WO2002042203A1 - Procede de preparation d'une particule ultra fine de chalcogenure metallique - Google Patents

Procede de preparation d'une particule ultra fine de chalcogenure metallique Download PDF

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chalcogen
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metal chalcogenide
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Akito Ishida
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Japan Science And Technology Corporation
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Definitions

  • the present invention relates to a method for producing ultrafine metal chalcogenide particles that emit light of a specific wavelength according to the particle diameter with a high degree of freedom in terms of position and size.
  • Ultra-fine metal chalcogenide particles used for this type of application are chemically synthesized in large quantities, and are formed into devices as thin films fixed on the substrate surface by vapor deposition or various binders.
  • Ultrafine metal chalcogenide particles exhibiting semiconductor properties have a band gap specific to the particle size corresponding to wavelengths in the ultraviolet to visible region.
  • a light-emitting / light-emitting device capable of selecting light-receiving and light-emitting wavelengths in a specific wavelength region.
  • cadmium selenide one of the metal chalcogenide semiconductors, emits three colors of blue, green, and red depending on the particle size.
  • ultrafine metal chalcogenide particles obtained by conventional chemical synthesis have a disadvantage that the band gap is greatly extended to the visible light region because the particle size distribution is wide. Specifically, cadmium selenide emits white light as a result of a mixture of blue, green, and red.
  • the present invention has been devised to meet such a demand, and utilizes the chemical reaction that occurs when a metal and a chalcogen thin film are brought into physical contact with each other in an extremely small area of a nanometer size to provide a position and a position. It is an object of the present invention to obtain metal chalcogenide ultrafine particles whose particle size is selected with high precision and high degree of freedom, and which is suitable for a light emitting device, a light receiving device and the like.
  • the method for producing ultrafine metal chalcogenide particles of the present invention comprises, after providing a chalcogen thin film on the sharpened tip of a glass fiber, bringing the sharpened tip into physical contact with a metal to sharpen the glass fiber.
  • Ultra-fine particles of metal chalcogenide are generated by mutual diffusion reaction between chalcogen and metal at the tip.
  • the chalcogen film may be provided directly on the sharpened tip of the glass fiber or on the sharpened tip pretreated with a silane coupling agent.
  • the ultrafine metal chalcogenide generated by the mutual diffusion reaction between the chalcogen and the metal migrates from the glass fiber onto the metal surface.
  • ultrafine metal chalcogenide particles are fixed to the sharp tip of the glass fiber.
  • Fig. 1 is a diagram showing the process of preparing ultrafine metal chalcogenide particles according to the present invention.
  • Fig. 2 is an explanatory diagram of a method of immobilizing the generated ultrafine metal chalcogenide particles on a glass substrate.
  • 1 is a graph showing the luminescence spectrum of the ultrafine fine particles of selenized force.
  • Chalcogens include Se, Te, and S
  • metals include Cd and Zn.
  • a metal chalcogenide generation reaction field is specified in a target portion and in a very small region almost similar to the ultrafine particle size, and chalcogen and metal are brought into physical contact in the very small region. ing.
  • This makes it possible to produce a single or extremely small number of metal chalcogenide ultrafine particles with a high degree of freedom in selecting the position and the particle size.
  • a near-field scanning optical microscope using a sharpened glass fiber as the tip of a scanning probe microscope is used, a single or a very small number of metallic force lucogenide ultrafine particles are fixed at the tip of the tip, so high accuracy is achieved.
  • Each required Seed spectroscopy ⁇ An element applicable to measurement is obtained.
  • the tip of the glass fiber 1 is sharpened by chemical etching, and a thin film 3 is formed on the surface of the sharpened tip 2 by coating several to several tens of nm with chalcogen. Used as a tip for scanning probe microscope.
  • the chalcogen thin film 3 is provided directly on the glass fiber 1, the strength and adhesion of the thin film 3 are weak because the affinity of chalcogen for glass is very low. During the reaction, there is a possibility that the glass fiber is peeled off from the glass fiber.
  • silane coupling agent such as mercaptopropyltriethoxysilane, which has a very strong affinity for chalcogen (( Figure 1A).
