WO1996036906A1

WO1996036906A1 - Optische komponente zur erzeugung gepulster laserstrahlung

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Publication number: WO1996036906A1
Application number: PCT/CH1996/000185
Authority: WO
Inventors: Ursula Keller-Weingarten; Daniel Kopf
Original assignee: Keller Weingarten Ursula; Daniel Kopf
Priority date: 1995-05-19
Filing date: 1996-05-15
Publication date: 1996-11-21
Also published as: DE59601560D1; JP2009277676A; US6466604B1; EP0826164B1; EP0826164A1; JPH11505370A

Abstract

Die optische Komponente (43) zur bevorzugten Verwendung innerhalb eines Laserresonators für die Erzeugung gepulster Laserstrahlung, insbesondere von modengekoppelter Strahlung im Mikro-bis Femtosekunden-Bereich, hat ein als sättigbarer Absorber wirkendes mehrschichtig phasengekoppeltes, 'etalonfreies' Beschichtungsensemble (42) mit wenigstens einer sättigbar absorbierenden Schicht (39). Die Schichtenfolgen (33, 34, 37, 38, 39, 41) des Beschichtungsensembles kann nun derart ausgebildet sein, dass sich für eine einfallende Resonatorstrahlung zusätzlich eine negative Dispersion der Gruppengeschwindigkeit ergibt. Bei der als sättigbarer Absorber wirkenden und verwendbaren, optischen Komponente werden nun nicht mehr separate einzelne, diskrete optische Elemente, wie sie bereits seit langem bekannt sind, sandwichartig unter einer Minimierung zusammengebaut, sondern es wird ein Beschichtungsensemble geschaffen, bei dem jede einzelne Schicht zusammen mit den restlichen des Ensembles zu einem phasenmässigen Gesamtverhalten für die einfallende Strahlung beiträgt. Nur durch diesen Ausgestaltungs- und dem sich daraus ergebenden Berechungsformalismus ist es möglich, eine oder mehrere Schichten, welche die sättigbar absorbierenden Eigenschaften aufweisen, derart in diesem Ensemble natürlich unter Beachtung der phasenmässigen Beziehungen zu plazieren, dass eine optimale, hier eine sättigbar absorbierende Wirkung erreichbar ist.

Description

OPTISCHE KOMPONENTE ZUR ERZEUGUNG GEPULSTER USERSTRAHLUNG

Die Erfindung betrifft eine optische Komponente zur be¬ vorzugten Verwendung in einer Laseranordnung zur Erzeugung gepulster Laserstrahlung, insbesondere von gepulster Strah¬ lung im Mikro- bis Femtosekundenbereich sowie zur Verwendung in einem optischen Aufbau eines gepulsten Lasers gemäß der Patentansprüche 10 und 11.

Kurze Pulse im Mikro- bis Femtosekundenbereich lassen sich durch Modenkopplung, Güteschaltung oder modengekoppelte Güteschaltung innerhalb eines Laserresonators erzeugen, was mit einem in den Laserresonator eingebrachten sättigbaren Ab¬ sorber erfolgen kann. Als sättigbare Absorber werden Farb- Stoffe oder Halbleiter verwendet, deren Absorptionsvermögen mit zunehmender EinStrahlungsintensität sinkt. Auf diese Wei¬ se erfolgt eine Kopplung der unterschiedlichen Resonatormoden zu im Resonator pendelnden kurzen Pulsen, wie z. B. auf an¬ schauliche Art und Weise in H. Weber/ G. Herziger, Laser - Grundlagen und Anwendungen, Physik Verlag GmbH, Wein- hei /Bergstr. 1972, S. 144 ff. beschrieben ist.

Sättigbare Absorber konnten nun, wie in U. Keller, "Revo- lution in der Erzeugung ultrakurzer Pulse", TR Transfer Nr. 23, 1994, S. 22 - 24 beschrieben ist, z. B. als sog. "An- tiresonant Fabry-Perot Saturable Absorber" ausgebildet wer¬ den. Bei diesen bekannten sättigbaren Absorbern wurde ein Halbleiterabsorber verwendet, der in ein etwa 400 μm dickes Fabry-Perot-Interferometer mit Sandwichauf au integriert war. Dieser Sandwich-Aufbau hatte analog zu einen Fabry-Perot (Etalon) zwei Spiegelelemente. Der Zwischenraum zwischen den beiden Spiegelelementen war mit dem sättigbar absorbierenden Halbleitermaterial ausgefüllt. Der Abstand der beiden Spie¬ gelelemente wurde nun derart gewählt, daß die Strahlungsin¬ tensität im Inneren des Fabry-Perots stets viel kleiner war als die einfallende Intensität. D. h. das Fabry-Perot wurde in Antiresonanz betrieben. Dieser Sanwich-Aufbau ist u. a. in der EP-A 0 609 015 (US-A 5,345,454) und der EP-A 0 541 304 (US-A 5,237,577) beschrieben.

Ein weiterer sandwichartiger Aufbau eines sättigbaren Ab¬ sorbers ist aus L.R. Brovelli et al., "Self-starting soliton modelocked Ti-sapphire laser using a thin saturable absorber, Electronics Letters, Vol. 31, No. 4, 1995, S. 287 - 288 be¬ kannt. Bei dem hier beschriebenen "Sandwich-Absorber" (siehe rechte Spalte S. 287, zweit oberster Absatz) wird lediglich einer der beiden Fabry-Perot-Spiegel durch eine Antirefle- xionsbeschichtung, d. h. eine Antireflexionsvergütung ersetzt das sättigbar absorbierende Material befindet sich hier zwi¬ schen den beiden Deckelementen des Sandwichs.

Bei der erfindungsgemäßen u. a. als sättigbarer Absorber wirkenden und verwendbaren, optischen Komponente werden nun nicht mehr separate einzelne, diskrete optische Elemente, wie sie bereits seit langen bekannt sind, sandwichartig unter ei¬ ner Minimierung zusammengebaut, sondern es wird ein "etalon¬ freies" Beschichtungsensemble geschaffen, bei dem jede ein- zelne Schicht zusammen mit den restlichen des Ensembles zu einem phasenmäßigen Gesamtverhalten für die einfallende Strahlung beiträgt. Unter einem etalonfreien Beschichtungsen¬ semble wird eine Beschichtung verstanden, welche kein örtlich bestimmbares Etalon aufweist. Nur durch diesen Ausgestal¬ tungs- und dem sich daraus ergebenden Berechungsformalismus, ist es möglich, eine oder mehrere Schichten, welche die sät¬ tigbar absorbierende Eigenschaften aufweisen, derart in die- sem Ensemble natürlich unter Beachtung der phasenmäßigen Be¬ ziehungen zu plazieren, daß eine optimale, hier eine sättig¬ bar absorbierende Wirkung erreichbar ist.

