3. Insgesamt weist das System vier reflektierende Oberflächen auf, nämlich eine erste reflektierende Oberfläche M1 , eine zweite reflektierende Oberfläche M2, eine dritte reflektierende Oberfläche M3 sowie eine vierte reflektierende Oberfläche M4. Wie im ersten Ausführungsbeispiel liegen die beiden optischen Flächen M2, M4 des doppelt genutzten Spiegels S2 auf derselben Seite, nämlich der Vorderseite VS.The same components as in FIGS. 2a and 2b are assigned the same reference numerals in FIGS. 3a and 3b. The system according to FIGS. 3a and 3b has an object plane 100, an image plane 200 and three mirrors S1, S2 and S3. Overall, the system has four reflective surfaces, namely a first reflective surface M1, a second reflective surface M2, a third reflective surface M3 and a fourth reflective surface M4. As in the first embodiment, the two optical surfaces M2, M4 of the dual-use mirror S2 lie on the same side, namely the front side VS.
Die Aperturblende und die Obskurationsblende OBS sind auf dem ersten Spiegel S1 wie bereits im ersten Ausführungsbeispiel angeordnet.The aperture diaphragm and the obscuration diaphragm OBS are arranged on the first mirror S1 as in the first exemplary embodiment.
Die optischen Daten im Code-V-Format sind in nachfolgender Tabelle 2 angegeben:The optical data in Code V format are given in Table 2 below:
Tabelle 2: Optische Daten des Systems gemäß Figur 3a-3d im Code V FormatTable 2: Optical data of the system according to Figure 3a-3d in the code V format
Figure imgf000016_0001
Figure imgf000016_0002
Hierbei sind K. konische Konstante
Figure imgf000016_0001
Figure imgf000016_0002
K. are conical constants
A, B, C, D, E: asphärische KonstantenA, B, C, D, E: aspherical constants
In Figur 3c ist in Figur 3c.1 ist die longitudinale sphärische Aberration, in Fig. 3c2 die astigmatischen Feldkurven und in Fig. 3c3 die Verzeichnung des Systems gemäß Figur 3a und 3b gezeigt. In Figur 3d sind die Queraberrationen über die Pupille für 5 verschiedene Feldpunkte gezeigt. Die Wellenfrontkorrektur liegt im Feldmittel bei 23mλ rms (bei einer Wellenlänge von λ=13.4nm) bei einem bildseitigen Feldradius von 0.253mm. Die Bildfeldkrümmung beträgt 3nm (peak-to- valley).FIG. 3c shows the longitudinal spherical aberration in FIG. 3c.1, the astigmatic field curves in FIG. 3c2 and the distortion of the system according to FIGS. 3a and 3b in FIG. 3c3. In Figure 3d, the transverse aberrations across the pupil are shown for 5 different field points. The wavefront correction lies in the field average at 23mλ rms (at a wavelength of λ = 13.4nm) with a field-side field radius of 0.253mm. The field curvature is 3 nm (peak-to-valley).
Die erfindungsgemäßen Objektive können nicht nur als Projektionsobjektive in sog. Mikrosteppern für die Prozessentwicklung und Qualifizierung der für die Lithographie notwendigen Prozesse, z. B. die Resistentwicklung eingesetzt werden, sondern auch für mikroskopische Anwendungen, wie z. B. die Masken- und Waferinspektion. Für diese Anwendungen wird das Objektiv in umgekehrter Richtung zur Vergrößerung eingesetzt werden. Bei einem derartigen Anwendungsfall wird die Bildebene 200 zur Objektebene und die Objektebene 100 wird zur Bildebene. Der hochaperturige Teil in der mikroskopischen Anwendung liegt dann auf der Seite der Objektebene, der niederaperturige Teil auf der Seite der Bildebene (nicht gezeigt). Die vorgestellten Systeme erlauben bei einem derartigen Betrieb die Realisierung verschiedener Beleuchtungsarten bei einer Verwendung als Mikroskopobjektiv, wie z. B. die zentrale Dunkelfeldbeleuchtung und eine schräge Beleuchtung. Werden die in dieser Anmeldung beschriebenen katoptrischen Objektive in der Projektionslithographie eingesetzt, so können sämtliche Beleuchtungssettings, insbesondere auch nicht-annulare Beleuchtungssettings eingesetzt werden. Des Weiteren zeichnen sich die Objektive durch eine hohe Apertur und eine gute optische Korrektur aus. The objectives according to the invention can be used not only as projection objectives in so-called microsteps for the process development and qualification of the processes required for the lithography, eg. As the resist development can be used, but also for microscopic applications such. As the mask and wafer inspection. For these applications, the lens will be used in the opposite direction to the magnification. In such an application, the image plane 200 becomes the object plane and the object plane 100 becomes the image plane. The high-aperture part in the microscopic application is then on the side of the object plane, the lower-aperture part on the side of the image plane (not shown). The presented systems allow in such an operation, the realization of different types of illumination when used as a microscope objective, such. B. the central dark field illumination and an oblique illumination. If the catoptric lenses described in this application are used in projection lithography, all illumination settings, in particular non-annular illumination settings, can also be used. Furthermore, the lenses are characterized by a high aperture and a good optical correction.

