WO2004038712A1 - Phase adjusting liquid crystal device, optical pickup and optical recording/reproducing device - Google Patents

Phase adjusting liquid crystal device, optical pickup and optical recording/reproducing device Download PDF

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WO2004038712A1
WO2004038712A1 PCT/JP2003/013643 JP0313643W WO2004038712A1 WO 2004038712 A1 WO2004038712 A1 WO 2004038712A1 JP 0313643 W JP0313643 W JP 0313643W WO 2004038712 A1 WO2004038712 A1 WO 2004038712A1
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liquid crystal
crystal device
voltage
recording
tin oxide
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PCT/JP2003/013643
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French (fr)
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Inventor
Koichiro Kishima
Original Assignee
Sony Corporation
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    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/12Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
    • G11B7/135Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
    • G11B7/1365Separate or integrated refractive elements, e.g. wave plates
    • G11B7/1369Active plates, e.g. liquid crystal panels or electrostrictive elements

Definitions

  • Phase adjustment liquid crystal device optical pickup and optical recording / reproducing device
  • the present invention relates to a phase adjustment liquid crystal device used as an aberration correction device in an optical recording / reproducing apparatus capable of optically recording and / or reproducing data.
  • ITO IndiomTinOxide
  • the shortest wavelength range of a color filter that determines the illumination wavelength may be about 46 O nm, and the wavelength characteristics of ITO materials near 400 nm are not considered a problem.
  • Patent Document 1
  • the light source of an optical recording / reproducing apparatus capable of optically recording and / or reproducing data has a shorter wavelength for increasing the recording density, and emits light having a wavelength of around 400 nm.
  • System materials are also being adopted.
  • the input between the voltage supply side and the voltage receiving device side (the liquid crystal device in the present invention) is performed.
  • impedance matching is required, variations in the resistance value of the transparent conductive thin film, which is low, make impedance matching difficult and complicate the measurement of the voltage supply circuit.
  • the present invention has been made in view of such a point. Optical properties and electrical resistance of i-type film can be stabilized It is an object to provide a phase adjustment liquid crystal device.
  • the phase adjustment liquid crystal device of the present invention is used for an optical recording / reproducing apparatus for recording or reproducing data recorded on a recording medium by focusing a laser beam on the recording medium.
  • Phase adjustment liquid crystal device that adjusts the phase distribution of the condensed laser light by transmitting the laser light to a liquid crystal device that can partially adjust the refractive index of the laser
  • the conductive material for applying a voltage to the liquid crystal material is made of a material mainly composed of a tin oxide material.
  • the phase adjusting liquid crystal device of the present invention has a high transmittance to a laser beam of a wavelength of 400 nm for recording and reproducing data on and from a recording medium. Variation in absorption rate can be suppressed.
  • the optical pickup of the present invention since the resistance value of the transparent conductive film is high, even when a high-frequency voltage waveform is applied instead of a DC voltage as a voltage applied to the liquid crystal device, the optical pickup is provided with a voltage supply side. Since the impedance matching with the device receiving the voltage (the liquid crystal device in the present invention) can be set to a high impedance state, the design of the voltage supply circuit can be facilitated.
  • An optical pickup according to the present invention is used for an optical recording / reproducing apparatus that records or reproduces data recorded on a recording medium by focusing a laser beam on the recording medium.
  • Phase adjustment liquid crystal device that adjusts the phase distribution of the condensed laser light by transmitting the laser light through a liquid crystal device that can partially adjust the refractive index of the laser
  • the conductive material for applying a voltage to the liquid crystal material is made of a material mainly composed of a tin oxide material. Therefore, according to the present invention, the following operations are performed.
  • the optical pickup of the present invention has a high transmittance to a laser beam having a wavelength of 400 nm for recording and reproducing data on and from a recording medium. Variation in rate can be suppressed.
  • the voltage applied to the liquid crystal device is not a DC voltage. Since the impedance matching with the receiving device side (the liquid crystal device according to the present invention) can be performed in a state of no impedance or impedance, the design of the voltage supply circuit can be facilitated.
  • the optical recording / reproducing apparatus of the present invention records or reproduces data recorded on a recording medium by focusing a laser beam on the recording medium, and measures the refractive index of a liquid crystal material.
  • the conductive material for applying the liquid pressure to the liquid / liquid material is a material mainly composed of a tin oxide material.
  • the optical recording / reproducing apparatus of the present invention has a high transmittance to a laser beam having a wavelength of 400 nm for recording / reproducing data on / from a recording medium, so that the absorptance can be reduced.
  • the variability of the absorption rate can be suppressed.
  • the transparent conductive film has a high resistance value
  • a voltage is supplied even when a high-frequency voltage waveform is applied instead of a DC voltage as a voltage applied to the liquid crystal device.
  • the device side receiving the voltage the liquid crystal device in the present invention. Since the impedance matching can be set to the high impedance state, the design of the voltage supply circuit can be facilitated.
  • FIG. 1 is a diagram showing a method for forming a transparent conductive material of a device applied to the present embodiment.
  • FIG. 1A shows a vacuum deposition method
  • FIG. 1B shows a sputtering V-method.
  • FIG. 2 is a diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal device applied to the embodiment a.
  • FIG. 3 is a diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal device applied to the present embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal device applied to the present embodiment.
  • FIG. 5 is a diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal device applied to the present embodiment.
  • FIG. 6 is a diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal device applied to the present embodiment.
  • FIG. 7 is a diagram showing a method of manufacturing a depiice, which is called “Suidan B” applied to the present embodiment.
  • FIG. 8 is a diagram illustrating a method of manufacturing a liquid crystal device applied to the present embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a principle of aberration correction using a liquid crystal device applied to the present embodiment.
  • the phase adjustment liquid crystal device of the present invention is In the manufacturing method, the thin conductive film made of ITO is made of a transparent conductive material containing tin oxide as a main component and not containing indium oxide (IZO).
  • IZO indium oxide
  • a method of manufacturing a transparent conductive thin film containing tin oxide as a main component will be described because the optical characteristics of the thin film and the electrical resistance of the thin film are stabilized.
  • a transparent electrode As shown in FIG. 1A, in the process of forming a transparent electrode (S2, S4 described later), when a transparent conductive thin film containing tin oxide as a main component is formed by a vacuum evaporation method, A pellet 2 made of 100% tin oxide material is used as the source, and irradiated with an electron beam (Electronic Beam) 3 in a vacuum to form the tin oxide material. It can be heated to vapor to adhere to the glass substrate 1 as a sample.
  • Electro Beam electron beam
  • the state of oxygen elimination inside the thin film can be controlled with relatively high accuracy.
  • a target that can withstand the sputtering process is produced by using a pellet material 6 of a mixture of tin oxide and antimony oxide (Sb 2 O 3) in a concentration of several percent with tin oxide as a main component. Then, a thin film containing tin oxide as a main component is vapor-deposited on the glass substrate 1 to form a transparent conductive thin film by a sputtering process.
  • a pellet material 6 of a mixture of tin oxide and antimony oxide (Sb 2 O 3) in a concentration of several percent with tin oxide as a main component.
  • the inventor of the present invention used a target material in which 3% of antimony oxide (Sb203) was mixed with tin oxide (Sn02), and the oxygen partial pressure was 10%.
  • a thin film containing tin oxide as a main component was able to be produced by forming a film in a mixed gas of argon and oxygen.
  • step S1 non-reflective coating 11 on glass substrate 1 is performed.
  • step S2 a transparent electrode forming step (first surface) using ITOl2 is performed.
  • ITO (Indium Tin Oxide) material 12 is used as a transparent electrode material.
  • oxygen is introduced as described above.
  • the sputtering method is used as the formation method, during the sputtering process, the ITO thin film is formed so as to contain water so as to be in an amorphous state by containing moisture, and then the dedicated film is formed. It intends rows by Rinono 0 turning to Uetsu door etching using an etching solution (wetetching) of.
  • step S3 a patterning step (first surface) of the ITO electrode 13 positive and negative with respect to ITOl2 is performed.
  • step S4 a step of forming a transparent electrode using ITO 14 (second Face).
  • step S5 a patterning step (second surface) of the ITO electrode 15 positive and negative with respect to the ITO14 is performed.
  • step S6 a firing process (first and second surfaces) of the ITO electrode material is performed.
  • the firing process of the transparent electrodes on the first and second surfaces it is desirable to perform the firing process of the transparent electrodes on the first and second surfaces simultaneously.
  • the ITO material is formed in an amorphous state, it is necessary to perform a heat treatment in order to optically reduce the absorption of the ITO film and stabilize the electric conductivity.
  • the conditions for the heat treatment are generally about 350 ° C. for about 30 minutes in an air atmosphere.
  • step S * a groove 16 is formed on the first surface of the glass substrate 1 by an etching process.
  • the groove 16 is formed along the end face of the ITO electrode 13.
  • the etching is performed by, for example, an ion milling / FIB (F (Futan)) IonBeamRIE (RecactiveIonEtChing) process.
  • step S7 the alignment film 17 is formed (first surface).
  • the liquid crystal material In order to orient the liquid crystal material in a predetermined direction, it is necessary to have a structure having electrical or mechanical as well as magnetic anisotropy. In general, since it is easy to give anisotropy electrically, a highly polarizable film (alignment film 17) is formed.
  • flexographic printing is generally used for forming the alignment film 17 because the substrate is large, but when the size of the substrate is small, the spin coating method is also possible. It is.
  • a polyimide-based material which is common in liquid crystal displays, is used as the alignment film 17, it is necessary to form it by printing or spin-coating and then bake it. And since the baking process is based on the dehydration reaction, the baking process generally has a processing temperature of 200 ° C. or more. In some cases, a baking treatment at 220 ° C. is required after a drying treatment at 90 ° C.
  • step S8 the alignment film 18 is formed (second surface).
  • a high-temperature heat treatment step can be commonly used.
  • the orientation direction of the polymer material is generally random immediately after the film is formed. Have no nature. Therefore, as a treatment for generating electrical anisotropy, an orientation treatment for aligning the orientation direction is required.
  • a rubbing treatment using a rubbing cloth and a light alignment method using light.
  • the manufacturing method for liquid crystal displays is rubbing. The rubbing method using cloth is generally used.