  • silane coupling agent various silane compounds can be used as long as they have a mercapto group at a terminal or a side chain.
  • a silane adsorption film 4 is formed on the sharpened tip 2 of the glass fiber 1 pretreated with a silane coupling agent.
  • a silane coupling agent When the surface of the sharpened tip 2 of the glass fiber 1 having the silane adsorption film 4 is brought into contact with chalcogen, the chalcogen and the glass are directly connected by a chemical bond, and a very strong chalcogen thin film 3 is formed.
  • a typical example of the formation of the chalcogen thin film 3 is a solution immersion method. However, as long as a thin film of several to several tens of nm can be formed, a vacuum evaporation method, a sputtering method, or the like can be used.
  • a solution in which chalcogen is saturated in carbon disulfide, which has a high solubility for chalcogen is prepared in advance, and the sharpened tip 2 of the glass fiber 1 is immersed in the chalcogen saturated solution.
  • the carbon disulfide is gradually volatilized to form a chalcogen thin film 3 on the surface of the sharpened tip 2. Since the chalcogen thin film 3 is easily oxidized, All operations are performed in a nitrogen atmosphere.
  • the chip coated with the chalcogen film 3 is mounted on a scanning probe microscope.
  • the tip is gradually approached to the surface of metal 5 while feeding back with atomic force or shear force, and the tip is fixed when it comes into contact. If the tip is kept in contact for several minutes to several hours, a chemical reaction is induced between the chalcogen and the metal.
  • the contact area between the chalcogen thin film 3 and the metal 5 is only a few to several hundreds of nm 2 . Therefore, a single or several to several tens of ultrafine metal chalcogenide particles having a diameter of several to several tens nm are produced in a contact region having an extremely small area.
  • the use of a glass fiber 1 whose tip 2 is sharpened to a radius of curvature of about several nm enables the generation of single fine particles.
  • a normal optical precision horizontal stage or the like can be used instead of the atomic force microscope.
  • the chemical reaction that produces metal chalcogenides is a reaction induced by the interdiffusion of chalcogen and metal. Therefore, the particle size of the metal chalcogenide ultrafine particles 6 can be controlled by the duration of the contact state in addition to the radius of curvature of the glass fiber tip 2. Specifically, when the glass fiber 1 is separated from the metal 5 before the completion of the chemical reaction in the contact region, the metal chalcogenide ultrafine particles 6 having a smaller particle size are generated. In this case, unreacted chalcogen present around the metal chalcogenide can be easily washed and removed because it is oxidized by oxygen in the air to form chalcogenic acid.
  • Ultrafine metal chalcogenide fixed to sharpened tip 2 of glass fiber 1 The element 6 emits light of a specific wavelength when irradiated with near ultraviolet light from inside or outside the glass fiber 1. Therefore, it can be used as a chip for a near-field scanning optical microscope, or can be used as a microsensor if its surface is further modified with various ions or substance-responsive films.
  • a glass fiber with a chalcogen thin film 3 formed without pretreatment of the sharpened tip 2 with a silane coupling agent is also used to generate ultrafine metal chalcogenide particles 6 (Fig. 1B).
  • the sharpened tip 2 of the glass fiber 1 is similarly brought into contact with the metal 5 to generate a metal chalcogenide, the lattice constant of the generated metal chalcogenide is significantly different from the force lucogen and the affinity between the glass and the chalcogen
  • the metal chalcogenide ultrafine particles 6 are separated from the sharp tip 2 and remain on the surface of the metal 5.
  • the metal 5 to be brought into contact with the sharpened tip 2 of the glass fiber 1 provided with the chalcogen thin film 3 is not limited to bulk metal, but may be a substrate made of gold, silver, copper, aluminum, silicon, etc.
  • a Zn or Cd thin film or a dot having a size of several to several tens nm on an optical waveguide formed on a circuit or a glass substrate formed thereon may be used.
  • ultrafine particles are formed at specific positions in circuits, waveguides, microfluidic channels, etc. It can be used as an EL device for clinical use, a microsensor for clinical analysis, etc.