In der Erfindung wird eine Beschichtung verwendet, deren gesamtes Verhalten sich nicht mehr lediglich als Addition der Eigenschaften der einzelnen Teilschichten ergibt. Es ist zu¬ erst das gesamte Beschichtungsensemble zu komponieren. Erst nach dessen Vorliegen kann die Eigenschaft des Ensembles (rechnerisch analog einer Filterberechnung) bestimmt werden.

Die Erfindung verwendet ein Beschichtungsensemble aus einer Schichtenvielzahl, wobei sich hier infolge nur einer Entfernung oder einer Abänderung bereits einer einzigen Schicht das gesamte Schichtverhalten ändern kann. Im Gegen- satz zum obigen Sandwich-Aufbau erfolgt hier eine matrixarti¬ ge Verkopplung der gesamten Schichten miteinander, wie z. B. aus den theoretischen Ausführungen in M. Born und E. Wolf, Principles of Optics, Pergamon Press, 1975, S. 55 - 70 er¬ sichtlich ist. Die Veränderung der physikalischen Daten einer Schicht (Ort im Ensemble, Brechungsindex, optische Schicht¬ dicke) wirkt sich auf die Eigenschaften der Gesamtschicht aus.

Gegenüber dem bekannten sandwichartigen Aufbau können nun bei der Erfindung den optischen Komponenten durch die geeig¬ nete Bestimmung des Beschichtungsensembles Eigenschaften ge¬ geben werden, wie sie nun gerade für einen optimalen Resona¬ tor benötigt werden. Durch die Wahl der optischen Schicht¬ dicken und/oder dem Schichtmaterial sowie den Orten im Ensem- ble sind dessen Eigenschaften gezielt, wunschgemäß und somit optimal einstellbar. Es können nicht nur optische Eigenschaf¬ ten berücksichtigt werden; es können auch u. a. Anforderungen an die Schichtresistenz, den genauen frequenzmäßigen Refle- xionsverlauf sowie insbesondere, wie auch unten ausgeführt ist, der optimale Ort des Absorbermaterials und damit dessen optimale Wirkung ausgewählt werden.

Da sich bei der Ausführung des Beschichtungsensembles ge¬ genüber den bekannten Sandwich-Aufbau eine geringe Anzahl von Schichten ergibt, kann diese Beschichtung nicht nur preisgün¬ stiger, sondern unter Ausnützung größerer Toleranzen bei den zu verwendenden optischen Schichtdicken und deren Brechungs- indizes hergestellt werden. Als besonders vorteilhaft hat sich die ausgezeichnete "Designfreiheit", welche eine Viel¬ zahl von Kombinationsmöglichkeiten im Schichtenaufbau und dessen Materialien zuläßt, erwiesen.

Im folgenden werden Beispiele der erfindungsgemäßen opti¬ schen Komponente sowie deren bevorzugter Einsatz anhand der Zeichnungen näher beschrieben. Weitere Vorteile der Erfindung ergeben sich aus dem nachfolgenden Beschreibungstext. Es zei¬ gen:

Fig. 1 einen Schnitt in Richtung der Flächennormalen durch ein beispielsweise als sättigbarer Absorber wirkendes Beschichtungsensemble,

Fig. 2 eine schematische Darstellung von Wellenwiderständen eines beliebigen Beschichtungsensembles zur Darstel¬ lung eines Berechnungsvorgangs für dessen Gesamtre¬ flexion,

Fig. 3 der Reflexionsverlauf des in Figur 1 dargestellten

Beschichtungsensembles bei senkrechtem Strahlungsein¬ fall für Strahlung mit einer Wellenlänge im freien Raum zwischen 0,6 und 1,0 μm, wobei die absorbierende Schicht bei gleicher Gesamtensembledicke 20 nm näher an der Oberfläche und einmal 20 nm gegenüber einer

Normallage weiter von dieser entfernt liegt,

Fig. 4 den normierten Intensitätsverlauf innerhalb des Be- schichtungsensembles [die Lage der einzelnen dielek¬ trischen Schichten ist gemäß Figur 1 eingezeichnet] für Wellenlängen von 810 nm, 820 nm, 830 nm und 850 nm (freier Raum), wobei die ausgezogene Kurve die Wellenlänge der Mittelfrequenz von 830 nm des moden¬ gekoppelten Laser in einer in Figur 5 dargestellten Anordnung zeigt,

Fig. 5 eine Darstellung eines optischen Aufbaus eines gepul- sten Lasers,

Fig. 6 eine Variante zu einem in Figur 1 dargestellten Be¬ schichtungsensemble, mit dem neben einer sättigbaren Absorption eine negative Gruppengeschwindigkeitsdis- persion erreichbar ist,

Fig. 7 eine Darstellung eines optischen Aufbaus eines moden¬ gekoppelten Lasers mit der in Figur 6 dargestellten Komponente als Resonatorspiegel,

Fig. 8a bis 8e unterschiedlich aufgebaute Beschichtungsensem¬ bles, wobei jeweils der Figurenteil α den Intensi¬ tätsverlauf (I) in beliebigen Einheiten über der Dicke (z in μ ) des gesamten Ensemble, der Figuren- teil ß den Intensitätsverlauf über einen Ausschnitt aus dem Beschichtungsensemble und der Figurenteil r die Reflexion des Beschichtungsensembles über der auf der Abszisse angegebenen Wellenlänge in Mikrometern [μm],

Fig. 9 ein Beschichtungsensemble analog Figur 1, welches je¬ doch eine metallische Schicht hat,

Fig. 10 Schichten mit III-V-Halbleitermaterial und Fluoriden, was hier einen Spiegel bei einer Mittenwellenlänge von 1,4 μm ergibt,

Fig. 11 eine Variante eines Laserresonators, bei dem aktives Medium und Resonatorendspiegel ein einziges Bauteil bilden,

Fig. 12 eine weitere Variante eines Laserresonators, bei dem das aktive Medium im Resonator als Umlenkspiegel aus¬ gebildet ist, sowie

Fig. 13 eine weitere Variante mit einem miniaturisierten La¬ serresonators.

