WO2008022920A2 - Laser light source - Google Patents

Laser light source Download PDF

Info

Publication number
WO2008022920A2
WO2008022920A2 PCT/EP2007/058214 EP2007058214W WO2008022920A2 WO 2008022920 A2 WO2008022920 A2 WO 2008022920A2 EP 2007058214 W EP2007058214 W EP 2007058214W WO 2008022920 A2 WO2008022920 A2 WO 2008022920A2
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
laser light
light source
laser
semiconductor laser
chip
Prior art date
Application number
PCT/EP2007/058214
Other languages
German (de)
French (fr)
Other versions
WO2008022920A3 (en
Inventor
Manfred Vogel
Werner Herden
Ning Qu
Heiko Ridderbusch
Original Assignee
Robert Bosch Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch Gmbh filed Critical Robert Bosch Gmbh
Publication of WO2008022920A2 publication Critical patent/WO2008022920A2/en
Publication of WO2008022920A3 publication Critical patent/WO2008022920A3/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/40Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031Edge-emitting structures
    • H01S5/4043Edge-emitting structures with vertically stacked active layers
    • H01S5/405Two-dimensional arrays
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02PIGNITION, OTHER THAN COMPRESSION IGNITION, FOR INTERNAL-COMBUSTION ENGINES; TESTING OF IGNITION TIMING IN COMPRESSION-IGNITION ENGINES
    • F02P23/00Other ignition
    • F02P23/04Other physical ignition means, e.g. using laser rays
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024Arrangements for thermal management
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/094049Guiding of the pump light
    • H01S3/094053Fibre coupled pump, e.g. delivering pump light using a fibre or a fibre bundle
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/09Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
    • H01S3/091Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping
    • H01S3/094Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light
    • H01S3/0941Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
    • H01S3/09415Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode the pumping beam being parallel to the lasing mode of the pumped medium, e.g. end-pumping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022Mountings; Housings
    • H01S5/0235Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/02365Fixing laser chips on mounts by clamping

Definitions

  • the invention relates to a laser light source with a semiconductor laser chip having a plurality of emitter emitting laser light.
  • a laser light source is already known, which is also referred to as a laser diode bar.
  • an optical device is associated with the laser diode bar, which has inter alia a coupling prism and a decoupling prism and, overall, a very complicated structure.
  • the inventively provided a plurality of cooling elements the possibility of efficient cooling of the semiconductor laser chip is given.
  • special arrangements of the emitters can be realized in the laser light source according to the invention, for example, in conventional laser light sources with their relatively poor cooling to thermal destruction - - would result during operation of the semiconductor laser chip.
  • a particularly efficient cooling of the semiconductor laser chip results when the cooling elements are in thermal contact with mutually opposite surfaces of the semiconductor laser chip.
  • the emitters which usually have a line or rectangular shape, are advantageously combined to form an emitter group, wherein the emitters are preferably arranged next to one another along a direction extending essentially perpendicular to their longitudinal axis.
  • Conventional emitter arrays are designed in contrast to the laser light source according to the invention, due to the lower cooling capacity only for relatively low peak power, while according to the invention, according to investigations by the Applicant significantly higher than the previously realized peak performance can be achieved.
  • a particularly effective cooling of the semiconductor laser chip results when the emitter and / or emitter groups of the laser light source are each arranged in the region of the surfaces of the semiconductor laser chip provided with the cooling elements.
  • the laser light source according to the invention can also have at least one further semiconductor laser chip, each of the semiconductor laser chips at least one cooling element is assigned, so that the resulting stack configuration is again cooled according to the invention on at least two surfaces.
  • each of the semiconductor laser chips at least one cooling element is assigned, so that the resulting stack configuration is again cooled according to the invention on at least two surfaces.
  • the plurality of semiconductor laser chips of the laser light source according to the invention can be electrically connected in parallel or in series with each other and thus allow different connection configurations or adaptation to different electrical parameters such as an operating voltage and / or an operating current.
  • Semiconductor laser chips, each with differently doped substrates, can also be used very advantageously, which provides a further degree of freedom with regard to the electrical control of the laser light source.
  • Very different electrical emitter groups can be assigned to different emitter groups, so that the individual emitter groups can be controlled independently of one another, for example, to selectively apply laser light to corresponding loads connected to the laser light source.
  • the efficient cooling according to the invention allows a flexible arrangement of the individual emitters of the laser light source with one another, for example so-called laser stacks, the individual emitters being used, for example. can be arranged such that they correspond approximately to an entrance surface of an optical fiber device to be supplied by the laser light source and accordingly the laser can efficiently couple light into the optical fiber device without the need for complex optical coupling elements. As a result, a very simple and therefore reliable and cost-effective light coupling can be realized.
  • an input portion of an optical fiber device provided between the laser light source and a laser device to be supplied thereto may be disposed directly in front of a surface of the semiconductor laser chip having the emitters, i.
  • no complicated and thus expensive coupling optics is required in order to couple the laser light generated by the laser light source into the optical waveguide device.
  • the laser light source according to the invention can be advantageously used as a pump light source for a laser-based ignition system of an internal combustion engine, with applications both in internal combustion engines of motor vehicles as well as in stationary engines are conceivable.
  • the efficient cooling of the semiconductor laser chip according to the invention further advantageously provides the possibility of keeping an operating temperature of the laser light source and thus also the wavelength of the laser light emitted by the emitters constant.
  • the inventively improved heat conduction from / to the semiconductor laser chip through the at least two cooling elements also to an improved temperature, in particular
  • the semiconductor laser chip can be used, provided that appropriate heat sources are provided. Such a temperature control is particularly useful in applications in the automotive field can be used to allow the emission of laser light of the desired wavelength even under extreme cold start conditions.
  • An optional cooling or heating can be achieved, for example, by a Peltier element which is in thermal contact with at least one, but preferably all, cooling elements provided according to the invention.
  • Figure Ia is a schematic representation of an internal combustion engine with a laser-based ignition device
  • Figure Ib is a schematic representation of the ignition device of Figure 1;
  • Figure 2 is a schematic plan view of a laser light source of the invention
  • Figure 3 is a schematic side view of an embodiment of the laser light source according to the invention.
  • Figure 4 is a schematic side view of another embodiment of the laser light source according to the invention.
  • FIG. 5a to 5c schematically show an embodiment of the laser light source according to the invention with two semiconductor laser chips
  • Figure 6a is a schematic side view of another embodiment of the laser light source according to the invention.
  • Figure 6b is a plan view of the laser light source of Figure 6a.
  • FIG. 1a An internal combustion engine carries in FIG. 1a overall the reference numeral 10. It serves to drive a motor vehicle, not shown.
  • the internal combustion engine 10 comprises a plurality of cylinders, of - - which is designated in Figure 1 only one with the reference numeral 12.
  • a combustion chamber 14 of the cylinder 12 is limited by a piston 16.
  • Fuel enters the combustion chamber 14 directly through an injector 18, which is connected to a designated also as a rail fuel pressure accumulator 20.
