WO2007126050A1 - Protective agent - Google Patents

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WO2007126050A1
WO2007126050A1 PCT/JP2007/059161 JP2007059161W WO2007126050A1 WO 2007126050 A1 WO2007126050 A1 WO 2007126050A1 JP 2007059161 W JP2007059161 W JP 2007059161W WO 2007126050 A1 WO2007126050 A1 WO 2007126050A1
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WO
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atom
alkyl
sulfur atom
oxygen atom
aryl
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Application number
PCT/JP2007/059161
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French (fr)
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Matsuoka
Ryo Numazaki
Iwao Hotta
Original Assignee
Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd. filed Critical Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd.
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Publication of WO2007126050A1 publication Critical patent/WO2007126050A1/en

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C49/00Ketones; Ketenes; Dimeric ketenes; Ketonic chelates
    • C07C49/04Saturated compounds containing keto groups bound to acyclic carbon atoms
    • C07C49/175Saturated compounds containing keto groups bound to acyclic carbon atoms containing ether groups, groups, groups, or groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07BGENERAL METHODS OF ORGANIC CHEMISTRY; APPARATUS THEREFOR
    • C07B51/00Introduction of protecting groups or activating groups, not provided for in the preceding groups
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C323/00Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups
    • C07C323/10Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton
    • C07C323/11Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton having the sulfur atoms of the thio groups bound to acyclic carbon atoms of the carbon skeleton
    • C07C323/12Thiols, sulfides, hydropolysulfides or polysulfides substituted by halogen, oxygen or nitrogen atoms, or by sulfur atoms not being part of thio groups containing thio groups and singly-bound oxygen atoms bound to the same carbon skeleton having the sulfur atoms of the thio groups bound to acyclic carbon atoms of the carbon skeleton the carbon skeleton being acyclic and saturated
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition

Definitions

  • the present invention relates to a protective agent useful for uses such as a chemically amplified resist composition, a pharmaceutical synthesis intermediate, a paint, and a protective group of a carboxyl group or a hydroxyl group.
  • Hemiacetal ester or acetal is easily desorbed from alkyl vinyl ethers by heat or acid catalyst, etc., and therefore chemically amplified resist composition, pharmaceutical synthesis intermediate, paint, carboxyl It is useful for applications such as protecting groups of hydroxyl groups.
  • the hemiacetal ester and acetal are usually prepared by reacting a compound having a carboxyl group or a hydroxyl group with an alkyl vinyl ether or a halogenated alkyl ether obtained by adding a hydrogen halide to an alkyl butyl ether as a protective agent. Manufactured from this.
  • alkyl butyl ethers and halogenated alkyl ethers are extremely unstable and easily polymerized.
  • 1 chloroethyl ether produced by the reaction of ethyl butyl ether and hydrogen halide is reacted with a polymer having a carboxyl group or a hydroxyl group
  • 1 chloroethyl ether When ether-derived polymers are by-produced! There was a habit problem.
  • R a , R b and R e are the same or different and represent a substituted or unsubstituted alkyl, a substituted or unsubstituted aryl or a substituted or unsubstituted aralkyl, R a and R b together with the adjacent carbon atom forms a cycloalkyl, X represents a halogen atom
  • Patent Document 1 International Publication No. 2003Z006407 Pamphlet
  • Patent Document 2 International Publication No. 2005Z023880 Pamphlet
  • An object of the present invention is useful for applications such as chemically amplified resist compositions, pharmaceutical synthesis intermediates, paints, protective groups for carboxyl groups and hydroxyl groups, and the adhesion of the protected body to a substrate.
  • Another object of the present invention is to provide a protective agent excellent in wettability with respect to a soldering solution or the like, and a protective body in which a carboxyl group or a hydroxyl group is protected with the protective agent.
  • the present invention provides the following (1) one (21).
  • R 1 and R 2 may be the same or different and represent a substituted or unsubstituted alkyl, a substituted or unsubstituted aryl or a substituted or unsubstituted aralkyl, and R 1 and R 2 together with adjacent carbon atoms.
  • A represents an oxygen atom or a sulfur atom
  • Y 3 represents a bond, an oxygen atom or a sulfur atom
  • R b represents a hydrogen atom, an alkyl, an aryl or an aralkyl.
  • A is a sulfur atom
  • R 3 is an alkyl A protective group for a hydroxyl group or a carboxyl group containing a compound represented by)].
  • R aa (where q is an integer from 1 to 3, and R aa is a hydrogen atom, alkyl, aryl or
  • R e represents a hydrogen atom, an alkyl, Ariru or Araru kill), or a heterocyclic group containing an oxygen atom and Z or sulfur atom of (1) to (3), the deviation The protective agent according to crab.
  • a compound having a hydroxyl group is represented by the general formula (I)
  • R aa (where q is an integer from 1 to 3, and R aa is a hydrogen atom, alkyl, aryl or
  • R represents a hydrogen atom, a halogen atom, hydroxy, substituted or unsubstituted alkoxy, substituted or unsubstituted alkyl, substituted or unsubstituted aryl, or substituted or unsubstituted aralkyl. All or part of the hydroxyl groups of the polymer having a weight average molecular weight of 1,000-100,000 are represented by the general formula (III)
  • R aa (where q is an integer from 1 to 3, and R aa is a hydrogen atom, alkyl, aryl or
  • R 5 represents a hydrogen atom, a halogen atom, hydroxy, substituted or unsubstituted alkoxy, substituted or unsubstituted alkyl, substituted or unsubstituted aryl, or substituted or unsubstituted aralkyl
  • R 6 and R 7 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl, a substituted or unsubstituted aryl, or a substituted or unsubstituted aralkyl. All or part of the hydroxyl groups of the polymer having a weight average molecular weight of 1,000-100,000.
  • R aa (where q is an integer from 1 to 3, and R aa is a hydrogen atom, alkyl, aryl or
  • R 8 represents a hydrogen atom, lower alkyl or hydroxymethyl
  • R aa (where q is an integer from 1 to 3, and R aa is a hydrogen atom, alkyl, aryl or
  • a compound having a group represented by the general formula ( ⁇ ) described in (5) having a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, or represented by the general formula (IV) described in (6) A chemically amplified resist composition comprising a compound having a group and a photoacid generator.
  • a chemically amplified resist composition comprising the polyhydroxystyrene derivative according to (12) or (13) and a photoacid generator.
  • a chemically amplified resist composition comprising the novolak rosin derivative according to (14) or (15) and a photoacid generator.
  • a chemically amplified resist composition comprising the polyacrylic resin derivative or polymethacrylic resin derivative according to (16) or (17) and a photoacid generator.
  • a hydroxyl group or carboxyl group protective agent excellent in adhesion of a protective body to a substrate, wettability with respect to a solder or a staking solution, and the like, and a protective body protected with the protective agent. can do.
  • examples of the alkyl moiety of alkyl and alkoxy include linear, branched, or cyclic ones having 1 to 18 carbon atoms.
  • a linear or branched alkyl such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butynole, pentinole, hexyl, heptyl, octinole, noninore, decinole, dodecyl, octadecyl, Cyclopropyl, cyclopetit Nole, cyclopentinole, cyclohexinole, cycloheptinole, cyclooctenole, cyclodecane, cyclodode force, etc.
  • cycloalkyl adamantyl, tricyclode force, tetracyclodode force, bolol, norbolol, isonorbol -Ruyl, spiroheptyl, spirooctyl, menthyl and other polycyclic alkyls, cyclopropylmethyl, cyclobutylmethyl, cyclopentinoremethinole, cyclohexenoremethinole, cyclopropinoreethinole, cyclobutinoreethyl, cyclopentyl
  • cycloalkylalkyl such as til and cyclohexylethyl, among which alkyl having 16 carbon atoms is preferable, and alkyl having 13 carbon atoms is more preferable.
  • the lower alkyl includes, for example, linear or branched alkyl having 18 carbon atoms, and specifically includes methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, sec butyl, tert Examples include butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl and the like.
  • aryls include those having 6 to 14 carbon atoms, and specific examples thereof include phenyl and naphthyl.
  • Examples of the aralkyl include those having 7 to 15 carbon atoms, and specific examples thereof include benzyl, phenethyl, naphthylmethyl, naphthylethyl and the like.
  • Examples of the alicyclic hydrocarbon ring formed by R 1 and R 2 together with adjacent carbon atoms include those having 3 to 8 carbon atoms, and may be saturated or unsaturated.
  • Specific examples of gusset include cyclopropane ring, cyclobutane ring, cyclopentane ring, cyclohexane ring, cycloheptane ring, cyclooctane ring, cyclopentene ring, 1,3 cyclopentagen ring, cyclohexene ring, cyclohexagen. Examples include rings.
  • Preferred examples of the heterocyclic group containing an oxygen atom and Z or a sulfur atom include, for example, a furyl group, a tetrahydrofuryl group, a biral group, a tetrahydrobiranyl group, a dixolanyl group, and a dioxanyl group.
  • R e are as defined above), heterocyclic groups containing an oxygen atom and Z or a sulfur atom, and more specifically, oxo, thixo, hydroxy, methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropylo Xy, butoxy, cyclopentyloxy, cyclohexyloxy, phenoxy, benzyloxy, mercapto, methanesulfuryl, ethanesulfanyl, propanesulfanyl, isopropanesulfanyl, butanesulfanyl, cyclopentanesulfuryl, cyclohexanesulfur, Benzenesulfuryl, benzylsulfanyl, formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, isoparelinore, pivaloinor, thioacetinole, thiopropioninore, thiobut
  • Examples of the substituent in the substituted alkyl and the substituted alkoxy include alkoxy, alkanol, nitro-containing nitro, halogen atom, alkoxy carbo yl and the like.
  • Substituents in substituted aryls, substituted aralkyls, and substituted alicyclic hydrocarbon rings formed by R 1 and R 2 together with adjacent carbon atoms include, for example, alkyl, alkoxy, alkanoyl, cyano-containing halo, halogen Atoms, alkoxy carbo and the like.
  • examples of the alkyl moiety of alkyl, alkoxy, and alkoxycarbo yl include those exemplified for the alkyl.
  • Examples of the hydrogen atom and the rogen atom are the same as those exemplified for the halogen atom.
  • Examples of the alkanoyl include straight chain or branched C 2-7, and specific examples thereof include acetyl, propiol, butyryl, isobutyryl, valeryl, isovaleryl, bivaloyl, hexanoyl, Examples include heptanol.
  • Examples of the substituent of the heterocyclic group containing an oxygen atom and Z or a sulfur atom include oxo, thixo, alkyl, alkoxy, alkanoyl, silane-containing nitro, halogen atom, alkoxycarbole and the like.
  • examples of the alkyl moiety of the alkyl, alkoxy, and alkoxycarbo yl include those exemplified for the alkyl.
  • Examples of the halogen atom are the same as those exemplified for the halogen atom.
  • Examples of the alkanoyl include those exemplified for the alkanoyl.
  • the alkyl ether represented by the general formula (I) is represented as a compound (I)
  • the halogenated alkyl ether represented by the general formula ( ⁇ ) is represented as a compound (II)
  • a compound having a group represented by the general formula (III) may be represented as a compound (III)
  • a compound having a group represented by the general formula (IV) may be represented as a compound (IV).
  • a polymer containing a repeating unit represented by the general formula (V) and having a weight average molecular weight of 1,000 to L0 0,000 is represented as a compound (V) and represented by the general formula (VI).
  • a polymer having a weight average molecular weight of 1,000-100,000 is represented as a compound (VI), comprising a repeating unit represented by the general formula (VII), and having a weight
  • a polymer having an average molecular weight of 1,000-100,000 is sometimes referred to as compound (VII).
  • the total carboxyl group of the compound (VII) is preferably 10 to 100%, more preferably 20 to 100% force substituted with a group represented by the general formula (IV).
  • (meth) acrylic acid represents acrylic acid and methacrylic acid
  • other (meth) acrylic acid derivatives! I express it in the same way.
  • Compound (I) may be a commercially available product or a known method [for example, the Chemical Society of Japan, “Experimental Chemistry Course (20th) Organic Synthesis II Alcohol 'Amin”, 4th Edition, pp. 207-208, Maruzen Co., Ltd. (July 6, 1992) etc.] and can be obtained.
  • compound (I) include, for example, the following compound formulas.
  • RR 2 and A have the same meanings as defined above, A ⁇ A 2 and A 3 are the same or different and represent an oxygen atom or a sulfur atom, R 9 represents alkyl, aryl, And m is 1, 2 or 3, n is 1 or 2, and p is 0, 1 or 2).
  • R 9 represents alkyl, aryl and aralkyl are the same as described above.
  • A, A ⁇ A 2 is an oxygen atom or a sulfur atom, and m is 1, 2, or 3.
  • A, A ⁇ A 2 , A 3 are oxygen atoms or sulfur atoms, n is 1 and p is 1 or 2.
  • compound (I) one or more compounds are used.
  • Compound ( ⁇ ) can be produced, for example, by reacting compound (I) with halogenated hydrogen.
  • a gaseous substance particularly a salty hydrogen gas is preferably used.
  • the amount of halogenated hydrogen used is preferably 1 mol or more per 1 mol of compound (I).
  • the reaction temperature is preferably 0 to 20 ° C.
  • the compound ( ⁇ ) can be prepared by a known method [for example, “New Experimental Chemistry Course (No. 14) Synthesis and Reaction of Organic Compounds (1)” edited by the Japan Society of Chemical Engineering, 590-591, Maruzen Co., Ltd. 1/20/60) etc.] and can be obtained.
  • a ⁇ A 2 is an oxygen atom or a sulfur atom, and m is 1, 2 or 3.
  • a and A 1 are oxygen atoms or sulfur atoms, and n is 1 Or 2.
  • the compound (1) one or more compounds are used.
  • those containing at least one sulfur atom are preferable from the viewpoint of adhesion of the protector to the substrate.
  • Y is preferably an oxygen atom.
  • Examples of the compound having a hydroxyl group include alcohols and phenols.
  • alcohols examples include monoalcohols such as methanol, ethanol, propanol, isopropyl alcohol, n -butanol, isobutanol, sec butyl alcohol, pentanol, hexanol, heptanol, octanol, nonanol, decanol, and benzyl alcohol.
  • the phenols include phenol, resorcinol, hydroquinone, pyrocatechol, bisphenol A, dihydroxydiphenol methane (bisphenol F), bisphenol S, tetrabromobisphenol A, 1,3 bis (4 hydroxyphenol).
  • the proportion of hydroxystyrene in the copolymer obtained by copolymerizing hydroxystyrene with another monomer copolymerizable therewith is not particularly limited, but is preferably 0.2-90 mol 0 / 0, more preferably 0. 2 60 mol 0/0.
  • Examples of the other monomer copolymerizable with hydroxystyrene include a polymerizable unsaturated monomer having a carboxyl group or another monomer copolymerizable therewith.
  • Examples of the polymerizable unsaturated monomer having a carboxyl group include unsaturated carboxylic acids such as (meth) acrylic acid, 2-hydroxymethyl-2-propenoic acid, maleic acid, itaconic acid, maleic anhydride, and itaconic anhydride. An acid or its acid anhydride is mentioned.
  • Examples of other monomers copolymerizable with the polymerizable unsaturated monomer having a carboxyl group include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate and propyl (meth) acrylate.
  • Monomers having an epoxy group such as fluorine-containing butyl monomer, aryl glycidyl ether, glycidyl (meth) acrylate, styrene, a-methylol styrene, p-methylol styrene, dimethyl styrene, di-vinylol Styrene monomers such as Nzen, butyl methyl ether, bulet Ethers, bi - Bulle ethers such as Louis Seo ether, fumaric acid, maleic acid, maleic anhydride Esters of polybasic unsaturated carboxylic acids such as acids or their mono- or polyhydric alcohols, allylic alcohols, allylic alcohol esters, butyl chloride, vinylidene chloride, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, Examples include butyl acetate and propionate. These monomers may be used alone or in combination of two or more. These monomers may be used alone or
  • compound (V) is preferred.
  • novolak greaves are commercially available.
  • an acidic catalyst for example, inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, organic acids such as p-toluenesulfonic acid.
  • the above phenols and aldehydes can be used alone or in combination of two or more.
  • Compound (VI) is preferred as the novolak rosin.
  • polymer which has a hydroxyl group commercially available resin can also be used.
  • the weight average molecular weight of the polymer having a hydroxyl group is 1,000 to 100,000 force S preferred ⁇ , 1,000 to 50,000 preferred force S ⁇ , and even ⁇ 1, More preferably, it is from 000 to 20,000.
  • the polymer having a hydroxyl group can be purified and used as a solid. Further, when a solvent is used in the production, it can be used as a solution.
  • Examples of the compound having a carboxyl group include formic acid, acetic acid, propionic acid, propiolic acid, butyric acid, isobutyric acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octylic acid, nonanoic acid, isononanoic acid, decanoic acid, dodecanoic acid, stearin.
  • Acid benzoic acid, cinnamic acid, 2-naphthoic acid, nicotinic acid, isonicotinic acid, amino oil fatty acid, tall oil fatty acid, soybean oil fatty acid, Monocarboxylic acid such as mash oil fatty acid, succinic acid, dartaric acid, adipic acid, azelaic acid, sebacic acid, dodecanedioic acid, compound having decamethylene dicarboxyl group, phthalic acid, maleic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, Polyhydric carboxylic acids such as tetrahydrophthalic acid, hexahydrophthalic acid and methylhexahydrophthalic acid, hydroxycarboxylic acids such as lactic acid, citrate, hydroxypivalic acid, 12-hydroxystearic acid and malic acid, acrylic acid, methacrylic acid ⁇ , j8-unsaturated monomer having carboxyl group such as acid, itaconic
  • a homopolymer of a polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group or a polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group and other monomers copolymerizable therewith is preferred.
  • Examples of the polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group and other monomers copolymerizable therewith include those described above. These monomers may be used alone or in combination of two or more.
  • Polymerization of a polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group and copolymerization of a polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group with another monomer copolymerizable therewith are carried out by known methods. It can be carried out.
  • the polymer containing a carboxyl group a commercially available resin can also be used.
  • the ratio of the carboxyl group in the polymer containing a carboxyl group is not particularly limited, but is preferably an acid value. 20-200, more preferably 40-160.
  • the acid value is the number of mg of sodium hydroxide required to neutralize the carboxyl group contained in the polymer lg.
  • the weight average molecular weight of the polymer containing a carboxyl group is preferably 1,000 to 100,000, more preferably ⁇ is 3,000 to 50,000, and further preferably ⁇ is 3, 000— 3 0,000.
  • compound (VII) is preferred.
  • the polymer containing a carboxyl group can be purified and used as a solid. Further, when a solvent is used in the production, it can be used as a solution.
  • Compound (I) or Compound (IV) easily reacts with the hydroxyl group of a compound having a hydroxyl group or the carboxyl group of a compound having a carboxyl group to give Compound (III) or Compound (IV).
  • the partial structure derived from the compound (I) or the compound ( ⁇ ) is easily detached from the compound ( ⁇ ) or the compound (IV), and the carboxyl group is removed from the compound (III) force hydroxyl group force or compound (IV). Reproduce. Therefore, Compound (I) or Compound ( ⁇ ) is useful as a hydroxyl group or carboxyl group protecting agent.
  • the method for protecting a hydroxyl group or a carboxyl group using compound (I) is also a method for producing compound (IV) or compound (IV), respectively.
  • compound (I) By reacting compound (I) with a compound having a hydroxyl group or a compound having a carboxyl group, the hydroxyl group or the carboxyl group can be protected.
  • the equivalent ratio (molar ratio) of the compound (I) to the compound having a hydroxyl group or the compound having a carboxyl group is not particularly limited, but the substitution ratio in the compound having a hydroxyl group or the compound having a carboxyl group is not limited. It is preferably 0.9-2 mol, more preferably 0.9-1.5 mol, and more preferably 1-1. Two moles are more preferred.
  • the reaction temperature is preferably 0 to 150 ° C, more preferably 0 to 100 ° C, and further preferably 0 to 50 ° C.
  • an acid catalyst for the purpose of accelerating the reaction.
  • the acid catalyst is not particularly limited, and examples thereof include inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and phosphoric acid, and organic acids such as p-toluenesulfonic acid. Among them, p-toluenesulfonic acid Is preferred.
  • One or two or more acid catalysts are used.
  • the amount of the acid catalyst to be added is not particularly limited, but is preferably 0.0001 to 0.5 equivalent (molar ratio) relative to the raw material compound having a hydroxyl group. 1 equivalent (molar ratio) is more preferable.
  • the target product can be produced in a high yield with few side reactions regardless of which acid catalyst is used.
  • an organic solvent as needed.
  • the organic solvent include hydrocarbon solvents such as hexane, toluene and xylene, ether solvents such as dioxane and tetrahydrofuran, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, and the like.
  • hydrocarbon solvents such as hexane, toluene and xylene
  • ether solvents such as dioxane and tetrahydrofuran
  • ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, and the like.
  • One or more types are used.
  • compound (III) or compound (IV) can also be obtained by purification by a known method such as washing with water or distillation as necessary.
  • the method for protecting hydroxyl group or carboxyl group using compound ( ⁇ ) is also a method for producing compound ( ⁇ ) or compound (IV), respectively.
  • the equivalent ratio (molar ratio) of the compound ( ⁇ ) to the compound having a hydroxyl group or the carboxyl group is not particularly limited, but the compound having a hydroxyl group or the carboxyl group is contained.
  • 1 mol per mole of hydroxyl group or carboxyl group to be substituted in the compound is preferably 10 mol, more preferably 15 mol, more preferably 2-4 mol. preferable.
  • the reaction temperature is preferably 0-100 ° C, more preferably 0-50 ° C, more preferably 0-20 ° C! /.
  • the base is not particularly limited, and examples thereof include inorganic bases such as sodium hydroxide and potassium hydroxide, and organic bases such as ethylamine, jetylamine, and triethylamine, among which triethylamine is preferable.
  • the amount of the base added is not particularly limited, but the compound ( ⁇ ) 1 mol It is more preferably 1 to 3 mol, more preferably 1 to 3 mol per mol. Moreover, you may use an organic solvent as needed.
  • organic solvent examples include hydrocarbon solvents such as hexane, toluene and xylene; ether solvents such as dioxane and tetrahydrofuran; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone; Examples include aprotic polar solvents such as dimethylacetamide, ⁇ , ⁇ -dimethylformamide, dimethylsulfoxide, etc., and one or more are used.
  • the compound (III) or the compound (IV) can also be obtained by purification by a known method such as washing with water or distillation as necessary.
  • compound (IV) or compound (IV) is a compound having a polymerizable unsaturated double bond, if necessary, it is polymerized alone or with other polymerizable unsaturated monomers by a known method. You may let them.
  • compound (III) or compound (IV) is excellent in heat resistance and has a high transition point.
  • Examples of the method for removing the protecting group include a method of treating compound (IV) or compound (IV) with heat or acid.
  • heat treatment When heat treatment is performed, it is preferably performed at 160 to 250 ° C.
  • examples of the acid to be used include sulfuric acid, hydrochloric acid, p-toluenesulfonic acid and the like, and among them, p-toluenesulfonic acid is preferable.
  • the amount of the acid used is preferably 0.01 to 50 mol with respect to 1 mol of the structure derived from the compound (I) or compound ( ⁇ ) to be eliminated.
  • the temperature during the treatment with the acid is preferably 80-160 ° C. Water may be added when treating with acid.
  • the amount of water used is preferably 0.1 to 100% by weight with respect to compound (III) or compound (IV).
  • the temperature during the treatment with acid is preferably 20 to 80 ° C.
  • an organic solvent may be used.
  • the organic solvent are the same as described above, and the amount used is preferably 10 to 100% by weight with respect to compound (III) or compound (IV), preferably 20 to 95% by weight. Is more preferable.
  • compound (IV) or compound (IV) and a photoacid generator coexist to emit light to the photoacid generator. It is possible to regenerate the hydroxyl group or the carboxyl group by irradiating a line or the like, generating an acid, deprotecting it.
  • the compound (I) or the compound ( ⁇ ⁇ ⁇ ) can be used for the protection and deprotection of the carboxyl group of the compound having a hydroxyl group or the hydroxyl group of the compound having a hydroxyl group. Therefore, compound (IV) or compound (IV) can be used as a component of a chemically amplified resist composition or the like.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention comprises a compound ( ⁇ ) or compound (IV) (hereinafter sometimes referred to as a base polymer) having a weight average molecular weight of 1,000-100,000, and photoacid generation.
  • a compound ( ⁇ ) or compound (IV) hereinafter sometimes referred to as a base polymer
  • the polyhydroxystyrene derivative in which the hydroxyl group of the compound (V) is substituted with a group represented by the general formula ( ⁇ )
  • the hydroxyl group of the compound (VI) is represented by the general formula ( ⁇ ).
  • a poly (meth) acrylic resin in which the carboxyl group of compound (VII) is substituted with the general formula (IV), and a photoacid generator.
  • the base polymer is represented by the group represented by the general formula ( ⁇ ) or the general formula (IV) of the hydroxyl group or carboxyl group power of the compound ( ⁇ ) or the compound (IV). It may not be substituted with a group.
  • the weight average molecular weight of the base positive mer is 1,000 to 100,000, preferably ⁇ 100,000 to 50,000, more preferably ⁇ 1,000 to 30,000.
  • Photoacid generators include sulfo-um salt, ododonium salt, sulfo-diazomethane, N
  • —Sulphonyloxyimido or imide type acid generator benzoin sulfonate type photoacid generator, pyrogallol trisulfonate type photoacid generator, nitrobenzyl sulfonate type photoacid generator, sulfone type photoacid generator, darioxime Derivative-type photoacid generators and the like can be mentioned, and among them, sulfo-um salt, iodine-um salt, sulfo-diazomethane, N-sulfo-oxyximino, imide-type acid generator and the like are preferable.
  • the sulfo-um salt is a salt of a sulfo-cation and a sulfonate.
  • Sulfo-sulfur power Thiones include, for example, triphenyl sulfone, (4 tert-butoxyphenyl) dithiol.
  • Hue-Nolesnorephonium Bis (4-tert-Butoxyphene-Nole) Hue-Nolesnorehonium, Tris (4-Tert-Butoxyphene) sulfo-um, (3-Tert-Butoxyphene- ) Diphenyl sulfone, bis (3-tert-butoxyphenyl) phenol sulfone, tris (3-tert-butoxyphenyl) sulfo-sulfur, (3,4-di-tert-butoxyphenol) ) Diphenyl, bis (3,4-di-tert-butoxyphenyl) phenol sulfone, tris (3,4-di-tert-butoxyphenol) sulfo-sulfur, diphenyl (4 -Thiophenoxyphenyl) sulfol, (4 tert-butoxycarboxylmethyloxyphenyl) diphenylsulfur, tris (4 tert-butoxycarbox
  • sulfonate examples include trifluoromethane sulfonate, nonafluorobutane sulfonate, heptadecafluorooctane sulfonate, 2, 2, 2-trifluoroethane sulfonate, pentafluorobenzene sulfonate, 4 trifluoromethylolene.
  • Jordonium salt is a salt of odonium cation and sulfonate.
  • dihydro-deuterium bis (4 tert-butyl-feole) furdon, (4-tert-butoxy-feule) fe-ureo-de-neum, (4-methoxy-feole) feoleo-de-neum, etc.
  • a danium cation examples include trifluoromethane sulfonate, nonafluorobutane sulfonate, heptadecafluorooctane sulfonate, 2, 2, 2-trifluoroethane sulfonate, pentafluorobenzene sulfonate, 4 trifluoromethyl.
  • Benzene sulfonate 4-phenolobenzene benzene sulfonate, tonole sulfonate, benzene sulfonate, 4 (4 Toluenesulfo-loxy) benzenesulfonate, naphthalenesulfonate, camphorsulfonate, octanesulfonate, dodecylbenzenesulfonate, butanesulfonate, methanesulfonate and the like.
  • sulfo-diazomethane examples include bis (ethylsulfol) diazomethane, bis (1-methylpropylsulfol) diazomethane, bis (2-methylpropylsulfol) diazomethane, and bis (1,1-dimethyl).
  • Ethylsulfo) diazomethane bis (cyclohexylsulfol) diazomethane, bis (perfluoroisopropylsulfol) diazomethane, bis (phenolsulfol) diazomethane, bis (4-methylphenolsulfo) -L) diazomethane, bis (2,4 dimethylphenylsulfol) diazomethane, bis (2 naphthylsulfonyl) diazomethane, (4-methylphenol) sulfolbenzoyldiazomethane, (tert butyl carbonate) )
  • N sulfo-luoximino-type photoacid generators include [5- (4 methylphenylsulfo-luoxyimino) -5H thiophene-2-ylidene]-(2-methylphenol) acetonitrile, (5 propylsulfonyl) Oxyimino 5H thiophene-2-ylidene)-(2-methylphenol) acetonitrile, (5-camphorsulfo-oxyximino 5 H thiophene-2-ylidene)-(2-methylphenol) acetonitrile, 2— (9 —Camphorsulfo-Luximino)-2- (4-Methoxyphenyl) acetonitrile, 2— (4-Methylphenylsulfo-Luximino) —2 Phenylacetonitrile, 2— (4-Methylphenylsulfo-Luximino)-2- (
  • N-sulfonyloxyimide-type photoacid generator examples include succinimide, naphthalene dicarboxylic imide, phthalic imide, cyclohexyl dicarboxylic imide, 5-norbornene 1,2,3 dicarboxylic acid Imido, 7-oxabicyclo [2. 2.
  • benzoin sulfonate photoacid generator examples include benzoin tosylate, benzoin mesylate, and benzoin butane sulfonate.
  • pyrogallol trisulfonate photoacid generators include, for example, all of hydroxyl groups such as pyrogallol, fluoroglycine, catechol, resorcinol, hydroquinone, trifluoromethanesulfonate, nonafluorobutanesulfonate, heptadecafluorootatansulfonate.
  • nitrobenzil sulfonate photoacid generator examples include 2,4-dinitrobenzenolesnolefonate, 2-trobenzinoresnolefonate, and 2,6 dinitrobenzenolesnorefo.
  • Specific examples of sulfonates include trifluoromethane sulfonate, nonafluorobutane sulfonate, heptadecafluorooctane sulfonate, 2, 2, 2 trifluoroethane sulfonate, and pentafluoro.
  • a compound in which the -tro group on the benzyl side is replaced with a trifluoromethyl group can also be used in the same manner.
  • Examples of the sulfone-type photoacid generator include bis (phenolsulfol) methane, bis (4-methylphenolsulfurol) methane, bis (2-naphthylsulfol) methane, 2, 2 —Bi (Phenylsulfur) pronone, 2,2bis (4-methylphenolsulfol) propan, 2,2-bis (2-naphthylsulfol) propane, 2-methyl-2- (p Toluenesulfol) propiophenone, 2- (cyclohexylcyclohexyl) -2- (ptoluenesulfol) propane, 2,4 dimethyl-2- (ptoluenesulfol) pentane-3-one, etc. can give.
  • Examples of the dalioxime derivative-type photoacid generator include bis-O- (ptoluenesulfurol) -a -dimethyldarioxime, bis-O- (ptoluenesulfol) ⁇ -diphenyldaroxime.
  • the photoacid generators may be used alone or in admixture of two or more.
  • the amount of the photoacid generator in the chemically amplified resist composition of the present invention is not particularly limited, but is preferably a force of 0.001 to 50 weight percent with respect to 100 weight percent of the base positive polymer, preferably 0.01 to 30. Part by weight is more preferred, and 0.1-10 parts by weight is more preferred. Yes.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention may further contain a photosensitizer, for example, anthracenes, anthraquinones, coumarins, and pyromethenes as necessary.
  • a photosensitizer for example, anthracenes, anthraquinones, coumarins, and pyromethenes as necessary.
  • the amplification type resist composition may contain an organic solvent as necessary.
  • organic solvent examples include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl amyl ketone, methyl isoamyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone and other ketones, propylene glycolanol monomethylol ether, propylene glycolol.
  • the viscosity of the chemically amplified resist composition can be adjusted.
