WO2007029391A1 - Calculation function-equipped memory control device and memory device - Google Patents

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WO2007029391A1
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memory
data
memory device
arithmetic
control device
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PCT/JP2006/311996
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French (fr)
Japanese (ja)
Inventor
Junichi Kuchinishi
Akira Maruko
Daigo Senoo
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices

Definitions

  • the present invention relates to a memory control device and a memory device, and more particularly to a memory system that performs operations such as error correction on memory data.
  • Such a system for example, a system for performing an error correction operation of an optical disk device, stores data before correction in a large-capacity buffer memory and repeats reading and writing of the buffer memory a plurality of times. It is common to perform error detection and correction.
  • optical disks such as CD and DVD use DRAM as buffer memory to detect and correct errors.
  • FIG. 5 illustrates the processing time and the data flow between devices when correcting memory data in such a system.
  • arbitration time the time from when the memory control device 20 issues a command until the access is actually started
  • access time the time from when the memory control device 20 performs the memory access to completion
  • the correction device 30 which is an arithmetic device related to error detection and correction, includes a memory control device 2 For 0, pass the address of the data you want to read and issue a data read command.
  • the memory control device 20 starts reading data from the memory device 10.
  • arbitration time for the read command is required first.
  • the memory control device 20 performs reading from the memory device 10.
  • memory access time for reading is required.
  • correction device 3 The read data returns to the correction device 30 via the memory control device 20. Correction device 3
  • the correction device 30 passes the address of the data to be written and the corrected data to the memory control device 20, and issues a data write command.
  • the memory control device 20 writes data to the memory device 10. Again, arbitration time for the write command is required.
  • the memory control device 20 performs writing to the memory device 10, and the memory device 10 stores data.
  • memory access time for writing is required.
  • the arbitration time for each read / write and the read / write access time are required.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-54892
  • a calculation that has been performed in a conventional correction device is performed in a memory control device or a memory device.
  • the arbitration required for each of the conventional read and write operations can be performed without a significant increase in circuit. It can be reduced only at the start of calculation. Therefore, the processing time can be shortened, and the processing speed of the entire memory system can be improved.
  • FIG. 1 is an operation explanatory diagram of a memory system provided with a memory control device according to the present invention.
  • FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example of a memory control device according to the present invention.
  • FIG. 3 is an operation explanatory diagram of a memory system including a memory device according to the present invention.
  • FIG. 4 is a block diagram showing a configuration example of a memory device according to the present invention.
  • FIG. 5 is an operation explanatory diagram of a conventional memory system.
  • FIG. 1 shows a case where an operation performed by the correction device 30 is performed by the memory control device 20.
  • the correction device 30 passes to the memory control device 20 the type of operation to be performed and one of the operation target data, and issues a data operation command.
  • the memory control device 20 starts reading data from the memory device 10.
  • mediation time for the calculation command is required.
  • the memory control device 20 performs reading from the memory device 10.
  • memory access time for reading is required.
  • the read data is held in the memory control device 20.
  • the memory control device 20 performs a specified operation on the stored data. Here, computation time is required.
  • the memory control device 20 performs writing to the memory device 10, and the memory device 10 stores the data.
  • memory access time for writing is required.
  • 2 includes a flip-flop 21, a selector 22, and an arithmetic device 23.
  • the flip-flop 21 is a means for temporarily storing data therein.
  • the selector 22 at the input of the flip-flop 21 selects data from the memory device 10, and the data from the memory device 10 is stored in the flip-flop 21 over time. The data is retained until the correction device 30 reads it.
  • the selector 22 at the input of the flip-flop 21 selects the data from the correction device 30 if it is a write command from the correction device 30, for example, and the data to be written is It is temporarily stored in the flip-flop 21. Data is retained until it is written to memory device 10.
  • the selector 22 at the input of the flip-flop 21 selects data from the correction device 30 if the operation command is from the correction device 30, for example. Is temporarily stored in Subsequently, when the data from the arithmetic unit 23 is selected by the selector 22 and the data is read from the memory unit 10, the arithmetic result is stored in the flip-flop 21. Subsequently, when data is written to the memory device 10, the memory data calculation is completed.