  • the sharpened glass fiber 1 is not necessarily required, and a normal tip for an atomic force microscope having a thin tip can be used.
  • the term “sharpening” is used to include the latter.
  • Metals such as Cd and Zn that react with chalcogen are deposited on the tip of the chip, By reacting with a chalcogen thin film provided on a glass surface treated with a coupling agent, metal chalcogenide fine particles can also be generated and fixed on the glass surface.
  • a glass substrate 7 is treated with a silane coupling agent such as mercaptopropyltrimethoxysilane, and a thin lucogen thin film 3 is formed via a silane adsorption film 4.
  • Cd or Zri is deposited on the tip surface of the atomic force microscope chip 8 to provide a metal thin film 9.
  • the metal chalcogenide ultrafine particles 6 are generated by bringing the metal thin film 9 into contact with the chalcogen thin film 3 while controlling the contact pressure with an atomic force microscope.
  • the particle size of the metal chalcogenide ultrafine particles 6 is controlled by the reaction time.
  • the generated metal chalcogenide ultrafine particles 6 are separated from the metal thin film 9 and fixed to the chalcogen thin film 3.
  • a single mode optical fiber with a diameter of 125 ⁇ and a cutoff frequency of 488mn was etched with hydrogen fluoride to sharpen the tip of the optical fiber. Etching was based on a protection layer method using toluene. Observation of the etched optical fiber tip showed that the tip angle was 30 degrees and the radius of curvature was 200 nm.
  • Amorphous selenium having a particle size of several mm was added to carbon disulfide and stirred vigorously with a magnetic stirrer to prepare a selenium-saturated solution.
  • the carbon disulfide solution in the immersed portion was evaporated under a nitrogen atmosphere for 12 hours. Observation of the tip of the optical fiber after the evaporation showed that a red selenium thin film was formed on the tip surface.
  • the tip of an optical fiber on which a selenium thin film was deposited was brought into contact with the surface of cadmium in a nitrogen atmosphere.
  • a solid-phase reaction between selenium and cadmium is induced, and Generated and fixed lentiable dome particles.
  • the tip of the optical fiber with the fixed selenide force dome was fixed on the stage of a fluorescence microscope, and the emission of cadmium selenide ultrafine particles was observed using a liquid nitrogen-cooled CCD spectrometer while exciting with a 337 nm wavelength nitrogen laser. .
  • the emission spectrum is limited to the green region of the visible light, and the power and the wavelength width are narrow. From this emission spectrum, it can be seen that the formed ultrafine particles have a very uniform particle size, and are ultrafine particles close to monodisperse.
  • a chalcogen fixed to the tip of the sharpened glass fiber by contacting the chalcogen to metal contact between the chalcogen and the metal in several to several hundreds nm 2 region Is possible. Therefore, the particle size of the ultrafine metal chalcogenide particles generated by the interdiffusion reaction between the chalcogen and the metal can be controlled, and the generation position of the ultrafine metal chalcogenide particles can be controlled.
  • the metal chalcogenide ultrafine particles immobilized in this way have an extremely narrow particle size distribution and exhibit emission characteristics according to the particle size.

