IJV-Bestrahlungsvorrichtung mit im wesentlichen geschlossenen Reflektor, insbesondere zur Härtung von UV-reaktiven Klebstoffen
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Bestrahlungsvorrichtung zum Bestrahlen von einem oder mehreren Objekten mit ultravioletter Strahlung (UN-Strahlung). Die Bestrahlung erfolgt zur Aushärtung von UN-reaktiven Klebstoffen.
Bekannte Bestrahlungsvorrichtungen zum Bestrahlen von einem oder mehreren Objekten mit UV-Strahlung, wie sie beispielsweise von der Anmelderin unter der Typenbezeichnung UFAPRIΝT LE vertrieben werden, umfassen eine längliche Gasentladungslampe, die z.B. als Hochdruck-Entladungslampe ausgebildet ist, zum Ausstrahlen von UN-Strahlung und einen länglichen Reflektor aus hochreflektierendem Material, der sich längs der Gasentladungslampe erstreckt und die UN-Strahlung auf eine Bestrahlungs-Linie fokusiert, die parallel zur Gasentladungslampe ist, um das oder die Objekte auf dieser Linie zu bestrahlen. Der Querschnitt des länglichen Reflektors hat (im wesentlichen) die Form einer Ellipse, wobei die Gasentladungslampe entlang der ersten Brennpunkt-Linie angeordnet ist und die Bestrahlungs-Linie auf der zweiten Brennpunkt-Linie der Ellipse liegt. Dieser bekannte UV-Linienstrahler dient zur Rundumbestrahlung fadenförmiger Objekte, und wird insbesondere zur Härtung von Beschichtungen, Markierungen, Bedruckungen oder Lackierungen sträng-, kabel- und fadenförmiger Objekte eingesetzt. Der Reflektor besteht dabei aus zwei Reflektorteilen, die jeweils in einem Gehäuseteil angeordnet sind. Zur Bestrahlung wird beispielsweise ein fadenförmiges Objekt entlang der Bestrahlungs-Linie in das eine Gehäuseteil eingelegt. Hierzu können die beiden Gehäuseteile auseinandergeklappt werden. Im geschlossenen Zustand liegen die beiden Reflektorenteile einander gegenüber, so daß in der Brennlinie des einen Reflektorteiles die Gasentladungslampe und in der Fokussierungslinie des anderen Reflektorteiles das zu bestrahlende Objekt angeordnet ist.
Der Nachteil dieses bekannten UV-Linienstrahlers besteht darin, daß ausschließlich fadenförmige, endlose Objekte (z.B. Kabel) kontinuierlich bestrahlt werden können.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist somit, die oben beschriebene aus dem Stand der Technik bekannte Bestrahlungsvorrichtung zum Bestrahlen von einem oder mehreren fadenförmigen Objekten mit UV-Strahlung dergestalt weiterzubilden, daß eine kontinuierliche Bestrahlung von Einzel-Objekten ermöglicht wird.
Diese Aufgabe wird durch eine Bestrahlungsvorrichtung zum Bestrahlen von einem oder mehreren Objekten mit UV-Strahlung gemäß Anspruch 1 gelöst. Die erfϊndungsgemäße Bestrahlungsvorrichtung umfaßt eine längliche Gasentladungslampe zum Ausstrahlen von UV-Strahlung, einen länglichen Reflektor aus hochreflektierendem Material, z. B. hochreinem Aluminium, der sich längs der Gasentladungslampe erstreckt und diese im wesentlichen vollständig dergestalt umschließt, daß die UV-Strahlung auf eine Bestrahlungs-Linie fokussiert wird. Diese erstreckt sich parallel zur Gasentladungslampe. Das Objekt bzw. die Klebestelle werden zur Bestrahlung auf der Brennlinie geführt. Für die Zuführung ist der längliche Reflektor im Bereich der Bestrahlungs-Linie mit einer sich in Längsrichtung erstreckenden Öffnung versehen.
