WO1999052124A1 - Canon a electrons de type 'torche a electrons' - Google Patents

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WO1999052124A1
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Robert Baptist
Michel Bruel
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Commissariat A L'energie Atomique
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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J33/00—Discharge tubes with provision for emergence of electrons or ions from the vessel; Lenard tubes

Definitions

  • the invention relates to the production of an electron gun, in particular of the "electron torch” type, as well as various applications of this electron gun.
  • the strongest possible electron beam is sought so that the density of charges injected into the gas is high.
  • the dimensions of the first device are large, an electron gun measuring several centimeters.
  • the distance of about 20 mm necessary to be able to establish a potential difference of 20 keV between the filament and the membrane, leads to a burst of the electron beam emitted and a very low efficiency since only a fraction of the emitted beam passes through the membrane. Because of these losses of electrons in the membrane support as well as in the enclosure, the latter is not portal with bare hand without thermal protection.
  • the invention firstly relates to an electron emitting device comprising: - an enclosure, closed on one side by a membrane which can be crossed by an electron beam, - a cathode with at least one microtip, for emitting an electron beam.
  • microtip cathode which emits a directional beam, makes it possible to produce a device of small dimensions, presenting no heating problem, therefore portable with bare hands and insertable into a cryogenic assembly.
  • Means for guiding an electron beam emitted by the cathode can also be provided. These means reinforce the directive nature of the beam.
  • the power consumption is low and reduced compared to the consumption of known torches, due to the fact that there is no loss of power, neither in the enclosure, nor in the membrane or its possible support.
  • the microtip cathode has a distribution of microtip zones, according to a certain drawing, the membrane having flat and thin zones and thicker reinforcement zones, separating the flat and thin zones according to the drawing of distribution of microtip zones.
  • the emissive parts of the cathode and the flat portions of the membrane, located between the reinforcement zones correspond in pairs.
  • each microtip zone corresponds to a flat zone of the membrane, it may be that a flat zone corresponds (s) to one or more microtip zones.
  • the reinforcements have only a mechanical action and do not necessarily follow the design of the microtip zones;
  • the means for guiding the electron beam include means for produce a magnetic field.
  • This magnetic field can be adjustable in intensity and direction.
  • the invention also relates to various applications of the electron source described above.
  • the electron source can be applied:
  • FIG. 2 shows an example of a microtip cathode.
  • FIG. 1 A first embodiment of the invention is illustrated in FIG. 1.
  • a microtip cathode 2 is disposed in an enclosure 8. It produces and directs an electron beam 4 towards a membrane 6, which closes the enclosure 8 on one of its sides.
  • the cathode 2 is itself polarized at -lOkV or -20kV relative to the enclosure 8 and to the membrane 6.
  • Means can also be provided (for example permanent magnets)
  • a magnetic field B for example from 1000G to 2000G which can be directed, and possibly be adjustable in direction and intensity, so that the impact of the electrons is made on the membrane 6 itself, and not on enclosure 8 and the thicker periphery of the membrane.
  • These means for guiding the electron beam may not be provided, for example in the case where the beam is not very intense (for example: a few uA which pass through the membrane for a few tens of amps emitted).
  • the transmission of the membrane is high.
  • the surface of the membrane is typically of the order of mm 2 .
  • the dimensions of such a torch, with a single cathode, can be, for example:
  • - diameter of this enclosure 10-15 mm
  • - material of enclosure 8 conductive or ceramic, for example stainless steel or alumina
  • - membrane extension of a few mm 2 for the thinnest area (100n); material: Si 3 N 4 , Si, Sic, diamond, etc.
  • - vacuum in enclosure 8 of the order of 10 "8 mbar, - cathode 2: emissive surface ⁇ lmm 2 ; emitted current: 1mA for 100V of extraction voltage,