  • the amount of the organic solvent in the chemically amplified resist composition of the present invention is not particularly limited, but is preferably 100 to 4000 parts by weight, more preferably 20 to 100 parts by weight of the base polymer. 0-3000 parts by weight, more preferably ⁇ 300-2000 parts by weight.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention may contain a basic compound as required.
  • Examples of the basic compound include primary, secondary or tertiary aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, nitrogen-containing compounds having a carboxyl group, and sulfole groups. Nitrogen-containing compounds having a hydroxyl group, nitrogen-containing compounds having a hydroxyl group, nitrogen-containing compounds having a hydroxyphenyl group, amide derivatives, imide derivatives and the like.
  • the basic compounds may be used alone or in admixture of two or more.
  • the amount of the basic compound in the chemically amplified resist composition of the present invention is not particularly limited.
  • the force is preferably 0.001 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Or 0.01 to 5 parts by weight.
  • the acid diffusion rate in the chemically amplified resist composition is suppressed, and the exposure margin and pattern profile file are improved.
  • the influence of the substrate and the environment on the resist film can be reduced.
  • the storage stability of the chemically amplified resist composition can be improved by adding a basic compound to the chemically amplified resist composition of the present invention.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention may contain a surfactant as necessary.
  • surfactants examples include polyoxyethylene alkylaryl ethers, polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymers, sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester non-ionic surfactants, and fluorine-based surfactants.
  • surfactant, organosiloxane polymer and the like can be mentioned.
  • Surfactants may be used alone or in admixture of two or more.
  • the coating properties of the chemically amplified resist composition can be improved.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention can be prepared by using a dissolution regulator such as a phenolic compound, an ultraviolet absorber such as a hydroxyphenol, a hindered phenol, etc., if necessary.
  • a dissolution regulator such as a phenolic compound, an ultraviolet absorber such as a hydroxyphenol, a hindered phenol, etc.
  • You may contain a storage stabilizer, antifoaming agents, such as a silicone type and a wax type.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention may contain other resin modifiers or plasticizers as necessary!
  • the chemical amplification resist composition of the present invention contains other resin modifiers or plasticizers, thereby improving the flexibility of the chemical amplification resist composition and imparting toughness to the resist film. can do.
  • resins are not particularly limited.
  • homopolymers or copolymers of the above-mentioned polymerizable unsaturated monomers adipic acid, phthalic acid, trimellitic acid, etc.
  • Polyester resin obtained by condensation reaction of a polyacid base such as basic acid and dallicol, trimethylolpropane, etc. phenol resin obtained by condensation reaction of the above-mentioned phenol or talesol and aldehyde, polyurethane obtained from polyol and isocyanate
  • examples include rosin, epoxy rosin having a cyclic or acyclic alkyl group, and derivatives thereof. These coffins can be used alone or in combination of two or more. Further, the weight average molecular weight of these coconuts is more preferably 1,000 to 1,000,000, 3,000 to 600,000.
  • the modifier is not particularly limited.
  • polyethylene glycol, polypropylene glycol, polybutadiene polyol and polyolefin polyol, OC-hydroxyethyl- ⁇ -hydroxymethylpoly (1 ethoxyethylene) (Manufactured by Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd.), polytetramethylene ether glycol, polymer polyol, polyester polyol, poly force prolatathone polyol, polycarbonate polyol and other polybasic acid oligomers such as polybutadiene dicarboxylic acid.
  • These oligomers can be used alone or in admixture of two or more.
  • the weight average molecular weight of these fats is more preferable than 300 to 30,000 Rhizomu 500 to 10 000!
  • the plasticizer is not particularly limited, but examples thereof include phthalic acid plasticizers such as dioctyl phthalate, diisonol phthalate, diisodecyl phthalate, and ditridecyl phthalate, dibutyl adipate, dioctyl adipate, and the like. Adipic acid plasticizers, polybasic acid esters such as succinic acid and 2,4-jetyldartalic acid.
  • the blending amount of the other resin modifier or plasticizer is preferably 0.1 to 50% by weight, more preferably 0.5 to 30% by weight, based on the chemically amplified resist composition of the present invention.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention comprises a base polymer, a photoacid generator and, if necessary, a photosensitizer, an organic solvent, a basic compound, a surfactant, a dissolution regulator, an ultraviolet absorber, and storage stability. It can be prepared as a solution by mixing additives such as an agent and an antifoaming agent. The order and method of mixing are not particularly limited.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention may be a dry film.
  • the dry film can be prepared, for example, by applying the above solution onto a support such as metal or polyethylene terephthalate, drying, and then peeling off the support. Further, when the support is a film of polyethylene terephthalate or the like, it can be used as it is as the chemically amplified resist composition of the present invention.
  • Examples of a method for applying the chemically amplified resist composition of the present invention on a support include known methods such as spin coating, rhono coating, flow coating, dip coating, spray coating, and doctor one coating. can give.
  • the thickness of the applied film is a force that can be set according to the application, preferably 0.05-200 ⁇ m, more preferably 0.1-100 m.
  • Examples of the film used as the support include polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, polyester, and polybutyl alcohol.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention is a dry film, the chemically amplified resist composition is protected as necessary for the purpose of protecting the chemically amplified resist composition from scratches, dust, chemicals, and the like. You may coat
  • Examples of the protective film include a polyethylene film and a polypropylene film, and those having an adhesive force with the chemically amplified resist composition of the present invention smaller than that of the support are preferred.
  • a release layer may be provided between the protective film and the chemically amplified resist composition of the present invention.
  • the dry film may be wound up into a roll.
  • ⁇ Pattern formation method> The step of applying the chemically amplified resist composition of the present invention onto a substrate, the step of heating the substrate, the step of exposing the coating film on the substrate to radiation or the like, the step of heating the substrate after exposure, and then alkaline A pattern can be formed using the chemically amplified resist composition of the present invention by the step of developing the substrate using a developer.
  • the substrate is not particularly limited, and examples thereof include metal plates such as aluminum, zinc, gold, silver, and nickel, copper foil laminate plates, glass plates, and silicon wafers.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention is a solution, for example, spin coating, roll coating, flow coating, dip coating, spray coating. And known methods such as doctor coating
  • the thickness of the applied film is a force that can be set according to the application, preferably 0.05-200 ⁇ m, more preferably 0.1-100 m.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention is a dry film and there is a protective film, after the protective film is peeled off, the chemically amplified resist composition layer is applied so as to be in direct contact with the substrate. And a laminating method. When laminating, setting the temperature to 80-160 ° C makes it possible to omit the next heat treatment.
  • the substrate After applying the chemically amplified resist composition of the present invention to the substrate, the substrate is heated.
  • the heating method include known methods such as heating with a hot plate or an oven.
  • the organic solvent evaporates when heated.
  • the heating temperature is preferably 80-160 ° C.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention is a dry film, this step can be omitted if heating is performed during lamination.
  • the coating film is irradiated with radiation using a photomask, a reduction projection exposure machine, a direct drawing machine or the like.
  • radiation include near infrared rays such as far infrared rays, visible rays, g rays, h rays, i rays, KrF excimer lasers, ArF excimer lasers, DUV (far ultraviolet rays), EUV (extreme ultraviolet rays), electron beams, X-rays etc.
  • the photoacid generator is decomposed to generate acid.
  • the substrate is heated.
  • the heating method include those used for heating after coating.
  • compound (I) or compound is converted from compound ( ⁇ ) or compound (IV).
  • the structure derived from the compound ( ⁇ ) is eliminated, and the hydroxyl group or carboxyl group is regenerated.
  • the heating temperature is preferably 80-160 ° C.
  • a positive resist pattern is obtained by developing with an alkaline developer as it is.
  • the developing method include known methods such as an immersion method, a paddle method, and a spray method.
  • the alkaline developer include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium oxalate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, jetylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methacrylic acid.
  • Basic substances may be used alone or in admixture of two or more.
  • a water-soluble organic solvent for example, alcohols such as methanol and ethanol, and surfactants can be added to the developer and used in an appropriate amount.
  • the substrate may be washed with water or dried by heating, if necessary.
  • the pattern formed on the substrate is, for example, dry etching of the substrate with a chlorine-based gas, a fluorine-based gas (CF 2 ZCH F mixed gas, etc.) or an oxygen-based gas using the pattern as a mask.
  • the chemically amplified resist composition of the present invention is excellent in stability during the heating process of the coating film and long-term storage stability, has good lithographic properties, adherence to the substrate, soldering solution, etc. Excellent wettability with respect to
  • the weight average molecular weight was measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions. (GPC analysis conditions)
  • RI RI 8000 (manufactured by Tosohichi Corporation)]
  • the acid value was determined by neutralization titration with a 0.1 mol / L KOH alcohol solution.
  • the contact angle was measured using a FACE contact angle meter CA-D type manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.
  • the film thickness was measured using an optical interference type film thickness gauge manufactured by Nospec.
  • 0.19 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate was dissolved in 128.2 g of methanol, and 72. lg of isobutyraldehyde was added dropwise while cooling to 20 ° C or lower. Washing with 200 g of a 1% aqueous sodium carbonate solution and distillation of the oil layer obtained by liquid separation at atmospheric pressure gave 35 g of isobutyl aldehyde dimethylacetal. To this, 0.06 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate was dissolved and heated to 200 ° C.
  • Phenolic novolak resin with a weight average molecular weight of 3,220 [manufactured by Showa High Polymer Co., Ltd.] 2. Dissolve 7 g in 17.5 ml of methyl ethyl ketone, and add 1-black mouth 1- (2-acetyl ethoxy) into this solution. —2—Methylpropane (2.23 g) was added and stirred until completely dissolved. Then, 2.53 g of triethylamine with stirring force S was added dropwise over about 30 minutes. After completion of dropping, the mixture was stirred for about 3 hours.
  • Phenolic novolak resin with a weight average molecular weight of 3,220 [manufactured by Showa Kogyo Co., Ltd.] 2. Dissolve 7 g in 17.5 ml of methyl ethyl ketone, and add 1-black mouth 1- (2 ethylthioethoxy) in this solution. 2.46 g of 2-methylpropane was added and stirred to dissolve completely, then 2.53 g of triethylamine was added dropwise over about 30 minutes while stirring. After completion of dropping, the mixture was stirred for about 3 hours.
  • Phenolic novolak resin with a weight average molecular weight of 3,220 [manufactured by Showa Polymer Co., Ltd.] 2. Dissolve 7 g in 17.5 ml of methyl ethyl ketone, and add 1-chloro 1-methoxy 2-methyl in this solution. After adding 1.53 g of tilpropane and stirring to dissolve completely, 2.53 g of triethylamine was added dropwise over about 30 minutes with stirring. After completion of dropping, the mixture was stirred for about 3 hours. Next, 20 times the amount of pure water was added to the resulting solution, extracted with methyl isobutyl ketone, the solvent was distilled off, and then dropped into 500 ml of pure water to cause reprecipitation.
  • Chloro-1-1 (2-Ethylthioethoxy) 2-Methylpropane protects the hydroxyl group of polyhydroxystyrene
  • Polyhydroxystyrene with a weight average molecular weight of 20,000 (Aldrich) 2. 7g was dissolved in 17.5ml of N, N-dimethylacetamide. After adding 1.35 g of methylpropane and stirring to completely dissolve, 2.23 g of triethylamine was added dropwise over about 30 minutes with stirring. After completion of dropping, the mixture was stirred for about 3 hours. Next, 20 times the amount of pure water was added to the resulting solution, extracted with methyl isobutyl ketone, and the solvent was distilled off. 3.4 g of solid was obtained.
  • an aluminum plate, a gold-plated steel plate, a silver-plated steel plate, and a chromium nickel substrate were used.
  • Test Example 1 Each solution of Test Example 1 was applied to a 2-inch silicon wafer with a spin coater (rotation speed: 2000 rpm, 60 seconds) and heated on a hot plate (100 ° C, 5 minutes) to obtain a film thickness of 2 / zm. A membrane was created. Distilled water (droplet diameter: 1.5 mm) was dropped onto each membrane at 20 ° C, and the contact angle after 2 minutes was measured.
  • composition 7 According to Table 4, rosin, photoacid generator and organic solvent were mixed. The resulting solution was filtered through a 0.2 ⁇ m membrane filter to obtain composition 7.
  • composition 8 According to Table 4, rosin, photoacid generator and organic solvent were mixed. The resulting solution was filtered through a 0.2 ⁇ m membrane filter to obtain composition 8.
  • composition 9 According to Table 4, rosin, photoacid generator and organic solvent were mixed. The resulting solution was filtered through a 0.2 ⁇ m membrane filter to obtain composition 9.
  • composition Composition Composition Composition String Table 1 2 3 4 5 6 7 8 9
  • PAI-101 manufactured by Midori Chemical Co., Ltd. was used as the photoacid generator.
  • propylene glycol monomethyl ether acetate manufactured by Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd. was used.
  • a pattern was formed by the following method, and the pattern shape was evaluated.
  • compositions 1-6 were respectively applied to a 4-inch silicon wafer with a spin coater (rotation speed: 2000 rpm, 60 seconds) and heated with a hot plate (100 ° C., 5 minutes). The film thickness became.
  • the i-line was exposed to 20 mjZcm 2 using a mask aligner (MA-4 manufactured by SUSS Microtec). After the exposure, it was heated on a hot plate (120 ° C, 2 minutes) and developed with a 38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (25 ° C, 120 seconds). Finally, it was washed with pure water to obtain a 5 ⁇ m line and space pattern.
  • the pattern shape was evaluated by observing the front surface and the cross section of the pattern obtained by an optical microscope and a scanning electron microscope. Regarding the pattern shape, the case of a rectangle was determined as “ ⁇ ”, and the case of a non-rectangular shape was determined as “X” when the head was round, for example.
  • a hydroxyl group or carboxyl group protective agent excellent in adhesion of a protective body to a substrate, wettability with respect to a solder or a staking solution, etc., and a protective body protected with the protective agent. can do.

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Abstract

Disclosed is a protective agent for a hydroxyl group or a carboxyl group, which is represented by the general formula (0) below (wherein X1 represents a hydrogen atom and X2 represents a halogen atom, or alternatively X1 in combination with X2 represent a bond; R1 and R2 independently represent a substituted or unsubstituted alkyl or the like; A represents an oxygen atom or a sulfur atom; and R3 represents an alkyl wherein a group having an oxygen atom and/or a sulfur atom is substituted or the like). (0)

Description

明 細 書  Specification
保護剤  Protective agent
技術分野  Technical field
[0001] 本発明は、化学増幅型レジスト組成物、医薬品の合成中間体、塗料、カルボキシル 基ゃヒドロキシル基の保護体等の用途に有用である保護剤等に関する。  [0001] The present invention relates to a protective agent useful for uses such as a chemically amplified resist composition, a pharmaceutical synthesis intermediate, a paint, and a protective group of a carboxyl group or a hydroxyl group.
背景技術  Background art
[0002] へミアセタールエステルまたはァセタールは、熱または酸触媒等による、アルキルビ -ルエーテルに由来する基の脱離が容易であるため、化学増幅型レジスト組成物、 医薬品の合成中間体、塗料、カルボキシル基ゃヒドロキシル基の保護体等の用途に 有用である。  [0002] Hemiacetal ester or acetal is easily desorbed from alkyl vinyl ethers by heat or acid catalyst, etc., and therefore chemically amplified resist composition, pharmaceutical synthesis intermediate, paint, carboxyl It is useful for applications such as protecting groups of hydroxyl groups.
へミアセタールエステルおよびァセタールは、通常、アルキルビニルエーテルまた はアルキルビュルエーテルにハロゲン化水素を付加させたハロゲン化アルキルエー テルを保護剤とし、カルボキシル基またはヒドロキシル基を有する化合物等を反応さ せること〖こより製造される。  The hemiacetal ester and acetal are usually prepared by reacting a compound having a carboxyl group or a hydroxyl group with an alkyl vinyl ether or a halogenated alkyl ether obtained by adding a hydrogen halide to an alkyl butyl ether as a protective agent. Manufactured from this.
[0003] し力し、アルキルビュルエーテルやハロゲン化アルキルエーテルは極めて不安定 で重合しやすい。例えば、ェチルビ-ルエーテルとハロゲン化水素が反応して生成 した 1 クロ口ェチルェチルエーテルを、カルボキシル基またはヒドロキシル基を有す る重合体等と反応させた場合、 1 クロ口ェチルェチルエーテル由来の重合体が副 生すると!/ヽぅ問題等があった。 [0003] However, alkyl butyl ethers and halogenated alkyl ethers are extremely unstable and easily polymerized. For example, when 1 chloroethyl ether produced by the reaction of ethyl butyl ether and hydrogen halide is reacted with a polymer having a carboxyl group or a hydroxyl group, 1 chloroethyl ether When ether-derived polymers are by-produced! There was a habit problem.
[0004] これらの問題を解決するため、アルキルビュルエーテルに代わり下記の式で表され るァルケ-ルエーテルまたはハロゲン化アルキルエーテルをカルボキシル基ゃヒドロ キシル基の保護剤に用いる方法 (例えば、特許文献 1、 2参照)が知られている。  [0004] In order to solve these problems, a method in which an alcohol ether or a halogenated alkyl ether represented by the following formula is used as a protective agent for a carboxyl group or a hydroxyl group in place of the alkyl butyl ether (for example, Patent Document 1). 2) is known.
[0005] [化 1] [0005] [Chemical 1]
Figure imgf000003_0001
[0006] (式中、 Ra、 Rbおよび Reは、同一または異なって、置換もしくは非置換のアルキル、置 換もしくは非置換のァリールまたは置換もしくは非置換のァラルキルを表す力、 Raと R bが、隣接する炭素原子と一緒になつてシクロアルキルを形成し、 Xは、ハロゲン原子 を表す)
Figure imgf000003_0001
[0006] (wherein R a , R b and R e are the same or different and represent a substituted or unsubstituted alkyl, a substituted or unsubstituted aryl or a substituted or unsubstituted aralkyl, R a and R b together with the adjacent carbon atom forms a cycloalkyl, X represents a halogen atom)
特許文献 1:国際公開第 2003Z006407号パンフレット  Patent Document 1: International Publication No. 2003Z006407 Pamphlet
特許文献 2:国際公開第 2005Z023880号パンフレット  Patent Document 2: International Publication No. 2005Z023880 Pamphlet
発明の開示  Disclosure of the invention
発明が解決しょうとする課題  Problems to be solved by the invention
[0007] 本発明の目的は、化学増幅型レジスト組成物、医薬品の合成中間体、塗料、カル ボキシル基ゃヒドロキシル基の保護体等の用途に有用であり、保護体の基板への密 着性や、はんだやめつき液等に対する濡れ性等に優れる保護剤および該保護剤で カルボキシル基またはヒドロキシル基が保護された保護体等を提供することにある。 課題を解決するための手段 [0007] An object of the present invention is useful for applications such as chemically amplified resist compositions, pharmaceutical synthesis intermediates, paints, protective groups for carboxyl groups and hydroxyl groups, and the adhesion of the protected body to a substrate. Another object of the present invention is to provide a protective agent excellent in wettability with respect to a soldering solution or the like, and a protective body in which a carboxyl group or a hydroxyl group is protected with the protective agent. Means for solving the problem
[0008] 本発明は、以下の(1)一(21)を提供する。 [0008] The present invention provides the following (1) one (21).
(1) 一般式 (0)  (1) General formula (0)
[0009] [化 2]
Figure imgf000004_0001
[0009] [Chemical 2]
Figure imgf000004_0001
[0010] [式中、 X1は水素原子を表し、 X2はハロゲン原子を表す力、 X1と X2が一緒になつて 結合を表し、 [0010] [wherein X 1 represents a hydrogen atom, X 2 represents a force representing a halogen atom, and X 1 and X 2 together represent a bond,
R1および R2は、同一または異なって、置換もしくは非置換のアルキル、置換もしくは 非置換のァリールまたは置換もしくは非置換のァラルキルを表す力、 R1と R2が隣接 する炭素原子と一緒になつて置換もしくは非置換の脂環式炭化水素環を形成し、 A は、酸素原子または硫黄原子を表し、 R 1 and R 2 may be the same or different and represent a substituted or unsubstituted alkyl, a substituted or unsubstituted aryl or a substituted or unsubstituted aralkyl, and R 1 and R 2 together with adjacent carbon atoms. To form a substituted or unsubstituted alicyclic hydrocarbon ring, A represents an oxygen atom or a sulfur atom,
R3は、酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基が置換したアルキル、酸素原子 および Zまたは硫黄原子を有する基が置換したァリール、酸素原子および Zまたは 硫黄原子を有する基が置換したァラルキル、置換基を有して 、てもよ 、酸素原子お よび Zまたは硫黄原子を含む複素環基、—じ(= )1^ (式中、 Y1は酸素原子また は硫黄原子を表し、 RAは酸素原子および/または硫黄原子を有する基が置換して 、てもよ 、アルキル、酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基が置換して 、て もよ!、ァリール、酸素原子および/または硫黄原子を有する基が置換して 、てもよ ヽ ァラルキルまたは酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基を表す)、ある いは— S (=Y2) Y3RB (式中、 pは 1または 2を表し、 Y2は酸素原子または硫黄原子 R 3 is alkyl substituted by a group having an oxygen atom and Z or a sulfur atom, aryl having an oxygen atom and a group having Z or sulfur atom substituted, oxygen atom and Z or Aralkyl substituted by a group having a sulfur atom, or may be substituted by an oxygen atom and a heterocyclic group containing Z or a sulfur atom,-(=) 1 ^ (where Y 1 is oxygen Represents an atom or a sulfur atom, and R A may be substituted by a group having an oxygen atom and / or a sulfur atom, or may be substituted by a group having an alkyl, oxygen atom and Z or a sulfur atom. !, Aryl, an oxygen atom and / or a group having a sulfur atom may be substituted to represent a aralkyl or a heterocyclic group containing an oxygen atom and Z or a sulfur atom) or — S (= Y 2 ) Y 3 R B (wherein p represents 1 or 2 and Y 2 represents an oxygen atom or a sulfur atom)
P  P
を表し、 Y3は結合、酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbは水素原子、アルキル、ァリ ールまたはァラルキルを表す)を表す (ただし、 Aが硫黄原子の場合、 R3はアルキル であってもよ 、) ]で表される化合物を含有するヒドロキシル基またはカルボキシル基 の保護剤。 Y 3 represents a bond, an oxygen atom or a sulfur atom, and R b represents a hydrogen atom, an alkyl, an aryl or an aralkyl. However, when A is a sulfur atom, R 3 is an alkyl A protective group for a hydroxyl group or a carboxyl group containing a compound represented by)].
(2) 一般式 (I)  (2) General formula (I)
[0011] [化 3]  [0011] [Chemical 3]
Figure imgf000005_0001
Figure imgf000005_0001
[0012] (式中、
Figure imgf000005_0002
R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表されるァルケ-ルェ 一テル、または一般式 (II)
[0012] (where
Figure imgf000005_0002
R 2 , R 3 and A are as defined above, respectively, or a general formula (II)
[0013] [化 4] [0013] [Chemical 4]
Figure imgf000005_0003
Figure imgf000005_0003
[0014] (式中、
Figure imgf000005_0004
R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義であり、 Xは、ハロゲン原子を表 す)で表されるハロゲンィ匕アルキルエーテルを含有するヒドロキシル基の保護剤。 (3) 一般式 (I)
[0014] (where
Figure imgf000005_0004
R 2 , R 3 and A are as defined above, and X represents a halogen atom). (3) General formula (I)
[0015] [化 5]
Figure imgf000006_0001
[0015] [Chemical 5]
Figure imgf000006_0001
[0016] (式中、 R R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表されるァルケ-ルェ 一テルまたは一般式 (II) [0016] (wherein RR 2 , R 3 and A have the same meanings as described above) or the general formula (II)
[0017] [化 6] [0017] [Chemical 6]
Figure imgf000006_0002
Figure imgf000006_0002
[0018] (式中、
Figure imgf000006_0003
R2、 R3、 Aおよび Xは、それぞれ前記と同義である)で表されるハロゲン 化アルキルエーテルを含有するカルボキシル基の保護剤。
[0018] (where
Figure imgf000006_0003
R 2 , R 3 , A and X are the same as defined above), and a carboxyl group-protecting agent containing a halogenated alkyl ether.
(4) 酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基力 ォキソ、チォォキソ、 Y¾a [式中、 Y3は酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、 - (CH C (4) Basic force having oxygen atom and Z or sulfur atom, oxo, thixo, Y¾ a [where Y 3 represents an oxygen atom or a sulfur atom, is a hydrogen atom, an alkyl,-(CH C
2 2
H O) — Raa (式中、 qは 1〜3の整数を表し、 Raaは水素原子、アルキル、ァリールまHO) — R aa (where q is an integer from 1 to 3, and R aa is a hydrogen atom, alkyl, aryl or
2 q 2 q
たはァラルキルを表す)または C (=Yaa) Rab (式中、 Yaaは酸素原子または硫黄原 子を表し、 Rabはアルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 C (=Yb)R b [式中、 Ybは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbは水素原子、アルキル、 YbaRba( 式中、 Ybaは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbaは水素原子、アルキル、ァリールま たはァラルキルを表す)または—(OCH CH ) — Rbb (式中、 rは 1 Or C (= Y aa ) R ab (where Y aa represents an oxygen atom or a sulfur atom, and R ab represents alkyl, aryl or aralkyl)], C (= Y b ) R b [wherein Y b represents an oxygen atom or sulfur atom, R b represents a hydrogen atom, alkyl, Y ba R ba (where Y ba represents an oxygen atom or sulfur atom, R ba represents hydrogen Represents atom, alkyl, aryl or aralkyl) or — (OCH CH) — R bb (where r is 1)
2 2 r 〜3の整数を表し、 Represents an integer from 2 2 r to 3,
Rbbはヒドロキシル、アルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 -S (=YC ) YdRe (式中、 sは 1または 2を表し、 ΥΊま酸素原子または硫黄原子を表し、 Ydは結合 s R bb represents hydroxyl, alkyl, aryl or aralkyl)], -S (= Y C ) Y d R e (wherein s represents 1 or 2, ΥΊ represents an oxygen atom or a sulfur atom, Y d is a bond s
、酸素原子または硫黄原子を表し、 Reは水素原子、アルキル、ァリールまたはァラル キルを表す)、あるいは酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基である(1 )〜(3)の 、ずれかに記載の保護剤。 Represents an oxygen atom or a sulfur atom, R e represents a hydrogen atom, an alkyl, Ariru or Araru kill), or a heterocyclic group containing an oxygen atom and Z or sulfur atom of (1) to (3), the deviation The protective agent according to crab.
(5) ヒドロキシル基を有する化合物を、一般式 (I)  (5) A compound having a hydroxyl group is represented by the general formula (I)
[0019] [化 7]
Figure imgf000007_0001
[0019] [Chemical 7]
Figure imgf000007_0001
[0020] (式中、
Figure imgf000007_0002
R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表されるァルケ-ルェ 一テルまたは一般式 (II)
[0020] (where
Figure imgf000007_0002
R 2 , R 3 and A have the same meanings as defined above) or the general formula (II)
[0021] [化 8] [0021] [Chemical 8]
Figure imgf000007_0003
Figure imgf000007_0003
[0022] (式中、
Figure imgf000007_0004
R2、 R3、 Aおよび Xは、それぞれ前記と同義である)で表されるハロゲン 化アルキルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式 (III)
[0022] (wherein
Figure imgf000007_0004
R 2 , R 3 , A and X are the same as defined above) and are reacted with a halogenated alkyl ether represented by the general formula (III)
[0023] [化 9] [0023] [Chemical 9]
Figure imgf000007_0005
Figure imgf000007_0005
[0024] (式中、 R\ R2、 ITおよび Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基を有する化 合物の製造法。 [0024] A method for producing a compound having a group represented by the formula: wherein R \ R 2 , IT and A are as defined above.
(6) カルボキシル基を有する化合物を、一般式 (I)  (6) A compound having a carboxyl group is represented by the general formula (I)
[0025] [化 10]
Figure imgf000007_0006
[0025] [Chemical 10]
Figure imgf000007_0006
[0026] (式中、 R R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表されるァルケ-ルェ 一テルまたは一般式 (II) [0026] (wherein RR 2 , R 3 and A have the same meanings as described above) or the general formula (II)
[0027] [化 11]
Figure imgf000008_0001
[0027] [Chemical 11]
Figure imgf000008_0001
[0028] (式中、
Figure imgf000008_0002
R2、 R3、 Aおよび Xは、それぞれ前記と同義である)で表されるハロゲン 化アルキルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式 (IV)
[0028] (where
Figure imgf000008_0002
R 2 , R 3 , A and X are the same as defined above) and are reacted with a halogenated alkyl ether represented by the general formula (IV)
[0029] [化 12]  [0029] [Chemical 12]
Figure imgf000008_0003
Figure imgf000008_0003
[0030] (式中、
Figure imgf000008_0004
R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基を有する化 合物の製造法。
[0030] (where
Figure imgf000008_0004
R 2 , R 3 and A are the same as defined above).
(7) ヒドロキシル基を有する化合物を、一般式 (I)  (7) A compound having a hydroxyl group is represented by the general formula (I)
[0031] [化 13]  [0031] [Chemical 13]
、ノヽ (I) , ヽ (I)
[0032] (式中、
Figure imgf000008_0005
R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表されるァルケ-ルェ 一テルと反応させることを特徴とする、一般式 (III)
[0032] (where
Figure imgf000008_0005
R 2 , R 3 and A are the same as defined above) and are reacted with an alkellether represented by the general formula (III)
[0033] [化 14] [0033] [Chemical 14]
R - R2 R-R 2
(III)  (III)
、0' 、  , 0 ',
[0034] (式中、
Figure imgf000008_0006
R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基を有する化 合物の製造法。
[0034] (where
Figure imgf000008_0006
R 3 and A are each as defined above).
(8) ヒドロキシル基を有する化合物を、一般式 (II)  (8) A compound having a hydroxyl group is represented by the general formula (II)
[0035] [化 15]
Figure imgf000009_0001
[0035] [Chemical 15]
Figure imgf000009_0001
[0036] (式中、 R R2、 R3、 Aおよび Xは、それぞれ前記と同義である)で表されるハロゲン 化アルキルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式 (III) [0036] (wherein RR 2 , R 3 , A and X are as defined above), and a reaction with a halogenated alkyl ether represented by the general formula (III)
[0037] [化 16]  [0037] [Chemical 16]
Figure imgf000009_0002
Figure imgf000009_0002
2 ^3  2 ^ 3
[0038] (式中、 R\ R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基を有する化 合物の製造法。 [0038] (wherein, R \ R 2, R 3 and A are the same meanings as defined above, respectively) preparation of reduction compound having a group represented by.
(9) カルボキシル基を有する化合物を、一般式 (I)  (9) A compound having a carboxyl group is represented by the general formula (I)
[0039] [化 17]
Figure imgf000009_0003
[0039] [Chemical 17]
Figure imgf000009_0003
[0040] (式中、 R R2、 R°および Aは、それぞれ前記と同義である)で表されるァルケ-ルェ 一テルと反応させることを特徴とする、一般式 (IV) [0040] (wherein RR 2 , R ° and A have the same meanings as described above, respectively).
[0041] [化 18]  [0041] [Chemical 18]
Figure imgf000009_0004
Figure imgf000009_0004
[0042] (式中、
Figure imgf000009_0005
R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基を有する化 合物の製造法。
[0042] (where
Figure imgf000009_0005
R 2 , R 3 and A are the same as defined above).
(10) カルボキシル基を有する化合物を、一般式 (II) [0043] [化 19] (10) A compound having a carboxyl group is represented by the general formula (II) [0043] [Chemical 19]
Figure imgf000010_0001
Figure imgf000010_0001
[0044] (式中、 R R2、 R3、 Aおよび Xは、それぞれ前記と同義である)で表されるハロゲン 化アルキルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式 (IV) [0044] (wherein RR 2 , R 3 , A and X are as defined above), and a reaction with a halogenated alkyl ether represented by the general formula (IV)
[0045] [化 20] [0045] [Chemical 20]
Figure imgf000010_0002
Figure imgf000010_0002
[0046] (式中、
Figure imgf000010_0003
R2、 ITおよび Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基を有する化 合物の製造法。
[0046] (where
Figure imgf000010_0003
R 2 , IT and A are the same as defined above).
