WO2004095139A1 - 露光装置、露光方法、スタンパの製造方法及び光記録媒体の製造方法 - Google Patents

露光装置、露光方法、スタンパの製造方法及び光記録媒体の製造方法 Download PDF

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WO2004095139A1
WO2004095139A1 PCT/JP2004/004466 JP2004004466W WO2004095139A1 WO 2004095139 A1 WO2004095139 A1 WO 2004095139A1 JP 2004004466 W JP2004004466 W JP 2004004466W WO 2004095139 A1 WO2004095139 A1 WO 2004095139A1
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WO
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purge gas
laser light
intensity
photodetector
stamper
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PCT/JP2004/004466
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Inventor
Hisaji Oyake
Hiroaki Takahata
Yuuichi Kawaguchi
Original Assignee
Tdk Corporation
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/263Preparing and using a stamper, e.g. pressing or injection molding substrates

Definitions

  • the present invention relates to, for example, an exposure apparatus and an exposure method used for producing a master for producing an optical recording medium, a method for producing a stamper, and a method for producing an optical recording medium.
  • a master for manufacturing an optical recording medium is generally applied with a photoresist on a glass substrate, exposing portions corresponding to pits and groups, and subjecting the exposed portions or unexposed portions to image processing and the like. The part is removed.
  • EOM Electro-Optic Modulator
  • Such an exposure apparatus generally includes a photodetector for measuring the intensity of laser light, and is used for controlling the intensity of laser light.
  • a photodetector for measuring the intensity of laser light
  • an acousto-optic modulator called AOM (Acousto-Optic Modul) may be used together with the electro-optic modulator.
  • a laser beam having a short wavelength in the wavelength region of 200 to 350 nm may be required for precise exposure accompanying an increase in recording density of an optical recording medium.
  • a deep ultraviolet laser having a wavelength of about 250 nm may be used.
  • the electro-optic modulator is deteriorated, the light transmittance is reduced, a sufficient output is not obtained, and the exposure accuracy is sometimes reduced. Also, since the electro-optic modulator is expensive, there is a problem that replacing the deteriorated electro-optic modulator greatly increases the equipment cost.
  • the installation position of the electro-optic modulator is shifted, there is a problem that the work is troublesome due to the adjustment of the optical axis and the like, so that the productivity is reduced and the reliability of the exposure is lacking.
  • the photodetector when laser light having a wavelength range of 200 to 350 nm is used, the photodetector also deteriorates and the light transmittance is reduced, so that the intensity of the laser light cannot be measured accurately. In some cases, the control of the intensity of the laser beam becomes inappropriate and the desired exposure cannot be obtained.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and the electro-optical modulator and the like are not easily deteriorated even when a short wavelength laser beam having a wavelength range of 200 to 350 nm is used.
  • an exposure apparatus, an exposure method, a method of manufacturing a stamper using the same, and a method of manufacturing an optical recording medium It is an object to provide a manufacturing method.
  • the present invention limits the deterioration of the electro-optic modulator and the like by supplying a purge gas around the electro-optic modulator and the like.
  • the mechanism by which the degradation of the electro-optical modulator or the like is limited by supplying the purge gas around the electro-optical modulator or the like is not necessarily clear, but is generally estimated as follows.
  • Degradation of the electro-optic modulator due to laser light is considered to occur when the energy of the laser beam is supplied and the moisture in the air reacts with the electro-optic modulator. Since the wavelength of light was relatively long and the energy density was low, energy was not supplied just enough to cause the electro-optic modulator and the like to react with moisture in the air. Since the use of a short laser beam has increased the energy density, sufficient energy has been supplied to react the electro-optical modulator and the like in the air, and the deterioration of the electro-optical modulator and the like has occurred. It is thought that it became.
  • the present invention is particularly effective when using a laser beam having a wavelength range of 200 to 300 nm or less.
  • the apparatus according to (1) or (1) further comprising: a photodetector for measuring the intensity of the laser beam, wherein the purge gas supply unit supplies a purge gas around the photodetector. 2) Exposure equipment.
  • An exposure apparatus comprising: a purge gas supply unit for performing purge gas.
  • a cover that covers a light incident portion of the photodetector and that is open near an optical path of the laser beam, wherein the purge gas supply unit supplies the purge gas into the cover.
  • An exposure method comprising: a laser light intensity modulation step of performing irradiation; and an exposure step of exposing a workpiece by irradiating the workpiece with laser light having the modulated intensity.
  • the laser light intensity modulation step at least one of the light input portion and the light output portion of the electro-optic modulator is operated such that the vicinity of the optical path of the laser light is opened.
  • the intensity of the laser light is measured by the photodetector while supplying a purge gas around the photodetector, and the intensity of the laser light is modulated based on the measurement result.
  • the purge gas may be supplied into the cover while covering a light incident portion of the photodetector with a cover such that an optical path of the laser light is opened.
  • any one of nitrogen gas and dry air is supplied as the purge gas.
  • laser light is not limited to electromagnetic waves in the visible region, but is used in a sense that includes electromagnetic waves in the invisible region.
  • FIG. 1 shows an outline of the overall structure of an exposure apparatus according to the first embodiment of the present invention. It is a block diagram shown typically.
  • FIG. 2 is an enlarged view around an electro-optic modulator in an exposure apparatus according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an enlarged view around a photodetector in an exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the output ratio to the initial output of the electro-optic modulator and the number of days of use according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the displayed value of the photodetector and the number of days of use with respect to the actual intensity of the laser beam in the example of the present invention.
  • FIG. 6 is a graph showing the relationship between the output ratio of the electro-optical modulator to the initial output and the number of days used in the comparative example.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the displayed value of the photodetector and the number of days of use with respect to the actual intensity of the laser beam in the comparative example.
  • FIG. 8 is a flowchart showing the operation of the exposure apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a flowchart showing an outline of a procedure for manufacturing the optical recording medium according to the first embodiment.
  • FIG. 10 is a cross-sectional side view schematically showing the structure of the starting body for processing a master according to the first embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional side view schematically showing a working intermediate of the master exposed to a predetermined pattern.
  • FIG. 12 is a side cross-sectional view schematically showing the structure of the master on which the concavo-convex pattern is formed.
  • FIG. 13 is a side sectional view schematically showing a state where a conductive film is formed on the master.
  • FIG. 14 is a side sectional view schematically showing a state in which an electrolytic plating layer is formed on the conductive film.
  • FIG. 15 is a side sectional view schematically showing a state in which the electrolytic plating layer and the conductive film are separated from the master.
  • FIG. 16 is a side sectional view schematically showing a structure of a stamper manufactured from the master.
  • FIG. 17 is a cross-sectional side view schematically showing an injection molding process of a substrate using the same stamper.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view schematically showing the structure of an optical recording medium including the substrate.
  • FIG. 1 is a block diagram schematically showing an outline of the overall structure of an exposure apparatus according to the first embodiment.
  • the exposure apparatus 10 is used to measure a laser oscillator 12, a laser light modulator 14 for modulating the intensity of laser light, and an irradiation position on the master 16 based on the reflected light from the master 16. And an irradiation position measuring unit 18.
  • the exposure apparatus 10 is characterized by comprising a purge gas supply means 22 for supplying a purge gas around the electro-optic modulator 20 constituting the laser light modulator 14.
  • a purge gas supply means 22 for supplying a purge gas around the electro-optic modulator 20 constituting the laser light modulator 14.