  • Cathode 2 consists of a microtip cathode, for example of the same type as that used and described in patent FR-B-2 679 653 (EP-A-0 524 870), and which is illustrated in FIG. 2
  • This cathode essentially comprises, on a substrate 11, for example made of glass, a layer of silica 13 covered with a resistive layer 15, for example made of silicon.
  • a resistive layer 15 for example made of silicon.
  • An insulating layer 18 pierced with holes in which the microtips 17 are located separates the electrode or cathode electrodes 16 from the electrode or electrodes of the electron extraction grid 19 (which may be made of Niobium).
  • the electron extraction grid 19 is perforated above each microtip 17 so as to allow the emission of electrons.
  • the microtips 17 being brought to a potential V p , the grid electrodes 19 to a potential Vq , the electrons are emitted with an initial kinetic energy -e- (Vg-V p ).
  • the microtip cathode 22 can itself be structured (possibly in the form of a matrix cathode, with zones independent of each other) so that the emitted electrons go to the thinned zones 26-1, 26-3 rather only in the thick areas of the membrane 26-2, 26-4, 26-6 (which would otherwise lead to heating of the membrane, due to a strong absorption of the electron beam and, perhaps , when it breaks).
  • the enclosures 8, 28 are further connected to pumping means, not shown in FIGS. 1, 3 to achieve a vacuum at a desired pressure, for example of the order of 10 "7 to 10 ⁇ 8 mbar.
  • references 20, 30 both designate a tank of the enclosure 8, 28, and the references 12, 32 a trap (or “getter”) making it possible to absorb residual impurities, contained in the enclosure 8, 28 in order to maintain the basic vacuum when the pumping means have been disconnected.
  • Means 14, 34 for supplying voltage supply the voltages necessary for the operation of the cathodes 2, 22.
  • FIG. 4 Another exemplary embodiment is given in FIG. 4.
  • a membrane 36 is produced on a reinforcing structure 37, and has a diameter D of approximately 3 mm.
  • the microtip cathode 42 has as many emissive zones as there are planar zones in the membrane 36.
  • the cathode emits several electron beams simultaneously.
  • Each zone of the microtip cathode can, for example, emit a beam with a diameter of 100 ⁇ m. All the emissive areas of the cathode are produced on a substrate 44 of width L ⁇ lOmm.
  • the microtip cathode can have any distribution of microtip areas, depending on the desired application. Whatever the distribution of the microtips, the membrane can be provided with a reinforcement grid reproducing the design of the complementary part of this distribution, so that the cathode and membrane are two homologous, even homothetic, images.
  • a slender-shaped membrane placed behind a cathode which is also slender, while having a uniform electron emission over the entire length of the membrane.
  • This possibility does not exist with a source of electron type "filament”, because the central part of it is always much hotter than its edges and, therefore, the emission of electrons is much stronger in the center only on the edges.
  • the device can be used to generate an electron beam of 10 to 20 keV.
  • This beam strikes a light emitting sample, of the III-V semiconductor compound type, to generate blue or ultraviolet light (GaN or AIN type compound in quantum well structure).
  • It is a "microtip laser", in which the light source is placed outside the vacuum, although as close as possible to the membrane.
  • the electrons produced can be injected into a gas or a liquid in order to induce there a light excitation (for example in gaseous or liquid xenon (-110 ° C), the de-excitation of the excimers producing transitions 1 0
  • the device can be that of the ieser article, the electron source being that according to the invention.
  • an electron beam produced by the source according to the invention for:
  • a target with a material capable of producing X-ray radiation, for example a material such as Mo or Cr "stuck" against the membrane or close to it, and producing an X emission.
  • a material capable of producing X-ray radiation for example a material such as Mo or Cr "stuck" against the membrane or close to it.
  • the cooling of the target is then greatly facilitated by the fact that it is outside the vacuum of the chamber containing the electron source.
  • the anode is easily interchangeable.
  • this source can be placed in a high pressure plasma source, in order to inject electrons into it.