(11) 酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基力 ォキソ、チォォキソ、 Υ¾ a [式中、 Yaは酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、 - (CH C (11) Basic force having oxygen atom and Z or sulfur atom, oxo, thixo, Υ¾ a [where Y a represents an oxygen atom or a sulfur atom, is a hydrogen atom, an alkyl,-(CH C
2 2
H O) — Raa (式中、 qは 1〜3の整数を表し、 Raaは水素原子、アルキル、ァリールまHO) — R aa (where q is an integer from 1 to 3, and R aa is a hydrogen atom, alkyl, aryl or
2 q 2 q
たはァラルキルを表す)または C (=Yaa) Rab (式中、 Yaaは酸素原子または硫黄原 子を表し、 Rabはアルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 C (=Yb)R b [式中、 Ybは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbは水素原子、アルキル、 -YbaRba( 式中、 Ybaは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbaは水素原子、アルキル、ァリールま たはァラルキルを表す)または—(OCH CH ) — Rbb (式中、 rは 1〜3の整数を表し、 Or C (= Y aa ) R ab (where Y aa represents an oxygen atom or a sulfur atom, and R ab represents alkyl, aryl or aralkyl)], C (= Y b ) R b [wherein Y b represents an oxygen atom or a sulfur atom, R b represents a hydrogen atom, alkyl, -Y ba R ba (where Y ba represents an oxygen atom or a sulfur atom, and R ba represents (Represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl) or — (OCH 2 CH 2) — R bb (wherein r represents an integer of 1 to 3,
2 2 r  2 2 r
Rbbはヒドロキシル、アルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 -S (=YC ) YdRe (式中、 sは 1または 2を表し、 ΥΊま酸素原子または硫黄原子を表し、 Ydは結合 s R bb represents hydroxyl, alkyl, aryl or aralkyl)], -S (= Y C ) Y d R e (wherein s represents 1 or 2, ΥΊ represents an oxygen atom or a sulfur atom, Y d is a bond s
、酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、ァリールまたはァラル キルを表す)、あるいは酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基である(5 )〜(10)の 、ずれかに記載の製造法。  Represents an oxygen atom or a sulfur atom, and represents a hydrogen atom, alkyl, aryl, or aralkyl), or a heterocyclic group containing an oxygen atom and a Z or sulfur atom (5) to (10) The manufacturing method described.
(12) 一般式 (V) [0047] [化 21] (12) General formula (V) [0047] [Chemical 21]
Figure imgf000011_0001
Figure imgf000011_0001
[0048] (式中、 Rは、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ、置換もしくは非置換のアルコキシ 、置換もしくは非置換のアルキル、置換もしくは非置換のァリールまたは置換もしくは 非置換のァラルキルを表し、 kは 0—4の整数を表す)で表される繰り返し単位を含み 、重量平均分子量が 1, 000- 100, 000である重合体のヒドロキシル基の全てまた は一部が、一般式 (III) [In the formula, R represents a hydrogen atom, a halogen atom, hydroxy, substituted or unsubstituted alkoxy, substituted or unsubstituted alkyl, substituted or unsubstituted aryl, or substituted or unsubstituted aralkyl. All or part of the hydroxyl groups of the polymer having a weight average molecular weight of 1,000-100,000 are represented by the general formula (III)
[0049] [化 22]  [0049] [Chemical 22]
R2 R 2
ヽへ To ヽ
[0050] (式中、
Figure imgf000011_0002
R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基で置換され たポリヒドロキシスチレン誘導体。
[0050] (where
Figure imgf000011_0002
R 2 , R 3 and A are the same as defined above).
(13) 酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基力 ォキソ、チォォキソ、 Υ¾ a [式中、 Yaは酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、 - (CH C (13) Basic force having oxygen atom and Z or sulfur atom oxo, thixo, Υ¾ a [where Y a represents an oxygen atom or a sulfur atom, is a hydrogen atom, an alkyl,-(CH C
2 2
H O) — Raa (式中、 qは 1〜3の整数を表し、 Raaは水素原子、アルキル、ァリールまHO) — R aa (where q is an integer from 1 to 3, and R aa is a hydrogen atom, alkyl, aryl or
2 q 2 q
たはァラルキルを表す)または C (=Yaa) Rab (式中、 Yaaは酸素原子または硫黄原 子を表し、 Rabはアルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 C (=Yb)R b [式中、 Ybは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbは水素原子、アルキル、 YbaRba( 式中、 Ybaは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbaは水素原子、アルキル、ァリールま たはァラルキルを表す)または—(OCH CH ) — Rbb (式中、 rは 1〜3の整数を表し、 Or C (= Y aa ) R ab (where Y aa represents an oxygen atom or a sulfur atom, and R ab represents alkyl, aryl or aralkyl)], C (= Y b ) R b [wherein Y b represents an oxygen atom or sulfur atom, R b represents a hydrogen atom, alkyl, Y ba R ba (where Y ba represents an oxygen atom or sulfur atom, R ba represents hydrogen Represents an atom, alkyl, aryl or aralkyl) or — (OCH 2 CH 2) — R bb (wherein r represents an integer of 1 to 3;
2 2 r  2 2 r
Rbbはヒドロキシル、アルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 -S (=YC ) YdRe (式中、 sは 1または 2を表し、 Yeは酸素原子または硫黄原子を表し、 Ydは結合 、酸素原子または硫黄原子を表し、 Reは水素原子、アルキル、ァリールまたはァラル キルを表す)、あるいは酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基である(1 2)記載のポリヒドロキシスチレン誘導体。 R bb represents hydroxyl, alkyl, aryl or aralkyl)], -S (= Y C ) Y d R e (wherein s represents 1 or 2, Y e represents an oxygen atom or a sulfur atom) , Y d is a bond Represents an oxygen atom or a sulfur atom, R e is a hydrogen atom, an alkyl, Ariru or an Araru kill), or a heterocyclic group containing an oxygen atom and Z or a sulfur atom (1 2) polyhydroxystyrene derivatives according .
(14) 一般式 (VI)  (14) General formula (VI)
[0051] [化 23] [0051] [Chemical 23]
Figure imgf000012_0001
Figure imgf000012_0001
[0052] (式中、 R5は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ、置換もしくは非置換のアルコキシ 、置換もしくは非置換のアルキル、置換もしくは非置換のァリールまたは置換もしくは 非置換のァラルキルを表し、 kは 0 3の整数を表し、 R6および R7は、同一または異 なって水素原子、置換もしくは非置換のアルキル、置換もしくは非置換のァリールま たは置換もしくは非置換のァラルキルを表す)で表される繰り返し単位を含み、重量 平均分子量が 1, 000- 100, 000である重合体のヒドロキシル基の全てまたは一部 力 一般式 (ΙΠ) [Wherein, R 5 represents a hydrogen atom, a halogen atom, hydroxy, substituted or unsubstituted alkoxy, substituted or unsubstituted alkyl, substituted or unsubstituted aryl, or substituted or unsubstituted aralkyl, Represents an integer of 0 3 and R 6 and R 7 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl, a substituted or unsubstituted aryl, or a substituted or unsubstituted aralkyl. All or part of the hydroxyl groups of the polymer having a weight average molecular weight of 1,000-100,000.
[0053] [化 24]  [0053] [Chemical 24]
Figure imgf000012_0002
Figure imgf000012_0002
[0054] (式中、 R R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基で置換され たノボラック榭脂誘導体。 [0054] (wherein, RR 2, R 3 and A are the same meanings as defined above, respectively) novolak榭脂derivatives substituted with a group represented by.
(15) 酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基力 ォキソ、チォォキソ、 Υ¾ a [式中、 Yaは酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、 - (CH C (15) Basic force having oxygen atom and Z or sulfur atom, oxo, thixo, Υ¾ a [where Y a represents an oxygen atom or a sulfur atom, is a hydrogen atom, an alkyl,-(CH C
2 2
H O) — Raa (式中、 qは 1〜3の整数を表し、 Raaは水素原子、アルキル、ァリールまHO) — R aa (where q is an integer from 1 to 3, and R aa is a hydrogen atom, alkyl, aryl or
2 q 2 q
たはァラルキルを表す)または— C (=Yaa)Rab (式中、 Yaaは酸素原子または硫黄原 子を表し、 Rabはアルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、— C (=Yb)R b [式中、 Ybは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbは水素原子、アルキル、 -YbaRba( 式中、 Ybaは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbaは水素原子、アルキル、ァリールま たはァラルキルを表す)または—(OCH CH ) — Rbb (式中、 rは 1〜3の整数を表し、 Or C (= Y aa ) R ab (where Y aa represents an oxygen atom or sulfur atom) Represents a child, R ab represents alkyl, aryl or aralkyl)], — C (= Y b ) R b [wherein Y b represents an oxygen atom or a sulfur atom, R b represents a hydrogen atom, alkyl , -Y ba R ba (where Y ba represents an oxygen atom or sulfur atom, R ba represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl) or — (OCH CH) — R bb (where r represents an integer of 1 to 3,
2 2 r  2 2 r
Rbbはヒドロキシル、アルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 -S (=YC ) YdRe (式中、 sは 1または 2を表し、 ΥΊま酸素原子または硫黄原子を表し、 Ydは結合 s R bb represents hydroxyl, alkyl, aryl or aralkyl)], -S (= Y C ) Y d R e (wherein s represents 1 or 2, ΥΊ represents an oxygen atom or a sulfur atom, Y d is a bond s
、酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、ァリールまたはァラル キルを表す)、あるいは酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基である(1 4)記載のノボラック榭脂誘導体。  And represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl), or a heterocyclic group containing an oxygen atom and a Z or sulfur atom (14), the novolac rosin derivative according to (14).
(16) 一般式 (VII)  (16) General formula (VII)
[0055] [化 25] [0055] [Chemical 25]
Figure imgf000013_0001
Figure imgf000013_0001
[0056] (式中、 R8は、水素原子、低級アルキルまたはヒドロキシメチルを表す)で表される繰 り返し単位を含み、重量平均分子量が 1, 000- 100, 000である重合体のカルボキ シル基の全てまたは一部力 一般式 (IV) [0056] (wherein R 8 represents a hydrogen atom, lower alkyl or hydroxymethyl), and a polymer carbocycle having a weight average molecular weight of 1,000-100,000. All or part of the syl group general formula (IV)
[0057] [化 26]  [0057] [Chemical 26]
Figure imgf000013_0002
Figure imgf000013_0002
[0058] (式中、 R R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基で置換され たポリアクリル榭脂誘導体またはポリメタクリル樹脂誘導体。 [0058] (wherein, RR 2, R 3 and A are the same meanings as defined above, respectively) polyacrylic榭脂derivative or polymethacrylic resin derivative substituted with the group represented by.
(17) 酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基力 ォキソ、チォォキソ、— Υ¾ a [式中、 Yaは酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、 - (CH C (17) Basic force having oxygen atom and Z or sulfur atom, oxo, thixo, — Υ¾ a [where Y a represents an oxygen atom or a sulfur atom, is a hydrogen atom, an alkyl,-(CH C
2 2
H O) — Raa (式中、 qは 1〜3の整数を表し、 Raaは水素原子、アルキル、ァリールまHO) — R aa (where q is an integer from 1 to 3, and R aa is a hydrogen atom, alkyl, aryl or
2 q 2 q
たはァラルキルを表す)または— C (=Yaa)Rab (式中、 Yaaは酸素原子または硫黄原 子を表し、 Rabはアルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、— C (=Yb)R b [式中、 Ybは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbは水素原子、アルキル、 -YbaRba( 式中、 Ybaは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbaは水素原子、アルキル、ァリールま たはァラルキルを表す)または—(OCH CH ) — Rbb (式中、 rは 1〜3の整数を表し、 Or C (= Y aa ) R ab (where Y aa represents an oxygen atom or sulfur atom) Represents a child, R ab represents alkyl, aryl or aralkyl)], — C (= Y b ) R b [wherein Y b represents an oxygen atom or a sulfur atom, R b represents a hydrogen atom, alkyl , -Y ba R ba (where Y ba represents an oxygen atom or sulfur atom, R ba represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl) or — (OCH CH) — R bb (where r represents an integer of 1 to 3,
2 2 r  2 2 r
Rbbはヒドロキシル、アルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 -S (=YC ) YdRe (式中、 sは 1または 2を表し、 Yeは酸素原子または硫黄原子を表し、 Ydは結合 s R bb represents hydroxyl, alkyl, aryl or aralkyl)], -S (= Y C ) Y d R e (wherein s represents 1 or 2, Y e represents an oxygen atom or a sulfur atom) , Y d is a bond s
、酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、ァリールまたはァラル キルを表す)、あるいは酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基である(1 6)記載のポリアクリル榭脂誘導体またはポリメタクリル樹脂誘導体。  Represents an oxygen atom or a sulfur atom, and represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl), or a heterocyclic group containing an oxygen atom and a Z or sulfur atom (16), Polymethacrylic resin derivative.
(18) 重量平均分子量 1, 000- 100, 000である(5)に記載の一般式 (ΠΙ)で表さ れる基を有する化合物または(6)に記載の一般式 (IV)で表される基を有する化合物 と、光酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物。  (18) A compound having a group represented by the general formula (ΠΙ) described in (5) having a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000, or represented by the general formula (IV) described in (6) A chemically amplified resist composition comprising a compound having a group and a photoacid generator.
(19) ( 12)または( 13)記載のポリヒドロキシスチレン誘導体と光酸発生剤を含有す る化学増幅型レジスト組成物。  (19) A chemically amplified resist composition comprising the polyhydroxystyrene derivative according to (12) or (13) and a photoacid generator.
(20) (14)または(15)記載のノボラック榭脂誘導体と光酸発生剤を含有する化学 増幅型レジスト組成物。  (20) A chemically amplified resist composition comprising the novolak rosin derivative according to (14) or (15) and a photoacid generator.
(21) (16)または(17)記載のポリアクリル榭脂誘導体またはポリメタクリル樹脂誘導 体と光酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物。  (21) A chemically amplified resist composition comprising the polyacrylic resin derivative or polymethacrylic resin derivative according to (16) or (17) and a photoacid generator.
発明の効果  The invention's effect
[0059] 本発明により、保護体の基板への密着性や、はんだやめつき液等に対する濡れ性 等に優れるヒドロキシル基またはカルボキシル基の保護剤および該保護剤で保護さ れた保護体等を提供することができる。  [0059] According to the present invention, there are provided a hydroxyl group or carboxyl group protective agent excellent in adhesion of a protective body to a substrate, wettability with respect to a solder or a staking solution, and the like, and a protective body protected with the protective agent. can do.
発明を実施するための最良の形態  BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
[0060] 一般式中の各基の定義において、アルキルおよびアルコキシのアルキル部分とし ては、例えば、直鎖、分枝状、または環状の炭素数 1— 18のものがあげられ、その具 体例としては、メチル、ェチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、 sec—ブ チル、 tert—ブチノレ、ペンチノレ、へキシル、ヘプチル、ォクチノレ、ノニノレ、デシノレ、ド デシル、ォクタデシル等の直鎖または分岐状のアルキル、シクロプロピル、シクロプチ ノレ、シクロペンチノレ、シクロへキシノレ、シクロへプチノレ、シクロォクチノレ、シクロデカニ ル、シクロドデ力-ル等のシクロアルキル、ァダマンチル、トリシクロデ力-ル、テトラシ クロドデ力-ル、ボル-ル、ノルボル-ル、イソノルボル-ル、スピロへプチル、スピロ ォクチル、メンチル等の多環アルキル、シクロプロピルメチル、シクロブチルメチル、シ クロペンチノレメチノレ、シクロへキシノレメチノレ、シクロプロピノレエチノレ、シクロブチノレエチ ル、シクロペンチルェチル、シクロへキシルェチル等のシクロアルキルアルキル等が あげられ、中でも、炭素数 1 6のアルキルが好ましぐさらには炭素数 1 3のアルキ ルがより好ましい。 [0060] In the definition of each group in the general formula, examples of the alkyl moiety of alkyl and alkoxy include linear, branched, or cyclic ones having 1 to 18 carbon atoms. Is a linear or branched alkyl such as methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, sec-butyl, tert-butynole, pentinole, hexyl, heptyl, octinole, noninore, decinole, dodecyl, octadecyl, Cyclopropyl, cyclopetit Nole, cyclopentinole, cyclohexinole, cycloheptinole, cyclooctenole, cyclodecane, cyclodode force, etc. cycloalkyl, adamantyl, tricyclode force, tetracyclodode force, bolol, norbolol, isonorbol -Ruyl, spiroheptyl, spirooctyl, menthyl and other polycyclic alkyls, cyclopropylmethyl, cyclobutylmethyl, cyclopentinoremethinole, cyclohexenoremethinole, cyclopropinoreethinole, cyclobutinoreethyl, cyclopentyl Examples thereof include cycloalkylalkyl such as til and cyclohexylethyl, among which alkyl having 16 carbon atoms is preferable, and alkyl having 13 carbon atoms is more preferable.
[0061] 低級アルキルとしては、例えば、直鎖または分枝状の炭素数 1 8のアルキルがあ げられ、具体的には、メチル、ェチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、 s ec ブチル、 tert ブチル、ペンチル、へキシル、ヘプチル、ォクチル等があげられ る。  [0061] The lower alkyl includes, for example, linear or branched alkyl having 18 carbon atoms, and specifically includes methyl, ethyl, propyl, isopropyl, butyl, isobutyl, sec butyl, tert Examples include butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl and the like.
ァリールとしては、例えば、炭素数 6— 14のものがあげられ、その具体例としては、 フエニル、ナフチル等があげられる。  Examples of aryls include those having 6 to 14 carbon atoms, and specific examples thereof include phenyl and naphthyl.
[0062] ァラルキルとしては、例えば、炭素数 7— 15のものがあげられ、その具体例としては 、ベンジル、フエネチル、ナフチルメチル、ナフチルェチル等があげられる。  [0062] Examples of the aralkyl include those having 7 to 15 carbon atoms, and specific examples thereof include benzyl, phenethyl, naphthylmethyl, naphthylethyl and the like.
R1と R2が隣接する炭素原子と一緒になつて形成する脂環式炭化水素環としては、 例えば、炭素数 3— 8のものがあげられ、飽和または不飽和のものであってもよぐそ の具体例としては、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環、シクロへキ サン環、シクロヘプタン環、シクロオクタン環、シクロペンテン環、 1, 3 シクロペンタ ジェン環、シクロへキセン環、シクロへキサジェン環等があげられる。 Examples of the alicyclic hydrocarbon ring formed by R 1 and R 2 together with adjacent carbon atoms include those having 3 to 8 carbon atoms, and may be saturated or unsaturated. Specific examples of gusset include cyclopropane ring, cyclobutane ring, cyclopentane ring, cyclohexane ring, cycloheptane ring, cyclooctane ring, cyclopentene ring, 1,3 cyclopentagen ring, cyclohexene ring, cyclohexagen. Examples include rings.
[0063] 酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基の好まし 、具体例としては、例 えば、フリル基、テトラヒドロフリル基、ビラ-ル基、テトラヒドロビラニル基、ジォキソラ ニル基、ジォキサニル基、チェニル基、テトラヒドロチェニル基、ジチオラニル基、ジ チォサニル基、ォキサチオラニル基、チアントレニル基、ラタトニル基、チオラタトニル 基、 2—ォキソ 1, 3 ジォキソラニル基、 2 ォキソ 1, 3—ォキサチオラ-ル基、 2 チォキソー 1, 3 ジォキソラニル基、 2 チォキソー 1, 3—ォキサチオラニル基 等があげられる。 [0064] ノ、ロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素の各原子があげられ、中でも、塩 素原子が好ましい。 [0063] Preferred examples of the heterocyclic group containing an oxygen atom and Z or a sulfur atom include, for example, a furyl group, a tetrahydrofuryl group, a biral group, a tetrahydrobiranyl group, a dixolanyl group, and a dioxanyl group. , Cenyl group, Tetrahydrocenyl group, Dithiolanyl group, Dithiosanyl group, Oxathiolanyl group, Thianthrenyl group, Latatonyl group, Thiolatonyl group, 2-oxo-1, 3 Dioxolanyl group, 2 Exo1, 3-oxathioral group, 2 Thixo 1, 3 dioxolanyl group, 2 thixo 1, 3-oxathiolanyl group and the like. [0064] Examples of the nitrogen atom and the rogen atom include fluorine, chlorine, bromine and iodine atoms, and among them, a chlorine atom is preferable.
酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基としては、例えばォキソ、チォォキソ 、 — Y¾a [式中、 Yaおよび Raはそれぞれ前記と同義である]、— C ( =Yb) Rb [式中、 Ybおよび Rbはそれぞれ前記と同義である]、 - S ( =Y°) (式中、 s、 Yc、 Ydおよ s Examples of the group having an oxygen atom and Z or a sulfur atom include oxo, thixo, — Y¾ a [wherein Y a and R a are as defined above], — C (= Y b ) R b [formula In which Y b and R b are as defined above], -S (= Y °) (where s, Y c , Y d and s
び Reはそれぞれ前記と同義である)、酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素 環基等があげられ、より具体的には、ォキソ、チォォキソ、ヒドロキシ、メトキシ、ェトキ シ、プロピルォキシ、イソプロピルォキシ、ブトキシ、シクロペンチルォキシ、シクロへキ シルォキシ、フエノキシ、ベンジルォキシ、メルカプト、メタンスルファ -ル、エタンスル ファニル、プロパンスルファニル、イソプロパンスルファニル、ブタンスルファニル、シク 口ペンタンスルファ -ル、シクロへキサンスルファ -ル、ベンゼンスルファ -ル、ベンジ ルスルファニル、ホルミル、ァセチル、プロピオニル、ブチリル、イソブチリル、バレリル 、イソパレリノレ、ピバロイノレ、チオアセチノレ、チォプロピオ二ノレ、チォブチリノレ、チォバ レリル、チォイソバレリル、チォピバロィル、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、 プロピルォキシカルボニル、イソプロピルォキシカルボニル、ブトキシカルボニル、メタ ンスノレフィ-ノレ、エタンスノレフィ-ノレ、プロパンスノレフィ-ノレ、ブタンスノレフィ-ノレ、ベン ゼンスノレフィ-ノレ、ベンジノレスノレフィ-ノレ、メタンスノレホニノレ、エタンスノレホニノレ、プロ ノ ンスノレホニノレ、ブタンスノレホニノレ、ベンゼンスノレホニノレ、ベンジノレスノレホ-ノレ、メトキ シメトキシ、メトキシエトキシ、フリル基、テトラヒドロフリル基、ビラ-ル基、テトラヒロドピ ラニル基、ジォキソラ-ル基、ジォキサ-ル基、チェ-ル基、テトラヒドロチェ-ル基 等があげられる。 And R e are as defined above), heterocyclic groups containing an oxygen atom and Z or a sulfur atom, and more specifically, oxo, thixo, hydroxy, methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropylo Xy, butoxy, cyclopentyloxy, cyclohexyloxy, phenoxy, benzyloxy, mercapto, methanesulfuryl, ethanesulfanyl, propanesulfanyl, isopropanesulfanyl, butanesulfanyl, cyclopentanesulfuryl, cyclohexanesulfur, Benzenesulfuryl, benzylsulfanyl, formyl, acetyl, propionyl, butyryl, isobutyryl, valeryl, isoparelinore, pivaloinor, thioacetinole, thiopropioninore, thiobutyrinole, thiovaleryl, thiol Isovaleryl, thiopivalol, methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl, propyloxycarbonyl, isopropyloxycarbonyl, butoxycarbonyl, methanolynore, ethanesnorefinore, propanesnorefinore, butansnorefi-nore, benzensenorefi-nore, benzenoles Norefinore, Methanosnorehoninore, Ethansnorehoninore, Prononrehoninore, Butansnorehoninore, Benzenorenoninore, Benzenoresnorenore, Methoxymethoxy, Methoxyethoxy, Furyl, Tetrahydrofuryl, Examples thereof include a biral group, a tetrahydropyranyl group, a dioxoral group, a dioxal group, a chael group, and a tetrahydrochael group.
[0065] 置換アルキルおよび置換アルコキシにおける置換基としては、例えば、アルコキシ 、アルカノィル、シァ入ニトロ、ハロゲン原子、アルコキシカルボ-ル等があげられる 。置換ァリール、置換ァラルキルおよび R1と R2が隣接する炭素原子と一緒になつて 形成する置換脂環式炭化水素環における置換基としては、例えば、アルキル、アル コキシ、アルカノィル、シァ入ニトロ、ハロゲン原子、アルコキシカルボ-ル等があげ られる。置換基の定義において、アルキル、アルコキシおよびアルコキシカルボ-ル のアルキル部分としては、前記アルキルで例示したものと同様のものがあげられる。 ノ、ロゲン原子としては、前記ハロゲン原子で例示したものと同様のものがあげられる。 アルカノィルとしては、例えば、直鎖または分枝状の炭素数 2— 7のものがあげられ、 その具体例としては、ァセチル、プロピオ-ル、ブチリル、イソブチリル、バレリル、イソ バレリル、ビバロイル、へキサノィル、ヘプタノィル等があげられる。 [0065] Examples of the substituent in the substituted alkyl and the substituted alkoxy include alkoxy, alkanol, nitro-containing nitro, halogen atom, alkoxy carbo yl and the like. Substituents in substituted aryls, substituted aralkyls, and substituted alicyclic hydrocarbon rings formed by R 1 and R 2 together with adjacent carbon atoms include, for example, alkyl, alkoxy, alkanoyl, cyano-containing halo, halogen Atoms, alkoxy carbo and the like. In the definition of the substituent, examples of the alkyl moiety of alkyl, alkoxy, and alkoxycarbo yl include those exemplified for the alkyl. Examples of the hydrogen atom and the rogen atom are the same as those exemplified for the halogen atom. Examples of the alkanoyl include straight chain or branched C 2-7, and specific examples thereof include acetyl, propiol, butyryl, isobutyryl, valeryl, isovaleryl, bivaloyl, hexanoyl, Examples include heptanol.
[0066] 酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基の置換基としては、例えば、ォ キソ、チォキソ、アルキル、アルコキシ、アルカノィル、シァ入ニトロ、ハロゲン原子、 アルコキシカルボ-ル等があげられる。置換基の定義において、アルキル、アルコキ シおよびアルコキシカルボ-ルのアルキル部分としては、前記アルキルで例示したも のと同様のものがあげられる。ハロゲン原子としては、前記ハロゲン原子で例示したも のと同様のものがあげられる。アルカノィルとしては、前記アルカノィルで例示したも のと同様のものがあげられる。 [0066] Examples of the substituent of the heterocyclic group containing an oxygen atom and Z or a sulfur atom include oxo, thixo, alkyl, alkoxy, alkanoyl, silane-containing nitro, halogen atom, alkoxycarbole and the like. In the definition of the substituent, examples of the alkyl moiety of the alkyl, alkoxy, and alkoxycarbo yl include those exemplified for the alkyl. Examples of the halogen atom are the same as those exemplified for the halogen atom. Examples of the alkanoyl include those exemplified for the alkanoyl.
[0067] 以下、一般式 (I)で表されるァルケ-ルエーテルをィ匕合物 (I)と表し、一般式 (Π)で 表されるハロゲンィ匕アルキルエーテルをィ匕合物 (II)と表し、一般式 (III)で表される基 を有する化合物を化合物 (III)と表し、一般式 (IV)で表される基を有する化合物を化 合物 (IV)と表すこともある。  [0067] In the following, the alkyl ether represented by the general formula (I) is represented as a compound (I), and the halogenated alkyl ether represented by the general formula (Π) is represented as a compound (II). A compound having a group represented by the general formula (III) may be represented as a compound (III), and a compound having a group represented by the general formula (IV) may be represented as a compound (IV).
また、一般式 (V)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が 1, 000〜: L0 0, 000である重合体をィ匕合物 (V)と表し、一般式 (VI)で表される繰り返し単位を含 み、重量平均分子量が 1, 000-100, 000である重合体をィ匕合物 (VI)と表し、一般 式 (VII)で表される繰り返し単位を含み、重量平均分子量が 1, 000-100, 000で ある重合体を化合物 (VII)と表すこともある。  Further, a polymer containing a repeating unit represented by the general formula (V) and having a weight average molecular weight of 1,000 to L0 0,000 is represented as a compound (V) and represented by the general formula (VI). A polymer having a weight average molecular weight of 1,000-100,000 is represented as a compound (VI), comprising a repeating unit represented by the general formula (VII), and having a weight A polymer having an average molecular weight of 1,000-100,000 is sometimes referred to as compound (VII).
[0068] 前記(12)記載のポリヒドロキシスチレン誘導体においては、化合物 (V)のヒドロキシ ル基全体の、好ましくは 0. 2〜90%、より好ましくは 10〜60%が一般式 (III)で表さ れる基で置換されている。  [0068] In the polyhydroxystyrene derivative described in the above (12), preferably 0.2 to 90%, more preferably 10 to 60% of the total hydroxyl group of the compound (V) is represented by the general formula (III). Substituted with the group represented.
前記(14)記載のノボラック榭脂誘導体にぉ 、ては、化合物 (VI)のヒドロキシル基 全体の、好ましくは 0. 2〜90%、より好ましくは 10〜60%が一般式 (III)で表される 基で置換されている。  In addition to the novolak rosin derivative described in (14), preferably 0.2 to 90%, more preferably 10 to 60% of the total hydroxyl groups of the compound (VI) are represented by the general formula (III). Is substituted with a group.
[0069] 前記(16)記載のポリアクリル榭脂誘導体、ポリメタクリル樹脂誘導体にぉ 、ては、 化合物(VII)のカルボキシル基全体の、好ましくは 10〜100%、より好ましくは 20〜 100%力 一般式 (IV)で表される基で置換されて 、る。 [0069] In addition to the polyacrylic resin derivative and the polymethacrylic resin derivative described in (16), the total carboxyl group of the compound (VII) is preferably 10 to 100%, more preferably 20 to 100% force substituted with a group represented by the general formula (IV).
本明細書において、(メタ)アクリル酸は、アクリル酸およびメタクリル酸を表し、他の (メタ)アクリル酸誘導体につ!ヽても同様に表現する。  In the present specification, (meth) acrylic acid represents acrylic acid and methacrylic acid, and other (meth) acrylic acid derivatives! I express it in the same way.
[0070] <化合物 (1) >  [0070] <Compound (1)>
化合物 (I)は、市販のものを購入する力 または公知の方法 [例えば、 日本化学会 編「実験化学講座 (第 20卷)有機合成 II アルコール'ァミン」、第 4版、 207- 208頁 、丸善株式会社 (平成 4年 7月 6日)等]により合成し、入手することができる。  Compound (I) may be a commercially available product or a known method [for example, the Chemical Society of Japan, “Experimental Chemistry Course (20th) Organic Synthesis II Alcohol 'Amin”, 4th Edition, pp. 207-208, Maruzen Co., Ltd. (July 6, 1992) etc.] and can be obtained.
化合物 (I)の好ましい具体例としては、例えば、以下の化合物式があげられる。  Preferable specific examples of compound (I) include, for example, the following compound formulas.
[0071] [化 27] [0071] [Chemical 27]
Figure imgf000018_0001
[0072] (式中、 R R2および Aは、それぞれ前記と同義であり、 A\ A2および A3は、同一ま たは異なって酸素原子または硫黄原子を表し、 R9はアルキル、ァリール、ァラルキル を表し、 mは、 1、 2または 3であり、 nは、 1または 2であり、 pは、 0、 1または 2である) 等の化合物があげられる。ここで、アルキル、ァリールおよびァラルキルは、前記と同 様のものがあげられる。
Figure imgf000018_0001
[0072] (wherein RR 2 and A have the same meanings as defined above, A \ A 2 and A 3 are the same or different and represent an oxygen atom or a sulfur atom, R 9 represents alkyl, aryl, And m is 1, 2 or 3, n is 1 or 2, and p is 0, 1 or 2). Here, the alkyl, aryl and aralkyl are the same as described above.
[0073] 中でも、以下の化合物がより好ましい。  [0073] Among these, the following compounds are more preferable.