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Description

明 細 書
金属カルコゲナイド超微粒子の作製方法 技術分野
本発明は、 粒径に応じた特定波長の発光を呈する金属カルコゲナイド超微粒子 を位置及びサイズに関し高い選択自由度で作製する方法に関する。 背景技術
Cd, Zn等の金属と S, Se, Te等のカルコゲン元素との化合物である金属力 ルコゲナイドの超微粒子は、 半導体特性を呈しバンドギヤップが可視光領域にあ ることから、 受光素子や発光素子としての研究'開発が活発に進められている。 この種の用途に使用される金属カルコゲナイド超微粒子は、 大量に化学合成され、 蒸着や各種バインダで基板表面に固定化された薄膜として素子化される。
半導体特性を呈する金属カルコゲナイド超微粒子は、 紫外〜可視領域の波長に 対応した粒子サイズに固有のバンドギャップをもつ。 この点、 粒子サイズを厳密 に制御することにより、 特定の波長領域に受光及び発光波長を選択できる受光' 発光素子が得られる。 たとえば、 金属カルコゲナイド半導体の一つであるカドミ ゥムセレナイドでは、 粒子サイズに応じて青, 緑, 赤の 3色を発光する素子とな る。
しかし、 従来の化学合成で得られる金属カルコゲナイド超微粒子は、 粒子サイ ズの分布が広範囲にわたっているため、 バンドギャップが可視光領域に大きく広 がってしまう欠点がある。 具体的には、 カドミウムセレナイドでは、 青, 緑, 赤 が混合した結果として白色発光を示す。
すなわち、 従来の化学合成法では、 広い粒径分布をもつ半導体微粒子が数千個 以上集合した凝集体としての特性が得られるに過ぎない。 他方、 最近の半導体素 子や光学素子にあっては、 数十〜数ナノメータオーダ一の微小化が要求されるよ うになつてきている。 粒径分布が広い半導体超微粒子の集合体は、 かかる要求に 応える材料として適しておらず、 いわゆる量子ドットとしての機能をもつ微粒子 が望まれている。 そのためには、 単一又は極少数個の金属カルコゲナイド超微粒 子を要求箇所において要求サイズで作製し且つ固定化できるように、 位置及び粒 径が選択可能な金属カルコゲナイド超微粒子の作製 ·固定化技術が必要となる。 発明の開示
本発明は、 このような要求に応えるべく案出されたものであり、 ナノメータサ ィズの極微小領域で金属とカルコゲン薄膜とを物理接触させたときに生じる化学 反応を利用することにより、 位置及び粒径が高精度且つ高自由度で選択され、 発 光素子, 受光素子等として好適な金属カルコゲナイド超微粒子を得ることを目的 とする。
本発明の金属カルコゲナイド超微粒子作製方法は、 その目的を達成するため、 ガラスファイバの先鋭ィ匕した先端にカルコゲン薄膜を設けた後、 先鋭化先端を金 属と物理接触させ、 ガラスフアイバの先鋭化先端にカルコゲンと金属との相互拡 散反応により金属カルコゲナイド超微粒子を生成させることを特徴とする。 カルコゲン薄膜は、 ガラスファイバの先鋭化先端に直接、 又はシランカツプリ ング剤で前処理された先鋭化先端に設けることができる。 カルコゲン薄膜を先鋭 化先端に直接設けたガラスファイバを使用する場合、 カルコゲンと金属との相互 拡散反応で生成した金属カルコゲナイド超微粒子は、 ガラスファイバから金属面 上に移行する。 シランカツプリング処理後にカルコゲン薄膜を設けたガラスファ ィバでは、 ガラスファイバの先鋭ィヒ先端に金属カルコゲナイド超微粒子が固定さ れる。
ガラス表面に金属カルコゲナイド微粒子を固定することも可能である。 こめ場 合、 カルコゲンと反応する金属を原子間力顕微鏡チップの先端表面に蒸着し、 予 めシランカツプリング剤で処理したガラス表面にカルコゲン薄膜を形成し、 原子 間力顕微鏡チップの先端をカルコゲン薄膜に物理的に接触させて金属とカルコゲ ンとの相互拡散反応を誘起させ、 生成した金属カルコゲナイド微粒子をガラス表 面に固定する。 この方法は、 例えば光集積回路上で超微粒子を作製固定すること に有効である。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明に従って金属カルコゲナイド超微粒子を作製する工程を示す図 図 2は、 生成した金属カルコゲナイド超微粒子をガラス基板に固定化する方法 の説明図 ― 図 3は、 光ファイバ先端に固定されたセレン化力ドミゥム超微粒子の発光スぺ クトルを示すグラフ 発明を実施するための最良の形態