  • fuel 22 is ignited by means of a laser pulse 24 which is emitted by a laser device 26 comprehensive ignition 27 into the combustion chamber 14.
  • the laser device 26 is fed via a light guide device 28 with a pumping light, which is provided by a pumping light source 30.
  • the pumping light source 30 is controlled by a control unit 32, which also controls the injector 18.
  • the pumping light source 30 feeds a plurality of optical fiber devices 28 for different laser devices 26, which are each assigned to a cylinder 12 of the internal combustion engine 10.
  • the pumping light source 30 has a plurality of individual laser light sources 340, which are connected to a pulse power supply 36.
  • a "stationary" distribution of pump light to the various laser devices 26 is realized, so that no optical distributors or the like are required between the pump light source 30 and the laser devices 26.
  • the laser device 26 has, for example, a laser-active solid 44 with a passive Q-switching circuit 46, which form an optical resonator together with a coupling-in mirror 42 and an output mirror 44.
  • the laser device 26 Upon application of a pumping light generated by the pumping light source 30, the laser device 26 generates a laser pulse 24 in a manner known per se, which is focused by focusing optics 52 onto an ignition point ZP located in the combustion chamber 14 (FIG.
  • the components present in the housing 38 of the laser device 26 are separated from the combustion chamber 14 by a combustion chamber window 58.
  • FIG. 2 shows a schematic plan view of a first embodiment of the laser light source 340 according to the invention.
  • the laser light source 340 has several
  • Laser light emitting emitter 342 whose laser light is used as pumping light 60 for optically pumping the laser device 26 (FIG. 1b) or the laser-active solid 44 disposed therein and accordingly coupled into the optical fiber device 28.
  • at least two cooling elements are advantageously provided, which enable efficient cooling of the laser light source 340.
  • FIG. 3 A schematic side view of a further embodiment of the laser light source 340a according to the invention is shown in FIG. In addition to a emitter 342 having - -
  • the laser light source 340a advantageously two cooling elements 345a, 345b, which, as shown in Figure 3, in thermal contact with opposing surfaces 341 ', 341 "of the semiconductor laser chip 341 are located.
  • the configuration according to the invention with the two cooling elements 345a, 345b permits the arrangement of a large number of emitters 342 in a so-called laser stack configuration, as a result of which, as can be seen from FIG. 3, a plurality of emitter groups 342a are obtained. Due to the small width of a single emitter 342 and the concomitant relatively large fast-axis divergence, the above-described juxtaposition of the emitter 342 to emitter group 342a is particularly useful because this provides a more efficient coupling of the laser light generated by the emitters 342 into a downstream optical Component such as the light guide device 28, see Figure Ib, Figure 2, is possible. In particular, as is evident from FIG.
  • connection of the semiconductor laser chip 341 with the cooling elements 345a, 345b can take place, for example, by way of a solder connection 346 or else by pressing or the like.
  • the emitters 342 or corresponding emitter groups 342b, 342c are particularly advantageously arranged, as in the variant 340b of the laser light source according to the invention shown in FIG. 4, in each case in the region of the surfaces 341 ', 341 "of the semiconductor laser chip 341 provided with the cooling elements 345a, 345b.
  • the semiconductor laser chip 341 may have a height h of about 100 microns, while the width b of the semiconductor laser chip 341 is about one millimeter.
  • the cooling elements 345a, 345b are not shown to scale and advantageously have a height of one to - - several millimeters in order to ensure an efficient heat transfer away from the semiconductor laser chip 341.
  • the cooling elements 345a, 345b are formed of a material having high thermal conductivity, with the use of copper being particularly preferred.
  • a total of two semiconductor laser chips 341a, 341b are provided, which together form a stack configuration, compare FIG. 5a.
  • the cooling elements 345a, 345b according to the invention are in each case connected to a surface of one of the two semiconductor laser chips 341a, 341b and thus in turn cause cooling of the laser stack 341a, 341b from two sides or the surfaces 341 ', 341 ".
  • a contact 347 arranged between the semiconductor laser chips 341a, 341b which serves for the electrical control of the semiconductor laser chips 341a, 341b.
  • the contacting 347 may be connected, for example, to a ground potential or another reference potential of the pumping light source 30 (FIG. 1b) or the pulse power supply 36 arranged therein.
  • Semiconductor laser chips 341a, 341b with a potential corresponding to an operating voltage advantageously takes place directly via the also electrically conductive cooling elements 345a, 345b.
  • the two semiconductor laser chips 341a, 341b can be embodied identically, for example, so that an electrical parallel connection of the semiconductor laser chips 341a, 341b results under the above-described contacting.
  • the exemplary embodiment 34Od according to FIG. 5b shows an electrical series connection of the semiconductor laser chips 341a, 341b, which are in turn identically designed, whereby a correspondingly higher, approximately twice the operating voltage is required in comparison with the exemplary embodiment according to FIG large operating current sets. Since the emitter 342 of the upper semiconductor laser chip 341b in FIG. 5b
  • the semiconductor laser chips 341a, 341b disposed adjacent to one another each have differently doped substrates.
  • the semiconductor laser chip 341a may have an n-type substrate while the semiconductor laser chip 341b has a p-type substrate, resulting in a different polarity for the electrical operation of the semiconductor laser chips 341a, 341b.
  • the laser light source 34Oe it is advantageously possible to realize an electrical series connection, wherein the first cooling element 345a is connected, for example, to a potential corresponding to an operating voltage of the pulse power supply 36 (FIG. 1b) and the second cooling element 345b accordingly has a ground potential or any other lower reference potential.
  • the laser light source has a first cooling element 345a, which is in thermal contact with a semiconductor laser chip 341, analogously to the embodiments described above.
  • the semiconductor laser chip 341 has a total of four different emitter groups 342d, 342e, 342f, 342g, which are spaced apart as shown and configured such that all emitters 342 of a corresponding emitter group 342d, 342e, 342f, 342g couple laser light generated therefrom to a corresponding optical fiber device can, which is shown in Figure 6a schematically by the circles 28a ', 28b', 28c ', 28d'.
  • Separate cooling elements 345b, 345c, 345d, 345e are advantageously assigned to the individual emitter groups 342d,..., 342g, which, as described above, are simultaneously associated with the electrical
  • the laser light source according to the invention shown in Figure 6a, 6b can thus be used to realize a "stationary pump light distribution.” Also simplifies the installation of the laser light source, since instead of four separate laser light sources only the inventive arrangement, which is preferably monolithic, to arrange in the ignition device 27 Furthermore, a common adjustment of the light guides 28a,..., 28d can advantageously take place.
  • the arrangement according to the invention allows the emitter in the emitter groups 342d,..., 342g shown in FIG. 6a to couple the laser light 60 directly into the corresponding optical waveguide device 28a,..., 28d, in particular without the need for an optical coupling element ,
  • the use of photonic bandgap crystal-based emitters is provided which, due to their relatively large emitter width of up to 20 micrometers, has a lower fast-axis divergence and accordingly an even more efficient coupling of laser light 60 into one allow corresponding light guide device 28.
  • cooling elements 345a,..., 345e other cooling elements (not shown) may also be provided, which are in particular also arranged on lateral surfaces of the semiconductor laser chip 341, 341a, 341b.
  • the laser light source according to the invention can generally be advantageously used in laser-based ignition systems of internal combustion engines 10, e.g. of motor vehicles or even in stationary engines used.
  • internal combustion engines 10 e.g. of motor vehicles or even in stationary engines used.
  • inventively optimized cooling due to the high achievable output power, which is made possible by the inventively optimized cooling, other applications conceivable.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Abstract

