WO1993008586A1 - Microwave-absorbing component, and the use of such a component - Google Patents

Microwave-absorbing component, and the use of such a component Download PDF

Info

Publication number
WO1993008586A1
WO1993008586A1 PCT/EP1992/002371 EP9202371W WO9308586A1 WO 1993008586 A1 WO1993008586 A1 WO 1993008586A1 EP 9202371 W EP9202371 W EP 9202371W WO 9308586 A1 WO9308586 A1 WO 9308586A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
carrier
component according
component
thickness
Prior art date
Application number
PCT/EP1992/002371
Other languages
German (de)
French (fr)
Inventor
Herbert Richter
Günter NIMTZ
Original Assignee
Cerasiv Gmbh Innovatives Keramik-Engineering
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19924231962 external-priority patent/DE4231962A1/en
Application filed by Cerasiv Gmbh Innovatives Keramik-Engineering filed Critical Cerasiv Gmbh Innovatives Keramik-Engineering
Publication of WO1993008586A1 publication Critical patent/WO1993008586A1/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J23/00—Details of transit-time tubes of the types covered by group H01J25/00
    • H01J23/16—Circuit elements, having distributed capacitance and inductance, structurally associated with the tube and interacting with the discharge
    • H01J23/24—Slow-wave structures, e.g. delay systems
    • H01J23/30—Damping arrangements associated with slow-wave structures, e.g. for suppression of unwanted oscillations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems

Definitions

  • the present invention relates to a component for the absorption of microwaves, comprising a layer applied to a support made of electrically insulating material.
  • DE-A-3 843 255 proposes the introduction of mesoscopic particles from a material that is electrically conductive or semiconductive in the macroscopic compact state into rods that are to be produced from ceramic material and that are provided in a traveling wave tube for holding the helix.
  • Corrosion resistance are to be counted. Another disadvantage is that with low layer thicknesses only a low damping is possible, but that thicker carbon layers are mechanically unstable. While the thickness of the SiO layers to be applied is specified as 0.5 to 20 nm, there is no information on the thickness of the carbon layer.
  • US-A-4,585,901 relates to a component for shielding high-frequency electromagnetic waves in the range from 500 KHz to 1 GHz.
  • a carrier made of plastic e.g. B. Polyester, polyamide, polycarbonate or glass or kerami are "adhesive layers" made of z. B. chrome or stainless steel with a thickness between 300 and 1,000 angstroms.
  • the actual shielding layer made of aluminum or copper with a thickness between 1,000 and 50,000 angstroms (100 to 5,000 nm) covers the adhesive layer and is in turn covered by a protective layer made of chrome of at least 1,000 angstroms (100 nm) in order to ensure sufficient abrasion and To ensure oxidation resistance of the metallic shielding layers.
  • the present invention sees its task in the development of a component for the absorption of microwaves, in which a specific attenuation profile can be set as required.
  • the component should also with prolonged and intensive use, e.g. B. have improved preservation of its functionality by exposure to temperature. After all, it should be possible to produce without problems and with reproducible results.
  • the invention provides a component for the absorption of microwaves, which has a layer applied to a carrier made of electrically insulating material and is characterized in that
  • the layer is formed in a thickness of 5 to 50 nm
  • the layer has a contour adapted to the required damping profile
  • the layer consists of copper, bronze, brass or aluminum or of titanium carbide or titanium nitride,
  • the carrier consists of a material with an electromagnetic alternating field conductivity ⁇ 10 -8 S / cm.
  • the layer i is formed to a thickness of only 20 nm.