  • step S10 an orientation process (rubbing process) (second surface) is performed.
  • step S11 the step of forming the spacer mixed conductive adhesive 19 (first surface) is performed.
  • the material constituting the wall for enclosing the liquid crystal material is made conductive to partially electrically connect the substrates on both sides sandwiching the liquid crystal material.
  • a specific method of making the electrical connection is to adopt conductive particles having a diameter slightly larger than the diameter of the spacer that defines the distance between the glass substrates. When the distance defined by the formula (1) is reached, the conductive particles are crushed by the glass substrate, and an electrical connection is obtained.
  • the spacer is formed of a hard material such as glass, and the conductive particles are formed of a soft material such as a plastic material having a gold plating.
  • step S12 the preliminary firing process of the spacer mixed conductive adhesive is performed.
  • the solvent be removed in addition to the solvent. If the screen printing method is used as the adhesive forming method, bubbles inside the application medium are often removed when the adhesive passes through the screen mesh. First, the solvent inside the adhesive is removed by a heat treatment at a temperature at which the curing agent of the adhesive does not react.
  • step S 1 _ 1 the glass substrate (2-1) 2
  • step 1 The contents are the same as in step 1.
  • step S1-2 a transparent electrode of ITO 22 is formed.
  • the steps S2, -y In the case where high pattern accuracy is not required (0.1 mm degree), it is necessary to carry out the same process as in step S3, for example, using a method such as shadow sputtering.
  • step S1-3 firing of the ITO electrode material is performed.
  • step S14 formation of an alignment film 23 is performed.
  • This step has the same contents as the steps S7 and S8 described above.
  • step S115 an alignment process (rubbing process) is performed. This step is the process and contents of step S9 and step S10 described above.
  • step S1-16 perform substrate splitting process (scribing process is possible) o
  • step S13 a bonding step (first surface) of a glass substrate is performed.
  • step S7 and step S9 of forming the alignment film If the temperature applied in step S7 and step S9 of forming the alignment film is high, the step for forming the alignment film on both sides must be performed in the process of step S13. In S 13, the alignment film on the second surface is pressed against the press jig 24 o
  • step S14 the step of forming the spacer mixed conductive adhesive 25 (second surface) is performed.
  • step S15 a preliminary firing step (second surface) of the spacer mixed conductive adhesive is performed.
  • step S2-1 the anti-reflection coating 31 is applied to the glass substrate (2-2) 212 in step S2-1. This is the same as the above-described step S 1.
  • step S2-2 a transparent electrode is formed by IT032.
  • a transparent electrode is formed by IT032.
  • the same steps as those in Steps S2 and S3 described above need to be performed. If not required (approximately 0.1 mm), puttering can be performed by, for example, shadow sputtering.
  • step S2-3 firing of the ITO electrode material is performed.
  • step S2-14 an alignment film 33 is formed.
  • This step has the same contents as the steps S7 and S8 described above.
  • step S2'5 an alignment process (rubbing process) is performed.
  • This step has the same contents as the steps S9 and S10 described above.
  • step S2-16 perform the substrate dividing process (scribing process is possible) o
  • step S16 a glass substrate bonding step (second surface) is performed.
  • step S17 division into Bar-shaped sizes is performed.
  • the substrate is divided so that the liquid crystal injection port is at the end.
  • both the dividing method using scribing and the dicing method can be applied.However, when dividing using the dicing step, pure water or A cleaning process is required after the division, because there is a high risk of dicing blade powder and the like entering the space where the liquid crystal material is to be injected.
  • step S18 a vacuuming step is performed.
  • the container 36 in which the liquid crystal material 35 is immersed is evacuated 36.
  • a beta (bake) step for drying in advance to increase the degree of vacuum.
  • the ultimate vacuum may be about the same as a roughing vacuum pump such as a rotary pump.
  • step S19 the liquid crystal material is filled.
  • the liquid crystal injection port of the sample With the vacuum maintained, the liquid crystal injection port of the sample is positioned so as to touch the liquid crystal material, and then nitrogen N 2 is introduced into the vacuum container ⁇ as indicated by 37. Then, the liquid crystal material is filled by returning the pressure to the atmospheric pressure.
  • the reason for introducing nitrogen N 2 is the storage stability of the liquid crystal material. It is to increase.
  • step S20 the liquid crystal material 38 corresponding to the injection port of the liquid crystal element is extruded.
  • a load is externally applied to a portion of the liquid crystal element where the liquid crystal material 38 is filled, and the liquid crystal material 38 corresponding to the volume of the liquid crystal material 38 of the liquid crystal element filled in the injection port is discharged from the injection port. It will be extruded
  • step S 21 the liquid crystal material 38 and U V (U 1 t r a V i o
  • the liquid crystal material 38 extruded in the step S20 is wiped off, and a UV curing adhesive 39 for sealing the liquid crystal material 38 is applied to the wiped portion. Then, by releasing the applied load, the UV curing adhesive 39 is filled in the liquid crystal material injection port of the liquid crystal element.
  • step S22 a UV irradiation step is performed.
  • the UV light 40 is irradiated to cure the UV curing adhesive 39 filled in the step S21.
  • the liquid crystal material 38 is not sufficiently light-resistant to UV light 40, the liquid crystal material 38
  • the UV light 40 is irradiated from the injection P side so that the V light 40 is not irradiated.o Therefore, the selection of the UV-curable adhesive 39 depends on the reactivity of the liquid 38 In addition to selecting a low one, it is necessary to use a high transmittance of UV light 40.
  • step S23 a dividing step for each cell is performed.
  • a liquid crystal device connected in a par (bar) shape is divided into small sizes suitable for a use form.
  • the dividing method used here is a method using a scribing process because two glass substrates (2-11) and a glass substrate (.2-2-2) are laminated on the glass substrate 1. , It is easy to cause dimensional error Therefore, a dicing process is desirable. Since the liquid crystal injection port is already closed, there is no fear that cutting fluid will enter the injection port.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating the operation principle of aberration correction using a liquid crystal device.
  • Figure 9 shows the operating principle of a phase modulation device (including a spherical aberration capture device) that uses the change in refractive index by applying a voltage to the liquid crystal material.
  • a phase modulation device including a spherical aberration capture device
  • the light polarization plane is not changed, and the light traveling direction is also changed. Without the light phase can be modulated.
  • this phase modulation device is an effective phase modulation device for light having a polarization component in the direction defined by the alignment film of the liquid crystal device 51.
  • the liquid crystal In order to apply as a spherical aberration correction device to an optical disc device, the liquid crystal must be changed so as to generate a phase change that cancels the spherical aberration caused by the difference in cover thickness due to the difference in the recording / reproducing layer of the optical disc.
  • the voltages VS (52) and VL (53) need to be applied to the liquid crystal material of the device 51.
  • liquid crystal device be mounted on a two-axis actuator.
  • the phase modulation device is a phase modulation device effective for light having a polarization component in a direction defined by the alignment film of the liquid crystal device 51, and therefore, the circularly polarized light is used.
  • the phase modulation device is a phase modulation device effective for light having a polarization component in a direction defined by the alignment film of the liquid crystal device 51, and therefore, the circularly polarized light is used.
  • the four-wavelength plate is also mounted on the two-axis actuator.
  • an optical disk system blueray having a laser beam having a wavelength of 405 nm as a light source and having a cano with a thickness of about 0.1 mm using a NA (Uumer 1 ca 1 Aerture) 0 • 85 objective lens.
  • NA Ultranal 1 ca 1 Aerture
  • a thin film having a power-per-layer structure is required to achieve a short wavelength and a high NA, but the tolerance for the spherical aberration is not wide in order to increase the number of recording layers.
  • the tolerance for the spherical aberration of the light incident on the optical disk is reduced, and the multilayer ROM ( R ead Only Memory) Can play discs.
  • the inventor of the present invention prototyped a liquid crystal device having two liquid crystal surfaces, and made light incident on an optical disk having a phase change recording film and reflection from the optical disk.
  • the method that captures both spherical aberrations of light shows that the spherical aberration technology using liquid crystal devices can be applied to recordable media.
  • the phase adjusting liquid crystal device of the present invention is used for an optical recording / reproducing apparatus which records or reproduces data recorded on a recording medium by focusing a laser beam on the recording medium.
  • a phase adjustment liquid crystal that adjusts the phase distribution of the focused laser light by transmitting the laser light to a liquid crystal device that can partially adjust the refractive index of the material.
  • the conductive material for applying a voltage to the liquid crystal material is made of a material containing tin oxide as a main component, so that the optical absorptance of the transparent conductive film can be reduced and the transparent conductive film can be made transparent.
  • the conductive material for applying a voltage to the liquid crystal material is a material containing tin oxide material as a main component and antimony oxide added thereto. This has the effect of being able to form a conductive thin film that is transparent at a given value.
  • the phase adjusting liquid crystal device of the present invention since the wavelength of the laser light is 450 nm or less in the above description, the transparency to the laser light of the wavelength of 400 nm for recording / reproducing data is improved. The effect is high because the absorption rate of the laser beam can be reduced due to the high absorption rate, and the variation in the absorption rate can be suppressed.
  • Industrial potential INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is applicable to a phase adjustment liquid crystal device used as an aberration correction device in an optical recording / reproducing apparatus capable of optically recording or reproducing data.

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Abstract

A phase adjusting liquid crystal device which intends to stabilize the optical characteristics and electric resistance of a transparent conductive film, which is used in an optical recording/reproducing device that records or reproduces data to be recorded or recorded on a recording medium by condensing a laser beam onto a recording medium, and which can adjust the position distribution of a condensed laser beam by allowing a laser beam to pass through a liquid crystal device that can partially adjust the refractive index of a liquid crystal material, wherein a conductive material for applying voltage to a liquid crystal material consists of materials (2, 6) mainly containing a tin oxide material.