The invention relates to a laser light source (340, 340a, 340b, 340c, 340d, 340e) having a semiconductor laser chip (341, 341a, 341b), having a plurality of emitters (342) which emit laser light. According to the invention, provision is made of at least two cooling elements (345a, 345b, 345c) for cooling the semiconductor laser chip (341, 341a, 341b) which are situated in thermal contact with two different surfaces (341', 341') of the semiconductor laser chip (341, 341a, 341b).

Description

- - - -
Beschreibungdescription
Titel LaserlichtquelleTitle laser light source
Stand der TechnikState of the art
Die Erfindung betrifft eine Laserlichtquelle mit einem Halbleiterlaserchip, der mehrere Laserlicht abstrahlende Emitter aufweist.The invention relates to a laser light source with a semiconductor laser chip having a plurality of emitter emitting laser light.
Aus der DE 10 2004 016 835 Al ist bereits eine derartige Laserlichtquelle bekannt, die auch als Laserdiodenbarren bezeichnet wird. Um einen von dem Laserdiodenbarren abgestrahlten Laserstrahl aufzubereiten, ist dem Laserdiodenbarren eine optische Vorrichtung zugeordnet, die unter anderem ein Einkoppelprisma und ein Auskoppelprisma und insgesamt eine sehr aufwendige Struktur aufweist.From DE 10 2004 016 835 Al, such a laser light source is already known, which is also referred to as a laser diode bar. In order to prepare a laser beam emitted by the laser diode bar, an optical device is associated with the laser diode bar, which has inter alia a coupling prism and a decoupling prism and, overall, a very complicated structure.
Offenbarung der ErfindungDisclosure of the invention
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Laserlichtquelle der eingangs genannten Art derart zu verbessern, dass sie vielseitig einsetzbar ist und insbesondere keine komplexe Zusatzoptik zur Anpassung einer Strahlcharakteristik des von ihr abgegebenen Laserlichts benötigt.It is an object of the present invention to improve a laser light source of the type mentioned in such a way that it is versatile and in particular no complex additional optics for adjusting a beam characteristic of the laser light emitted by it needs.
Diese Aufgabe wird bei einer Laserlichtquelle der eingangs genannten Art erfindungsgemäß dadurch gelöst, dass mindestens zwei Kühlelemente zur Kühlung des Halbleiterlaserchips vorgesehen sind, die sich in Wärmekontakt mit zwei verschiedenen Oberflächen des Halbleiterlaserchips befinden.This object is achieved in a laser light source of the aforementioned type according to the invention that at least two cooling elements are provided for cooling the semiconductor laser chip, which are in thermal contact with two different surfaces of the semiconductor laser chip.
Vorteile der ErfindungAdvantages of the invention
Durch die erfindungsgemäß vorgesehenen mehreren Kühlelemente ist die Möglichkeit einer effizienten Kühlung des Halbleiterlaserchips gegeben. Im Unterschied zu herkömmlichen Laserlichtquellen, bei denen lediglich eine Oberfläche des Halbleiterlaserchips durch ein einziges Kühlelement gekühlt wird, können bei der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle beispielsweise besondere Anordnungen der Emitter zueinander realisiert werden, die bei konventionellen Laserlichtquellen mit ihrer verhältnismäßig schlechten Kühlung zu einer thermischen Zerstörung - - während des Betriebs des Halbleiterlaserchips führen würden.The inventively provided a plurality of cooling elements, the possibility of efficient cooling of the semiconductor laser chip is given. In contrast to conventional laser light sources, in which only one surface of the semiconductor laser chip is cooled by a single cooling element, special arrangements of the emitters can be realized in the laser light source according to the invention, for example, in conventional laser light sources with their relatively poor cooling to thermal destruction - - would result during operation of the semiconductor laser chip.
Eine besonders effiziente Kühlung des Halbleiterlaserchips ergibt sich, wenn die Kühlelemente in Wärmekontakt mit sich einander gegenüberliegenden Oberflächen des Halbleiterlaserchips stehen.A particularly efficient cooling of the semiconductor laser chip results when the cooling elements are in thermal contact with mutually opposite surfaces of the semiconductor laser chip.
Die üblicherweise Linien- bzw. Rechteckform aufweisenden Emitter sind erfindungsgemäß vorteilhaft jeweils zu einer Emittergruppe zusammengefasst, wobei die Emitter vorzugsweise entlang einer sich im Wesentlichen senkrecht zu ihrer Längsachse erstreckenden Richtung nebeneinander angeordnet sind. Herkömmliche Emitteranordnungen sind im Gegensatz zu der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle aufgrund des geringeren Kühlvermögens nur für verhältnismäßig geringe Spitzenleistungen ausgelegt, während mit der erfindungsgemäßen Kühlung Untersuchungen der Anmelderin zufolge deutlich höhere als die bisher realisierten Spitzenleistungen erzielbar sind.The emitters, which usually have a line or rectangular shape, are advantageously combined to form an emitter group, wherein the emitters are preferably arranged next to one another along a direction extending essentially perpendicular to their longitudinal axis. Conventional emitter arrays are designed in contrast to the laser light source according to the invention, due to the lower cooling capacity only for relatively low peak power, while according to the invention, according to investigations by the Applicant significantly higher than the previously realized peak performance can be achieved.
Eine ganz besonders wirksame Kühlung des Halbleiterlaserchips ergibt sich, wenn die Emitter und/oder Emittergruppen der Laserlichtquelle jeweils im Bereich der mit den Kühlelementen versehenen Oberflächen des Halbleiterlaserchips angeordnet sind.A particularly effective cooling of the semiconductor laser chip results when the emitter and / or emitter groups of the laser light source are each arranged in the region of the surfaces of the semiconductor laser chip provided with the cooling elements.
Vorteilhaft kann die erfindungsgemäße Laserlichtquelle auch mindestens einen weiteren Halbleiterlaserchip aufweisen, wobei jedem der Halbleiterlaserchips jeweils mindestens ein Kühlelement zugeordnet ist, so dass die sich ergebende Stapelkonfiguration wiederum erfindungsgemäß an mindestens zwei Oberflächen gekühlt wird. Durch die Verwendung baugleicher Halbleiterlaserchips für die Bildung der Stapelkonfiguration lässt sich bei insgesamt verhältnismäßig geringen Herstellungskosten eine Leistungssteigerung der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle erzielen.Advantageously, the laser light source according to the invention can also have at least one further semiconductor laser chip, each of the semiconductor laser chips at least one cooling element is assigned, so that the resulting stack configuration is again cooled according to the invention on at least two surfaces. By using identical semiconductor laser chips for the formation of the stack configuration, an increase in performance of the laser light source according to the invention can be achieved with an overall comparatively low production cost.
Die mehreren Halbleiterlaserchips der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle können elektrisch parallel oder in Reihe zueinander geschaltet sein und ermöglichen damit unterschiedliche Anschlusskonfigurationen bzw. die Anpassung an unterschiedliche elektrische Parameter wie beispielweise eine Betriebsspannung und/oder einen Betriebsstrom. Sehr vorteilhaft können auch Halbleiterlaserchips mit jeweils unterschiedlich dotierten Substraten verwendet werden, wodurch ein weiterer Freiheitsgrad hinsichtlich der elektrischen Ansteuerung der Laserlichtquelle gegeben ist.The plurality of semiconductor laser chips of the laser light source according to the invention can be electrically connected in parallel or in series with each other and thus allow different connection configurations or adaptation to different electrical parameters such as an operating voltage and / or an operating current. Semiconductor laser chips, each with differently doped substrates, can also be used very advantageously, which provides a further degree of freedom with regard to the electrical control of the laser light source.
Sehr vorteilhaft können unterschiedlichen Emittergruppen jeweils getrennte elektrische Kontaktierungen zugeordnet sein, so dass die einzelnen Emittergruppen unabhängig voneinander ansteuerbar sind, beispielsweise um wahlweise entsprechende mit der Laserlichtquelle verbundene Verbraucher mit Laserlicht zu beaufschlagen. - -Very different electrical emitter groups can be assigned to different emitter groups, so that the individual emitter groups can be controlled independently of one another, for example, to selectively apply laser light to corresponding loads connected to the laser light source. - -