  • the laser oscillator 12 is configured to oscillate deep ultraviolet laser light having a wavelength of approximately 250 nm (within a range of 200 to 350 nm).
  • a beam splitter 24 and a mirror 26 are arranged between the laser oscillator 12 and the electro-optic modulator 20 so that the laser beam is reflected and guided in this order.
  • beam pre jitter 2 4 is formed of a half mirror that transmits part of the incident laser beam, a mirror 2 8 on the optical path of the laser beam over permeability of the beam pre-jitter 2 4
  • the photodetector 30 is disposed on the optical path of the reflected light of the mirror 28.
  • the laser light modulator 14 includes the electro-optic modulator 20, a polarization beam splitter 32, a beam splitter 34: a reduction lens 36, an acousto-optic modulator 38, and a magnifying lens 4. 0 and are configured to guide the laser light in this order.
  • the beam splitter 34 is configured by a half mirror that reflects a part of the laser light, emits the laser light to the reduction lens 36, and transmits a part of the laser light, and transmits the beam splitter 34.
  • a photodetector 41 is provided on the optical path of the laser light.
  • the electro-optic modulator 20 includes an electric signal oscillator (not shown) for oscillating an electric signal to adjust the refractive index of the electro-optic modulator 20.
  • the acousto-optic modulator 38 includes An ultrasonic signal oscillator (not shown) for oscillating an ultrasonic signal for adjusting the refractive index of the acousto-optic modulator 38 is provided.
  • the beam splitter 42 includes a half mirror that reflects a part of the laser light, emits it to the shutter 44, and transmits a part of the laser light, and transmits the laser light that passes through the beam splitter 42.
  • a photodetector 53 is provided on the optical path.
  • a part of the laser light applied to the master 16 is reflected by the master 16 and enters the beam splitter 46 along the reverse path, but does not pass through the beam splitter 46 and does not pass through.
  • the light is reflected by the beam splitter 46.
  • a mirror 54 and a mirror are arranged so as to guide the reflected light in this order.
  • the irradiation position measuring section 18 is provided with a neutral density filter 58, a reduction lens 60, and a CID (Charge Injection Device) element 62 in this order, and irradiates with the CID element 62. It is configured to detect the position.
  • a neutral density filter 58 a neutral density filter 58
  • a reduction lens 60 a reduction lens 60
  • a CID (Charge Injection Device) element 62 in this order, and irradiates with the CID element 62. It is configured to detect the position.
  • the purge gas supply means 22 includes a cylinder 64 for storing a nitrogen gas (purge gas), a nozzle 66 arranged near the electro-optic modulator 20, and a neighborhood of the acousto-optic modulator 38.
  • the nozzles 68 provided, the nozzles 70 provided near the photodetectors 30, the nozzles 72 provided near the photodetectors 41, and the photodetectors 53 It has a nozzle 74 disposed in the vicinity and a pipe 76 connecting these nozzles. .
  • the electro-optic modulator 20, the acousto-optic modulator 38, and the purging gas supply means 22 from the cylinder 64 of the purging gas supply via the pipe 76 and the nozzles 66, 68, 70, 72, 74. Nitrogen gas is continuously supplied around the photodetectors 30, 41, and 53.
  • a laser beam is oscillated from the laser oscillator 12 (S 102) 6
  • the oscillated laser beam is reflected by the beam splitter 24 and the mirror 26 and is reflected by the electro-optic modulator 20 ′.
  • Light is incident, and the intensity is modulated (S104).
  • the laser light whose intensity has been modulated is emitted to the polarization beam splitter 32.
  • a part of the laser light incident on the beam splitter 24 is transmitted through the beam splitter 24, reflected on the mirror 28, and is incident on the photodetector 30.
  • the electro-optic modulator 20 and the photo detector 30 are covered with nitrogen gas so that they are hardly in contact with the moisture in the air and short wavelength with high energy density Is hard to react with moisture in the air even if the laser beam is incident. That is, deterioration is suppressed.
  • the laser light transmitted through the electro-optic modulator 20 further passes through the polarization beam splitter 32 and is reflected by the beam splitter 34, and the diameter of the laser beam is reduced by the reduction lens 36.
  • the laser beam is incident on 8, the intensity is modulated and emitted to the enlarged lens 40, and restored to a parallel laser beam. Note that a part of the laser light that has entered the beam splitter 34 passes through the beam splitter 34 and enters the photodetector 41.
  • the laser light transmitted through the magnifying lens 40 is reflected by the beam splitter 42 in the direction of the shutter 44. Part of the laser light that has entered the beam splitter 42 also passes through the beam splitter 42 and enters the photodetector 53.
  • the acousto-optic modulator 38, the photodetector 41, and the photodetector 53 are also short-wavelength laser beams with high energy density because the surroundings are also covered with nitrogen gas, making it difficult to come into contact with moisture in the air. Deterioration is suppressed even if incident.
  • the laser light modulator 14 can realize various modes of modulation by modulating the laser light in two steps in the electro-optic modulator 20 and the acousto-optic modulator 38.
  • the electro-optic modulator 20 removes laser light noise to maintain the intensity of the laser beam in a stable state, and the acousto-optic modulator 38 adjusts the optical recording medium pit or group. The strength corresponding to the pattern can be given.
  • the electro-optic modulator 20 can give the intensity corresponding to the pattern of the pit or group of the optical recording medium, and the acoustic-optic modulator 38 can precisely adjust the intensity of the laser beam.
  • the photodetectors 30 and 41 measure the intensity of the laser light before and after the modulation in the electro-optic modulator 20, and measure the electric power applied to the electro-optic modulator 20. The signal can be feedback controlled.
  • the photodetectors 41, 53 measure the intensity of the laser beam before and after modulation in the acousto-optic modulator 38, and feedback control the ultrasonic signal applied to the acousto-optic modulator 38. can do. Since the deterioration of the photodetectors 30, 41, 53 is suppressed, the modulation in the electro-optic modulator 20 and the acousto-optic modulator 38 can be precisely controlled.
  • the laser beam transmitted through the shutter 44 passes through the beam splitter 46, is adjusted in diameter by the beam expander 48, is reflected by the mirror 50, and is further narrowed by the reduction lens 52.
  • the master 16 is irradiated (S106). Since the deterioration of the electro-optic modulator 20 and the acousto-optic modulator 38 is suppressed, the master 16 is irradiated with laser light of a desired intensity without fail, and the photo resist on the master 16 is reduced. Exposure can be performed precisely and reliably to a desired pattern. -A part of the laser light applied to the master 16 is reflected by the master 16 and enters the beam splitter 46 via the reduction lens 52, the mirror 50, and the beam expander 48.
  • the light is reflected by the beam splitter 46.
  • the laser light reflected by the beam splitter 46 is further reflected by the mirrors 54 and 56, enters the neutral density filter 58, and is uniformly weakened in intensity.
  • the laser light transmitted through the dual density filter 58 has its diameter reduced by the reduction lens 60 and is incident on the CID element 62.
  • the CID element 62 detects the irradiation position. The irradiation position is corrected based on this detection result.
  • a master 16 is produced (S202).
  • the master 16 is coated with a photoresist 16B on a glass substrate 16A by spin coating or the like as shown in FIG. 10, and is exposed to a group as shown in FIG. 11 by the above-described exposure method.
  • the photoresist 16B is irradiated with a laser beam in a pattern corresponding to the spiral orbit, developed, and the exposed portion of the photoresist 16B is removed as shown in Fig. 12 to form a K-convex pattern. It is obtained by doing.
  • the non-exposed portion may be removed using a negative photoresist to form an uneven pattern.