  • FIG. 3 illustrates the processing time and the data flow between the devices 10, 20, and 30 when the calculation performed by the correction device 30 is performed by the memory device 10.
  • the correction device 30 passes to the memory control device 20 the type of operation to be performed and one of the operation target data, and issues a data operation command.
  • the memory control device 20 starts reading data from the memory device 10.
  • mediation time for the calculation command is required.
  • the memory control device 20 controls the memory device 10 to perform a calculation operation. Based on the information from the memory control device 20, the memory device 10 performs its own reading, calculation, and writing, and the processing is completed. Inside the memory device 10, read and write Access time is required. Furthermore, calculation time is also required.
  • the memory device 10 is a memory that requires data reading and writing called refresh operation at regular intervals called DRAM.
  • 11 is a memory cell array
  • 12 is a sense amplifier
  • the sense amplifier 12 determines the potential of the data stored in the memory cell array 11 and outputs the determination result.
  • a selector 13 selects input / output data for the memory cell array 11.
  • Reference numeral 14 denotes a refresh control circuit that controls the refresh operation of the DRAM.
  • 15 is an output data buffer
  • 16 is an input data buffer.
  • Reference numeral 17 denotes an arithmetic circuit.
  • refresh is performed in order to maintain the storage state of the memory cell array 11.
  • the refresh control circuit 14 refreshes predetermined data in the memory cell array 11. In that case, the potential of the data from the memory cell array 11 is determined by the sense amplifier 12 and stored in the memory sensing array 11 again.
  • the potential from the data from the memory cell array 11 is determined by the sense amplifier 12, sent to the calculation circuit 17, and stored again in the memory cell array 11, and the operation is repeated.
  • the operation is almost the same in that the data is read from the memory cell array 11 and stored again at the time of calculation and at the time of refresh, and a little circuit is added to the arithmetic circuit 17 in the conventional memory device.
  • the memory device 10 having the configuration of the present invention can be obtained.
  • the calculation is performed by the error correction system.
  • any calculation can be performed between the data in the memory device 10 and some data, and the memory device 10 or the memory control device 20.
  • the memory control device with an arithmetic function and the memory device according to the present invention have an effect that the processing speed of the entire memory system can be improved. Useful as.

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Abstract

A calculation which has been conventionally executed in a correction device (30) is executed in a memory device (10) or a memory control device (20). Thus, adjustment which has been conventionally required when reading and writing data from/into a memory should be executed only when starting a calculation.

Description

明 細 書  Specification
演算機能付きメモリ制御装置及びメモリ装置  Memory control device with arithmetic function and memory device
技術分野  Technical field
[0001] 本発明は、メモリ制御装置及びメモリ装置に関し、特にメモリデータに対して誤り訂 正等の演算を実施するメモリシステムに関するものである。 背景技術  The present invention relates to a memory control device and a memory device, and more particularly to a memory system that performs operations such as error correction on memory data. Background art
[0002] 大量の情報量を有する映像情報等の記録再生や伝送がデジタル信号として行わ れるようになるに伴い、記録された情報又は伝送される情報に対する信頼性を高める ために誤りの検出及び訂正が必須である。更に大容量であるため、高速な処理が求 められている。  [0002] As video information having a large amount of information is recorded / reproduced and transmitted as digital signals, error detection and correction is performed to increase the reliability of recorded information or transmitted information. Is essential. In addition, because of its large capacity, high-speed processing is required.
[0003] そのようなシステム、例えば光ディスク装置の誤り訂正演算を実施するシステムは、 大容量のバッファメモリに訂正前のデータをー且格納し、当該バッファメモリの読み書 きを複数回数繰り返すことにより誤りの検出及び訂正を実施することが一般的である 。例えば CDや DVD等の光ディスクでは、 DRAMをバッファメモリとして利用し、誤り の検出及び訂正を実施している。  [0003] Such a system, for example, a system for performing an error correction operation of an optical disk device, stores data before correction in a large-capacity buffer memory and repeats reading and writing of the buffer memory a plurality of times. It is common to perform error detection and correction. For example, optical disks such as CD and DVD use DRAM as buffer memory to detect and correct errors.