カルコゲンと金属とを物理的に接触させると相互拡散反応が生じ、 化合物であ る金属カルコゲナイドが生成する。 カルコゲンには Se, Te, S等があり、 金属 には Cd, Zn等がある。
本発明では、 走査プローブ顕微鏡を用いて、 目的とする箇所及び超微粒子サイ ズとほぼ同様な極微小領域に金属カルコゲナイド生成反応場を特定し、 該極微小 領域でカルコゲンと金属とを物理接触させている。 これにより、 位置及び粒径に 関して高い選択自由度で単一又は極少数個の金属カルコゲナイド超微粒子の作製 が可能となる。 なかでも、 走査プローブ顕微鏡のチップとして先鋭化したガラス ファイバを用いた近接場走査光学顕微鏡によるとき、 単一又は極少数個の金属力 ルコゲナイド超微粒子がチップ先端に固定化されるため、 高精度が要求される各 種分光測定 ·計測に応用可能な素子が得られる。
本発明では、 たとえば図 1A, 1B に示すようにガラスファイバ 1の先端を化 学エッチングで先鋭化し、 先鋭化先端 2 の表面にカルコゲンで数〜数十 nm コ 一ティングして薄膜 3を形成し、 走査プローブ顕微鏡のチップとして使用する。 ガラスファイバ 1上にカルコゲン薄膜 3 を直接設けたのでは、 ガラスに対す るカルコゲンの親和性が非常に低いため薄膜 3 の強度及び密着性が弱く、 カル コゲン薄膜 3 を金属と反応させる前に或いは反応中にガラスファイバから剥離 してしまう虞がある。
強固な薄膜 3が必要な場合、 カルコゲンに対して非常に強い親和性を示すメ ルカプトプロピルトリエトキシシラン等のシランカツプリング剤で先鋭化先端 2 の表面を予め処理しておくことが好ましい (図 1A)。 シランカップリング剤と しては、 末端又は側鎖にメルカブト基をもつ限り種々のシラン化合物が使用可能 である。
シランカツプリング剤で前処理されたガラスファイバ 1の先鋭化先端 2には、 シラン吸着膜 4が形成される。 シラン吸着膜 4のあるガラスファイバ 1の先鋭 化先端 2 の表面をカルコゲンと接触させると、 カルコゲンとガラスの間が化学 結合で直接連結され、 非常に強固なカルコゲン薄膜 3 が形成される。 カルコゲ ン薄膜 3 の形成には、 代表的なものとして溶液浸漬法があるが、 数〜数十 nm の薄膜を形成可能である限り、 真空蒸着法, スパッタリング法等も採用可能であ る。
溶液浸漬法では、 カルコゲンに対する溶解能が大きな二硫化炭素に予めカルコ ゲンを飽和させた溶液を調製し、 カルコゲン飽和溶液にガラスファイバ 1 の先 鋭化先端 2 を浸漬する。 カルコゲン飽和溶液からガラスファイバ 1 を引き上げ た後、 徐々に二硫化炭素を揮発させることにより、 先鋭化先端 2 の表面にカル コゲン薄膜 3が形成される。 なお、 カルコゲン薄膜 3は容易に酸化されるため、 全ての操作は窒素雰囲気中で行われる。
カルコゲン薄膜 3 でコーティングされたチップは、 走査プローブ顕微鏡に装 着される。 原子間力又は剪断力でフィードバックしながら金属 5 の表面にチッ プを徐々に接近させ、 接触したところでチップを固定する。 チップの接触状態を 数分〜数時間継続させると、 カルコゲンと金属との間に化学反応が誘起される。 このとき、 化学エッチングでガラスファイバ 1の先端 2が数〜数十 nmの曲率 半径に先鋭化されていると、 カルコゲン薄膜 3 と金属 5が接触する面積は僅か 数〜数百 nm2となる。 したがって、 極めて小さな面積の接触領域において直径 数〜数十 nm の単一又は数個〜数十個の金属カルコゲナイド超微粒子 6 ·が作製 される。