  • a stamper 92 is manufactured using the master 16 (S204).
  • a colloidal catalyst containing tin and palladium chloride is applied on the uneven pattern of the master 16 by a spin coating method, and the tin is removed by washing with an acid.
  • palladium is deposited on the surface of the master 16.
  • the palladium acts as a catalyst to deposit nickel.
  • the nickel thus precipitated acts as a catalyst, and nickel is continuously deposited, forming a conductive film 92A on the master 16 as shown in FIG.
  • the master 16 was immersed in a nickel sulfamate solution, and the conductive film 92A was used as an electrode to conduct electricity, thereby growing a nickel film, and an electrolytic plating layer as shown in FIG. 14 was obtained.
  • Form 9 2 B the electrolytic plating layer 92 B and the conductive film 92 A are integrally peeled off from the master 16.
  • the photoresist 16B is also integrally separated from the glass substrate 16A. By cleaning the photoresist 16B, a stamper 92 as shown in FIG. 16 is obtained.
  • an optical recording medium is manufactured using the stamper 92 (S206).
  • a stamper 92 is provided in a mold 96 and a resin material is injection-molded to obtain a substrate 94 as shown in FIG.
  • a concavo-convex pattern equal to that of the master 16 is formed.
  • a functional layer such as a reflective layer and a recording layer
  • a functional layer such as a reflective layer and a recording layer
  • a light-transmitting cover layer 97 optical recording is performed.
  • a medium 98 is obtained.
  • stamper 92 as a metal master
  • a nickel film is formed on the stamper 92 in the same manner as the formation of the electrolytic plating layer 92B, and the concave and convex pattern is transferred and peeled off. Stampers can also be made. If a substrate is formed using this stamper, an uneven pattern reverse to that of the master 16 can be formed on the substrate of the optical recording medium.
  • FIG. 2 is an enlarged view showing a structure around the electro-optic modulator 20 of the second embodiment.
  • the second embodiment is different from the first embodiment in that a cover 80A that covers the light entrance section 20A of the electro-optic modulator 2.0 and a cover 80B that covers the light exit section 20B are provided.
  • the purge gas supply means 22 supplies nitrogen gas into the covers 80A and 8OB.
  • Each of the covers 80A and 80B is open near the optical path of the laser light so as not to block the laser light.
  • the purge gas supply means 22 includes nozzles 66A and 66B communicating with the covers 80A and 80B.
  • the other configuration is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted. '
  • the diffusion of the nitrogen gas is restricted and the light entrance section 20 A is formed.
  • the periphery of the light emitting portion 20B can be reliably filled with the nitrogen gas, and the deterioration of the light incident portion 20A and the light emitting portion 20B can be reliably prevented.
  • the nitrogen gas is difficult to diffuse, the consumption of the nitrogen gas can be suppressed, and the operating cost can be reduced.
  • FIG. 3 is an enlarged view showing a structure around the photodetector 30 of the third embodiment. ..
  • the third embodiment is different from the first embodiment in that the cover 90A covers the light incident portion 30A of the photodetector 30 and has an opening near the optical path of the laser beam.
  • the provided nozzle 7 0 of the purge gas supply means 2 2 communicates with the cover 9 0 is characterized in that so as to supply the nitrogen gas into the cover 9 within 0.
  • the photodetectors 41 and 53 are also provided with covers in the same manner, but the configuration and configuration are the same as those of the photodetector 30, and a description and illustration thereof will be omitted.
  • the configuration other than the periphery of each photodetector is the same as that of the first embodiment, and the description is omitted.
  • the periphery of the light entrance 30A of the photodetector 30 can be reliably filled with the nitrogen gas by limiting the diffusion of the nitrogen gas.
  • the deterioration of the light incident portion 30 A can be reliably prevented.
  • the consumption of nitrogen gas can be suppressed, and the operating cost can be reduced.
  • the photodetectors 41 and 53 similarly to the second embodiment, the periphery of the light entrance 30A of the photodetector 30 can be reliably filled with the nitrogen gas by limiting the diffusion of the nitrogen gas.
  • the deterioration of the light incident portion 30 A can be reliably prevented.
  • the consumption of nitrogen gas can be suppressed, and the operating cost can be reduced.
  • the photodetectors 41 and 53 are the same applies to the photodetectors 41 and 53.
  • the purge gas supply means 22 supplies nitrogen gas around the electro-optic modulator 20, the acousto-optic modulator 38, the photodetectors 3 Q, 41, and 53.
  • the present invention is not limited to this. When only a part of these elements is easily degraded and the others are not easily degraded, the nitrogen gas is supplied to the easily degraded element. It is also possible to provide a configuration in which only nozzles are provided and other nozzles are omitted.
  • the photodetectors 30, 41, 53 are hardly deteriorated
  • the photodetectors 30, 41, 5 The nozzle for supplying the nitrogen gas around 3 may be omitted.
  • the photodetectors 30, 41, 53 and the acousto-optic modulator 38 are easily deteriorated and the electro-optic modulator 20 is hardly deteriorated
  • the nitrogen gas is surrounded around the electro-optic modulator 20.
  • the nozzle for supplying the nozzle may be omitted.
  • the purge gas supply means 22 is configured to supply nitrogen gas from the common cylinder 64 to each of the nozzles 66, 72, etc. It is not limited to this. A configuration may be adopted in which a nitrogen gas is supplied to each of the nozzles 66, 72, etc. by a plurality of systems. That is, the configuration of the purge gas supply means is not particularly limited as long as nitrogen gas is supplied to the periphery of the electro-optic modulator 20 and the acousto-optic modulator 38 and the like, and the air contacting them can be reduced.
  • nitrogen gas is used as the purge gas.
  • the present invention is not limited to this. If the gas does not contain moisture, for example, carbon dioxide gas, dry air Alternatively, another purge gas may be used.
  • the exposure apparatus 10 is used for producing a master 16 for producing an optical recording medium, but the present invention is not limited to this.
  • the application is not particularly limited as long as the exposure is performed by a laser beam having a wavelength region of 200 to 350 nm.
  • nitrogen gas is supplied around the electro-optic modulator 20 and the photodetectors 30, 41, and 53 at a flow rate of about 5 liter / minute, and the wavelength is supplied from the laser oscillator 12. Oscillated a deep ultraviolet laser of about 250 nm. The positions of the electro-optic modulator 20 and the photo detectors 30, 41, and 53 were fixed.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the output ratio of the electro-optic modulator 20 to the initial output and the number of days used.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the displayed value of the photodetector 30. and the number of days of use with respect to the actual intensity of the laser beam.
  • a deep ultraviolet laser having a wavelength of about 250 nm was oscillated from the laser oscillator 12 without supplying nitrogen gas around the electro-optic modulator 20 and the photodetectors 30, 41, 53. Other conditions were the same as those in the above-described embodiment.
  • Figure 6 shows the output ratio of the electro-optic modulator 20 to the initial output and the number of days used.
  • 6 is a graph showing a relationship with the graph.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the display value of the photodetector 30 and the number of days of use with respect to the actual intensity of the laser beam.
  • FIG. 4 and FIG. The decrease of the output of 0 is about 40% of the decrease of the output of the electro-optical modulator 20 of the comparative example. You can see that it is.
  • the photodetector 30 of the comparative example tends to have a lower display value with an increase in the number of days used, whereas the photodetector 30 of the embodiment has a slightly lower display value. Although there is variation, the displayed value does not tend to decrease with the number of days of use, indicating that the deterioration of the photodetector 30 is prevented.
