WO1993020263A1 - Method of metallizing non-conducting surfaces, in particular circuit boards - Google Patents

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WO1993020263A1
WO1993020263A1 PCT/DE1993/000309 DE9300309W WO9320263A1 WO 1993020263 A1 WO1993020263 A1 WO 1993020263A1 DE 9300309 W DE9300309 W DE 9300309W WO 9320263 A1 WO9320263 A1 WO 9320263A1
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treatment
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colloidal
metallization
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PCT/DE1993/000309
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Reinhard Deboer
Hans-Joachim Grapentin
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Atotech Deutschland Gmbh
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Definitions

  • the invention relates to a method for metallizing non-conductors.
  • Newer processes for the metallization of non-conductors are based on the fact that polypyrrole is a conductive polymer.
  • This polypyrrole can be applied as a first layer to a non-conductor instead of "chemical copper", followed by the galvanic metallization processes, for example galvanic copper plating.
  • EP-AI 0 206 133, DE-OS 39 31 003, DE-PS 38 06 884 and PCT / DE 00920 (WO 91/08324) methods for the direct metallization of non-conductor surfaces by the application of a treatment with oxidizing agents, for example potassium permanganate, and a heterocycle solution, for example pyrrole solution.
  • oxidizing agents for example potassium permanganate
  • a heterocycle solution for example pyrrole solution.
  • a conductive organic polymer for example polypyrrole
  • This polymeric conductive layer adheres firmly to the surface of the non-conductor and can be galvanized immediately.
  • a conductive polymer layer on non-conductors can only be produced if an adhesive layer of oxidizing agents has been applied beforehand.
  • the method is used that the non-conductor is treated with an alkaline permanganate solution, in particular when an epoxide is used as the non-conductor, this is oxidized and a manganese dioxide layer is formed on the surface, which in turn serves as an oxidizing agent for the formation of conductive polymers (when contacting) with heterocycles).
  • cyanate esters such as cyanate esters, higher crosslinked epoxides with a Tg higher than 140 ° C, epoxies with BT additives, Teflon, certain polyimides and polyamides, polystyrenes, polyethylenes, polycarbonates, block merisates made of acrylonitrile butadiene Styrrole (ABS), polyester or polysulfones, or also fillers such as glass, ceramic, aluminum oxide, titanium dioxide or barium sulfate form a layer of manganese dioxide directly and easily with the permanganate solution.
  • ABS acrylonitrile butadiene Styrrole
  • fillers such as glass, ceramic, aluminum oxide, titanium dioxide or barium sulfate form a layer of manganese dioxide directly and easily with the permanganate solution.
  • the object of the invention is to provide a method in which a uniform and homogeneous metallization can be achieved in the shortest time, in particular in the drill sleeves, and which is suitable for processing almost all conventional non-conductor materials. This problem is solved according to the teaching of the claims.
  • a noble metal-containing solution in particular palladium-containing solution, optionally contain one or more reducing agents,
  • the invention includes the use of a noble metal-containing solution, in particular a palladium-containing solution, as a process step together with the steps of a manganate and / or permanganate and pyrrole treatment in the metalization of non-conductors, in particular printed circuit boards.
  • a noble metal-containing solution in particular a palladium-containing solution
  • cleaners and / or etching cleaners all commercially available products can be used as cleaners and / or etching cleaners.
  • solutions which contain persulfate and / or acid, in particular sodium persulfate and mi mineral acid, such as sulfuric acid.
  • the treatment of the non-conductor with a chelating agent or an ionogenic organic compound generally takes place with nitrogen-containing derivatives.
  • These derivatives can be used with advantage, which are already described as conditioning agents for the treatment of base materials in the documents DE-OS 35 30 617 and DE-OS 41 12 462.
  • These are quaternary organic nitrogen compounds that can contain a vinyl or allyl group.
  • the corresponding polymeric compounds can also be used (polymerized via the respective vinyl or allyl groupings).
  • N-methyl-N * -vinyl-imidazolinium metosulfate N-methyl-N'-vinyl-pyrrolidonium chloride, N-allylimidazolium iodide, N-methyl-N'-vinyl- ⁇ -caprolactam quarter salt, N-butyl-N'-allylbenzimidazolinium methosulfate, the copolymer of N-methyl-N'-vinylimidazolinium methochloride and vinylpyrrolidone, and the homopolymers of the listed types of compounds or other salts.
  • Suitable chelating agents are, for example, ethanolamine, triethanolamine, amino acids (e.g. glycine) or hard complexing agents, such as EDTA.
  • a noble metal-containing solution in particular a palladium-containing solution, optionally containing one or more reducing agents, is carried out after the treatment with an ionogenic organic compound.
  • All commercially available products can likewise be used as noble metal-containing solutions, it being irrelevant whether the respective noble metal is in colloidal form, is stabilized with tin or organic polymer or is ionic, for example described in EP-A-0317 092, PCT / DE 90/00845 and DE-Al 16 18 299.
  • These activations by means of catalysts containing noble metals can be carried out in one or more stages.
  • the noble metal-containing solution may be sensitive to oxidation, so it can be used to redissolve the palladium, e.g. B. come as palladium chloride.
  • the introduction of oxidizing agents is prevented by treating the non-conductor with a dilute solution of a reducing agent before the treatment with the metal colloid.
  • the embodiment in which the reduction potential in the metal colloid solution is permanently monitored by means of an electrode and is kept at a constant value by the reducing agent by means of automatic replenishment.
  • treatment with a manganate and / or an ananate solution follows.
  • a solution which contains manganate in the concentration 10-75 g / 1, permanganate in a concentration 30-150 g / 1, and sodium hydroxide in a concentration of 40-70 g / 1.
  • solutions which contain only manganate or only permanganate.
  • the treatment with manganate / permanganate solution can also take place in an acidic medium, in particular a weakly acidic medium.