Figur 1 zeigt in einem Schnitt durch den Schichtenaufbau eines Beschichtungsensembles 1, welches als Reflektor und gleichzeitig als sättigbarer Absorber wirkt. Da als sättigbar absorbierendes Material hier beispielsweise ein Halbleiter, nämlich Galliumarsenid verwendet wird, sind auch für die restlichen Schichten dem Galliumarsenid im Strukturaufbau verwandte Halbleitermaterialien verwendet worden, um ein ein¬ wandfreies Aufwachsen während des Beschichtungsvorgangs (low- temperature MBE-grown bei ca. 400°C) zu erhalten.

In der Regel läßt man GaAs- und AlGaAs-Schichten enthal¬ tende Struktur bei normalen MBE-Temperaturen von ca. 600°C aufwachsen. Bevorzugt läßt man jedoch die den sättbaren Ab- sorber enthaltende Schicht bei tieferen Temperaturen, d. h.

Zwischen 200°C und 600°C aufwachsen. Hierdurch können nämlich die Rekombinationszeiten der durch den Laserpuls erzeugten Ladungsträger beeinflußt werden und liegen dann einstellbar zwischen einigen 100 fs und einigen Nanosekungen. Diese Re- kombinationszeit wird den geforderten Eigenschaften des La¬ sers angepaßt, wie z. B. in L.R. Brovelli et al., "Design and Operation of antiresonant Fabry-Perot saturable semiconductor absorbers for mode-locked solid-state lasers", Journal of the Optical Society of America B, Vol. 12, 1995, Seite 311 - 322 ausgeführt ist. D. h. in den hier beispielsweise beschriebe¬ nen Beschichtungsensembles 1 und 42 sind lediglich die unten erwähnten Schichten 6 und 39 bei einer Temperatur von 400°C aufgewachsen. Ausgehend von der Beschichtungsoberflache (Grenzschicht zu Luft 3 ) weist das Beschichtungsensemble 1 eine 5 nm dicke Galliu arsenidschicht-Deckschicht 4 (GaAs), dann eine 40 nm dicke Aluminiumarsenidschicht 5 (AlAs) , eine 20 nm dicke Gal- liumarsenidschicht 6 (GaAs) als sättigbar absorbierend wir¬ kendes Material, eine 70 nm dicke Aluminiumarsenidschicht 7, eine 10 nm dicke Galliu arsenidschicht 9 und dann bevorzugt 25 Doppelschichten bestehend aus einer 59,4 nm dicken mit Aluminium dotierten Galliumarsenid-schicht 11 (Al₁₅^Ga_g5%As) und einer 69,2 nm dicken Aluminiumarsenidschicht 13 auf. Das ganze Beschichtungsensemble 1 ist auf ein Galliumarsenidsub- strat 15 aufgebracht.

Die Berechnung der Reflexion des Beschichtungsensembles 1 erfolgt in Analogie an die Theorie der Anpassung an elektri¬ sche Wellenwiderstände nach Hermann A. Haus, Waves and Fields in Optoelectronics, 1984, Prentice-Hall Inc. Englewood Cliffs, New Jersey 07632, ISBN 0-13-946053-5, Seite 31 - 46 unter Verwendung der in Figur 2 verwendeten Symbole.

Der Wellenwiderstand einer Schicht Z_χ ist der Wellenwi¬ derstand Z₀ des leeren Raumes (annähernd der von Luft) divi¬ diert durch den Brechungsindex (Quadratwurzel aus der relati- ven Dielektrizitätskonstanten bei einer relativen magneti¬ schen Permeabiltät von 1, was hier in der Regel gegeben ist). Der Wellenwiderstand Z₀ des leeren Raumes ist etwa 376,7 Ω.

Aus der elektrischen Wellentheorie ergibt sich dann für die Transformation der Wellenwiderstände

Z' = Z_a[Z_s/Z_B + j tan (2τrd-/w-)] / [1 + j(Z_s/Z_D) •tan(2πd_ffl/w_B) ]

"j" zeigt den Imaginärteil in einer komplexen Schreibwei¬ se an,

Z_<- ist der Wellenwiderstand des Substrates, hier der- jenige von Galliumarsenid,

Z' ist der transformierte Wellenwiderstand, wie ihn eine Welle "sehen würde", die vom Wellenwiderstand Z_s des Sub- strats durch ein Zwischenstück mit dem Wellenwiderstand Z_m und der Breite d_m getrennt wäre;

w_m ist die Wellenlänge der betrachteten Strahlungsfre¬ quenz im Material der Schicht mit dem Wellenwiderstand Z-.. d. h. mit dem betreffenden Brechungsindex __„,. vi-. = Wg/n--, wobei w₀ die Wellenlänge der Strahlunσ im freien Raum ist.

Für den Wellenwiderstand Z", wie ihn nun eine Welle "se- hen würde", falls ein weitere Widerstandswellenstück Z_Ja_.₁ mit einer Dicke d-,^ vorgeschaltet wäre, gilt nun sinngemäß

Z"=Z_i_₁[Z'/Z₁_ι + jtan (2πd_i_₁/ ₁_₁) ] / [1 + j(ZVZ_Bl)-tan(2πd_B.₁/w₁-ι)]

Die Reflexion R des gesamten Beschichtungsensembles 1 er¬ gibt sich dann zu

R = [(1 - Z_B._χ/Z^x,)/(l + Z_B__χ/Z^x')]²

wobei Z^X der zur Schichtoberfläche transformierte Wel¬ lenwiderstand ist und Z,.^ der Wellenwiderstand des an die oberste Schicht angrenzenden Mediums ist, hier also von Luft. Der Reflexionsverlauf des oben beschriebenen Beschichtungsen¬ sembles 1 ist in Figur 3 dargestellt. Die Idee ist es nun, die auf der Struktur des Bschichtungsensembles l beruhenden Wellenlängenabhängikeit mit der vom absorbierenden Material gegebenen Absorption für einen vorgegebenen Wellenlängebe- reich zu kompensieren. Dies läßt sich durch die Wahl des richtigen Orts der Absorberschicht 6 erreichen. Zur Verdeut¬ lichung dieser Überlegung ist der Reflexionsfaktor des Ensem¬ bles 1 bei einer Lage der Absorberschicht 6 gegenüber der in Figur 1 dargestellten Lage einmal um 20 nm nach außen (grob gestrichelt) und einmal um 20 nm nach innen (feingestrichelt) verschoben dargestellt.Die ausgezogene Linie ist die Wellen¬ länge der Mittenfrequenz von 830 nm mit der der modengekop- pelte Laser arbeitet.