Description

明 細 書  Specification
位相調整液晶デバイス、 光ピックァップ及ぴ光記録再生装置 技術分野  Phase adjustment liquid crystal device, optical pickup and optical recording / reproducing device
本発明は光学的にデータの記録および/または再生を行う こ と のできる光記録再生装置に収差補正デバイスと して使用される位 相調整液晶デバイスに関する。 背景技術 ,  The present invention relates to a phase adjustment liquid crystal device used as an aberration correction device in an optical recording / reproducing apparatus capable of optically recording and / or reproducing data. Background technology,
従来の液晶デバイスは、 液晶ディスプレイ と同様に透明導電性 膜に I T O ( I n d i u m T i n O x i d e ) が使用されて いた。 液晶ディスプレイにおいては、 照明波長を決定するカラー フィルターの波長範囲の最短が約 4 6 O n m程度であるこ と もあ り、 I T O材料の 4 0 0 n m付近の波長特性はあま り 問題と され ていなかった。  In a conventional liquid crystal device, ITO (IndiomTinOxide) was used for a transparent conductive film as in a liquid crystal display. In a liquid crystal display, the shortest wavelength range of a color filter that determines the illumination wavelength may be about 46 O nm, and the wavelength characteristics of ITO materials near 400 nm are not considered a problem. Was.
特許文献 1  Patent Document 1
特開平 3 — 1 6 6 5 1 8号公報 発明の開示  Unexamined Japanese Patent Publication No. Hei 3 — 166 5 18
しかしながら光学的にデータの記録および/または再生を行う こ とのできる光記録再生装置の光源は、 記録密度を高めるための 短波長化がすすみ、 4 0 0 n m付近の波長を発光する G a N系材 料も採用されつつある状態となった。  However, the light source of an optical recording / reproducing apparatus capable of optically recording and / or reproducing data has a shorter wavelength for increasing the recording density, and emits light having a wavelength of around 400 nm. System materials are also being adopted.
そのため、 カラーフィルターの波長範囲においては、 I T Oを 導電性膜と して用いても問題は発生しなかったが、 I T O材料は 4 0 0 n m付近の波長に対しては吸収率がばらつく こ とが多いた めに、 結果的に液晶デバイスの透過率が 1 0 %以上もばらついて しま う という不都合があった。 また、 液晶デバイスにおいて、 液晶材料に印加する電圧を部分 的に変化させるこ とのできる液晶デバイスにおいては、 透明導電 性材料は、 消費電力を低減させる という理由から、 抵抗値が高い ことが望ま しい。 しかしながら、 I T o材料は液晶ディスプレイ において、 長配線部分の電気抵抗値を低めることを目的と しても 開発がなされてきた材料であるので、 I T o材料を用いて高抵抗 の透明導電性膜を形成するこ とは難しいという不都合があった。 For this reason, no problem occurred even if ITO was used as the conductive film in the wavelength range of the color filter, but the absorptance of the ITO material could vary at wavelengths around 400 nm. Because of the large number, the transmittance of the liquid crystal device was consequently inconsistent by more than 10%. In a liquid crystal device, in which the voltage applied to the liquid crystal material can be partially changed, it is desirable that the transparent conductive material has a high resistance value because the power consumption is reduced. . However, since the ITO material has been developed for the purpose of lowering the electrical resistance value of the long wiring portion in the liquid crystal display, a high-resistance transparent conductive film is formed using the ITo material. There was an inconvenience that it was difficult to form.
また液晶デバイスに印加する電圧と して D C電圧ではなく高周 波の電圧波形を印加する場合においては、 電圧を供給する側と電 圧を受けるデバイス側 (本発明における液晶デバイス) とのイ ン ピーダンスのマッチングが必要となるが、 透明導電性薄膜の抵抗 値が低い抵抗値におけるばらつきはイ ンピーダンスのマッチング を難しく してしまい、 電圧供給回路のき 計を複雑と してしま と いう不都合があった。  When a high-frequency voltage waveform is applied instead of a DC voltage as the voltage applied to the liquid crystal device, the input between the voltage supply side and the voltage receiving device side (the liquid crystal device in the present invention) is performed. Although impedance matching is required, variations in the resistance value of the transparent conductive thin film, which is low, make impedance matching difficult and complicate the measurement of the voltage supply circuit. Was.
そこで、 I T O材料を用いて高抵抗の膜とするためには 、 膜厚 を薄くする方法があるが、 膜厚を薄く してしま う とァィラン ド状 の膜となり、 抵抗値を安定させるこ とが難しく なる。 さ らには、 Therefore, in order to form a high-resistance film using an ITO material, there is a method of reducing the film thickness. However, if the film thickness is reduced, the film becomes an island-shaped film and the resistance value is stabilized. Becomes difficult. Moreover,
I T O材料は 4 0 0 n mの波長に対して吸収率を安定させるこ と が容易でないので、 液晶デバイス と しての光学特性のばらつきを 大きく してしまい。 光学的に吸収率が高いこ とはレーザパ V 一を 無駄にしてしま う こ とに加え、 液晶デノ イスの温度を上昇させて しま う こと となるので、 液晶デバイスの動作特性に問題を生じる 可能性が高く なる という不都合がある Since it is not easy to stabilize the absorptance of the ITO material at a wavelength of 400 nm, the variation in the optical characteristics of the liquid crystal device is increased. An optically high absorptivity not only wastes the laser beam but also raises the temperature of the liquid crystal device, causing a problem in the operating characteristics of the liquid crystal device. There is a disadvantage that the possibility increases
また、 I T O材料がそもそも低抵抗であるこ とは、 液曰  The fact that ITO materials have low resistance in the first place
曰曰テバイ スの駆動電圧に高周波の電圧波形を用いる場合においてィンピー ダンスマッチングを複雑にしてしま う という不都合がある o そこで、 本発明は、 かかる点に鑑みてなされたものでめりヽ 透明 導 i性膜の光学特性および電気抵抗値を安定させることができる 位相調整液晶デバィスを提供するこ とを課題とする。 According to the above, there is a disadvantage of complicating impedance matching when a high-frequency voltage waveform is used as the driving voltage of the device. Therefore, the present invention has been made in view of such a point. Optical properties and electrical resistance of i-type film can be stabilized It is an object to provide a phase adjustment liquid crystal device.
本発明の位相調整液晶デバイスは、 記録媒体に記録されるデー タの記録あるいは再生を、 レーザ光を記録媒体に集光することに よ り行う光記録再生装置に用いるものであって、 液晶材料の屈折 率を部分的に調整することが可能となっている液晶デバイスにレ 一ザ光を透過させることによ り、 集光する レーザ光の位相分布を 調整するよ う にした位相調整液晶デバイスにおいて、 液晶材料に 電圧を加えるための導電性材料は、 酸化錫材料を主成分とする材 料よ り なるものである。  The phase adjustment liquid crystal device of the present invention is used for an optical recording / reproducing apparatus for recording or reproducing data recorded on a recording medium by focusing a laser beam on the recording medium. Phase adjustment liquid crystal device that adjusts the phase distribution of the condensed laser light by transmitting the laser light to a liquid crystal device that can partially adjust the refractive index of the laser In the above, the conductive material for applying a voltage to the liquid crystal material is made of a material mainly composed of a tin oxide material.
従って本発明によれば、 以下の作用をする。  Therefore, according to the present invention, the following operations are performed.
本発明の位相調整液晶デパイスは、 記録媒体に対してデータの 記録 · 再生を行う 4 0 0 n mの波長のレーザ光に対する透過性が 高いために、 吸収率を低くするこ とができる と ともに、 吸収率の ばらつきを抑えるこ とができる。  The phase adjusting liquid crystal device of the present invention has a high transmittance to a laser beam of a wavelength of 400 nm for recording and reproducing data on and from a recording medium. Variation in absorption rate can be suppressed.
また本発明の光ピックアップは、 透明導電性膜の抵抗値が高い ことから、 液晶デバイスに印加する電圧と して D C電圧ではなく 高周波の電圧波形を印加する場合においても、 電圧を供給する側 と電圧を受けるデバイス側 (本発明における液晶デバイス) との ィ ンピーダンスのマッチングをハイイ ンピーダンスの状態にでき るので、 電圧供給回路の設計を容易にすることができる。  Further, in the optical pickup of the present invention, since the resistance value of the transparent conductive film is high, even when a high-frequency voltage waveform is applied instead of a DC voltage as a voltage applied to the liquid crystal device, the optical pickup is provided with a voltage supply side. Since the impedance matching with the device receiving the voltage (the liquid crystal device in the present invention) can be set to a high impedance state, the design of the voltage supply circuit can be facilitated.
本発明の光ピックアップは、 記録媒体に記録されるデータの記 録あるいは再生を、 レーザ光を記録媒体に集光するこ とによ り行 う光記録再生装置に用いるものであって、 液晶材料の屈折率を部 分的に調整することが可能となっている液晶デバイスにレーザ光 を透過させることによ り、 集光する レーザ光の位相分布を調整す るよ う にした位相調整液晶デバイスを有する光ピックアップにお いて、 液晶材料に電圧を加えるための導電性材料は、 酸化錫材料 を主成分とする材料よ り なるものである。 従って本発明によれば、 以下の作用をする。 An optical pickup according to the present invention is used for an optical recording / reproducing apparatus that records or reproduces data recorded on a recording medium by focusing a laser beam on the recording medium. Phase adjustment liquid crystal device that adjusts the phase distribution of the condensed laser light by transmitting the laser light through a liquid crystal device that can partially adjust the refractive index of the laser In the optical pickup having the above, the conductive material for applying a voltage to the liquid crystal material is made of a material mainly composed of a tin oxide material. Therefore, according to the present invention, the following operations are performed.
本発明の光ピックアップは、 記録媒体に対してデータの記録 · 再生を行う 4 0 0 n mの波長のレーザ光に対する透過性が高いた めに、 吸収率を低くするこ とができると ともに、 吸収率のばらつ きを抑えるこ とができる。  The optical pickup of the present invention has a high transmittance to a laser beam having a wavelength of 400 nm for recording and reproducing data on and from a recording medium. Variation in rate can be suppressed.
また本発明の光ピックアップは、 透明導電性膜の抵抗値が高い とから 液晶デバイスに印加する電圧と して D C電圧ではな < 高周波の電圧波形を印加する場合においても 電圧を供給する側 と電圧を受けるデバイス側 (本発明に ける液晶デバイス) との ィ ンピーダンスのマッチングをノ、イイ ンピ ダンスの状態にでぎ る ので、 電圧供給回路の設計を容易にするこ とができる。  Further, in the optical pickup of the present invention, since the resistance value of the transparent conductive film is high, the voltage applied to the liquid crystal device is not a DC voltage. Since the impedance matching with the receiving device side (the liquid crystal device according to the present invention) can be performed in a state of no impedance or impedance, the design of the voltage supply circuit can be facilitated.