  • the next step in the process is treatment with a weakly acidic pyrrole solution.
  • the pH of such a solution is usually between pH 1.5 - 4.00.
  • this step can also be carried out in two stages. Either treatment is carried out first with a pyrrole solution and then with an acid solution (described in DE-PS 38 06 884) or first with an acid solution and then with a pyrrole solution.
  • the one-step method has given the best results.
  • the subsequent galvanic metal deposition is carried out using known galvanic baths.
  • all metals or alloys that can be deposited by electroplating can be deposited.
  • copper electrolytes are preferably used.
  • Sulfuric acid copper baths with a content of 50-300 g / 1 sulfuric acid and a metal content of 5-50 g / 1 are particularly preferred.
  • fluoroboric acid, hydrochloric acid thiosulfate- or pyrophosphate-containing or cyanide electrolytes, as well as electrolytes based on sulfonamides and organic sulfonic acids have proven to be well suited.
  • Electrolytes are operated under the usual conditions, namely in the temperature range between 20 and 70 ° C., with current densities between 0.1 and 20 A / dm 2 .
  • the time of the galvanic deposition can be shortened considerably, namely in particularly favorable cases to ⁇ 2 min. This gives uniform, closed and, moreover, firmly adhering metal layers which have no defects either in the so-called transmitted light test.
  • the plated-through circuits produced according to the invention can be processed in a known manner. For example, a further build-up of metallic layers can be carried out galvanically, so that copper layers of 25-40 ⁇ m are formed, which are then covered with further metallic layers which are applied to the printed circuit boards as etching resists .
  • the etch-back is independent of whether it is a plasma, permanganate-sulfuric acid, chromic acid process or a corresponding combination process.
  • the bores of the circuit board pretreated in this way, in which epoxy was etched back and the filler glass was exposed, are metallized using the following methods.
  • Etching cleaning e.g. based on 0.5 min 30 sodium persulfate / sulfuric acid
  • the current density was kept constant at 2 A / dm 2 for simplification.
  • a conventional cleaner suitable for epoxy but not containing any of the compounds described with conditioning properties was used as the cleaner.
  • Example 1 was repeated, 2 g / 1 Basotronic PVI R (product from BASF AG) being added to the cleaner.
  • Example 3 was repeated using an acidic potassium permanganate solution (pH 4) which was stabilized with phosphoric acid.
  • Epoxy with Tg> 130 ° C special epoxy (CEM 3), polyimide (glass), polyamide, acrylonitrite-butadiene-styrene block polymer (ABS), ceramic, Teflon and cyanate ester.
  • Examples 3-6 were carried out both in diving, gushing and flooding.

Abstract

The method proposed for metallizing non-conducting surfaces is characterized by the following operations: a) treatment of the surface with a chelating agent and/or an organic ionogenic compound; b) treatment with a solution containing a precious metal plus, optionally, one or more reducing agents; c) treatment with a solution containing manganate and/or permanganate; d) treatment with an acid solution containing monomeric and/or oligomeric pyrrole compounds; e) electrolytic metallization.

Description

Verfahren zur Metallisierung von Nichtleitern/ insbesondere von LeiterplattenProcess for metallizing non-conductors / especially printed circuit boards
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Metallisierung von Nichtleitern.The invention relates to a method for metallizing non-conductors.
Verfahren zur Herstellung von Nichtleitern, insbesondere durch- kontaktierter Leiterplatten, sind innerhalb des Standes der Technik bekannt. Innerhalb der Schriften DE-PS 37 41 459 und EP- AI 0398 019 werden Verfahren beschrieben, bei dem katalytisch aktivierte Oberflächen des Basismaterials erzeugt werden, bei dem die katalytisch aktivierten Oberflächen vor der galvanischen Metallabscheidung konditioniert werden. Diese Konditionierung erfolgt mit einer Lösung, enthaltend eine oder mehrere polymere organische ionogene Verbindungen. Die Lehre dieser Schriften beinhalten ebenfalls die Aktivierung mittels edelmetallhaltiger, kolloidaler, ionogener oder nicht ionogener Katalysatoren, ins¬ besondere die bekannten Katalysatoren auf Basis von Palladium und/oder Zinn.Methods for the production of non-conductors, in particular plated-through circuit boards, are known within the prior art. Processes are described in the documents DE-PS 37 41 459 and EP-AI 0398 019 in which catalytically activated surfaces of the base material are produced, in which the catalytically activated surfaces are conditioned before the galvanic metal deposition. This conditioning is carried out with a solution containing one or more polymeric organic ionogenic compounds. The teaching of these documents also includes activation by means of precious metal-containing, colloidal, ionogenic or non-ionic catalysts, in particular the known catalysts based on palladium and / or tin.
Neuere Verfahren zur Metallisierung von Nichtleitern basieren auf dem Umstand, daß Polypyrrol ein leitfähiges Polymer dar¬ stellt. Dieses Polypyrrol kann anstelle von "Chemisch-Kupfer" als erste Schicht auf einen Nichtleiter aufgetragen werden, daran anschließen sich dann die galvanischen Metallisierungsver¬ fahren, beispielsweise galvanisches Verkupfern. Innerhalb der Schriften EP-AI 0 206 133, DE-OS 39 31 003, DE-PS 38 06 884 und PCT/DE 00920 (WO 91/08324) werden Verfahren zur Direktmetallisierung von Nichtleiteroberflächen durch die Anwen¬ dung einer Behandlung mit Oxidationsmitteln, beispielsweise Kaliumpermanganat, und einer heterocyclen-Lösung, beispielsweise Pyrrol-Lösung beschrieben. Bei der Durchführung dieses Verfah¬ rens scheidet sich auf der Nichtleiteroberfläche ein leitfähiges organisches Polymer, beispielsweise Polypyrrol, ab. Diese poly- ere leitfähige Schicht haftet fest auf der Oberfläche des Nichtleiters und kann sofort galvanisch metallisiert werden.Newer processes for the metallization of non-conductors are based on the fact that polypyrrole is a conductive polymer. This polypyrrole can be applied as a first layer to a non-conductor instead of "chemical copper", followed by the galvanic metallization processes, for example galvanic copper plating. Within the documents EP-AI 0 206 133, DE-OS 39 31 003, DE-PS 38 06 884 and PCT / DE 00920 (WO 91/08324) methods for the direct metallization of non-conductor surfaces by the application of a treatment with oxidizing agents, for example potassium permanganate, and a heterocycle solution, for example pyrrole solution. When this process is carried out, a conductive organic polymer, for example polypyrrole, is deposited on the non-conductor surface. This polymeric conductive layer adheres firmly to the surface of the non-conductor and can be galvanized immediately.