(a)化合物(1)、 (2)において、 A、 A\ A2が酸素原子または硫黄原子であって、 m が 1、 2または 3である化合物。 (a) A compound in which A and A \ A 2 are oxygen atoms or sulfur atoms and m is 1, 2 or 3 in the compounds (1) and (2).
(b)化合物(3)〜(6)において、 A、 A\ A2が酸素原子または硫黄原子であって、 m が 1、 2または 3である化合物。 (b) In the compounds (3) to (6), A, A \ A 2 is an oxygen atom or a sulfur atom, and m is 1, 2, or 3.
(c)化合物(7)〜(11)において、 A、 A\ A2、 A3が酸素原子または硫黄原子であつ て、 nが 1であって、 pが 1または 2である化合物。 (c) In the compounds (7) to (11), A, A \ A 2 , A 3 are oxygen atoms or sulfur atoms, n is 1 and p is 1 or 2.
(d)化合物(12)、 (13)において、 A、 A1が酸素原子または硫黄原子であって、 nが 1 または 2であって、 pが 0または 1である化合物。 (d) The compound (12) or (13), wherein A and A 1 are an oxygen atom or a sulfur atom, n is 1 or 2, and p is 0 or 1.
[0074] 化合物(I)としては、 1種、または 2種以上のものが用いられる。  [0074] As compound (I), one or more compounds are used.
<化合物 (Π) >  <Compound (Π)>
化合物 (Π)は、例えば、化合物 (I)とハロゲンィ匕水素とを反応させることにより製造 することができる。  Compound (Π) can be produced, for example, by reacting compound (I) with halogenated hydrogen.
ハロゲン化水素としては、ガス状のもの、特に塩ィ匕水素ガスが好ましく用いられる。 ハロゲンィ匕水素の使用量は、化合物(I) 1モルに対して、 1モル以上であるのが好ま しい。  As the hydrogen halide, a gaseous substance, particularly a salty hydrogen gas is preferably used. The amount of halogenated hydrogen used is preferably 1 mol or more per 1 mol of compound (I).
[0075] 反応温度は、 0— 20°Cであるのが好ましい。  [0075] The reaction temperature is preferably 0 to 20 ° C.
また、化合物 (Π)は、公知の方法 [例えば、 日本ィ匕学会編「新実験化学講座 (第 14 卷)有機化合物の合成と反応 (1)」、 590— 591頁、丸善株式会社 (昭和 60年 1月 20 日)等]により合成し、入手することができる。  In addition, the compound (Π) can be prepared by a known method [for example, “New Experimental Chemistry Course (No. 14) Synthesis and Reaction of Organic Compounds (1)” edited by the Japan Society of Chemical Engineering, 590-591, Maruzen Co., Ltd. 1/20/60) etc.] and can be obtained.
化合物 (Π)の具体例としては、例えば、以下の化合物式があげられる。  Specific examples of the compound (Π) include the following compound formulas.
[0076] [化 28] [0076] [Chemical 28]
Figure imgf000020_0001
Figure imgf000020_0001
(40) (式中、 R R2、 R9、 A、 A\ A2、 A3、 m、 nおよび pは、それぞれ前記と同義である) 等の化合物があげられ、中でも、以下の化合物がより好ましい。 (40) (wherein, RR 2 , R 9 , A, A \ A 2 , A 3 , m, n and p are as defined above), among which the following compounds are More preferred.
(a)化合物(21)、 (22)において、 A、 A\ A2が酸素原子または硫黄原子であって、 mが 1、 2または 3である化合物。 (a) The compound (21) or (22), wherein A, A \ A 2 is an oxygen atom or a sulfur atom, and m is 1, 2 or 3.
(b)化合物(23)〜(26)において、 A、 A\ A2が酸素原子または硫黄原子であって、 mが 1、 2または 3である化合物。 (b) In the compounds (23) to (26), A, A \ A 2 is an oxygen atom or a sulfur atom, and m is 1, 2 or 3.
(c)化合物(27)〜(31)において、 A、 A\ A2、 A3が酸素原子または硫黄原子であ つて、 nが 1であって、 pが 1または 2である化合物。 (c) A compound in which A, A \ A 2 and A 3 are an oxygen atom or a sulfur atom, n is 1 and p is 1 or 2 in compounds (27) to (31).
(d)化合物(32)、 (33)において、 A、 A1が酸素原子または硫黄原子であって、 nが 1 または 2であって、 pが 0または 1である化合物。 (d) In the compounds (32) and (33), A and A 1 are oxygen atoms or sulfur atoms, and n is 1 Or 2. A compound wherein p is 0 or 1.
[0078] 化合物(Π)としては、 1種または 2種以上のものが用いられる。 [0078] As the compound (1), one or more compounds are used.
化合物 (I)または化合物 (Π)においては、保護体の基板への密着性等の点で、少 なくとも 1つ以上の硫黄原子を含むものが好ましい。  In the compound (I) or the compound (i), those containing at least one sulfur atom are preferable from the viewpoint of adhesion of the protector to the substrate.
また、 S (=Y) Bまたは一 S (=Y) Bにおいて、 Yは、酸素原子であるのが好まし  In S (= Y) B or S (= Y) B, Y is preferably an oxygen atom.
2  2
い。  Yes.
[0079] <ヒドロキシル基を有する化合物 >  [0079] <Compound having hydroxyl group>
ヒドロキシル基を有する化合物としては、例えば、アルコール、フエノール類等があ げられる。  Examples of the compound having a hydroxyl group include alcohols and phenols.
アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルァ ルコール、 n—ブタノール、イソブタノール、 sec ブチルアルコール、ペンタノール、 へキサノール、ヘプタノール、ォクタノール、ノナノール、デカノール、ベンジルアルコ ール等のモノアルコール、エチレングリコーノレ、 1, 3 プロピレングリコール、 1, 2- プロピレングリコール、 1, 4 ブタンジオール、 1, 3 ブタンジオール、 1, 5 ペンタ ンジオール、 3—メチルー 1, 5 ペンタンジオール、 1, 6 へキサンジオール、 1, 8 オクタンジオール、 2, 4 ジェチルー 1, 5 ペンタンジオール、 2 ブチルー 2— ェチルー 1, 3 プロパンジオール、 2, 2 ジェチルー 1, 3 プロパンジオール、ド デカンジオール、ネオペンチルグリコール、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトー ル、ジペンタエリスリトール、グリセリン等の多価アルコールがあげられる。 Examples of alcohols include monoalcohols such as methanol, ethanol, propanol, isopropyl alcohol, n -butanol, isobutanol, sec butyl alcohol, pentanol, hexanol, heptanol, octanol, nonanol, decanol, and benzyl alcohol. Ethylene glycol, 1,3 propylene glycol, 1,2-propylene glycol, 1,4 butanediol, 1,3 butanediol, 1,5 pentanediol, 3-methyl-1,5 pentanediol, 1,6 hexanediol 1,8 octanediol, 2,4 jetyl 1,5 pentanediol, 2 butyl-2-ethyl 1,3 propanediol, 2,2 jetyl 1,3 propanediol, dodecanediol, neopentyl glycol, trimethylolpropane, Penta Examples thereof include polyhydric alcohols such as erythritol, dipentaerythritol, and glycerin.
[0080] フエノール類としては、フエノール、レゾルシノール、ハイドロキノン、ピロカテコール 、ビスフエノール A、ジヒドロキシジフエ-ルメタン(ビスフエノール F)、ビスフエノール S 、テトラブロモビスフエノール A、 1, 3 ビス(4 ヒドロキシフエ-ル)シクロへキサン、 4, 4'ージヒドロキシ 3, 3,ージメチルジフエニルメタン、 4, 4'ージヒドロキシベンゾ フエノン、トリス(4—ヒドロキシフエ-ル)メタン、ビス(4 -ヒドロキシフエ-ル)エーテル 、ノボラックフエノール、ノボラッククレゾール、ビス(3, 5—ジメチルー 4—ヒドロキシフ 工 -ル)スルホン、ビス(4ーヒドロキシフエ-ル)スルホン、ヒドロキシスチレン等の低分 子フエノール化合物、ノボラック榭脂、ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレンをこ れと共重合可能な他の単量体と共重合させた共重合体等のヒドロキシル基を有する 重合体等があげられる。ヒドロキシスチレンをこれと共重合可能な他の単量体の例と しては、後述するものがあげられる。 [0080] The phenols include phenol, resorcinol, hydroquinone, pyrocatechol, bisphenol A, dihydroxydiphenol methane (bisphenol F), bisphenol S, tetrabromobisphenol A, 1,3 bis (4 hydroxyphenol). -L) cyclohexane, 4,4'-dihydroxy 3,3, -dimethyldiphenylmethane, 4,4'-dihydroxybenzophenone, tris (4-hydroxyphenol) methane, bis (4-hydroxyphenol) ) Low molecular weight phenolic compounds such as ether, novolak phenol, novolak cresol, bis (3,5-dimethyl-4-hydroxyphenol) sulfone, bis (4-hydroxyphenol) sulfone, hydroxystyrene, novolac resin, poly Hydroxystyrene, other copolymerizable with hydroxystyrene Having a hydroxyl group such as a copolymer copolymerized with other monomers Examples thereof include polymers. Examples of other monomers copolymerizable with hydroxystyrene include those described below.
[0081] ヒドロキシスチレンをこれと共重合可能な他の単量体と共重合させた共重合体にお けるヒドロキシスチレンの割合は、特に限定されないが、好ましくは、 0. 2— 90モル0 /0 、より好ましくは 0. 2— 60モル0 /0である。 [0081] The proportion of hydroxystyrene in the copolymer obtained by copolymerizing hydroxystyrene with another monomer copolymerizable therewith is not particularly limited, but is preferably 0.2-90 mol 0 / 0, more preferably 0. 2 60 mol 0/0.
ヒドロキシスチレンと共重合可能な他の単量体としては、例えば、カルボキシル基を 有する重合性不飽和単量体またはこれと共重合可能な他の単量体等があげられる。 カルボキシル基を有する重合性不飽和単量体としては、例えば、(メタ)アクリル酸、 2 ーヒドロキシメチルー 2—プロペン酸、マレイン酸、ィタコン酸、無水マレイン酸、無水 ィタコン酸等の不飽和カルボン酸またはその酸無水物があげられる。  Examples of the other monomer copolymerizable with hydroxystyrene include a polymerizable unsaturated monomer having a carboxyl group or another monomer copolymerizable therewith. Examples of the polymerizable unsaturated monomer having a carboxyl group include unsaturated carboxylic acids such as (meth) acrylic acid, 2-hydroxymethyl-2-propenoic acid, maleic acid, itaconic acid, maleic anhydride, and itaconic anhydride. An acid or its acid anhydride is mentioned.
[0082] カルボキシル基を有する重合性不飽和単量体と共重合可能な他の単量体としては 、例えば、メチル (メタ)アタリレート、ェチル (メタ)アタリレート、プロピル (メタ)アタリレ ート、ブチル (メタ)アタリレート、イソブチル (メタ)アタリレート、 tert ブチル (メタ)ァク リレート、 2—ェチルへキシル (メタ)アタリレート、ラウリル (メタ)アタリレート、ステアリル (メタ)アタリレート等の炭素数 1 18のアルコールと (メタ)アクリル酸を原料として得ら れるアルキル (メタ)アタリレート類、シクロへキシル (メタ)アタリレート、ベンジル (メタ) アタリレート、イソボル-ル (メタ)アタリレート、ァダマンチル (メタ)アタリレート等の(メ タ)アタリレート類、 2—ヒドロキシェチル (メタ)アタリレート、 2—ヒドロキシプロピル (メタ )アタリレート、モノグリセロール (メタ)アタリレート等のヒドロキシアルキル (メタ)アタリレ ート類、エチレングリコールジ(メタ)アタリレート、ブタンジオールジ (メタ)アタリレート 等のグリコールジ (メタ)アタリレート類、(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリロニトリル、ジ アセトン (メタ)アクリルアミド、ジメチルアミノエチル (メタ)アタリレート等の窒素含有単 ト、パーフルォロシクロへキシル (メタ)アタリレート等のフッ素含有ビュル系単量体、ァ リルグリシジルエーテル、(メタ)アクリル酸グリシジル等のエポキシ基を有する単量体 、スチレン、 a—メチノレスチレン、 p—メチノレスチレン、ジメチルスチレン、ジビ-ノレべ ンゼン等のスチレン系単量体、ビュルメチルエーテル、ビュルェチルエーテル、ビ- ルイソブチルエーテル等のビュルエーテル類、フマル酸、マレイン酸、無水マレイン 酸等の多塩基性不飽和カルボン酸またはそれらの一価もしくは多価アルコールのェ ステル、ァリルアルコール、ァリルアルコールエステル、塩化ビュル、塩化ビ-リデン、 トリメチロールプロパントリ(メタ)アタリレート、酢酸ビュル、プロピオン酸ビュル等があ げられる。これらの単量体は、それぞれ単独で用いてもよくまたは 2種以上組み合わ せて使用することもできる。これらの単量体は、それぞれ単独で用いてもよくまたは 2 種以上組み合わせて使用することもできる。 [0082] Examples of other monomers copolymerizable with the polymerizable unsaturated monomer having a carboxyl group include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate and propyl (meth) acrylate. , Butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, tert butyl (meth) acrylate, 2-ethyl hexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate Alkyl (meth) acrylates, cyclohexyl (meth) acrylates, benzyl (meth) acrylates, isobornyl (meth) acrylates obtained from alcohols with 1 18 carbon atoms and (meth) acrylic acid , (Meth) acrylates such as adamantyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxy Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as lopyr (meth) acrylate, monoglycerol (meth) acrylate, glycol di (meth) such as ethylene glycol di (meth) acrylate, butanediol di (meth) acrylate Nitrogen-containing units such as acrylates, (meth) acrylamide, (meth) acrylonitrile, diacetone (meth) acrylamide, dimethylaminoethyl (meth) acrylate, perfluorocyclohexyl (meth) acrylate, etc. Monomers having an epoxy group such as fluorine-containing butyl monomer, aryl glycidyl ether, glycidyl (meth) acrylate, styrene, a-methylol styrene, p-methylol styrene, dimethyl styrene, di-vinylol Styrene monomers such as Nzen, butyl methyl ether, bulet Ethers, bi - Bulle ethers such as Louis Seo ether, fumaric acid, maleic acid, maleic anhydride Esters of polybasic unsaturated carboxylic acids such as acids or their mono- or polyhydric alcohols, allylic alcohols, allylic alcohol esters, butyl chloride, vinylidene chloride, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, Examples include butyl acetate and propionate. These monomers may be used alone or in combination of two or more. These monomers may be used alone or in combination of two or more.
[0083] ポリヒドロキシスチレンとしては、化合物 (V)が好まし 、。 [0083] As polyhydroxystyrene, compound (V) is preferred.
ノボラック榭脂は、その多くは市販品として入手可能である力 例えば、 m—クレゾ ール、 ρ クレゾール、 2, 3 キシレノール、 2, 4 キシレノール、 2, 5 キシレノー ノレ、 2, 6 キシレノーノレ、 3, 4ーキシレノーノレ、 3, 5 キシレノーノレ、 2, 3, 4 卜リメ チルフエノール、 2, 3, 5 トリメチルフエノール、 3, 4, 5 トリメチルフエノール等の フエノール類と、例えば、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、フルフラル、ァセトアル デヒド等のアルデヒド類とを酸性触媒 (例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸 、 p—トルエンスルホン酸等の有機酸等)の存在下、重縮合して製造してもよい。前記 のフエノール類およびアルデヒド類はそれぞれ単独でまたは 2種以上組み合わせて 用!/、ることができる。  Most of the novolak greaves are commercially available. For example, m-cresol, ρ-cresol, 2,3 xylenol, 2,4 xylenol, 2,5 xylenore, 2,6 xylenole, 3, 4-hydroxylenole, 3, 5 xylenenole, 2, 3, 4 卜 dimethylphenol, 2, 3, 5 trimethylphenol, 3, 4, 5 These aldehydes may be produced by polycondensation in the presence of an acidic catalyst (for example, inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid, phosphoric acid, organic acids such as p-toluenesulfonic acid). The above phenols and aldehydes can be used alone or in combination of two or more.
[0084] ノボラック榭脂としては、化合物 (VI)が好まし 、。 [0084] Compound (VI) is preferred as the novolak rosin.
また、ヒドロキシル基を有する重合体としては、市販の榭脂を用いることもできる。 ヒドロキシル基を有する重合体の重量平均分子量は、 1, 000- 100, 000であるの 力 S好まし <、 1, 000- 50, 000であるの力 Sより好まし <、さらに ίま 1, 000- 20, 000で あるのがより好ましい。  Moreover, as a polymer which has a hydroxyl group, commercially available resin can also be used. The weight average molecular weight of the polymer having a hydroxyl group is 1,000 to 100,000 force S preferred <, 1,000 to 50,000 preferred force S <, and even ί 1, More preferably, it is from 000 to 20,000.
[0085] ヒドロキシル基を有する重合体は、精製して固体として用いることもできる。また、製 造の際に溶媒を使用した場合には、溶液として用いることもできる。  [0085] The polymer having a hydroxyl group can be purified and used as a solid. Further, when a solvent is used in the production, it can be used as a solution.
<カルボキシル基を有する化合物 >  <Compound with carboxyl group>
カルボキシル基を有する化合物としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、プロ ピオール酸、酪酸、イソ酪酸、へキサン酸、ヘプタン酸、ォクチル酸、ノナン酸、イソノ ナン酸、デカン酸、ドデカン酸、ステアリン酸、安息香酸、桂皮酸、 2—ナフトェ酸、二 コチン酸、イソニコチン酸、アミ二油脂肪酸、トール油脂肪酸、大豆油脂肪酸、脱水ヒ マシ油脂肪酸等のモノカルボン酸、コハク酸、ダルタル酸、アジピン酸、ァゼライン酸 、セバシン酸、ドデカンジ酸、デカメチレンジカルボキシル基を有する化合物、フタル 酸、マレイン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、テトラヒドロフタル酸、へキサヒドロフタル 酸、メチルへキサヒドロフタル酸等の多価カルボン酸、乳酸、クェン酸、ヒドロキシピバ リン酸、 12—ヒドロキシステアリン酸、リンゴ酸等のヒドロキシカルボン酸、アクリル酸、 メタクリル酸、ィタコン酸、メサコン酸、マレイン酸、フマル酸等のカルボキシル基を有 する α , j8—不飽和単量体、ポリ (メタ)アクリル榭脂等のカルボキシル基を有する重 合性不飽和単量体の単独重合体またはカルボキシル基を有する重合性不飽和単量 体とこれと共重合可能な他の単量体との共重合体、カルボキシル基を有するポリエス テル榭脂、アルキッド榭脂、ウレタン榭脂、ポリアミック酸榭脂、エポキシ榭脂、カルボ キシル基変性エポキシ榭脂等のカルボキシル基を含有する重合体等があげられ、中 でも、カルボキシル基を含有する重合性不飽和単量体の単独重合体またはカルボキ シル基を含有する重合性不飽和単量体とこれと共重合可能な他の単量体との共重 合体が好ましい。 Examples of the compound having a carboxyl group include formic acid, acetic acid, propionic acid, propiolic acid, butyric acid, isobutyric acid, hexanoic acid, heptanoic acid, octylic acid, nonanoic acid, isononanoic acid, decanoic acid, dodecanoic acid, stearin. Acid, benzoic acid, cinnamic acid, 2-naphthoic acid, nicotinic acid, isonicotinic acid, amino oil fatty acid, tall oil fatty acid, soybean oil fatty acid, Monocarboxylic acid such as mash oil fatty acid, succinic acid, dartaric acid, adipic acid, azelaic acid, sebacic acid, dodecanedioic acid, compound having decamethylene dicarboxyl group, phthalic acid, maleic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, Polyhydric carboxylic acids such as tetrahydrophthalic acid, hexahydrophthalic acid and methylhexahydrophthalic acid, hydroxycarboxylic acids such as lactic acid, citrate, hydroxypivalic acid, 12-hydroxystearic acid and malic acid, acrylic acid, methacrylic acid Α, j8-unsaturated monomer having carboxyl group such as acid, itaconic acid, mesaconic acid, maleic acid, fumaric acid, etc., polyunsaturated unsaturated monomer having carboxyl group such as poly (meth) acrylic resin Polymeric unsaturated monomers having a carboxyl group and other unsaturated monomers copolymerizable therewith Polymers containing carboxyl groups, such as copolymers with monomers, polyester resins having carboxylic groups, alkyd resins, urethane resins, polyamic acid resins, epoxy resins, carboxy group-modified epoxy resins. Among them, a homopolymer of a polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group or a polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group and other monomers copolymerizable therewith A copolymer with is preferred.
[0086] カルボキシル基を含有する重合性不飽和単量体およびこれと共重合可能な他の単 量体としては、例えば、前述のものがあげられる。これらの単量体は、それぞれ単独 で用いてもよくまたは 2種以上組み合わせて使用することもできる。  [0086] Examples of the polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group and other monomers copolymerizable therewith include those described above. These monomers may be used alone or in combination of two or more.
カルボキシル基を含有する重合性不飽和単量体の重合およびカルボキシル基を 含有する重合性不飽和単量体とこれと共重合可能な他の単量体との共重合は、公 知の方法により行うことができる。  Polymerization of a polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group and copolymerization of a polymerizable unsaturated monomer containing a carboxyl group with another monomer copolymerizable therewith are carried out by known methods. It can be carried out.
[0087] また、カルボキシル基を含有する重合体としては、市販の榭脂を用いることもできる カルボキシル基を含有する重合体におけるカルボキシル基の割合は、特に限定さ れないが、好ましくは、酸価として 20— 200、より好ましくは 40— 160である。ここで、 酸価とは、重合体 lgに含まれるカルボキシル基を中和するのに必要な水酸ィ匕カリウ ムの mg数である。  [0087] In addition, as the polymer containing a carboxyl group, a commercially available resin can also be used. The ratio of the carboxyl group in the polymer containing a carboxyl group is not particularly limited, but is preferably an acid value. 20-200, more preferably 40-160. Here, the acid value is the number of mg of sodium hydroxide required to neutralize the carboxyl group contained in the polymer lg.
[0088] カルボキシル基を含有する重合体の重量平均分子量は、好ましくは、 1, 000- 10 0, 000であり、より好まし <は 3, 000- 50, 000であり、さらに好まし <は 3, 000— 3 0, 000である。 [0088] The weight average molecular weight of the polymer containing a carboxyl group is preferably 1,000 to 100,000, more preferably <is 3,000 to 50,000, and further preferably <is 3, 000— 3 0,000.
カルボキシル基を有する化合物としては、化合物 (VII)が好ましい。  As the compound having a carboxyl group, compound (VII) is preferred.
カルボキシル基を含有する重合体は、精製して固体として用いることもできる。また 、製造の際に溶媒を使用した場合には、溶液として用いることもできる。  The polymer containing a carboxyl group can be purified and used as a solid. Further, when a solvent is used in the production, it can be used as a solution.
[0089] <化合物(I)または化合物(Π)を含むヒドロキシル基またはカルボキシル基の保護 剤 >  [0089] <Protecting agent for hydroxyl group or carboxyl group containing compound (I) or compound (Π)>
化合物 (I)または化合物 (Π)は、ヒドロキシル基を有する化合物のヒドロキシル基ま たはカルボキシル基を有する化合物のカルボキシル基と容易に反応し、化合物 (III) または化合物 (IV)となる。また、化合物 (I)または化合物 (Π)に由来する部分構造は 、化合物 (ΠΙ)または化合物 (IV)から容易に脱離し、化合物 (III)力 ヒドロキシル基 力 または化合物 (IV)からカルボキシル基が再生する。したがって、化合物 (I)また は化合物 (Π)はヒドロキシル基またはカルボキシル基の保護剤として有用である。  Compound (I) or Compound (IV) easily reacts with the hydroxyl group of a compound having a hydroxyl group or the carboxyl group of a compound having a carboxyl group to give Compound (III) or Compound (IV). In addition, the partial structure derived from the compound (I) or the compound (Π) is easily detached from the compound (ΠΙ) or the compound (IV), and the carboxyl group is removed from the compound (III) force hydroxyl group force or compound (IV). Reproduce. Therefore, Compound (I) or Compound (Π) is useful as a hydroxyl group or carboxyl group protecting agent.
[0090] <化合物 (I)を用いるヒドロキシル基またはカルボキシル基の保護方法 > <Method for protecting hydroxyl group or carboxyl group using compound (I)>
化合物 (I)を用いるヒドロキシル基またはカルボキシル基の保護方法は、それぞれ 化合物 (ΠΙ)または化合物 (IV)の製造法でもある。  The method for protecting a hydroxyl group or a carboxyl group using compound (I) is also a method for producing compound (IV) or compound (IV), respectively.
化合物 (I)を、ヒドロキシル基を有する化合物またはカルボキシル基を有する化合 物と反応させることにより、ヒドロキシル基またはカルボキシル基を保護することができ る。  By reacting compound (I) with a compound having a hydroxyl group or a compound having a carboxyl group, the hydroxyl group or the carboxyl group can be protected.
[0091] ヒドロキシル基を有する化合物またはカルボキシル基を有する化合物に対する化合 物 (I)の当量比(モル比)は、特に限定されないが、ヒドロキシル基を有する化合物ま たはカルボキシル基を有する化合物における置換の対象となるヒドロキシル基または カルボキシル基 1モルに対して、 0. 9— 2モルであるのが好ましぐさらには 0. 9- 1. 5モルであるのが好ましぐさらには 1— 1. 2モルであるのがより好ましい。  [0091] The equivalent ratio (molar ratio) of the compound (I) to the compound having a hydroxyl group or the compound having a carboxyl group is not particularly limited, but the substitution ratio in the compound having a hydroxyl group or the compound having a carboxyl group is not limited. It is preferably 0.9-2 mol, more preferably 0.9-1.5 mol, and more preferably 1-1. Two moles are more preferred.
[0092] 反応温度は、 0— 150°Cであるのが好ましぐさらには 0— 100°Cであるのが好ましく 、さらには 0— 50°Cであるのがより好ましい。 [0092] The reaction temperature is preferably 0 to 150 ° C, more preferably 0 to 100 ° C, and further preferably 0 to 50 ° C.
化合物 (I)を用いる場合、反応を促進する目的で酸触媒を使用するのが好まし ヽ。 酸触媒としては、特に限定はされず、例えば、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸 、 p—トルエンスルホン酸等の有機酸等があげられ、中でも、 p—トルエンスルホン酸 が好ましい。酸触媒としては、 1種、または 2種以上のものが用いられる。酸触媒の添 加量は、特に限定されないが、原料となるヒドロキシル基を有する化合物に対して、 0 . 0001 -0. 5当量(モル比)であるの力 子ましく、 0. 001— 0. 1当量(モル比)であ るのがより好ましい。本発明の製造法においては、どのような酸触媒を使用しても、副 反応が少なぐ高収率で目的物を製造することができる。また、必要に応じて、有機 溶媒を使用してもよい。該有機溶媒としては、例えば、へキサン、トルエン、キシレン 等の炭化水素系溶媒、ジォキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル系溶媒、アセトン 、メチルェチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等があげられ、 1種ま たは 2種以上のものが用いられる。 When using compound (I), it is preferable to use an acid catalyst for the purpose of accelerating the reaction. The acid catalyst is not particularly limited, and examples thereof include inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, nitric acid and phosphoric acid, and organic acids such as p-toluenesulfonic acid. Among them, p-toluenesulfonic acid Is preferred. One or two or more acid catalysts are used. The amount of the acid catalyst to be added is not particularly limited, but is preferably 0.0001 to 0.5 equivalent (molar ratio) relative to the raw material compound having a hydroxyl group. 1 equivalent (molar ratio) is more preferable. In the production method of the present invention, the target product can be produced in a high yield with few side reactions regardless of which acid catalyst is used. Moreover, you may use an organic solvent as needed. Examples of the organic solvent include hydrocarbon solvents such as hexane, toluene and xylene, ether solvents such as dioxane and tetrahydrofuran, ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone, and the like. One or more types are used.
[0093] 反応終了後、必要に応じて水洗、蒸留等の公知の手法により精製し、化合物 (III) または化合物 (IV)を得ることもできる。 [0093] After completion of the reaction, compound (III) or compound (IV) can also be obtained by purification by a known method such as washing with water or distillation as necessary.
<化合物 (Π)を用いるヒドロキシル基またはカルボキシル基の保護方法 > 化合物 (Π)を用いるヒドロキシル基またはカルボキシル基の保護方法は、それぞれ 化合物 (ΠΙ)または化合物 (IV)の製造法でもある。  <Method for protecting hydroxyl group or carboxyl group using compound (基)> The method for protecting hydroxyl group or carboxyl group using compound (Π) is also a method for producing compound (ΠΙ) or compound (IV), respectively.
[0094] 化合物 (Π)を、ヒドロキシル基を有する化合物またはカルボキシル基を有する化合 物と反応させることにより、ヒドロキシル基またはカルボキシル基を保護することができ る。 [0094] By reacting the compound (保護) with a compound having a hydroxyl group or a compound having a carboxyl group, the hydroxyl group or the carboxyl group can be protected.
化合物 (Π)を用いる場合、ヒドロキシル基を有する化合物またはカルボキシル基を 有する化合物に対する化合物 (Π)の当量比 (モル比)は、特に限定されないが、ヒド 口キシル基を有する化合物またはカルボキシル基を有する化合物における置換の対 象となるヒドロキシル基またはカルボキシル基 1モルに対して、 1 10モルであるのが 好ましぐさらには 1 5モルであるのが好ましぐ 2— 4モルであるのがより好ましい。  When the compound (Π) is used, the equivalent ratio (molar ratio) of the compound (Π) to the compound having a hydroxyl group or the carboxyl group is not particularly limited, but the compound having a hydroxyl group or the carboxyl group is contained. 1 mol per mole of hydroxyl group or carboxyl group to be substituted in the compound is preferably 10 mol, more preferably 15 mol, more preferably 2-4 mol. preferable.
[0095] 反応温度は、 0—100°Cであるのが好ましぐさらには 0— 50°Cであるのが好ましぐ 0— 20°Cであるのがより好まし!/、。 [0095] The reaction temperature is preferably 0-100 ° C, more preferably 0-50 ° C, more preferably 0-20 ° C! /.
化合物 (Π)を用いる場合、反応系に塩基を添加するのが好ま 、。該塩基としては 、特に限定はされないが、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機塩基、 ェチルァミン、ジェチルァミン、トリェチルァミン等の有機塩基等があげられ、中でも、 トリェチルァミンが好ましい。塩基の添加量は、特に限定されないが、化合物 (Π) 1モ ルに対して、 1— 10モルであるのが好ましぐ 1—3モルであるのがより好ましい。また 、必要に応じて、有機溶媒を使用してもよい。該有機溶媒としては、例えば、へキサン 、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジォキサン、テトラヒドロフラン等のエーテ ル系溶媒、アセトン、メチルェチルケトン、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、 Ν,Ν—ジメチルァセトアミド、 Ν,Ν—ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の 非プロトン性極性溶媒等があげられ、 1種または 2種以上のものが用いられる。 When using compound (Π), it is preferable to add a base to the reaction system. The base is not particularly limited, and examples thereof include inorganic bases such as sodium hydroxide and potassium hydroxide, and organic bases such as ethylamine, jetylamine, and triethylamine, among which triethylamine is preferable. The amount of the base added is not particularly limited, but the compound (化合物) 1 mol It is more preferably 1 to 3 mol, more preferably 1 to 3 mol per mol. Moreover, you may use an organic solvent as needed. Examples of the organic solvent include hydrocarbon solvents such as hexane, toluene and xylene; ether solvents such as dioxane and tetrahydrofuran; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone and methyl isobutyl ketone; Examples include aprotic polar solvents such as dimethylacetamide, Ν, Ν-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, etc., and one or more are used.
[0096] 反応終了後、必要に応じて水洗、蒸留等の公知の手法により精製し、化合物 (III) または化合物 (IV)を得ることもできる。 [0096] After completion of the reaction, the compound (III) or the compound (IV) can also be obtained by purification by a known method such as washing with water or distillation as necessary.