Der Intensitätsverlauf parallel zur Flächennormalen in der Beschichtung wird aus der elektrischen Feldstärke analog zum oben beschriebenen Reflexionsfaktor berechnet, wobei auch hier die Phasenbeziehungen der Reflexionen der Teilwellen an der jeweiligen inneren Grenzflächen phasenmäßig überlagert werden müssen, wie z. B. in der oben beschriebenen Veröffent¬ lichung von Hermann A. Haus dargelegt ist-

Der Verlauf der Intensität innerhalb des in Figur 1 dar¬ gestellten Beschichtungsensembles 1 für drei verschiedene Wellenlänge im freien Raum von 830 nm, 840 nm und 850 nm ist in Figur 4 dargestellt. Die Wellenlängenangaben beziehen sich immer auf diejenige im freien Raum.

Eine Erzeugung von kurzen modengekoppelte Pulsen insbe¬ sondere im Subpikosekunden-Bereich ist mit der in Figur 5a dargestellten Anordnung optischer Komponenten möglich. Die Anordnung hat einen auf einer Wärmesenke 17 angeorndetes als Laserresonatorspiegel mit sättigbarem Absorber wirkendes Be¬ schichtungsensemble 19, das gemäß dem oben beschriebenen Be¬ schichtungsensemble 1 eine maximale Reflexion bei 840 nm hat und als annähernd 100%-Spiegel mit einem 1 - 2% sättigbaren Absorber wirkt. Der andere als Auskoppelspiegel wirkende Re- sonatorspiegel 20 hat eine Reflexion von 98% und weist eine fachmännische Beschichtung auf, auf die hier nicht weiter eingegangen wird. Als aktives Medium dient ein Cr:LiSAF-Kri- stall 23 [Chrom dotierter Lithium-Strontium Aluminium Fluo- rid-Kristall LiSrAlF₆] mit 5 mm Dicke und einem Chromgehalt von 3%. Das aktive Medium wird beidseits von je einer Laser¬ diode 21a sowie 21b der Firma Applied Optronics, Typ AOC-670-400 bei einer Wellenlänge von 670 nm mit einer Leistung von 400 mW optisch gepumpt. Der Pumpstrahlengang ist in Figur 5a zur Unterscheidung vom ausgezogenen Resonator¬ strahlengang 18 gestrichelt dargestellt. Die Strahlung der Dioden 21a und 21b wird mit den Abbildungssysten 22a bzw. 22b in das aktive Medium 23 eingestrahlt. Der Strahlengang im Re- sonator wird durch drei je eine konkave Reflexionsfläche auf¬ weisende Spiegel 24a, 24b und 24c (Oberflächenkrümmungsradius beträgt bei den beiden "oberen Reflexionsflächen in Figur 5a 10 cm und bei der unteren 20 cm) geformt und umgelenkt. Die beiden in einem Abstand von 59 cm von einander distanzierten Prismen 25a und 25b werden zur Erzeugung einer negativen Dis¬ persion der Gruppengeschwindigkeit im Laserresonator verwen¬ det. Diese negative Dispersion der Gruppengeschwindigkeit ist zur Erzeugung der obengenannten kurzen Pulse notwendig.

Eine Variante zu dem in Figur 1 dargestellten Beschich¬ tungsensemble zeigt Figur 6. Die Doppelschichtenfolgen 33 und 34 sowie auch das Material des Substrats 35 sind identisch zu denjenigen in Figur 1. Auf der Schicht 33 liegt nun eine 10 nm dicke GaAs-Schicht 38, gefolgt von einer 130 nm dicken Zwischenschicht 37 aus Aluminiumarsenid (AlAs) , dann folgt eine 30 nm dicke sättigbar absorbierende mit Aluminium do¬ tierte Galiumarsenidschicht 39. Die Schicht 39 besteht bevor¬ zugt aus Al₆^Ga₉₄<^As und wird insbesondere mit einem sog. "low-temperature MBE-Verfahren" bei ca 400°C hergestellt. Als Deckschicht 41 dient eine 55 nm dicke Aluminium-Galliumarse- nid-Schicht AL₆₅%Ga₃₅<_|As. Die Reflexion dieses Ensembles 42 liegt bei einer Wellenlänge von 840 nm ungesättigt bei unge¬ fähr 98%.

Durch die Wahl der Dotierung lassen sich Galliumarsenid- schichten von sättigbar absorbierenden Schichten in nicht ab¬ sorbierende abhängig von der auf sie treffenden Strahlungs¬ wellenlänge einstellen. So verschiebt bei einer Dotierung von 0 bis 6% Aluminium bei der der Galliumanteil durch denjenigen des Aluminiums ersetzt wird und der Arsenanteil konstant ge¬ lassen wird, die Absorptionsgrenze von 870 nm zu 830 nm. Bei einem Aluminiumgehalt von 15% liegt die Absorptionsgrenze be¬ reits bei 800 nm. Der Schichtenaufbau wurde nun derart ge- wählt, daß sich eine negative Dispersion der Gruppengeschwin¬ digkeit der Strahlungswellen im Laserresonator ergibt. Ferner wurde darauf geachtet, daß ein gutes Auswachsen der betref¬ fenden Schichtung sowie eine hohe Resistenz auch bei hohen Strahlungsintensitäten gegeben ist.

Selbstverständlich können auch andere MaterialZusammen¬ setzungen z. B. von Si0₂ und Ti0₂ wie in R. Szipöcs et al. "Chirped multilayer coatings for broadband dispersion control in fe tosecond lasers", Optics Letters, Vol. 19, No. 3, 1994, Seite 201 - 203 beschrieben ist, gewählt werden. Das von R. Szipöcs et al. beschriebene Beschichtungsensemble erzeugt je¬ doch lediglich nur eine negative Dispersion der Gruppenge¬ schwindigkeit. Dieser Schichtaufbau, wie er insbesondere in der dortigen Figur 1 dargestellt ist, muß nun noch erst auf¬ grund der erfinderischen Erkenntnis dahingehend abgeändert werden, daß die sättigbar absorbierenden Schichten an vorbe¬ stimmten Orten in das Beschichtungsensemble integriert wer¬ den. Mit der erfindungsgemäßen Erkenntnis lassen sich die be- treffenden Schichten gezielt integrieren, so daß nicht nur eine negative Dispersion der Phasengeschwindigkeit erreichbar ist, sondern zusätzlich die Eigenschaft einer sättigbaren Ab¬ sorption optimal integrierbar ist. Hierzu müssen lediglich einzelnen Schichten ohne Änderung der Phasenbeziehungen durch diejenige mit sättigbarer Absorption analog zu dem in Figur 4 dargestellten Verlauf der Intensität über dem Schichtenaufbau ersetzt werden.