Gemäß der Lehre dieser Schriften kann eine leitfähige Polymer¬ schicht auf Nichtleitern nur dann erzeugt werden, wenn vorher eine haftende Schicht von Oxidationsmitteln aufgebracht wird. Üblicherweise bedient man sich der Methode, daß der Nichtleiter mit einer alkalischen Permanganatlösung behandelt wird, wobei insbesondere bei Verwendung eines Epoxids als Nichtleiter dieses oxidiert wird und auf der Oberfläche eine Mangandioxidschicht ausgebildet wird, die wiederum als Oxidationsmittel zur Bildung von leitfähigen Polymeren dient (bei Kontaktierung mit Heterocy- clen) .According to the teaching of these documents, a conductive polymer layer on non-conductors can only be produced if an adhesive layer of oxidizing agents has been applied beforehand. Usually, the method is used that the non-conductor is treated with an alkaline permanganate solution, in particular when an epoxide is used as the non-conductor, this is oxidized and a manganese dioxide layer is formed on the surface, which in turn serves as an oxidizing agent for the formation of conductive polymers (when contacting) with heterocycles).
Nicht alle Materialien, so beispielweise Cyanatester, höher ver¬ netzte Epoxide mit höherem Tg als 140 °C, Epoxide mit BT-Zusät- zen, Teflon, bestimmte Polyimide und Polyamide, Polystyrrole, Polyethylene, Polycarbonate, Blockmerisate aus Acrylnitril-Buta- dien-Styrrol (ABS) , Polyester oder Polysulfone, oder auch Füll¬ stoffe wie Glas, Keramik, Aluminiumoxid, Titandioxid oder Bari¬ umsulfat bilden direkt und problemlos mit der Permanganatlösung eine Schicht von Braunstein. Es besteht somit innerhalb des Standes der Technik der Bedarf, auch diese Materialien problem¬ los bearbeiten zu können.Not all materials, such as cyanate esters, higher crosslinked epoxides with a Tg higher than 140 ° C, epoxies with BT additives, Teflon, certain polyimides and polyamides, polystyrenes, polyethylenes, polycarbonates, block merisates made of acrylonitrile butadiene Styrrole (ABS), polyester or polysulfones, or also fillers such as glass, ceramic, aluminum oxide, titanium dioxide or barium sulfate form a layer of manganese dioxide directly and easily with the permanganate solution. There is therefore a need within the prior art to also be able to process these materials without problems.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren bereit zu stellen, bei dem eine gleichmäßige und homogene Metallisierung, in der kürzesten Zeit, insbesondere in den Bohrhülsen, erreicht werden kann und das sich zur Bearbeitung fast aller üblichen Nichtlei¬ termaterialien eignet. Gelöst wird diese Aufgabe gemäß der Lehre der Patentansprüche.The object of the invention is to provide a method in which a uniform and homogeneous metallization can be achieved in the shortest time, in particular in the drill sleeves, and which is suitable for processing almost all conventional non-conductor materials. This problem is solved according to the teaching of the claims.
Das erfindungsgemäße Verfahren zur Metallisierung von Nichtlei¬ tern zeichnet sich durch die folgenden Verfahrensschritte aus:The method according to the invention for metallizing non-conductors is characterized by the following method steps:
a) Gegebenenfalls Behandlung des Nichtleiters mit einem Reini¬ ger und/oder Ätzreiniger,a) optionally treating the non-conductor with a cleaner and / or etching cleaner,
b) Behandlung des Nichtleiters mit einem Chelatbildner und/oder einer ionogenen organischen Verbindung,b) treatment of the non-conductor with a chelating agent and / or an ionogenic organic compound,
c) Behandlung mit einer edelmetallhaltigen Lösung, insbesondere palladiumhaltigen Lösung, enthalten gegebenenfalls ein oder mehrere Reduktionsmittel,c) treatment with a noble metal-containing solution, in particular palladium-containing solution, optionally contain one or more reducing agents,
d) Behandlung mit einer manganat- und/oder permanganathaltigen Lösung,d) treatment with a solution containing manganate and / or permanganate,
e) Behandlung mit einer sauren heterocyclenhaltigen Lösung, insbesondere PyrroUösung,e) treatment with an acidic heterocycle-containing solution, in particular pyrrole solution,
f) elektrolytische Metallisierung.f) electrolytic metallization.
Desweiteren beinhaltet die Erfindung die Verwendung einer edel- metallhaltigen Lösung, insbesondere einer palladiumhaltigen Lö¬ sung, als Verfahrensschritt zusammen mit den Schritten einer Manganat- und/oder Permanganat- und Pyrrolbehandlung bei der Me¬ tallisierung von Nichtleitern, insbesondere von Leiterplatten.Furthermore, the invention includes the use of a noble metal-containing solution, in particular a palladium-containing solution, as a process step together with the steps of a manganate and / or permanganate and pyrrole treatment in the metalization of non-conductors, in particular printed circuit boards.