Anstelle der Verwendung von herkömmlichen Laser-Emittern, die beispielsweise eine Breite von nur etwa einem Mikrometer aufweisen und eine dementsprechend hohe fast-axis-Divergenz besitzen, ist es auch denkbar, sogenannte photonic bandgap crystal basierte Emitter zu verwenden, die gegenwärtig mit Emitterbreiten von bis zu 20 Mikrometer herstellbar sind und eine dementsprechend geringere fast-axis-Divergenz aufweisen.Instead of using conventional laser emitters, for example, having a width of only about one micron and having a correspondingly high fast-axis divergence, it is also conceivable to use so-called photonic bandgap crystal-based emitters, which currently have emitter widths of up to can be produced to 20 microns and have a correspondingly lower fast-axis divergence.
Unabhängig von dem verwendeten Emittertyp erlaubt die effiziente erfindungsgemäße Kühlung eine flexible Anordnung der einzelnen Emitter der Laserlichtquelle untereinander beispielsweise zu sogenannten laser Stacks, wobei die einzelnen Emitter z.B. so angeordnet werden können, dass sie etwa einer Eintrittsfläche einer durch die Laserlichtquelle zu versorgenden Lichtleitereinrichtung entsprechen und demnach das Laser licht effizient in die Lichtleitereinrichtung einkoppeln können, ohne dass hierzu aufwendige optische Kopplungselemente erforderlich sind. Hierdurch ist eine sehr einfache und damit betriebssichere sowie kostengünstige Lichteinkopplung realisierbar.Regardless of the type of emitter used, the efficient cooling according to the invention allows a flexible arrangement of the individual emitters of the laser light source with one another, for example so-called laser stacks, the individual emitters being used, for example. can be arranged such that they correspond approximately to an entrance surface of an optical fiber device to be supplied by the laser light source and accordingly the laser can efficiently couple light into the optical fiber device without the need for complex optical coupling elements. As a result, a very simple and therefore reliable and cost-effective light coupling can be realized.
Vorteilhaft kann ein Eingangsabschnitt einer Lichtleitereinrichtung, die zwischen der Laserlichtquelle und einer hiervon zu versorgenden Lasereinrichtung vorgesehen ist, direkt vor einer die Emitter aufweisenden Oberfläche des Halbleiterlaserchips angeordnet sein, d.h. es ist insbesondere keine aufwendige und damit teure Einkoppeloptik erforderlich, um das von der Laserlichtquelle erzeugte Laserlicht in die Lichtleitereinrichtung einzukoppeln.Advantageously, an input portion of an optical fiber device provided between the laser light source and a laser device to be supplied thereto may be disposed directly in front of a surface of the semiconductor laser chip having the emitters, i. In particular, no complicated and thus expensive coupling optics is required in order to couple the laser light generated by the laser light source into the optical waveguide device.
Die erfindungsgemäße Laserlichtquelle kann vorteilhaft als Pumplichtquelle für ein laserbasiertes Zündsystem einer Brennkraftmaschine eingesetzt werden, wobei Anwendungen sowohl bei Brennkraftmaschinen von Kraftfahrzeugen wie auch bei Stationärmotoren denkbar sind.The laser light source according to the invention can be advantageously used as a pump light source for a laser-based ignition system of an internal combustion engine, with applications both in internal combustion engines of motor vehicles as well as in stationary engines are conceivable.
Durch die erfindungsgemäße effiziente Kühlung des Halbleiterlaserchips ist weiter vorteilhaft die Möglichkeit gegeben, eine Betriebstemperatur der Laserlichtquelle und damit auch die Wellenlänge des von den Emittern abgestrahlten Laserlichts konstant zu halten.The efficient cooling of the semiconductor laser chip according to the invention further advantageously provides the possibility of keeping an operating temperature of the laser light source and thus also the wavelength of the laser light emitted by the emitters constant.
Prinzipiell kann die erfindungsgemäß verbesserte Wärmeleitung von/zu dem Halbleiterlaserchip durch die mindestens zwei Kühlelemente auch zu einer verbesserten Temperierung, insbesondereIn principle, the inventively improved heat conduction from / to the semiconductor laser chip through the at least two cooling elements also to an improved temperature, in particular
Heizung, des Halbleiterlaserchips, genutzt werden, sofern entsprechende Wärmequellen vorgesehen sind. Eine derartige Temperierung ist besonders zweckmäßig bei Anwendungen im Kraftfahrzeugbereich einsetzbar, um auch unter extremen Kaltstartbedingungen die Abstrahlung von Laserlicht der gewünschten Wellenlänge zu ermöglichen. Eine wahlweise Kühlung bzw. Heizung kann beispielsweise durch ein Peltier-Element erreicht werden, das mit mindestens einem, vorzugsweise jedoch allen, erfindungsgemäß vorgesehenen Kühlelementen in Wärmekontakt steht. - -Heating, the semiconductor laser chip can be used, provided that appropriate heat sources are provided. Such a temperature control is particularly useful in applications in the automotive field can be used to allow the emission of laser light of the desired wavelength even under extreme cold start conditions. An optional cooling or heating can be achieved, for example, by a Peltier element which is in thermal contact with at least one, but preferably all, cooling elements provided according to the invention. - -
Weitere Merkmale, Anwendungsmöglichkeiten und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen der Erfindung, die in den Figuren der Zeichnung dargestellt sind. Dabei bilden alle beschriebenen oder dargestellten Merkmale für sich oder in beliebiger Kombination den Gegenstand der Erfindung, unabhängig von ihrer Zusammenfassung in den Patentansprüchen oder deren Rückbeziehung sowie unabhängig von ihrer Formulierung bzw. Darstellung in der Beschreibung bzw. in der Zeichnung.Other features, applications and advantages of the invention will become apparent from the following description of embodiments of the invention, which are illustrated in the figures of the drawing. All described or illustrated features, alone or in any combination form the subject matter of the invention, regardless of their summary in the claims or their dependency and regardless of their formulation or representation in the description or in the drawing.
Kurze Beschreibung der ZeichnungShort description of the drawing
In der Zeichnung zeigt:In the drawing shows:
Figur Ia eine schematische Darstellung einer Brennkraftmaschine mit einer laserbasierten Zündeinrichtung;Figure Ia is a schematic representation of an internal combustion engine with a laser-based ignition device;
Figur Ib eine schematische Darstellung der Zündeinrichtung aus Figur 1;Figure Ib is a schematic representation of the ignition device of Figure 1;
Figur 2 eine schematische Draufsicht auf eine erfindungsgemäße Laserlichtquelle derFigure 2 is a schematic plan view of a laser light source of the invention
Zündeinrichtung aus Figur 2;Ignition device of Figure 2;
Figur 3 eine schematische Seitenansicht einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Laser lichtquelle;Figure 3 is a schematic side view of an embodiment of the laser light source according to the invention;
Figur 4 eine schematische Seitenansicht einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle ;Figure 4 is a schematic side view of another embodiment of the laser light source according to the invention;
Figur 5a bis 5c schematisch jeweils eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Laser lichtquelle mit zwei Halbleiter laserchips;Figure 5a to 5c schematically show an embodiment of the laser light source according to the invention with two semiconductor laser chips;
Figur 6a eine schematische Seitenansicht einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle; undFigure 6a is a schematic side view of another embodiment of the laser light source according to the invention; and
Figur 6b eine Draufsicht auf die Laserlichtquelle aus Figur 6a.Figure 6b is a plan view of the laser light source of Figure 6a.
Ausführungsformen der ErfindungEmbodiments of the invention