  • This invention can be utilized for the exposure apparatus used for manufacture of the master for manufacturing an optical recording medium, etc., for example.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Abstract

波長領域が200~350nmの短波長のレーザ光を用いても電気光学変調器等の劣化が生じにくく、所望の露光が確実に得られる信頼性が高い露光装置、露光方法、更にこれらを利用したスタンパの製造方法、光記録媒体の製造方法を提供する。レーザ光変調部14を構成する電気光学変調器20の周囲に窒素ガス(パージガス)を供給するためのパージガス供給手段22を備えた。

Description

明細書
露光装置、 露光方法、 スタンパの製造方法及び光記録媒体の製造方法 技術分野
本発明は、 例えば、 光記録媒体を製造するための原盤の作製等に用い られる露光装置及び露光方法、 スタンパの製造方法及び光記録媒体の製 造方法に関する。 背景技術
従来、 光記録媒体を製造するための原盤は一般的に、 ガラス基板にフ オトレジス トを塗布してピッ ト、 グループに相当する部位を露光し、 現 像処理等を施して露光部分又は非露光部分を除去する ^とにより作製さ れている。
このような光記録媒体の原盤を作製するための露光装置として、 レー ザ発振器と、 E OM (E l e c t r o—O p t i c Mo d u l a t o r ) と称されるレーザ光の強度を変調するための電気光学変調器と、 を 備えた露光装置が知られている (例えば、 特開平 9一 1 6 1 2 9 8号公 報、 特開 2 0 0 1— 6 0 3 3 3号公報参照。)。
尚、 このような露光装置は、 一般的にレーザ光の強度を測定するため のフォ トディテクタを備え、 レーザ光の強度の制御等に利用している。 又、 レーザ光の変調の態様により、 電気光学変調器と共に、 AOM (A c o u s t o -O p t i c Mo d u l a t o r ) と称される音響光学 変調器、 が併用されることもある。
レーザ発振器としては、 波長領域が 3 5 1〜4 5 8 nmの A r (アル ゴン) レーザ、 K r (クリプトン) レーザを発振するものが多く用いら れていた。 発明の開示
ここで、 近年、 光記録媒体の高記録密度化に伴う精密な露光のため、 波長領域が 2 0 0 - 3 5 0 n mの短波長のレーザ光が必要とされる場合 がある。 一例を示すと、 波長が 2 5 0 n m程度の深紫外レーザが用いら れることがある。
しかしながら、 このような短波長のレーザ光を用いると、 電気光学変 調器が劣化し、 光透過率が低下して、 充分な出力が得られず、 露光精度 が低下することがあった。 又、 電気光学変調器は高価であるため、 劣化 した電気光学変調器を交換することにより、 設備コス トが大幅に増加す るという問題がある。
尚、 レーザ光は、 電気光学変調器の一部だけを透過して、 該透過部だ けに劣化が生じ、 他の部分は劣化しないので、 電気光学変調器の設置位 置をずらしながら劣化した部分を避けてレーザ光が透過するように使用 すれば、 電気光学変調器の入光部、 出光部が全体的に劣化するまで電気 光学変調器を使用することができる。 即ち、 電気光学変調器の耐用期間 がそれだけ長くなるため、 設備コス トの増加を抑制しうる。 しかしなが ら、 電気光学変調器の設置位置をずらした場合、 光軸の調整等のため、 作業に手間がかかるので生産性が低下すると共に、 露光の信頼性に欠け るという問題がある。
又、 波長領域が 2 0 0〜 3 5 0 n mのレーザ光を用いると、 フォ トデ ィテクタにも劣化が生じて光透過率が低下し、 レーザ光の強度を正確に 測定できなくなり、 これにより、 レーザ光の強度の制御が不適切となり 、 所望の露光が得ちれないこともあった。
本発明は、 以上の問題点に鑑みてなされたものであって、 波長領域が 2 0 0〜 3 5 0 n mの短波長のレーザ光を用いても電気光学変調器等の 劣化が生じにく く、 所望の露光が確実に得られる信頼性が高い露光装置 、 露光方法、 更にこれらを利用したスタンパの製造方法、 光記録媒体の 製造方法を提供することをその課題とする。
本発明は、 電気光学変調器等の周囲にパージガスを供給することによ り、 電気光学変調器等の劣化を制限したものである。
電気光学変調器等の周囲にパージガスを供給することにより、 電気光 学変調器等の劣化が制限されるメカニズムは必ずしも明らかではないが 、 概ね次のように推定される。
レ"ザ光による電気光学変調器等の劣化は、 レーザ光のエネルギが供 給されることにより、 空気中の水分と電気光学変調器等とが反応して発 生すると考えられる。 従来はレーザ光の波長が比較的長く、 エネルギ密 度が低かったため、 電気光学変調器等と空気中の水分とを反応させるだ けのエネルギが供給されることがなかったのに対し、 従来よりも波長が 短いレーザ光を用いるようになつたため、 エネルギ密度が高くなり、 電 気光学変調器等と空気中の 分とを反応させるだけのエネルギが供給さ れ、 電気光学変調器等の劣化が発生するようになつたと考えられる。
これに対し、 電気光学変調器等の周囲にパージガスを供給することに より、 電気光学変調器等に触れる空気を低減できるので、 エネルギ密度 が高いレーザ光を用いても電気光学変調器等と空気中の水分とが接触 . 反応しにく くなり、 電気光学変調器等の劣化が制限されると推定される 尚、 電気光学変調器等は、 波長が 2 0 0〜 3 0 0 n m以下のレーザ光 を用いた場合に特に劣化しやすい傾向がある。 言い換えれば、 波長領域 が 2 0 0〜 3 0 0 n m以下のレーザ光を用いる場合に、 本発明は特に有 効である。
即ち、 以下の発明により上記課題を解決したものである。
( 1 ) 波長領域が 2 0 0〜 3 5 0 n mのレーザ光を発振するためのレー ザ発振器と、 前記レーザ光の強度を変調するための電気光学変調器と、 該電気光学変調器の周囲にパージガスを供給するためのパージガス供給 手段と、 を備えることを特徴とする露光装置。
( 2) 前記電気光学変調器の入光部及び出光部の少なく とも一方を覆う と共に前記レーザ光の光路近傍が開口したカバーを備え、 前記パージガ ス供給手段が前記カバー内に前記パージガスを供給するようにしたこと を特徴とする前記 ( 1) の露光装置。
( 3 ) 前記レーザ光の強度を測定するためのブォ トディテクタを備え、 前記パージガス供給手段は、 前記フォ トディテクタの周囲にパージガス を供給するようにしたことを特徴とする前記 ( 1 ) 又は ( 2) の露光装 置。
(4) 波長領域が 2 0 0〜 3 5 0 nmのレーザ光を発振するためのレー ザ発振器と、 前記レーザ光の強度を測定するためのフォトディテクタと 、 該フォ トディテクタの周囲にパージガスを供給するためのパージガス 供給手段と、 を備えることを特徴とする露光装置。
( 5 ) 前記フォ トディテクタの入光部を覆うと共に前記レーザ光の光路 近傍が開口したカバーを備え、 前記パージガス供給手段が前記カバー内 に前記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする前記 ( 3) 又 は (4) の露光装置。
(6) 前記パージガス供給手段は、 前記パージガスとして窒素ガス及び ドライエアのいずれかを供給するようにしたことを特徴とする前記 ( 1 ) 乃至 (5 ) のいずれかの露光装置。
( 7 ) 波長領域が 2 00〜 3 5 0 nmのレーザ光を発振するレーザ発振 工程と、 電気光学変調器の周囲にパージガスを供給しつつ該電気光学変 調器で前記レーザ光の強度を変調するレーザ光強度変調工程と、 被加工 体に前記強度が変調されたレーザ光を照射して露光する露光工程と、 を 含むことを特徴とする露光方法。
( 8) 前記レーザ光強度変調工程は、 前記レーザ光の光路近傍が開口す るように前記電気光学変調器の入光部及び出光部の少なく とも一方を力 バーで覆いつつ該カバー内に前記パージガスを供給するようにしたこと を特徴とする前記 (7 ) の露光方法。