Es hat sich herausgestellt, daß das erfindungsgemäße Verfahren mit Vorteil in horizontalen Durchlaufanlagen, die kontinuierlich betrieben werden, verwendet werden kann.It has been found that the method according to the invention can advantageously be used in horizontal continuous systems which are operated continuously.
Innerhalb des erfindungsgemäßen Verfahrens lassen sich als Rei¬ niger und/oder Ätzreiniger alle handelsüblichen Produkte verwen¬ den. Mit Vorteil finden solche Lösungen Anwendung, die Persulfat und/oder Säure enthalten, insbesondere Natriumpersulfat und Mi- neralsäure, wie z.B. Schwefelsäure.Within the process according to the invention, all commercially available products can be used as cleaners and / or etching cleaners. Such solutions which contain persulfate and / or acid, in particular sodium persulfate and mi mineral acid, such as sulfuric acid.
Die Behandlung des Nichtleiters mit einem Chelatbildner oder ei¬ ner ionogenen organischen Verbindung findet in der Regel mit stickstoffhaltigen Derivaten statt. Mit Vorteil lassen sich diese Derivate einsetzen, die bereits als Konditionierungsmittel für die Behandlung von Basismaterialien in den Schriften DE-OS 35 30 617 und DE-OS 41 12 462 beschrieben werden. Es handelt sich dabei um guarternäre organische StickstoffVerbindungen, die eine Vinyl- oder Allylgruppe enthalten können. Es lassen sich aber auch die entsprechenden polymeren Verbindungen einsetzen (polymerisiert über die jeweiligen Vinyl- oder Allylgruppierun- gen) . Es eignen sich beispielsweise das N-Methyl-N*-Vinyl-Imida- zoliniummetosulfat, N-Methyl-N'-Vinyl-Pyrrolidoniumchlorid, N- Allylimidazoliumjodid, N-Methyl-N'-Vinyl-Σ-Caprolactam-Quarter- salz, N-Butyl-N'-Allylbenzimidazoliniummethosulfat, das Co- polymerisat aus N- Methyl-N'-Vinylimidazoliniummethochlorid und Vinylpyrrolidon sowie die Homopolymerisate der aufgeführten Verbindungstypen oder anderer Salze.The treatment of the non-conductor with a chelating agent or an ionogenic organic compound generally takes place with nitrogen-containing derivatives. These derivatives can be used with advantage, which are already described as conditioning agents for the treatment of base materials in the documents DE-OS 35 30 617 and DE-OS 41 12 462. These are quaternary organic nitrogen compounds that can contain a vinyl or allyl group. However, the corresponding polymeric compounds can also be used (polymerized via the respective vinyl or allyl groupings). Examples of suitable are the N-methyl-N * -vinyl-imidazolinium metosulfate, N-methyl-N'-vinyl-pyrrolidonium chloride, N-allylimidazolium iodide, N-methyl-N'-vinyl-Σ-caprolactam quarter salt, N-butyl-N'-allylbenzimidazolinium methosulfate, the copolymer of N-methyl-N'-vinylimidazolinium methochloride and vinylpyrrolidone, and the homopolymers of the listed types of compounds or other salts.
Als Chelatbildner eignen sich beispielsweise Ethanolamin, Triethanolamin, Aminosäuren (z.B. Glycin) oder harte Kom¬ plexbildner, wie EDTA.Suitable chelating agents are, for example, ethanolamine, triethanolamine, amino acids (e.g. glycine) or hard complexing agents, such as EDTA.
Die Behandlung mit einer edelmetallhaltigen Lösung, insbesondere palladiumhaltigen Lösung, enthaltend gegebenenfalls ein oder mehrere Reduktionsmittel, erfolgt im Anschluß an die Behandlung mit einer ionogenen organischen Verbindung. Als edelmetallhal- tige Lösungen können ebenfalls alle handelsüblichen Produkte An¬ wendung finden, wobei es unabhängig davon ist, ob das jeweilige Edelmetall in kolloidaler Form vorliegt, mit Zinn oder organi¬ schen Polymer stabilisiert ist oder ionogen vorliegt, z.B.beschrieben in EP-A-0317 092, PCT/DE 90/00845 und DE-Al 16 18 299. Diese Aktivierungen mittels edelmetallhaltigem Katalysa¬ toren können in einer oder mehreren Stufen durchgeführt werden. Als besonders geeignet hat sich eine Lösung erwiesen, bestehend aus:The treatment with a noble metal-containing solution, in particular a palladium-containing solution, optionally containing one or more reducing agents, is carried out after the treatment with an ionogenic organic compound. All commercially available products can likewise be used as noble metal-containing solutions, it being irrelevant whether the respective noble metal is in colloidal form, is stabilized with tin or organic polymer or is ionic, for example described in EP-A-0317 092, PCT / DE 90/00845 and DE-Al 16 18 299. These activations by means of catalysts containing noble metals can be carried out in one or more stages. A solution consisting of:
20 - 2000 mg/1 Palladium, vorzugsweise 100 mg/1, stabilisiert mit einem Polyvinylpyrrolidon mit einem Molekulargewichtsbereich von 1000 - 10.000.000, vorzugsweise 10.000. Das Verhältnis Me¬ tall zu Polymer kann zwischen 3 : 1 und 1 : 100 betragen, vor¬ zugsweise 1 : 10. Die Herstellung derartiger edelmetallhaltiger Kolloide ist beschrieben in den Schriften EP-A1-0 187 962 und EP-A1-0 163 831.20-2000 mg / 1 palladium, preferably 100 mg / 1, stabilized with a polyvinylpyrrolidone with a molecular weight range of 1000-10,000,000, preferably 10,000. The ratio of metal to polymer can be between 3: 1 and 1: 100, preferably 1:10. The production of such colloids containing noble metals is described in the documents EP-A1-0 187 962 and EP-A1-0 163 831 .