化合物 (ΠΙ)または化合物 (IV)が、重合性不飽和二重結合を有する化合物である 場合、必要に応じて、公知の方法により、単独、または、他の重合性不飽和単量体と 重合させてもよい。  When compound (IV) or compound (IV) is a compound having a polymerizable unsaturated double bond, if necessary, it is polymerized alone or with other polymerizable unsaturated monomers by a known method. You may let them.
[0097] また、化合物 (III)または化合物 (IV)は、耐熱性に優れ、高 、転移点を有する。  [0097] In addition, compound (III) or compound (IV) is excellent in heat resistance and has a high transition point.
<脱離方法 >  <Desorption method>
保護基の脱離方法としては、化合物 (ΠΙ)または化合物 (IV)を熱または酸で処理 する方法があげられる。  Examples of the method for removing the protecting group include a method of treating compound (IV) or compound (IV) with heat or acid.
[0098] 熱で処理する場合、 160— 250°Cで行われるのが好ましい。  [0098] When heat treatment is performed, it is preferably performed at 160 to 250 ° C.
酸で処理する場合、使用される酸としては、硫酸、塩酸、 p—トルエンスルホン酸等 があげられ、中でも、 p—トルエンスルホン酸が好ましい。酸の使用量は、脱離させる 化合物 (I)または化合物 (Π)に由来する構造 1モルに対して、 0. 01— 50モルである のが好ましい。酸で処理する際の温度は、 80—160°Cであるのが好ましい。酸で処 理する際には、水を加えてもよい。水の使用量は、化合物 (III)または化合物 (IV)に 対して、 0. 1— 100重量%であるのが好ましい。また、水を加えた場合、酸で処理す る際の温度は、 20— 80°Cであるのが好ましい。  In the case of treatment with an acid, examples of the acid to be used include sulfuric acid, hydrochloric acid, p-toluenesulfonic acid and the like, and among them, p-toluenesulfonic acid is preferable. The amount of the acid used is preferably 0.01 to 50 mol with respect to 1 mol of the structure derived from the compound (I) or compound (Π) to be eliminated. The temperature during the treatment with the acid is preferably 80-160 ° C. Water may be added when treating with acid. The amount of water used is preferably 0.1 to 100% by weight with respect to compound (III) or compound (IV). In addition, when water is added, the temperature during the treatment with acid is preferably 20 to 80 ° C.
[0099] 化合物 (I)または化合物 (II)に由来する構造を脱離させる場合、有機溶媒を使用し てもよい。該有機溶媒としては前記と同様のものがあげられ、その使用量は、化合物 (III)または化合物(IV)に対して 10— 100重量%であるのが好ましぐ 20— 95重量 %であるのがより好ましい。  [0099] When the structure derived from compound (I) or compound (II) is eliminated, an organic solvent may be used. Examples of the organic solvent are the same as described above, and the amount used is preferably 10 to 100% by weight with respect to compound (III) or compound (IV), preferably 20 to 95% by weight. Is more preferable.
また、化合物 (ΠΙ)または化合物 (IV)と光酸発生剤を共存させ、光酸発生剤に放射 線等を照射し、酸を発生させて、脱保護をして、ヒドロキシル基またはカルボキシル基 を再生することちできる。 In addition, compound (IV) or compound (IV) and a photoacid generator coexist to emit light to the photoacid generator. It is possible to regenerate the hydroxyl group or the carboxyl group by irradiating a line or the like, generating an acid, deprotecting it.
[0100] 以上のように、化合物 (I)または化合物 (Π)は、ヒドロキシル基を有する化合物のヒド 口キシル基またはカルボキシル基を有する化合物のカルボキシル基の保護および脱 保護に利用できる。したがって、化合物 (ΠΙ)または化合物 (IV)は、化学増幅型レジ スト組成物等の構成成分として使用することができる。  [0100] As described above, the compound (I) or the compound (で き る) can be used for the protection and deprotection of the carboxyl group of the compound having a hydroxyl group or the hydroxyl group of the compound having a hydroxyl group. Therefore, compound (IV) or compound (IV) can be used as a component of a chemically amplified resist composition or the like.
<化学増幅型レジスト組成物 >  <Chemically amplified resist composition>
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、重量平均分子量 1, 000- 100, 000であ る化合物 (ΠΙ)または化合物 (IV) (以下、ベースポリマーと表現することもある)と、光 酸発生剤を含有し、好ましくは、化合物 (V)のヒドロキシル基が一般式 (ΠΙ)で表され る基で置換されたポリヒドロキシスチレン誘導体、化合物 (VI)のヒドロキシル基が一般 式 (ΠΙ)で表される基で置換されたノボラック榭脂誘導体または化合物 (VII)のカルボ キシル基が一般式 (IV)で置換されたポリ (メタ)アクリル榭脂と、光酸発生剤を含有す る。  The chemically amplified resist composition of the present invention comprises a compound (ΠΙ) or compound (IV) (hereinafter sometimes referred to as a base polymer) having a weight average molecular weight of 1,000-100,000, and photoacid generation. Preferably, the polyhydroxystyrene derivative in which the hydroxyl group of the compound (V) is substituted with a group represented by the general formula (ΠΙ), and the hydroxyl group of the compound (VI) is represented by the general formula (ΠΙ). And a poly (meth) acrylic resin in which the carboxyl group of compound (VII) is substituted with the general formula (IV), and a photoacid generator.
[0101] ベースポリマーは、化合物(ΠΙ)または化合物(IV)の、その一部のヒドロキシル基ま たはカルボキシル基力 一般式 (ΠΙ)で表される基または一般式 (IV)で表される基で 置換されていなくてもよい。  [0101] The base polymer is represented by the group represented by the general formula (ΠΙ) or the general formula (IV) of the hydroxyl group or carboxyl group power of the compound (ΠΙ) or the compound (IV). It may not be substituted with a group.
ベースポジマーの重量平均分子量は、 1, 000- 100, 000であり、好まし <は 1, 00 0- 50, 000であり、より好まし <は 1, 000- 30, 000である。  The weight average molecular weight of the base positive mer is 1,000 to 100,000, preferably <100,000 to 50,000, more preferably <1,000 to 30,000.
[0102] <光酸発生剤 > [0102] <Photoacid generator>
光酸発生剤としては、スルホ -ゥム塩、ョードニゥム塩、スルホ-ルジァゾメタン、 N Photoacid generators include sulfo-um salt, ododonium salt, sulfo-diazomethane, N
—スルホニルォキシィミノまたはイミド型酸発生剤、ベンゾインスルホネート型光酸発 生剤、ピロガロールトリスルホネート型光酸発生剤、ニトロべンジルスルホネート型光 酸発生剤、スルホン型光酸発生剤、ダリオキシム誘導体型の光酸発生剤等があげら れ、中でも、スルホ -ゥム塩、ョード -ゥム塩、スルホ-ルジァゾメタン、 N—スルホ- ルォキシィミノまたはイミド型酸発生剤等が好ましい。 —Sulphonyloxyimido or imide type acid generator, benzoin sulfonate type photoacid generator, pyrogallol trisulfonate type photoacid generator, nitrobenzyl sulfonate type photoacid generator, sulfone type photoacid generator, darioxime Derivative-type photoacid generators and the like can be mentioned, and among them, sulfo-um salt, iodine-um salt, sulfo-diazomethane, N-sulfo-oxyximino, imide-type acid generator and the like are preferable.
[0103] スルホ -ゥム塩は、スルホ-ゥムカチオンとスルホネートの塩である。スルホ -ゥム力 チオンとしては、例えば、トリフエ-ルスルホ-ゥム、(4 tert ブトキシフエ-ル)ジ フエ-ノレスノレホニゥム、ビス(4— tert—ブトキシフエ-ノレ)フエ-ノレスノレホニゥム、トリス (4 - tert -ブトキシフエ-ル)スルホ-ゥム、( 3 - tert -ブトキシフエ-ル)ジフエニル スルホ-ゥム、ビス(3— tert—ブトキシフエ-ル)フエ-ルスルホ-ゥム、トリス(3— ter t ブトキシフエ-ル)スルホ-ゥム、(3, 4—ジ tert—ブトキシフエ-ル)ジフエ-ルス ルホ-ゥム、ビス(3, 4—ジ tert ブトキシフエ-ル)フエ-ルスルホ-ゥム、トリス(3, 4 -ジ tert -ブトキシフエ-ル)スルホ-ゥム、ジフエニル(4 -チオフエノキシフエ-ル )スルホ-ゥム、(4 tert ブトキシカルボ-ルメチルォキシフエ-ル)ジフエ-ルスル ホ-ゥム、トリス(4 tert ブトキシカルボ-ルメチルォキシフエ-ル)スルホ-ゥム、( 4— tert ブトキシフエ-ル)ビス(4—ジメチルァミノフエ-ル)スルホユウム、トリス(4 —ジメチルァミノフエ-ル)スルホ-ゥム、 2—ナフチルジフエ-ルスルホ-ゥム、ジメチ ルー 2 ナフチルスルホ-ゥム、 4ーヒドロキシフエ-ルジメチルスルホ-ゥム、 4ーメト キシフエ-ルジメチルスルホ-ゥム、トリメチルスルホ-ゥム、 2—ォキソシクロへキシル シクロへキシルメチルスルホ-ゥム、トリナフチルスルホ-ゥム、トリベンジルスルホ -ゥ ム等があげられる。スルホネートとしては、例えば、トリフルォロメタンスルホネート、ノ ナフルォロブタンスルホネート、ヘプタデカフルォロオクタンスルホネート、 2, 2, 2- トリフルォロェタンスルホネート、ペンタフルォロベンゼンスルホネート、 4 トリフルォ ロメチノレベンゼンスノレホネート、 4ーフノレオ口ベンゼンスノレホネート、トノレエンスノレホネ ート、ベンゼンスルホネート、 4一(4 トルエンスルホ -ルォキシ)ベンゼンスルホネ ート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシ ルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等があげられる。 ョードニゥム塩は、ョードニゥムカチオンとスルホネートの塩である。ョードニゥムカチ オンとしては、例えば、ジフエ-ルョードニゥム、ビス(4 tert ブチルフエ-ル)ョー ドニゥム、(4— tert—ブトキシフエ-ル)フエ-ルョードニゥム、(4—メトキシフエ-ル) フエ-ルョードニゥム等のァリールョードニゥムカチオン等があげられる。スルホネート としては、例えば、トリフルォロメタンスルホネート、ノナフルォロブタンスルホネート、 ヘプタデカフルォロオクタンスルホネート、 2, 2, 2—トリフルォロェタンスルホネート、 ペンタフルォロベンゼンスルホネート、 4 トリフルォロメチルベンゼンスルホネート、 4 ーフノレオ口ベンゼンスノレホネート、トノレエンスノレホネート、ベンゼンスノレホネート、 4 (4 トルエンスルホ -ルォキシ)ベンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カン ファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンス ルホネート、メタンスルホネート等があげられる。 [0103] The sulfo-um salt is a salt of a sulfo-cation and a sulfonate. Sulfo-sulfur power Thiones include, for example, triphenyl sulfone, (4 tert-butoxyphenyl) dithiol. Hue-Nolesnorephonium, Bis (4-tert-Butoxyphene-Nole) Hue-Nolesnorehonium, Tris (4-Tert-Butoxyphene) sulfo-um, (3-Tert-Butoxyphene- ) Diphenyl sulfone, bis (3-tert-butoxyphenyl) phenol sulfone, tris (3-tert-butoxyphenyl) sulfo-sulfur, (3,4-di-tert-butoxyphenol) ) Diphenyl, bis (3,4-di-tert-butoxyphenyl) phenol sulfone, tris (3,4-di-tert-butoxyphenol) sulfo-sulfur, diphenyl (4 -Thiophenoxyphenyl) sulfol, (4 tert-butoxycarboxylmethyloxyphenyl) diphenylsulfur, tris (4 tert-butoxycarboxylmethyloxyphenyl) ) Sulfone, (4-tert butoxyphenol) bis (4-dimethylaminophenol) sulfone , Tris (4-dimethylaminophenol) sulfone, 2-naphthyl diphenyl sulfone, dimethyl 2-naphthyl sulfone, 4-hydroxyphenol dimethyl sulfone, 4-methoxyphenol Examples thereof include dimethyl sulfone, trimethyl sulfone, 2-oxocyclohexyl cyclohexyl methyl sulfone, trinaphthyl sulfone, tribenzyl sulfone and the like. Examples of the sulfonate include trifluoromethane sulfonate, nonafluorobutane sulfonate, heptadecafluorooctane sulfonate, 2, 2, 2-trifluoroethane sulfonate, pentafluorobenzene sulfonate, 4 trifluoromethylolene. Benzene sulphonate, 4-fluorobenzene benzene sulphonate, tonolene sulphonate, benzene sulphonate, 4-1 (4-toluene sulpho-loxy) benzene sulphonate, naphthalene sulphonate, camphor sulphonate, octane sulphonate, dodecyl benzene Examples thereof include sulfonate, butane sulfonate, methane sulfonate and the like. Jordonium salt is a salt of odonium cation and sulfonate. For example, dihydro-deuterium, bis (4 tert-butyl-feole) feudon, (4-tert-butoxy-feule) fe-ureo-de-neum, (4-methoxy-feole) feoleo-de-neum, etc. For example, a danium cation. Examples of sulfonates include trifluoromethane sulfonate, nonafluorobutane sulfonate, heptadecafluorooctane sulfonate, 2, 2, 2-trifluoroethane sulfonate, pentafluorobenzene sulfonate, 4 trifluoromethyl. Benzene sulfonate, 4-phenolobenzene benzene sulfonate, tonole sulfonate, benzene sulfonate, 4 (4 Toluenesulfo-loxy) benzenesulfonate, naphthalenesulfonate, camphorsulfonate, octanesulfonate, dodecylbenzenesulfonate, butanesulfonate, methanesulfonate and the like.
[0105] スルホ-ルジァゾメタンとしては、例えば、ビス(ェチルスルホ -ル)ジァゾメタン、ビ ス(1 メチルプロピルスルホ -ル)ジァゾメタン、ビス(2—メチルプロピルスルホ -ル) ジァゾメタン、ビス( 1 , 1—ジメチルェチルスルホ -ル)ジァゾメタン、ビス(シクロへキ シルスルホ -ル)ジァゾメタン、ビス(パーフルォロイソプロピルスルホ -ル)ジァゾメタ ン、ビス(フエ-ルスルホ -ル)ジァゾメタン、ビス(4—メチルフエ-ルスルホ -ル)ジァ ゾメタン、ビス(2, 4 ジメチルフエ-ルスルホ -ル)ジァゾメタン、ビス(2 ナフチル スルホニル)ジァゾメタン、 (4—メチルフエ-ル)スルホ-ルベンゾィルジァゾメタン、 ( tert ブチルカルボ-ル)一(4 メチルフエ-ルスルホ -ル)ジァゾメタン、 (2 ナフ チルスルホ -ル)ベンゾィルジァゾメタン、 (4 メチルフエ-ルスルホ -ル)一(2 ナ フトイル)ジァゾメタン、メチルスルホ -ルベンゾィルジァゾメタン、 (tert—ブトキシカ ルボニル) - (4—メチルフエ-ルスルホ -ル)ジァゾメタン等のビススルホ-ルジァゾ メタン、スルホ-ルカルボ-ルジァゾメタン等があげられる。  [0105] Examples of the sulfo-diazomethane include bis (ethylsulfol) diazomethane, bis (1-methylpropylsulfol) diazomethane, bis (2-methylpropylsulfol) diazomethane, and bis (1,1-dimethyl). Ethylsulfo) diazomethane, bis (cyclohexylsulfol) diazomethane, bis (perfluoroisopropylsulfol) diazomethane, bis (phenolsulfol) diazomethane, bis (4-methylphenolsulfo) -L) diazomethane, bis (2,4 dimethylphenylsulfol) diazomethane, bis (2 naphthylsulfonyl) diazomethane, (4-methylphenol) sulfolbenzoyldiazomethane, (tert butyl carbonate) ) One (4 methyl phenol sulfo) diazomethane, (2 Naph thyl sulfo) benzoyl diazo Bissulfol-diazo such as methane, (4-methylphenylsulfol) mono (2-naphthoyl) diazomethane, methylsulfol-benzoyldiazomethane, (tert-butoxycarbonyl)-(4-methylphenolsulfol) diazomethane Examples thereof include methane and sulfocarbodiazomethane.
[0106] N スルホ -ルォキシィミノ型光酸発生剤としては、例えば、 [5—(4 メチルフエ- ルスルホ -ルォキシィミノ)—5H チォフェン— 2—イリデン] - (2—メチルフエ-ル) ァセトニトリル、 (5 プロピルスルホニルォキシィミノ 5H チォフェン— 2 イリデ ン)―(2—メチルフエ-ル)ァセトニトリル、 (5—カンファースルホ -ルォキシィミノ 5 H チォフェン一 2—イリデン) - (2—メチルフエ-ル)ァセトニトリル、 2— (9—カンフ アースルホ -ルォキシィミノ) - 2- (4—メトキシフエ-ル)ァセトニトリル、 2— (4—メ チルフエ-ルスルホ -ルォキシィミノ)—2 フエ-ルァセトニトリル、 2— (4—メチルフ ェニルスルホ -ルォキシィミノ) - 2- (4—メトキシフエ-ル)ァセトニトリル(PAI— 10 1、みどり化学株式会社製)等があげられる。  [0106] Examples of N sulfo-luoximino-type photoacid generators include [5- (4 methylphenylsulfo-luoxyimino) -5H thiophene-2-ylidene]-(2-methylphenol) acetonitrile, (5 propylsulfonyl) Oxyimino 5H thiophene-2-ylidene)-(2-methylphenol) acetonitrile, (5-camphorsulfo-oxyximino 5 H thiophene-2-ylidene)-(2-methylphenol) acetonitrile, 2— (9 —Camphorsulfo-Luximino)-2- (4-Methoxyphenyl) acetonitrile, 2— (4-Methylphenylsulfo-Luximino) —2 Phenylacetonitrile, 2— (4-Methylphenylsulfo-Luximino)-2- ( 4-methoxyphenyl) acetonitrile (PAI-101, manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.) and the like.
[0107] N—スルホニルォキシイミド型光酸発生剤としては、例えば、コハク酸イミド、ナフタ レンジカルボン酸イミド、フタル酸イミド、シクロへキシルジカルボン酸イミド、 5—ノル ボルネン一 2, 3 ジカルボン酸イミド、 7—ォキサビシクロ [2. 2. 1]— 5 ヘプテン —2, 3—ジカルボン酸イミド等のイミド骨格とトリフルォロメタンスルホネート、ノナフル ォロブタンスルホネート、ヘプタデカフルォロオクタンスルホネート、 2, 2, 2—トリフル ォロェタンスルホネート、ペンタフルォロベンゼンスルホネート、 4 トリフルォロメチル ベンゼンスノレホネート、 4ーフノレオ口ベンゼンスノレホネート、トノレエンスノレホネート、ベ ンゼンスルホネート、ナフタレンスルホネート、カンファースルホネート、オクタンスルホ ネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホネート等の 組み合わせ力 なる化合物等があげられる。 [0107] Examples of the N-sulfonyloxyimide-type photoacid generator include succinimide, naphthalene dicarboxylic imide, phthalic imide, cyclohexyl dicarboxylic imide, 5-norbornene 1,2,3 dicarboxylic acid Imido, 7-oxabicyclo [2. 2. 1] — 5 Heptene —2, 3-dicarboxylic imide and other imide skeletons, trifluoromethanesulfonate, and nonaflu Olobutane sulfonate, heptadecafluorooctane sulfonate, 2, 2, 2-trifluoroethane sulfonate, pentafluorobenzene sulfonate, 4 trifluoromethyl benzene sulphonate, 4-fluoro benzene sulphonate, Examples thereof include compounds having a combination force such as tonorenosulfonate, benzenesulfonate, naphthalenesulfonate, camphorsulfonate, octanesulfonate, dodecylbenzenesulfonate, butanesulfonate, methanesulfonate, and the like.
[0108] ベンゾインスルホネート型光酸発生剤としては、例えば、ベンゾイントシレート、ベン ゾインメシレート、ベンゾインブタンスルホネート等があげられる。 [0108] Examples of the benzoin sulfonate photoacid generator include benzoin tosylate, benzoin mesylate, and benzoin butane sulfonate.
ピロガロールトリスルホネート型光酸発生剤としては、例えば、ピロガロール、フロロ グリシン、カテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン等のヒドロキシル基の全てをトリフ ルォロメタンスルホネート、ノナフルォロブタンスルホネート、ヘプタデカフルォロオタ タンスルホネート、 2, 2, 2—トリフルォロェタンスルホネート、ペンタフルォロベンゼン スルホネート、 4 トリフルォロメチルベンゼンスルホネート、 4ーフノレオ口ベンゼンス ノレホネート、トノレエンスノレホネート、ベンゼンスノレホネート、ナフタレンスノレホネート、力 ンファースルホネート、オクタンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタン スルホネート、メタンスルホネート等で置換した化合物等があげられる。  Examples of pyrogallol trisulfonate photoacid generators include, for example, all of hydroxyl groups such as pyrogallol, fluoroglycine, catechol, resorcinol, hydroquinone, trifluoromethanesulfonate, nonafluorobutanesulfonate, heptadecafluorootatansulfonate. 2, 2, 2-trifluoroethane sulfonate, pentafluorobenzene sulfonate, 4 trifluoromethylbenzene sulfonate, 4-phenolobenzene benzene sulfonate, tonolene sulfonate, benzene sulfonate, naphthalene sulfonate Examples thereof include compounds substituted with strong phosphor sulfonate, octane sulfonate, dodecyl benzene sulfonate, butane sulfonate, methane sulfonate, and the like.
[0109] ニトロべンジルスルホネート型光酸発生剤としては、例えば、 2, 4ージニトロべンジ ノレスノレホネート、 2 -トロベンジノレスノレホネート、 2, 6 ジニトロべンジノレスノレホネー ト等があげられ、スルホネートとしては、具体的には、トリフルォロメタンスルホネート、 ノナフルォロブタンスルホネート、ヘプタデカフルォロオクタンスルホネート、 2, 2, 2 トリフルォロェタンスルホネート、ペンタフルォロベンゼンスルホネート、 4 トリフル ォロメチノレベンゼンスノレホネート、 4ーフノレオ口ベンゼンスノレホネート、トノレエンスノレホ ネート、ベンゼンスノレホネート、ナフタレンスノレホネート、カンファースノレホネート、オタ タンスルホネート、ドデシルベンゼンスルホネート、ブタンスルホネート、メタンスルホ ネート等があげられる。またべンジル側の-トロ基をトリフルォロメチル基で置き換え た化合物も同様に用いることができる。 [0109] Examples of the nitrobenzil sulfonate photoacid generator include 2,4-dinitrobenzenolesnolefonate, 2-trobenzinoresnolefonate, and 2,6 dinitrobenzenolesnorefo. Specific examples of sulfonates include trifluoromethane sulfonate, nonafluorobutane sulfonate, heptadecafluorooctane sulfonate, 2, 2, 2 trifluoroethane sulfonate, and pentafluoro. Benzenesulfonate, 4-trifluoromethylenobenzenebenzenesulfonate, 4-phenolobenzene benzenesulfonate, tonorenosulfonate, benzenesulfonate, naphthalenesulfonate, camphorssulfonate, otatansulfonate, dodecylbenzene Sulfonate, butane sulfonate, methanesulfur Sulfonate, and the like. A compound in which the -tro group on the benzyl side is replaced with a trifluoromethyl group can also be used in the same manner.
[0110] スルホン型光酸発生剤としては、例えば、ビス(フエ-ルスルホ -ル)メタン、ビス(4 —メチルフエ-ルスルホ -ル)メタン、ビス(2—ナフチルスルホ -ル)メタン、 2, 2—ビ ス(フエ-ルスルホ -ル)プロノ ン、 2, 2 ビス(4 -メチルフエ-ルスルホ -ル)プロパ ン、 2, 2—ビス(2—ナフチルスルホ -ル)プロパン、 2—メチル—2— (p トルエンス ルホ -ル)プロピオフエノン、 2— (シクロへキシルカルボ-ル)—2— (p トルエンス ルホ -ル)プロパン、 2, 4 ジメチルー 2— (p トルエンスルホ -ル)ペンタン— 3— オン等があげられる。 [0110] Examples of the sulfone-type photoacid generator include bis (phenolsulfol) methane, bis (4-methylphenolsulfurol) methane, bis (2-naphthylsulfol) methane, 2, 2 —Bi (Phenylsulfur) pronone, 2,2bis (4-methylphenolsulfol) propan, 2,2-bis (2-naphthylsulfol) propane, 2-methyl-2- (p Toluenesulfol) propiophenone, 2- (cyclohexylcyclohexyl) -2- (ptoluenesulfol) propane, 2,4 dimethyl-2- (ptoluenesulfol) pentane-3-one, etc. can give.
[0111] ダリオキシム誘導体型の光酸発生剤としては、例えば、ビス— O— (p トルエンス ルホ -ル) - a—ジメチルダリオキシム、ビス— O— (p トルエンスルホル) α ジ フエニルダリオキシム、ビス— Ο— (ρ トルエンスルホ -ル) ひ—ジシクロへキシル グリオキシム、ビス一 Ο— (ρ トルエンスルホ -ル) 2, 3 ペンタンジオングリオキ シム、ビス一 Ο— (ρ トルエンスルホ -ル) 2—メチル 3, 4 ペンタンジオングリ ォキシム、ビス Ο—(η ブタンスノレホニノレ) aージメチノレグリオキシム、ビス O - (n—ブタンスルホ -ル) α—ジフエ-ルグリオキシム、ビス一 Ο— (η—ブタンス ルホニル) - α—ジシクロへキシルグリオキシム、ビス一 O— (n—ブタンスルホ -ル) - 2, 3 ペンタンジオングリオキシム、ビス一 O— (n—ブタンスルホ -ル) 2—メチ ルー 3, 4—ペンタンジオングリオキシム、ビス一 O— (メタンスルホ -ル) α—ジメチ ルグリオキシム、ビス— Ο— (トリフルォロメタンスルホ -ル) OC—ジメチルダリオキシ ム、ビス— Ο— ( 1 , 1 , 1—トリフルォロェタンスルホ -ル)— α—ジメチルダリオキシム 、ビス— O— (tert—ブタンスルホ -ル) at—ジメチルダリオキシム、ビス— O— (パ 一フルォロオクタンスルホ -ル) α—ジメチルダリオキシム、ビス Ο (シクロへキ シルスルホニル) - α—ジメチルダリオキシム、ビス— O— (ベンゼンスルホ -ル) a—ジメチルダリオキシム、ビス— O— (p フルォロベンゼンスルホ -ル) α ジメ チルダリオキシム、ビス— O— (p— tert ブチルベンゼンスルホ -ル) α—ジメチ ルグリオキシム、ビス— Ο— (キシレンスルホ -ル) OC—ジメチルダリオキシム、ビス - 0 - (カンファースルホ -ル) (Xージメチルダリオキシム等があげられる。 [0111] Examples of the dalioxime derivative-type photoacid generator include bis-O- (ptoluenesulfurol) -a -dimethyldarioxime, bis-O- (ptoluenesulfol) α-diphenyldaroxime. , Bis-Ο- (ρ Toluenesulfol) H-dicyclohexyl glyoxime, Bis-Ο- (ρ Toluenesulfol) 2, 3 Pentanedioloxime, Bis-one Ο— (ρ Toluenesulfol) 2-Methyl 3, 4 Pentanedione Glyoxime, Bis Ο— (η Butansnorehoninole) a-Dimethyloleglyoxime, Bis O- (n-Butanesulfol) α-Diphenylglyoxime, Bis Ο— ( η-butanesulfonyl) -dicyclohexylglyoxime, bis-l-O- (n-butanesulfol) -2,3 pentanedione glyoxime, bis-l-O- (n-butanesulfol) 2-methi Lu 3, 4—Pentanedione Glyoxime, Bis-O— (Methanesulfol) α-Dimethylglyoxime, Bis— Ο— (Trifluoromethanesulfol) OC—Dimethyldarioxime, Bis— Ο— (1 , 1, 1-trifluoroethanesulfol) — α-dimethyldarioxime, bis—O— (tert-butanesulfol) at-dimethyldarioxime, bis—O— (perfluorooctanesulfo- Α ) Dimethyldarioxime, bis Ο (Cyclohexylsulfonyl) — Dimethyldarioxime, bis—O— (Benzenesulfol) a—Dimethyldarioxime, bis— O— (p Fluorobenzene Sulfo-l) α-Dimethyldarioxime, Bis-O— (p-tert Butylbenzenesulfol) α-Dimethylglyoxime, Bis-Ο— (Xylenesulphol) OC-Dimethyldari Oxime, bis - 0 - (camphorsulfonyl - Le) (X chromatography dimethyl Dali oxime and the like.
[0112] 光酸発生剤は、単独で、または 2種以上混合して用いてもよい。  [0112] The photoacid generators may be used alone or in admixture of two or more.
本発明の化学増幅型レジスト組成物中の光酸発生剤の量は、特に限定されないが 、ベースポジマー 100重量咅に対して 0. 001— 50重量咅であるの力 S好ましく、 0. 01 —30重量部であるのがより好ましぐさらには 0. 1— 10重量部であるのがより好まし い。 The amount of the photoacid generator in the chemically amplified resist composition of the present invention is not particularly limited, but is preferably a force of 0.001 to 50 weight percent with respect to 100 weight percent of the base positive polymer, preferably 0.01 to 30. Part by weight is more preferred, and 0.1-10 parts by weight is more preferred. Yes.
[0113] 本発明の化学増幅型レジスト組成物は、さらに光増感剤、例えば、アントラセン類、 アントラキノン類、クマリン類、ピロメテン類の色素を必要に応じて含有していてもよい 本発明の化学増幅型レジスト組成物は、必要に応じて、有機溶剤を含有していても よい。  [0113] The chemically amplified resist composition of the present invention may further contain a photosensitizer, for example, anthracenes, anthraquinones, coumarins, and pyromethenes as necessary. The amplification type resist composition may contain an organic solvent as necessary.
有機溶剤としては、例えば、アセトン、メチルェチルケトン、メチルイソブチルケトン、 メチルアミルケトン、メチルイソアミルケトン、シクロへキサノン、シクロペンタノン等のケ トン類、プロピレングリコーノレモノメチノレエーテル、プロピレングリコーノレモノェチノレエ ーテノレ、エチレングリコーノレモノメチノレエーテノレ、エチレングリコーノレモノェチノレエー テル、ジエチレングリコーノレモノメチノレエーテル、ジエチレングリコーノレモノェチノレエ 一テル、プロピレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテ ル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、 3—メトキシブタノール、 3—メチルー 3 ーメトキシブタノール等のグリコールエーテル類、プロピレングリコールモノメチルエー テルアセテート、プロピレングリコールモノェチルエーテルアセテート、エチレングリコ ールモノメチルエーテルアセテート、エチレンングリコールモノェチルエーテルァセテ ート等のグリコールエーテルアセテート類、酢酸ブチル、酢酸ァミル、酢酸シクロへキ シル、酢酸 tert—ブチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸ェチル、 ァセト酢酸メチル、ァセト酢酸ェチル、乳酸メチル、乳酸ェチル、乳酸プロピル、ピル ビン酸メチル、ピルビン酸ェチル、ピルビン酸プロピル、プロピオン酸 tert—ブチル、 β—メトキシイソ酪酸メチル等のエステル類、へキサン、トルエン、キシレン等の炭化 水素類、ジォキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル類、 γ—プチ口ラタトン、 Ν , Ν—ジメチルホルムアミド、 Ν—メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド等があげられ る。有機溶剤は、単独でまたは 2種以上混合して用いてもよい。  Examples of the organic solvent include acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, methyl amyl ketone, methyl isoamyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone and other ketones, propylene glycolanol monomethylol ether, propylene glycolol. Monoethylenoatenore, Ethyleneglycolenomonoethylenoate, Ethyleneglycolenomonoethylenotel, Diethyleneglycolmonomethinoreether, Diethyleneglycolenomethenoreether, Propyleneglycoldimethylether, Ethyleneglycoldimethyl Ether, diethylene glycol dimethyl ether, 3-methoxybutanol, glycol ethers such as 3-methyl-3-methoxybutanol, propylene glycol monomethyl ether -Glycol ether acetates such as teracetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, butyl acetate, amyl acetate, cyclohexyl acetate, Tert-butyl acetate, methyl methoxypropionate, ethyl ethoxypropionate, methyl acetate acetate, ethyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, propyl lactate, methyl pyruvate, ethyl pyruvate, propyl pyruvate, tert-butyl propionate , Esters such as methyl β-methoxyisobutyrate, hydrocarbons such as hexane, toluene, xylene, cyclic ethers such as dioxane, tetrahydrofuran, γ-petit-mouth ratatones, Ν, Ν-dimethylformamide, Ν- Examples include methyl pyrrolidone and dimethyl sulfoxide. The organic solvents may be used alone or in combination of two or more.
