WO2003088490A1 - Integratable driver circuit for driving a power semiconductor - Google Patents

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    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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Definitions

  • the invention relates to an integrable driver circuit for driving a power semiconductor, such as a MOSFET power component.
  • an emitter follower could be connected between the driver circuit and the gate resistor.
  • the feedback signal current / voltage
  • the emitter follower amplifier circuit
  • the invention is based on the problem of creating an integrable driver circuit for driving a power semiconductor, with which control of the current change rate is made possible.
  • This object is achieved by an integrable driver circuit with the features of claim 1.
  • the driver circuit has at least one internal amplifier circuit, the output of which is connected to the external power semiconductor. Furthermore, it has a feedback input which is connected to the input of the amplifier circuit in order to feed back a load voltage at the output of the power semiconductor to the input of the amplifier circuit.
  • two Zener diodes connected in antiparallel in series can be arranged either outside or inside the integrated driver circuit between the output of the power semiconductor and the input of the amplifier circuit to control the rate of current change.
  • Zener diodes can also be a Zener diode with a transistor connected in series, preferably a MOS-FET.
  • the integrated driver circuit can be designed as a high-side driver and / or as a low-side driver, in order to drive a high-side power semiconductor and / or a low-side power semiconductor.
  • the driver circuit has two control branches which are separate from one another, namely a high-side driver branch and a low-side driver branch.
  • Each branch has an amplifier circuit in front of its output.
  • There is also a return for each branch coupling input is provided so that the rate of current change can be checked in each branch.
  • the integrated driver circuit has both a high-side driver branch and a low-side driver branch, it is advantageous if a potential separation stage is arranged in one branch before the input of the amplifier circuit in order to carry out a potential separation from the other branch. and in the other branch a signal delay stage is arranged in front of the input of the amplifier circuit so that the two amplifier circuits have the same transit times.
  • FIG. 1 shows a block diagram of a first exemplary embodiment of a driver circuit according to the invention with non-integrated current change control using Zener diodes,
  • FIG. 2 shows a block diagram of a second exemplary embodiment of a driver circuit according to the invention with integrated current change control by means of zener diodes and
  • Figure 3 is a block diagram of a third embodiment of a driver circuit according to the invention with integrated current change control using a transistor.
  • An integrated driver circuit (also referred to as driver IC 1 or control IC) in each of the three exemplary embodiments shown in FIGS. 1 to 3 has a high-side driver branch (HS) or HS path and a low-voltage path. de driver branch (LS) or LS path.
  • a high-side power transistor 2 is controlled via the HS path and a low-side power transistor 3 is controlled via the LS path.
  • the HS path has at least one input HS, which is connected to a Schmitt trigger 4.
  • the output of the amplifier circuit 7 is connected to a control connection (here base or gate) of the power transistor 2.
  • the power transistor 2 is switched by the output current of the amplifier circuit 7 or is controlled accordingly depending on the output current / voltage.
  • DLY delay
  • the two power transistors 2, 3 are arranged in series with one another and have a center tap between them which serves as an output connection for an electrical load.
  • the inductances L ⁇ each connected to the emitter of the power transistors 2, 3 represent the line inductance of the leads, which can lead to undesired, high induced voltages, in particular during switching operations.
  • each branch HS and LS has a feedback path 10, 11 from the respective emitter (or source) of the power transistor 2 , 3 to the input of the respective amplifier circuit 7, 8.
  • the driver IC 1 each has a feedback input 12, 22.
  • Zener diodes 13, 14 are provided, each of which lies in the feedback paths 10, 11.
  • the Zener diodes 13, 14 can be arranged outside the driver IC 1.
  • the Zener diodes 13, 14 are integrated in the driver IC 1 in the feedback paths 10, 11, as shown in FIG. 2.
  • further components (not shown) can optionally be arranged outside the driver IC 1. Therefore, each feedback path 10, 11 outside the driver IC 1 is shown in dashed lines.
  • Zener diode instead of the two Zener diodes 13, 14, a Zener diode can also be used
  • a gate resistor 17 and a drain-gate resistor 18 are provided outside the driver IC 1.
  • MOS-FET MOS-FET
  • IGBTs IGBTs
  • bipolar transistors bipolar transistors
  • the di / dt control ie current change control, switching speed of the off - control current
  • a feedback input 12, 22 is provided in each case and the input of the output amplifier circuit 7, 8 of the driver IC 1 is also used for this purpose.