[0004] 例えば DVD等では、ディスクからの読み出しを実施しながら、訂正処理やデータの 出力を同時に実施する必要がある場合が多レ、。このようなシステムにおいては、メモリ 装置に対して同時に読み出しや書き込みを行う装置が複数存在するため、システム 内に各装置からのメモリ装置に対するアクセスの調停を実施するメモリ制御装置を置 き、メモリ装置に対するアクセスは各装置が直接行うのではなくメモリ制御装置経由で 行う。  [0004] For example, in a DVD or the like, it is often necessary to perform correction processing and data output at the same time while reading from a disc. In such a system, since there are a plurality of devices that simultaneously read from and / or write to the memory device, a memory control device that performs arbitration of access to the memory device from each device is placed in the system. Access to is not performed directly by each device but via the memory controller.
[0005] 図 5は、このようなシステムでメモリデータに対して訂正を行う場合の、処理時間と各 装置間のデータの流れを説明したものである。  FIG. 5 illustrates the processing time and the data flow between devices when correcting memory data in such a system.
[0006] 以下、メモリ制御装置 20がコマンド発行後実際にアクセス開始するまでの時間を調 停時間とし、メモリ制御装置 20がメモリアクセスを実施して完了するまでの時間をァク セス時間とする。 [0006] Hereinafter, the time from when the memory control device 20 issues a command until the access is actually started is referred to as arbitration time, and the time from when the memory control device 20 performs the memory access to completion is referred to as the access time. .
[0007] まず、誤りの検出及び訂正に係る演算装置である訂正装置 30が、メモリ制御装置 2 0に対して、読み出しをしたいデータのアドレスを渡し、データ読み出しコマンドを発 行する。メモリ制御装置 20は、メモリ装置 10からのデータ読み出しを開始する。ここ でまず読み出しコマンドに対する調停時間が必要になる。 [0007] First, the correction device 30, which is an arithmetic device related to error detection and correction, includes a memory control device 2 For 0, pass the address of the data you want to read and issue a data read command. The memory control device 20 starts reading data from the memory device 10. Here, arbitration time for the read command is required first.
[0008] 続いてメモリ制御装置 20は、メモリ装置 10に対して読み出しを実施する。ここでは 読み出しのためのメモリアクセス時間が必要になる。 Subsequently, the memory control device 20 performs reading from the memory device 10. Here, memory access time for reading is required.
[0009] 読み出したデータはメモリ制御装置 20を経由して訂正装置 30に戻る。訂正装置 3The read data returns to the correction device 30 via the memory control device 20. Correction device 3
0では、読み出したデータに対して必要な演算を実施する。ここでは、演算時間が必 要となる。 At 0, necessary calculations are performed on the read data. Here, computation time is required.
[0010] 訂正装置 30は、メモリ制御装置 20に対して、書き込みをしたいデータのアドレスと 訂正したデータとを渡し、データ書き込みコマンドを発行する。メモリ制御装置 20はメ モリ装置 10に対してデータ書き込みを実施する。ここでも書き込みコマンドに対する 調停時間が必要になる。  [0010] The correction device 30 passes the address of the data to be written and the corrected data to the memory control device 20, and issues a data write command. The memory control device 20 writes data to the memory device 10. Again, arbitration time for the write command is required.
[0011] 最後にメモリ制御装置 20は、メモリ装置 10に対して書き込みを実施し、メモリ装置 1 0はデータを格納する。ここでは書き込みのためのメモリアクセス時間が必要になる。  [0011] Finally, the memory control device 20 performs writing to the memory device 10, and the memory device 10 stores data. Here, memory access time for writing is required.
[0012] 以上のように、メモリデータの訂正を実施するためには、演算時間に加えて、読み 出し書き込みそれぞれの調停時間と、読み出し書き込みアクセス時間とが必要にな る。  As described above, in order to correct the memory data, in addition to the calculation time, the arbitration time for each read / write and the read / write access time are required.
[0013] ところで、メモリ装置自体に演算機能、特に訂正機能を持たせたものは存在してレ、 る。メモリ装置内部でのリフレッシュ時に訂正演算を実施して、メモリセルのソフトエラ 一の発生を低減させることを目的とするものであるが、メモリシステムの性能向上のた めにメモリ装置で演算を実施してレ、るわけではなレ、(特許文献 1参照)。  [0013] By the way, there are memory devices that have a calculation function, particularly a correction function. The purpose of this is to reduce the occurrence of memory cell soft errors by performing a correction operation when refreshing inside the memory device, but in order to improve the performance of the memory system, the memory device performs the operation. It's not that. (See Patent Document 1).