Die erfindungsgemäße Bestrahlungsvorrichtung ermöglicht damit die kontinuierliche Bestrahlung mehrerer Objekte. Besonders vorteilhaft ist, daß die zu bestrahlenden Objekte nicht mehr auf str ng-, kabel- oder fadenförmige Objekte beschränkt sind, sondern Objekte mit praktisch beliebiger Form bestrahlt werden können. Beispielsweise ermöglicht die erfindungsgemäße Bestrahlungsvorrichtung damit die Bestrahlung von Verklebungen an beliebigen Bauteilen entlang der Bestrahlungs-Linie. Durch die im wesentlichen vollständig geschlossene Form des länglichen Reflektors wird weiterhin eine sehr hohe Bestrahlungsstärke und eine sehr homogene und hochintensive Intensitätsverteilung entlang der Bestrahlungs-Linie ermöglicht. Durch die sich in Längsrichtung erstreckende Öffnung wird das Zuführen und das Transportieren des oder der zu bestrahlenden Objekte entlang der Bestrahlungs-Linie ermöglicht, wobei zu gewährleisten ist, daß sich die zu bestrahlende Stelle des oder der Objekte entlang der Bestrahlungs-Linie bewegt.
Vorteilhafterweise weist der längliche Reflektor einen ellipsenförmigen Querschnitt auf, wobei die Gasentladungslampe entlang der einen Brennpunkt-Linie angeordnet ist und die Bestrahlungs-Linie auf der anderen Brennpunkt-Linie liegt. Der ellipsenförmige Querschnitt hat dabei den Vorteil, daß die von der Gasentladungslampe emittierte UV- Strahlung vollständig auf die Bestrahlungs-Linie fokussiert wird, so daß eine hocheffiziente Ausnutzung der Strahlungsenergie gewährleistet ist. Die elliptische Querschnittsform des Reflektors ermöglicht eine verbesserte und homogenere Intensitätsverteilung der UV-Strahlung entlang der Bestrahlungs-Linie und damit den zu bestrahlenden Objekten, wodurch insgesamt eine Energieeinsparung ermöglicht, die Spitzen temperatur auf den Objekten gesenkt und die Belichtungszeit bzw. Bestrahlungszeit verkürzt wird, so daß eine effizientere und wirtschaftliche Bestrahlung realisiert werden kann. Die homgene Intensitätsverteilung hat insbesondere auch den weiteren Vorteil, daß ein Drehen des oder der Objekte während dem Bestrahlungsvorgang, wie es teilweise bei bekannten Apparaten üblich ist,
ggf. vollständig entfallen kann, wodurch eine weitere Kostenverringerung und Steigerung der Effizienz erreicht wird.
Vorteilhafterweise ist die Öffnung ein sich in Längsrichtung des länglichen Reflektors erstreckender Schlitz, durch den eine Fördereinrichtung zum Zuführen des oder der Objekte zur Bestrahlungs-Linie eingreifen kann. Der Schlitz ist dabei dergestalt ausgelegt, daß die Fördereinrichtung das oder die Objekte während dem Bestrahlungsvorgang entlang der Bestrahlungs-Linie transportieren kann. Alternativ werden mehrere Objekte durch jeweils eine oder mehrere Transporteinrichtungen durch den Schlitz zur Bestrahlungs-Linie zugeführt, wo sie dann (ggf. unter Drehung) stationär auf der Bestrahlungs-Linie mit UV-Licht bestrahlt werden. Gemäß einem ersten Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung liegt dabei der Schlitz auf der der Gasentladungslampe abgewandten Seite der Bestrahlungslinie. Gemäß einem zweiten Gesichtspunkt der vorliegenden Erfindung liegt der Schlitz seitlich zur Bestrahlungs- Linie.
Weiterhin ist es von Vorteil, wenn die Öffnung bzw. der Schlitz zum Zuführen des oder der Objekte mit Lichtfallen zur Verhinderung des Austritts von UV-Strahlung aus dem länglichen Reflektor versehen ist. Hierdurch werden schädliche Einwirkungen auf Augen und Haut weitgehend verhindert.
Vorteilhafterweise ist der längliche Reflektor in einem Gehäuse angeordnet, wobei die Öffnung zum Zuführen der Objekte zwischen zwei Reflektorteilen definiert ist, die jeweils mit einem zugehörigen Gehäuseteil seitlich aufgeklappt werden können. Diese Ausgestaltung ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die Öffnung als Schlitz ausgebildet ist, der auf der der Gasentladungslampe abgewandten Seite der Bestrahlungs-Linie liegt.
Alternativ kann der längliche Reflektor in einem Gehäuse angeordnet sein, bei dem ein einziger sich entlang der Bestrahlungslinie erstreckender Reflektorteil mit einem zugehörigen Gehäuseteil seitlich aufgeklappt werden kann. Diese Ausgestaltung ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die Öffnung zum Zuführen des oder der Objekte als Schlitz ausgebildet ist, der seitlich zur Bestrahlungs-Linie liegt.