Eine Variante zu dem in der Veröffentlichung von R. Szipöcs et al. beschriebenen Beschichtungsaufbau ist in C.

Fontaine et al., "Generalization of Bragg reflector geometry: Application to (Ga, Al)As-(Ca,Sr)F₂ reflectors", J. Appl. Phys. 68, (10), 1990, Seite 5366 - 5368 ausgeführt. In die hier dargelegten Schichtenfolgen lassen sich dann erfindungs- gemäß, analog zu den obigen Ausführungen, die sättigbar ab¬ sorbierende Schicht bzw. Schichten integrieren. Mit einem derartigen Aufbau sind Pulsbreiten unter 10 fs erreichbar. Figur 7 zeigt die Resonatoranordnung eines modengelockten Lasers, wobei einer der Laserresonatorspiegel 43 mit dem oben beschriebenen Beschichtungsensemble 42 für eine maximale re- flexion bei 840 nm beschichtet ist und als annähernd 100%- Spiegel ausgebildet ist. Der andere als Auskoppelspiegel wir¬ kende Resonatorspiegel 45 hat eine Reflexion von 99% und weist eine fachmännische Beschichtung auf, auf die hier nicht weiter eingegangen wird. Als aktives Medium dient ein Cr:LiSAF-Kristall 47 [Chrom dotierter Lithium-Strontium Alu- minium Fluorid-Kristall LiSrAlFg] mit 2 mm Dicke, so daß der Lichtweg bei Brewsterwinkel 2 mm im Kristall beträgt, und ei¬ nem Chromgehalt von 3%. Das aktive Medium wird von einer La¬ serdiode 49 der Firma Applied Optronics, Typ AOC-670-400 bei einer Wellenlänge von 670 nm mit einer Leistung von 400 mW optisch gepumpt. Der Pumpstrahlengang ist in Figur 7 zur Un¬ terscheidung vom ausgezogenen Resonatorstrahlengang 48 ge¬ strichelt dargestellt. Die Strahlung der Diode 49 wird mit dem Abbildungssystem 51 in das aktive Medium 47 eingestrahlt. Für den tatsächlichen Pumpvorgang stehen von den 400 mW dann noch etwa 300 mW zur Verfügung. Der Strahlengang im Resonator wird durch zwei je eine konkave Reflexionsfläche aufweisende Spiegel 50a und 50b (Oberflächenkrümmungsradius beträgt 10 cm) geformt und umgelenkt, der Abstand des Resonatorspie¬ gels 43 beträgt 27 cm vom "Umlenkspiegel 50a und der Abstand des Auskoppelspiegels 45 vom Umlenkspiegel 50b 70 cm.

Bei einer Pumpleistung von 300 mW wurde eine mittlere La¬ serausgangsleistung von 25 mW bei Laserpulsen von 160 fs er¬ reicht. Hervorzuheben ist bei der hier gewählten Laserresona- toranordnung der einerseits robuste Aufbau und die unkriti¬ sche Justage, verglichen mit der Justage bei Verwendung eines sog. "Kerr lens modelocking". Auch kann in dieser Anordnung auf das äußerst schwer zu justierende Prismenpaar 25a und 25b verzichtet werden.

Anstelle einen der als Resonatorspiegel wirkenden Be¬ schichtungsensembles 19 bzw. 43, kann auch eine oder mehrere Oberflächen der Spiegel 20, 45, 24a, 24b, 24c, 50a oder 50b eine analoge, jedoch dann nicht reflektierende Ensemblebe- schichtung aufweisen.

Anstelle die obenbeschriebenen Beschichtungsensembles als Reflektoren auszubilden, können sie auch als Antireflektore ausgebildet sein und dann direkt z. B. auf eine oder beide Seitenflächen des aktiven Mediums bzw. einer oder mehreren Flächen der Prismen 25a und/oder 25b sowie anderer hier nicht dargestellter optischer Komponeten innerhalb des Laserresona- tors in dessen Strahlengang aufgebracht werden.

Anstelle nur einer einzigen sättigbar absorbierenden Schicht 6 bzw. 39 im Beschichtungsensemble 1 bzw. 42 können selbstverständlich auch mehrere dieser Schichten vorhanden sein. Sie müssen nur an analogen Orten betreffend der Strah¬ lungsintensität innerhalb des Ensembles (siehe Figur 4) lie¬ gen.

Neben den obenerwähnten Gallium, Arsen und Aluminium ent- haltenden Halbleitermaterialien können selbstverständlich auch andere Halbleitermaterialien, wie z. B. die auf der Ba¬ sis von Indium, Phosphor, Fluoriden (CaF₂, BaF₂, ...) verwen¬ det werden.

Die Figuren 8a bis 8e zeigen Beispiele unterschiedlicher Beschichtungsensembles als Varianten zu denjenigen der Figu¬ ren 1 und 6. Die Breite der einzelnen Schichten ist aus der "Rechteckkurve" in den jeweiligen Teilabbildungen α und ß er¬ sichtlich. Zur Unterscheidung der jeweiligen Schicht ist de- ren Brechungsindex n aufgetragen. Es sind alternierend

Schichten 53 aus GaAs mit einem Brechungsindex von n ~ 3,5 und Schichten 55 aus AlAs mit einem Brechungsindex von n « 2,95 vorhanden. Die Beschichtungsensembles der Figuren 8a bis 8e unterscheiden sich voneinander in den obersten drei Schichten. Als "oben" wird das freie Beschichtungsende - der Übergang zur Luft - bezeichnet. Die unterste Teilabbildung r zeigt jeweils den Verlauf der Reflexion R des betreffenden gesamten Beschichtungsensembles über der Wellenlänge Lambda in Mikrometer (μm) der einfallenden Strahlung.

In Figur 8a ist die oberste Schicht 56 eine GaAs-Schicht mit einer optischen Schichtdicke einer Halbwellenlänge bezo- gen auf 1,064 μm (Freiraumwellenlänge), welche eine Absorber¬ teilschicht 57 aus InGaAs mit einem Brechungsindex von n « 3,6 enthält. Als Freiraumwellenlänge wird die Wellenlänge im freien Raum (Vakuum) verstanden. In der betreffenden Schicht ändert sich jedoch gemäß dem vorhandenen Brechungsin- dex der Wert der Wellenlänge entsprechend. Die Lage der Ab¬ sorberteilschicht 57 ist derart gewählt, daß sie im Maximum des Intensitätsverlaufs einer Resonatorwelle liegt. Diese La¬ ge sowie den gesamten normierten Intensitätsverlauf 59a der Laserresonatorwelle im Beschichtungsensemble zeigt die Teil- abbildung α der Figur 8a. Eine in bezug auf die Beschich- tungsdickenabmessungen vergrößerte Darstellung für die oberen Beschichtungsteilschichten zeigt die Teilabbildung ß in Figur 8a. Hier ist analog zur Teilabbildung α der Intensitätsver¬ lauf mit 59b angegeben.