本発明の光記録再生装置は、 記録媒体に記録されるデータの記 録あるいは再生を、 レーザ光を記録媒体に集光するこ とによ り行 う ものであって、 液晶材料の屈折率を部分的に調整するこ とが可 となっている液晶デバイスにレーザ光を透過させるこ とによ 集光する レーザ光の位相分布を調整するよ う にした位相調整液晶 了バイ スを用いる光記録再生装置において、 液日日材料に Λι圧を加 えるための導電性材料は、 酸化錫材料を主成分とする材料よ り な るものである。  The optical recording / reproducing apparatus of the present invention records or reproduces data recorded on a recording medium by focusing a laser beam on the recording medium, and measures the refractive index of a liquid crystal material. Optical recording using a phase-adjusting liquid crystal device that adjusts the phase distribution of the laser light condensed by transmitting the laser light to a liquid crystal device that can be partially adjusted In the regenerating apparatus, the conductive material for applying the liquid pressure to the liquid / liquid material is a material mainly composed of a tin oxide material.
従って本発明によれば、 以下の作用をする。  Therefore, according to the present invention, the following operations are performed.
本発明の光記録再生装置は、 記録媒体に対してデータ の記録 再生を行う 4 0 0 n mの波長のレーザ光に対する透過性が高いた めに、 吸収率を低くすることができる と と もに 、 吸収率のばらつ さを抑えるこ とができる。  The optical recording / reproducing apparatus of the present invention has a high transmittance to a laser beam having a wavelength of 400 nm for recording / reproducing data on / from a recording medium, so that the absorptance can be reduced. The variability of the absorption rate can be suppressed.
また本発明の光記録再生装置は、 透明導電性膜の抵抗値が高い ことから、 液晶デバイスに印加する電圧と して D C電圧ではな < 高周波の電圧波形を印加する場合においても、 電圧を供給する側 と電圧を受けるデバイス側 (本発明における液晶デバイス ) との ィ ンピーダンスのマ ッチングをハイイ ンピーダンスの.状態にでき るので、 電圧供給回路の設計を容易にすることができる。 図面の簡単な説明 Further, in the optical recording / reproducing apparatus of the present invention, since the transparent conductive film has a high resistance value, a voltage is supplied even when a high-frequency voltage waveform is applied instead of a DC voltage as a voltage applied to the liquid crystal device. And the device side receiving the voltage (the liquid crystal device in the present invention). Since the impedance matching can be set to the high impedance state, the design of the voltage supply circuit can be facilitated. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
図 1 は、 本実施の形態に適用される デバイ スの透明導電性 材料の形成法を示す図であり、 図 1 Aは真空蒸着法、 図 1 B はス パッタ V ング法である。  FIG. 1 is a diagram showing a method for forming a transparent conductive material of a device applied to the present embodiment. FIG. 1A shows a vacuum deposition method, and FIG. 1B shows a sputtering V-method.
図 2はヽ 本実 ¾aの形態に適用される液晶デパイスの製造方法を 示す図である。  FIG. 2 is a diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal device applied to the embodiment a.
図 3 は 、 本実施の形態に適用される液晶デパイ スの製造方法を 示す図でめる o  FIG. 3 is a diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal device applied to the present embodiment.
図 4は 、 本実施の形態に適用される液晶デパイスの製造方法を 示す図である。  FIG. 4 is a diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal device applied to the present embodiment.
図 5は 、 本実施の形態に適用される液晶デバイ スの製造方法を 示す図である o  FIG. 5 is a diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal device applied to the present embodiment.
図 6 は 、 本実施の形態に適用される液晶デパイ スの製造方法を 示す図でめる 0  FIG. 6 is a diagram showing a method of manufacturing a liquid crystal device applied to the present embodiment.
図 7は 、 本実施の形態に適用される液旦 B曰デパイスの製造方法を 示す図である 0  FIG. 7 is a diagram showing a method of manufacturing a depiice, which is called “Suidan B” applied to the present embodiment.
図 8は 、 本実施の形態に適用される液晶デバイ スの製造方法を 示す図である。  FIG. 8 is a diagram illustrating a method of manufacturing a liquid crystal device applied to the present embodiment.
図 9はゝ 本実施の形態に適用される液晶デバイスを用いた収差 捕正の原理説明を示す図である。 発明を実施するための最良の形態  FIG. 9 is a diagram illustrating a principle of aberration correction using a liquid crystal device applied to the present embodiment. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
本発明の実施の形態について以下に適宜図面を参照しながら説 明する。  Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings as appropriate.
本発明の位相調整液晶デバイスは、 従来の液晶ディスプレイの 製法において、 I T o製の透明導電性材料を酸化錫を主成分と し、 酸化ィンジゥム( I Z O ( I n d i u m Z i n c O X 1 d e ) ) を含まない透明導電性材料とするこ とによ り 、 薄膜の光学特性を 安定させる と ともに、 薄膜の電気抵抗値を安定させる構成である ので、 以下の実施の形態の 明においては 、 酸化錫を主成分とす る透明導電性薄膜の製法について説明を行う The phase adjustment liquid crystal device of the present invention is In the manufacturing method, the thin conductive film made of ITO is made of a transparent conductive material containing tin oxide as a main component and not containing indium oxide (IZO). In the following embodiments, a method of manufacturing a transparent conductive thin film containing tin oxide as a main component will be described because the optical characteristics of the thin film and the electrical resistance of the thin film are stabilized.
まず 、 真空蒸着法による透明導電性薄膜の製法を用いた場合に ついて説明する。  First, a case where a method for producing a transparent conductive thin film by a vacuum evaporation method is used will be described.
図 1 Aに示すよ う に、 透明電極の形成ェ程 (後述する S 2、 S 4 ) において、 真空蒸着法を用いて、 酸化錫を主成分とする透明 導電性薄膜を作製する場合においては、 1 0 0 %の酸化錫材料よ り なるペレッ ト (塊) 2 をそのソースと して用い、 真空中におい て電子線 (E l e c t r o n i c B e a m ) 3 を照射するこ と によ り酸化錫材料が蒸気となるまで加熱してサンプルであるガラ ス基板 1 に付着させるこ とができる。  As shown in FIG. 1A, in the process of forming a transparent electrode (S2, S4 described later), when a transparent conductive thin film containing tin oxide as a main component is formed by a vacuum evaporation method, A pellet 2 made of 100% tin oxide material is used as the source, and irradiated with an electron beam (Electronic Beam) 3 in a vacuum to form the tin oxide material. It can be heated to vapor to adhere to the glass substrate 1 as a sample.
ここで、 薄膜の内部の酸素が抜けるこ とを防止するための工夫 と しては、 真空チャンバ一 5 中に酸素 4を導入するこ とが望ま し レヽ  Here, as a measure to prevent the oxygen inside the thin film from being released, it is desirable to introduce oxygen 4 into the vacuum chamber 15.
つぎに、 スパッタ リ ング法による透明導電性薄膜の製法を用い た場合について説明する。  Next, a case in which a method for producing a transparent conductive thin film by a sputtering method is used will be described.
図 1 Bに示すよ う に、 透明電極の形成ェ程 (後述する S 2、 S As shown in FIG. 1B, the process of forming the transparent electrode (S2, S
4 ) において、 スパック リ ングを用いた場合には、 一定の濃度の アルゴンガス- 酸素混合ガス 8 を導入してこの混合ガス 8 による 正イオンを用いてスノヽ0ッタ リ ングを行つこ とができるの In 4), in the case of using the packs-ring is argon gas constant concentration - and retaining clips rows scan Nono 0 jitter-rings used by introducing oxygen gas mixture 8 positive ions due to the mixed gas 8 Can do
蒸着法に比較して薄膜の内部の酸素のぬけの状況を比較的精度高 く制御するこ とができる。 Compared with the vapor deposition method, the state of oxygen elimination inside the thin film can be controlled with relatively high accuracy.
しかし、 酸化錫 1 0 0 %の場合においては、 高密度の材料を作 製することができないので 、 ターゲッ 材料を形成することは容 易でない。 However, in the case of 100% tin oxide, it is not possible to produce a high-density material, so it is not possible to form a target material. Not easy.
そのため、酸化錫に対して酸化アンチモン ( S b 2 O 3 ) を数% 程度混ぜた酸化錫主成分酸化アンチモン数%混合材料ペレツ ト 6 によ りスパッタ リ ング工程に耐えう るターゲッ トを作製して、 酸 化錫を主成分とする薄膜をガラス基板 1 に蒸着させることでスパ ッタ リ ング工程によ り透明導電性薄膜を作製する。  For this reason, a target that can withstand the sputtering process is produced by using a pellet material 6 of a mixture of tin oxide and antimony oxide (Sb 2 O 3) in a concentration of several percent with tin oxide as a main component. Then, a thin film containing tin oxide as a main component is vapor-deposited on the glass substrate 1 to form a transparent conductive thin film by a sputtering process.
このとき、 本願発明の発明者は、 酸化錫 ( S n 0 2 ) に対して 3 %の酸化アンチモン( S b 2 0 3 ) が混合されたターゲッ ト材 料を用い、 酸素分圧が 1 0 %のアルゴン酸素混合ガス中において 成膜を行う こ とによ り酸化錫を主成分とする薄膜を作製するこ と ができた。  At this time, the inventor of the present invention used a target material in which 3% of antimony oxide (Sb203) was mixed with tin oxide (Sn02), and the oxygen partial pressure was 10%. A thin film containing tin oxide as a main component was able to be produced by forming a film in a mixed gas of argon and oxygen.
上記液晶デバイスの製造方法を図 2から図 8 を参照しながら 説明する。  The method of manufacturing the above liquid crystal device will be described with reference to FIGS.
図 2において、 まず、 ステップ S 1 で、 ガラス基板 1への無反 射コーティ ング 1 1 を行う。  In FIG. 2, first, in step S1, non-reflective coating 11 on glass substrate 1 is performed.