先端 2が数 nm程度の曲率半径に先鋭ィヒされたガラスファイバ 1を使用する と、 単一微粒子の生成も可能である。 この場合、 ガラスファイバ 1の先鋭先端 2 を高精度で金属 5 に接触させる必要があることから、 原子間力顕微鏡を用いて ガラスファイバ 1 を位置制御することが好ましい。 他方、 数個〜数十個の微粒 子集合体を作製する場合、 原子間力顕微鏡に代えて通常の光学用精密水平ステー ジ等も使用できる。
金属カルコゲナイドを生成する化学反応は、 カルコゲンと金属との相互拡散に よって誘起される反応である。 そのため、 ガラスファイバ先端 2 の曲率半径に 加え接触状態の継続時間によっても金属カルコゲナイド超微粒子 6 の粒径を制 御できる。 具体的には、 接触領域における化学反応の完結に先立って金属 5 か らガラスファイバ 1 を引き離すと、 より粒径の小さな金属カルコゲナイド超微 粒子 6が生成する。 この場合、 金属カルコゲナイドの周囲に存在する未反応の カルコゲンは、 空気中の酸素で酸化されてカルコゲン酸となるため、 容易に洗浄 除去できる。
ガラスファイバ 1の先鋭化先端 2 に固定化された金属カルコゲナイド超微粒 子 6は、 ガラスファイバ 1 内又は外部から近紫外光で照射すると特定波長の発 光を示す。 そのため、 近接場走査光学顕微鏡のチップとして利用可能であり、 或 いは更に表面を各種のイオンや物質応答性膜等で修飾するとマイクロセンサとし ても利用可能である。
先鋭化先端 2をシランカップリング剤で前処理することなくカルコゲン薄膜 3 を形成させたガラスファイバも、 金属カルコゲナイド超微粒子 6 の生成に使用 される (図 1B)。 この場合、 ガラスファイバ 1の先鋭化先端 2 を同様にして金 属 5 に接触させて金属カルコゲナイドを生成すると、 生成した金属カルコゲナ イドの格子定数が力ルコゲンと大きく異なり且つガラスとカルコゲンとの親和性 が低いため、 金属 5の表面からガラスファイバ 1 を引き離す際に先鋭ィヒ先端 2 から金属カルコゲナイド超微粒子 6が剥離して金属 5の表面に残留する。 この 操作により、 望む粒径の単一又は数個〜数十個の金属カルコゲナイド超微粒子 6 を選択的に金属 5の望む表面位置で作製できる。
カルコゲン薄膜 3を設けたガラスファイバ 1の先鋭化先端 2を接触させる金 属 5 としては、 バルク金属に限らず、 予め作製しておいた金, 銀, 銅, アルミ 二ゥム, シリコン等の基板上に作製した回路やガラス基板上に形成した光導波路 上の Zn又は Cd薄膜や数〜数十 nmサイズのドットでも良い。
薄膜やドットにカルコゲンを接触させることにより、 回路, 導波路, 微小液体 流路等の特定位置に単一又は数個〜数十個の金属カルコゲナイド超微粒子が形成 され、 通信用光集積回路, ディスプレー用 EL素子, 臨床分析用マイクロセンサ 等としての利用が図られる。 この場合、 先鋭化したガラスファイバ 1 は必ずし も必要ではなく、 先端が細くなつた通常の原子間力顕微鏡用チップも使用可能で ある。 本件明細書においては、 後者を包含する意味で 「先鋭化」 の用語を使用し ている。
カルコゲンと反応する Cd, Zn等の金属をチップ先端に蒸着し、 シランカツ プリング剤で処理されたガラス表面に設けられているカルコゲン薄膜と反応させ ることによつても、 金属カルコゲナイド微粒子をガラス表面上で生成し固定する こともできる。
具体的には、 図 2 に示すように、 ガラス基板 7 をメルカプトプロピルトリメ トキシシラン等のシランカップリング剤で処理し、 シラン吸着膜 4 を介して力 ルコゲン薄膜 3を形成する。 他方、 原子間力顕微鏡チップ 8の先端表面に Cd又 は Zriを蒸着し、 金属薄膜 9を設ける。 そして、 原子間力顕微鏡で接触圧を制御 しながらカルコゲン薄膜 3 に金属薄膜 9 を接触させることにより、 金属カルコ ゲナイド超微粒子 6 を生成する。 金属カルコゲナイド超微粒子 6の粒径は、 反 応時間によって制御される。 生成した金属カルコゲナイド超微粒子 6 は、 金属 薄膜 9から分離しカルコゲン薄膜 3に固定される。