Landscapes

  • Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
  • Electron Sources, Ion Sources (AREA)

Abstract

L'invention concerne un dispositif émetteur d'électrons comportant: une enceinte (8) fermée sur un côté par une membrane (6) pouvant être traversée par un faisceau d'électrons (4); une cathode à au moins une micropointe (2), pour émettre un faisceau d'électrons (4) caractérisé en ce que la cathode à micropointes a une répartition des micropointes par zones, selon un certain dessin, chaque zone comportant au moins une micropointe, la membrane présentant des zones planes (26-1, 26-3) et une ou plusieurs zones de renfort (26-2, 26-4, 26-6) plus épaisses séparant les zones planes, chaque zone de micropointe étant en regard d'une zone plane.

Description

CANON A ELECTRONS DE TYPE "TORCHE A ELECTRONS"
Domaine technique et art antérieur
L'invention concerne la réalisation d'un canon à électrons, en particulier de type "torche à électrons", ainsi que diverses applications de ce canon à électrons.
L'article de L. Hanlon et al. "Electron indo cathode ray tube applications", J. Vac. Sci. Technol. B 4(1), p. 305-309, 1986, décrit un tube cathodique classique, dans lequel une partie de la dalle où les électrons devraient frapper le phosphore de l'écran est remplacée par une membrane fine en BN ou SiC. La membrane est suffisamment fine pour que les électrons du faisceau puissent la traverser. Ces électrons ont une énergie de 20 keV ou plus, l'épaisseur de la membrane est supérieure au μm, et sa surface est de l'ordre du mm2. 85% du faisceau est transmis et deux applications (fluorescence et photocopie) sont décrites. Mention est également faite de membranes métalliques supportées par un grillage plus épais, afin d'assurer la tenue au vide (membrane gaufrée). A cause de leur épaisseur plus grande, la transmission de ces membranes est moindre. Dans ce premier document, un canon à électrons, de type "canon TV", produit le faisceau de faible diamètre, et la technologie CRT (Cathodic Ray Tube) est utilisée dans cette réalisation.
L'article de J. Wieser et al. "Vacuum ultraviolet rare gas excimer light source", Rev. Sci. Instrum, 68(3), p. 1360-1364 (1997) décrit une expérience dans laquelle des électrons émis par un filament chauffé sont accélérés jusqu'à 10 ou 20 keV, traversent une fenêtre de 300 nm en Si3N4 puis excitent un gaz sous pression (Xénon) , créant ainsi un rayonnement UV caractéristique de ce gaz.
Dans ce deuxième document, un faisceau électronique le plus intense possible est recherché afin que la densité de charges injectées dans le gaz soit importante. Ce faisceau électronique est produit par un filament chauffé. Une partie importante de ce faisceau frappe le support de membrane et conduit à un échauffement du support. La consommation de 10W dans le filament laisse supposer que plusieurs mA sont émis, ce qui conduit certainement à chauffer fortement la membrane et son support (au minimum lmAx20kV=20 ) . Un tel dispositif est inapte pour certaines applications, notamment pour des applications en biologie.
Par ailleurs, les dimensions du premier dispositif sont grandes, un canon à électrons mesurant plusieurs centimètres. Quant au deuxième dispositif, la distance d'environ 20 mm, nécessaire pour pouvoir établir une différence de potentiel de 20 keV entre le filament et la membrane, conduit à un éclatement du faisceau d'électrons émis et un rendement très faible puisque seule une fraction du faisceau émis traverse la membrane. A cause de ces pertes d'électrons dans le support de membrane ainsi que dans l'enceinte, cette dernière n'est pas portale à main nue sans protection thermique .
Exposé de l'invention L'invention a tout d'abord pour objet un dispositif émetteur d'électrons comportant : - une enceinte, fermée sur un côté par une membrane pouvant être traversée par un faisceau d'électrons, - une cathode à au moins une micropointe, pour émettre un faisceau d'électrons.
L'utilisation d'une cathode à micropointes, qui émettent un faisceau directif, permet de réaliser un dispositif de faibles dimensions, ne présentant pas de problème d' échauffement, donc portable à mains nues et insérable dans un ensemble cryogénique.
Des moyens de guidage d'un faisceau d'électrons émis par la cathode peuvent également être prévus. Ces moyens renforcent le caractère directif du faisceau.
De plus, la consommation de puissance est faible et réduite par rapport aux consommations des torches connues, du fait qu'il n'y a pas de perte de puissance, ni dans l'enceinte, ni dans la membrane ou son éventuel support.
Selon un mode particulier de réalisation, la cathode à micropointe présente une répartition de zones de micropointes, selon un certain dessin, la membrane présentant des zones planes et minces et des zones de renfort plus épaisses, séparant les zones planes et minces selon le dessin de répartition des zones de micropointes .