特許文献 1 :特開昭 62— 54892号公報  Patent Document 1: Japanese Patent Application Laid-Open No. 62-54892
発明の開示  Disclosure of the invention
発明が解決しょうとする課題  Problems to be solved by the invention
[0014] メモリデータに対して誤り訂正等の演算を実施するメモリシステムにて、処理速度の 向上、例えば光ディスクであれば再生倍速を向上させるためには、演算時間、読み 出し書き込みの調停時間、読み出し書き込みアクセス時間を短縮又は削減する必要 力 Sある。 [0015] 例えば、各訂正のステップ毎に専用のメモリ装置を利用すれば調停が不要になる ため、処理時間の削減が可能になるが、メモリ装置の回路規模が増加してしまレ、、コ ストが高くなつてしまう。 [0014] In a memory system that performs operations such as error correction on memory data, in order to improve the processing speed, for example, in the case of an optical disc, to improve the playback speed, the calculation time, the read / write arbitration time, Need to shorten or reduce read / write access time. [0015] For example, if a dedicated memory device is used for each correction step, arbitration becomes unnecessary, so that the processing time can be reduced. However, the circuit scale of the memory device increases, and The strike will be high.
課題を解決するための手段  Means for solving the problem
[0016] 上記課題を解決するため、本発明では、従来訂正装置で実施していた演算をメモ リ制御装置又はメモリ装置にて実施する。 In order to solve the above-described problem, in the present invention, a calculation that has been performed in a conventional correction device is performed in a memory control device or a memory device.
発明の効果  The invention's effect
[0017] メモリ制御装置又はメモリ装置で誤り訂正等の演算を実施することで、大幅な回路 の増加なしに、従来読み出しの際と、書き込みの際とのそれぞれに必要であった調 停を、演算開始の際だけに削減することができる。そのため処理時間を短縮すること が可能になり、メモリシステム全体の処理速度を向上させることができる。  [0017] By performing operations such as error correction in the memory control device or the memory device, the arbitration required for each of the conventional read and write operations can be performed without a significant increase in circuit. It can be reduced only at the start of calculation. Therefore, the processing time can be shortened, and the processing speed of the entire memory system can be improved.
図面の簡単な説明  Brief Description of Drawings
[0018] [図 1]図 1は、本発明に係るメモリ制御装置を備えたメモリシステムの動作説明図であ る。  FIG. 1 is an operation explanatory diagram of a memory system provided with a memory control device according to the present invention.
[図 2]図 2は、本発明に係るメモリ制御装置の構成例を示すブロック図である。  FIG. 2 is a block diagram showing a configuration example of a memory control device according to the present invention.
[図 3]図 3は、本発明に係るメモリ装置を備えたメモリシステムの動作説明図である。  FIG. 3 is an operation explanatory diagram of a memory system including a memory device according to the present invention.
[図 4]図 4は、本発明に係るメモリ装置の構成例を示すブロック図である。  FIG. 4 is a block diagram showing a configuration example of a memory device according to the present invention.
[図 5]図 5は、従来のメモリシステムの動作説明図である。  FIG. 5 is an operation explanatory diagram of a conventional memory system.
符号の説明  Explanation of symbols
[0019] 10 メモリ装置  [0019] 10 memory device
11 メモリセルアレイ  11 Memory cell array
12 センスアンプ  12 sense amplifier
13 セレクタ  13 Selector
14 リフレシュ制御回路  14 Refresh control circuit
15 出力データバッファ  15 Output data buffer
16 入力データバッファ  16 input data buffer
17 演算回路 20 メモリ制御装置 17 Arithmetic circuit 20 Memory controller
21 フリップフロップ  21 flip-flop
22 セレクタ  22 Selector
23 演算装置  23 Arithmetic unit
30 訂正装置  30 Correction device
発明を実施するための最良の形態  BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
[0020] 図 1は、訂正装置 30で実施していた演算をメモリ制御装置 20にて実施する場合の[0020] FIG. 1 shows a case where an operation performed by the correction device 30 is performed by the memory control device 20.