ステップ S 2で、 I T O l 2 による透明電極の形成工程( 第 1 面) を実施する。  In step S2, a transparent electrode forming step (first surface) using ITOl2 is performed.
こ こで透明電極材料と して I T O ( I n d i u m T i n O x i d e ) 材料 1 2を用いる。 この際、 真空蒸着法を用いる場合 には、 上述したよ う に酸素導入を行う。 また、 例えば、 スパッタ リ ング法をその形成方法と した場合には、 スパッタ リ ング工程中 に、 I T O薄膜に水分が含まれるよ うにしてアモルフ ァ ス状態と なるよ うに成膜した後、 専用のエッチング溶液を用いたゥエツ ト エッチング (w e t e t c h i n g ) によ りノヽ0ターニングを行 う。 Here, ITO (Indium Tin Oxide) material 12 is used as a transparent electrode material. At this time, when the vacuum evaporation method is used, oxygen is introduced as described above. For example, when the sputtering method is used as the formation method, during the sputtering process, the ITO thin film is formed so as to contain water so as to be in an amorphous state by containing moisture, and then the dedicated film is formed. It intends rows by Rinono 0 turning to Uetsu door etching using an etching solution (wetetching) of.
ステップ S 3で、 I T O l 2 に対して正負の I T O電極 1 3の パターニング工程( 第 1面) を実施する。  In step S3, a patterning step (first surface) of the ITO electrode 13 positive and negative with respect to ITOl2 is performed.
ステップ S 4で、 I T O 1 4による透明電極の形成工程( 第 2 面) を実施する。 In step S4, a step of forming a transparent electrode using ITO 14 (second Face).
ステップ S 5で、 I T O l 4に対して正負の I T O電極 1 5の パターニング工程( 第 2面) を実施する。  In step S5, a patterning step (second surface) of the ITO electrode 15 positive and negative with respect to the ITO14 is performed.
この工程時には、 第 1面の透明電極材料の保護を行う必要があ る。  During this step, it is necessary to protect the transparent electrode material on the first surface.
ステップ S 6で、 I T O電極材料の焼成工程( 第 1 面, 第 2面) を実施する。  In step S6, a firing process (first and second surfaces) of the ITO electrode material is performed.
基板の両面の電気特性を揃えるためには、 第 1面および第 2面 の透明電極の焼成工程を同時に行う こ とが望ましい。 例えば、 I T O材料をアモルファス状態と して成膜した場合には、 I T O膜 を光学的に低吸収率と させるためおよぴ電気導電率を安定化ざせ るために熱処理を行う必要がある。 そしてその熱処理の条件は空 気雰囲気において、 3 5 0度〇、 3 0分程度が一般的である。  In order to make the electrical characteristics of both surfaces of the substrate uniform, it is desirable to perform the firing process of the transparent electrodes on the first and second surfaces simultaneously. For example, when the ITO material is formed in an amorphous state, it is necessary to perform a heat treatment in order to optically reduce the absorption of the ITO film and stabilize the electric conductivity. The conditions for the heat treatment are generally about 350 ° C. for about 30 minutes in an air atmosphere.
ステップ S *で、 エッチング工程によるガラス基板 1 の第 1面 に対する溝 1 6 の形成を実施する。  In step S *, a groove 16 is formed on the first surface of the glass substrate 1 by an etching process.
ここで、 溝 1 6 は、 I T O電極 1 3の端面に沿って形成する。 ここで、 エッチングは、 例えば、 イオンミ リ ング · F I B ( F (フ ッ秦) I o n B e a m R I E (R e a c t i v e I o n E t c h i n g ) 工程などによる。  Here, the groove 16 is formed along the end face of the ITO electrode 13. Here, the etching is performed by, for example, an ion milling / FIB (F (Futan)) IonBeamRIE (RecactiveIonEtChing) process.
図 3において、ステップ S 7で、配向膜 1 7の形成 ( 第 1面) を 実施する。  In FIG. 3, in step S7, the alignment film 17 is formed (first surface).
液晶材料を所定の方向に配向させるためには、 電気的あるいは 機械的さ らには磁気的な異方性を有する構造が必要である。 一般 的には電気的に異方性を与えることが容易であるので分極性の高 い膜 (配向膜 1 7 ) を形成する。 液晶ディ スプレイ の製造方法に おいては配向膜 1 7の形成方法は基板が大きいために例えばフ レ キソ印刷が一般的であるが、 基板の大きさが小さい場合において はス ピンコー ト法も可能である。 例 ば、 配向膜 1 7 と して液晶ディスプレイにおいては一般的 であるポリイ ミ ド系の材料を用いた場合においては、 印刷あるい はスピンコー ト法によ り形成した後焼成が必要である。 そしてそ の焼成ェ程は脱水反応が基本であるために、 2 0 0度 C以上の処 理温度となることが一般的である。 また、 9 0度の乾燥処理の後 に 2 2 0度 Cの焼成処理が必要となる場合もある。 In order to orient the liquid crystal material in a predetermined direction, it is necessary to have a structure having electrical or mechanical as well as magnetic anisotropy. In general, since it is easy to give anisotropy electrically, a highly polarizable film (alignment film 17) is formed. In the manufacturing method of the liquid crystal display, for example, flexographic printing is generally used for forming the alignment film 17 because the substrate is large, but when the size of the substrate is small, the spin coating method is also possible. It is. For example, when a polyimide-based material, which is common in liquid crystal displays, is used as the alignment film 17, it is necessary to form it by printing or spin-coating and then bake it. And since the baking process is based on the dehydration reaction, the baking process generally has a processing temperature of 200 ° C. or more. In some cases, a baking treatment at 220 ° C. is required after a drying treatment at 90 ° C.
ステップ S 8 で、 配向膜 1 8 の形成( 第 2面) を実施する。 ここでは配向膜 1 7、 1 8 の焼成工程に含まれる熱処理工程の う ち 、 高温の熱処理工程は共通にできる可能性もある。  In step S8, the alignment film 18 is formed (second surface). Here, among the heat treatment steps included in the baking step of the alignment films 17 and 18, there is a possibility that a high-temperature heat treatment step can be commonly used.
ステクプ S 9で、 配向処理 (ラ ビング処理) ( 第 1面) を実施 する o  Perform alignment treatment (rubbing treatment) (first surface) in step S 9 o
例えば 、 配向膜材料と してポリイ ミ ド系配向膜などの有機系材 料を採用した場合には一般的に皮膜形成直後は高分子材料の配向 方向はランダムであるので、 電気的な異方性を有していない。 そ のため電気的な異方性を生じさせるための処理と して、 配向方向 を揃えるための配向処理が必要となる。 そしてその配向処理方法 と して一般的な方法は、 ラビング布を用いたラビング処理と、 光 を用レ、た光配向方法の 2方法が存在するが、 現状液晶ディスプレ ィの製造方法についてはラビング布を用いたラビング法が一般的 に用レ、られている。  For example, when an organic material such as a polyimide-based alignment film is used as the alignment film material, the orientation direction of the polymer material is generally random immediately after the film is formed. Have no nature. Therefore, as a treatment for generating electrical anisotropy, an orientation treatment for aligning the orientation direction is required. There are two general methods for the alignment treatment: a rubbing treatment using a rubbing cloth and a light alignment method using light.Currently, the manufacturing method for liquid crystal displays is rubbing. The rubbing method using cloth is generally used.
ステップ S 1 0で、 配向処理 (ラ ビング処理) ( 第 2面) を実 施する。  In step S10, an orientation process (rubbing process) (second surface) is performed.
ステップ S 1 1 で、 スぺーサー混合導電性接着剤 1 9 の形成ェ 程( 第 1面) を実施する。  In step S11, the step of forming the spacer mixed conductive adhesive 19 (first surface) is performed.
液晶材料に電圧を印加するためには、 液晶材料が封入されてい る部分の両側のガラス基板に電圧が供給される必要がある。 そし て多く の種類の液晶素子においては、 一方の基板に外部からの電 気信号を加えられるよ う になつていることが構造を単純化するこ とができるので、 液晶材料を封入するための壁を構成する材質に 導電性を持たせるこ とによ り液晶材料をはさむ両側の基板を部分 的に電気接続する方法を用いている o そしてその電気的な接続を 行う具体的な方法は、 ガラス基板間の間隔を規定するスぺーサ一 の径ょ り も若干大きな径を有する導電性粒子を採用するこ とによ り、 スぺーサ一によ り規定される間隔になった際に、 導電性の粒 子はガラス基板によ りつぶされるよつになり、 電気的な接続が得 られること となる。 なお、 スぺーサ は、 ガラスなどの硬い材質 によ り形成され、 導電性粒子はブラスチック材料に金メ ツキなど がなされたものなど、 '柔らかい材質によ り構成される。 In order to apply a voltage to the liquid crystal material, the voltage must be supplied to the glass substrates on both sides of the portion where the liquid crystal material is sealed. In many types of liquid crystal devices, the ability to apply an external electrical signal to one substrate simplifies the structure. Therefore, a method is used in which the material constituting the wall for enclosing the liquid crystal material is made conductive to partially electrically connect the substrates on both sides sandwiching the liquid crystal material. A specific method of making the electrical connection is to adopt conductive particles having a diameter slightly larger than the diameter of the spacer that defines the distance between the glass substrates. When the distance defined by the formula (1) is reached, the conductive particles are crushed by the glass substrate, and an electrical connection is obtained. Note that the spacer is formed of a hard material such as glass, and the conductive particles are formed of a soft material such as a plastic material having a gold plating.
ステップ S 1 2で、 スぺーサー混八導電性接着剤の仮焼成ェ程 In step S12, the preliminary firing process of the spacer mixed conductive adhesive is performed.
(第 1面) を実施する。 (Side 1).