Die Anwendungen dieser edelmetallhaltigen Lösungen sind aus ökonomischen und ökologischen Gründen mit Vorteil in Wasser möglich. Anwendungen finden aber auch Lösungsmittel oder Lösungsmittelgemische, die untereinander und mit Wasser mischbar sind. Der vorteilhafte pH-Wert dieser Aktivierungslösungen liegt zwischen pH 1 - 3, vorzugsweise zwischen 1,5 - 2,0. Gearbeitet wird in der Regel bei einer Temperatur zwischen 30 - 80 °C, vor¬ zugsweise 30 - 50 °C.The use of these solutions containing precious metals is advantageously possible in water for economic and ecological reasons. However, solvents or solvent mixtures that can be mixed with one another and with water are also used. The advantageous pH of these activation solutions is between pH 1-3, preferably between 1.5-2.0. The work is usually carried out at a temperature between 30-80 ° C, preferably 30-50 ° C.
Die edelmetallhaltige LösungJann oxidationsempfindlich sein, daher kann es zur Wiederauflösung des Palladiums, z. B. als Palladiumchlorid, kommen. Das Eintragen von Oxidationsmitteln wird durch Behandeln des Nichtleiters mit einer verdünnten Lö¬ sung eines Reduktionsmittels vor der Behandlung mit dem Metall¬ kolloid verhindert. Zusätzlich kann ist es vorteilhaft sein, zu dem Metallkolloid regelmäßig geringe Mengen Reduktionsmittel zu¬ zusetzen oder allgemein reduzierende Bedingungen zu wählen. Be¬ sonders hervorzuheben ist die Ausführungsform, bei der mittels einer Elektrode das Reduktionspotential in der Metallkolloidlö¬ sung permanent überwacht und durch automatische Nachdosierung vom Reduktionsmittel auf einem konstanten Wert gehalten wird. Diese Vorgehensweise hat sich insbesondere bei den Reduktionsmitteln (wie z. B. BorwasserstoffVerbindungen und Hy- pophosphit) als vorteilhaft erwiesen, die durch das Edelmetall¬ kolloid katalytisch zersetzt werden können. In diesem Fall über¬ nimmt der bei der Zersetzung entstehende Wasserstoff die Oxida- tionspufferung gegen das Oxidationsmittel.The noble metal-containing solution may be sensitive to oxidation, so it can be used to redissolve the palladium, e.g. B. come as palladium chloride. The introduction of oxidizing agents is prevented by treating the non-conductor with a dilute solution of a reducing agent before the treatment with the metal colloid. In addition, it can be advantageous to regularly add small amounts of reducing agent to the metal colloid or to select generally reducing conditions. Particularly noteworthy is the embodiment in which the reduction potential in the metal colloid solution is permanently monitored by means of an electrode and is kept at a constant value by the reducing agent by means of automatic replenishment. This procedure has proven to be particularly advantageous for the reducing agents (such as, for example, hydrogen boron compounds and hypophosphite), which can be catalytically decomposed by the noble metal colloid. In this case, the hydrogen formed during the decomposition takes over the oxide tion buffering against the oxidizing agent.
Als weiterer Verfahrensschritt schließt sich die Behandlung mit einer manganat und/oder per anganathaltigen Lösung an. In der Regel findet eine Lösung Anwendung, die Manganat in der Konzen¬ tration 10 - 75 g/1, Permanganat in einer Konzentration 30 - 150 g/1, sowie Natriumhydroxid in einer Konzentration von 40 - 70 g/1 enthält. Es ist aber auch möglich, Lösungen zu verwenden, die nur Manganat oder nur Permanganat enthalten. Die Behandlung mit Manganat/Permanganatlösung kann auch im sauren Medium, ins¬ besondere schwachsauren Medium, erfolgen.As a further process step, treatment with a manganate and / or an ananate solution follows. As a rule, a solution is used which contains manganate in the concentration 10-75 g / 1, permanganate in a concentration 30-150 g / 1, and sodium hydroxide in a concentration of 40-70 g / 1. However, it is also possible to use solutions which contain only manganate or only permanganate. The treatment with manganate / permanganate solution can also take place in an acidic medium, in particular a weakly acidic medium.
Der nächste Verfahrensschritt ist die Behandlung mit einer schwachsauren PyrroUösung. Der pH-Wert einer solchen Lösung liegt in der Regel zwischen pH 1,5 - 4,00.The next step in the process is treatment with a weakly acidic pyrrole solution. The pH of such a solution is usually between pH 1.5 - 4.00.
Alternativ zur einstufigen Behandlung mit einer sauren PyrroUö¬ sung kann dieser Schritt auch zweistufig betrieben werden. Ent¬ weder wird erst mit einer Pyrrol- und dann mit einer Säurelösung (beschrieben in der DE-PS 38 06 884) oder erst mit einer Säure- und dann mit einer PyrroUösung behandelt. Jedoch hat die einstufige Methode die besten Ergebnisse gebracht.As an alternative to the one-stage treatment with an acidic pyrolytic solution, this step can also be carried out in two stages. Either treatment is carried out first with a pyrrole solution and then with an acid solution (described in DE-PS 38 06 884) or first with an acid solution and then with a pyrrole solution. However, the one-step method has given the best results.
Die anschließende galvanische Metallabscheidung erfolgt mittels bekannter galvanischer Bäder. Es können prinzipiell alle Metalle bzw. Legierungen abgeschieden werden, die auf galvanischem Wege abzuscheiden sind. Bevorzugt werden jedoch Kupferelektrolyte verwendet. Besonders bevorzugt sind schwefelsaure Kupferbäder mit einem Gehalt von 50 - 300 g/1 Schwefelsäure und einem Metallgehalt von 5 - 50 g/1. Aber auch fluorborsaure, salzsaure thiosulfat- oder pyrophosphathaltige oder cyandische Elektro- lyte, sowie Elektrolyte auf Basis von Sulfonamiden und organi¬ schen Sulfonsäuren haben sich als gut geeignet erwiesen.The subsequent galvanic metal deposition is carried out using known galvanic baths. In principle, all metals or alloys that can be deposited by electroplating can be deposited. However, copper electrolytes are preferably used. Sulfuric acid copper baths with a content of 50-300 g / 1 sulfuric acid and a metal content of 5-50 g / 1 are particularly preferred. But also fluoroboric acid, hydrochloric acid thiosulfate- or pyrophosphate-containing or cyanide electrolytes, as well as electrolytes based on sulfonamides and organic sulfonic acids have proven to be well suited.