[0114] 本発明の化学増幅型レジスト組成物に有機溶剤を含有させることにより、該化学増 幅型レジスト組成物の粘度を調整することができる。 [0114] By incorporating an organic solvent into the chemically amplified resist composition of the present invention, the viscosity of the chemically amplified resist composition can be adjusted.
本発明の化学増幅型レジスト組成物中の有機溶剤の量は、特に限定されないが、 ベースポリマー 100重量部に対して好ましくは 100— 4000重量部、より好ましくは 20 0 - 3000重量部、さらに好まし <は 300 - 2000重量部である。 The amount of the organic solvent in the chemically amplified resist composition of the present invention is not particularly limited, but is preferably 100 to 4000 parts by weight, more preferably 20 to 100 parts by weight of the base polymer. 0-3000 parts by weight, more preferably <300-2000 parts by weight.
[0115] また、本発明の化学増幅型レジスト組成物は、必要に応じて塩基性化合物を含有 していてもよい。 [0115] Furthermore, the chemically amplified resist composition of the present invention may contain a basic compound as required.
塩基性ィ匕合物としては、例えば、第一級、第二級または第三級の脂肪族ァミン類、 芳香族ァミン類、複素環ァミン類、カルボキシル基を有する含窒素化合物、スルホ- ル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシル基を有する含窒素化合物、ヒドロキシフエ 二ル基を有する含窒素化合物、アミド誘導体、イミド誘導体等があげられる。塩基性 化合物は、単独で、または 2種以上混合して用いてもよい。  Examples of the basic compound include primary, secondary or tertiary aliphatic amines, aromatic amines, heterocyclic amines, nitrogen-containing compounds having a carboxyl group, and sulfole groups. Nitrogen-containing compounds having a hydroxyl group, nitrogen-containing compounds having a hydroxyl group, nitrogen-containing compounds having a hydroxyphenyl group, amide derivatives, imide derivatives and the like. The basic compounds may be used alone or in admixture of two or more.
[0116] 本発明の化学増幅型レジスト組成物中の塩基性ィ匕合物の量は、特に限定されない 力 ベースポリマー 100重量部に対して、好ましくは 0. 001— 10重量部、より好まし くは 0. 01— 5重量部である。 [0116] The amount of the basic compound in the chemically amplified resist composition of the present invention is not particularly limited. The force is preferably 0.001 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the base polymer. Or 0.01 to 5 parts by weight.
本発明の化学増幅型レジスト組成物に塩基性化合物を含有させることにより、該化 学増幅型レジスト組成物中での酸の拡散速度が抑制され、露光余裕度やパターンプ 口ファイル等が向上し、基板や環境がレジスト膜に及ぼす影響を少なくすることができ る。  By including a basic compound in the chemically amplified resist composition of the present invention, the acid diffusion rate in the chemically amplified resist composition is suppressed, and the exposure margin and pattern profile file are improved. The influence of the substrate and the environment on the resist film can be reduced.
[0117] また、本発明の化学増幅型レジスト組成物に塩基性ィ匕合物を含有させることにより 、該化学増幅型レジスト組成物の保存安定性を向上させることができる。  [0117] The storage stability of the chemically amplified resist composition can be improved by adding a basic compound to the chemically amplified resist composition of the present invention.
さらに、本発明の化学増幅型レジスト組成物は、必要に応じて界面活性剤を含有し ていてもよい。  Furthermore, the chemically amplified resist composition of the present invention may contain a surfactant as necessary.
界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンアルキルァリルエーテル類、ポリ ォキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタン脂肪酸エステル 類、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノ-オン系界面活性剤、フッ素 系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマー等があげられる。界面活性剤は、単独で または 2種以上混合して用いてもょ 、。  Examples of surfactants include polyoxyethylene alkylaryl ethers, polyoxyethylene polyoxypropylene block copolymers, sorbitan fatty acid esters, polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester non-ionic surfactants, and fluorine-based surfactants. Surfactant, organosiloxane polymer and the like can be mentioned. Surfactants may be used alone or in admixture of two or more.
[0118] 本発明の化学増幅型レジスト組成物に界面活性剤を含有させることにより、該化学 増幅型レジスト組成物の塗布性等を向上させることができる。 [0118] By incorporating a surfactant into the chemically amplified resist composition of the present invention, the coating properties of the chemically amplified resist composition can be improved.
さらに、本発明の化学増幅型レジスト組成物は、必要に応じてフエノールイ匕合物等 の溶解調整剤、ヒドロキシフエ-ル系等の紫外線吸収剤、ヒンダードフエノール等の 保存安定剤、シリコーン系やワックス系等の消泡剤等を含有してもよい。 Furthermore, the chemically amplified resist composition of the present invention can be prepared by using a dissolution regulator such as a phenolic compound, an ultraviolet absorber such as a hydroxyphenol, a hindered phenol, etc., if necessary. You may contain a storage stabilizer, antifoaming agents, such as a silicone type and a wax type.
[0119] カ卩えて、本発明の化学増幅型レジスト組成物は、必要に応じて他の榭脂ゃ改質剤 あるいは可塑剤を含有して!/、てもよ!/、。  [0119] In addition, the chemically amplified resist composition of the present invention may contain other resin modifiers or plasticizers as necessary!
本発明の化学増幅型レジスト組成物に他の榭脂ゃ改質剤あるいは可塑剤を含有さ せることにより、該化学増幅型レジスト組成物の可撓性を向上させ、レジスト膜に強靭 性を付与することができる。  The chemical amplification resist composition of the present invention contains other resin modifiers or plasticizers, thereby improving the flexibility of the chemical amplification resist composition and imparting toughness to the resist film. can do.
[0120] 他の榭脂としては、特に限定されるものではないが、例えば、前記重合性不飽和単 量体の単独重合体または共重合体、アジピン酸、フタル酸、トリメリット酸等の多塩基 酸とダリコール、トリメチロールプロパン等の多酸塩基の縮合反応によって得られるポ リエステル榭脂、前記フエノールまたはタレゾールとアルデヒドとの縮合反応によって 得られるフエノール榭脂、ポリオールとイソシアナ一トから得られるポリウレタン榭脂、 環状または非環状アルキル基をもつエポキシ榭脂およびその誘導体等が挙げられる 。これらの榭脂は単独でもあるいは 2種以上混合して用いることができる。また、これら の榭脂の重量平均分子量は、 1, 000〜1, 000, 000力 子ましぐ 3, 000〜600, 0 00がより好ましい。 [0120] Other types of resin are not particularly limited. For example, homopolymers or copolymers of the above-mentioned polymerizable unsaturated monomers, adipic acid, phthalic acid, trimellitic acid, etc. Polyester resin obtained by condensation reaction of a polyacid base such as basic acid and dallicol, trimethylolpropane, etc., phenol resin obtained by condensation reaction of the above-mentioned phenol or talesol and aldehyde, polyurethane obtained from polyol and isocyanate Examples include rosin, epoxy rosin having a cyclic or acyclic alkyl group, and derivatives thereof. These coffins can be used alone or in combination of two or more. Further, the weight average molecular weight of these coconuts is more preferably 1,000 to 1,000,000, 3,000 to 600,000.
[0121] 改質剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、ポリエチレングリコール、 ポリプロピレングリコール、ポリブタジエンポリオールおよびポリオレフイン系ポリオ一 ル、 OCーヒドロキシェチルー ω—ヒドロキシメチルポリ(1 エトキシエチレン)(協和発 酵ケミカル株式会社製)、ポリテトラメチレンエーテルグリコール、ポリマーポリオール、 ポリエステルポリオール、ポリ力プロラタトンポリオール、ポリカーボネートポリオール等 のグリコール、あるいはポリブタジエン系ジカルボン酸等の多塩基酸オリゴマー等が 挙げられる。これらのオリゴマーは単独でもあるいは 2種以上混合して用いる事がで きる。また、これらの榭脂の重量平均分子量は、 300〜30, 000力 子ましぐ 500〜1 0, 000力より好まし!/ヽ。 [0121] The modifier is not particularly limited. For example, polyethylene glycol, polypropylene glycol, polybutadiene polyol and polyolefin polyol, OC-hydroxyethyl- ω -hydroxymethylpoly (1 ethoxyethylene) (Manufactured by Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd.), polytetramethylene ether glycol, polymer polyol, polyester polyol, poly force prolatathone polyol, polycarbonate polyol and other polybasic acid oligomers such as polybutadiene dicarboxylic acid. These oligomers can be used alone or in admixture of two or more. Also, the weight average molecular weight of these fats is more preferable than 300 to 30,000 Rhizomu 500 to 10 000!
[0122] 可塑剤としては、特に限定されるものではないが、例えばジォクチルフタレート、ジ イソノ-ルフタレート、ジイソデシルフタレート、ジトリデシルフタレート等のフタル酸系 可塑剤、ジブチルアジペート、ジォクチルアジペート等のアジピン酸系可塑剤、ある いはコハク酸、 2, 4ージェチルダルタル酸等の多塩基酸エステルが挙げられる。 他の榭脂ゃ改質剤あるいは可塑剤の配合量は、本発明の化学増幅型レジスト組成 物に対して 0. 1〜50重量%が好ましぐ 0. 5〜30重量%がより好ましい。 [0122] The plasticizer is not particularly limited, but examples thereof include phthalic acid plasticizers such as dioctyl phthalate, diisonol phthalate, diisodecyl phthalate, and ditridecyl phthalate, dibutyl adipate, dioctyl adipate, and the like. Adipic acid plasticizers, polybasic acid esters such as succinic acid and 2,4-jetyldartalic acid. The blending amount of the other resin modifier or plasticizer is preferably 0.1 to 50% by weight, more preferably 0.5 to 30% by weight, based on the chemically amplified resist composition of the present invention.
[0123] <化学増幅型レジスト組成物の調製方法 >  [0123] <Method for Preparing Chemically Amplified Resist Composition>
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、ベースポリマー、光酸発生剤および必要 に応じて、光増感剤、有機溶剤、塩基性化合物、界面活性剤、溶解調整剤、紫外線 吸収剤、保存安定剤、消泡剤等の添加剤を混合することにより溶液として調製するこ とができる。混合の順番、方法等は、特に限定されるものではない。  The chemically amplified resist composition of the present invention comprises a base polymer, a photoacid generator and, if necessary, a photosensitizer, an organic solvent, a basic compound, a surfactant, a dissolution regulator, an ultraviolet absorber, and storage stability. It can be prepared as a solution by mixing additives such as an agent and an antifoaming agent. The order and method of mixing are not particularly limited.
[0124] また、本発明の化学増幅型レジスト組成物は、ドライフィルムであってもよい。ドライ フィルムは、例えば、上記の溶液を金属やポリエチレンテレフタレート等の支持体の 上に塗布し、乾燥後、支持体より剥がして作成することができる。また、支持体がポリ エチレンテレフタレート等のフィルムである場合には、そのままの状態で、本発明の化 学増幅型レジスト組成物として、用いることもできる。  [0124] The chemically amplified resist composition of the present invention may be a dry film. The dry film can be prepared, for example, by applying the above solution onto a support such as metal or polyethylene terephthalate, drying, and then peeling off the support. Further, when the support is a film of polyethylene terephthalate or the like, it can be used as it is as the chemically amplified resist composition of the present invention.
[0125] 本発明の化学増幅型レジスト組成物を支持体の上に塗布する方法としては、例え ば、スピンコート、ローノレコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクタ 一コート等の公知の方法があげられる。  [0125] Examples of a method for applying the chemically amplified resist composition of the present invention on a support include known methods such as spin coating, rhono coating, flow coating, dip coating, spray coating, and doctor one coating. can give.
塗布された膜の厚さは、用途に応じて設定することができる力 好ましくは 0. 05— 200 μ m、より好ましくは 0. 1— 100 mである。  The thickness of the applied film is a force that can be set according to the application, preferably 0.05-200 μm, more preferably 0.1-100 m.
[0126] 支持体として用いられるフィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリ プロピレン、ポリエチレン、ポリエステル、ポリビュルアルコール等があげられる。 本発明の化学増幅型レジスト組成物がドライフィルムである場合、必要に応じて、該 化学増幅型レジスト組成物を傷やほこり、薬品等から保護する目的で、該化学増幅 型レジスト組成物を保護フィルムで被覆してもよい。保護フィルムとしては、例えば、 ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム等があげられ、本発明の化学増幅型レ ジスト組成物との接着力が、支持体より小さいものが好ましい。 [0126] Examples of the film used as the support include polyethylene terephthalate, polypropylene, polyethylene, polyester, and polybutyl alcohol. When the chemically amplified resist composition of the present invention is a dry film, the chemically amplified resist composition is protected as necessary for the purpose of protecting the chemically amplified resist composition from scratches, dust, chemicals, and the like. You may coat | cover with a film. Examples of the protective film include a polyethylene film and a polypropylene film, and those having an adhesive force with the chemically amplified resist composition of the present invention smaller than that of the support are preferred.
[0127] また、保護フィルムと本発明の化学増幅型レジスト組成物の間に剥離層を設けてい てもよい。 [0127] Further, a release layer may be provided between the protective film and the chemically amplified resist composition of the present invention.
ドライフィルムは、巻き取ってロール状にしてもよい。  The dry film may be wound up into a roll.
<パターン形成方法 > 本発明の化学増幅型レジスト組成物を基板上に塗布する工程、該基板を加熱する 工程、該基板上の塗布膜に放射線等を露光する工程、露光後に該基板を加熱する 工程、次いで、アルカリ性現像液を用いて、該基板を現像する工程により、本発明の 化学増幅型レジスト組成物を用いてパターンを形成することができる。 <Pattern formation method> The step of applying the chemically amplified resist composition of the present invention onto a substrate, the step of heating the substrate, the step of exposing the coating film on the substrate to radiation or the like, the step of heating the substrate after exposure, and then alkaline A pattern can be formed using the chemically amplified resist composition of the present invention by the step of developing the substrate using a developer.
[0128] 基板としては、特に限定されな 、が、例えば、アルミニウム、亜鉛、金、銀、ニッケル 等の金属板、銅箔ラミネート板、ガラス板、シリコンウェハー等があげられる。  [0128] The substrate is not particularly limited, and examples thereof include metal plates such as aluminum, zinc, gold, silver, and nickel, copper foil laminate plates, glass plates, and silicon wafers.
本発明の化学増幅型レジスト組成物を基板上に塗布する方法としては、本発明の 化学増幅型レジスト組成物が溶液の場合、例えば、スピンコート、ロールコート、フロ 一コート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の公知の方法があげられる As a method of applying the chemically amplified resist composition of the present invention on a substrate, when the chemically amplified resist composition of the present invention is a solution, for example, spin coating, roll coating, flow coating, dip coating, spray coating. And known methods such as doctor coating
。塗布された膜の厚さは、用途に応じて設定することができる力 好ましくは 0. 05— 200 μ m、より好ましくは 0. 1— 100 mである。 . The thickness of the applied film is a force that can be set according to the application, preferably 0.05-200 μm, more preferably 0.1-100 m.
[0129] 本発明の化学増幅型レジスト組成物がドライフィルムで、保護フィルムがある場合に は保護フィルムを剥離した後、該化学増幅型レジスト組成物層が基板に直接触れる ように塗布する、例えば、ラミネートする方法等があげられる。ラミネート時、温度を 80 - 160°Cとすることにより、次工程の加熱処理を省略することができる。  [0129] When the chemically amplified resist composition of the present invention is a dry film and there is a protective film, after the protective film is peeled off, the chemically amplified resist composition layer is applied so as to be in direct contact with the substrate. And a laminating method. When laminating, setting the temperature to 80-160 ° C makes it possible to omit the next heat treatment.
本発明の化学増幅型レジスト組成物を基板に塗布後、基板を加熱する。本発明の 化学増幅型レジスト組成物が溶液の場合、加熱の方法としては、例えば、ホットプレ ート、オーブン等による加熱等の公知の方法があげられる。加熱することにより、有機 溶剤が蒸発する。加熱温度は、 80— 160°Cであるのが好ましい。  After applying the chemically amplified resist composition of the present invention to the substrate, the substrate is heated. When the chemically amplified resist composition of the present invention is a solution, examples of the heating method include known methods such as heating with a hot plate or an oven. The organic solvent evaporates when heated. The heating temperature is preferably 80-160 ° C.
[0130] 本発明の化学増幅型レジスト組成物がドライフィルムの場合、ラミネート時に加熱を 行えば、本工程を省略することができる。  [0130] When the chemically amplified resist composition of the present invention is a dry film, this step can be omitted if heating is performed during lamination.
加熱後、フォトマスク、縮小投影露光機、直接描画機等を用いて塗布膜に放射線 等を照射する。放射線等としては、例えば、遠赤外線、可視光線、 g線、 h線、 i線等の 近紫外線、 KrFエキシマーレーザー、 ArFエキシマレーザー、 DUV (遠紫外線)ゝ E UV (極紫外線)、電子線、 X線等があげられる。放射線等が、照射された部分では、 光酸発生剤が分解して酸が発生する。  After heating, the coating film is irradiated with radiation using a photomask, a reduction projection exposure machine, a direct drawing machine or the like. Examples of radiation include near infrared rays such as far infrared rays, visible rays, g rays, h rays, i rays, KrF excimer lasers, ArF excimer lasers, DUV (far ultraviolet rays), EUV (extreme ultraviolet rays), electron beams, X-rays etc. In the part irradiated with radiation or the like, the photoacid generator is decomposed to generate acid.
[0131] 照射後、基板を加熱する。加熱の方法としては、塗布後の加熱で用いるものがあげ られる。加熱することにより、化合物 (ΠΙ)または化合物 (IV)より、化合物 (I)または化 合物 (Π)由来の構造が脱離し、ヒドロキシル基またはカルボキシル基が再生される。 加熱温度は、 80— 160°Cであるのが好ましい。 [0131] After the irradiation, the substrate is heated. Examples of the heating method include those used for heating after coating. By heating, compound (I) or compound is converted from compound (ΠΙ) or compound (IV). The structure derived from the compound (Π) is eliminated, and the hydroxyl group or carboxyl group is regenerated. The heating temperature is preferably 80-160 ° C.
加熱後、ドライフィルムを用いた場合は支持体を除去し、ドライフィルムを用いない 場合はそのまま、アルカリ性現像液を用いて現像することにより、ポジ型レジストパタ ーンが得られる。現像方法としては、例えば、浸漬法、パドル法、スプレー法等の公 知の方法があげられる。アルカリ性現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸 化カリウム、炭酸ナトリウム、硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア、ェチルァ ミン、 n—プロピルァミン、ジェチルァミン、ジ n—プロピルァミン、トリエチルァミン、メ チルジェチルァミン、ジメチルエタノールァミン、トリエタノールァミン、テトラメチルァ ンモ-ゥムヒドロキシド、テトラエチルアンモ-ゥムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピぺ リジン、 1,8 ジァザビシクロ [5.4.0]— 7 ゥンデセン、 1,5 ジァザビシクロ [4.3.0] 5—ノナン等の塩基性物質を溶解してなるアルカリ性水溶液等があげられる。塩基 性物質は、単独でまたは 2種以上混合して用いてもよい。また該現像液には、水溶性 有機溶媒、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類や界面活性剤を適量添 カロして使用することもできる。  After the heating, when a dry film is used, the support is removed, and when a dry film is not used, a positive resist pattern is obtained by developing with an alkaline developer as it is. Examples of the developing method include known methods such as an immersion method, a paddle method, and a spray method. Examples of the alkaline developer include sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium carbonate, sodium oxalate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, jetylamine, di-n-propylamine, triethylamine, methacrylic acid. Tilgetylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethyl ammonium hydroxide, tetraethyl ammonium hydroxide, choline, pyrrole, piperidine, 1,8 diazabicyclo [5.4.0] —7 undecene, 1,5 Diazabicyclo [4.3.0] Alkaline aqueous solution obtained by dissolving a basic substance such as 5-nonane. Basic substances may be used alone or in admixture of two or more. In addition, a water-soluble organic solvent, for example, alcohols such as methanol and ethanol, and surfactants can be added to the developer and used in an appropriate amount.
[0132] 現像後、必要に応じて基板を水洗または加熱乾燥してもよい。 [0132] After development, the substrate may be washed with water or dried by heating, if necessary.
基板上に形成されたパターンは、例えば、該パターンをマスクとした塩素系ガス、フ ッ素系ガス (CF ZCH F混合ガス等)、酸素系ガス等による基板のドライエッチング  The pattern formed on the substrate is, for example, dry etching of the substrate with a chlorine-based gas, a fluorine-based gas (CF 2 ZCH F mixed gas, etc.) or an oxygen-based gas using the pattern as a mask.
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等の公知の工程に付することができる。  It can attach | subject to well-known processes, such as.
本発明の化学増幅型レジスト組成物は、塗布膜の加熱工程の際の安定性や長期 の貯蔵安定性に優れ、良好なリソグラフィー特性を有し、基板への密着性や、はんだ やめつき液等に対する濡れ性等に優れる。  The chemically amplified resist composition of the present invention is excellent in stability during the heating process of the coating film and long-term storage stability, has good lithographic properties, adherence to the substrate, soldering solution, etc. Excellent wettability with respect to
[0133] 以下、合成例、試験例、実施例および比較例により、本発明をさらに具体的に説明 する。 [0133] Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to synthesis examples, test examples, examples and comparative examples.
実施例における化合物の構造決定は、 H— NMRスペクトル (400MHz、測定機 器:日本電子 GSX— 400、測定溶媒:重クロ口ホルム)により行った。  The structure of the compound in the examples was determined by 1 H-NMR spectrum (400 MHz, measuring instrument: JEOL GSX-400, measuring solvent: heavy chloroform).
重量平均分子量は、以下の条件のゲルパーミエーシヨンクロマトグラフィー(GPC) により測定した。 (GPC分析条件) The weight average molecular weight was measured by gel permeation chromatography (GPC) under the following conditions. (GPC analysis conditions)
機器: HLC 8120GPC [東ソ一 (株)製] Equipment: HLC 8120GPC [Tosoichi Co., Ltd.]
カラム: TSKgel SuperHM— M [東ソ一(株)製] Column: TSKgel SuperHM—M [manufactured by Tosohichi Corporation]
移動相:テトラヒドロフラン (流速 0.5mlZ分) Mobile phase: Tetrahydrofuran (flow rate 0.5mlZ min)
カラムオーブン: 40°C Column oven: 40 ° C
検出器: RI [RI 8000 (東ソ一 (株)製) ] Detector: RI [RI 8000 (manufactured by Tosohichi Corporation)]
酸価は、 0. lmol/L KOHアルコール溶液で中和滴定することにより求めた。 The acid value was determined by neutralization titration with a 0.1 mol / L KOH alcohol solution.
接触角は、協和界面科学 (株)製 FACE接触角計 CA—D型を用いて測定した。 膜厚は、光干渉式膜厚計けノスペック社製)を用いて測定した。 The contact angle was measured using a FACE contact angle meter CA-D type manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd. The film thickness was measured using an optical interference type film thickness gauge manufactured by Nospec.
(合成例 1) 1一(2—ァセチルエトキシ) 2—メチルプロペンの合成 (Synthesis Example 1) 1 Synthesis of 1- (2-acetylethylethoxy) 2-methylpropene
4 ヒドロキシ一 2 ブタノン 88. lgに p トルエンスルホン酸一水和物 0.05gを溶 解させ、 20°C以下に冷却しながらイソブチルアルデヒド 18.0gを滴下した。 1%炭酸 ナトリウム水溶液 100gで洗浄し、分液により得られた油層を減圧蒸留することにより、 イソブチルアルデヒドビス(2 ァセトキシェチル)ァセタール 66gを得た。これ〖こ p -ト ルエンスルホン酸一水和物 0.06gを溶解させ、 200°Cに加熱した。留出してきた液 体 13gを集め、 1%炭酸ナトリウム水溶液 10gで洗浄し、分液により得られた油層を減 圧蒸留することにより、無色透明液体 8gを得た。 ¾ NMR ^ベクトルより、該液体が 1一(2—ァセチルエトキシ) 2—メチルプロペンであることを確認した。  4 Hydroxy-2-butanone In 88. lg, 0.05 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate was dissolved, and 18.0 g of isobutyraldehyde was added dropwise while cooling to 20 ° C or lower. Washing with 100 g of a 1% aqueous sodium carbonate solution and distillation of the oil layer obtained by liquid separation under reduced pressure gave 66 g of isobutyraldehyde bis (2acetoxyl) acetal. 0.06 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate was dissolved and heated to 200 ° C. 13 g of the distilled liquid was collected, washed with 10 g of a 1% aqueous sodium carbonate solution, and the oil layer obtained by liquid separation was distilled under reduced pressure to obtain 8 g of a colorless transparent liquid. From the NMR ^ vector, it was confirmed that the liquid was 1- (2-acetylethylethoxy) 2-methylpropene.
'H-NMR δ 5.82(1H, m), 3.55-3.48(1H, m), 1.88-1.77(2H, m ), 1.77-1.66 (2H, m), 1.62 (3H, m), 1.54 (3H, m), 1.54—1.21 (6H , m) 'H-NMR δ 5.82 (1H, m), 3.55-3.48 (1H, m), 1.88-1.77 (2H, m), 1.77-1.66 (2H, m), 1.62 (3H, m), 1.54 (3H, m), 1.54—1.21 (6H, m)
(合成例 2) 1—クロロー 1一(2—ァセチルエトキシ)一 2—メチルプロパンの合成 (Synthesis Example 2) Synthesis of 1-chloro-1 1- (2-acetylethyl) 1 2-methylpropane
1— (2 ァセチルエトキシ) 2—メチルプロペン 8gを 5°Cに冷却し、塩化水素ガス 2.05gを 20分力、けて液中に吹き込むことにより、無色透明液体 9.9gを得た。 'Η- NMRスペクトルより、該液体が 1 クロロー 1一(2—ァセチルエトキシ)ー2—メチル プロパンであることを確認した。 1- (2 Acetylethoxy) 2-methylpropene (8 g) was cooled to 5 ° C., and hydrogen chloride gas (2.05 g) was blown into the solution for 20 minutes to obtain 9.9 g of a colorless transparent liquid. From the “よ り -NMR spectrum”, it was confirmed that the liquid was 1-chloro-1-mono (2-acetylethyl) -2-methylpropane.
'H-NMR δ 5.59(1H, m), 3.77-3.72(1H, m), 2.14-2.08(1H, m ), 1.85 (2H, m), 1.72 (2H, m), 1.52—1.23 (6H, m), 1.03 (6H, d, J = 6 . 6Hz) 'H-NMR δ 5.59 (1H, m), 3.77-3.72 (1H, m), 2.14-2.08 (1H, m), 1.85 (2H, m), 1.72 (2H, m), 1.52—1.23 (6H, m), 1.03 (6H, d, J = 6 .6Hz)
(合成例 3) 1—(2 ェチルチオエトキシ) 2 メチルプロペンの合成  (Synthesis Example 3) Synthesis of 1- (2 ethylthioethoxy) 2 methylpropene
2 ェチルチオエタノール 106. 2gに p—トルエンスルホン酸一水和物 0. 05gを溶 解させ、 20°C以下に冷却しながらイソブチルアルデヒド 18. Ogを滴下した。 1%炭酸 ナトリウム水溶液 100gで洗浄し、分液により得られた油層を減圧蒸留することにより、 イソブチルアルデヒドビス(2 ェチルチオエトキシ)ァセタール 80gを得た。これに p —トルエンスルホン酸一水和物 0. 06gを溶解させ、 200°C〖こカロ熱した。留出してきた 液体 16gを集め、 1%炭酸ナトリウム水溶液 10gで洗浄し、分液により得られた油層を 減圧蒸留することにより、無色透明液体 10gを得た。 ^—NMR ^ベクトルより、該液 体が 1一(2—ェチルチオエトキシ) 2—メチルプロペンであることを確認した。  In 106.2 g of 2-ethylthioethanol, 0.05 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate was dissolved, and 18. Og of isobutyraldehyde was added dropwise while cooling to 20 ° C or lower. Washing with 100 g of 1% aqueous sodium carbonate solution and distillation of the oil layer obtained by separation under reduced pressure gave 80 g of isobutyraldehyde bis (2-ethylthioethoxy) acetal. To this, 0.0 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate was dissolved and heated at 200 ° C. 16 g of the distilled liquid was collected, washed with 10 g of a 1% aqueous sodium carbonate solution, and the oil layer obtained by separation was distilled under reduced pressure to obtain 10 g of a colorless transparent liquid. From the ^ -NMR ^ vector, it was confirmed that the liquid was 1- (2-ethylthioethoxy) 2-methylpropene.
'H-NMR δ 5. 82 (1H, m) , 3. 55- 3. 48 (1H, m) , 1. 88- 1. 77 (2H, m ) , 1. 77- 1. 66 (2H, m) , 1. 62 (3H, m) , 1. 54 (3H, m) , 1. 54—1. 21 (6H , m) 'H-NMR δ 5. 82 (1H, m), 3. 55- 3. 48 (1H, m), 1. 88- 1. 77 (2H, m), 1. 77- 1. 66 (2H, m), 1.62 (3H, m), 1.54 (3H, m), 1.54—1.21 (6H, m)
(合成例 4) 1一クロロー 1一(2 ェチルチオエトキシ)一 2 メチルプロパンの合成 (Synthesis Example 4) Synthesis of 1-chloro-1-1 (2-ethylthioethoxy) 1-2 methylpropane
1— (2 ェチルチオエトキシ) 2—メチルプロペン 10gを 5°Cに冷却し、塩化水素 ガス 2. 3gを 20分かけて液中に吹き込むことにより、無色透明液体 12. lgを得た。1 H— NMRスペクトルより、該液体が 1 クロロー 1一(2—ェチルチオエトキシ)ー2— メチルプロパンであることを確認した。 1- (2 ethylthioethoxy) 2-methylpropene (10 g) was cooled to 5 ° C., and hydrogen chloride gas (2.3 g) was blown into the liquid over 20 minutes to obtain 12. 1 lg of a colorless transparent liquid. From the 1 H-NMR spectrum, it was confirmed that the liquid was 1 chloro-1-mono (2-ethylthioethoxy) -2-methylpropane.
'H-NMR δ 5. 59 (1H, m) , 3. 77- 3. 72 (1H, m) , 2. 14- 2. 08 (1H, m ) , 1. 85 (2H, m) , 1. 72 (2H, m) , 1. 52—1. 23 (6H, m) , 1. 03 (6H, d, J = 6 . 6Hz)  'H-NMR δ 5.59 (1H, m), 3. 77- 3.72 (1H, m), 2. 14- 2. 08 (1H, m), 1. 85 (2H, m), 1 72 (2H, m), 1. 52—1.23 (6H, m), 1.03 (6H, d, J = 6.6Hz)
(合成例 5) 1ーメトキシ 2 メチルプロペンの合成  Synthesis Example 5 Synthesis of 1-methoxy-2-methylpropene
メタノール 128. 2gに p トルエンスルホン酸一水和物 0. 19gを溶解させ、 20°C以 下に冷却しながらイソブチルアルデヒド 72. lgを滴下した。 1%炭酸ナトリウム水溶液 200gで洗浄し、分液により得られた油層を常圧蒸留することにより、イソブチルアル デヒドジメチルァセタール 35gを得た。これに p—トルエンスルホン酸一水和物 0. 06g を溶解させ、 200°Cに加熱した。留出してきた液体 12gを集め、 1%炭酸ナトリウム水 溶液 10gで洗浄し、分液により得られた油層を減圧蒸留することにより、無色透明液 体 8gを得た。 1H— NMR ^ベクトルより、該液体が 1ーメトキシー2 メチルプロペン であることを確認した。 0.19 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate was dissolved in 128.2 g of methanol, and 72. lg of isobutyraldehyde was added dropwise while cooling to 20 ° C or lower. Washing with 200 g of a 1% aqueous sodium carbonate solution and distillation of the oil layer obtained by liquid separation at atmospheric pressure gave 35 g of isobutyl aldehyde dimethylacetal. To this, 0.06 g of p-toluenesulfonic acid monohydrate was dissolved and heated to 200 ° C. Collect 12 g of distilled liquid, wash with 10 g of 1% aqueous sodium carbonate solution, and distill the oil layer obtained by liquid separation under reduced pressure to obtain a colorless transparent liquid. 8g body was obtained. From the 1H-NMR ^ vector, it was confirmed that the liquid was 1-methoxy-2-methylpropene.