  • the invention is based on the finding that the so-called SIMIT effect, which has hitherto been observed only in the case of particles in the submicron range, also occurs in thin layers formed from fine particles.
  • the so-called SIMIT effect means a size-induced metal-insulator transition.
  • the layer materials provided according to the invention normally, i.e. in the compact state, known as good electrical conductors or semiconductors, they lose their electrical conductivity to a certain extent if they exist as layers with a thickness of not more than 50 nm and then practically constitute an insulator layer.
  • a certain desired microwave attenuation profile can be set, so that a Feedback of the electromagnetic waves can be avoided.
  • the carrier consists of a round rod
  • the layer is preferably designed such that the layer thickness decreases from the center of the carrier to its two ends to a thickness of 5 nm, the ends of the carrier also being uncoated .
  • the result is a contour of the component that can be called barrel-shaped.
  • the outstanding suitability of the component according to the invention for the absorption of microwaves, in particular in the frequency range from> 1 to 150 GHGz, is surprising insofar as, in contrast to the present invention, the known proposals, to which DE-A-3 802 150 belongs, do not starting from a coherent layer, but from mesoscopic particles which were introduced by incorporation into a non-conductive carrier material in accordance with a desired degree of absorption with different degrees of filling and in different sizes, the particles being finely distributed so that they are essentially insulated from one another.
  • the very thin metallic layers provided according to the invention have particles which are connected to one another and have a size lying in the mesoscopic range; the average particle size is preferably between 5 and 10 nm.
  • the invention offers the advantage of selecting a suitable metal or its alloy for the intended one Component suitable for use with comparatively good To be able to produce corrosion resistance. Copper, bronze, brass or aluminum are preferably used, which provide adequate corrosion resistance. Titanium carbide and titanium nitride are suitable as further coating materials. In addition to ceramic as the carrier material, glass ceramic, porcelain or glass is also excellently suitable as a material for producing the carrier.
  • the components according to the invention are preferably produced by applying the layer to the carrier made of electrically insulating material by sputtering.
  • the layer can also be applied by electrolytic deposition or by vacuum evaporation.
  • Suitable supports are at least 0.5 mm thick and have a maximum thickness or a minimum / maximum diameter of 0.5 / 2 mm.
  • a plastic can also be used as the electrically insulating material for the carrier, in particular a plastic that is temperature-stable up to 200 ° C.
  • ceramic materials are preferably also used here, in particular beryllium oxide or materials based on aluminum oxide with more than 92% by weight of aluminum oxide. These ceramic materials are so-called sintering aids such as. Magnesium oxide in a minor amount, added
  • the component according to the invention is particularly preferred to use as an absorber rod for electrical waves in a traveling wave tube, a microwave amplifier or a generator.
  • a traveling wave tube a microwave amplifier or a generator.
  • a round rod made of aluminum oxide ceramic serving as a support and having a diameter of 2 mm and a length of 110 mm has in its central section a copper layer consisting of copper and extending over the entire circumference.
  • the middle section provided with the layer is a total of 20 mm long, the layer from the center of the carrier - in the direction of the two ends of the carrier - in each case 2.5 mm in length, that is to say a total of 5 mm, with a thickness of 20 nm is trained.
  • the layer thickness then drops in the direction of the carrier ends over a length of 7.5 mm to 5 nm; the two ends of the carrier are not coated.

