WO2004040043A3 - Verfahren zur herstellung eines bandes mit texturierter metallschicht und band mit texturierter metallschicht - Google Patents

Verfahren zur herstellung eines bandes mit texturierter metallschicht und band mit texturierter metallschicht Download PDF

Info

Publication number
WO2004040043A3
WO2004040043A3 PCT/DE2003/003538 DE0303538W WO2004040043A3 WO 2004040043 A3 WO2004040043 A3 WO 2004040043A3 DE 0303538 W DE0303538 W DE 0303538W WO 2004040043 A3 WO2004040043 A3 WO 2004040043A3
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
band
metal layer
textured metal
producing
substrate
Prior art date
Application number
PCT/DE2003/003538
Other languages
English (en)
French (fr)
Other versions
WO2004040043A2 (de
Inventor
Ursus Krueger
Ralf-Reiner Volkmar
Original Assignee
Siemens Ag
Ursus Krueger
Ralf-Reiner Volkmar
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag, Ursus Krueger, Ralf-Reiner Volkmar filed Critical Siemens Ag
Publication of WO2004040043A2 publication Critical patent/WO2004040043A2/de
Publication of WO2004040043A3 publication Critical patent/WO2004040043A3/de

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/20Separation of the formed objects from the electrodes with no destruction of said electrodes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/04Wires; Strips; Foils
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N60/00Superconducting devices
    • H10N60/01Manufacture or treatment
    • H10N60/0268Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
    • H10N60/0801Manufacture or treatment of filaments or composite wires

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

Bei einem Verfahren zur Herstellung eines Bandes mit einem Trägerband (11) wird eine texturierte Metallschicht (17) dadurch erzeugt, dass ein Strukturband (12) hergestellt wird, welches anschliessend mit dem Trägerband (11) beispielsweise mittels einer Klebstoffverbindung (16) fest verbunden wird. Dieses Band eignet sich beispielsweise zur Herstellung eines Hochtemperatursupraleiters (19) unter Zuhilfenahme einer Zwischenschicht (18) auf der texturierten Metallschicht (17). Das so erzeugte Band weist gegenüber herkömmlichen Bändern mit texturierten Metallschichten den Vorteil auf, dass das Trägerband (11) nicht als Substrat für die texturierte Metallschicht dient, so dass dieses kostengünstig beispielsweise aus einem polykristallinen Keramiksubstrat gebildet werden kann. Gleichzeitig kann das kostenträchtige Substrat, auf dem die texturierte Metallschicht (17) hergestellt wird, mehrfach zur Erzeugung der texturierten Metallschicht verwendet werden, da diese nach der Erzeugung von dem Substrat gelöst und mit dem Trägerband (11) fest verbunden wird. Hierdurch lässt sich vorteilhafterweise eine kostengünstige Herstellung von langen, mit hochtemperatursupraleitenden Schichten (19) versehenen Bändern erreichen.
PCT/DE2003/003538 2002-10-25 2003-10-22 Verfahren zur herstellung eines bandes mit texturierter metallschicht und band mit texturierter metallschicht WO2004040043A2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2002150951 DE10250951B4 (de) 2002-10-25 2002-10-25 Verfahren zur Herstellung eines Bandes mit texturierter Metallschicht
DE10250951.4 2002-10-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
WO2004040043A2 WO2004040043A2 (de) 2004-05-13
WO2004040043A3 true WO2004040043A3 (de) 2004-12-23

Family

ID=32103243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/DE2003/003538 WO2004040043A2 (de) 2002-10-25 2003-10-22 Verfahren zur herstellung eines bandes mit texturierter metallschicht und band mit texturierter metallschicht

Country Status (2)

Country Link
DE (1) DE10250951B4 (de)
WO (1) WO2004040043A2 (de)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1604921A (en) * 1966-05-11 1971-05-15 Composite metal article prodn
US4357750A (en) * 1976-06-21 1982-11-09 Advanced Circuit Technology Inc. Jumper cable
US5304274A (en) * 1990-11-08 1994-04-19 Bmc Technology Corporation Method for manufacturing electrodes for multilayer ceramic capacitors
DE19942849A1 (de) * 1999-09-08 2001-03-15 Dsl Dresden Material Innovatio Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung eines metallischen Bandes
WO2003012172A2 (de) * 2001-07-25 2003-02-13 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines texturierten bandes aus metall