Eine Brennkraftmaschine trägt in Figur Ia insgesamt das Bezugszeichen 10. Sie dient zum Antrieb eines nicht dargestellten Kraftfahrzeugs. Die Brennkraftmaschine 10 umfasst mehrere Zylinder, von - - denen in Figur 1 nur einer mit dem Bezugszeichen 12 bezeichnet ist. Ein Brennraum 14 des Zylinders 12 wird von einem Kolben 16 begrenzt. Kraftstoff gelangt in den Brennraum 14 direkt durch einen Injektor 18, der an einen auch als Rail bezeichneten Kraftstoff-Druckspeicher 20 angeschlossen ist.An internal combustion engine carries in FIG. 1a overall the reference numeral 10. It serves to drive a motor vehicle, not shown. The internal combustion engine 10 comprises a plurality of cylinders, of - - which is designated in Figure 1 only one with the reference numeral 12. A combustion chamber 14 of the cylinder 12 is limited by a piston 16. Fuel enters the combustion chamber 14 directly through an injector 18, which is connected to a designated also as a rail fuel pressure accumulator 20.
In den Brennraum 14 eingespritzter Kraftstoff 22 wird mittels eines Laserimpulses 24 entzündet, der von einer eine Lasereinrichtung 26 umfassenden Zündeinrichtung 27 in den Brennraum 14 abgestrahlt wird. Hierzu wird die Lasereinrichtung 26 über eine Lichtleitereinrichtung 28 mit einem Pumplicht gespeist, welches von einer Pumplichtquelle 30 bereitgestellt wird. Die Pumplichtquelle 30 wird von einem Steuergerät 32 gesteuert, das auch den Injektor 18 ansteuert.Injected into the combustion chamber 14 fuel 22 is ignited by means of a laser pulse 24 which is emitted by a laser device 26 comprehensive ignition 27 into the combustion chamber 14. For this purpose, the laser device 26 is fed via a light guide device 28 with a pumping light, which is provided by a pumping light source 30. The pumping light source 30 is controlled by a control unit 32, which also controls the injector 18.
Wie aus Figur Ib hervorgeht, speist die Pumplichtquelle 30 mehrere Lichtleitereinrichtungen 28 für verschiedene Lasereinrichtungen 26, die jeweils einem Zylinder 12 der Brennkraftmaschine 10 zugeordnet sind. Hierzu weist die Pumplichtquelle 30 mehrere einzelne Laserlichtquellen 340 auf, die mit einer Pulsstromversorgung 36 verbunden sind. Durch das Vorhandensein der mehreren einzelnen Laserlichtquellen 340 ist gleichsam eine „ruhende" Verteilung von Pumplicht an die verschiedenen Lasereinrichtungen 26 realisiert, so dass keine optischen Verteiler oder dergleichen zwischen der Pumplichtquelle 30 und den Lasereinrichtungen 26 erforderlich sind.As can be seen from FIG. 1 b, the pumping light source 30 feeds a plurality of optical fiber devices 28 for different laser devices 26, which are each assigned to a cylinder 12 of the internal combustion engine 10. For this purpose, the pumping light source 30 has a plurality of individual laser light sources 340, which are connected to a pulse power supply 36. As a result of the presence of the plurality of individual laser light sources 340, a "stationary" distribution of pump light to the various laser devices 26 is realized, so that no optical distributors or the like are required between the pump light source 30 and the laser devices 26.
Die Lasereinrichtung 26 weist beispielsweise einen laseraktiven Festkörper 44 mit einer passiven Güteschaltung 46 auf, die zusammen mit einem Einkoppelspiegel 42 und einem Auskoppelspiegel 44 einen optischen Resonator bilden. Unter Beaufschlagung mit von der Pumplichtquelle 30 erzeugtem Pumplicht erzeugt die Lasereinrichtung 26 in an sich bekannter Weise einen Laserimpuls 24, der durch eine Fokussieroptik 52 auf einen in dem Brennraum 14 (Figur Ia) befindlichen Zündpunkt ZP fokussiert ist. Die in dem Gehäuse 38 der Lasereinrichtung 26 vorhandenen Komponenten sind durch ein Brennraumfenster 58 von dem Brennraum 14 getrennt.The laser device 26 has, for example, a laser-active solid 44 with a passive Q-switching circuit 46, which form an optical resonator together with a coupling-in mirror 42 and an output mirror 44. Upon application of a pumping light generated by the pumping light source 30, the laser device 26 generates a laser pulse 24 in a manner known per se, which is focused by focusing optics 52 onto an ignition point ZP located in the combustion chamber 14 (FIG. The components present in the housing 38 of the laser device 26 are separated from the combustion chamber 14 by a combustion chamber window 58.
Figur 2 zeigt eine schematische Draufsicht auf eine erste Ausführungsform der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle 340. Wie aus Figur 2 ersichtlich ist, weist die Laserlichtquelle 340 mehrereFIG. 2 shows a schematic plan view of a first embodiment of the laser light source 340 according to the invention. As can be seen from FIG. 2, the laser light source 340 has several
Laserlicht abstrahlende Emitter 342 auf, deren Laserlicht als Pumplicht 60 zum optischen Pumpen der Lasereinrichtung 26 (Figur Ib) bzw. des darin angeordneten laseraktiven Festkörpers 44 verwendet und dementsprechend in die Lichtleitereinrichtung 28 eingekoppelt wird. Erfindungsgemäß sind vorteilhaft mindestens zwei in Figur 2 nicht abgebildete Kühlelemente vorgesehen, die eine effiziente Kühlung der Laserlichtquelle 340 ermöglichen.Laser light emitting emitter 342 whose laser light is used as pumping light 60 for optically pumping the laser device 26 (FIG. 1b) or the laser-active solid 44 disposed therein and accordingly coupled into the optical fiber device 28. According to the invention, at least two cooling elements, not shown in FIG. 2, are advantageously provided, which enable efficient cooling of the laser light source 340.
Eine schematische Seitenansicht einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle 340a ist in Figur 3 angegeben. Neben einem die Emitter 342 aufweisenden - -A schematic side view of a further embodiment of the laser light source 340a according to the invention is shown in FIG. In addition to a emitter 342 having - -
Halbleiterlaserchip 341 weist die erfindungsgemäße Laserlichtquelle 340a vorteilhaft zwei Kühlelemente 345a, 345b auf, die sich, wie in Figur 3 abgebildet, in Wärmekontakt mit einander gegenüberliegenden Oberflächen 341', 341" des Halbleiterlaserchips 341 befinden.Semiconductor laser chip 341, the laser light source 340a according to the invention advantageously two cooling elements 345a, 345b, which, as shown in Figure 3, in thermal contact with opposing surfaces 341 ', 341 "of the semiconductor laser chip 341 are located.
Die erfindungsgemäße Konfiguration mit den beiden Kühlelementen 345a, 345b erlaubt die Anordnung einer Vielzahl von Emittern 342 in einer sogenannten laser Stack Konfiguration, wodurch, wie aus Figur 3 ersichtlich, mehrere Emittergruppen 342a erhalten werden. Aufgrund der geringen Breite eines einzelnen Emitters 342 und der damit einhergehenden verhältnismäßig großen fast-axis-Divergenz ist die vorstehend beschriebene Nebeneinanderanordnung der Emitter 342 zu einer Emittergruppe 342a besonders zweckmäßig, weil hierdurch eine effizientere Einkopplung des von den Emittern 342 erzeugten Laserlichts in eine nachgeordnete optische Komponente wie beispielsweise die Lichtleitereinrichtung 28, vergleiche Figur Ib, Figur 2, möglich ist. Insbesondere ist, wie aus Figur 2 ersichtlich, keine von herkömmlichen Systemen bekannte aufwendige Kopplungsoptik erforderlich, sondern es kann vorteilhaft vielmehr eine direkte Einkopplung des Laserlichts von den Emittern 342 der Laserlichtquelle 340, 340a in die Lichtleitereinrichtung 28 erfolgen, wodurch nicht nur die Komplexität der Anordnung reduziert ist, sondern auch durch eine bei herkömmlichen Laserlichtquellen erforderliche Kopplungsoptik resultierende Verluste vermieden werden.The configuration according to the invention with the two cooling elements 345a, 345b permits the arrangement of a large number of emitters 342 in a so-called laser stack configuration, as a result of which, as can be seen from FIG. 3, a plurality of emitter groups 342a are obtained. Due to the small width of a single emitter 342 and the concomitant relatively large fast-axis divergence, the above-described juxtaposition of the emitter 342 to emitter group 342a is particularly useful because this provides a more efficient coupling of the laser light generated by the emitters 342 into a downstream optical Component such as the light guide device 28, see Figure Ib, Figure 2, is possible. In particular, as is evident from FIG. 2, no complex coupling optics known from conventional systems are required, but rather direct coupling of the laser light from the emitters 342 of the laser light source 340, 340a into the optical waveguide device 28 can take place, which not only reduces the complexity of the arrangement is reduced, but also by a required in conventional laser light sources coupling optics resulting losses can be avoided.