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  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

An integratable driver circuit (2) for driving a power semiconductor (2,3), comprising at least one internal amplifier circuit (7,8) whose output can be connected to an external power semiconductor (2, 3). In order to limit the switching speed of the output flow, a feedback input (12,22) which is connected to the input of the amplfier circuit (7,8) is provided, enabling the load voltage at the output of the power semiconductor (2,3) to be fed back to the input of the amplifier circuit (7,8). A signal limiting circuit (13, 14; 15, 16) is also provided in the feedback branch.(10, 11).

Description

Beschreibungdescription
Integrierbare Treiberschaltung zum Ansteuern eines LeistungshalbleitersIntegrable driver circuit for driving a power semiconductor
Die Erfindung betrifft eine integrierbare Treiberschaltung zum Ansteuern eines Leistungshalbleiters, wie zum Beispiel eines MOSFET-Leistungsbauelements .The invention relates to an integrable driver circuit for driving a power semiconductor, such as a MOSFET power component.
Bei der Ansteuerung von Leistungshalbleitern ist es erwünscht, dass die Schaltgeschwindigkeit des Laststromes oder AusgangsStromes begrenzt wird. Dazu ist es zumindest firmen- seitig bekannt, den Spannungsabfall zwischen Emitter und Hilfsemitter des Leistungshalbleiters auf den Steueranschluss (Gate) zurückzukoppeln. Werden integrierte Treiberschaltungen (Ansteuer-IC) verwendet, so kann nur zwischen dem Treiber-IC, dem Gatewiderstand und dem Gateanschluss zurückgekoppelt werden. Dies führt jedoch dazu, dass die Rückkopplung gegen die volle Treiberleistung arbeitet.When controlling power semiconductors, it is desirable that the switching speed of the load current or output current is limited. For this purpose, it is known at least by the company to feed back the voltage drop between emitter and auxiliary emitter of the power semiconductor to the control connection (gate). If integrated driver circuits (drive IC) are used, it can only be fed back between the driver IC, the gate resistor and the gate connection. However, this means that the feedback works against the full driver power.
Falls die rückgekoppelte Leistung nicht ausreicht, um das An- steuersignal wirksam zu überlagern, könnte ein Emitterfolger zwischen Treiberschaltung und Gatewiderstand geschaltet werden. Bei einer solchen Anordnung kann das rückgekoppelte Sig- nal (Strom/Spannung) zwischen Treiberschaltung und dem Emitterfolger (Verstärkerschaltung) eingespeist werden. An der dortigen Stelle ist die benötigte Leistung zur wirksamen Beeinflussung des Ansteuersignais wesentlich geringer. Ist jedoch eine solche Beschaltung mit einem Emitterfolger nicht möglich, so ist eine Beeinflussung der Stromänderungsgeschwindigkeit (di/dt oder auch als Stromsteilheit bezeichnet) nicht möglich.If the feedback power is not sufficient to effectively superimpose the control signal, an emitter follower could be connected between the driver circuit and the gate resistor. With such an arrangement, the feedback signal (current / voltage) can be fed between the driver circuit and the emitter follower (amplifier circuit). At this point, the power required to influence the control signal effectively is significantly lower. However, if such an arrangement with an emitter follower is not possible, it is not possible to influence the current change rate (di / dt or also referred to as current steepness).
Der Erfindung liegt das Problem zugrunde, eine integrierbare Treiberschaltung zum Ansteuern eines Leistungshalbleiters zu schaffen, mit der eine Kontrolle der Stromänderungsgeschwindigkeit ermöglicht wird. Diese Aufgabe wird durch eine integrierbare Treiberschaltung mit den Merkmalen von Patentanspruch 1 gelöst. Dabei weist die Treiberschaltung zumindest eine interne Verstärkerschaltung auf, deren Ausgang mit dem externen Leistungshalbleiter verbunden wird. Des Weiteren weist sie einen Rückkopplungs- eingang auf, der mit dem Eingang der Verstärkerschaltung verbunden ist, um eine Lastspannung am Ausgang des Leistungshalbleiters auf den Eingang der Verstärkerschaltung zurückzukoppeln.The invention is based on the problem of creating an integrable driver circuit for driving a power semiconductor, with which control of the current change rate is made possible. This object is achieved by an integrable driver circuit with the features of claim 1. The driver circuit has at least one internal amplifier circuit, the output of which is connected to the external power semiconductor. Furthermore, it has a feedback input which is connected to the input of the amplifier circuit in order to feed back a load voltage at the output of the power semiconductor to the input of the amplifier circuit.