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2755374A1 (de) * 1977-12-12 1979-06-13 Stauffer Chemical Co Verfahren zum metallisieren von substraten
US4530739A (en) * 1984-03-09 1985-07-23 Energy Conversion Devices, Inc. Method of fabricating an electroplated substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1604921A (en) * 1966-05-11 1971-05-15 Composite metal article prodn
US4357750A (en) * 1976-06-21 1982-11-09 Advanced Circuit Technology Inc. Jumper cable
US5304274A (en) * 1990-11-08 1994-04-19 Bmc Technology Corporation Method for manufacturing electrodes for multilayer ceramic capacitors
DE19942849A1 (de) * 1999-09-08 2001-03-15 Dsl Dresden Material Innovatio Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung eines metallischen Bandes
WO2003012172A2 (de) * 2001-07-25 2003-02-13 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines texturierten bandes aus metall

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
GOODALL ET AL.: "Fabrication of cube-textured...", SUPERCONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, vol. 14, 2001, pages 124 - 129, XP002302649 *
GOYAL ET AL.: "Epitaxial superconductors...", APPLIED SUPERCONDUCTIVITY, vol. 4, no. 10-11, 1996, pages 403 - 427, XP002302650 *

Also Published As

Publication number Publication date
DE10250951B4 (de) 2006-05-24
WO2004040043A2 (de) 2004-05-13
DE10250951A1 (de) 2004-05-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2003062507A3 (en) Method for manufacturing a free-standing substrate made of monocrystalline semi-conductor material
ATE361379T1 (de) Oberflächenbeschichtungsverfahren
WO2004095553A3 (de) Verfahren zur herstellung einer verspannten schicht auf einem substrat und schichtstruktur
TW200701335A (en) Nitride semiconductor device and manufacturing mathod thereof
WO2002095799A3 (en) Thin films and production methods thereof
CA2168871A1 (en) Crystalline multilayer structure and manufacturing method thereof
EP2400532A3 (de) Diamanthalbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
WO2003049926A3 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines aus mehreren schichten bestehenden dreidimensionalen bauteils
EP1394865A4 (de) Halbleiterbauelement auf gruppe-iii-nitrid-basis und verfahren zu seiner herstellung
TW200503076A (en) III-V compound semiconductor crystal and method for production thereof
EP1398829A3 (de) Substrat und Herstellungsverfahren dafür
TW200746262A (en) Method of manufacturing nitride semiconductor substrate and composite material substrate
TW372366B (en) Method of manufacturing semiconductor article
CA2475966A1 (en) Crystal production method
WO2002081363A3 (de) Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements sowie ein nach dem verfahren hergestelltes halbleiterbauelement
CA2177244A1 (en) Metal layer pattern forming method
WO2003014581A3 (de) Bauteilverbund, insbesondere ventil, und verfahren zur herstellung desselben
WO2004081987A3 (en) Sige rectification process
EP1396883A3 (de) Substrat und Herstellungsverfahren dafür
TW200515501A (en) Method of improving low-k film property and damascene process using the same
WO2006068958A3 (en) Non-contact discrete removal of substrate surface contaminants/coatings, and method, apparatus, and system for implementing the same
WO2003068699A8 (en) Group iii nitride semiconductor crystal, production method thereof and group iii nitride semiconductor epitaxial wafer
WO2004040043A3 (de) Verfahren zur herstellung eines bandes mit texturierter metallschicht und band mit texturierter metallschicht
TW346666B (en) Process for producing dielectric layer in an integrated circuit
WO2006132380A3 (en) Functional film containing structure and method of manufacturing functional film

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): JP US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A2

Designated state(s): AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IT LU MC NL PT RO SE SI SK TR

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
122 Ep: pct application non-entry in european phase
NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: JP