ガラス基板を貼り合わせる際には 、 面接着であるこ とから接着 剤内部よ り空気が出てきてはならなレ、ので、 本硬化前に接着剤内 部の泡が脱泡されているこ とに加えて 、 溶剤も除去されている とが望ま しい。 接着剤の形成方法と してスク リーン印刷法を用レ、 た場合においては、 スク リーンのメ Vシュを通過する際に塗布媒 体内部の泡は除去されるこ とが多いので、 この場合には、 接着剤 の内部の溶剤を接着剤の硬化剤が反応しない温度の加熱処理によ り溶剤の除去を行う。  When bonding the glass substrates, air must not come out from the inside of the adhesive due to surface bonding, so the bubbles inside the adhesive must be removed before full curing. It is desirable that the solvent be removed in addition to the solvent. If the screen printing method is used as the adhesive forming method, bubbles inside the application medium are often removed when the adhesive passes through the screen mesh. First, the solvent inside the adhesive is removed by a heat treatment at a temperature at which the curing agent of the adhesive does not react.
ここで、 ガラス基板 1 の第 1面側の液晶材料に対向するガラス 基板の工程説明を行う。  Here, the steps of the glass substrate facing the liquid crystal material on the first surface side of the glass substrate 1 will be described.
図 4において、 ステップ S 1 _ 1 で 、 ガラス基板 ( 2 — 1 ) 2 In FIG. 4, in step S 1 _ 1, the glass substrate (2-1) 2
― 1 に無反射コーティ ング 2 1 を行う 。 これは、 上記ステップ SApply anti-reflection coating 21 to 1. This is done in step S above.
1 の工程と同内容である。 The contents are the same as in step 1.
ステップ S 1 — 2で、 I T O 2 2 による透明電極を形成する o 力パーガラス側のガラス基板 ( 2 一 1 ) 2 — 1 に高精度の電極 パターンを形成する場合においては 、 上記ステップ S 2, ステ -y プ S 3 と同じ工程を行う必要があるが、 高いパタ ン精度が要求 されない場合 ( 0 . 1 m m 度 ) におレ、ては 、 例 X.ば、 シャ ドー スパッタ リ ングなどの方法によ りパター ングを行う ことができ ステツフ S 1 - 3で、 I T o電極材料の焼成を実施する。 In step S1-2, a transparent electrode of ITO 22 is formed. O When a high-precision electrode pattern is to be formed on the glass substrate (2-1) 2-1 on the power glass side, the steps S2, -y In the case where high pattern accuracy is not required (0.1 mm degree), it is necessary to carry out the same process as in step S3, for example, using a method such as shadow sputtering. In step S1-3, firing of the ITO electrode material is performed.
このステ Vプは 、 上記ステップ S 6 の工程と同内容である。 ステップ S 1 一 4で、 配向膜 2 3 の形成を実施する。  This step has the same contents as the step S6. In step S14, formation of an alignment film 23 is performed.
このステップは 、 上記ステップ S 7、 ステップ S 8 の工程と同 内容である o  This step has the same contents as the steps S7 and S8 described above.
ステップ S 1 一 5で、 配向処理 (ラビング処理) を実施する。 このステクプは 、 上記ステップ S 9、 ステップ S 1 0 の工程と 内容である o  In step S115, an alignment process (rubbing process) is performed. This step is the process and contents of step S9 and step S10 described above.
ステップ S 1 一 6 で、 基板分割工程 (スクライ ビング処理可能) を実施する o  In step S1-16, perform substrate splitting process (scribing process is possible) o
貼り合わせ工程に適した基板サイズとするために、 基板をバー In order to make the board size suitable for the bonding process,
( b a r ) 状に加工する。 ここで、 基板の分割方法は精度が得ら れるならばスクライ ビング処理を用いた分割方法の適用が可能で ある し、 ダイシング法の適用も可能である。 (b a r) shape. Here, as for the method of dividing the substrate, if accuracy can be obtained, a dividing method using a scribing process can be applied, and a dicing method can also be applied.
図 5 において、 ステップ S 1 3で、 ガラス基板の貼り合わせェ 程( 第 1面) を実施する。  In FIG. 5, in step S13, a bonding step (first surface) of a glass substrate is performed.
配向膜の形成工程ス Tップ S 7、 ステップ S 9 において加わる 温度が高い場合には 、 ステップ S 1 3の工程時において、 両面の 配向膜が形成されてレ、る必要があるため のステップ S 1 3 に おいて第 2面の配向膜はプレスジグ 2 4に押し当てられること と なる o  If the temperature applied in step S7 and step S9 of forming the alignment film is high, the step for forming the alignment film on both sides must be performed in the process of step S13. In S 13, the alignment film on the second surface is pressed against the press jig 24 o
 ,
工程によ り形成された接着剤によ りガラス基板の貼り合わせ を行う。 ガラス基板の貼り合わせ条件は 、 接着剤メ一力一の指示 条件を中心にすることが望ましい。 ステップ S 1 4 で、 スぺーサー混合導電性接着剤 2 5 の形成ェ 程( 第 2面) を実施する。 The glass substrates are bonded with the adhesive formed in the process. It is desirable that the bonding condition of the glass substrate is centered on the instruction condition of the adhesive. In step S14, the step of forming the spacer mixed conductive adhesive 25 (second surface) is performed.
ステップ S 1 5で、 スぺーサー混合導電性接着剤の仮焼成工程 ( 第 2面) を実施する。  In step S15, a preliminary firing step (second surface) of the spacer mixed conductive adhesive is performed.
ここで、 ガラス基板 1 の第 2面側の液晶材料に対向するガラス 基板の工程説明を行う。  Here, the steps of the glass substrate facing the liquid crystal material on the second surface side of the glass substrate 1 will be described.
図 6 において、 ステップ S 2 — 1 で、 ガラス基板 ( 2 — 2 ) 2 一 2に無反射コーティング 3 1 を行う。 これは、 上記ステップ S 1 の工程と同内容である。  In FIG. 6, the anti-reflection coating 31 is applied to the glass substrate (2-2) 212 in step S2-1. This is the same as the above-described step S 1.
ステップ S 2 — 2で、 I T 0 3 2 による透明電極を形成する。 カバーガラス側のガラス基板 ( 2 _ 2 ) 2 — 2に高精度の電極 パターンを形成する場合においては、 上記ステップ S 2 , ステツ プ S 3 と同じ工程を行う必要があるが、 高いパターン精度が要求 されない場合 ( 0 . 1 m m程度) においては、 例えば、 シャ ドー スパッタ リ ングなどの方法によ りパターユングを行う こ とができ る。  In step S2-2, a transparent electrode is formed by IT032. When forming a high-precision electrode pattern on the glass substrate (2_2) 2-2 on the cover glass side, the same steps as those in Steps S2 and S3 described above need to be performed. If not required (approximately 0.1 mm), puttering can be performed by, for example, shadow sputtering.
ステップ S 2 ― 3で、 I T O電極材料の焼成を実施する。  In step S2-3, firing of the ITO electrode material is performed.
このステクプはヽ 上記ステップ S 6 の工程と同内容である。 ステップ S 2 一 4で、 配向膜 3 3 の形成を実施する。  This step is the same as the step S6 described above. In step S2-14, an alignment film 33 is formed.
このステップは 、 上記ステップ S 7、 ステップ S 8 の工程と同 内容である  This step has the same contents as the steps S7 and S8 described above.
ステップ S 2 ' 5で、 配向処理 (ラビング処理) を実施する。 このステクプは 、 上記ステップ S 9 、 ステップ S 1 0 の工程と 同内容である o  In step S2'5, an alignment process (rubbing process) is performed. This step has the same contents as the steps S9 and S10 described above.
ステップ S 2 一 6で、基板分割工程 (スクライ ビング処理可能) を実施する o  In step S2-16, perform the substrate dividing process (scribing process is possible) o
貼り合わせ工程に適した基板サイズとするために、 基板をパー In order to make the substrate size suitable for the bonding process,
( a r ) 状に加工する。 ここで、 基板の分割方法は精度が得ら れるならばスクライ ビング処理を用いた分割方法の適用が可能で あるし、 ダイシング法の適用も可能である。 Process into (ar) shape. Here, the method of dividing the board is not accurate. If possible, a division method using scribing can be applied, and a dicing method can also be applied.
図 7において、 ステップ S 1 6で、 ガラス基板の貼り合わせェ 程( 第 2面) を実施する。  In FIG. 7, in step S16, a glass substrate bonding step (second surface) is performed.
ステップ S 1 7で、 B a r状サイズへの分割を実施する。  In step S17, division into Bar-shaped sizes is performed.
この工程においては、 ダイヤモン ドを配置するスペースがない こ とからスクライ ビング処理を用いることは容易でないので、 ダ イ シング工程を用いなければならなかったが、 本実施の形態にお いてはエッチング法によ り形成した溝を起点と した破壊による分 割が可能である。  In this step, it is not easy to use a scribing process because there is no space for arranging diamonds, so a dicing step had to be used. It is possible to perform division by destruction starting from the groove formed by the method.
ガラス基板に液晶材料を充填するために、 液晶の注入口が端に く るよ う に基板の分割を行う。 この工程においては、 スクライ ビ ング処理を用いた分割方法おょぴダイシング法の双方の適用が可 能であるが、 ダイシング工程を用いて分割を行う場合には切削液 と しての純水あるいはダイシングの刃物の粉などが液晶材料が注 入されるべき空間内に混入してしま う危険性が高く なるので分割 後に洗浄工程を必要とする。  In order to fill the glass substrate with the liquid crystal material, the substrate is divided so that the liquid crystal injection port is at the end. In this step, both the dividing method using scribing and the dicing method can be applied.However, when dividing using the dicing step, pure water or A cleaning process is required after the division, because there is a high risk of dicing blade powder and the like entering the space where the liquid crystal material is to be injected.
ステ ップ S 1 8 で、 真空引き工程を実施する。  In step S18, a vacuuming step is performed.
液晶材料 3 5 を充填するために、 液晶材料 3 5が浸してある容 器と と もに真空引き 3 6 を行う。 なお、 真空度を高めるために乾 燥のためのベータ( b a k e )工程を事前に行う ことが望ま しい。 到達真空度と しては、 ロータ リーポンプなどの粗挽き用真空ボン プ程度でよい。  In order to fill the liquid crystal material 35, the container 36 in which the liquid crystal material 35 is immersed is evacuated 36. In addition, it is desirable to perform a beta (bake) step for drying in advance to increase the degree of vacuum. The ultimate vacuum may be about the same as a roughing vacuum pump such as a rotary pump.
ステップ S 1 9で、 液晶材料の充填を実施する。  In step S19, the liquid crystal material is filled.