(合成例 6) 1 クロロー 1ーメトキシ 2 メチルプロパンの合成  (Synthesis Example 6) Synthesis of 1 chloro-1-methoxy-2-methylpropane
1—メトキシ— 2—メチルプロペン 8. Ogを 5°Cに冷却し、塩化水素ガス 3. 7gを 1時 間かけて液中に吹き込むことにより、無色透明液体 11. 4gを得た。 1H— NMR^ぺ タトルより、該液体が 1 クロロー 1ーメトキシ 2—メチルプロパンであることを確認し た。  1-Methoxy-2-methylpropene 8. Og was cooled to 5 ° C, and 3.7 g of hydrogen chloride gas was blown into the liquid for 1 hour to obtain 11.4 g of a colorless transparent liquid. From the 1H-NMR spectrum, it was confirmed that the liquid was 1 chloro-1-methoxy-2-methylpropane.
実施例 1  Example 1
[0134] 1一(2 ァセチルエトキシ)一 2 メチルプロペンによるメタクリル酸のカルボキシル 基の保護  [0134] Protection of the carboxyl group of methacrylic acid by 1- (2-acetylethyl) -1-2 methylpropene
メタクリル酸 43. Ogと 1— (2 ァセチルエトキシ)—2—メチルプロペン 99. 5gを、 0 . 02モル%の トルエンスルホン酸一水和物存在下、室温で、 1. 5時間反応させ た。反応液を 1%炭酸ナトリウム水溶液で洗浄した後、分液により得られた油層を減 圧濃縮することにより、無色透明液体 99gを取得した。 ^—NMRスペクトルより、該 液体カ タクリル酸 1一(2—ァセチルエトキシ) 2—メチルプロピルであることを確認 した。  43. Og of methacrylic acid and 99.5 g of 1- (2 acetylethyl) -2-methylpropene were reacted in the presence of 0.02 mol% of toluenesulfonic acid monohydrate at room temperature for 1.5 hours. . The reaction solution was washed with a 1% aqueous sodium carbonate solution, and the oil layer obtained by liquid separation was concentrated under reduced pressure to obtain 99 g of a colorless transparent liquid. From the ^ -NMR spectrum, it was confirmed that the liquid methacrylic acid 11- (2-acetylethoxy) 2-methylpropyl was used.
'H-NMR δ 6. 16 (1H, s) , 5. 79 (1H, d, J = 5. 4Hz) , 5. 58 (1H, m) , 3. 56 - 3. 49 (1H, m) , 1. 96 (3H, s) , 1, 94—1. 12 (11H, m) , 0. 96 (3H, d, J =6. 8Hz) , 0. 93 (3H, d, J = 6. 6Hz)  'H-NMR δ 6.16 (1H, s), 5. 79 (1H, d, J = 5.4 Hz), 5. 58 (1H, m), 3. 56-3. 49 (1H, m) , 1. 96 (3H, s), 1, 94—1.12 (11H, m), 0. 96 (3H, d, J = 6. 8Hz), 0. 93 (3H, d, J = 6. 6Hz)
実施例 2  Example 2
[0135] 1— (2 ェチルチオエトキシ) 2 メチルプロペンによるメタクリル酸のカルボキシ ル基の保護  [0135] Protection of the carboxyl group of methacrylic acid with 1— (2 ethylthioethoxy) 2 methylpropene
メタクリル酸 43. Ogと 1— (2 ェチルチオエトキシ)—2—メチルプロペン 112. 2g を、 0. 02モル%の トルエンスルホン酸一水和物存在下、室温で、 1. 5時間反応 させた。反応液を 1%炭酸ナトリウム水溶液で洗浄した後、分液により得られた油層を 減圧濃縮することにより、無色透明液体 108gを取得した。 ^—NMRスペクトルより、 該液体カ タクリル酸 1一(2—ェチルチオエトキシ) 2—メチルプロピルであることを 確認した。 Ή-NMR δ 6. 16 (1H, s) , 5. 79 (1H, d, J = 5. 4Hz) , 5. 58 (1H, m) , 3. 56 - 3. 49 (1H, m) , 1. 96 (3H, s) , 1. 94—1. 12 (11H, m) , 0. 96 (3H, d, J =6. 8Hz) , 0. 93 (3H, d, J = 6. 6Hz) Methacrylic acid 43. Og and 1- (2 ethylthioethoxy) -2-methylpropene 112.2g were reacted in the presence of 0.02 mol% toluenesulfonic acid monohydrate at room temperature for 1.5 hours. It was. After washing the reaction solution with 1% aqueous sodium carbonate solution, the oil layer obtained by the liquid separation was concentrated under reduced pressure to obtain 108 g of a colorless transparent liquid. From the ^ -NMR spectrum, it was confirmed that the liquid catalyst was 11- (2-ethylthioethoxy) 2-methylpropyl. NMR-NMR δ 6.16 (1H, s), 5. 79 (1H, d, J = 5.4 Hz), 5. 58 (1H, m), 3. 56-3. 49 (1H, m), 1.96 (3H, s), 1.94—1.12 (11H, m), 0. 96 (3H, d, J = 6.8 Hz), 0.93 (3H, d, J = 6.6 Hz )
(比較例 1)メタクリル酸 1ーメトキシー 2—メチルプロピルの合成  (Comparative Example 1) Synthesis of 1-methoxy-2-methylpropyl methacrylate
メタクリル酸 43. Ogと 1—メトキシ一 2—メチルプロペン 86. lgを、 0. 02モル0 /0の p トルエンスルホン酸一水和物存在下、室温で、 1. 5時間反応させた。反応液を 1% 炭酸ナトリウム水溶液で中和した後、分液により得られた油層を減圧濃縮することに より、メタクリル酸 1—メトキシ一 2—メチルプロピル 103gを取得した。 Methacrylic acid 43. Og and 1-methoxy-one 2-methylpropene 86. lg, 0. 02 mol 0/0 p-toluenesulfonic acid monohydrate presence of was reacted at room temperature for 1.5 hours. After neutralizing the reaction solution with a 1% aqueous sodium carbonate solution, the oil layer obtained by the liquid separation was concentrated under reduced pressure to obtain 103 g of 1-methoxy-2-methylpropyl methacrylate.
実施例 3  Example 3
[0136] ポリメタクリル樹脂の合成 [0136] Synthesis of polymethacrylic resin
滴下装置、攪拌装置、温度計、冷却管および窒素ガス導入管を備えたフラスコ内 にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 100gを仕込み、 80°Cに加熱し 、窒素雰囲気下にて攪拌しながら、メタクリル酸 1— (2—ァセチルエトキシ)—2—メチ ルプロピル 28. 8g、メチルメタタリレート 57. 7g、ブチルメタタリレート 13. 5gおよびァ ゾビスイソブチ口-トリル (AIBN) 10. Ogを均一に溶解したものを滴下装置より 4時間 かけて滴下した。滴下終了後、 30分毎に 2回、 AIBNZプロピレングリコールモノメチ ルアセテート =0. 15g/0. 3gの混合溶液を添加して、 80°Cで 2時間熟成し、重合 反応を終了した。得られた榭脂溶液をへキサンで再沈精製することにより、白色固体 を 80g得た。固体の重量平均分子量は 7, 600であった。この固体を榭脂 P—1とする 実施例 4  Add 100 g of propylene glycol monomethyl ether acetate into a flask equipped with a dripping device, stirring device, thermometer, cooling tube and nitrogen gas introduction tube, heat to 80 ° C, and stir in a nitrogen atmosphere. — (2-Acetylethoxy) —2—Methylpropyl 28.8 g, Methylmetatalylate 57.7 7 g, Butylmetatalylate 13.5 g and Azobisisobutyoxy-tolyl (AIBN) 10. Og uniformly dissolved Was dropped from the dropping device over 4 hours. After completion of the dropping, a mixed solution of AIBNZ propylene glycol monomethyl acetate = 0.15 g / 0.3 g was added twice every 30 minutes and aged at 80 ° C. for 2 hours to complete the polymerization reaction. The obtained rosin solution was purified by reprecipitation with hexane to obtain 80 g of a white solid. The weight average molecular weight of the solid was 7,600. This solid is designated as resin P-1. Example 4
[0137] ポリメタクリル樹脂の合成 [0137] Synthesis of polymethacrylic resin
滴下装置、攪拌装置、温度計、冷却管および窒素ガス導入管を備えたフラスコ内 にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 100gを仕込み、 80°Cに加熱し 、窒素雰囲気下にて攪拌しながら、メタクリル酸 1— (2—ェチルチオエトキシ) - 2- メチルプロピル 28. 8g、メチルメタタリレート 57. 7g、ブチルメタタリレート 13. 5gおよ びァゾビスイソブチ口-トリル (AIBN) 10. 0gを均一に溶解したものを滴下装置より 4 時間かけて滴下した。滴下終了後、 30分毎に 2回、 AIBNZプロピレングリコールモ ノメチルアセテート =0. 15g/0. 3gの混合溶液を添カ卩して、 80°Cで 2時間熟成し、 重合反応を終了した。得られた榭脂溶液をへキサンで再沈精製することにより、白色 固体を 80g得た。固体の重量平均分子量は 8, 600であった。この固体を榭脂 P— 2 とする。 Add 100 g of propylene glycol monomethyl ether acetate into a flask equipped with a dripping device, stirring device, thermometer, cooling tube and nitrogen gas introduction tube, heat to 80 ° C, and stir in a nitrogen atmosphere. — (2-Ethylthioethoxy)-2-methylpropyl 28.8 g, methyl metatalylate 57.7 g, butyl metatalylate 13.5 g and azobisisobutyoxy-tolyl (AIBN) 10.0 g uniformly dissolved The product was added dropwise from a dropping device over 4 hours. After the completion of dripping, twice every 30 minutes, AIBNZ propylene glycol A mixed solution of nomethyl acetate = 0.15 g / 0.3 g was added and aged at 80 ° C. for 2 hours to complete the polymerization reaction. The obtained rosin solution was purified by reprecipitation with hexane to obtain 80 g of a white solid. The weight average molecular weight of the solid was 8,600. This solid is designated as resin P-2.
(合成例 7)ポリメタクリル樹脂の合成  (Synthesis Example 7) Synthesis of polymethacrylic resin
滴下装置、攪拌装置、温度計、冷却管および窒素ガス導入管を備えたフラスコ内 にプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート lOOgを仕込み、 80°Cに加熱し 、窒素雰囲気下にて攪拌しながら、メタクリル酸 1—メトキシ一 2—メチルプロピル 18. 4g、メチノレメタタリレート 57. 7g、ブチノレメタタリレート 23. 9gおよびァゾビスイソブチ 口-トリル (AIBN) 10. 0gを均一に溶解したものを滴下装置より 4時間かけて滴下し た。滴下終了後、 30分毎に 2回、 AIBNZプロピレングリコールモノメチルアセテート =0. 2g/0. 3gの混合溶液を添加して、 80°Cで 2時間熟成し、重合反応を終了した 。得られた榭脂溶液をへキサンで再沈精製することにより、白色固体を 80g得た。固 体の重量平均分子量は 8, 400であった。この固体を榭脂 P— 3とする。  Into a flask equipped with a dripping device, a stirring device, a thermometer, a cooling tube and a nitrogen gas introduction tube, propylene glycol monomethyl ether acetate lOOg was charged, heated to 80 ° C, and stirred under a nitrogen atmosphere. —Methoxy-2-methylpropyl (18.4 g), methinoremethalate (57.7 g), butinolemethalate (23.9 g), and azobisisobutylate-tolyl (AIBN) (10.0 g) were uniformly dissolved from the dropping device. It was dripped over time. After the completion of the dropwise addition, a mixed solution of AIBNZ propylene glycol monomethyl acetate = 0.2g / 0.3g was added twice every 30 minutes and aged at 80 ° C. for 2 hours to complete the polymerization reaction. The obtained rosin solution was purified by reprecipitation with hexane to obtain 80 g of a white solid. The weight average molecular weight of the solid was 8,400. This solid is designated as resin P-3.
実施例 5  Example 5
[0138] 1 クロロー 1一(2 ァセチルエトキシ) 2 メチルプロパンによるフエノールノボ ラック榭脂のヒドロキシル基の保護  [0138] Protection of the hydroxyl group of phenol novolac rosin with 1 chloro-1 1 (2 acetyl ethoxy) 2 methylpropane
重量平均分子量 3, 220のフエノールノボラック榭脂 [昭和高分子 (株)製] 2. 7gをメ チルェチルケトン 17. 5mlに溶解し、この溶液の中に 1—クロ口 1— (2—ァセチル エトキシ)—2—メチルプロパン 2. 23gをカ卩え、攪拌して完全に溶解した後、攪拌しな 力 Sらトリエチルァミン 2. 53gを約 30分間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約 3 時間攪拌した。次いで、得られた溶液に対して 20倍量の純水を加え、メチルイソプチ ルケトンで抽出し、溶媒を留去した後、純水 500ml中に滴下し再沈殿させることによ り淡黄色の固体 4. 0gを得た。 H— NMRスペクトルより、ヒドロキシル基の 40モル0 /0 力 S1— (2—ァセチルエトキシ) 2—メチルプロポキシ基で置換されていることがわか つた。 目的物の重量平均分子量は、 4, 320であった。この固体を榭脂 P— 4とする。 実施例 6 Phenolic novolak resin with a weight average molecular weight of 3,220 [manufactured by Showa High Polymer Co., Ltd.] 2. Dissolve 7 g in 17.5 ml of methyl ethyl ketone, and add 1-black mouth 1- (2-acetyl ethoxy) into this solution. —2—Methylpropane (2.23 g) was added and stirred until completely dissolved. Then, 2.53 g of triethylamine with stirring force S was added dropwise over about 30 minutes. After completion of dropping, the mixture was stirred for about 3 hours. Next, 20 times the amount of pure water was added to the resulting solution, extracted with methyl isopropyl ketone, the solvent was distilled off, and then added dropwise to 500 ml of pure water to cause reprecipitation, whereby a pale yellow solid 4 Obtained 0 g. H- from NMR spectra, ivy is divided substituted with 40 mol 0/0 force S1- (2 § cetyl ethoxy) 2-methylpropoxy group of the hydroxyl group. The target product had a weight average molecular weight of 4,320. This solid is designated as resin P-4. Example 6
[0139] 1 クロロー 1一(2 ェチルチオエトキシ) 2 メチルプロパンによるフエノールノ ポラック樹脂のヒドロキシル基の保護 [0139] 1 Chloro 1 1 (2 ethylthioethoxy) 2 Methylpropane phenol Protection of hydroxyl group of Polak resin
重量平均分子量 3, 220のフエノールノボラック榭脂 [昭和高分子 (株)製] 2. 7gをメ チルェチルケトン 17. 5mlに溶解し、この溶液の中に 1—クロ口 1— (2 ェチルチ ォエトキシ)—2—メチルプロパン 2. 46gをカ卩え、攪拌して完全に溶解した後、攪拌し ながらトリェチルァミン 2. 53gを約 30分間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約 3時間攪拌した。次いで、得られた溶液に対して 20倍量の純水を加え、メチルイソブ チルケトンで抽出し、溶媒を留去した後、純水 500ml中に滴下し再沈殿させることに より淡黄色の固体 4. 2gを得た。 iH—NMRスペクトルより、ヒドロキシル基の 36モル %が 1— (2—ェチルチオエトキシ) 2—メチルプロポキシ基で置換されていることが わかった。 目的物の重量平均分子量は、 4, 200であった。この固体を榭脂 P— 5とす る。  Phenolic novolak resin with a weight average molecular weight of 3,220 [manufactured by Showa Kogyo Co., Ltd.] 2. Dissolve 7 g in 17.5 ml of methyl ethyl ketone, and add 1-black mouth 1- (2 ethylthioethoxy) in this solution. 2.46 g of 2-methylpropane was added and stirred to dissolve completely, then 2.53 g of triethylamine was added dropwise over about 30 minutes while stirring. After completion of dropping, the mixture was stirred for about 3 hours. Next, 20 times the amount of pure water was added to the resulting solution, extracted with methyl isobutyl ketone, the solvent was distilled off, and then dropped into 500 ml of pure water to cause reprecipitation to give a pale yellow solid 4. 2g was obtained. From the iH-NMR spectrum, it was found that 36 mol% of the hydroxyl group was substituted with 1- (2-ethylthioethoxy) 2-methylpropoxy group. The target product had a weight average molecular weight of 4,200. This solid is designated as Fatty Acid P-5.
(合成例 8) 1 クロロー 1ーメトキシー2 メチルプロパンによるフエノールノボラック榭 脂のヒドロキシル基の保護  (Synthesis Example 8) Protection of hydroxyl group of phenol novolac resin with 1 chloro-1-methoxy-2-methylpropane
重量平均分子量 3, 220のフエノールノボラック榭脂 [昭和高分子 (株)製] 2. 7gをメ チルェチルケトン 17. 5mlに溶解し、この溶液の中に 1—クロ口一 1—メトキシ一 2—メ チルプロパン 1. 53gを加え、攪拌して完全に溶解した後、攪拌しながらトリェチルァ ミン 2. 53gを約 30分間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約 3時間攪拌した。次 いで、得られた溶液に対して 20倍量の純水をカ卩え、メチルイソブチルケトンで抽出し 、溶媒を留去した後、純水 500ml中に滴下し再沈殿させることにより淡黄色の固体 3 . 6gを得た。 1H—NMR ^ベクトルより、ヒドロキシル基の 30モル0 /0が 1—メトキシ一 2 —メチルプロポキシ基で置換されていることがわ力つた。 目的物の重量平均分子量 は、 4, 100であった。この固体を榭脂 P— 6とする。 Phenolic novolak resin with a weight average molecular weight of 3,220 [manufactured by Showa Polymer Co., Ltd.] 2. Dissolve 7 g in 17.5 ml of methyl ethyl ketone, and add 1-chloro 1-methoxy 2-methyl in this solution. After adding 1.53 g of tilpropane and stirring to dissolve completely, 2.53 g of triethylamine was added dropwise over about 30 minutes with stirring. After completion of dropping, the mixture was stirred for about 3 hours. Next, 20 times the amount of pure water was added to the resulting solution, extracted with methyl isobutyl ketone, the solvent was distilled off, and then dropped into 500 ml of pure water to cause reprecipitation. 3.6 g of solid was obtained. From 1 H-NMR ^ vector, 30 mole 0/0 of the hydroxyl groups of 1-methoxy one 2 - I that is substituted with a methyl propoxy group ChikaraTsuta. The target product had a weight average molecular weight of 4,100. This solid is designated as rosin P-6.
実施例 7 Example 7
1—クロ口一 1— (2—ァセチルエトキシ) 2—メチルプロパンによるポリヒドロキシス チレンのヒドロキシル基の保護  1—Black mouthpiece 1— (2-Acetylethoxy) Protection of hydroxyl group of polyhydroxystyrene with 2-methylpropane
重量平均分子量 20, 000のポリヒドロキシスチレン(アルドリッチ社製) 2. 7gを N, N —ジメチルァセトアミド 17. 5mlに溶解し、この溶液の中に 1—クロ口一 1— (2 ァセ チルエトキシ)—2—メチルプロパン 1. 97gを加え、攪拌して完全に溶解した後、攪 拌しながらトリェチルァミン 2. 23gを約 30分間かけて滴下した。滴下終了後、そのま ま約 3時間攪拌した。次いで、得られた溶液に対して 20倍量の純水を加え、メチルイ ソブチルケトンで抽出し、溶媒を留去した後、純水 500ml中に滴下し再沈殿させるこ とにより淡黄色の固体 3. 5gを得た。 NMR ^ベクトルより、ヒドロキシル基の 35 モル%が 1一(2—ァセチルエトキシ)一 2—メチルプロポキシ基で置換されていること がわかった。 目的物の重量平均分子量は、 25, 000であった。この固体を榭脂 Ρ— 7 とする。 Polyhydroxystyrene with a weight average molecular weight of 20,000 (Aldrich) 2. 7g was dissolved in 17.5ml of N, N-dimethylacetamide. Tilethoxy) -2-methylpropane 1. Add 97g and stir to dissolve completely. While stirring, 2.23 g of triethylamine was added dropwise over about 30 minutes. After completion of dropping, the mixture was stirred for about 3 hours. Next, add 20 times the amount of pure water to the resulting solution, extract with methyl isobutyl ketone, distill off the solvent, drop it into 500 ml of pure water and reprecipitate it to obtain a pale yellow solid 3. 5 g was obtained. From the NMR ^ vector, it was found that 35 mol% of the hydroxyl group was substituted with 1- (2-acetylethyl) -1-2-methylpropoxy group. The target product had a weight average molecular weight of 25,000. This solid is designated as 榭 脂 Ρ-7.
実施例 8 Example 8
1 クロロー 1一(2—ェチルチオエトキシ) 2—メチルプロパンによるポリヒドロキシ スチレンのヒドロキシル基の保護  1 Chloro-1-1 (2-Ethylthioethoxy) 2-Methylpropane protects the hydroxyl group of polyhydroxystyrene
重量平均分子量 20, 000のポリヒドロキシスチレン(アルドリッチ社製) 2. 7gを Ν, N —ジメチルァセトアミド 17. 5mlに溶解し、この溶液の中に 1—クロ口一 1— (2 ェチ ルチオエトキシ)—2—メチルプロパン 2. 16gを加え、攪拌して完全に溶解した後、 攪拌しながらトリェチルァミン 2. 23gを約 30分間かけて滴下した。滴下終了後、その まま約 3時間攪拌した。次いで、得られた溶液に対して 20倍量の純水を加え、メチル イソプチルケトンで抽出し、溶媒を留去した後、純水 500ml中に滴下し再沈殿させる ことにより淡黄色の固体 3. 6gを得た。 H—NMR ^ベクトルより、ヒドロキシル基の 32 モル%が 1一(2—ェチルチオエトキシ) 2—メチルプロポキシ基で置換されている ことがわかった。 目的物の重量平均分子量は、 26, 000であった。この固体を榭脂 P 8とする。  Polyhydroxystyrene with a weight average molecular weight of 20,000 (Aldrich) 2. Dissolve 7g in 5, N-dimethylacetamide (17.5ml). Ruthioethoxy) -2-methylpropane 2.16 g was added and completely dissolved by stirring. Then, 2.23 g of triethylamine was added dropwise over about 30 minutes with stirring. After completion of dropping, the mixture was stirred for about 3 hours. Next, 20 times the amount of pure water was added to the resulting solution, extracted with methyl isobutyl ketone, the solvent was distilled off, and then dropped into 500 ml of pure water and reprecipitated to obtain 3.6 g of a pale yellow solid. Got. From the H-NMR ^ vector, it was found that 32 mol% of the hydroxyl groups were substituted with 1 (2-ethylthioethoxy) 2-methylpropoxy group. The target product had a weight average molecular weight of 26,000. This solid is designated as resin P8.
(合成例 9) 1 クロロー 1ーメトキシー2 メチルプロパンによるポリヒドロキシスチレン のヒドロキシル基の保護  (Synthesis Example 9) Protection of hydroxyl group of polyhydroxystyrene with 1 chloro-1-methoxy-2-methylpropane
重量平均分子量 20, 000のポリヒドロキシスチレン(アルドリッチ社製) 2. 7gを N, N —ジメチルァセトアミド 17. 5mlに溶解し、この溶液の中に 1—クロ口一 1—メトキシ一 2—メチルプロパン 1. 35gをカ卩え、攪拌して完全に溶解した後、攪拌しながらトリェチ ルァミン 2. 23gを約 30分間かけて滴下した。滴下終了後、そのまま約 3時間攪拌し た。次いで、得られた溶液に対して 20倍量の純水を加え、メチルイソブチルケトンで 抽出し、溶媒を留去した後、純水 500ml中に滴下し再沈殿させることにより淡黄色の 固体 3. 4gを得た。 H—NMR ^ベクトルより、ヒドロキシル基の 30モル0 /0が 1—メトキ シ一 2—メチルプロポキシ基で置換されていることがわ力つた。 目的物の重量平均分 子量は、 22, 000であった。この固体を榭脂 P— 9とする。 Polyhydroxystyrene with a weight average molecular weight of 20,000 (Aldrich) 2. 7g was dissolved in 17.5ml of N, N-dimethylacetamide. After adding 1.35 g of methylpropane and stirring to completely dissolve, 2.23 g of triethylamine was added dropwise over about 30 minutes with stirring. After completion of dropping, the mixture was stirred for about 3 hours. Next, 20 times the amount of pure water was added to the resulting solution, extracted with methyl isobutyl ketone, and the solvent was distilled off. 3.4 g of solid was obtained. H-NMR ^ than vector, I be 30 mole 0/0 of the hydroxyl group is substituted with 1-methoxyethanol one 2-methylpropoxy group ChikaraTsuta. The weight average molecular weight of the target product was 22,000. This solid is designated as resin P-9.
(試験例 1)保護体の基板への密着性評価  (Test Example 1) Evaluation of adhesion of protective body to substrate
実施例 3、 4、 5、 6、 7および 8ならびに合成例 7、 8および 9で得られた保護体 lgと プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート (協和発酵ケミカル株式会社製) 4 gをそれぞれ混合し、溶液とした。各溶液について JIS K 5400に従い碁盤目試験 を実施し、各保護体の基板への密着性を評価した。  Examples 3, 4, 5, 6, 7 and 8 and the protected form lg obtained in Synthesis Examples 7, 8 and 9 and 4 g of propylene glycol monomethyl ether acetate (manufactured by Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd.) were mixed, respectively. It was. Each solution was subjected to a cross cut test according to JIS K 5400 to evaluate the adhesion of each protector to the substrate.
[0142] 基板としては、アルミ板、金めつき鋼板、銀めつき鋼板、およびクロムニッケル基板を 用いた。 [0142] As the substrate, an aluminum plate, a gold-plated steel plate, a silver-plated steel plate, and a chromium nickel substrate were used.
評価基準は下表の通りである。点数が高 、ほど基板との密着性に優れる [0143] [表 1]  The evaluation criteria are as shown in the table below. The higher the score, the better the adhesion to the substrate. [0143] [Table 1]
¾ 1 ¾ 1
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[0144] [表 2] 表 2 評価結果 (評価点数) [0144] [Table 2] Table 2 Evaluation Results (Evaluation Score)
樹脂 基板  Resin substrate
アルミニウム 金 銀 二ヅケル  Aluminum Gold Silver
P— 1 1 0 1 0 1 0 1 0  P— 1 1 0 1 0 1 0 1 0
P - 2 1 0 1 0 1 0 1 0  P-2 1 0 1 0 1 0 1 0
P - 3 6 8 8 6 P-3 6 8 8 6
P— 4 1 0 1 0 1 0 1 0 P— 4 1 0 1 0 1 0 1 0
P - 5 1 0 1 0 1 0 1 0  P-5 1 0 1 0 1 0 1 0
P - 6 4 6 6 6 P-6 4 6 6 6
P - 7 1 0 1 0 1 0 1 0 P-7 1 0 1 0 1 0 1 0
P 8 1 0 1 0 1 0 1 0  P 8 1 0 1 0 1 0 1 0
P— 9 4 6 6 6 [0145] 実施例 3、 4、 5、 6、 7および 8で得られた保護体 (榭脂 P— 1、 P— 2、 P— 4、 P— 5、 P— 7および P— 8)は、合成例 7、 8および 9で得られた保護体 (榭脂 P— 3、 P— 6お よび P— 9)と比較して、基板への密着性に優れる。 P— 9 4 6 6 6 [0145] The protectors obtained in Examples 3, 4, 5, 6, 7 and 8 (resin P-1, P-2, P-4, P-5, P-7 and P-8) Compared with the protective bodies (Resin P-3, P-6, and P-9) obtained in Synthesis Examples 7, 8, and 9, the adhesion to the substrate is excellent.
(試験例 2)保護体のぬれ性評価  (Test Example 2) Wetability evaluation of protector
2インチのシリコンウェハーに、スピンコーター(回転数: 2000rpm、 60秒)で試験 例 1の各溶液をそれぞれ塗布し、ホットプレート(100°C、 5分)で加熱して膜厚 2 /z m の膜を作成した。 20°Cで蒸留水 (液滴直径 1. 5mm)を各膜上に滴下し、 2分後の接 触角を測定した。  Each solution of Test Example 1 was applied to a 2-inch silicon wafer with a spin coater (rotation speed: 2000 rpm, 60 seconds) and heated on a hot plate (100 ° C, 5 minutes) to obtain a film thickness of 2 / zm. A membrane was created. Distilled water (droplet diameter: 1.5 mm) was dropped onto each membrane at 20 ° C, and the contact angle after 2 minutes was measured.
[0146] [表 3] 表 3 :評細結果 (接触角)  [0146] [Table 3] Table 3: Evaluation results (contact angle)
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[0147] 実施例 3、 4、 5、 6、 7および 8で得られた保護体 (榭脂 P— 1、 P— 2、 P— 4、 P— 5、 P— 7および P— 8)は、合成例 7、 8および 9で得られた保護体 (榭脂 P— 3、 P— 6お よび P— 9)と比較して、親水性が高ぐはんだやめつき液等に対する濡れ性に優れる 実施例 9 [0147] The protectors obtained in Examples 3, 4, 5, 6, 7 and 8 (resin P-1, P-2, P-4, P-5, P-7 and P-8) Compared to the protectors obtained in Synthesis Examples 7, 8, and 9 (Resin P-3, P-6, and P-9), the hydrophilicity is high and the wettability with respect to the soldering solution and the like is excellent. Example 9
[0148] 表 4に従 ヽ、榭脂、光酸発生剤および有機溶剤を混合した。得られた溶液を 0. 2 μ mのメンブレンフィルターでろ過し、組成物 1を得た。  [0148] According to Table 4, a resin, a resin, a photoacid generator and an organic solvent were mixed. The resulting solution was filtered through a 0.2 μm membrane filter to obtain Composition 1.
実施例 10  Example 10
[0149] 表 4に従 ヽ、榭脂、光酸発生剤および有機溶剤を混合した。得られた溶液を 0. 2 μ mのメンブレンフィルターでろ過し、組成物 2を得た。 実施例 11 [0149] According to Table 4, a resin, a resin, a photoacid generator and an organic solvent were mixed. The resulting solution was filtered through a 0.2 μm membrane filter to obtain Composition 2. Example 11
[0150] 表 4に従 ヽ、榭脂、光酸発生剤および有機溶剤を混合した。得られた溶液を 0. 2 μ mのメンブレンフィルターでろ過し、組成物 3を得た。  [0150] According to Table 4, a resin, a resin, a photoacid generator and an organic solvent were mixed. The resulting solution was filtered through a 0.2 μm membrane filter to obtain Composition 3.
実施例 12  Example 12
[0151] 表 4に従 ヽ、榭脂、光酸発生剤および有機溶剤を混合した。得られた溶液を 0. 2 μ mのメンブレンフィルターでろ過し、組成物 4を得た。  [0151] According to Table 4, a resin, a resin, a photoacid generator and an organic solvent were mixed. The resulting solution was filtered through a 0.2 μm membrane filter to obtain Composition 4.
実施例 13  Example 13
[0152] 表 4に従 ヽ、榭脂、光酸発生剤および有機溶剤を混合した。得られた溶液を 0. 2 μ mのメンブレンフィルターでろ過し、組成物 5を得た。  [0152] According to Table 4, a resin, a resin, a photoacid generator and an organic solvent were mixed. The resulting solution was filtered through a 0.2 μm membrane filter to obtain Composition 5.