Aufgrund der effizienten Kühlung durch die erfindungsgemäße Anordnung der Kühlelemente 345a, 345b ist ferner eine gesteigerte Temperaturstabilität des Halbleiterlaserchips 341 und damit eine entsprechende Wellenlängenstabilität des von der Laserlichtquelle 340, 340a erzeugten Laserlichts gegeben.Due to the efficient cooling by the inventive arrangement of the cooling elements 345a, 345b, an increased temperature stability of the semiconductor laser chip 341 and thus a corresponding wavelength stability of the laser light generated by the laser light source 340, 340a laser light is also given.
Die Verbindung des Halbleiterlaserchips 341 mit den Kühlelementen 345a, 345b kann beispielsweise im Wege einer Lötverbindung 346 erfolgen oder auch durch Anpressen oder dergleichen.The connection of the semiconductor laser chip 341 with the cooling elements 345a, 345b can take place, for example, by way of a solder connection 346 or else by pressing or the like.
Besonders vorteilhaft sind die Emitter 342 bzw. entsprechende Emittergruppen 342b, 342c, wie bei der in Figur 4 dargestellten Variante 340b der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle, jeweils im Bereich der mit den Kühlelementen 345a, 345b versehenen Oberflächen 341', 341" des Halbleiterlaserchips 341 angeordnet.The emitters 342 or corresponding emitter groups 342b, 342c are particularly advantageously arranged, as in the variant 340b of the laser light source according to the invention shown in FIG. 4, in each case in the region of the surfaces 341 ', 341 "of the semiconductor laser chip 341 provided with the cooling elements 345a, 345b.
Bei einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle 340b kann der Halbleiterlaserchip 341 beispielsweise eine Höhe h von etwa 100 Mikrometer aufweisen, während die Breite b des Halbleiterlaserchips 341 etwa einen Millimeter beträgt. Die Kühlelemente 345a, 345b sind nicht maßstabsgerecht abgebildet und weisen vorteilhaft eine Höhe von einem bis - - mehreren Millimetern auf, um einen effizienten Wärmetransport weg von dem Halbleiterlaserchip 341 zu gewährleisten.For example, in a preferred embodiment of the laser light source 340b according to the invention, the semiconductor laser chip 341 may have a height h of about 100 microns, while the width b of the semiconductor laser chip 341 is about one millimeter. The cooling elements 345a, 345b are not shown to scale and advantageously have a height of one to - - several millimeters in order to ensure an efficient heat transfer away from the semiconductor laser chip 341.
Vorzugsweise sind die Kühlelemente 345a, 345b aus einem Material mit hoher Wärmeleitfähigkeit ausgebildet, wobei die Verwendung von Kupfer besonders bevorzugt ist.Preferably, the cooling elements 345a, 345b are formed of a material having high thermal conductivity, with the use of copper being particularly preferred.
Bei einer weiteren sehr vorteilhaften Ausführungsform der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle 340c sind insgesamt zwei Halbleiterlaserchips 341a, 341b vorgesehen, die zusammen eine Stapelkonfiguration bilden, vergleiche Figur 5a. Die erfindungsgemäßen Kühlelemente 345a, 345b sind hierbei jeweils mit einer Oberfläche eines der beiden Halbleiterlaserchips 341a, 341b verbunden und bewirken somit wiederum eine Kühlung des Laserstapels 341a, 341b von zwei Seiten bzw. der Oberflächen 341', 341".In a further very advantageous embodiment of the laser light source 340c according to the invention, a total of two semiconductor laser chips 341a, 341b are provided, which together form a stack configuration, compare FIG. 5a. The cooling elements 345a, 345b according to the invention are in each case connected to a surface of one of the two semiconductor laser chips 341a, 341b and thus in turn cause cooling of the laser stack 341a, 341b from two sides or the surfaces 341 ', 341 ".
Zusätzlich ist bei der Laserlichtquelle 340c eine zwischen den Halbleiterlaserchips 341a, 341b angeordnete Kontaktierung 347 vorgesehen, die zur elektrischen Ansteuerung der Halbleiterlaserchips 341a, 341b dient. Die Kontaktierung 347 kann beispielsweise mit einem Massepotential oder einem sonstigen Bezugspotential der Pumplichtquelle 30 (Figur Ib) bzw. der darin angeordneten Pulsstromversorgung 36 verbunden sein. Die Verbindung derIn addition, in the case of the laser light source 340c, a contact 347 arranged between the semiconductor laser chips 341a, 341b is provided, which serves for the electrical control of the semiconductor laser chips 341a, 341b. The contacting 347 may be connected, for example, to a ground potential or another reference potential of the pumping light source 30 (FIG. 1b) or the pulse power supply 36 arranged therein. The connection of
Halbleiterlaserchips 341a, 341b mit einem einer Betriebsspannung entsprechenden Potential erfolgt vorteilhaft direkt über die auch elektrisch leitfähigen Kühlelemente 345a, 345b.Semiconductor laser chips 341a, 341b with a potential corresponding to an operating voltage advantageously takes place directly via the also electrically conductive cooling elements 345a, 345b.
Bei dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 5a können die beiden Halbleiterlaserchips 341a, 341b beispielsweise identisch ausgebildet sein, so dass sich unter der vorstehend beschriebenen Kontaktierung eine elektrische Parallelschaltung der Halbleiterlaserchips 341a, 341b ergibt.In the exemplary embodiment according to FIG. 5a, the two semiconductor laser chips 341a, 341b can be embodied identically, for example, so that an electrical parallel connection of the semiconductor laser chips 341a, 341b results under the above-described contacting.
Im Unterschied hierzu zeigt das Ausführungsbeispiel 34Od gemäß Figur 5b eine elektrische Serienschaltung der wiederum identisch ausgebildeten Halbleiterlaserchips 341a, 341b, wobei im Vergleich zu dem Ausführungsbeispiel gemäß Figur 5a eine entsprechend höhere, etwa doppelt so große Betriebsspannung erforderlich ist, bei der sich ein etwa halb so großer Betriebsstrom einstellt. Da die Emitter 342 des in Figur 5b oberen Halbleiterlaserchips 341b im Gegensatz zu derIn contrast to this, the exemplary embodiment 34Od according to FIG. 5b shows an electrical series connection of the semiconductor laser chips 341a, 341b, which are in turn identically designed, whereby a correspondingly higher, approximately twice the operating voltage is required in comparison with the exemplary embodiment according to FIG large operating current sets. Since the emitter 342 of the upper semiconductor laser chip 341b in FIG
Konfiguration gemäß Figur 5a nicht unmittelbar in der Nähe des Kühlelements 345b bzw. einer das Kühlelement 345b kontaktierenden Oberfläche 341" angeordnet sind, ist eine etwas geringere Effizienz bei der Kühlung der Laserlichtquelle 34Od gegeben.Configuration are arranged according to Figure 5a is not directly in the vicinity of the cooling element 345b or a cooling element 345b contacting surface 341 ", is given a slightly lower efficiency in the cooling of the laser light source 34Od.
Insbesondere in denjenigen Anwendungsfällen, in denen ein vertikaler Abstand zwischen den Emittergruppen der beiden Halbleiterlaserchips 341a, 341b einen vorgebbaren Schwellwert, der beispielsweise von einem Eingangsquerschnitt bzw. -durchmesser einer Lichtleitereinrichtung 28 - - abhängt, nicht überschreiten darf, muss die zwischen den Halbleiterlaserchips 341a, 341b angeordnete und in Figur 5b nicht näher bezeichnete Kontaktierungszwischenschicht eine entsprechend geringe Höhe aufweisen und kann somit selbst keinen nennenswerten Wärmetransport weg von den Halbleiterlaserchips 341a, 341b bewirken.In particular, in those applications in which a vertical distance between the emitter groups of the two semiconductor laser chips 341a, 341b a predefinable threshold value, for example, from an input cross-section or diameter of a light guide device 28th - - depends, must not exceed, arranged between the semiconductor laser chips 341a, 341b and unspecified in Figure 5b Kontaktierungszwischenschicht must have a correspondingly low height and thus can itself cause no significant heat transfer away from the semiconductor laser chips 341a, 341b.
Bei einer weiteren besonders vorteilhaften Ausführungsform 34Oe der erfindungsgemäßenIn a further particularly advantageous embodiment 34Oe of the invention