、処理時間と各装置 10, 20, 30間のデータの流れを説明したものである。 The processing time and the data flow between the devices 10, 20, 30 are described.
[0021] まず、訂正装置 30がメモリ制御装置 20に対して、実施したい演算の種類、演算対 象データの片方を渡し、データ演算コマンドを発行する。メモリ制御装置 20は、メモリ 装置 10からのデータ読み出しを開始する。ここでまず演算コマンドに対する調停時 間が必要になる。 First, the correction device 30 passes to the memory control device 20 the type of operation to be performed and one of the operation target data, and issues a data operation command. The memory control device 20 starts reading data from the memory device 10. Here, first, mediation time for the calculation command is required.
[0022] 続いてメモリ制御装置 20は、メモリ装置 10に対して読み出しを実施する。ここでは 読み出しのためのメモリアクセス時間が必要になる。  Subsequently, the memory control device 20 performs reading from the memory device 10. Here, memory access time for reading is required.
[0023] 次に、読み出したデータはメモリ制御装置 20内に保持される。メモリ制御装置 20で は、保持されたデータに対して指定された演算を実施する。ここでは演算時間が必 要となる。 Next, the read data is held in the memory control device 20. The memory control device 20 performs a specified operation on the stored data. Here, computation time is required.
[0024] メモリ制御装置 20は、メモリ装置 10に対して書き込みを実施し、メモリ装置 10はデ ータを格納する。ここでは書き込みのためのメモリアクセス時間が必要になる。  [0024] The memory control device 20 performs writing to the memory device 10, and the memory device 10 stores the data. Here, memory access time for writing is required.
[0025] 以上のとおり、メモリ制御装置 20が読み出し、演算、書き込みを連続して実施する ため、新たに調停時間は不要となる。したがって、メモリデータの訂正を実施するため には、演算時間と読み出し書き込みアクセス時間とに加えて、 1度だけの演算コマン ドのための調停時間だけでよい。つまり、従来と比較して、調停時間を少なくすること ができる。  [0025] As described above, since the memory control device 20 continuously performs reading, calculation, and writing, no new arbitration time is required. Therefore, in order to correct the memory data, in addition to the calculation time and the read / write access time, only the arbitration time for one calculation command is required. In other words, mediation time can be reduced compared to the conventional case.
[0026] 図 2を用いて、本発明に係る演算機能付きメモリ制御装置 20の構成を説明する。図 2のメモリ制 ί卸装置 20は、フリップフロップ 21と、セレクタ 22と、演算装置 23とを備え ている。フリップフロップ 21は、内部にデータを一時的に格納するための手段である [0027] データの読み出しの際は、フリップフロップ 21の入力にあるセレクタ 22はメモリ装置 10からのデータを選択し、メモリ装置 10からのデータはフリップフロップ 21にー且格 納される。データは訂正装置 30が読み出すまで保持する。 With reference to FIG. 2, the configuration of the memory control device 20 with an arithmetic function according to the present invention will be described. 2 includes a flip-flop 21, a selector 22, and an arithmetic device 23. The flip-flop 21 is a means for temporarily storing data therein. When reading data, the selector 22 at the input of the flip-flop 21 selects data from the memory device 10, and the data from the memory device 10 is stored in the flip-flop 21 over time. The data is retained until the correction device 30 reads it.
[0028] データの書き込みの際は、フリップフロップ 21の入力にあるセレクタ 22は、例えば 訂正装置 30からの書き込みコマンドであれば訂正装置 30からのデータを選択し、書 き込みを実施したいデータはフリップフロップ 21に一旦格納される。データはメモリ装 置 10に書き込むまで保持する。  [0028] When writing data, the selector 22 at the input of the flip-flop 21 selects the data from the correction device 30 if it is a write command from the correction device 30, for example, and the data to be written is It is temporarily stored in the flip-flop 21. Data is retained until it is written to memory device 10.