Ainsi, les parties émissives de la cathode et les portions planes de la membrane, situées entre les zones de renfort, se correspondent deux à deux. Cependant, si à chaque zone de micropointes correspond bien une zone plane de la membrane, il se peut qu'à une zone plane corresponde (nt) une ou plusieurs zones à micropointes. En effet, les renforts n'ont qu'une action mécanique et ne suivent pas nécessairement le dessin des zones à micropointes;
De préférence, les moyens de guidage du faisceau d'électrons comportent des moyens pour produire un champ magnétique. Ce champ magnétique peut être ajustable en intensité et en direction.
L'invention concerne également diverses applications de la source d'électrons décrite ci- dessus.
En particulier, la source d'électrons peut être appliquée :
- pour pomper optiquement un échantillon solide, émetteur de lumière, - pour exciter un milieu gazeux ou liquide, par exemple un gaz rare, afin de produire un rayonnement ultraviolet,
- pour polymériser des composés organiques,
- pour frapper une cible collée contre la membrane et produire un rayonnement X,
- pour brûler ou traiter un tissu biologique.
Brève description des figures
De toute façon, les caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre. Cette description porte sur les exemples de réalisation, donnés à titre explicatif et non limitatif, en se référant à des dessins annexés sur lesquels : - La figure 1 représente un premier mode de réalisation de l'invention.
- La figure 2 représente un exemple de cathode à micropointes.
- Les figures 3 et 4 représentent deux autres exemples de réalisation de l'invention. Exposé détaillé de modes de réalisation de l'invention
Un premier exemple de réalisation de l'invention est illustré en figure 1.
Une cathode à micropointes 2 est disposée dans une enceinte 8. Elle produit et dirige un faisceau d'électrons 4 vers une membrane 6, qui ferme l'enceinte 8 sur un de ses côtés. La cathode 2 est elle-même polarisée à -lOkV ou -20kV par rapport à l'enceinte 8 et à la membrane 6. Des moyens peuvent être par ailleurs prévus (par exemple des aimants permanents)
—> pour créer un champ magnétique B, par exemple de 1000G à 2000G qui peut être dirigé, et être éventuellement ajustable en direction et en intensité, afin que l'impact des électrons se fasse sur la membrane 6 elle- même, et non pas sur l'enceinte 8 et le pourtour plus épais de la membrane.
Ces moyens de guidage du faisceau d'électrons peuvent ne pas être prévus, par exemple dans le cas où le faisceau n'est pas très intense (par exemple : quelques uA qui traversent la membrane pour quelques dizaines d'ampère émis).
Pour une épaisseur de membrane de 100 à 300 nm en matériau léger (Si3N4, Si, Sic, diamant, etc..) la transmission de la membrane est grande. La surface de la membrane est typiquement de l'ordre du mm2. Les dimensions d'une telle torche, avec une seule cathode, peuvent être, par exemple :
- longueur de l'enceinte 8 : 60 mm,
- diamètre de cette enceinte : 10-15 mm, - matériau de l'enceinte 8 : conducteur ou céramique, par exemple inox ou alumine, - membrane : extension de quelques mm2 pour la zone la plus fine (lOOn ) ; matériau : Si3N4, Si, Sic, diamant, etc.
- vide dans l'enceinte 8 : de l'ordre de 10"8mbars, - cathode 2 : surface émissive≈lmm2 ; courant émis : 1mA pour 100V de tension d'extraction,
- courant transmis : 0,8 mA pour une tension d'accélération de 20kV.
La cathode 2 est constituée d'une cathode à micropointes, par exemple du même type que celle utilisée et décrite dans le brevet FR-B-2 679 653 (EP-A-0 524 870), et qui est illustrée sur la figure 2. Cette cathode comprend essentiellement, sur un substrat 11, par exemple en verre, une couche de silice 13 recouverte d'une couche résistive 15, par exemple en silicium. Sur la couche résistive 15, sont situées 1 ou 2 électrodes cathodiques 16 destinées à l'alimentation des micropointes 17 qui sont par exemple en molybdène. Une couche isolante 18 percée de trous dans lesquels se trouvent les micropointes 17 sépare l'électrode ou les électrodes cathodiques 16 de l'électrode ou des électrodes de grille d'extraction des électrons 19 (qui peuvent être en Niobium) . La grille d'extraction d'électrons 19 est ajourée au-dessus de chaque micropointe 17 de façon à permettre l'émission des électrons. Pour une seule cathode à micropointes non matricée, il y a au minimum une électrode pour polariser les pointes 16 et une électrode pour polariser la grille 19. Les micropointes 17 étant portées à un potentiel Vp, les électrodes de grille 19 à un potentiel Vq, les électrons sont émis avec une énergie cinétique initiale -e- (Vg-Vp) . Pour plus de détails concernant cette cathode, on se reportera au document FR-B-2 679 653 (EP-A-0 524 870) , notamment en ce qui concerne le choix des matériaux dont est constituée une telle cathode. Un procédé de réalisation de cette cathode est par exemple décrit dans les brevets FR-2 663 462 et FR-2 593 953, et comporte essentiellement la mise en oeuvre des techniques de dépôt de couches par évaporation et pulvérisation cathodique, de photogravure et de gravure ionique réactive des couches formées .
La réalisation d'une structure matricielle pour cette cathode est possible, par exemple si on veut disposer de deux émetteurs ou plus sur le même substrat de cathode, comme expliqué ci-dessous.