Elektrolyte werden unter den üblichen Bedingungen, nämlich im Temperaturbereich zwischen 20 und 70 °C, mit Stromdichten zwi¬ schen 0,1 und 20 A/dm2 betrieben. Überraschenderweise kann die Zeit der galvanischen Abscheidung erheblich verkürzt werden, nämlich in besonders günstigen Fällen auf < 2 min. Man erhält gleichmäßige, geschlossene und darüberhinaus fest haftende Me¬ tallschichten, die auch im sogenannten Durchlichttest keinerlei Fehlstellen aufweisen.Electrolytes are operated under the usual conditions, namely in the temperature range between 20 and 70 ° C., with current densities between 0.1 and 20 A / dm 2 . Surprisingly, the time of the galvanic deposition can be shortened considerably, namely in particularly favorable cases to <2 min. This gives uniform, closed and, moreover, firmly adhering metal layers which have no defects either in the so-called transmitted light test.
Die erfindungsgemäß hergestellten durchkontaktierten Schaltungen können in bekannter Weise verarbeitet werden. So kann beispiels¬ weise ein weiterer Aufbau von metallischen Schichten auf galva¬ nischem Weg erfolgen, sodaß Kupferschichten von 25 - 40 μm ent¬ stehen, die anschließend mit weiteren metallischen Schichten be¬ legt werden, die als Ätzresiste auf die Leiterplatten aufge¬ bracht werden. The plated-through circuits produced according to the invention can be processed in a known manner. For example, a further build-up of metallic layers can be carried out galvanically, so that copper layers of 25-40 μm are formed, which are then covered with further metallic layers which are applied to the printed circuit boards as etching resists .
Die folgenden Beispiele sollen die Erfindung näher erläutern:The following examples are intended to illustrate the invention:
Beispiel lExample 1
Eine gebohrte, kupferkaschierte Leiterplatte, wobei der Nicht¬ leiter (das Basismaterial) aus normal vernetztem Epoxid mit Glas als Füllstoff besteht, wird mit einem Rückätzungsverfahren ("Smear Removal") , wie es bei Mehrlagenschaltungen üblich ist, ausgesetzt. Die Rückätzung ist davon unabhängig, ob es sich um einen Plasma-, Permanganat-Schwefelsäure-, Chromsäureprozeß oder einen entsprechenden Kombinationsprozeß handelt.A drilled, copper-clad printed circuit board, the non-conductor (the base material) consisting of normally cross-linked epoxy with glass as the filler, is subjected to a back-etching process ("smear removal"), as is customary in multilayer circuits. The etch-back is independent of whether it is a plasma, permanganate-sulfuric acid, chromic acid process or a corresponding combination process.
Die Bohrungen der so vorbehandelten Leiterplatte, bei der Epoxid zurückgeätzt und der Füllstoff Glas freigelegt wurde, wird nach folgenden Verfahren metallisiert.The bores of the circuit board pretreated in this way, in which epoxy was etched back and the filler glass was exposed, are metallized using the following methods.
Zeit TemperaturTime temperature
1. Ätzreinigen (z. B. auf der Basis 0,5 min 30 Natriumpersulfat/Schwefelsäure)1. Etching cleaning (e.g. based on 0.5 min 30 sodium persulfate / sulfuric acid)
Spülendo the washing up
2. Reinigen (ohne Konditionierung) 0,5 min 70 °C pH etwa 12 (0,5 - 5 min2.Clean (without conditioning) 0.5 min 70 ° C pH about 12 (0.5 - 5 min
Spülendo the washing up
3. OxidationsfUmbildung mit Hilfe 2,5 min 85 °C einer alkalischen Permanganat¬ (0,5 - 5 min) lösung3. Oxidation formation with the aid of 2.5 minutes at 85 ° C. of an alkaline permanganate solution (0.5-5 minutes)
(60 g/1 KMn04 und 25 g/1 K2Mn04) Spülen(60 g / 1 KMn0 4 and 25 g / 1 K 2 Mn0 4 ) rinse
4. Leitschichtbildung mittels einer 0,5 min 25 °C stabilisierten monomeren/oligomeren (o,5 - 5 min) PyrroUösung (pH 2) Spülen 5. Kupferreinigung 0,5 min 25 °C4. formation of a conductive layer by means of a monomer / oligomer (0.5 to 5 min) stabilized pyrrole solution (pH 2) at 0.5 ° C. Rinsing 5. Copper cleaning 0.5 min 25 ° C
(5 Vol. %ige Schwefelsäure) (0,5 - 3 min)(5 vol.% Sulfuric acid) (0.5 - 3 min)
Elektrolytische Metallisierung*, 27 z. B. mit einem sauren Kupfer¬ elektrolytenElectrolytic metallization *, 27 z. B. with an acidic copper electrolyte
Spülen/TrocknenRinse / dry
*In den Beispielen wurde zur Vereinfachung die Stromdichte kon¬ stant bei 2 A/dm2 gehalten. Als Reiniger wurde ein konventionel¬ ler, für Epoxid geeigneter, aber keine der beschriebenen Verbin¬ dungen mit konditionierenden Eigenschaften enthält, verwendet.* In the examples, the current density was kept constant at 2 A / dm 2 for simplification. A conventional cleaner suitable for epoxy but not containing any of the compounds described with conditioning properties was used as the cleaner.