Claims

Patentansprüche claims
1. Katoptrisches Objektiv umfassend: wenigstens vier reflektierende Spiegelflächen(M1 , M2, M3, M4), die auf wenigstens drei Spiegel ( S1 , S2, S3 ) ausgebildet werden, wobei wenigstens zwei Spiegel ( S2, S3 ) eine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels (500), das das Objektiv von einer Objektebenen (100) zur einer Bildebene (200) durchläuft, aufweisen und wenigstens ein Spiegel (S 1 ) keine Öffnung für den Durchtritt eines Strahlbüschels aufweist.A catoptric lens comprising: at least four reflective mirror surfaces (M1, M2, M3, M4) formed on at least three mirrors (S1, S2, S3), at least two mirrors (S2, S3) having an aperture for the passage of a mirror Beam tuft (500), which passes through the lens from an object planes (100) to an image plane (200), and at least one mirror (S 1) has no opening for the passage of a beam tuft.
2. Katoptrisches Objektiv nach Anspruch 1 , dadurch gekennzeichnet, dass die wenigstens vier Spiegelflächen (M1 , M2, M3, M4) zwischen einer Objektebene (100) und einer Bildebene 200 angeordnet sind.2. Katoptrisches lens according to claim 1, characterized in that the at least four mirror surfaces (M1, M2, M3, M4) between an object plane (100) and an image plane 200 are arranged.
3. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 2, dadurch gekennzeichnet, dass3. Katoptrisches lens according to one of claims 1 to 2, characterized in that
Licht einer Wellenlänge < 193 nm das Objektiv von der Objektebene zur Bildebene in einem Strahlengang (500) durchläuft.Light of wavelength <193 nm passes through the lens from the object plane to the image plane in a beam path (500).
4. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass eine Obskurationsblende (OBS) durch auf einer Oberfläche eines Spiegels (S1 ), der keine Öffnung aufweist, ausgebildet wird.4. Catoptric lens according to one of claims 1 to 3, characterized in that an obstruction aperture (OBS) is formed by on a surface of a mirror (S1) having no opening.
5. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Obskurationsblende (OBS) durch eine Antireflexbeschichtung auf einer Oberfläche eines Spiegels (S1 ), der keine Öffnungen aufweist, ausgebildet wird. 5. Catoptric lens according to one of claims 1 to 4, characterized in that the obscuration diaphragm (OBS) is formed by an antireflection coating on a surface of a mirror (S1) which has no openings.
6. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, dass eine Obskurationsblende (OBS) auf einer ersten reflektierenden Spiegelfläche (M1 ) ausgebildet wird.6. Catoptric lens according to one of claims 1 to 5, characterized in that an obscuration diaphragm (OBS) is formed on a first reflecting mirror surface (M1).
7. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, dass der wenigstens eine Spiegel (S1 ), der keine Öffnung aufweist, eine reflektierende Fläche (M1 ) aufweist, wobei die reflektierende Fläche (M1) konvex ausgebildet ist.7. Catoptric lens according to one of claims 1 to 6, characterized in that the at least one mirror (S1) having no opening, a reflective surface (M1), wherein the reflective surface (M1) is convex.
8. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass die Spiegel (S2, S3), die eine Öffnung aufweisen, reflektierende Flächen (M2, M3, M4) aufweisen, wobei die reflektierenden Flächen (M2, M3, M4) konkav ausgebildet sind.The catoptric lens according to any one of claims 1 to 7, characterized in that the mirrors (S2, S3) having an aperture have reflective surfaces (M2, M3, M4), the reflective surfaces (M2, M3, M4 ) are concave.
9. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass das Objektiv einen hochaperturigen Teil (102.1 ) aufweist und die numerische Apertur NA des Objektives im hochaperturigen Teil (102.1 ) größer 0,3, bevorzugt größer 0,4 insbesondere bevorzugt größer 0,5, besonders bevorzugt größer 0,65, insbesondere > 0,7 ist.9. Katoptrisches lens according to one of claims 1 to 8, characterized in that the lens has a high-aperture part (102.1) and the numerical aperture NA of the objective in the high-aperture part (102.1) greater than 0.3, preferably greater than 0.4 particularly preferred greater than 0.5, more preferably greater than 0.65, in particular> 0.7.
10. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, dass das Objektiv ein Feld aufweist, dessen Ausdehnung im hochaperturigen Teil des Objektives eine Ausdehnung im Bereich 0,1 x 0,5 mm2 bis 1 ,0 x 1 ,0 mm2 insbesondere im Bereich 0,2 x 0,6 mm2 bis 1 ,0 x 1 ,0 mm2 hat.10. Catoptric lens according to one of claims 1 to 9, characterized in that the lens has a field whose extension in the high-aperture part of the lens has an extension in the range 0.1 x 0.5 mm 2 to 1, 0 x 1, 0 mm 2 in particular in the range 0.2 x 0.6 mm 2 to 1, 0 x 1, 0 mm 2 has.
11. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, dass zwei der reflektierenden Flächen (M2, M4) auf einem einzigen Spiegel (S2) ausgebildet werden.11. Catoptric lens according to one of claims 1 to 10, characterized in that two of the reflecting surfaces (M2, M4) are formed on a single mirror (S2).
12. Katoptrisches Objektiv nach Anspruch 11 , dadurch gekennzeichnet, dass die zwei reflektierenden Flächen (M2, M4) auf derselben Seite (VS) des Spiegels (S2) ausgebildet werden.12. Katoptrisches lens according to claim 11, characterized in that the two reflective surfaces (M2, M4) on the same side (VS) of the mirror (S2) are formed.
13. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, dass das Objektiv genau drei Spiegel (S1 , S2, S3) umfasst.13. Catoptric lens according to one of claims 1 to 12, characterized in that the lens comprises exactly three mirrors (S1, S2, S3).
14. Katoptrisches Objektiv nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, dass die drei Spiegel (S1 , S2, S3) vier reflektierende Flächen (M1 , M2, M3, M4) umfassen.14. Catoptric lens according to claim 13, characterized in that the three mirrors (S1, S2, S3) comprise four reflecting surfaces (M1, M2, M3, M4).
15. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass das Objektiv eine Aperturblende (B) aufweist.15. Katoptrisches lens according to one of claims 1 to 14, characterized in that the lens has an aperture (B).
16. Katoptrisches Objektiv nach Anspruch 15 dadurch gekennzeichnet, dass die Aperturblende (B) eine Irisblende ist.16. Katoptrisches lens according to claim 15, characterized in that the aperture diaphragm (B) is an iris diaphragm.
17. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Abbildungsmaßstab des Objektives > 4x, bevorzugt > 5x, insbesondere >100x ist.17. Catoptric lens according to one of claims 1 to 16, characterized in that the magnification of the objective is> 4x, preferably> 5x, in particular> 100x.
18. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass der Abbildungsmaßstab des Objektivs im Bereich von 4x bis 100x liegt.18. Catoptric lens according to one of claims 1 to 16, characterized in that the magnification of the lens is in the range of 4x to 100x.
19. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Bildebene im Unendlichen liegt.19. Catoptric lens according to one of claims 1 to 18, characterized in that the image plane is at infinity.
20. Katoptrisches Objektiv nach einem der Ansprüche 1 bis 19, dadurch gekennzeichnet, dass die Objektebene im Unendlichen liegt.20. Catoptric lens according to one of claims 1 to 19, characterized in that the object plane is at infinity.
21. Optische Vorrichtung umfassend eine breitbandige Lichtquelle insbesondere eine oder mehrere Leuchtdioden oder eine schmalbandige Lichtquelle mit im Wesentlichen einer Lichtwellenlänge sowie einem Objektiv gemäß einem der Ansprüche 1 bis 20.21. An optical device comprising a broadband light source, in particular one or more light emitting diodes or a narrowband A light source having substantially one wavelength of light and an objective according to any one of claims 1 to 20.
22. Optische Vorrichtung nach Anspruch 21 , dadurch gekennzeichnet, dass die optische Vorrichtung eine Mikrolithographie -22. Optical device according to claim 21, characterized in that the optical device is a microlithography
Projektionsbelichtungsanlage, eine Mikroskop oder ein Inspektionssystem ist. Projection exposure system, a microscope or an inspection system is.
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