Weiterhin ist es von Vorteil, wenn der längliche Reflektor im Bereich der Hochdruck- Entladungslampe aus zwei Reflektorteilen besteht, die zum Verschließen der Gasentladungslampe eingeklappt werden können. (= Shuttersystem)
Die vorliegende Erfindung wird im folgenden anhand der beigefügten Zeichnungen näher erläutert, in denen zeigen
Fig. 1 eine Außenansicht der Längsseite einer erfindungsgemäßen Bestrahlungsvorrichtung,
Fig. 2 eine Außenansicht einer Querseite der in Fig. 1 gezeigten Bestrahlungsvorrichtung ,
Fig. 3 eine Querschnittsansicht eines ersten Ausführungsbeispieles einer erfindungsgemäßen Bestrahlungsvorrichtung ,
Fig. 4 eine Querschnittsansicht eines zweiten Ausführungsbeispieles einer erfindungsgemäßen Bestrahlungsvorrichtung, und
Fig. 5 ein Meßdiagramm der Intensitätsverteilung um die Bestrahlungs-Linie in der Abhängigkeit vom Meßwinkel.
Fig. 1 zeigt die Außenansicht der Längsseite einer erfindungsgemäßen Bestrahlungsvorrichtung 1 zum Bestrahlen von einem oder mehreren Objekten mit UV- Strahlung. Die erfindungsgemäße Bestrahlungsvorrichtung 1 umfaßt ein Gehäuse 2, das aus mehreren Gehäuseteilen besteht. Die in der Fig. 1 gezeigte Außenansicht einer erfindungsgemäßen Bestrahlungsvorrichtung 1 zeigt beispielsweise ein oberes Gehäuseteil 2a und ein unteres Gehäuseteil 2b, die sich jeweils in Längsrichtung erstrecken. Beide Gehäuseteile 2a und 2b sind mit Scharnieren 6 verbunden, durch die das untere Gehäuseteil 2b seitlich, d.h. nach oben aus der Zeichenebene heraus weg- bzw. aufgeklappt werden kann. Die Stirnseiten der erfindungsgemäßen Bestrahlungsvorrichtung 1 sind durch stirnseitige Gehäuseteile 3a und 3b abgeschlossen. Im Inneren des Gehäuses 2 befindet sich ein länglicher Reflektor, der eine längliche Gasentladungslampe, z.B. in Form einer Hochdruck-Entladungslampe umgibt. Beide Elemente werden weiter unten im Bezug auf die Fig. 3 und 4 näher erläutert. An der Oberseite des Gehäuses 2 der Bestrahlungsvorrichtung 1 ist ein Anschlußstecker für den Stromanschluß der Hochdruck-Entladungslampe vorgesehen. Die im Inneren des Gehäuses 2 beim Bestrahlen von Objekten in Form von Wärme freiwerdende Energie wird durch eine Luftkühlung abtransportiert. Dabei wird Frischluft auf der Unterseite des Gehäuses 2 angesaugt und an der Oberseite des Gehäuses 2 über einen Abluftkanal 4 wegtransportiert. Die Gesamtlänge der erfindungsgemäßen Bestrahlungsvorrichtung 1, d.h. genauer gesagt die Länge der Hochdruck-Gasentladungslampe ist
abhängig von der für die Aushärtung des Klebstoffes erforderlichen bzw. einzubringenden UV-Dosis.
Fig. 2 zeigt eine Außenansicht der Querseite der in Fig. 1 gezeigten Bestrahlungsvorrichtung 1. Fig. 2 zeigt dabei eine Draufsicht auf das stirnseitige Gehäuseteil 3a, das das sich in Längsrichtung erstreckende Gehäuse 2 auf der einen Seite abschließt. Oberhalb des stirnseitigen Gehäuseteiles 3a ist der Anschlußstecker 5 schematisch dargestellt, während links und rechts vom stirnseitigen Gehäuseteil 3a die Scharniere 6 dargestellt sind, die das obere mit den unteren Gehäuseteilen des Gehäuses 2 so miteinander verbinden, daß die unteren Gehäuseteile nach oben aufgeklappt werden können. Im mittleren unteren Bereich des stirnseitigen Gehäuseteiles 3a ist eine als Schlitz ausgebildete Öffnung 7 dargestellt, die sich etwa von der Mitte des stirnseitigen Gehäuseteiles 3a senkrecht nach unten erstreckt. Die Öffnung 7 dient zum Zuführen von mit UV-Strahlung zu bestrahlenden Objekten. Die Bestrahlungs-Linie (13) erstreckt sich in Längsrichtung der Bestrahlungsvorrichtung 1 und ist daher in Fig. 2 lediglich als Punkt dargestellt. Wie in Bezug auf die Fig. 3 und 4 weiter unten näher erläutert ist, liegt die Bestrahlungs-Linie 13 auf der zweiten Brennpunkt-Linie, die durch den im Querschnitt ellipsenförmigen Aufbau des länglichen Reflektors im Inneren des Gehäuses 2 definiert ist. Alle Bemaßungsangaben sind in der Einheit Millimeter.