Dies hat den Vorteil, dass eine einfache Strom-/Spannungsbe- grenzungsschaltung zur Kontrolle der Stromänderungsgeschwindigkeit entweder außerhalb oder innerhalb der integrierten Treiberschaltung zwischen dem Ausgang des Leistungshalblei- ters und dem Eingang der Verstärkerschaltung angeordnet sein kann.This has the advantage that a simple current / voltage limiting circuit for controlling the rate of current change can be arranged either outside or inside the integrated driver circuit between the output of the power semiconductor and the input of the amplifier circuit.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Unteransprüchen.Advantageous developments of the invention result from the subclaims.
So können zwei antiparallel in Reihe geschaltete Zenerdioden entweder außerhalb oder innerhalb der integrierten Treiberschaltung zwischen dem Ausgang des Leistungshalbleiters und dem Eingang der Verst rkerschaltung zur Kontrolle der Strom- änderungsgeschwindigkeit angeordnet sein. Statt der beidenFor example, two Zener diodes connected in antiparallel in series can be arranged either outside or inside the integrated driver circuit between the output of the power semiconductor and the input of the amplifier circuit to control the rate of current change. Instead of the two
Zenerdioden können auch eine Zenerdiode mit in Reihe geschaltetem Transistor, vorzugsweise einem MOS-FET, verwendet werden.Zener diodes can also be a Zener diode with a transistor connected in series, preferably a MOS-FET.
Die integrierte Treiberschaltung kann als Highside-Treiber und/oder als Lowside-Treiber ausgebildet sein, um jeweils einen Highside-Leistungshalbleiter und/oder einen Lowside- Leistungshalbleiter anzusteuern. Hierzu weist die Treiberschaltung zwei voneinander getrennte Steuerzweige auf, und zwar einen Highside-Treiber-Zweig und einen Lowside-Treiber- Zweig. Jeder Zweig weist vor seinem Ausgang jeweils eine Verstärkerschaltung auf. Ebenso ist für jeden Zweig je ein Rück- kopplungseingang vorgesehen, damit in jedem Zweig eine Kontrolle der Stromänderungsgeschwindigkeit stattfinden kann.The integrated driver circuit can be designed as a high-side driver and / or as a low-side driver, in order to drive a high-side power semiconductor and / or a low-side power semiconductor. For this purpose, the driver circuit has two control branches which are separate from one another, namely a high-side driver branch and a low-side driver branch. Each branch has an amplifier circuit in front of its output. There is also a return for each branch coupling input is provided so that the rate of current change can be checked in each branch.
Falls die integrierte Treiberschaltung sowohl einen Highside- Treiber-Zweig als auch einen Lowside-Treiber-Zweig aufweist, so ist es vorteilhaft, wenn in dem einen Zweig eine Potenzialtrennstufe vor dem Eingang der Verstärkerschaltung angeordnet ist, um eine Potenzialtrennung von dem anderen Zweig vorzunehmen, und in dem anderen Zweig eine Signalverzögerungs- stufe vor dem Eingang der Verstärkerschaltung angeordnet ist, damit die beiden Verstärkerschaltungen gleiche Laufzeiten aufweisen.If the integrated driver circuit has both a high-side driver branch and a low-side driver branch, it is advantageous if a potential separation stage is arranged in one branch before the input of the amplifier circuit in order to carry out a potential separation from the other branch. and in the other branch a signal delay stage is arranged in front of the input of the amplifier circuit so that the two amplifier circuits have the same transit times.
Mehrere Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im Folgen- den anhand der schematischen Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:Several exemplary embodiments of the invention are explained in more detail below with reference to the schematic drawings. Show it:
Figur 1 ein Blockschaltbild eines ersten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Treiberschaltung mit nicht integrierter Stromänderungskontrolle mittels Zenerdioden,FIG. 1 shows a block diagram of a first exemplary embodiment of a driver circuit according to the invention with non-integrated current change control using Zener diodes,
Figur 2 ein Blockschaltbild eines zweiten Ausführungsbei- spiels einer erfindungsgemäßen Treiberschaltung mit integrierter Stromänderungskontrolle mittels Zener- dioden undFIG. 2 shows a block diagram of a second exemplary embodiment of a driver circuit according to the invention with integrated current change control by means of zener diodes and
Figur 3 ein Blockschaltbild eines dritten Ausführungsbeispiels einer erfindungsgemäßen Treiberschaltung mit integrierter Stromänderungskontrolle mittels Transistor.Figure 3 is a block diagram of a third embodiment of a driver circuit according to the invention with integrated current change control using a transistor.