Comme illustré sur la figure 3, dans le cas d'une membrane 26 de plus grande surface, celle-ci peut être structurée et plus épaisse par endroits afin de résister à la flexion, c'est-à-dire à la différence de pression entre extérieur et intérieur de l'enceinte. La membrane présente alors des zones planes 26-1, 26-3 et des zones de renfort 26-2, 26-4, 26-6. Dans ce cas, la cathode à micropointes 22 peut être elle-même structurée (éventuellement sous forme de cathode matricielle, avec des zones indépendantes les unes des autres) afin que les électrons émis aillent dans les zones amincies 26-1, 26-3 plutôt que dans les zones épaisses de la membrane 26-2, 26-4, 26-6 (ce qui, sinon, conduirait à un échauffement de la membrane, à cause d'une forte absorption du faisceau d'électrons et, peut-être, à sa rupture) .
Les enceintes 8, 28 sont de plus reliées à des moyens de pompage, non représentés sur les figures 1, 3 pour réaliser une mise sous vide à une pression voulue, par exemple de l'ordre de 10"7 à 10~8 mbar.
Sur les deux figures 1 et 3, les références 20, 30 désignent toutes deux un queusot de l'enceinte 8, 28, et les références 12, 32 un piège (ou "getter") permettant d'absorber des impuretés résiduelles, contenues dans l'enceinte 8, 28 afin de maintenir le vide de base lorsque les moyens de pompage ont été déconnectés. Des moyens 14, 34 d'alimentation en tension fournissent les tensions nécessaires au fonctionnement des cathodes 2, 22.
Un autre exemple de réalisation est donné en figure 4. Une membrane 36 est réalisée sur une structure de renfort 37, et présente un diamètre D d'environ 3 mm. La cathode à micropointes 42 présente autant de zones émissives qu'il y a de zones planes dans la membrane 36.
Dans cette application, la cathode émet simultanément plusieurs faisceaux d'électrons.
Chaque zone de la cathode à micropointes peut, par exemple, émettre un faisceau de diamètre d≈lOO μm. L'ensemble des zones émissives de la cathode est réalisé sur un substrat 44 de largeur L≈lOmm. La structure illustrée ainsi schématiquement comporte en outre des moyens non représentés sur la figure 4 et déjà décrits ci-dessus : queusot, getter, moyens pour produire un champ magnétique de direction et d'intensité définies ou variables. La cathode à micropointes peut présenter une répartition quelconque de zones à micropointes, en fonction de l'application voulue. Quelle que soit la répartition des micropointes, la membrane peut être munie d'un grillage de renfort reproduisant le dessin de la partie complémentaire de cette répartition, afin que cathode et membrane soient deux images homologues, voire homothétiques .
Selon une autre variante, on peut avoir une membrane de forme longiligne placée derrière une cathode elle aussi longiligne, tout en ayant une émission d'électrons uniforme sur toute la longueur de la membrane. Cette possibilité n'existe pas avec une source d'électrons de type "filament", car la partie centrale de celui-ci est toujours beaucoup plus chaude que ses bords et, donc, l'émission d'électrons est bien plus forte au centre que sur les bords.
Des applications du dispositif selon l'invention vont être décrites.
Selon une première application, le dispositif peut être utilisé pour générer un faisceau d'électrons de 10 à 20 keV. Ce faisceau frappe un échantillon émetteur de lumière, de type composé semi-conducteur III-V, pour générer de la lumière bleue ou ultraviolette (composé de type GaN ou AIN en structure de puits quantique) . C'est un "laser à micropointes", dans lequel la source de lumière est placée à l'extérieur du vide, bien qu'au plus près de la membrane .
Selon une autre application, les électrons produits peuvent être injectés dans un gaz ou un liquide afin d'y induire une excitation lumineuse (par exemple dans du xénon gazeux ou liquide (-110°C) , la désexcitation des excimères produisant des transitions 1 0
par exemple à 170 nm) . Le dispositif peut être celui de l'article de ieser, la source d'électrons étant celle selon l'invention.
Selon d'autres applications, on peut utiliser un faisceau d'électrons produit par la source selon l'invention, pour :
- polymériser des composés organiques,
- frapper une cible d'un matériau apte à produire un rayonnement X, par exemple un matériau tel que Mo ou Cr "collé" contre la membrane ou proche de celle-ci, et produire une émission X. Le refroidissement de la cible est alors grandement facilité par le fait que celle-ci se trouve à l'extérieur du vide de la chambre contenant la source d'électrons. De plus, l'anode est interchangeable facilement.
- "brûler" un tissu biologique, comme le ferait un laser, mais sur une profondeur de pénétration bien moindre, d'où des applications possibles en dermatologie . Enfin, on dispose d'une source d'électrons miniature apte à être utilisée dans toute application où la source doit être protégée de son environnement. Par exemple, on peut placer cette source dans une source à plasma à haute pression, afin d'injecter des électrons à celui-ci.