真空が維持された状態において、 サンプルの液晶注入口が液晶 材料に触れるよ う に位置し、 その後真空容器內に 3 7で示すよ う に窒素 N 2を導入する。 そして大気圧に戻すことによ り液晶材料 を充填する。 こ こで窒素 N 2 を導入する理由は液晶材料の保存性 を高めるためである。 With the vacuum maintained, the liquid crystal injection port of the sample is positioned so as to touch the liquid crystal material, and then nitrogen N 2 is introduced into the vacuum container 內 as indicated by 37. Then, the liquid crystal material is filled by returning the pressure to the atmospheric pressure. Here, the reason for introducing nitrogen N 2 is the storage stability of the liquid crystal material. It is to increase.
ステップ S 2 0で、 液晶素子の注入口部分に相当する液晶材料 3 8の押し出しを実施する。  In step S20, the liquid crystal material 38 corresponding to the injection port of the liquid crystal element is extruded.
液晶素子において液晶材料 3 8が充填されている部分に外部よ り荷重を与え、 液晶素子の液晶材料 3 8の注入口部分に充填され ている体積に相当する液晶材料 3 8が注入口よ り押し出されるよ ラ にする o  A load is externally applied to a portion of the liquid crystal element where the liquid crystal material 38 is filled, and the liquid crystal material 38 corresponding to the volume of the liquid crystal material 38 of the liquid crystal element filled in the injection port is discharged from the injection port. It will be extruded
ステップ S 2 1 で、 液晶材料 3 8 と U V ( U 1 t r a V i o In step S 21, the liquid crystal material 38 and U V (U 1 t r a V i o
1 e t r a y s ) 硬化接着剤 3 9 との置換を実施す 1 et r ay s) Replace with curing adhesive 3 9
ステップ S 2 0 の工程によ り押し出された液晶材料 3 8 をふき 取り 、 その部分に液晶材料 3 8 を封止する U V硬化接着剤 3 9 を 塗 する 。 そして加えられていた荷重を開放するこ とによ り液晶 子の液晶材料注入口の部分に U V硬化接着剤 3 9が充填される よ ラ にする。  The liquid crystal material 38 extruded in the step S20 is wiped off, and a UV curing adhesive 39 for sealing the liquid crystal material 38 is applied to the wiped portion. Then, by releasing the applied load, the UV curing adhesive 39 is filled in the liquid crystal material injection port of the liquid crystal element.
ステップ S 2 2で、 U V照射工程を実施する。  In step S22, a UV irradiation step is performed.
ステップ S 2 1 の工程にて充填した U V硬化接着剤 3 9 を硬化 させるために U V光 4 0 を照射する。 ここで液晶材料 3 8 は U V 光 4 0に対してあま り耐光性が強く ないので、 液晶材料 3 8 に U The UV light 40 is irradiated to cure the UV curing adhesive 39 filled in the step S21. Here, since the liquid crystal material 38 is not sufficiently light-resistant to UV light 40, the liquid crystal material 38
V光 4 0が照射されないよ う に U V光 4 0は注入 P側よ り照射す る o そのため、 U V硬化型の接着剤 3 9の選定は 、 液曰曰お料 3 8 との反応性が低いものを選定するこ とに加えて、 U V光 4 0 の透 過性の高いものを用いる必要がある。 The UV light 40 is irradiated from the injection P side so that the V light 40 is not irradiated.o Therefore, the selection of the UV-curable adhesive 39 depends on the reactivity of the liquid 38 In addition to selecting a low one, it is necessary to use a high transmittance of UV light 40.
ステップ S 2 3 で、 各セルへの分割工程を実施する。  In step S23, a dividing step for each cell is performed.
図示しないが、 パー ( b a r ) 状につながつている液晶デバィ スを使用形態に適した小さいサイズへの分割工程を行う。 ここで 用いる分割の方法は、ガラス基板 1 に対して 2枚のガラス基板( 2 一 1 )、 ガラス基板 (.2— 2 ) が積層された状態であるので、 スク ライ ビング処理を用いた方法においては、 寸法誤差を発生しやす いので、 ダイシング工程が望ま しい。 そして液晶の注入口はも う 塞がれているので、 注入口に切削液などが入る心配はない。 Although not shown, a liquid crystal device connected in a par (bar) shape is divided into small sizes suitable for a use form. The dividing method used here is a method using a scribing process because two glass substrates (2-11) and a glass substrate (.2-2-2) are laminated on the glass substrate 1. , It is easy to cause dimensional error Therefore, a dicing process is desirable. Since the liquid crystal injection port is already closed, there is no fear that cutting fluid will enter the injection port.
次に、 上述した液晶デバイス製造方法によ り製造された液晶デ パイスを用いた球面収差捕正用液晶デバイスの動作原理おょぴ使 用方法を説明する。 図 9 は、 液晶デバイスを用いた収差補正の動 作原理説明図である。  Next, the operating principle and usage of a liquid crystal device for spherical aberration correction using a liquid crystal device manufactured by the above-described liquid crystal device manufacturing method will be described. FIG. 9 is a diagram illustrating the operation principle of aberration correction using a liquid crystal device.
液晶材料に電圧を与えることによる屈折率変化現象を用いた位 相変調デバイス (球面収差捕正デバイスを含む) の動作原理を図 9 に示す。 この場合液晶デバイス 5 1 において光学的に 1軸性の 液晶材料を直線配向させて配置することによ り、 光の偏光面を変 化させるこ となく 、 また、 光の進行方向も変化させることなく 、 光の位相を変調することができる。  Figure 9 shows the operating principle of a phase modulation device (including a spherical aberration capture device) that uses the change in refractive index by applying a voltage to the liquid crystal material. In this case, by arranging the optically uniaxial liquid crystal material in the liquid crystal device 51 so as to be linearly aligned, the light polarization plane is not changed, and the light traveling direction is also changed. Without the light phase can be modulated.
つま り、 液晶デバイス 5 1 において屈折率変化 「小」 領域 5 8 と屈折率変化 「大」 領域 5 9 とを生成することによ り、 入射光の 位相および進行方向 5 6は一様であるが、 透過光の位相おょぴ進 行方向は 5 7に示すよ う に同じ進行方向で位相に変化をもたせる ことができる。 したがって、 この位相変調デバイスは液晶デバィ ス 5 1 の配向膜によ り定義された方向の偏光成分を有する光に対 して有効な位相変調デバイスとなる。  That is, in the liquid crystal device 51, the phase and the traveling direction 56 of the incident light are uniform by generating the region 58 of the change in the refractive index and the region 59 of the change in the refractive index of the liquid crystal device 51. However, as shown in 57, the phase of the transmitted light can change in the same traveling direction. Therefore, this phase modulation device is an effective phase modulation device for light having a polarization component in the direction defined by the alignment film of the liquid crystal device 51.
光ディスク装置に球面収差捕正デバイスと して適用するために は、 光ディスクの記録再生する層の違いによるカバー厚の違いに よ り発生する球面収差をキャンセルするよ うな位相変化を生じる よ う に液晶デバイ ス 5 1 の液晶材料に電圧 V S ( 5 2 )、 V L ( 5 3 ) が印加されることが必要となる。 液晶デバイス 5 1 の液晶材 料に電圧 V S ( 5 2 )、 V L ( 5 3 ) による所定の電圧分布を印加 するための低抵抗導電性膜 5 5 — 1 , 5 5 — 2、 高抵抗導電性膜 5 4のパターン電極は入射光に対して固定することが望ましい。 したがって、 球面収差捕正デバイスはアパーチャ一および対物レ ンズに対して、 X y方向の位置が固定されていること、 すなわちIn order to apply as a spherical aberration correction device to an optical disc device, the liquid crystal must be changed so as to generate a phase change that cancels the spherical aberration caused by the difference in cover thickness due to the difference in the recording / reproducing layer of the optical disc. The voltages VS (52) and VL (53) need to be applied to the liquid crystal material of the device 51. Low resistance conductive film 55-1, 55-2 for applying a predetermined voltage distribution by voltage VS (52) and VL (53) to the liquid crystal material of liquid crystal device 51, high resistance conductive It is desirable that the pattern electrode of the film 54 be fixed to incident light. Therefore, the spherical aberration correction device is used for aperture and objective lens. Position in the X and y directions is fixed relative to the
2軸ァクチユエ一ターを用いて トラ ッキンダサ一ボを行う システ ムにおいては、 液晶デバイ スは 2軸ァクチ ェータ一に搭載され ているこ とが望ま しいこと となる o In a system that performs track servo using a two-axis actuator, it is desirable that the liquid crystal device be mounted on a two-axis actuator.o
また、 上述したよ う に、 位相変調ァバィ スは液晶テバイ ス 5 1 の配向膜によ り定義された方向の偏光成分を有する光に対して有 効な位相変調デパイ スであるので 、 円偏光光学系にて記録再生を 行う光ディスクシステムにおいては、 液曰  Further, as described above, the phase modulation device is a phase modulation device effective for light having a polarization component in a direction defined by the alignment film of the liquid crystal device 51, and therefore, the circularly polarized light is used. In an optical disk system that performs recording and reproduction with an optical system,
曰 sテノ ィスと ともに 1 Z Say 1 Z with tenos
4波長板も 2軸ァクチユエ一ターに搭載されているこ とが望ま し いこ と となる。 It is desirable that the four-wavelength plate is also mounted on the two-axis actuator.
例えば、 波長 4 0 5 n mの レーザ光を光源と しヽ N A ( U u m e r 1 c a 1 A e r t u r e ) 0 • 8 5 の対物レンズにて厚 さ約 0 . 1 mmのカノ 一を有する光ディスクシステム ( b l u e r a y ) においては、 短波長 · 高 N Aでめるため 、 薄膜の力パー 層構成を有してレ、ても 、 記録層の多層化を行うためには、 球面収 差に対する許容度が広く ない。 そこで 、 液晶材料に電圧を与える こ とによる屈折率変化を利用した球面収差補正デバイスを導入す ることによ り、 光ディスクに入射する光の球面収差に対する許容 度を緩和し、 多層の R OM (R e a d O n l y M e m o r y ) ディスクの再生ができる。  For example, an optical disk system (blueray) having a laser beam having a wavelength of 405 nm as a light source and having a cano with a thickness of about 0.1 mm using a NA (Uumer 1 ca 1 Aerture) 0 • 85 objective lens. In the case of), a thin film having a power-per-layer structure is required to achieve a short wavelength and a high NA, but the tolerance for the spherical aberration is not wide in order to increase the number of recording layers. Therefore, by introducing a spherical aberration correction device that uses the change in the refractive index caused by applying a voltage to the liquid crystal material, the tolerance for the spherical aberration of the light incident on the optical disk is reduced, and the multilayer ROM ( R ead Only Memory) Can play discs.