実施例 14  Example 14
[0153] 表 4に従 ヽ、榭脂、光酸発生剤および有機溶剤を混合した。得られた溶液を 0. 2 μ mのメンブレンフィルターでろ過し、組成物 6を得た。  [0153] According to Table 4, a resin, a resin, a photoacid generator and an organic solvent were mixed. The resulting solution was filtered through a 0.2 μm membrane filter to obtain Composition 6.
(比較例 2)  (Comparative Example 2)
表 4に従い、榭脂、光酸発生剤および有機溶剤を混合した。得られた溶液を 0. 2 μ mのメンブレンフィルターでろ過し、組成物 7とした。  According to Table 4, rosin, photoacid generator and organic solvent were mixed. The resulting solution was filtered through a 0.2 μm membrane filter to obtain composition 7.
(比較例 3)  (Comparative Example 3)
表 4に従い、榭脂、光酸発生剤および有機溶剤を混合した。得られた溶液を 0. 2 μ mのメンブレンフィルターでろ過し、組成物 8とした。  According to Table 4, rosin, photoacid generator and organic solvent were mixed. The resulting solution was filtered through a 0.2 μm membrane filter to obtain composition 8.
(比較例 4)  (Comparative Example 4)
表 4に従い、榭脂、光酸発生剤および有機溶剤を混合した。得られた溶液を 0. 2 μ mのメンブレンフィルターでろ過し、組成物 9とした。  According to Table 4, rosin, photoacid generator and organic solvent were mixed. The resulting solution was filtered through a 0.2 μm membrane filter to obtain composition 9.
[0154] [表 4] 組成物 組成物 組成物 組成物 組成物 組成物 組成物 組成物 紐成物 表 1 2 3 4 5 6 7 8 9[0154] [Table 4] Composition Composition Composition Composition Composition Composition Composition Composition Composition String Table 1 2 3 4 5 6 7 8 9
4 Four
澍脂 P— 1 2 0  Oil P— 1 2 0
P - 2 2 0  P-2 2 0
P - 3 2 0 P-3 2 0
P - 4 2 0 P-4 2 0
P - 5 2 0  P-5 2 0
P - 6 2 0  P-6 2 0
P - 7 2 0  P-7 2 0
P - 8 2 0  P-8 2 0
P 9 2 0 光酸 生剂 1 1 1 1 1 1 1 1 1 機溶剂 5 7 5 7 5 7 5 7 5 7 5 7 5 7 5 7 5 7  P 9 2 0 photoacid precursor 1 1 1 1 1 1 1 1 1 machine 5 7 5 7 5 7 5 7 5 7 5 7 5 7 5 7 5 7
[0155] 光酸発生剤としては、 PAI- 101 (みどり化学株式会社製)を用いた。 [0155] PAI-101 (manufactured by Midori Chemical Co., Ltd.) was used as the photoacid generator.
また、有機溶剤としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(協和 発酵ケミカル株式会社製)を用いた。  As the organic solvent, propylene glycol monomethyl ether acetate (manufactured by Kyowa Hakko Chemical Co., Ltd.) was used.
表 4において、各数値は、重量部を表す。  In Table 4, each numerical value represents part by weight.
(試験例 3)  (Test Example 3)
以下の方法でパターンを形成し、パターン形状つ 、て評価した。  A pattern was formed by the following method, and the pattern shape was evaluated.
<パターンの形成方法 >  <Pattern formation method>
4インチのシリコンウェハーに、スピンコーター(回転数: 2000rpm、 60秒)で組成 物 1—6をそれぞれ塗布し、ホットプレート(100°C、 5分)で加熱した。膜厚は と なった。次にマスクァライナー(ズース 'マイクロテック社製 MA— 4)を用いて i線を 20 mjZcm2露光した。露光後、ホットプレート(120°C、 2分)で加熱し、 2. 38%のテトラ メチルアンモ-ゥムヒドロキシド水溶液で現像(25°C、 120秒)した。最後に、純水で 洗浄して、 5 μ mのラインアンドスペースパターンを得た。 Compositions 1-6 were respectively applied to a 4-inch silicon wafer with a spin coater (rotation speed: 2000 rpm, 60 seconds) and heated with a hot plate (100 ° C., 5 minutes). The film thickness became. Next, the i-line was exposed to 20 mjZcm 2 using a mask aligner (MA-4 manufactured by SUSS Microtec). After the exposure, it was heated on a hot plate (120 ° C, 2 minutes) and developed with a 38% aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide (25 ° C, 120 seconds). Finally, it was washed with pure water to obtain a 5 μm line and space pattern.
[0156] パターン形状については、光学顕微鏡および走査型電子顕微鏡により得られたパ ターンの前面および断面を観察することにより評価した。パターン形状については、 矩形の場合を「〇」、矩形でない場合、例えば、ヘッドが丸い場合等を「X」として判 定した。  [0156] The pattern shape was evaluated by observing the front surface and the cross section of the pattern obtained by an optical microscope and a scanning electron microscope. Regarding the pattern shape, the case of a rectangle was determined as “◯”, and the case of a non-rectangular shape was determined as “X” when the head was round, for example.
[0157] [表 5] 表 5 [0157] [Table 5] Table 5
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[0158] 表 5より、実施例 9〜14で得られたィ匕学増幅型レジスト組成物 (組成物 1〜6)は、パ ターンの形状が良好であることがわかる。 [0158] From Table 5, it can be seen that the chemically amplified resist compositions (Compositions 1 to 6) obtained in Examples 9 to 14 have good pattern shapes.
産業上の利用可能性  Industrial applicability
[0159] 本発明により、保護体の基板への密着性や、はんだやめつき液等に対する濡れ性 等に優れるヒドロキシル基またはカルボキシル基の保護剤および該保護剤で保護さ れた保護体等を提供することができる。 [0159] According to the present invention, there are provided a hydroxyl group or carboxyl group protective agent excellent in adhesion of a protective body to a substrate, wettability with respect to a solder or a staking solution, etc., and a protective body protected with the protective agent. can do.

Claims

請求の範囲 The scope of the claims
[1] 一般式 (o)  [1] General formula (o)
[化 29]  [Chemical 29]
R1 X1 A-R3 R 1 X 1 AR 3
( 0 )  (0)
R2 X2 R 2 X 2
[式中、 X1は水素原子を表し、 X2はハロゲン原子を表す力、 X1と X2が一緒になつて 結合を表し、 [Where X 1 represents a hydrogen atom, X 2 represents a force representing a halogen atom, X 1 and X 2 together represent a bond,
R1および R2は、同一または異なって、置換もしくは非置換のアルキル、置換もしくは 非置換のァリールまたは置換もしくは非置換のァラルキルを表す力、 R1と R2が隣接 する炭素原子と一緒になつて置換もしくは非置換の脂環式炭化水素環を形成し、 A は、酸素原子または硫黄原子を表し、 R 1 and R 2 may be the same or different and represent a substituted or unsubstituted alkyl, a substituted or unsubstituted aryl or a substituted or unsubstituted aralkyl, and R 1 and R 2 together with adjacent carbon atoms. To form a substituted or unsubstituted alicyclic hydrocarbon ring, A represents an oxygen atom or a sulfur atom,
R3は、酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基が置換したアルキル、酸素原子 および Zまたは硫黄原子を有する基が置換したァリール、酸素原子および Zまたは 硫黄原子を有する基が置換したァラルキル、置換基を有して 、てもよ 、酸素原子お よび Zまたは硫黄原子を含む複素環基、—じ(= )1^ (式中、 Y1は酸素原子また は硫黄原子を表し、 RAは酸素原子および/または硫黄原子を有する基が置換して V、てもよ 、アルキル、酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基が置換して 、て もよ!/、ァリール、酸素原子および/または硫黄原子を有する基が置換して 、てもよ ヽ ァラルキルまたは酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基を表す)、ある いは— S (=Y2) Y3RB (式中、 pは 1または 2を表し、 Y2は酸素原子または硫黄原子 R 3 is alkyl substituted with a group having an oxygen atom and Z or a sulfur atom, aryl substituted by a group having an oxygen atom and Z or sulfur atom, aralkyl substituted by a group having an oxygen atom and Z or sulfur atom, substituted A heterocyclic group containing an oxygen atom and Z or a sulfur atom,-(=) 1 ^ (wherein Y 1 represents an oxygen atom or a sulfur atom, and R A represents A group having an oxygen atom and / or a sulfur atom may be substituted with V, or an alkyl, oxygen atom and a group having a Z or sulfur atom may be substituted with! /, Aryl, an oxygen atom and / or A group having a sulfur atom may be substituted to represent a heterocyclic group containing aralkyl or an oxygen atom and Z or a sulfur atom), or — S (= Y 2 ) Y 3 R B (wherein p represents 1 or 2, Y 2 represents an oxygen atom or a sulfur atom
P  P
を表し、 Y3は結合、酸素原子または硫黄原子を表し、 RBは水素原子、アルキル、ァリ ールまたはァラルキルを表す)を表す (ただし、 Aが硫黄原子の場合、 R3はアルキル であってもよ 、) ]で表される化合物を含有するヒドロキシル基またはカルボキシル基 の保護剤。 Y 3 represents a bond, an oxygen atom or a sulfur atom, and R B represents a hydrogen atom, an alkyl, an aryl or an aralkyl. (However, when A is a sulfur atom, R 3 is alkyl. A protective group for a hydroxyl group or a carboxyl group containing a compound represented by)].
[2] 一般式 (I) [2] General formula (I)
[化 30]
Figure imgf000052_0001
[Chemical 30]
Figure imgf000052_0001
(式中、 R R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表されるァルケ-ルェ 一テル、または一般式 (II) (Wherein RR 2 , R 3 and A are as defined above, respectively), or a general formula (II)
[化 31]  [Chemical 31]
Figure imgf000052_0002
Figure imgf000052_0002
(式中、 R1 R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義であり、 Xは、ハロゲン原子を表 す)で表されるハロゲンィ匕アルキルエーテルを含有するヒドロキシル基の保護剤。 (Wherein R 1 R 2 , R 3 and A are as defined above, and X represents a halogen atom), a hydroxyl group-protecting agent containing a halogenated alkyl ether.
[3] 一般式 (I)  [3] General formula (I)
[化 32]
Figure imgf000052_0003
[Chemical 32]
Figure imgf000052_0003
(式中、
Figure imgf000052_0004
R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表されるァルケ-ルェ 一テルまたは一般式 (II)
(Where
Figure imgf000052_0004
R 2 , R 3 and A have the same meanings as defined above) or the general formula (II)
[化 33]  [Chemical 33]
Figure imgf000052_0005
Figure imgf000052_0005
(式中、 R R2、 R3、 Aおよび Xは、それぞれ前記と同義である)で表されるハロゲン 化アルキルエーテルを含有するカルボキシル基の保護剤。 (Wherein, RR 2 , R 3 , A and X are as defined above), a protective agent for a carboxyl group containing a halogenated alkyl ether.
[4] 酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基が、ォキソ、チォォキソ、 Y¾A [式 中、 Y3は酸素原子または硫黄原子を表し、 RAは水素原子、アルキル、 - (CH CH [4] A group having an oxygen atom and a Z or sulfur atom is oxo, thixo, Y¾ A [wherein Y 3 represents an oxygen atom or a sulfur atom, R A represents a hydrogen atom, an alkyl,-(CH CH
2 2 O) — Raa (式中、 qは 1〜3の整数を表し、 Raaは水素原子、アルキル、ァリールまたは ァラルキルを表す)または C (=Yaa) Rab (式中、 Yaaは酸素原子または硫黄原子を 表し、 Rabはアルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 C (=Yb)Rb [式 中、 Ybは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbは水素原子、アルキル、 YbaRba (式 中、 Ybaは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbaは水素原子、アルキル、ァリールまた はァラルキルを表す)または—(OCH CH ) — Rbb (式中、 rは 1〜3の整数を表し、 R twenty two O) — R aa (wherein q represents an integer of 1 to 3, R aa represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl) or C (= Y aa ) R ab (where Y aa is oxygen Represents an atom or a sulfur atom, R ab represents alkyl, aryl or aralkyl), C (= Y b ) R b [wherein Y b represents an oxygen atom or a sulfur atom, and R b represents a hydrogen atom , Alkyl, Y ba R ba (where Y ba represents an oxygen atom or sulfur atom, R ba represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl) or — (OCH CH) — R bb (where r represents an integer of 1 to 3, R
2 2 r  2 2 r
bbはヒドロキシル、アルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 -S (=YC)b b represents hydroxyl, alkyl, represents) the Ariru or Ararukiru], -S (= Y C)
YdRe (式中、 sは 1または 2を表し、 は酸素原子または硫黄原子を表し、 Ydは結合、 酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、ァリールまたはァラルキ ルを表す)、あるいは酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基である請求 項 1〜3のいずれかに記載の保護剤。 Y d R e (wherein s represents 1 or 2, Y represents an oxygen atom or a sulfur atom, Y d represents a bond, an oxygen atom or a sulfur atom, and represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl. Or a heterocyclic group containing an oxygen atom and Z or a sulfur atom.
ヒドロキシル基を有する化合物を、一般式 (I)  Compounds having a hydroxyl group are represented by the general formula (I)
[化 34]
Figure imgf000053_0001
[Chemical 34]
Figure imgf000053_0001
(式中、 R R2、 R°および Aは、それぞれ前記と同義である)で表されるァルケ-ルェ 一テルまたは一般式 (II) (Wherein RR 2 , R ° and A have the same meanings as defined above) or the general formula (II)
[化 35] [Chemical 35]
Figure imgf000053_0002
Figure imgf000053_0002
(式中、 R R2、 R3、 Aおよび Xは、それぞれ前記と同義である)で表されるハロゲン 化アルキルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式 (III) (Wherein RR 2 , R 3 , A and X are as defined above, respectively), which is reacted with a halogenated alkyl ether represented by the general formula (III)
[化 36]
Figure imgf000054_0001
[Chemical 36]
Figure imgf000054_0001
(式中、
Figure imgf000054_0002
R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基を有する化 合物の製造法。
(Where
Figure imgf000054_0002
R 2 , R 3 and A are the same as defined above).
[6] カルボキシル基を有する化合物を、一般式 (I)  [6] A compound having a carboxyl group is represented by the general formula (I)
[化 37]
Figure imgf000054_0003
[Chemical 37]
Figure imgf000054_0003
(式中、
Figure imgf000054_0004
R2、 R°および Aは、それぞれ前記と同義である)で表されるァルケ-ルェ 一テルまたは一般式 (II)
(Where
Figure imgf000054_0004
R 2 , R ° and A have the same meanings as defined above) or the general formula (II)
[化 38]  [Chemical 38]
Figure imgf000054_0005
Figure imgf000054_0005
(式中、
Figure imgf000054_0006
R2、 R3、 Aおよび Xは、それぞれ前記と同義である)で表されるハロゲン 化アルキルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式 (IV)
(Where
Figure imgf000054_0006
R 2 , R 3 , A and X are the same as defined above) and are reacted with a halogenated alkyl ether represented by the general formula (IV)
[化 39]  [Chemical 39]
Figure imgf000054_0007
Figure imgf000054_0007
(式中、 R\ R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基を有する化 合物の製造法。 (Wherein, R \ R 2 , R 3 and A are as defined above, respectively).
[7] ヒドロキシル基を有する化合物を、一般式 (I)  [7] A compound having a hydroxyl group is represented by the general formula (I)
[化 40]
Figure imgf000055_0001
[Chemical 40]
Figure imgf000055_0001
(式中、 R R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表されるアルケニルェ 一テルと反応させることを特徴とする、一般式 (III) (Wherein RR 2 , R 3 and A have the same meanings as described above, respectively), and is reacted with an alkenyl ether represented by the general formula (III)
[化 41] [Chemical 41]
R 2 R 2
0")  0 ")
R3 R 3
ヽ。八 Z  ヽ. Eight Z
(式中、 R R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基を有する化 合物の製造法。 (Wherein RR 2 , R 3 and A are as defined above, respectively).
ヒドロキシル基を有する化合物を、一般式 (II)  Compounds having a hydroxyl group are represented by the general formula (II)
[化 42] [Chemical 42]
(")(")
Figure imgf000055_0002
Figure imgf000055_0002
(式中、 R R2、 R3、 Aおよび Xは、それぞれ前記と同義である)で表されるハロゲン 化アルキルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式 (III) (Wherein RR 2 , R 3 , A and X are as defined above, respectively), which is reacted with a halogenated alkyl ether represented by the general formula (III)
[化 43] [Chemical 43]
Figure imgf000055_0003
Figure imgf000055_0003
(式中、 R1 R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基を有する化 合物の製造法。 (Wherein R 1 R 2 , R 3 and A have the same meanings as described above, respectively).
カルボキシル基を有する化合物を、一般式 (I)  Compounds having a carboxyl group are represented by the general formula (I)
[化 44]
Figure imgf000056_0001
[Chemical 44]
Figure imgf000056_0001
(式中、
Figure imgf000056_0002
R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表されるァルケ-ルェ 一テルと反応させることを特徴とする、一般式 (IV)
(Where
Figure imgf000056_0002
R 2 , R 3 and A are the same as defined above, respectively),
[化 45]  [Chemical 45]
Figure imgf000056_0003
Figure imgf000056_0003
(式中、
Figure imgf000056_0004
R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基を有する化 合物の製造法。
(Where
Figure imgf000056_0004
R 2 , R 3 and A are the same as defined above).
[10] カルボキシル基を有する化合物を、一般式 (II)  [10] A compound having a carboxyl group is represented by the general formula (II)
[化 46]  [Chem 46]
Figure imgf000056_0005
Figure imgf000056_0005
(式中、 R R2、 R3、 Aおよび Xは、それぞれ前記と同義である)で表されるハロゲン 化アルキルエーテルと反応させることを特徴とする、一般式 (IV) (Wherein RR 2 , R 3 , A and X have the same meanings as described above, respectively).
[化 47]  [Chemical 47]
Figure imgf000056_0006
Figure imgf000056_0006
(式中、
Figure imgf000056_0007
R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基を有する化 合物の製造法。
(Where
Figure imgf000056_0007
R 2 , R 3 and A are the same as defined above).
[11] 酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基が、ォキソ、チォォキソ、 Y¾A [式 中、 Y3は酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、 (CH 2 CH 2 O) — Raa (式中、 qは 1〜3の整数を表し、 Raaは水素原子、アルキル、ァリールまたは ァラルキルを表す)または C (=Yaa) Rab (式中、 Yaaは酸素原子または硫黄原子を 表し、 Rabはアルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 C (=Yb)Rb [式 中、 Ybは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbは水素原子、アルキル、 YbaRba (式 中、 Ybaは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbaは水素原子、アルキル、ァリールまた はァラルキルを表す)または—(OCH CH ) — Rbb (式中、 rは 1〜3の整数を表し、 R [11] A group having an oxygen atom and Z or a sulfur atom is oxo, thixo, Y¾ A [wherein Y 3 represents an oxygen atom or a sulfur atom, is a hydrogen atom, an alkyl, (CH 2 CH 2 O) — R aa (wherein q represents an integer of 1 to 3, R aa represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl) or C (= Y aa ) R ab (where Y aa is oxygen Represents an atom or a sulfur atom, R ab represents alkyl, aryl or aralkyl), C (= Y b ) R b [wherein Y b represents an oxygen atom or a sulfur atom, and R b represents a hydrogen atom , Alkyl, Y ba R ba (where Y ba represents an oxygen atom or sulfur atom, R ba represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl) or — (OCH CH) — R bb (where r represents an integer of 1 to 3, R
2 2 r  2 2 r
bbはヒドロキシル、アルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 -S (=YC)b b represents hydroxyl, alkyl, represents) the Ariru or Ararukiru], -S (= Y C)
YdRe (式中、 sは 1または 2を表し、 は酸素原子または硫黄原子を表し、 Ydは結合、 酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、ァリールまたはァラルキ ルを表す)、あるいは酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基である請求 項 5〜: LOのいずれかに記載の製造法。 Y d R e (wherein s represents 1 or 2, Y represents an oxygen atom or a sulfur atom, Y d represents a bond, an oxygen atom or a sulfur atom, and represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl. Or a heterocyclic group containing an oxygen atom and a Z or sulfur atom. The production method according to any one of claims 5 to LO.
一般式 (V)  Formula (V)
[化 48] [Chemical 48]
Figure imgf000057_0001
Figure imgf000057_0001
(式中、 R4は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ、置換もしくは非置換のアルコキシ 、置換もしくは非置換のアルキル、置換もしくは非置換のァリールまたは置換もしくは 非置換のァラルキルを表し、 kは 0—4の整数を表す)で表される繰り返し単位を含み 、重量平均分子量が 1, 000- 100, 000である重合体のヒドロキシル基の全てまた は一部が、一般式 (III) (Wherein R 4 represents a hydrogen atom, a halogen atom, hydroxy, substituted or unsubstituted alkoxy, substituted or unsubstituted alkyl, substituted or unsubstituted aryl, or substituted or unsubstituted aralkyl, k represents 0— All or a part of the hydroxyl groups of the polymer having a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000 are represented by the general formula (III)
[化 49] [Chemical 49]
Figure imgf000057_0002
(式中、 R\ R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基で置換され たポリヒドロキシスチレン誘導体。
Figure imgf000057_0002
(Wherein R \ R 2 , R 3 and A have the same meanings as described above, respectively).
[13] 酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基が、ォキソ、チォォキソ、 Y¾a [式 中、 Y3は酸素原子または硫黄原子を表し、 Raは水素原子、アルキル、 - (CH CH [13] A group having an oxygen atom and Z or a sulfur atom is oxo, thixo, Y¾ a [wherein Y 3 represents an oxygen atom or a sulfur atom, R a represents a hydrogen atom, an alkyl,-(CH CH
2 2 twenty two
O) — Raa (式中、 qは 1〜3の整数を表し、 Raaは水素原子、アルキル、ァリールまたは ァラルキルを表す)または C (=Yaa) Rab (式中、 Yaaは酸素原子または硫黄原子を 表し、 Rabはアルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 C (=Yb)Rb [式 中、 Ybは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbは水素原子、アルキル、 YbaRba (式 中、 Ybaは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbaは水素原子、アルキル、ァリールまた はァラルキルを表す)または—(OCH CH ) — Rbb (式中、 rは 1〜3の整数を表し、 R O) — R aa (wherein q represents an integer of 1 to 3, R aa represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl) or C (= Y aa ) R ab (where Y aa is oxygen Represents an atom or a sulfur atom, R ab represents alkyl, aryl or aralkyl), C (= Y b ) R b [wherein Y b represents an oxygen atom or a sulfur atom, and R b represents a hydrogen atom , Alkyl, Y ba R ba (where Y ba represents an oxygen atom or sulfur atom, R ba represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl) or — (OCH CH) — R bb (where r represents an integer of 1 to 3, R
2 2 r  2 2 r
bbはヒドロキシル、アルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 -S (=YC)b b represents hydroxyl, alkyl, represents) the Ariru or Ararukiru], -S (= Y C)
YdRe (式中、 sは 1または 2を表し、 は酸素原子または硫黄原子を表し、 Ydは結合、 酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、ァリールまたはァラルキ ルを表す)、あるいは酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基である請求 項 12記載のポリヒドロキシスチレン誘導体。 Y d R e (wherein s represents 1 or 2, Y represents an oxygen atom or a sulfur atom, Y d represents a bond, an oxygen atom or a sulfur atom, and represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl. 13. The polyhydroxystyrene derivative according to claim 12, which is a heterocyclic group containing an oxygen atom and Z or a sulfur atom.
[14] 一般式 (VI) [14] General formula (VI)
[化 50]  [Chemical 50]
Figure imgf000058_0001
Figure imgf000058_0001
(式中、 R5は、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ、置換もしくは非置換のアルコキシ 、置換もしくは非置換のアルキル、置換もしくは非置換のァリールまたは置換もしくは 非置換のァラルキルを表し、 kは 0 3の整数を表し、 R6および R7は、同一または異 なって水素原子、置換もしくは非置換のアルキル、置換もしくは非置換のァリールま たは置換もしくは非置換のァラルキルを表す)で表される繰り返し単位を含み、重量 平均分子量が 1, 000- 100, 000である重合体のヒドロキシル基の全てまたは一部 が、一般式 (III) (Wherein R 5 represents a hydrogen atom, a halogen atom, hydroxy, substituted or unsubstituted alkoxy, substituted or unsubstituted alkyl, substituted or unsubstituted aryl, or substituted or unsubstituted aralkyl, and k represents 0 3 R 6 and R 7 are the same or different and each represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl, a substituted or unsubstituted aryl or a substituted or unsubstituted aralkyl. All or part of the hydroxyl groups of the polymer containing units and having a weight average molecular weight of 1,000-100,000 Is the general formula (III)
[化 51]  [Chemical 51]
Figure imgf000059_0001
Figure imgf000059_0001
(式中、 R\ R2、 R3および Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基で置換され たノボラック榭脂誘導体。 (Wherein R \ R 2 , R 3 and A are as defined above), and a novolac rosin derivative substituted with a group represented by:
[15] 酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基が、ォキソ、チォォキソ、 Y¾a [式 中、 Y3は酸素原子または硫黄原子を表し、 Raは水素原子、アルキル、 - (CH CH [15] A group having an oxygen atom and a Z or sulfur atom is oxo, thixo, Y¾ a [wherein Y 3 represents an oxygen atom or a sulfur atom, R a represents a hydrogen atom, an alkyl,-(CH CH
2 2 twenty two
O) — Raa (式中、 qは 1〜3の整数を表し、 Raaは水素原子、アルキル、ァリールまたは ァラルキルを表す)または C (=Yaa) Rab (式中、 Yaaは酸素原子または硫黄原子を 表し、 Rabはアルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 C (=Yb)Rb [式 中、 Ybは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbは水素原子、アルキル、 YbaRba (式 中、 Ybaは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbaは水素原子、アルキル、ァリールまた はァラルキルを表す)または—(OCH CH ) — Rbb (式中、 rは 1〜3の整数を表し、 R O) — R aa (wherein q represents an integer of 1 to 3, R aa represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl) or C (= Y aa ) R ab (where Y aa is oxygen Represents an atom or a sulfur atom, R ab represents alkyl, aryl or aralkyl), C (= Y b ) R b [wherein Y b represents an oxygen atom or a sulfur atom, and R b represents a hydrogen atom , Alkyl, Y ba R ba (where Y ba represents an oxygen atom or sulfur atom, R ba represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl) or — (OCH CH) — R bb (where r represents an integer of 1 to 3, R
2 2 r  2 2 r
bbはヒドロキシル、アルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 -S (=YC)b b represents hydroxyl, alkyl, represents) the Ariru or Ararukiru], -S (= Y C)
YdRe (式中、 sは 1または 2を表し、 は酸素原子または硫黄原子を表し、 Ydは結合、 酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、ァリールまたはァラルキ ルを表す)、あるいは酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基である請求 項 14記載のノボラック榭脂誘導体。 Y d R e (wherein s represents 1 or 2, Y represents an oxygen atom or a sulfur atom, Y d represents a bond, an oxygen atom or a sulfur atom, and represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl. ), Or a heterocyclic group containing an oxygen atom and a Z or sulfur atom.
[16] 一般式 (VII) [16] General formula (VII)
[化 52]  [Chemical 52]
Figure imgf000059_0002
Figure imgf000059_0002
(式中、 R8は、水素原子、低級アルキルまたはヒドロキシメチルを表す)で表される繰 り返し単位を含み、重量平均分子量が 1, 000- 100, 000である重合体のカルボキ シル基の全てまたは一部力 一般式 (IV) (Wherein R 8 represents a hydrogen atom, lower alkyl or hydroxymethyl), and a polymer carbocycle having a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000. All or part of the syl group general formula (IV)
[化 53] [Chemical 53]
Figure imgf000060_0001
Figure imgf000060_0001
(式中、 R\ R2、 ITおよび Aは、それぞれ前記と同義である)で表される基で置換され たポリアクリル榭脂誘導体またはポリメタクリル樹脂誘導体。 (Wherein R \ R 2 , IT and A are as defined above) and a polyacrylic resin derivative or a polymethacrylic resin derivative substituted with a group represented by:
[17] 酸素原子および Zまたは硫黄原子を有する基が、ォキソ、チォォキソ、 Y¾a [式 中、 Y3は酸素原子または硫黄原子を表し、 Raは水素原子、アルキル、 - (CH CH [17] A group having an oxygen atom and Z or a sulfur atom is oxo, thixo, Y¾ a [wherein Y 3 represents an oxygen atom or a sulfur atom, R a represents a hydrogen atom, an alkyl,-(CH CH
2 2 twenty two
O) — Raa (式中、 qは 1〜3の整数を表し、 Raaは水素原子、アルキル、ァリールまたは ァラルキルを表す)または C (=Yaa) Rab (式中、 Yaaは酸素原子または硫黄原子を 表し、 Rabはアルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 C (=Yb)Rb [式 中、 Ybは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbは水素原子、アルキル、 YbaRba (式 中、 Ybaは酸素原子または硫黄原子を表し、 Rbaは水素原子、アルキル、ァリールまた はァラルキルを表す)または—(OCH CH ) — Rbb (式中、 rは 1〜3の整数を表し、 R O) — R aa (wherein q represents an integer of 1 to 3, R aa represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl) or C (= Y aa ) R ab (where Y aa is oxygen Represents an atom or a sulfur atom, R ab represents alkyl, aryl or aralkyl), C (= Y b ) R b [wherein Y b represents an oxygen atom or a sulfur atom, and R b represents a hydrogen atom , Alkyl, Y ba R ba (where Y ba represents an oxygen atom or sulfur atom, R ba represents a hydrogen atom, alkyl, aryl, or aralkyl) or — (OCH CH) — R bb (where, r represents an integer of 1 to 3, R
2 2 r  2 2 r
bbはヒドロキシル、アルキル、ァリールまたはァラルキルを表す)を表す]、 -S (=YC)b b represents hydroxyl, alkyl, represents) the Ariru or Ararukiru], -S (= Y C)
YdRe (式中、 sは 1または 2を表し、 は酸素原子または硫黄原子を表し、 Ydは結合、 酸素原子または硫黄原子を表し、 は水素原子、アルキル、ァリールまたはァラルキ ルを表す)、あるいは酸素原子および Zまたは硫黄原子を含む複素環基である請求 項 16記載のポリアクリル榭脂誘導体またはポリメタクリル樹脂誘導体。 Y d R e (wherein s represents 1 or 2, Y represents an oxygen atom or a sulfur atom, Y d represents a bond, an oxygen atom or a sulfur atom, and represents a hydrogen atom, alkyl, aryl or aralkyl. Or a polyacrylic resin derivative or a polymethacrylic resin derivative according to claim 16, which is a heterocyclic group containing an oxygen atom and a Z or sulfur atom.
[18] 重量平均分子量 1, 000- 100, 000である請求項 5に記載の一般式 (III)で表さ れる基を有する化合物または請求項 6に記載の一般式 (IV)で表される基を有する化 合物と、光酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物。  [18] A compound having a group represented by general formula (III) according to claim 5 or a general formula (IV) according to claim 6, which has a weight average molecular weight of 1,000 to 100,000. A chemically amplified resist composition comprising a compound having a group and a photoacid generator.
[19] 請求項 12または 13記載のポリヒドロキシスチレン誘導体と光酸発生剤を含有する 化学増幅型レジスト組成物。  [19] A chemically amplified resist composition comprising the polyhydroxystyrene derivative according to claim 12 or 13 and a photoacid generator.
[20] 請求項 14または 15記載のノボラック榭脂誘導体と光酸発生剤を含有する化学増 幅型レジスト組成物。  [20] A chemically amplified resist composition comprising the novolak rosin derivative according to claim 14 or 15, and a photoacid generator.
[21] 請求項 16または 17記載のポリアクリル榭脂誘導体またはポリメタクリル樹脂誘導体 と光酸発生剤を含有する化学増幅型レジスト組成物。 [21] The polyacrylic resin or polymethacrylic resin derivative according to claim 16 or 17 And a chemically amplified resist composition containing a photoacid generator.
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