Laserlichtquelle, vgl. Figur 5c, weisen die zueinander benachbart angeordneten Halbleiterlaserchips 341a, 341b jeweils unterschiedlich dotierte Substrate auf. Beispielsweise kann der Halbleiterlaserchip 341a ein n-Substrat aufweisen, während der Halbleiterlaserchip 341b ein p-Substrat aufweist, wodurch sich für den elektrischen Betrieb der Halbleiterlaserchips 341a, 341b eine unterschiedliche Polarität ergibt. Infolgedessen ist es bei der Laserlichtquelle 34Oe vorteilhaft möglich, eine elektrische Serienschaltung zu realisieren, wobei das erste Kühlelement 345a beispielsweise mit einem Potential verbunden wird, das einer Betriebsspannung der Pulsstromversorgung 36 (Figur Ib) entspricht, und wobei das zweite Kühlelement 345b dementsprechend mit einem Massepotential oder einem sonstigen niedrigeren Bezugspotential verbunden wird.Laser light source, cf. 5c, the semiconductor laser chips 341a, 341b disposed adjacent to one another each have differently doped substrates. For example, the semiconductor laser chip 341a may have an n-type substrate while the semiconductor laser chip 341b has a p-type substrate, resulting in a different polarity for the electrical operation of the semiconductor laser chips 341a, 341b. As a result, in the case of the laser light source 34Oe, it is advantageously possible to realize an electrical series connection, wherein the first cooling element 345a is connected, for example, to a potential corresponding to an operating voltage of the pulse power supply 36 (FIG. 1b) and the second cooling element 345b accordingly has a ground potential or any other lower reference potential.
Eine weitere sehr vorteilhafte Ausführungsform der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle ist in Figur 6a schematisch in einer Seitenansicht dargestellt. Wie aus Figur 6a ersichtlich, weist die Laserlichtquelle analog zu den vorstehend beschriebenen Ausführungsformen ein erstes Kühlelement 345a auf, das in Wärmekontakt mit einem Halbleiterlaserchip 341 steht. Der Halbleiterlaserchip 341 weist insgesamt vier verschiedene Emittergruppen 342d, 342e, 342f, 342g auf, die wie gezeigt voneinander beabstandet und derart konfiguriert sind, dass alle Emitter 342 einer entsprechenden Emittergruppe 342d, 342e, 342f, 342g von ihnen erzeugtes Laserlicht in eine entsprechende Lichtleitereinrichtung einkoppeln können, die in Figur 6a schematisch durch die Kreise 28a', 28b', 28c', 28d' dargestellt ist.Another very advantageous embodiment of the laser light source according to the invention is shown schematically in Figure 6a in a side view. As can be seen from FIG. 6a, the laser light source has a first cooling element 345a, which is in thermal contact with a semiconductor laser chip 341, analogously to the embodiments described above. The semiconductor laser chip 341 has a total of four different emitter groups 342d, 342e, 342f, 342g, which are spaced apart as shown and configured such that all emitters 342 of a corresponding emitter group 342d, 342e, 342f, 342g couple laser light generated therefrom to a corresponding optical fiber device can, which is shown in Figure 6a schematically by the circles 28a ', 28b', 28c ', 28d'.
Vorteilhaft sind den einzelnen Emittergruppen 342d, ..., 342g jeweils separate Kühlelemente 345b, 345c, 345d, 345e zugeordnet, die, wie vorstehend beschrieben, gleichzeitig zur elektrischenSeparate cooling elements 345b, 345c, 345d, 345e are advantageously assigned to the individual emitter groups 342d,..., 342g, which, as described above, are simultaneously associated with the electrical
Kontaktierung der betreffenden Emittergruppen 342d, ..., 342g des Halbleiterlaserchips 341 dienen. Das heißt, die Kontaktierung einer bestimmten Emittergruppe der in Figur 6a abgebildeten erfindungsgemäßen Laserlichtquelle erfolgt einerseits über jeweils eines der voneinander getrennt angeordneten Kühlelemente 345b, ..., 345e sowie das den vier Emittergruppen 342d, ..., 342g gemeinsame Kühlelement 345a, das z.B. mit dem Massepotential verbunden ist.Contacting the respective emitter groups 342d, ..., 342g of the semiconductor laser chip 341 serve. That is, the contacting of a particular emitter group of the laser light source according to the invention shown in Figure 6a takes place on the one hand via one of the cooling elements 345b, ..., 345e arranged separately from one another and the common cooling element 345a, which is connected to the four emitter groups 342d, ..., 342g. connected to the ground potential.
Dadurch ist vorteilhaft eine separate Ansteuerbarkeit der jeweiligen Emittergruppe 342d, .. 342g gegeben, so dass mittels der in Figur 6a abgebildeten erfindungsgemäßen Laserlichtquelle beispielsweise über entsprechende Lichtleitereinrichtungen 28a, 28b, 28c, 28d (vergleiche Figur 6b) - - insgesamt vier verschiedene Lasereinrichtungen 26 (Figur Ia, Figur Ib) unabhängig voneinander mit Laserlicht 60 (Figur 2) versorgbar sind, das zum optischen Pumpen der jeweiligen Lasereinrichtung 26 bzw. des darin angeordneten laseraktiven Festkörpers 44 verwendet werden kann. Die in Figur 6a, 6b gezeigte erfindungsgemäße Laserlichtquelle kann somit zur Realisierung einer „ruhenden Pumplichtverteilung" eingesetzt werden. Auch vereinfacht sich die Montage der Laserlichtquelle, da anstelle vier separater Laserlichtquellen nur die erfindungsgemäße Anordnung, die vorzugsweise monolithisch ausgebildet ist, in der Zündeinrichtung 27 anzuordnen ist. Ferner kann vorteilhaft eine gemeinsame Justage der Lichtleiter 28a, .., 28d erfolgen.This advantageously results in a separate controllability of the respective emitter group 342d,... 342g, so that by means of the laser light source according to the invention depicted in FIG. 6a, for example via corresponding optical waveguide devices 28a, 28b, 28c, 28d (see FIG. 6b). A total of four different laser devices 26 (FIG. 1 a, 1 b) can be supplied with laser light 60 (FIG. 2) independently of one another, which can be used for optically pumping the respective laser device 26 or the laser-active solid 44 arranged therein. The laser light source according to the invention shown in Figure 6a, 6b can thus be used to realize a "stationary pump light distribution." Also simplifies the installation of the laser light source, since instead of four separate laser light sources only the inventive arrangement, which is preferably monolithic, to arrange in the ignition device 27 Furthermore, a common adjustment of the light guides 28a,..., 28d can advantageously take place.
Besonders vorteilhaft ist durch die erfindungsgemäße Anordnung der Emitter in den aus Figur 6a ersichtlichen Emittergruppen 342d, .., 342g die Möglichkeit gegeben, das Laserlicht 60 direkt in die entsprechende Lichtleitereinrichtung 28a, ..., 28d einzukoppeln, insbesondere ohne das Erfordernis eines optischen Koppelelements.Particularly advantageously, the arrangement according to the invention allows the emitter in the emitter groups 342d,..., 342g shown in FIG. 6a to couple the laser light 60 directly into the corresponding optical waveguide device 28a,..., 28d, in particular without the need for an optical coupling element ,
Bei einer weiteren sehr vorteilhaften Ausführungsform der erfindungsgemäßen Laserlichtquelle ist der Einsatz von photonic bandgap crystal basierten Emittern vorgesehen, die aufgrund ihrer verhältnismäßig großen Emitterbreite von bis zu 20 Mikrometer eine geringere fast-axis-Divergenz aufweisen und dementsprechend eine noch effizientere Einkopplung von Laserlicht 60 in eine entsprechende Lichtleitereinrichtung 28 ermöglichen.In a further very advantageous embodiment of the laser light source according to the invention, the use of photonic bandgap crystal-based emitters is provided which, due to their relatively large emitter width of up to 20 micrometers, has a lower fast-axis divergence and accordingly an even more efficient coupling of laser light 60 into one allow corresponding light guide device 28.
Neben den vorstehend beschriebenen Kühlelementen 345a, .., 345e können auch weitere Kühlelemente (nicht gezeigt) vorgesehen sein, die insbesondere auch an seitlichen Oberflächen des Halbleiterlaserchips 341, 341a, 341b angeordnet sind.In addition to the above-described cooling elements 345a,..., 345e, other cooling elements (not shown) may also be provided, which are in particular also arranged on lateral surfaces of the semiconductor laser chip 341, 341a, 341b.
Die erfindungsgemäße Laserlichtquelle kann generell vorteilhaft bei laserbasierten Zündsystemen von Brennkraftmaschinen 10, z.B. von Kraftfahrzeugen oder auch bei Stationärmotoren, eingesetzt werden. Generell sind aufgrund der hohen erzielbaren Ausgangsleistung, die durch die erfindungsgemäß optimierte Kühlung ermöglicht ist, auch andere Einsatzbereiche denkbar. The laser light source according to the invention can generally be advantageously used in laser-based ignition systems of internal combustion engines 10, e.g. of motor vehicles or even in stationary engines used. In general, due to the high achievable output power, which is made possible by the inventively optimized cooling, other applications conceivable.