[0029] データの演算コマンドの際は、フリップフロップ 21の入力にあるセレクタ 22は、例え ば訂正装置 30からの演算コマンドであれば訂正装置 30からのデータを選択し、演 算対象データはフリップフロップ 21に一旦格納される。続いて、セレクタ 22にて演算 装置 23からのデータを選択し、メモリ装置 10からのデータの読み出しを実施すると、 フリップフロップ 21に演算結果が格納される。続いてメモリ装置 10に書き込みを実施 すると、メモリデータ演算が完了する。  [0029] In the case of a data operation command, the selector 22 at the input of the flip-flop 21 selects data from the correction device 30 if the operation command is from the correction device 30, for example. Is temporarily stored in Subsequently, when the data from the arithmetic unit 23 is selected by the selector 22 and the data is read from the memory unit 10, the arithmetic result is stored in the flip-flop 21. Subsequently, when data is written to the memory device 10, the memory data calculation is completed.
[0030] 図 2のとおり、従来のメモリ制御装置にセレクタ 22と演算装置 23とを追加するだけ で、図 1に示すように、従来 2度必要であった調停時間を 1度にすることが可能になり 、メモリシステム全体の処理時間を削減することができる。更に、読み出し書き込みが 必ず連続で実施されることが保証されるため、例えばメモリ装置 10として DRAMを利 用した場合等ではページアクセスが可能になるため、アクセス時間も最小限にするこ とができる。  [0030] As shown in FIG. 2, by simply adding the selector 22 and the arithmetic unit 23 to the conventional memory control device, as shown in FIG. This makes it possible to reduce the processing time of the entire memory system. Furthermore, since it is guaranteed that reading and writing are always performed continuously, for example, when DRAM is used as the memory device 10, page access becomes possible, so that access time can be minimized. .
[0031] 図 3は、訂正装置 30で実施していた演算をメモリ装置 10にて行う場合の、処理時 間と各装置 10, 20, 30間のデータの流れを説明したものである。  FIG. 3 illustrates the processing time and the data flow between the devices 10, 20, and 30 when the calculation performed by the correction device 30 is performed by the memory device 10.
[0032] まず、訂正装置 30がメモリ制御装置 20に対して、実施したい演算の種類、演算対 象データの片方を渡し、データ演算コマンドを発行する。メモリ制御装置 20は、メモリ 装置 10からのデータ読み出しを開始する。ここでまず演算コマンドに対する調停時 間が必要になる。  First, the correction device 30 passes to the memory control device 20 the type of operation to be performed and one of the operation target data, and issues a data operation command. The memory control device 20 starts reading data from the memory device 10. Here, first, mediation time for the calculation command is required.
[0033] 続いてメモリ制御装置 20は、メモリ装置 10に対して演算動作を行うように制御する 。メモリ装置 10は、メモリ制御装置 20からの情報に基づき、 自身で読み出し、演算、 書き込みを実施し、処理が完了する。メモリ装置 10の内部では、読み出し及び書き 込みのアクセス時間が必要になる。更に演算時間も必要となる。 Subsequently, the memory control device 20 controls the memory device 10 to perform a calculation operation. Based on the information from the memory control device 20, the memory device 10 performs its own reading, calculation, and writing, and the processing is completed. Inside the memory device 10, read and write Access time is required. Furthermore, calculation time is also required.
[0034] 以上のとおり、メモリ装置 10が読み出し、演算、書き込みを連続して実施するため、 新たに調停時間は不要となる。したがって、メモリデータの訂正を実施するためには 、演算時間と読み出し書き込みアクセス時間とに加えて、 1度だけの演算コマンドの ための調停時間だけでよい。つまり、従来と比較して、調停時間を少なくすることがで きる。  [0034] As described above, since the memory device 10 sequentially performs reading, calculation, and writing, no new arbitration time is required. Therefore, in order to correct the memory data, in addition to the calculation time and the read / write access time, only the arbitration time for the calculation command is required. That is, the mediation time can be reduced compared to the conventional case.