In den Figuren 1 bis 3 tragen funktioneil gleichwertige Teile dieselben Bezugszeichen.In Figures 1 to 3 functionally equivalent parts have the same reference numerals.
Ein integrierte Treiberschaltung (auch als Treiber-IC 1 oder Ansteuer-IC bezeichnet) weist bei allen drei in den Figuren 1 bis 3 dargestellten Ausführungsbeispielen jeweils einen Highside-Treiber-Zweig (HS) oder HS-Pfad und jeweils einen Lowsi- de-Treiber-Zweig (LS) oder LS-Pfad auf. Über den HS-Pfad wird ein Highside-Leistungstransistor 2 und über den LS-Pfad wird ein Lowside-Leistungstransistor 3 gesteuert. Der HS-Pfad weist zumindest einen Eingang HS auf, der mit einem Schmitt- Trigger 4 verbunden ist. Der Ausgang des Schmitt-Triggers 4 ist mit einer Potenzialtrennstufe 6 (ISO = Isolation oder auch als level shift stage bezeichnet) verbunden, deren Ausgang vor einer Verst rkerschaltung 7 angeordnet ist. Der Ausgang der Verstarkerschaltung 7 ist mit einem Steueranschluss (hier Basis oder Gate) des Leistungstransistors 2 verbunden. Durch den Ausgangsstrom der Verstärkerschaltung 7 wird der Leistungstransistör 2 geschaltet oder abhängig von Ausgangs- ström/-Spannung entsprechend gesteuert.An integrated driver circuit (also referred to as driver IC 1 or control IC) in each of the three exemplary embodiments shown in FIGS. 1 to 3 has a high-side driver branch (HS) or HS path and a low-voltage path. de driver branch (LS) or LS path. A high-side power transistor 2 is controlled via the HS path and a low-side power transistor 3 is controlled via the LS path. The HS path has at least one input HS, which is connected to a Schmitt trigger 4. The output of the Schmitt trigger 4 is connected to a potential isolation stage 6 (ISO = isolation or also referred to as a level shift stage), the output of which is arranged in front of an amplifier circuit 7. The output of the amplifier circuit 7 is connected to a control connection (here base or gate) of the power transistor 2. The power transistor 2 is switched by the output current of the amplifier circuit 7 or is controlled accordingly depending on the output current / voltage.
Der LS-Pfad weist einen Eingang LS auf, der ebenfalls mit einem Schmitt-Trigger 5 verbunden ist. In dem LS-Pfad ist statt der Potenzialtrennstufe 6 ein Verzögerungsglied 9 (DLY = De- lay) angeordnet, das dafür sorgt, dass die Signallaufzeiten zu den beiden Leistungstransistoren 2, 3 gleich ist. Am Aus- gang des LS-Pfads ist ebenfalls eine Verstärkerschaltung 8 angeordnet, die den Leistungstransistor 3 unmittelbar ansteuert .The LS path has an input LS, which is also connected to a Schmitt trigger 5. Instead of the potential isolation stage 6, a delay element 9 (DLY = delay) is arranged in the LS path, which ensures that the signal propagation times to the two power transistors 2, 3 are the same. An amplifier circuit 8, which drives the power transistor 3 directly, is likewise arranged at the output of the LS path.
Die beiden Leistungstransistoren 2, 3 sind in Reihe zueinan- der angeordnet und weisen einen Mittelabgriff dazwischen auf, der als Ausganganschluss für eine elektrischen Last dient. Die jeweils mit dem Emitter der Leistungstransistoren 2, 3 verbundenen Induktivitäten Lσ stellen die Leitungsinduktivität der Zuleitungen dar, die insbesondere bei Schaltvorgängen zu unerwünschten, hohen induzierten Spannungen führen können.The two power transistors 2, 3 are arranged in series with one another and have a center tap between them which serves as an output connection for an electrical load. The inductances L σ each connected to the emitter of the power transistors 2, 3 represent the line inductance of the leads, which can lead to undesired, high induced voltages, in particular during switching operations.