In Fig. 3 ist ein Querschnitt durch ein erstes Ausführungsbeispiel einer erfindungsgemäßen Bestrahlungsvorrichtung 1 dargestellt. Das in Fig. 3 dargestellte erste Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Bestrahlungsvorrichtung 1 korrespondiert dabei mit der in den Fig. 1 und 2 dargestellten Bestrahlungsvorrichtung 1. Wie in Fig. 3 zu erkennen ist, umfaßt das Gehäuse 2 des gezeigten ersten Ausführungsbeispieles insgesamt drei sich in Längsrichtung erstreckende Gehäuseteile 2a, 2b und 2c. Die beiden unteren Gehäuseteile 2b und 2c sind jeweils durch ein Scharnier 6 schwenkbar mit dem oberen Gehäuseteil 2a verbunden. Die beiden unteren Gehäuseteile 2b und 2c können dabei seitlich nach oben weg- bzw. aufgeklappt werden.
Im Inneren des Gehäuses 2 ist ein länglicher Reflektor 9 aus hochreflektierendem Material, beispielsweise hochreinem Aluminium, angeordnet. Der längliche Reflektor 9 hat im dargestellten Ausführungsbeispiel einen ellipsenförmigen Querschnitt und umgibt eine längliche Hochdruck-Entladungslampe 8 zum Ausstrahlen von UV-Strahlung im wesentlichen vollständig. Die Hochdruck-Entladungslampe 8 erstreckt sich längs entlang der ersten Brenn-Linie des ellipsenförmigen Reflektors 9, wobei die Objekte mit ihrer Klebestelle in der Bestrahlungslinie 13 geführt werden. Der im wesentlichen geschlossene elliptische Reflektor 9 ermöglicht dabei eine gleichmäßige Rundumbestrahlung der zu bestrahlenden Teile eines oder mehrerer Objekte entlang der
Bestrahlungs-Linie 13, auf die die gesamte von der Hochdruck-Entladungslampe 8 ausgestrahlte UV-Strahlung fokussiert wird. Hierdurch wird eine sehr hohe Bestrahlungsstärke erreicht, wodurch höchste Fertigungsgeschwindigkeiten erzielt werden können.
Der Reflektor 9 besteht aus vier Reflektorteilen 9a, 9b, 9c und 9d. Die Reflektorteile 9a und 9d sind dem Gehäuseteil 2a und die Reflektorteile 9b und 9c jeweils dem Gehäuseteil 2b bzw. 2c zugeordnet und an diesem befestigt. Demnach können die beiden unteren Reflektorteile 9b und 9c mit dem jeweilig zugehörigen Gehäuseteil 2b bzw. 2c weggeklappt werden, so daß das Innere des Reflektors 9 zugänglich ist, um beispielsweise die Hochdruck-Entladungslampe 8 auszuwechseln. Jedes Reflektorteil 9a, 9b, 9c und 9d besteht aus einem Basisteil mit Kühlrippen und eingelegtem, auswechselbarem Reflektorblech (z.B. hochreines Aluminium). Die Reflektorbleche der Reflektorteile 9a, 9b, 9c und 9d bilden im geschlossenen Zustand gemeinsam den länglichen Reflektor 9 mit elliptischem Querschnitt.