Ein zu Figur 8a analoges Beschichtungsensemble zeigt Fi¬ gur 8b, wobei hier jedoch die oberste Schicht 60 eine GaAs- Schicht mit der optischen Schichtdicke einer Viertelwellen¬ länge bezogen auf 1,064 μm ist. Die absorbierende Schicht 61 liegt hier ebenfalls in dieser Schicht 60, jedoch am Ort einer bereits abfallenden Intensität 62a bzw. 62b.

Eine hierzu weitere Beschichtungsvariante zeigt Figur 8c. Hier ist die absorbierende Schicht 63 ebenfalls in die ober- ste Schicht 64 eingelagert. In Gegensatz zu den obenbeschrie¬ benen Beschichtungsensembles ist hier die oberste Schicht 64, eine Schicht mit einem niedrigen Brechungsindex, nämlich n « 2,95 aus AlAs. Die optische Schichtdicke entspricht einer Halbwellenlänge bezogen auf 1,064 μm. Die absorbierende Schicht 63 ist annähernd in einem der Intensitatsmaxima, hier im absoluten Intensitätsmaximum 65 angeordnet.

Weitere Varianten von Beschichtungsensembles zeigen die Figuren 8d und 8e. Im Gegensatz zu den obenbeschriebenen ist nun die absorbierende Schicht 68 bzw. 70 nicht mehr in der obersten Schicht, sondern in einer tiefer liegenden, hier beispielsweise in der drittobersten Schicht 67 bzw. 69 einge- bettet. In Figur 8d liegt die absorbierende Schicht 68 annä¬ hernd am Ort eines relativen Intensitätsmaximums. In Figur 8e hingegen liegt die absorbierende Schicht 70 im abfallenden Teil nach einem relativen Intensitätsmaximum.

Die Figuren 8a bis 8e zeigen eine Weg auf, wie die opti¬ male Lage des sättigbaren Absorbers in dem Beschichtungsen¬ semble gefunden werden kann. Bei einer sorgfälltigen Auswahl der Absorberlage kann eine gewünschte Breitbandigkeit in be- zug auf den gewünschten Wellenlängenbereich erzielt werden. In den dargestellten Beispielen ist ein Bereich von 50 nm er¬ reicht worden. Ferner ist die effektive, d.h. von "außen gesehene" Sättigungsintensität im Beschichtungsensemble z. B. erhöhbar, wenn der Absorber tiefer eingebettet wird, wie diese beispielsweise Figur 8d zeigt.

Figur 9 zeigt ein breitbandiges Beschichtungsensemble mit einem sättigbaren Absorber analog zu den oben genannten Aus¬ führungen für die Erzeugung gepulster Laserstrahlung mit Pulsbreiten im 10-fs-Bereich [fs ≡ Femtosekunde (1 fs = 10^~15 Sekunden)] in einem nicht dargestellten Laserresona¬ tor. Als aktives Lasermaterial wird ein (nicht dargestellter) Ti:Saphir-Laser-Kristall mit einer Dicke von 2 mm verwendet. Die Resonatorspiegel sind in einem gegenseitigen Abstand von 10 cm angeordnet, wodurch der Laserstrahldurchmesser in der unten beschriebenen absorbierenden Schicht 36 μm beträgt. Der (nicht dargestellte) Auskoppelspiegel (einer der beiden Reso¬ natorspiegel) koppelt 3% der Laserintensität aus dem Laserre¬ sonator aus. Die in den Figuren 9b und 9c gezeigten Beschich¬ tungsensembles zur Verwendung in dem obenerwähnten, nicht dargestellten Laserresonator weisen im Gegensatz zu den Be¬ schichtungsensembles der Figuren 1, 4 und 8a bis 8e eine me¬ tallische Schicht, hier eine Silberschicht auf. Es können je¬ doch auch andere Metallschichten, wie beispielsweise Gold- schichten vorhanden sein.

Entgegen einem üblichen Beschichtungsverfahren ist hier ein neues, sich grundsätzlich von den bereits bekannten un- terscheidendes Herstellungsverfahren verwendet worden. Bei diesem Verfahren wird nämlich, wie unten beschrieben, die zu unterst liegende Metallschicht als letzte hergestellt. D. h. der Schichtenauftrag erfolgt in einer umgekehrten Reihen¬ folge.

Zur Herstellung des in Figur 9b dargestellten Beschich¬ tungsensembles wird, wie in Figur 9a angedeutet, zuerst auf einem GaAs-Substrat 71 eine 300 nm dicke Al_j-Ga-^_j-As- Schicht 72 mit x=0,65 aufgebracht. Auf diese Schicht 72 wird dann eine 40 nm dicke GaAs-Schicht 73 aufgebracht. Es folgt nun eine weitere 20 nm dicke Schicht 74 aus Al_j-Ga^_j-As- Schicht 72 mit x=0,65. Auf die Schicht 74 wird in einem Tief- temperaturverfahren (400^*C) eine 15 nm dicke GaAs-Absorber- Schicht 75 aufgebracht, dann folgt eine 70 nm dicke AlAs- Schicht 76 und eine 3 nm dicke GaAs-Schicht 77, welche später eine Oxidation der Schicht 76 vermeiden soll. Auf die Schicht 77 kommt dann eine 5 μm dicke Silberschicht 78.

Nach diesem Beschichtungsverfahren wird das beschichtete Substrat 71 in etwa 5 mm x 5 mm große Stücke zerteilt. Diese Stücke werden dann mit einem Zweikomponentenepoxydkleber 79 auf einem Siliziumsubstrat 80 aufgeklebt, um eine ausreichen¬ de Wärmeableitung zu erhalten. Die Stücke werden in einem nächsten Verfahrensschritt bei 80°C acht Stunden lang unter einem Oberflächengewicht von 500 g belastet wärmebehandelt.