Damit die Schaltgeschwindigkeit des Ausgangsstromes kontrolliert (hier begrenzt) werden kann (dies wird auch als di/dt- Kontrolle oder Stromänderungskontrolle bezeichnet) , weist je- der Zweig HS und LS einen Rückkoppelpfad 10, 11 vom jeweiligen Emitter (oder Source) des Leistungstransistors 2, 3 auf den Eingang der jeweiligen Verstärkerschaltung 7, 8 auf. Hierzu weist der Treiber-IC 1 jeweils einen Rückkoppeleingang 12, 22 auf.So that the switching speed of the output current can be controlled (limited here) (this is also referred to as di / dt control or current change control), each branch HS and LS has a feedback path 10, 11 from the respective emitter (or source) of the power transistor 2 , 3 to the input of the respective amplifier circuit 7, 8. For this purpose, the driver IC 1 each has a feedback input 12, 22.
Zur Signalbegrenzung (Strom-/Spannungsbegrenzung) sind zwei antiparallel und in Reihe geschaltete Zenerdioden 13 , 14 vorgesehen, die jeweils in den Rückkoppelpfaden 10, 11 liegen.For signal limitation (current / voltage limitation), two anti-parallel and series-connected Zener diodes 13, 14 are provided, each of which lies in the feedback paths 10, 11.
Gemäß Figur 1 können die Zenerdioden 13 , 14 außerhalb des Treiber-ICs 1 angeordnet sein. Die gleiche Wirkung wird er- zielt, wenn die Zenerdioden 13, 14 in den Treiber-IC 1 integriert in den Rückkoppelpfaden 10, 11 angeordnet sind, wie es in Figur 2 dargestellt ist. In den Rückkoppelpfaden 10, 11 können außerhalb des Treiber-ICs 1 gegebenenfalls noch weitere, nicht dargestellte Bauelemente angeordnet sein. Daher ist jeder Rückkoppelpfad 10, 11 außerhalb des Treiber-ICs 1 gestrichelt dargestellt.According to FIG. 1, the Zener diodes 13, 14 can be arranged outside the driver IC 1. The same effect is achieved if the Zener diodes 13, 14 are integrated in the driver IC 1 in the feedback paths 10, 11, as shown in FIG. 2. In the feedback paths 10, 11, further components (not shown) can optionally be arranged outside the driver IC 1. Therefore, each feedback path 10, 11 outside the driver IC 1 is shown in dashed lines.
Statt der beiden Zenerdioden 13 , 14 kann auch eine ZenerdiodeInstead of the two Zener diodes 13, 14, a Zener diode can also be used
15 in Reihe mit einem MOS-FET 16 wie in Figur 3 dargestellt in den Treiber-IC 1 und in den jeweiligen Rückkoppelpfad 10,15 in series with a MOS-FET 16 as shown in FIG. 3 in the driver IC 1 and in the respective feedback path 10,
11 integriert sein. Als Eingangsbeschaltung für den MOS-FET11 be integrated. As an input circuit for the MOS-FET
16 ist bei dem Ausführungsbeispiel jeweils ein Gate- Widerstand 17 und ein Drain-Gate-Widerstand 18 außerhalb des Treiber-ICs 1 vorgesehen.In the exemplary embodiment 16, a gate resistor 17 and a drain-gate resistor 18 are provided outside the driver IC 1.