また、 本願発明者は、 上述した本実施の形態で示したよ う に、 液晶面を 2面有する液晶デバイ スを試作し、 相変化記録膜を有す る光ディスクに入射する光および光ディスクからの反射光の双方 の球面収差を捕正.する方式によ り、 記録型のメディアにおいても 液晶デバイスによる球面収差技術の適用が可能であることを示し た。  Further, as shown in the above-described present embodiment, the inventor of the present invention prototyped a liquid crystal device having two liquid crystal surfaces, and made light incident on an optical disk having a phase change recording film and reflection from the optical disk. The method that captures both spherical aberrations of light shows that the spherical aberration technology using liquid crystal devices can be applied to recordable media.
なお、 上述した本実施の形態に限らず、 本願発明の特許請求の 範囲を逸脱しない範囲で適宜他の構成をと り う るこ とはいう まで もない。 It is to be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and may adopt other configurations as appropriate without departing from the scope of the claims of the present invention. Nor.
また本発明の位相調整液晶デバィスは、 記録媒体に記録される データの記録あるいは再生を、 レーザ光を記録媒体に集光するこ とによ り行う光記録再生装置に用いるものであって、 液晶材料の 屈折率を部分的に調整することが可能となっている液晶デバイス にレーザ光を透過させるこ とによ り 、 集光するレーザ光の位相分 布を調整するよ う にした位相調整液晶デバイスにおいて、 液晶材 料に電圧を加えるための導電性材料は、 酸化錫材料を主成分とす る材料よ り なるので、 透明導電性膜の光学吸収率を低くするこ と ができる と共に、 透明導電性膜の抵抗値を高くするこ とができ、 これによ り、 液晶デバイスに印加する電圧と して D C電圧ではな く高周波の電圧波形を印加する場合においても、 電圧を供給する 側と電圧を受けるデバイス側 (本発明における液晶デバイス) と のィ ンピーダンスのマッチングをハイイ ンピーダンスの状態にで きるので、 電圧供給回路の設計を容易にすることができる という 効果を奏する。  Further, the phase adjusting liquid crystal device of the present invention is used for an optical recording / reproducing apparatus which records or reproduces data recorded on a recording medium by focusing a laser beam on the recording medium. A phase adjustment liquid crystal that adjusts the phase distribution of the focused laser light by transmitting the laser light to a liquid crystal device that can partially adjust the refractive index of the material. In the device, the conductive material for applying a voltage to the liquid crystal material is made of a material containing tin oxide as a main component, so that the optical absorptance of the transparent conductive film can be reduced and the transparent conductive film can be made transparent. This makes it possible to increase the resistance of the conductive film, so that even when a high-frequency voltage waveform is applied instead of a DC voltage as the voltage applied to the liquid crystal device, the voltage is supplied to the side that supplies the voltage. Voltage Since wear matching I impedance of the device side (the liquid crystal device according to the present invention) which receives in the state of high impedance, an effect that it is possible to facilitate the design of the voltage supply circuit.
また、 この発明の位相調整液晶デバイスは、 上述において、 液 晶材料に電圧を加えるための導電性材料は、 酸化錫材料を主成分 と し、 酸化アンチモンが添加された材料であるので、 高い抵抗値 で透明性のある導電性薄膜を形成するこ とができるという効果を 奏する。  Further, in the phase adjustment liquid crystal device of the present invention, the conductive material for applying a voltage to the liquid crystal material is a material containing tin oxide material as a main component and antimony oxide added thereto. This has the effect of being able to form a conductive thin film that is transparent at a given value.
また、 この発明の位相調整液晶デバイスは、 上述において、 レ 一ザ光の波長は 4 5 0 n m以下であるので、 データの記録 · 再生 を行う 4 0 0 n mの波長のレーザ光に対する透過性が高いために レーザ光の吸収率を低くすることができると ともに、 吸収率のば らっきを抑えるこ とができる という効果を奏する。 産業上の利用の可能性 本発明は光学的にデータの記録おょぴ zまたは再生を行う こ と のできる光記録再生装置に収差補正デバイスと して使用される位 相調整液晶デパイスに利用可能である。 Further, in the phase adjusting liquid crystal device of the present invention, since the wavelength of the laser light is 450 nm or less in the above description, the transparency to the laser light of the wavelength of 400 nm for recording / reproducing data is improved. The effect is high because the absorption rate of the laser beam can be reduced due to the high absorption rate, and the variation in the absorption rate can be suppressed. Industrial potential INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention is applicable to a phase adjustment liquid crystal device used as an aberration correction device in an optical recording / reproducing apparatus capable of optically recording or reproducing data.

Claims

請 求 の 範 囲 The scope of the claims
1 . 記録媒体に記録されるデータの記録あるいは再生を、 レー ザ光を記録媒体に集光するこ とによ り行う光記録再生装置に用い るものであって、 液晶材料の屈折率を部分的に調整するこ とが可 能となっている液晶デバイスにレーザ光を透過させるこ とによ り、 集光する レーザ光の位相分布を調整するよ う にした位相調整液晶 デバイスにおいて、  1. An optical recording / reproducing device that records or reproduces data recorded on a recording medium by focusing laser light on the recording medium. In a phase adjustment liquid crystal device that adjusts the phase distribution of condensed laser light by transmitting laser light to a liquid crystal device that can be adjusted
液晶材料に電圧を加えるための導電性材料は、 酸化錫材料を主 成分とする材料よ り なることを特徴とする位相調整液晶デバイス。  A phase-adjusting liquid crystal device, characterized in that a conductive material for applying a voltage to the liquid crystal material is made of a material mainly composed of a tin oxide material.
2 . 上記請求の範囲第 1項において、 液晶材料に電圧を加える ための導電性材料は、 酸化錫材料を主成分と し、 酸化アンチモン が添加された材料であるこ とを特徴とする位相調整液晶デバイス。 2. The phase-adjusting liquid crystal according to claim 1, wherein the conductive material for applying a voltage to the liquid crystal material is a material containing a tin oxide material as a main component and an antimony oxide added thereto. device.
3 . 上記請求の範囲第 1項、 第 2項において、 レーザ光の波長 は 4 5 0 n m以下であるこ とを特徴とする位相調整液晶デバィス。 3. The phase-adjusting liquid crystal device according to claim 1, wherein the wavelength of the laser beam is 450 nm or less.
4 . 記録媒体に記録されるデータの記録あるいは再生を、 レー ザ光を記録媒体に集光するこ とによ り行う光記録再生装置に用い るものであって、 液晶材料の屈折率を部分的に調整するこ とが可 能となっている液晶デバイスにレーザ光を透過させるこ とによ り、 集光する レーザ光の位相分布を調整するよ う にした位相調整液晶 デバイスを有する光ピックアップにおいて、 4. An optical recording / reproducing apparatus that records or reproduces data recorded on a recording medium by focusing laser light on the recording medium. Optical pickup having a phase adjustment liquid crystal device that adjusts the phase distribution of the condensed laser light by transmitting the laser light through a liquid crystal device that can be adjusted At
液晶材料に電圧を加えるための導電性材料は、 酸化錫材料を主' 成分とする材料よ り なることを特徴とする光ピックアップ。  An optical pickup characterized in that a conductive material for applying a voltage to a liquid crystal material is made of a material mainly composed of a tin oxide material.
5 . 上記請求の範囲第 4項において、 液晶材料に電圧を加える ための導電性材料は、 酸化錫材料を主成分と し、 酸化アンチモン が添加された材料であるこ とを特徴とする光ピックアップ。  5. The optical pickup according to claim 4, wherein the conductive material for applying a voltage to the liquid crystal material is a material containing a tin oxide material as a main component and an antimony oxide added thereto.
6 . 上記請求の範囲第 4項、 第 5項において、 レーザ光の波長 ' は 4 5 O n m以下であることを特徴とする光ピックアップ。  6. The optical pickup according to any one of claims 4 and 5, wherein a wavelength of the laser light is 45 nm or less.
7 . 記録媒体に記録されるデータの記録あるいは再生を、 レー ザ光を記録媒体に集光するこ と によ り行う ものであって、 液晶材 料の屈折率を部分的に調整するこ とが可能となっている液晶デバ イスにレーザ光を透過させるこ とによ り、 集光する レーザ光の位 相分布を調整するよ う にした位相調整液晶デバイスを用いる光記 録再生装置において、 7. Recording or playback of the data recorded on the The laser beam is transmitted through a liquid crystal device that can partially adjust the refractive index of the liquid crystal material by condensing the laser light on a recording medium. Thus, in an optical recording / reproducing apparatus using a phase adjustment liquid crystal device that adjusts the phase distribution of a focused laser beam,
液晶材料に電圧を加えるための導電性材料は、 酸化錫材料を主 成分とする材料よ り なるこ とを特徴とする光記録再生装置。  An optical recording / reproducing apparatus, wherein a conductive material for applying a voltage to a liquid crystal material is made of a material mainly composed of a tin oxide material.
8 . 上記請求の範囲第 1項において、 液晶材料に電圧を加える ための導電性材料は、 酸化錫材料を主成分と し、 酸化アンチモン が添加された材料であるこ とを特徴とする光記録再生装置。  8. The optical recording / reproducing apparatus according to claim 1, wherein the conductive material for applying a voltage to the liquid crystal material is a material containing a tin oxide material as a main component and an antimony oxide added thereto. apparatus.
9 . 上記請求の範囲第 1項、 第 2項において、 レーザ光の波長 は 4 5 0 n m以下であることを特徴とする光記録再生装置。  9. The optical recording / reproducing apparatus according to claim 1, wherein the wavelength of the laser beam is 450 nm or less.
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