( 9 ) 前記レーザ光強度変調工程は、 フォ トディテクタの周囲にパージ ガスを供給しつつ該フォ トディテクタで前記レーザ光の強度を測定し、 この測定結果に基づいて前記レーザ光の強度を変調するようにしたこと を特徴とする前記 ( 7) 又は (8 ) の露光方法。
( 1 0) 波長領域が 2 0 0〜 3 5 0 n mのレーザ光を発振するレーザ発 振工程と、 フォ トディテクタの周囲にパージガスを供給しつつ該フォ ト ディテクタで前記レーザ光の強度を測定し、 この測定結果に基づいて前 , 記レーザ光の強度を変調するレーザ光強度変調工程と、 被加工体に前記 強度が変調されたレーザ光を照射して露光する露光工程と、 を含むこと を特徴とする露光方法。
( 1 1 ) 前記レーザ光強度変調工程は、 前記レーザ光の光路近傍が開口 するように前記フォ トディテクタの入光部をカバーで覆いつつ該カバー 内に前記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする前記 (9) 又は ( 1 0 ) の露光方法。
( 1 2) 前記レーザ光強度変調工程は、 前記パージガスと して窒素ガス 及びドライエアのいずれかを供給するようにしたことを特徴とする前記
( 7) 乃至 (1 1 ) のいずれかの露光方法。
尚、 本明細書においてレーザ光という用語は、 可視領域の電磁波に限 定されず、 不可視領域の電磁波を含む意義で用いることとする。
本発明によれば、 波長領域が 2 0 0〜 3 5 0 nmの短波長のレーザ光 を用いても電気光学変調器等に劣化が生じにく く、 所望の露光を確実に 行うことが可能となるという優れた効果がもたらされる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の第 1実施形態に係る露光装置の全体構造の概要を 模式的に示すプロック図である。
図 2は、 本発明の第 2実施形態に係る露光装置における電気光学変 調器の周辺の拡大図である。
図 3は、 本発明の第 3実施形態に係る露光装置におけるフォ トディテ クタの周辺の拡大図である。
図 4は、 本発明の実施例における電気光学変調器の初期出力に対する 出力比率と使用日数との関係を示すグラフである。
図 5は、 本発明の実施例におけるレーザ光の実際の強さに対するフォ トディテクタの表示値と使用日数との関係を示すグラフである。
図 6は、 比較例における電気光学変調器の初斯出力に対する出力比率 と使用日数との関係を示すグラフである。
図 7は、 比較例におけるレーザ光の実際の強さに対するフォ トディ'テ クタの表示値と使用日数との関係を示すグラフである。
図 8は、 前記第 1実施形態に係る露光装置の作用を示すフローチヤ一 トである。
図 9は、 前記第 1実施形態に係る光記録媒体の作製手順の概略を示す フローチヤ一トである。
図 1 0は、 前記第 1実施形態に係る原盤の加工出発体の構造を模式的 に示す側断面図である。
' 図 1 1は、 所定のパターンで露光された同原盤の加工中間体を模式的 に示す側断面図である。
図 1 2は、 凹凸パターンが形成された同原盤の構造を模式的に示す 側断面図である。
図 1 3は、 同原盤に導電膜が形成された状態を模式的に示す側断面図 である。
図 1 4は、 同導電膜上に電解メツキ層が形成された状態を模式的に示 す側断面図である。 図 1 5は、 同電解メツキ層及び前記導電膜を前記原盤から剥離した状 態を模式的に示す側断面図である。
図 1 6は、 前記原盤から作製されたスタンパの構造を模式的に示す側 断面図である。
図 1 7は、 同スタンバを用いた基板の射出成形工程を模式的に示す側 断面図である。
図 1 8は、 同基板を含む光記録媒体の構造を模式的に示す ½断面図で める。 発明を実施するための最良の形態
以下、 本発明の第 1実施形態について図面を参照して詳細に説明する 図 1は、 本第 1実施形態に係る露光装置の全体構造の概要を模式的に 示すブロック図である。
露光装置 1 0は、 レーザ発振器 1 2と、 レーザ光の強度を変調するた めのレーザ光変調部 1 4と、 原盤 1 6からの反射光に基づいて原盤 1 6 における照射位置を測定するための照射位置測定部 1 8と、 を備えてい る。
この露光装置 1 0は、 レーザ光変調部 1 4を構成する電気光学変調器 2 0の周囲にパージガスを供給するためのパージガス供給手段 2 2を備 えることを特徴としている。 他の構成については、 従来の露光装置と同 様であるが、 本発明の理解のため全体構造についても簡単に説明するこ ととする。
レーザ発振器 1 2は、 波長が ( 2 0 0〜 3 5 0 n mの範囲内の) 約 2 5 0 n mの深紫外レーザ光を発振するように構成されている。 レーザ発 振器 1 2と、 電気光学変調器 2 0と、 の間には、 ビームスプリッタ 2 4 と、 ミラー 2 6とがこの順でレ^"ザ光を反射して案内するように配設さ れている。 尚、 ビームスプリ ッタ 2 4は、 入射されるレーザ光の一部を 透過させるハーフミラーで構成されており、 ビームスプリ ッタ 2 4を透 過するレーザ光の光路上にはミラー 2 8が配設され、 更にミラー 2 8の 反射光の光路上にはフォ トディテクタ 3 0が配設されている。
レーザ光変調部 1 4は、 前記電気光学変調器 2 0と、 偏光ビームスプ リ ツタ 3 2 と、 ビームスプリ ッタ 3 4 :、 縮小レンズ 3 6 と、 音響光学 変調器 3 8と、 拡大レンズ 4 0と、 がこの順でレーザ光を案内するよう に構成されている。 尚、 ビームスプリ ッタ 3 4は、 レーザ光の一部を反 射して縮小レンズ 3 6に出射し、 一部を透過させるハーフミラーで構成 されており、 ビームスプリ ッタ 3 4を透過するレーザ光の光路上には、 フォ トディテクタ 4 1が配設されている。
尚、 電気光学変調器 2 0には、 該電気光学変調器 2 0の屈折率を調節 するに電気信号を発振するための図示しない電気信号発振器が備えられ 、 音響光学変調器 3 8には、 該音響光学変調器 3 8の屈折率を調節する 超音波信号を発振するための図示しない超音波信号発振器が備えられて いる。
拡大レンズ 4 0と、 原盤 1 6との間には、 ビームスプリ ッタ 4 2と、 シャツタ 4 4 と、 ビームスプリ ッタ 4 6 と、 ビームエキスパンダ 4 8 と 、 ミラー 5 0と、 縮小レンズ 5 2と、 がこの順でレーザ光を案内するよ うに配設されている。 尚、 ビームスプリ ッタ 4 2は、 レーザ光の一部を 反射してシャッタ 4 4に出射し、 一部を透過させるハーフミラーで構成 されており、 ビームスプリ ッタ 4 2を透過するレーザ光の光路上には、 フォ トディテクタ 5 3が配設されている。
又、 原盤 1 6に照射されたレーザ光の一部は原盤 1 6に反射されて、 上記と逆の経路でビームスプリッタ 4 6に入射するが、 該ビームスプリ ッタ 4 6を透過しないで該ビームスプリ ッタ 4 6に反射される。 ビ ム スプリ ッタ 4 6 と、 照射位置測定部 1 8と、 の間にはミラー 5 4と、 ミ ラー 5 6 と、 がこの順で反射光を案内するように配設されている。
照射位置測定部 1 8は、 ニュートラルデンシティフィルタ 5 8 と、 縮 小レンズ 6 0 と、 C I D (C h a r g e I n j e c t i o n D e v i c e ) 素子 6 2 とがこの順で配設され、 該 C I D素子 6 2で照射位置 を検出するように構成されている。
パージガス供給手段 2 2は、 窒素ガス (パージガス) を貯留するため のボンべ 6 4 と、 電気光学変調器 2 0の近傍に配設されたノズル 6 6 と 、 音響光学変調器 3 8の近傍に配設されたノズル 6 8 と、 フォ トディテ クタ 3 0の近傍に配設されたノズル 7 0 と、 フォ トディテクタ 4 1の近 傍に配設されたノズル 7 2 と、 フォ トディテクタ 5 3の近傍に配設され たノズル 7 4と、 これらを連結する配管 7 6 と、 を有して構成されてい る。 .