Claims

- -Ansprüche - -Claims
1. Laserlichtquelle (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) mit einem Halbleiterlaserchip (341, 341a, 341b), der mehrere Laserlicht abstrahlende Emitter (342) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens zwei Kühlelemente (345a, 345b, 345c, 345d, 345e) zur Kühlung des Halbleiterlaserchips (341, 341a, 341b) vorgesehen sind, die sich in Wärmekontakt mit zwei verschiedenen Oberflächen (341', 341") des Halbleiterlaserchips (341, 341a, 341b) befinden.A laser light source (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) comprising a semiconductor laser chip (341, 341a, 341b) having a plurality of laser light emitting emitters (342), characterized in that at least two cooling elements (345a, 345b, 345c , 345d, 345e) for cooling the semiconductor laser chip (341, 341a, 341b) which are in thermal contact with two different surfaces (341 ', 341 ") of the semiconductor laser chip (341, 341a, 341b).
2. Laserlichtquelle (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Kühlelemente (345a, 345b, 345c) in Wärmekontakt mit sich einander gegenüberliegenden Oberflächen (341', 341") des Halbleiterlaserchips (341, 341a, 341b) stehen.2. laser light source (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) according to claim 1, characterized in that the cooling elements (345a, 345b, 345c) in thermal contact with opposing surfaces (341 ', 341 ") of the semiconductor laser chip ( 341, 341a, 341b).
3. Laserlichtquelle (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) nach einem der vorstehenden Ansprüche, wobei die Emitter (342) im Wesentlichen Linien- bzw. Rechteckform aufweisen, dadurch gekennzeichnet, dass mehrere Emitter (342) jeweils zu einer Emittergruppe (342a, 342b, 342c) zusammengefasst sind, wobei die Emitter (342) vorzugsweise entlang einer sich im Wesentlichen senkrecht zu ihrer Längsachse erstreckenden Richtung nebeneinander angeordnet sind.A laser light source (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) according to any one of the preceding claims, wherein the emitters (342) are substantially rectangular in shape, characterized in that a plurality of emitters (342) each form an emitter group (342a, 342b, 342c), wherein the emitters (342) are preferably arranged next to each other along a direction extending substantially perpendicular to their longitudinal axis.
4. Laserlichtquelle (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Emitter (342) und/oder Emittergruppen (342a, 342b, 342c) jeweils im Bereich der mit Kühlelementen (345a, 345b) versehenen Oberflächen (341', 341") des Halbleiterlaserchips (341, 341a, 341b) angeordnet sind.4. laser light source (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) according to any one of the preceding claims, characterized in that the emitter (342) and / or emitter groups (342a, 342b, 342c) in each case in the region of cooling elements (345a , 345b) provided on the surfaces (341 ', 341 ") of the semiconductor laser chip (341, 341a, 341b) are arranged.
5. Laserlichtquelle (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein weiterer Halbleiterlaserchip (341b) vorgesehen ist, der zusammen mit dem Halbleiterlaserchip (341a) eine Stapelkonfiguration bildet, und dass jedem Halbleiterlaserchip (341a, 341b) mindestens ein Kühlelement (345a, 345b) zugeordnet ist.5. laser light source (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) according to any one of the preceding claims, characterized in that at least one further semiconductor laser chip (341b) is provided, which forms a stacked configuration together with the semiconductor laser chip (341a), and each semiconductor laser chip (341a, 341b) is associated with at least one cooling element (345a, 345b).
6. Laserlichtquelle (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterlaserchips (341, 341a, 341b) elektrisch parallel oder in Reihe zueinander geschaltet sind.6. laser light source (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) according to claim 5, characterized in that the semiconductor laser chips (341, 341a, 341b) are electrically connected in parallel or in series with each other.
7. Laserlichtquelle (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, dass zueinander benachbart angeordnete Halbleiterlaserchips (341a, 341b) jeweils unterschiedlich dotierte Substrate aufweisen. - -7. laser light source (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) according to claim 5 or 6, characterized in that adjacent to each other semiconductor laser chips (341a, 341b) each have differently doped substrates. - -
8. Laserlichtquelle (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) nach einem der Ansprüche 3 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass unterschiedlichen Emittergruppen (342d, .., 342g) jeweils getrennte elektrische Kontaktierungen zugeordnet sind.8. laser light source (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) according to one of claims 3 to 7, characterized in that different emitter groups (342d, .., 342g) are each assigned separate electrical contacts.
9. Zündeinrichtung für eine Brennkraftmaschine (10) insbesondere eines Kraftfahrzeugs, mit mindestens einer Lasereinrichtung (26), die einen Laserimpuls (24) erzeugt zur Abstrahlung in einen Brennraum (14), gekennzeichnet durch eine Laserlichtquelle (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) nach einem der vorstehenden Ansprüche, die Laserlicht (60) zum optischen Pumpen der Lasereinrichtung (26) bereitstellt.9. Ignition device for an internal combustion engine (10), in particular of a motor vehicle, having at least one laser device (26) which generates a laser pulse (24) for emission into a combustion chamber (14), characterized by a laser light source (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) according to any one of the preceding claims, which provides laser light (60) for optically pumping the laser device (26).
10. Zündeinrichtung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine Lichtleitereinrichtung (28, 28a, 28b, 28c, 28d) zur Versorgung der Lasereinrichtung (26) mit von der Laserlichtquelle (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) erzeugtem Laserlicht (60) vorgesehen ist, und dass ein Eingangsabschnitt der Lichtleitereinrichtung (28, 28a, 28b, 28c, 28d) direkt vor dem bzw. den Emittern (342) angeordnet ist. 10. Ignition device according to claim 9, characterized in that at least one light guide device (28, 28a, 28b, 28c, 28d) for supplying the laser device (26) with the laser light source (340, 340a, 340b, 340c, 34Od, 34Oe) generated Laser light (60) is provided, and that an input portion of the optical fiber device (28, 28a, 28b, 28c, 28d) is arranged directly in front of the emitter (s) (342).
PCT/EP2007/058214 2006-08-22 2007-08-08 Laser light source WO2008022920A2 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102006039396.1 2006-08-22
DE102006039396A DE102006039396A1 (en) 2006-08-22 2006-08-22 Laser light source

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2008022920A2 true WO2008022920A2 (en) 2008-02-28
WO2008022920A3 WO2008022920A3 (en) 2008-12-31

Family

ID=39032195

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2007/058214 WO2008022920A2 (en) 2006-08-22 2007-08-08 Laser light source

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE102006039396A1 (en)
WO (1) WO2008022920A2 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9322053B2 (en) 2012-04-09 2016-04-26 Envirologix Inc. Compositions and methods for monitoring in real time a nicking amplification reaction comprising a primer oligonucleotide with a 3′—terminal region comprising A2′—modified nucleotide

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4817103A (en) * 1986-10-06 1989-03-28 University Of Illinois Semiconductor light emitting device with stacked active regions
EP0550996A1 (en) * 1992-01-09 1993-07-14 Crystallume Structure and method for mounting laser diode arrays
US6382957B1 (en) * 1997-04-21 2002-05-07 The Regents Of The University Of California Laser ignition
US6663785B1 (en) * 2001-08-31 2003-12-16 Nlight Photonics Corporation Broad spectrum emitter array and methods for fabrication thereof
US20050087735A1 (en) * 2003-08-29 2005-04-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser device having a plurality of emission zones
US20050254539A1 (en) * 2004-05-17 2005-11-17 Klimek Daniel E Staggered array coupler

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4817103A (en) * 1986-10-06 1989-03-28 University Of Illinois Semiconductor light emitting device with stacked active regions
EP0550996A1 (en) * 1992-01-09 1993-07-14 Crystallume Structure and method for mounting laser diode arrays
US6382957B1 (en) * 1997-04-21 2002-05-07 The Regents Of The University Of California Laser ignition
US6663785B1 (en) * 2001-08-31 2003-12-16 Nlight Photonics Corporation Broad spectrum emitter array and methods for fabrication thereof
US20050087735A1 (en) * 2003-08-29 2005-04-28 Osram Opto Semiconductors Gmbh Laser device having a plurality of emission zones
US20050254539A1 (en) * 2004-05-17 2005-11-17 Klimek Daniel E Staggered array coupler

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9322053B2 (en) 2012-04-09 2016-04-26 Envirologix Inc. Compositions and methods for monitoring in real time a nicking amplification reaction comprising a primer oligonucleotide with a 3′—terminal region comprising A2′—modified nucleotide
US9631231B2 (en) 2012-04-09 2017-04-25 Envirologix Inc. Compositions and methods for amplifying a nucleic acid sequence comprising a primer oligonucleotide with a 3′-terminal region comprising a 2′-modified nucleotide
US10077467B2 (en) 2012-04-09 2018-09-18 Envirologix Inc. Compositions and methods for detecting a nucleic acid sequence in a sample comprising a primer oligonucleotide with a 3′-terminal region comprising a 2′-modified nucleotide
US10584376B2 (en) 2012-04-09 2020-03-10 Envirologix Inc. Compositions and methods for detecting a nucleic acid sequence in a sample comprising a primer oligonucleotide with a 3′-terminal region comprising a 2′-modified nucleotide
US11866773B2 (en) 2012-04-09 2024-01-09 Envirologix Inc. Isolated oligonucleotides containing modified nucleotides

Also Published As

Publication number Publication date
DE102006039396A1 (en) 2008-03-13
WO2008022920A3 (en) 2008-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2012048965A1 (en) Laser-ignition system for an internal combustion engine and operating method therefor
EP1201013B1 (en) Multi-semiconductor laser structure with narrow wavelength division
DE102009026526A1 (en) laser device
DE112017004448T5 (en) Laser device and light source device
WO2008022920A2 (en) Laser light source
DE102017121480B4 (en) Light-emitting semiconductor device
EP2057373B1 (en) Ignition device for an internal combustion engine
DE102019106674A1 (en) Device and method for projecting a plurality of focal points onto a surface
EP2195699A1 (en) Diode laser having a beam-forming device
WO2009037058A1 (en) Method for the operation of an ignition device
EP2304855B1 (en) Device and method for operating a semiconductor laser
WO2017194320A1 (en) Laser assembly and operating method
DE102018113874B4 (en) Optoelectronic semiconductor component
WO2021180461A1 (en) Optoelectronic semiconductor laser component and optoelectronic arrangement
WO2009027141A1 (en) Ignition device for a internal combustion engine
WO2012055626A1 (en) Laser ignition plug for an internal combustion engine and operating method for the same
EP1714360B1 (en) Light unit and method for generating light rays
EP2839209B1 (en) Illumination device
DE102010061891A1 (en) Laser device for ignition system of internal combustion engine for motor vehicle, has laser-active solid, passive Q-switch and pump light source that are interconnected to form monolithic structure
DE102007058529A1 (en) laser device
WO2011015406A2 (en) Laser ignition device and operating method for same
WO2022069296A1 (en) Component with structured connection surface, and method for operating a component
DE102021108200A1 (en) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
DE102022127068A1 (en) OPTOELECTRONIC MODULE
DE2933035A1 (en) SEMICONDUCTOR LASER

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07802531

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: RU

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 07802531

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A2