Der Reflektor 9 sowie das Gehäuse 2 weisen im unteren Teil eine Öffnung 10 in Form eines Schlitzes auf. Durch ein Fördersystem bzw. eine Transporteinrichtung 14 werden die Objekte zur Bestrahlungs-Linie 13 zugeführt. Im dargestellten Beispiel wird dabei eine Nadel 11 im Kunststoff-Basisteil 12 verklebt, wobei der Klebstoff durch die auf die Bestrahlungs-Linie 13 fokussierte UV-Strahlung von der Hochdruck-Entladungslampe 8 gehärtet wird. Die Öffnung 10 liegt auf der der Hochdruck-Entladungslampe 8 abgewandten Seite der Bestrahlungs-Linie 13 und korrespondiert mit der Öffnung 7 im stirnseitigen Gehäuseteil 3a, wie es in Fig. 2 gezeigt ist. Die durch die Öffnung 7 des stirnseitigen Gehäuseteils 3a zugeführten Objekte werden durch die Öffnung 10, die durch den Reflektor 9 und das Gehäuse 2 gebildet ist, zur Bestrahlungs-Linie 13 zugeführt, bwz. entlang dieser transportiert.
Die oberen beiden Reflektorteile 9a und 9d können in eine Verschlußstellung eingeklappt werden, die in Fig. 3 mit 9a' und 9d' angedeutet ist. In dieser Verschlußstellung tritt praktisch keine UV-Strahlung von der Hochdruck- Entladungslampe nach unten aus. Dieses Shuttersystem wird während Produktionsunterbrechungen und bei auftretenden Problemen pneumatisch geschlossen und die Lampenleistung auf ca. 30% reduziert. Dadurch wird ein " Verbrennen " von bereits im UV-System befindlichen Objekten vermieden.
Die Reflektorschicht des Reflektors 9 besteht vorzugsweise aus Hochreinst-Aluminium (99,99% Aluminium), so daß die UV-Strahlung praktisch ohne Verlust auf die zu bestrahlenden Objekte reflektiert wird. Die Anschlußleistung der Hochdruck-
Entladungslampe beträgt beispielsweise zwischen 1,5 und 10kW. Die Hochdruck- Entladungslampe 8 kann für verschiedene Einsatzgebiete ausgelegt sein. Beispielsweise ist UV-Strahlung im Bereich von 380 bis 315nm zur Aushärtung von UV-reaktiven Klebstoffen und Kunststoffen geeignet, insbesondere da viele Kunststoffe erst ab 350nm strahlungsdurchlässiger werden, wodurch innenseitig aufgebrachter Klebstoff besser aushärtet. Hier ist beispielsweise eine Gallium-Dotierung der Hochdruck- Entladungslampe von Vorteil, da das Abstrahlungsspektrum der UV-Strahlung hier in den längerwelligen Bereich von > 350nm verschoben wird. Für andere Bestrahlungszwecke können andere Dotierungen vorteilhaft sein, wie z. B. Eisen- Dotierungen oder Quecksilber-Dotierungen. Hochdruck-Entladungslampen mit eine Quecksilber-Dotierung sind in der Regel billiger, einfacher aufgebaut und robuster, haben aber weniger UV-Strahlung im längerwelligen Bereich. Sie sind beispielsweise bei der Härtung von Oberflächenlacken und dgl. vorteilhaft einzusetzen, wo UV- Strahlung im Bereich von 280 bis 200 nm verwendet wird. Eine Eisen-Dotierung, wie z. B. bei Metall-Halogenit-Strahlern, eignet sich zwar auch für das Aushärten von Klebstoffen, aber nicht so gut wie eine Gallium-Dotierung. Abhängig von der Anwendung kann beispielsweise auch eine Niederdruck-Gasentladungslampe verwendet werden.
Obwohl nicht in Fig. 3 dargestellt, können im Bereich der Öffnung 10 an den unteren Gehäuseteilen 2b und 2d Lichtfallen vorgesehen sein, um das Austreten von UV- Strahlung zu verhindern.