次に、 図 8に示されるフローチャー トに沿って露光装置 1 0の作用に ついて説明する。
尚、 パージガス供給手段 2 2のボンべ 6 4から配管 7 6及びノズル 6 6、 6 8、 7 0、 7 2、 7 4を介して、 電気光学変調器 2 0、 音響光学 変調器 3 8、 フォ'トディテクタ 3 0、 4 1、 5 3の周囲に窒素ガスを継 続して供給しておく。
この状態で、 まず、 レーザ発振器 1 2からレーザ光を発振する (S 1 0 2 )6 発振されたレーザ光はビームスプリ ッタ 24及びミラー 2 6に 反射ざれて電気光学変調器 2 0'に入射し、 強度が変調される (S 1 0 4 )。 強度が変調されたレーザ光は、 偏光ビームスプリ ッタ 3 2に出射さ れる。 尚、 ビームスプリ ッタ 2 4に入射したレーザ光の一部はビームス プリ ッタ 24を透過してミラー 2 8に反射され、 フォ トディテクタ 3 0 に入射する。
電気光学変調器 2 0、 フォ トディテクタ 3 0は周囲が窒素ガスで覆わ れているので空気中の水分と接触しにく く、 エネルギ密度が高い短波長 のレーザ光が入射しても空気中の水分と反応しにくい。 即ち、 劣化が抑 制される。
電気光学変調器 2 0を透過したレーザ光は、 更に偏光ビームスプリ ッ タ 3 2を透過してビームスプリ ッタ 3 4に反射され、 縮小レンズ 3 6で 径が絞られて音響光学変調器 3 8に入射し、 強度が変調されて拡大レン ズ 4 0に出射され、 平行なレーザ光に復元される。 尚、 ビームスプリ ツ タ 3 4に入射したレーザ光の一部はビームスプリ ッタ 3 4を透過してフ オ トディテクタ 4 1に入射する。
拡大レンズ 4 0を透過したレーザ光は、 ビームスプリ ッタ 4 2でシャ ッタ 4 4の方向に反射される。 ビームスプリ ッタ 4 2に入射したレーザ 光も一部がビームスプリ ッタ 4 2を透過してフォ トディテクタ 5 3に入 射する。
音響光学変調器 3 8、 フォ トディテクタ 4 1、 フォ トディテクタ 5 3 も周囲が窒素ガスで覆われているので空気中の水分と接触しにく く、 ェ ネルギ密度が高い短波長のレーザ光が入射しても、 劣化が抑制される。
ここで、 レーザ光変調部 1 4の変調作用について簡単に説明しておく 。 レーザ光変調部 1 4は、 電気光学変調器 2 0及び音響光学変調器 3 8 においてレーザ光を 2段階で変調することにより、 様々な態様の変調を 実現することができる。 一例を示すと、 電気光学変調器 2 0においてレ 一ザ光のノイズを除去してレーザ光の強度を安定な状態に保持し、 音響 光学変調器 3 8において光記録媒体のピッ ト、 グループのパターンに相 当する強弱を付与することができる。 又、 電気光学変調器 2 0において 光記録媒体のピッ ト、 グループのパターンに相当する強弱を付与し、 音 響光学変調器 3 8においてレーザ光の強度の精密な調整を行うこともで きる。
又、 フォ トディテクタ 3 0、 4 1 で電気光学変調器 2 0における変調 前後のレーザ光の強度を測定して、 電気光学変調器 2 0に付与する電気 信号をフィードバック制御することができる。 同様に、 フォ トディテク タ 4 1、 5 3で音響光学変調器 3 8におけ ¾変調前後のレーザ光の強度 を測定して、 音響光学変調器 3 8に付与する超音波信号をフィードバッ ク制御することができる。 フォ トディテクタ 3 0、 4 1、 5 3はいずれ も劣化が抑制されているので、 電気光学変調器 2 0、 音響光学変調器 3 8における変調を精密に制御することができる。
シャッタ 4 4を透過したレーザ光は、 ビームスプリ ッタ 4 6を透過し 、 ビームエキスパンダ 4 8で径が調整されてミラー 5 0で反射され、 更 に縮小レンズ 5 2で径が絞られて原盤 1 6に照射される ( S 1 0 6 )。, 電気光学変調器 2 0、'音響光学変調器 3 8の劣化が抑制されているの で、 所望の強度のレーザ光が確実に原盤 1 6に照射され、 原盤 1 6上の フォ トレジス トを所望のパターンに精密、 且つ、 確実に露光することが できる。 - 尚、 原盤 1 6に照射されたレ ザ光の一部は原盤 1 6に反射され、 縮 小レンズ 5 2、 ミラー 5 0、 ビームエキスパンダ 4 8を介してビームス プリ ッタ 4 6に入射し、 該ビームスプリ ッタ 4 6で反射される。 ビーム スプリ ッタ 4 6で反射されたレーザ光は、 更にミラー 5 4、 5 6で反射 され、 ニュートラルデンシティフィルタ 5 8に入射し、 均一に強度が弱 められる。 二ユートラルデンシティフィルタ 5 8を透過したレーザ光は 縮小レンズ 6 0で径が絞られて C I D素子 6 2に入射し、 C I D素子 6 2は照射位置を検出する。 この検出結果に基づいて照射位置の捕正が行 われる。
次に、 以上の露光方法を利用した光記録媒体の製造方法について図 9 のフローチヤ一トに沿って説明する。
まず、 原盤 1 6を作製する (S 2 0 2 )。 原盤 1 6は、 図 1 0に示さ れるようにガラス基板 1 6 A上にスピンコート法等でフォ トレジス ト 1 6 Bを塗布し、 上記の露光方法で、 図 1 1に示されるようにグループの 螺旋軌道に相当するパターンでフォ トレジス ド 1 6 Bにレーザー光線を 照射し、 現像処理を施して図 1 2に示されるようにフォ トレジス ト 1 6 Bにおける露光部を除去して K凸パターンを形成することにより得られ る。 尚、 ネガ型のフォ トレジス トを用いて非露光部を除去し、 凹凸パタ ーンを形成してもよい。
次に、 原盤 1 6を用いてスタンパ 9 2を作製する (S 2 0 4 )。 まず 原盤 1 6の凹凸パターン上にスビンコ一ト法で錫及び塩化パラジウムを 含むコロイ ド状の触媒を塗布し、 酸で洗浄することにより錫を除去する 。 これにより原盤 1 6の表面にパラジウムが析出する。 このように表面 にパラジウムが析出した原盤 1 6を (無電解の) ニッケルメツキ液に浸 漬するとパラジウムが触媒となってニッケルが析出する。 このよ うに析 出したニッケルが触媒と して作用し、 更にニッケルが連続的に析出し、 図 1 3に示されるように原盤 1 6上に導電膜 9 2 Aが形成される。
更に、 原盤 1 6をスルファミン酸ニッケル溶液中に浸潰し、 導電膜 9 2 Aを電極と して通電することにより -ッケルの膜を成長させて、 図 1 4に示されるよ うな電解メ ツキ層 9 2 Bを形成する。 次に、 電解メ ツキ 層 9 2 B及び導電膜 9 2 Aを図 1 5に示されるように、 一体で原盤 1 6 から剥離する。. 尚、 この際、 フォ .トレジス ト 1 6 Bもガラス基板 1 6 A から一体で剥離される。 このフォ トレジス ト 1 6 Bを洗浄することによ り、 図 1 6に示されるようなスタンパ 9 2が得られる。