Claims

11REVENDICATIONS
1. Dispositif émetteur d'électrons comportant :
- une enceinte (8, 28) fermée sur un côté par une membrane (6, 26) pouvant être traversée par un faisceau d'électrons,
- une cathode à micropointes (2, 22) , pour émettre un faisceau d'électrons (4, 24), caractérisé en ce que la cathode à micropointes a une répartition des micropointes par zones, selon un certain dessin, chaque zone comportant au moins une micropointe, la membrane présentant des zones planes
(26-1, 26-3) et une ou plusieurs zones de renfort
(26-2, 26-4, 26-6) plus épaisses séparant les zones planes, chaque zone de micropointe étant en regard d'une zone plane.
2. Dispositif selon la revendication 1, comprenant en outre des moyens de guidage des électrons émis par la cathode, vers la membrane.
3. Dispositif selon la revendication 2, les moyens de guidage du faisceau d'électrons comportant des moyens pour produire un champ magnétique.
4. Dispositif selon la revendication 3, le champ magnétique étant ajustable en intensité et en direction.
5. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, la membrane et la cathode étant toutes deux de forme longiligne.
6. Dispositif de production d'un rayonnement électromagnétique, comportant : - un solide pouvant émettre un tel rayonnement, sous impact électronique, 12
- un dispositif selon l'une des revendications 1 à 5 pour produire un faisceau d'électrons d'excitation du solide.
7. Dispositif de production d'un rayonnement X, comportant un dispositif selon la revendication 6, le solide étant une cible d'un matériau disposé face à la membrane du dispositif émetteur d'électrons.
8. Dispositif de production d'un rayonnement ultraviolet, comportant : - une cellule contenant un gaz rare, dans l'état gazeux ou liquide, munie d'une fenêtre optique transparente à la longueur d'onde de travail,
- un dispositif émetteur d'électrons selon l'une des revendications 1 à 5.
9. Procédé de polymérisation d'un composé organique comportant la production d'un faisceau d'électrons à l'aide d'un dispositif selon l'une des revendications 1 à 5 et la polymérisation du composé organique avec ce faisceau d'électrons.
10. Procédé pour traiter un tissu biologique comportant les étapes suivantes :
- produire un faisceau d'électrons à l'aide d'un dispositif selon l'une des revendications 1 à 5,
- traiter le tissu à l'aide de ce faisceau d'électrons.
11. Dispositif pour traiter un tissu biologique comportant un dispositif émetteur d'électrons selon l'une des revendications 1 à 5.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2823907A1 (fr) * 2001-09-06 2002-10-25 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de focalisation d'un faisceau d'electrons
GB2454773A (en) * 2007-10-15 2009-05-20 Bruker Daltonik Gmbh Electron permeable window for an atmospheric pressure chemical ionization ion source