[0035] 図 4を用いて、本発明に係る演算機能付きメモリ装置 10の構成を説明する。ここで は、メモリ装置 10が DRAMと呼ばれる一定期間ごとにリフレッシュ動作というデータ 読み出しと書き込みが必要なメモリであるものとする。図 4において、 11はメモリセル アレイであり、 12はセンスアンプであり、センスアンプ 12はメモリセルアレイ 11内に格 納されているデータの電位を判定し、判定結果を出力する。 13はセレクタであり、メ モリセルアレイ 11に対する入出力データを選択するものである。 14はリフレシュ制御 回路であり、 DRAMのリフレッシュ動作を制御するものである。 15は出力データバッ ファ、 16は入力データバッファである。 17は演算回路である。  The configuration of the memory device 10 with an arithmetic function according to the present invention will be described with reference to FIG. Here, it is assumed that the memory device 10 is a memory that requires data reading and writing called refresh operation at regular intervals called DRAM. In FIG. 4, 11 is a memory cell array, 12 is a sense amplifier, and the sense amplifier 12 determines the potential of the data stored in the memory cell array 11 and outputs the determination result. A selector 13 selects input / output data for the memory cell array 11. Reference numeral 14 denotes a refresh control circuit that controls the refresh operation of the DRAM. 15 is an output data buffer, and 16 is an input data buffer. Reference numeral 17 denotes an arithmetic circuit.
[0036] データを書き込む場合には、入力データバッファ 16から入力されるデータをメモリ セルアレイ 11へ書き込む。  In the case of writing data, data input from the input data buffer 16 is written to the memory cell array 11.
[0037] データを読み出す場合には、メモリセルアレイ 11のデータを取り出し、センスアンプ 12で電位を判定し、セレクタ 13で必要なデータを選択して出力データバッファ 15に 送り出す。  When reading data, the data in the memory cell array 11 is taken out, the potential is determined by the sense amplifier 12, the necessary data is selected by the selector 13, and sent to the output data buffer 15.
[0038] また、メモリセルアレイ 11の記憶状態を維持するためにリフレッシュを行うが、リフレ ッシュ時には、リフレシュ制御回路 14により、メモリセルアレイ 11内の所定のデータを リフレッシュ操作する。その場合には、メモリセルアレイ 11からのデータをセンスアン プ 12で電位判定し、メモリセノレアレイ 11に再度記憶させる。  In addition, refresh is performed in order to maintain the storage state of the memory cell array 11. At the time of refresh, the refresh control circuit 14 refreshes predetermined data in the memory cell array 11. In that case, the potential of the data from the memory cell array 11 is determined by the sense amplifier 12 and stored in the memory sensing array 11 again.
[0039] 演算時には、メモリセルアレイ 11からのデータをセンスアンプ 12で電位判定し、演 算回路 17に送り、メモリセルアレイ 11に再度記憶するとレ、う動作を行う。  At the time of calculation, the potential from the data from the memory cell array 11 is determined by the sense amplifier 12, sent to the calculation circuit 17, and stored again in the memory cell array 11, and the operation is repeated.
[0040] ここで、演算時とリフレッシュ時はメモリセルアレイ 11からデータを読み出して、再度 記憶させるという点で、ほぼ同等の動作であり、従来のメモリ装置に演算回路 17とわ ずかな回路を追加するだけで、本発明の構成のメモリ装置 10とすることができる。 [0041] なお、上記説明では誤り訂正システムでの演算ということで説明したが、メモリ装置 10のデータと何らかのデータとの演算であれば、どのような演算でもメモリ装置 10又 はメモリ制御装置 20で実施することで、同様に処理時間を短縮することができる。 産業上の利用の可能性 [0040] Here, the operation is almost the same in that the data is read from the memory cell array 11 and stored again at the time of calculation and at the time of refresh, and a little circuit is added to the arithmetic circuit 17 in the conventional memory device. Thus, the memory device 10 having the configuration of the present invention can be obtained. In the above description, the calculation is performed by the error correction system. However, any calculation can be performed between the data in the memory device 10 and some data, and the memory device 10 or the memory control device 20. By carrying out the above, the processing time can be shortened in the same manner. Industrial applicability
[0042] 以上説明してきたとおり、本発明に係る演算機能付きメモリ制御装置及びメモリ装 置は、メモリシステム全体の処理速度を向上させることができるという効果を有し、光 ディスク装置のメモリシステム等として有用である。 [0042] As described above, the memory control device with an arithmetic function and the memory device according to the present invention have an effect that the processing speed of the entire memory system can be improved. Useful as.