Als nächstes wird das GaAs-Substrat 71 auf 100 μm herunterge¬ läppt und mit in Wasserstoffperoxid [NH 0H:H₂0₂ (1:25)] gelö¬ sten Ammoniak mit einer Ätzgeschwindigkeit bei Raumtemperatur von etwa 6 μm pro Minute bis zur Schicht 72 geätzt. Die Schicht 72 wird anschließend mit Flußsäure bis zur Schicht 73 entfernt. Die Schicht 73 wird analog zur Schicht 71 mit in Wasserstoffperoxid [NH₄0H:H₂0₂ (1:200)] gelösten Ammoniak ge¬ ringerer Konzentration weggeätzt. Für eine gute gleichmäßige Ätzung müssen die 5 mm x 5 mm großen Stücke bewegt werden. Zum Schutz der Ecken und der Silberschicht 78 wird während des Ätzvorgangs ein Wachsauftrag verwendet. Die Wachsschutz¬ schicht kann später mit Trichloethylen entfernt werden. Durch die Ätzung sind die für die Herstellung der Beschichtungsen¬ sembles notwendigen Schichten, jedoch optisch nicht verwend¬ baren Schichten entfernt worden. Die oberste Schicht ist nun die Schicht 74.

Das in Figur 9c abgebildete Beschichtungsensemble ist analog zu demjenigen in Figur 9b hergestellt worden. Die Schichten 83, 84, 85 und 86 entsprechen den Schichten 78, 77, 76 und 75 des Beschichtungsensembles der Figur 9b. Im Gegen¬ satz zu demjenigen in Figur 9b ist jedoch hier eine 82 nm dicke AlGaAs-Schicht 87 vorhanden, auf der eine Antireflexbe- schichtung 89 mit Schutzschicht 90 sitzt. In den Figuren 9b und 9c ist jeweils der örtliche Verlauf der Intensität mit dem Bezugszeichen 91a bzw. 91b eingezeichnet.

Das in Figur 9b dargestellte Beschichtungsensemble arbei¬ tet im (nicht dargestellten) Laserresonator mit geringer Güte in Antiresonanz. Hierdurch wird eine ultrakurze Pulsbreiten¬ begrenzung (ultrashort-pulse-width limitation) , hervorgerufen durch eine vergrößerte Wellenlängen abhängige Reflexionsände- rung und eine vergrößerte Gruppengeschwindigkeitsdispersion, vermieden [siehe beispielsweise L.R.Brovelli, U. Keller, T.H.Chiu, J.Opt.Soc.Am. B 12, 311 (1995)]. Die Reflexion des Beschichtungsensembles ist größer 94% bei 800 nm. Der Refle¬ xionsverlauf zeigt nur eine geringe Wellenlängenabhängigkeit im Bereich zwischen 700 nm und 1200 nm.

Anstelle in Antiresonanz zu arbeiten, kann auch mit dem in Figur 9c dargestellten Beschichtungsensemble in Resonanz gearbeitet werden.

Ein Beispiel für ein Beschichtungsensemble mit III-V- Halbleiter- und Fluoridschichten zeigt für eine Laserwellen¬ länge von 1,4 μm Figur 10. Es sind hier drei je 220 nm dicke Schichten 94a bis 94c aus BaF vorn und hinten (sandwichar¬ tig) mit jeweils 10 nm dicken einer CaF₂-Schicht 93a bis 93c versehen. Zwischen diesen "Sandwiches" ist jeweils eine GaAs- Viertelwellenschicht 97a bis 97c (100 nm Schichtdicke) ange- ordnet. Auf einem GaAs-Substrat 96 ist in einem Beschich- tungsprozess eine Schicht aus GaAs 95 aufgebacht. Die Schicht 95 dient nur dazu ein gutes Halten und Aufwachsen für die nachfolgenden Schichten zu ermöglichen.

Der Brechungsindexunterschied zwischen CaF₂ und BaF₂ ist gering, jedoch hat BaF₂ eine große Elastizitätskonstante, was die Ausbildung von Rissen in der Beschichtung während des Ab¬ kühlvorgangs stark verringert. Auch auf bzw. in diesem Be¬ schichtungsensemble können Schichten mit sättigbarem Absorber integriert werden. Für kürzere Wellenlängen wird bevorzugt anstelle von GaAs, AlGaAs verwendet; GaAs zeigt Absortion un¬ ter 900 nm.

Die obenbeschriebenen Beschichtungsensembles mit Schich- ten aus GaAs/AlAs oder AlGaAs/AlAs weisen im Gegensatz zu denjenigen mit CaF₂ und BaF₂ für einen Ti-Saphir-Laser eine etwas zu kleine Bandbreite auf, um dessen Bandbreite voll ausnützen zu können. Für einen breitbandigen Ti-Saphir-Laser wird man demzufolge auf ein Beschichtungsensemble mit CaF₂ und BaF₂ zurückgreifen. Gegenüber dem obenbeschriebenen Be¬ schichtungsensemble mit Metallschicht besteht hier der Vor¬ teil in einem epitaktischen Aufeinanderaufwachsen der Schich¬ ten.

Als Halbleitermaterialien können beispielsweise GaAs, AlGaAs, InGaAs, GalnP, GalnAsP usw. und als Fluoride CaF , BaF₂, SrF₂, ... verwendet werden.

Neben den in den Figuren 5 und 7 dargestellten Resonator- konfigurationen können auch noch andere verwendet werden. Der in Figur 11 dargestellte Resonator hat einen Laserkri¬ stall 99, durch dessen eines für die Laserwellenlänge ver- spiegeltes Ende 100 hindurch gepumpt wird. Die mit dem Laser- kristall 99 erzeugte Resonat rwelle 101 wird über die Umlenk¬ spiegel 102, 103 und 104 umgelenkt. Der Laserkristall 99 wird mit dem Pumplichtstrahl 98 optisch gepumpt. Der sättigbare Absorber mit einem der obenbeschriebenen Beschichtungsensem- bleε ist als Resonatorendspiegel 105 angeordnet. Die Laser¬ strahlung wird am Umlenkspiegel 103 ausgekoppelt.

Der Laserresonator gemäß Figur 12 hat ebenfalls einen sättigbaren Absorber in einem der obenbeschriebenen Beschich- tungsensembles. Das Beschichtungsensemble 107 ist in den Re¬ sonatorendspiegel integriert. Ferner hat der Resonator einen Endspiegel 112 und vier Umlenkspiegel 108 bis 111, wobei das Element 110 gleichzeitig aktives Medium (Laserkristall) und Spiegel in einem ist. Laserenergie wird über den Endspie- gel 112 teilweise ausgekoppelt. Das optische Pumpen des Laserkristalls 110 erfolgt über den Pumplichtstrahl 114.