Fig. 4 zeigt einen Querschnitt durch ein zweites Ausführungsbeispiel der erfindungsgemäßen Bestrahlung Vorrichtung. Der wesentliche Unterschied zum in der Fig. 3 gezeigten ersten Ausführungsbeispiel ist die Anordnung der Öffnung 15 zum Zuführen des oder der zu bestrahlenden Objekte. Im zweiten Ausführungsbeispiel ist die Öffnung 15 seitlich zur Bestrahlungs-Linie 13 angeordnet, so daß die Transporteinrichtung bzw. das Zuführsystem 17, durch das die zu bestrahlenden Objekte zur Bestrahlungs-Linie 13 zugeführt werden, seitlich durch das Gehäuse 2 und den Reflektor 9 in das Reflektorinnere hineinragt. Im in der Fig. 4 gezeigten Beispiel ist dabei der untere Teil der Bestrahlungsvorrichtung 1 aus zwei Gehäuseteilen 2e und 2f mit einem jeweils zugeordneten Reflektorteil 9e bzw. 9f gebildet. Das Gehäusteil 2e mit dem Reflektorteil 9e bildet dabei den größeren Anteil. Zwischen dem Gehäuseteil 2e mit dem Reflektorteil 9e und dem Gehäuseteil 2f mit dem Reflektorteil 9f ist die Öffnung 15 ausgebildet. Das Gehäuseteil 2e ist mit einem Scharnier 6 am oberen Gehäuseteil 2a befestigt, so daß das untere Gehäuseteil 2e mit dem Reflektorteil 9e seitlich weg- bzw. aufgeklappt werden kann. Es ist anzumerken, daß das obere Gehäuseteil 2a mit dem zugehörigen Reflektorteil 9c auch einstückig mit dem an dem
befestigten Gehäuseteil 2f mit dem zugehörigen Reflektorteil 9f ausgebildet sein kann. Alle weiteren Funktionen und Merkmale des in Fig. 4 gezeigten zweiten Ausführungsbeispieles entsprechen denjenigen des ersten Ausführungsbeispieles. Die obigen Erläuterungen im Bezug auf das erste Ausführungsbeispiel sind daher auch auf das zweite Ausführungsbeispiel identisch anzuwenden.
Es ist hervorzuheben, daß die Länge der erfindungsgemäßen Bestrahlungsvorrichtung 1, und insbesondere die Länge der Hochdruck-Entladungslampe 8 und die Abmessungen des zugehörigen Reflektors 9 jeweils vom Anwendungszweck abhängen und entsprechend den Anforderungen einzustellen sind. Wichtig ist jedoch, daß sich der längliche Reflektor 9 längs zur Hochdruck-Entladungslampe 8 erstreckt und diese im wesentlichen vollständig dergestalt umschließt, daß die von der Hochdruck- Entladungslampe 8 ausgestrahlte UV-Strahlung auf eine Bestrahlungs-Linie 13 fokusiert wird, die parallel zur Hochdruck-Entladungslampe 8 ist, um das oder die Objekte auf dieser Linie zu bestrahlen. Weiterhin muß die sich in Längsrichtung erstreckende Öffnung 10 bzw. 15 im Bereich der Bestrahlungs-Linie 13 zum Zuführen des oder der Objekte vorgesehen sein.
In Figur 5 ist ein Meßergebnis für die Intensitätsverteilung entlang der Bestrahlungs- Linie 13 in Abhängigkeit vom Meßwinkel im Bezug auf die Hochdruck- Entlädungslampe 8 gezeigt. Die gezeigte Intensitätsverteilung wurde mit einem Quarzstab meßgerät aufgenommen. Es ist zu erkennen, daß die erfindungsgemäße Bestrahlungseinrichtung 1 eine extrem homogene Strahlungsintensität entlang der Bestrahlungs-Linie 13 ermöglicht, was insbesondere auf die optimierte Geometrie des Reflektors 9 (Strahlengang zur Bestrahlungs-Linie 13) und andererseits auf die kompakte Bauform des Reflektors 9 zurückzuführen ist. Insbesondere die Bereiche maximaler Intensität direkt unter der Hochdruck-Entladungslampe 8 (0° -Winkel) und in den Winkelbereichen um 130° und 240° sind normalerweise problematisch, da diese Bereiche insbesondere beim Härten von Klebstoffen erfahrungsgemäß die Problemzonen im Bezug auf die Härtung mit UV-Strahlung darstellen. Die erfindungsgemäße Bestrahlungsvorrichtung 1 ermöglicht jedoch auch in diesen Bereichen eine sehr homogene Intensitätsverteilung. Im Bereich des elliptischen Reflektorsystems können stirnseitig zusätzliche Reflektoren vorgesehen sein, die eine zusätzliche Reflektion in Längsrichtung des Reflektors 9 erzeugen. Eine Rotation der zu bestrahlenden Objekte beim Transport entlang der Bestrahlungs-Linie 13 ist somit nicht mehr in jedem Fall erforderlich. Im in der Fig. 4 gezeigten zweiten Ausführungsbeispiel ist jedoch schematisch eine derartige Rotationseinrichtung 8 zum Drehen der zu bestrahlenden Objekte 16 während der Bestrahlung gezeigt.