Claims

請求の範囲 The scope of the claims
[1] メモリ装置と、  [1] a memory device;
前記メモリ装置への読み書きの調停を行うメモリ制御装置と、  A memory control device that arbitrates reading and writing to the memory device;
前記メモリ装置上のデータに演算を施すための演算装置とを備えたメモリシステム であって、  A memory system comprising an arithmetic device for performing arithmetic operations on data on the memory device,
前記メモリ装置から読み出したデータと前記演算装置からのデータとの演算を実施 し、当該演算の結果を前記メモリ装置に書き戻す動作を実施する場合に、前記読み 出したデータと前記演算装置からのデータとの演算を前記メモリ制御装置又は前記 メモリ装置で実施することを特徴とするメモリシステム。  When an operation is performed on the data read from the memory device and the data from the arithmetic device, and the operation result is written back to the memory device, the read data and the arithmetic device A memory system, wherein an operation with data is performed by the memory control device or the memory device.
[2] 請求項 1記載のメモリシステムにおいて、  [2] The memory system according to claim 1,
前記演算装置は、前記メモリ装置上のデータに誤り訂正演算を施すための訂正装 置であり、  The arithmetic device is a correction device for performing error correction arithmetic on data on the memory device;
前記メモリ制御装置又は前記メモリ装置は、前記メモリ装置から読み出したデータと 前記訂正装置からのデータとに基づく誤り訂正演算を実施することを特徴とするメモ リシステム。  The memory control device or the memory device performs an error correction operation based on data read from the memory device and data from the correction device.
[3] メモリ装置と、 [3] a memory device;
前記メモリ装置への読み書きの調停を行うメモリ制御装置と、  A memory control device that arbitrates reading and writing to the memory device;
前記メモリ装置上のデータに演算を施すための演算装置とを備えたメモリシステム において、  In a memory system comprising an arithmetic device for performing arithmetic operations on data on the memory device,
前記メモリ装置から読み出したデータと前記演算装置からのデータとの演算を実施 し、当該演算の結果を前記メモリ装置に書き戻す動作を実施する場合に、前記読み 出したデータと前記演算装置からのデータとの演算を自身で実施することを特徴とす るメモリ制御装置。  When an operation is performed on the data read from the memory device and the data from the arithmetic device, and the operation result is written back to the memory device, the read data and the arithmetic device A memory control device that performs operations with data by itself.
[4] 請求項 3記載のメモリ制御装置において、 [4] The memory control device according to claim 3,
前記演算装置は、前記メモリ装置上のデータに誤り訂正演算を施すための訂正装 置であり、  The arithmetic device is a correction device for performing error correction arithmetic on data on the memory device;
前記メモリ制御装置は、前記メモリ装置から読み出したデータと前記訂正装置から のデータとに基づく誤り訂正演算を実施することを特徴とするメモリ制御装置。 The memory control device performs an error correction operation based on data read from the memory device and data from the correction device.
[5] メモリ装置と、 [5] a memory device;
前記メモリ装置への読み書きの調停を行うメモリ制御装置と、  A memory control device that arbitrates reading and writing to the memory device;
前記メモリ装置上のデータに演算を施すための演算装置とを備えたメモリシステム において、  In a memory system comprising an arithmetic device for performing arithmetic operations on data on the memory device,
前記メモリ装置から読み出したデータと前記演算装置からのデータとの演算を実施 し、当該演算の結果を前記メモリ装置に書き戻す動作を実施する場合に、前記読み 出したデータと前記演算装置からのデータとの演算を自身で実施することを特徴とす るメモリ装置。  When an operation is performed on the data read from the memory device and the data from the arithmetic device, and the operation result is written back to the memory device, the read data and the arithmetic device A memory device characterized by its own operation with data.
[6] 請求項 5記載のメモリ装置において、 [6] The memory device according to claim 5,
前記演算装置は、前記メモリ装置上のデータに誤り訂正演算を施すための訂正装 置であり、  The arithmetic device is a correction device for performing error correction arithmetic on data on the memory device;
前記メモリ装置は、前記メモリ装置から読み出したデータと前記訂正装置からのデ ータとに基づく誤り訂正演算を実施することを特徴とするメモリ装置。  The memory device performs an error correction operation based on data read from the memory device and data from the correction device.
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