次いで、 図面を参照しながら、 実施例によって本発明を具体的に説明する。 直径 125μπι, カットオフ周波数 488mn のシングルモード光ファイバをフッ 化水素でエッチングし、 光ファイバの先端を先鋭化した。 エッチングは、 トルェ ンを用いたプロテクシヨンレイヤー法に依つた。 ェツチングされた光ファィバ先 端を観察したところ、 先端角度が 30度, 曲率半径が 200nmであった。
粒径が数 mm の無定形セレンを二硫化炭素に添加し、 磁気攪拌機で激しく攪 拌することにより、 セレン飽和溶液を調製した。 シランカップリング剤で前処理 した光ファイバの先端をセレン飽和溶液に浸潰した後、 窒素雰囲気下で 12時間 かけて浸漬部分の二硫化炭素溶液を蒸発させた。 蒸発処理後の光ファイバ先端を 観察すると、 赤色のセレン薄膜が先端表面に生成していた。
光学用精密水平ステージを用い、 セレン薄膜を析出させた光ファイバ先端を窒 素雰囲気下でカドミウムの表面に接触させた。 接触状態を 5 時間継続すること により、 セレンとカドミウムとの間の固相反応を誘起させ、 光ファイバ先端にセ レン化力ドミゥム微粒子を生成 ·固定した。
セレン化力ドミゥムが固定された光ファイバ先端を蛍光顕微鏡のステージ上に 固定し、 波長 337nmの窒素レーザで励起しながら、 液体窒素冷却 CCD分光器 を用いてセレン化カドミウム超微粒子の発光を観測した。 図 3 の観測結果から 明らかなように、 発光スペクトルが可視光のうち緑色領域に限定されており、 し 力、も波長幅が狭い。 この発光スペクトルから、 形成された超微粒子の粒径が非常 によく揃っており、 単分散に近い超微粒子になっていることが判る。 産業上の利用可能性
以上に説明したように、 本発明においては、 先鋭化したガラスファイバの先端 にカルコゲンを固定し、 該カルコゲンを金属に接触させることにより、 数〜数百 nm2の領域でカルコゲンと金属との接触を可能にしている。 そのため、 カルコ ゲンと金属との相互拡散反応で生成する金属カルコゲナイド超微粒子の粒径を制 御できると共に、 金属カルコゲナイド超微粒子の生成位置も制御できる。 このよ うにして固定された金属カルコゲナイド超微粒子は、 極めて狭い粒径分布をもつ ことから粒径に応じた発光特性を呈し、 光通信, 光コンピューティング, 蛍光分 光, 生化学, 臨床分析等、 種々の分野における発光素子, 蛍光標識物質, マイク 口センサ等として使用される。

Claims

請求の範囲
1 . ガラスファイバの先鋭ィヒした先端にカルコゲン薄膜を設けた後、 先鋭化先 端を金属と物理接触させ、 ガラスフアイバの先鋭化先端にカルコゲンと金属と の相互拡散反応により金属カルコゲナイド超微粒子を生成させることを特徴と する金属カルコゲナイド超微粒子の作製方法。
2. カルコゲン薄膜形成に先立ってガラスファイバの先鋭化先端をシランカップ リング剤で前処理し、 カルコゲンと金属との相互拡散反応で生成した金属カル コゲナイド超微粒子をガラスファイバの先鋭化先端に固定ィヒする請求項 1記載 の作製方法。
3. ガラスファイバの先鋭化先端にカルコゲン薄膜を直接設け、 カルコゲンと 金属との相互拡散反応で生成した金属カルコゲナイド超微粒子をガラスフアイ バの先鋭化先端から金属表面に移行させる請求項 1記載の作製方法。
4. カルコゲンと反応する金属を原子間力顕微鏡チップの先端表面に蒸着し、 予めシランカツプリング剤で処理したガラス表面にカルコゲン薄膜を形成し、 原子間力顕微鏡チップの先端をカルコゲン薄膜に物理的に接触させて金属と力 ルコゲンとの相互拡散反応を誘起させ、 生成した金属カルコゲナイド微粒子を ガラス表面に固定することを特徴とする金属カルコゲナイド超微粒子の作製方 法。
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