Bei der Erfindung können nicht nur MOS-Bauelemente verwendet werden, sondern auch alle funktioneil gleichwertigen Bauelemente wie MOS-FET, IGBTs, Bipolartransistoren usw. Für alle Bauelemente ist jedoch gleich, dass die di/dt-Kontrolle (d.h. Stromänderungskontrolle, um Schaltgeschwindigkeit des Aus- gangsstromes zu kontrollieren) vollständig oder Teile der di/dt-Kontrolle in den Treiber-IC 1 integriert sind. Hierzu ist jeweils ein Rückkopplungseingang 12, 22 vorgesehen und es wird der Eingang der Ausgangsverstärkerschaltung 7, 8 des Treiber-ICs 1 dazu mitbenutzt. Bezugs zeichenIn the invention, not only MOS components can be used, but also all functionally equivalent components such as MOS-FET, IGBTs, bipolar transistors, etc. However, for all components it is the same that the di / dt control (ie current change control, switching speed of the off - control current)) or parts of the di / dt control are integrated in the driver IC 1. For this purpose, a feedback input 12, 22 is provided in each case and the input of the output amplifier circuit 7, 8 of the driver IC 1 is also used for this purpose. Reference sign
1 Treiber-IC1 driver IC
2, 3 Leistungstransistor2, 3 power transistor
4, 5 Schmitt-Trigger4, 5 Schmitt triggers
6 Potenzialtrennstufe6 electrical isolation level
7, 8 Verstärkerschaltung7, 8 amplifier circuit
9 Verzögerungsstufe9 delay stage
10, 11 Rückkoppelzweig10, 11 feedback branch
12, 22 Rückkoppeleingang12, 22 feedback input
13, 14, 15 Zenerdiode13, 14, 15 zener diode
16 MOS-FET16 MOS-FET
17 Gatewiderstand17 gate resistance
18 Drain-Gate-Widerstand18 drain-gate resistor
HS HighsideHS Highside
Lσ Leitungsinduktiv!tatL σ line induction! Tat
LS Lowside LS Lowside

Claims

Patentansprüche claims
1. Integrierbare Treiberschaltung zum Ansteuern eines Leistungshalbleiters (2, 3) mit zumindest einer Verstärkerschal- tung (7, 8), deren Ausgang mit dem Leistungshalbleiter (2, 3) verbindbar ist und mit einem Rückkopplungseingang (12, 22), der über einen Rückkopplungspfad (10, 11) mit dem Eingang der Verstärkerschaltung (7, 8) verbunden ist.1. Integrable driver circuit for driving a power semiconductor (2, 3) with at least one amplifier circuit (7, 8), the output of which can be connected to the power semiconductor (2, 3) and with a feedback input (12, 22) which is connected via a Feedback path (10, 11) is connected to the input of the amplifier circuit (7, 8).
2. Integrierbare Treiberschaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Rückkopplungspfad (10, 11) eine Signalbegrenzungsschaltung (13, 14; 15, 16) angeordnet ist.2. Integrable driver circuit according to claim 1, characterized in that a signal limiting circuit (13, 14; 15, 16) is arranged in the feedback path (10, 11).
3. Integrierbare Treiberschaltung nach Anspruch 1 oder 2, da- durch gekennzeichnet, dass zwischen dem Rückkopplungseingang (12, 22) und dem Eingang der Verstärkerschaltung (7, 8) zwei antiparallel in Reihe geschaltete Zenerdioden (13, 14) als Signalbegrenzungsschaltung angeordnet sind.3. Integrable driver circuit according to claim 1 or 2, characterized in that between the feedback input (12, 22) and the input of the amplifier circuit (7, 8) two Zener diodes (13, 14) connected in antiparallel in series are arranged as a signal limiting circuit.
4. Integrierbare Treiberschaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen dem Rückkopplungseingang (12, 22) und dem Eingang der Verstärkerschaltung (7, 8) ein Transistor (16) und in Reihe dazu eine Zenerdiode (15) als Signalbegrenzungsschaltung geschaltet sind.4. Integrable driver circuit according to claim 1 or 2, characterized in that between the feedback input (12, 22) and the input of the amplifier circuit (7, 8) a transistor (16) and in series with it a zener diode (15) are connected as a signal limiting circuit ,
5. Integrierbare Treiberschaltung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass sie einen Highside-Treiber-Zweig (HS) und einen Lowside-Treiber-Zweig (LS) aufweist, die jeder für sich jeweils eine Verstärkerschaltung (7, 8) und jeweils einen Rückkopplungseingang (12, 22) aufweisen.5. Integrable driver circuit according to one of the preceding claims, characterized in that it has a high-side driver branch (HS) and a low-side driver branch (LS), each of which has an amplifier circuit (7, 8) and each have a feedback input (12, 22).
6. Integrierbare Treiberschaltung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass in dem Highside-Treiber-Zweig (HS) eine Potenzialtrennstufe (6) vor dem Eingang der Highside-Treiber- Verstärkerschaltung (7) ist. 6. Integrable driver circuit according to claim 5, characterized in that in the high-side driver branch (HS) is a potential isolation stage (6) before the input of the high-side driver amplifier circuit (7).
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