次に、 スタンパ 9 2を用いて光記録媒体を作製する (S 2 0 6 )。 図 1 7に示されるように、 スタンパ 9 2を型 9 6内に配設して樹脂素材を 射出成形することにより図 1 8に示されるような基板 9 4が得られる。 基板 9 4には、 原盤 1 6 と等しい凹凸パターンが形成される。
このようにして得られた基板 9 4の凹凸パターン上に反射層、 記録層 等の機能層 (図示省略) を形成し、 更に、 透光性のカバー層 9 7を形成 することにより、 光記録媒体 9 8が得られる。 尚、 スタンパ 9 2.をメタルマスタとして用いて、 上記電解メツキ層 9 2 Bの形成と同様の手法で、 スタンパ 9 2にニッケルの膜を形成し、 凹 凸パターンを転写して剥離することによりスタンパを作製することもで きる。 このスタンパを用いて基板を形成すれば、 原盤 1 6と逆の凹凸パ ターンを光記録媒体の基板に形成することができる。
次に、 本発明の第 2実施形態について説明する。
図 2は、 本第 2実施形態の電気光学変調器 2 0の周辺の構造を示す拡 大図である。
本第 2実施形態は、 前記第 1実施形態に対し、 電気光学変調器 2 .0の 入光部 2 0 Aを覆うカバー 8 0 Aと、 出光部 2 0 Bを覆うカバー 8 0 B とを備え、 パージガス供給手段 2 2がカバー 8 0 A、 8 O B内に窒素ガ スを供給するよ うにしたことを特徴と している。 尚、 カバー 8 0 A、 8 O Bは、 レーザ光を遮断しないように、 いずれもレーザ光の光路近傍が 開口している。 パージガス供給手段 2 2は、 カバー 8 0 A、 8 O B内に 連通するノズル 6 6 A、 6 6 Bを備えている。 他の構成については前記 第 1実施形態と同様であるので説明を省略する。 '
このように、 電気光学変調器 2 0の入光部 2 0 A、 出光部 2 O Bを力 バー 8 0 A、 8 0 Bで覆うことにより、 窒素ガスの拡散を制限して入光 部 2 0 A、 出光部 2 0 Bの周囲を確実に窒素ガスで満たすことができ、 入光部 2 0 A、 出光部 2 0 Bの劣化を確実に防止することができる。 又、 窒素ガスが拡散しにく くなるので、 窒素ガスの消費量を抑制し、 稼動コス トを低減することができる。
次に、 本発明の第 3実施形態について説明する。
図 3は、 本第 3実施形態のフォトディテクタ 3 0の周辺の構造を示す 拡大図である。 ..
本第 3実施形態は、 前記第 1実施形態に対し、 フォ トディテクタ 3 0 の入光部 3 0 Aを覆う と共にレーザ光の光路近傍が開口したカバー 9 0 を備え、 パージガス供給手段 2 2のノズル 7 0がカバー 9 0に連通し、 カバー 9 0内に窒素ガスを供給するようにしたことを特徴としている。 尚、 フォ トディテクタ 4 1、 5 3についても同様にカバーが設けられて いるが、 構成はフォトディテクタ 3 0と同様であるので説明及び図示を 省略する。 又、 各フォ トディテクタの周辺以外の構成については前記第 1実施形態と同様であるので説明を省略する。
本第 3実施形態も前記第 2実施形態と同様に、 窒素ガスの拡散を制限 してフォ トディテクタ 3 0の入光部 3 0 Aの周囲を確実に窒素ガスで満 たすことができ、 入光部 3 0 Aの劣化を確実に防止することができる。 又、 窒素ガスの消費量を抑制し、 稼動コス トを低減することができる。 フォ トディテクタ 4 1、 5 3についても同様である。
尚、 前記第 1〜第 3実施形態において、 パージガス供給手段 2 2は、 電気光学変調器 2 0、 音響光学変調器 3 8、 フォトディテクタ 3 Q、 4 1、 5 3の周囲に窒素ガスを供給するように構成されているが、 本発明 はこれに限定されるものではなく、 これらの一部だけが劣化しやすく、 他は劣化しにくい場合には、 劣化しやすい要素に窒素ガスを供給するた めのノズルだけを設けるようにして、 他のノズルは省略した構成と して もよい。 例えば、 電気光学変調器 2 0、 音響光学変調器 3 8だけが劣化 しゃすく、 フォ トディテクタ 3 0、 4 1、 5 3が劣化しにくい場合には 、 フォ トディテクタ 3 0、 4 1、 5 3の周囲に窒素ガスを供給するため のノズルは省略した構成と してもよい。 一方、 フォ トディテクタ 3 0、 4 1、 5 3及び音響光学変調器 3 8が劣化しやすく、 電気光学変調器 2 0が劣化しにくい場合には、 電気光学変調器 2 0の周囲に窒素ガスを供 給するためのノズルは省略した構成と してもよい。
又、 前記第 1〜第 3実施形態において、 パージガス供給手段 2 2は、 共通のボンべ 6 4から各ノズル 6 6、 7 2等に窒素ガスを供給する構成 とされているが、 本発明はこれに限定されるものではなく、 複数のボン ベを備え、 複数の系統で各ノズル 6 6、 7 2等に窒素ガスを供給する構 成としてもよい。 即ち、 電気光学変調器 2 0、 音響光学変調器 3 8等の 周囲に窒素ガスを供給し、 これらに接触する空気を低減できればパージ ガス供給手段の構成は特に限定されない。
又、 前記第 1〜第 3実施形態において、 パージガスとして窒素ガスを 用いているが、 本発明はこれに限定されるものではなく、 水分を含有し ないガスであれば、 例えば、 炭酸ガス、 ドライエア等の他のパージガス を用いるようにしてもよい。
又、 前記第 1〜第 3実施形態において、 露光装置 1 0は、 光記録媒体 を製造するための原盤 1 6の作製に用いられているが、 本発明はこれに 限定されるものではなく、 波長領域が 2 0 0〜 3 5 0 n mのレーザ光に よる露光であれば、 用途は特に限定されない。
【実施例】
上記第 1実施形態により、 電気光学変調器 2 0、 フォ トディテクタ 3 0、 4 1、 5 3の周囲に窒素ガスを約 5リ ッ トル/分の流量で供給し、 レーザ発振器 1 2から波長が約 2 5 0 n mの深紫外レーザを発振した。 尚、 電気光学変調器 2 0、 フォ トディテクタ 3 0、 4 1、 5 3の設置位 置は一定に固定した。
図 4は、 電気光学変調器 2 0の初期出力に対する出力比率と使用日数 との関係を示すグラフである。 図 5は、 レーザ光の実際の強さに対する フォ トディテクタ 3 0 .の表示値と使用日数との関係を示すグラフである
[比較例]