Einen miniaturisierten Laserresonator zur Erzeugung kur¬ zer Pulse analog den bereits obenbeschriebenen Resonatoren, zeigt Figur 13. Auf einem Montageplättchen 113 ist ein Be¬ schichtungsensemble 115 mit sättigbarem Absorber gemäß einer der obengenannten Ausführungen als Resonatorendspiegel aufge¬ bracht. Direkt auf diesem Beschichtungsensemble 115 ist der Laserkristall 117 aufgesetzt. (Es könnte aber auch der Kri- stall an der mit 116 gekennzeichneten Stelle mit dem Be¬ schichtungsensemble versehen sein.) Die Dicke von etwa 200 μm des Laserkristalls 117 plus die "Eindringtiefe" der Strahlung in das Beschichtungsensemble bestimmen die Resonatorlänge. Direkt auf der dem Ensemble 115 gegenüberliegenden Seite des Laserkristalls 117 ist der Auskoppelspiegel 119 mit entspre¬ chender Beschichtung für den auszukoppelnden Laserstrahl 121 und für eine Einkopplung des Pumplichtstrahls 122 angeordnet. Laserstrahl 121 und Pumplichtstrahl 122 werden durch einen entsprechend beschichteten Strahlteiler 123 voneinander ge- trennt.

Claims

Patentansprύche

1. Optische Komponente zur bevorzugten Verwendung innerhalb eines Laserresonators (20, 2324a, 24b, 25a, 25b; 43, 45,

47, 50a, 50b; 100, 99, 102, 103, 104, 105; 107, 108, 109, 110, 111, 112; 115, 117, 119) zur Erzeugung gepulster La¬ serstrahlung, insbesondere von gepulster Strahlung im Mikro- bis Fe tosekunden-Bereich, gekennzeichnet durch ein als sättigbarer Absorber wirkendes mehrschichtig pha¬ sengekoppeltes Beschichtungsensemble (1; 42; 53, 55, 56, 57; 53, 55, 60, 61; 53, 55, 63, 64; 53, 55, 67, 68; 53, 55, 60, 70; 115) mit wenigstens einer sättigbar absorbierenden Schicht (6, 39).

2. Optische Komponente nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich¬ net, daß das Beschichtungsensemble (1; 42; 53, 55, 56, 57; 53, 55, 60, 61; 53, 55, 63, 64; 53, 55, 67, 68; 53, 55, 60, 70; 115) als Vergütungsbeschichtung auf we- nigstens einer der im Resonatorstrahlengang befindlichen Komponenten ausgebildet ist.

3. Optische Komponente nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge¬ kennzeichnet, daß das Beschichtungsensemble (1; 42; 53, 55, 56, 57; 53, 55, 60, 61; 53, 55, 63, 64; 53, 55, 67, 68; 53, 55, 60, 70; 115) die Beschichtung wenigstens eines der Resonatorspiegel (19, 20; 43, 45; 105; 107; 115) ist.

4. Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 3, da¬ durch gelennzeichne , daß wenigstens eine der im wesentlichen ein absorbierendes Material enthaltenden Schicht (6, 39; 57; 61; 63; 68; 70) an dem Ort bzw. den Orten der Schichtenfolge angeordnet ist bzw. sind, an dem bzw. an denen eine hohe

Strahlungsintensitätsstärkeänderung und eine hohe Absorp¬ tionsänderung in wenigstens einem Frequenzteilbereich der Resonatorstrahlung sich ergibt.

5. Optische Komponente nach Anspruch 4, dadurch gekennzeich¬ net, daß die Schichtenfolge, deren Materialien und deren optische Schichtdicken derart ausgewählt sind, daß das Beschichtungsensemble (1; 42; 53, 55, 56, 57; 53, 55, 60, 61; 53, 55, 63, 64; 53, 55, 67, 68; 53, 55, 60, 70; 115) einen vorgegebenen Reflexions- bzw. Transmissionsverlauf über der Frequenz der Resonatorwellen aufweist.

6. Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 5, da¬ durch gekennzeichnet, daß das Schichtmaterial zur sättigbaren Absorption (6, 39; 57; 61; 63; 68; 70) ein Halbleitermaterial insbesondere im wesentlichen Galliumarsenid, Galliumaluminiumarsenid oder Galliumindiumarsenid ist.

7. Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 7, da¬ durch gekennzeichnet, daß das Material des Beschichtungsensembles (1; 42; 53, 55, 56, 57; 53, 55, 60, 61; 53, 55, 63, 64; 53, 55, 67, 68; 53, 55, 60, 70; 115) im wesentlichen aus unterschiedlichen Halbleitermaterialien besteht und bevorzugt Arsen, insbesondere ein Metall oder in einer besonderen Ausführungsform wenigstens ein Fluorid als wesentlichen Verbindungspartner enthält.

8. Optische Komponente nach einem der Ansprüche 1 bis 7, da¬ durch gekennzeichnet, daß die Schichtenfolgen des Beschichtungsensembles derart ausgebildet sind, daß sich für eine einfallende Resonatorstrahlung eine negative Dispersion der Gruppengeschwindigkeit (negative group- delay dispersion; negative group velocity dispersion) ergibt.

9. Optische Komponente nach Anspruch 7 und 8, dadurch ge¬ kennzeichnet, daß wenigstens in einem Teil der Schichten des Beschichtungsensembles (1; 42; 53, 55, 56, 57; 53, 55, 60, 61; 53, 55, 63, 64; 53, 55, 67, 68; 53, 55, 60, 70; 115) ein Prozentanteil an Aluminium beigegeben ist, wobei der Aluminiumanteil entsprechend der Mittenfrequenz der Resonatorstrahlung derart eingestellt wird, daß in den zur sättigbaren Absorption vorgesehenen Schichten sich eine sättigbare Absorption zusammen mit der gefor¬ derten negativen Gruppengeschwindigkeitsdispersion zur Erzeugung extrem kurzer modegelockter Pulse ergibt.

10. Laser zur Erzeugung kurzer Pulse, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine optische Komponente in Laserresonator (20, 2324a, 24b, 25a, 25b; 43, 45, 47, 50a, 50b; 100, 99, 102, 103, 104, 105; 107, 108, 109, 110, 111, 112; 115, 117, 119) gemäß Patentanspruch 1 ausgebildet ist.

11. Laser zur Erzeugung kurzer Pulse, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine optische Komponente in Laserresonator (20, 2324a, 24b, 25a, 25b; 43, 45, 47, 50a, 50b; 100, 99, 102, 103, 104, 105; 107, 108, 109, 110, 111, 112; 115, 117, 119) gemäß Patentanspruch 8 ausgebildet ist.