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050253496A1 (en) * 2003-12-01 2005-11-17 Adam Armitage Electron gun and an electron beam window
FI121654B (sv) 2006-07-10 2011-02-28 Kwh Mirka Ab Oy Förfarande för tillverkning av en flexibel sliprondell och en flexibel sliprondell
SE0802101A2 (sv) * 2008-10-07 2010-07-20 Tetra Laval Holdings & Finance Omkopplingsbar anordning för elektronstrålesterilisering
WO2015125414A1 (fr) * 2014-02-19 2015-08-27 Hitachi Zosen Corporation Irradiateur à faisceau d'électrons à efficacité de refroidissement renforcée de la fenêtre de transmission

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3683179A (en) * 1970-03-11 1972-08-08 John R Norman Means for irradiating materials
US3890503A (en) * 1968-11-29 1975-06-17 Hewlett Packard Co Stimulated emission light source pumped by electron beam of field emission initiated vacuum arc
US3956712A (en) * 1973-02-05 1976-05-11 Northrop Corporation Area electron gun
GB2067007A (en) * 1979-12-18 1981-07-15 Maschf Augsburg Nuernberg Ag A device for generating electron beams
US4396841A (en) * 1981-06-16 1983-08-02 Razin Gennady I Device for scanning a beam of charged particles

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3890503A (en) * 1968-11-29 1975-06-17 Hewlett Packard Co Stimulated emission light source pumped by electron beam of field emission initiated vacuum arc
US3683179A (en) * 1970-03-11 1972-08-08 John R Norman Means for irradiating materials
US3956712A (en) * 1973-02-05 1976-05-11 Northrop Corporation Area electron gun
GB2067007A (en) * 1979-12-18 1981-07-15 Maschf Augsburg Nuernberg Ag A device for generating electron beams
US4396841A (en) * 1981-06-16 1983-08-02 Razin Gennady I Device for scanning a beam of charged particles

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HANLON L ET AL: "Electron window cathode ray tube applications", PROCEEDINGS OF 29TH INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON ELECTRON, ION AND PHOTON BEAMS, PORTLAND, OR, USA, 28-31 MAY 1985, vol. 4, no. 1, ISSN 0734-211X, Journal of Vacuum Science & Technology B (Microelectronics Processing and Phenomena), Jan.-Feb. 1986, USA, pages 305 - 309, XP002087161 *
WIESER J ET AL: "VACUUM ULTRAVIOLET RARE GAS EXCIMER LIGHT SOURCE", REVIEW OF SCIENTIFIC INSTRUMENTS, vol. 68, no. 3, March 1997 (1997-03-01), pages 1360 - 1364, XP000685060 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2823907A1 (fr) * 2001-09-06 2002-10-25 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de focalisation d'un faisceau d'electrons
GB2454773A (en) * 2007-10-15 2009-05-20 Bruker Daltonik Gmbh Electron permeable window for an atmospheric pressure chemical ionization ion source
GB2454773B (en) * 2007-10-15 2011-07-06 Bruker Daltonik Gmbh Ion source for atmospheric pressure chemical ionization
US9214326B2 (en) 2007-10-15 2015-12-15 Bruker Daltonik Gmbh Atmospheric pressure chemical ionization ion source

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