Nach einer 30minütigen elektrolytischen Verkupferung, das ent¬ spricht einer Kupferabscheidung von etwa 10 μm, konnte keine 100 %ige Belegung, vor allem der Glasfaser, festgestellt werden. Dieses Ergebnis konnte auch dann nicht verbessert werden, wenn der Reiniger im pH-Wert von alkalischen über neutralen bis hin zum sauren Bereich variiert wurde.After 30 minutes of electrolytic copper plating, which corresponds to a copper deposition of about 10 μm, no 100% coverage, especially of the glass fiber, could be determined. This result could not be improved even if the pH of the cleaner was varied from alkaline to neutral to acidic.
Beispiel 2Example 2
Beispiel l wurde wiederholt, wobei dem Reiniger 2 g/1 Basotronic PVIR (Produkt der BASF AG) zugesetzt wurde.Example 1 was repeated, 2 g / 1 Basotronic PVI R (product from BASF AG) being added to the cleaner.
Die Belegung des Epoxids war fast 100 %ig, die der Glasfaser zwar besser, aber noch nicht geschlossen. Beispiel 3The occupancy of the epoxy was almost 100%, that of the glass fiber better, but not yet closed. Example 3
Wie Beispiel 2, aber mit einer zusätzlichen sogenannten Vorakti¬ vierung nach folgendem Arbeitsablauf:Like example 2, but with an additional so-called pre-activation according to the following workflow:
1. Ätzreinigen 0,5 min 30 °C1. Etch cleaning 0.5 min 30 ° C
200 g/1 Natriumpersulfat200 g / 1 sodium persulfate
+ 15 ml/1 Schwefelsäure, 96 Gew.-%+ 15 ml / 1 sulfuric acid, 96% by weight
Spülendo the washing up
2. Reinigen/Konditionieren (pH 11 - 12) 5 g/1 Natriumcarbonat 0,5 min 70 °C + 2 g/1 Basotronic PVIR (Poly-N-Methyl-N -(Vinyl)n- imidazoliniumverbindung) Spülen2.Cleaning / conditioning (pH 11-12) 5 g / 1 sodium carbonate 0.5 min 70 ° C + 2 g / 1 Basotronic PVI R (poly-N-methyl-N - (vinyl) n - imidazolinium compound) rinse
Voraktivierung (pH 2) 1,0 min 40 °C 100 mg/1 Palladium als Chlorid + 1 g/1 Polyvinylpyrrolidon + 5 g/1 Natriu hypophosphitPreactivation (pH 2) 1.0 min 40 ° C 100 mg / 1 palladium as chloride + 1 g / 1 polyvinylpyrrolidone + 5 g / 1 sodium hypophosphite
Spülendo the washing up
4. Kaliumpermanganatlδsung 0,5 min 87 °C 50 g/1 KMn04 25 g/1 K2Mn04 55 g/1 NaOH4. Potassium permanganate solution 0.5 min 87 ° C 50 g / 1 KMn0 4 25 g / 1 K 2 Mn0 4 55 g / 1 NaOH
Spülendo the washing up
Leitschichtbildung 0,5 min mittels einer stabilisierten monomeren/oligomeren PyrroUösung (PH 2)Conducting layer formation for 0.5 min using a stabilized monomeric / oligomeric pyrrole solution (PH 2)
Spülen 6. Schwefelsäuredekapierung (5 Vol. %ig) 0,5 min 25 °cdo the washing up 6. Sulfuric acid decapping (5 vol.%) 0.5 min 25 ° c
7. Elektrolytische Metallisierung 30 °C z. B. mit einem sauren Kupferbad7. Electrolytic metallization 30 ° C z. B. with an acidic copper bath
Spülen/TrocknenRinse / dry
Bereits nach einer dreiminütigen elektrolytischen Verkupferung war eine 100%ige Belegung erreicht.Already after three minutes of electrolytic copper plating, 100% coverage was achieved.
Beispiel 4Example 4
Das Beispiel 3 wurde wiederholt unter Verwendung einer sauren Kaliumpermanganatlösung (pH 4) , die mit Phosphorsäure stabili¬ siert wurde.Example 3 was repeated using an acidic potassium permanganate solution (pH 4) which was stabilized with phosphoric acid.
Nach einer etwa fünfminütigen elektrolytischen Verkupferung war eine 100 %ige Belegung der Bohrlöcher erreicht.After approximately five minutes of electrolytic copper plating, the boreholes were 100% occupied.
Beispiel 5Example 5
Wie Beispiel 3 unter Verwendung folgender Nichtleiter:As example 3 using the following non-conductors:
Epoxid mit Tg > 130 °C, Spezialepoxid (CEM 3), Polyimid (Glas), Polyamid, Acrylnitrit-Butadien-Styrol Blockpolymerisat (ABS) , Keramik, Teflon und Cyanatester.Epoxy with Tg> 130 ° C, special epoxy (CEM 3), polyimide (glass), polyamide, acrylonitrite-butadiene-styrene block polymer (ABS), ceramic, Teflon and cyanate ester.
Auch hier war eine überraschend schnelle Belegung nach bereits einer 2 μm Kupferschichtstärke erreicht.Here, too, a surprisingly quick coating was achieved after a 2 μm copper layer thickness.