電気光学変調器 2 0、 フォ トディテクタ 3 0、 4 1、 5 3の周囲に窒 素ガスを供給しないで、 レーザ発振器 1 2から波長が約 2 5 0 n mの深 紫外レーザを発振した。 他の条件は上記実施例と同様とした。
図 6は、 電気光学変調器 2 0の初期出力に対する出力比率と使用日数 との関係を示すグラフである。 図 7は、 レーザ光の実際の強さに対する フォ トディテクタ 3 0の表示値と使用日数との関係を示すグラフである 図 4及び図 6より、 使用日数に伴う実施例の電気光学変調器 2 0の出 力の低下は、 比較例の霉気光学変調器 2 0の出力の低下の 4 0 %程度で あり、 実施例は比較例に対し電気光学変調器 2 0の劣化が大幅に抑制さ れていることがわかる。
又、 図 5及ぴ図 7より、 比較例のフォ トディテクタ 3 0は使用日数の 増加に伴い表示値が低下する傾向があるのに対し、 実施例のフォ トディ テクタ 3 0は表示値に若干のばらつきがあるものの使用日数と共に表示 値が低下する傾向はなく、 フォ トディテクタ 3 0の劣化が防止されてい ることがわかる。 産業上の利用の可能性
本発明は、 例えば、 光記録媒体を製造するための原盤の作製等に用 られる露光装置に利用することができる。

Claims

請求の範囲
1 . 波長領域が 2 0 0〜 3 5 0 n mのレーザ光を発振するためのレーザ 発振器と、 前記レーザ光の強度を変調するための電気光学変調器と、 該 .電気光学変調器の周囲にパージガスを供給するためのパージガス供給手 段と、 を備えることを特徴とする露光装置。
2; 請求項 1において、
前記電気光学変調器の入光部及び出 部の少なく とも一方を覆うと共 に前記レーザ光の光路近傍が開口したカバーを備え、 前記パージガス供 」 給手段が前記カバー内に前記パージガスを供給するようにしたことを特 徴とする露光装置。
3 . 請求項 1において、
前記レーザ光の強度を測定するためのフォ トディテクタを備え、 前記 パージガス供給手段は、 前記フォトディテクタの'周囲にパージガスを供 給するようにしたことを特徴とする露光装置。
4 . 請求項 3において、
前記フォ トディテクタの入光部を覆うと共に前記レーザ光の光路近傍 が開口したカバーを備え、 前記パージガス供給手段が前記カバー內に前 記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする露光装置。
5 . 波長領域が 2 0 0〜 3 5 0 n mのレーザ光を発振するためのレーザ 発振器と、 前記レーザ光の強度を測定するためのフォ トディテクタと、 該フォトディテクタの周囲にパージガスを供給するためのパージガス供 給手段と、 を備えることを特徴とする露光装置。
6 . 請求項 5において、
前記フォトディテクタの入光部を覆うと共に前記レーザ光の光路近傍 'が開口したカバーを備え、 前記パージガス供給手段が前記カバ 内に前 記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする露光装置。
7 . 請求項 1乃至 6のいずれかにおいて、
前記パージガス供給手段は、 前記パージガスとして窒素ガス及びドラ ィエアのいずれかを供給するようにしたことを特徴とする露光装置。
8 . 波長領域が 2 0 0〜 3 5 0 n mのレーザ光を発振するレーザ発振ェ 程と、 電気光学変調器の周囲にパージガスを供給しつつ該電気光学変調 器で前記レーザ光の強度を変調するレーザ光強度変調工程と、 被加工体 に前記強度が変調されたレーザ光を照射して露光する露光工程と、 を含 むことを特徴とする露光方法。
9 . 請求項 8において、
前記レーザ光強度変調工程は、 前記レーザ光の光路近傍が開口するよ うに前記電気光学変調器の入光部及び出光部の少なく とも一方をカバー で覆いつつ該カバー内に前記パージガスを供給するようにしたことを特 徴とする露光方法。
1 0 . 請求項 8において、
前記レーザ光強度変調工程は、 フォ トディテクタの周囲にパージガス を供給しつつ該フォトディテクタで前記レーザ光の強度を測定し、 この 測定結果に基づいて前記レーザ光の強度を変調するようにしたことを特 徴とする露光方法。
1 1 . 請求項 1 0において、
前記レーザ光強度変調工程は、 前記レーザ光の光路近傍が開口するよ うに前記フォトディテクタの入光部をカバーで覆いつつ該カバー内に前 記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする露光方法。
1 2 . 波長領域が 2 0 0〜 3 5 0 n mのレーザ光を発振するレーザ発振 工程と、 フォトディテクタの周囲にパージガスを供給しつつ該フォ トデ ィテクタで前記レーザ光の強度を測定し、 この測定結果に基づいて前記 レーザ光の強度を変調するレーザ光強度変調工程と、 被加工体に前記強 度が変調されたレーザ光を照射して露光する露光工程と、 を含むことを 特徴とする露光方法。
1 3 . 請求項 1 2において、
前記レーザ光強度変調工程は、 前記レーザ光の光路近傍が開口するよ うに前記フォトディテクタの入光部をカバーで覆いつつ該カバー内に前 記パージガスを供給するようにしたことを特徴とする露光方法。
1 4 . 請求項 8乃至 1 3のいずれかにおいて、
前記レーザ光強度変調工程は、 前記パージガスとして窒素ガス及びド ライエアのいずれかを供給するようにしたことを特徴とする露光方法。
1 5 . 請求項 8乃至 1 3のいずれかに記載の露光方法を用いて原盤を作 製する原盤作製工程と、 前記原盤を用いて光記録媒体製造用のスタンパ を作製するスタンパ作製工程と、 を含むことを特徴とするスタンパの製 造方法。
1 6 . 請求項 1 4に記載の露光方法を用いて原盤を作製する原盤作製ェ 程と、 前記原盤を用いて光記録媒体製造用のスタンパを作製するスタン パ作製工程と、 を含むことを特徴とするスタンパの製造方法。
1 7 . 請求項 8乃至 1 3のいずれかに記載の露光方法を用いて原盤を作 製する原盤作製工程と、 前記原盤を用いて光記録媒体製造用のスタンパ を作製するスタンパ作製工程と、 前記スタンパを用いて光記録媒体を作 製する光記録媒体作製工程と、 を含むことを特徴とする光記録媒体の製 造方法。
1 8 . 請求項 1 4に記載の露光方法を用いて原盤を作製する原盤作製ェ 程と、 前記原盤を用いて光記録媒体製造用のスタンパを作製するスタン パ作製工程と、 前記スタンパを用いて光記録媒体を作製する光記録媒体 作製工程と、 を含むことを特徴とする光記録媒体の製造方法。
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