Beispiel 6Example 6
Wie Beispiel 4 unter Verwendung aller in Beispiel 3 aufgeführten Nichtleiter, zusätzlich aber mit sogenannten "Starrflex-Schal- tungen", die aus Epoxid/Glas/Polyi id und Acrylether bestehen. Außerdem unter Verwendung von Materialien wie Phenolharz/Papier (FR 2) , Epoxid/Papier (FR 3) , Kombination aus Epoxid/Glas und Epoxid/Papier (CEM 1) mit und ohne Acrylkleber. Nach einer fünfminütigen elektrolytischen Verkupferung bei 2 A/dm2 waren alle angegebenen kupferkaschierten Materialien 100 %ig belegt. Die Kanten der Proben waren bereits optisch nach 30 Sekunden zugewachsen.Like example 4 using all of the non-conductors listed in example 3, but additionally with so-called "rigid-flex circuits" which consist of epoxy / glass / polyamide and acrylic ether. Also using materials such as phenolic resin / paper (FR 2), epoxy / paper (FR 3), combination of epoxy / glass and epoxy / paper (CEM 1) with and without acrylic adhesive. After five minutes of electrolytic copper plating at 2 A / dm 2 , all of the copper-clad materials indicated were 100% occupied. The edges of the samples had already grown optically after 30 seconds.
Beispiel 7Example 7
Die Beispiele 3 - 6 wurden sowohl im Tauchen, Schwallen als auch geflutet durchgeführt.Examples 3-6 were carried out both in diving, gushing and flooding.
Die guten Ergebnisse von vorher konnten in jedem Fall erreicht werden, auch dann wenn beim Reinigen/Konditionieren mit Ultra¬ schall gearbeitet wurde.The good results from before could be achieved in any case, even if ultrasound was used for cleaning / conditioning.
Beispiel 8Example 8
Die im Beispiel 3 aufgeführte "Voraktivierung" (Punkt 3) wurde durch einen handelsüblichen kolloidalen Palladium/Zinn -Aktiva¬ tor (pH = 1) ersetzt.The "pre-activation" (point 3) listed in Example 3 was replaced by a commercially available colloidal palladium / tin activator (pH = 1).
Die erhaltenen Ergebnisse sind im wesentlichen die gleichen; mit dem Nachteil der "Zinngelverschleppung".The results obtained are essentially the same; with the disadvantage of "entrainment of tin gel".
Beispiel 9Example 9
Wie Beispiel 8, aber die "Voraktivierung" (Punkt 3) wird in zwei Arbeitsschritten durchgeführt:Like example 8, but the "pre-activation" (point 3) is carried out in two steps:
1. Palladiumaktivator (ionogen) , 1 min 40 °C pH 121. Palladium activator (ionic), 1 min 40 ° C pH 12
Spülendo the washing up
2. Reduzieren 1 min 30 °C Die Ergebnisse sind unverändert gut, analog den vorherigen Bei¬ spielen. 2. Reduce 1 min 30 ° C The results are still good, analogous to the previous examples.

Claims

Patentansprüche Claims
1. Verfahren zur Metallisierung von Nichtleitern, gekennzeich¬ net durch die Verfahrensschritte:1. Process for the metallization of non-conductors, characterized by the process steps:
a) Behandlung des Nichtleiters mit einem Chelatbildner und/oder einer ionogenen organischen Verbindung,a) treatment of the non-conductor with a chelating agent and / or an ionogenic organic compound,
b) Behandlung mit einer edelmetallhaltigen Lösung enthal¬ tend gegebenenfalls ein oder mehrere Reduktionsmittel,b) treatment with a solution containing noble metal optionally containing one or more reducing agents,
c) Behandlung mit einer manganat und/oder permanganthaltigen Lösung,c) treatment with a manganate and / or permangant-containing solution,
d) Behandlung mit einer monomeren und/oder oligomeren, sauren PyrroUösung,d) treatment with a monomeric and / or oligomeric, acidic pyrrole solution,
e) elektrolytische Metallisierung.e) electrolytic metallization.
2. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei als ionogene organische Verbindung ein N-Methyl-N"-Vinyl-imidazoliniumsalz, N-Me¬ thyl-N"-Vinylpyrrolidoniu salz, N-Vinylimidazoliumsalz, N- Butyl-N"-Allylbenzimidazoliumsalz, oder deren über Vinyl- und/oder Allylgruppen polymerisierten homo- oder copolymerisierten Verbindungen verwendet werden.2. The method according to claim 1, wherein the ionic organic compound is an N-methyl-N "-Vinyl-imidazolinium salt, N-methyl-N" -Vinylpyrrolidoniu salt, N-vinylimidazolium salt, N-butyl-N "-Allylbenzimidazoliumsalz, or whose homo- or copolymerized compounds polymerized via vinyl and / or allyl groups are used.
3. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei als Chelatbildner Ethanolamin, Triethanolamin, Ethylendiamintetraessigsäure (EDTA) oder Aminosäuren verwendet werden.3. The method according to claim 1, wherein ethanolamine, triethanolamine, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) or amino acids are used as chelating agents.
4. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei als edelmetallhaltige Lösung eine palladiumhaltige Lösung verwendet wird.4. The method according to claim 1, wherein a palladium-containing solution is used as the noble metal-containing solution.
5. Verfahren gemäß Anspruch 1, wobei als edelmetallhaltige Lö¬ sung eine mit organische Schutzkolloidal enthaltende kolloidale Lösung des Edelmetalls verwendet wird. 5. The method according to claim 1, wherein a solution containing noble metal containing an organic protective colloidal colloidal solution of the noble metal is used.
6. Verfahren gemäß Anspruch 5, wobei Zinn-(II)-Verbindungen zur6. The method according to claim 5, wherein tin (II) compounds for
Stabilisierung der kolloidalen edelmetallhaltigen Lösung verwendet werden.Stabilization of the colloidal precious metal-containing solution can be used.
7. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1-6 zur Metal¬ lisierung von Leiterplatten. _-•7. The method according to at least one of claims 1-6 for metalizing circuit boards. _- •
8. Verfahren nach mindestens einem der Ansprüche 1-7, dadurch gekennezichnet, daß diese in kontinuierlich arbeitenden ho¬ rizontalen Durchlaufanlagen betrieben werden. 8. The method according to at least one of claims 1-7, characterized gekennezichnet that these are operated in continuously operating horizontal horizontal plants.
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