Landscapes

  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

Described is a microwave-absorbing component comprising a substrate made of electrically insulating material and, applied on the substrate, a film 5 to 50 nm thick, the surface profile of the film being selected to give the required radiation-attenuation characterisctics. The film may be of copper, bronze, brass or aluminium, the substrate being made of a material with an alternating electromagnetic field conductivity of less than 10-8 S/cm.

Description

Bauteil für die Absorption von Mikrowellen und seine Verwendung Component for the absorption of microwaves and its use
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Bauteil für die Absorption von Mikrowellen, aufweisend eine auf einem Träge aus elektrisch isolierendem Material aufgebrachte Schicht.The present invention relates to a component for the absorption of microwaves, comprising a layer applied to a support made of electrically insulating material.
Zur Dämpfung hochfrequenter Wellen schlägt die DE-A-3 843 255 die Einbringung von mesoskopischen Partikeln aus einem im makroskopischen Kompaktzustand elektrisch leitfähigen oder halbleitenden Material in aus keramischem Material herzustellende Stäbe vor, die bei einer Wanderfeldröhre zur Halterung der Wendel vorgesehen sind.To dampen high-frequency waves, DE-A-3 843 255 proposes the introduction of mesoscopic particles from a material that is electrically conductive or semiconductive in the macroscopic compact state into rods that are to be produced from ceramic material and that are provided in a traveling wave tube for holding the helix.
Ein weiterer Vorschlag zur Herstellung einer Wanderfeldröhre sieht gemäß der DE-A-3 343 291 vor, die in üblicher Weise aus Kohle oder Graphit gebildeten Widerstandsschichten auf den stabförmigen Wendelträgern mit einer Schutzschicht aus SiOΛ zu bedecken. Die Widerstandsschichten sollen eine gezielte Hochfrequenzendämpfung bewirken und eine unerwünschte Schwingneigung der Röhre unterbinden. Wie sich aus der vorgeschlagenen Anordnung von SiO--Schutzschichten entnehmen läßt, sind die bekannten Bauteile nicht frei von Nachteilen, wozu auch die nicht ausreichende Funktionsfähigkeit von Kohle- bzw. Graphitschichten bei Langzeitbeanspruchung, insbesondere die nicht immer ausreichende Temperaturbeständigkeit undAnother proposal for producing a traveling-wave tube according to see in front of the DE-A-3343291 to cover the resistive layers formed in conventional manner from carbon or graphite on the rod-shaped filament carriers with a protective layer of SiO Λ. The resistance layers are intended to effect a targeted high-frequency damping and to prevent an undesirable tendency to oscillate in the tube. As can be seen from the proposed arrangement of SiO protective layers, the known components are not free from disadvantages, including the inadequate functionality of carbon or graphite layers under long-term stress, in particular the not always adequate temperature resistance and
Korrosionsfestigkeit zu zählen sind. Ein weiterer Nachteil besteht darin, daß mit geringen Schichtdicken nur eine geringe Dämpfung möglich ist, daß dickere Kohleschichten aber mechanisch unstabil sind. Während die Dicke der aufzubringen SiO--Schichten mit 0,5 bis 20 nm angegeben wird, finden sich Angaben zur Dicke der Kohleschicht nicht.Corrosion resistance are to be counted. Another disadvantage is that with low layer thicknesses only a low damping is possible, but that thicker carbon layers are mechanically unstable. While the thickness of the SiO layers to be applied is specified as 0.5 to 20 nm, there is no information on the thickness of the carbon layer.
Die US-A-4,585,901 betrifft ein Bauteil zur Abschirmung hochfrequenter elektromagnetischer Wellen im Bereich von 500 KHz bis 1 GHz. Auf einem Träger aus Kunststoff, z. B. Polyester, Polyamid, Polycarbonat oder aus Glas oder Kerami werden dazu "Adhäsivschichten" aus z. B. Chrom oder rostfreiem Stahl mit einer Dicke zwischen 300 und 1.000 Angström aufgebracht. Die eigentliche Abschirmschicht aus Aluminium oder Kupfer mit einer Dicke zwischen 1.000 und 50.000 Angström (100 bis 5.000 nm) deckt die Adhäsivschicht ab und wird ihrerseits von einer aus Chrom bestehenden Schutzschicht von wenigstens 1.000 Angström (100 nm) abgedeckt, um eine ausreichende Abrieb- und Oxidationsbeständigkeit der metallischen Abschirmschichten zu gewährleisten. Während aus den Angaben dieser Schrift gemäß der Tabelle in Spalte 3, Z. 49 bis 55 auf eine gute Abschirmwirkung gegenüber Radiowellen bis in den Dezimeterwellenbereich zu schließen ist, ist aufgrund der aus elektrisch leitfähigem Material gebildeten Abschirmungsschicht keine besondere Dämpfungswirkung zu erwarten.US-A-4,585,901 relates to a component for shielding high-frequency electromagnetic waves in the range from 500 KHz to 1 GHz. On a carrier made of plastic, e.g. B. Polyester, polyamide, polycarbonate or glass or kerami are "adhesive layers" made of z. B. chrome or stainless steel with a thickness between 300 and 1,000 angstroms. The actual shielding layer made of aluminum or copper with a thickness between 1,000 and 50,000 angstroms (100 to 5,000 nm) covers the adhesive layer and is in turn covered by a protective layer made of chrome of at least 1,000 angstroms (100 nm) in order to ensure sufficient abrasion and To ensure oxidation resistance of the metallic shielding layers. While it can be concluded from the information in this document according to the table in column 3, lines 49 to 55 that there is a good shielding effect against radio waves down to the decimeter wave range, no special damping effect is to be expected due to the shielding layer formed from electrically conductive material.
In der Z.: Electronic Engineering, July 1991, Heft 775, S. 30 wird ein als Abschirmmaterial vorgesehenes Bauteil aus mit Silber beschichtetem Polyester beschrieben, das für das vorgesehene Einsatzgebiet als Füllstoff für elektronische Einrichtungen durchsichtig sein soll. Die ausgebildete Schicht aus Silber ist elektrisch leitfähig.Z .: Electronic Engineering, July 1991, No. 775, p. 30 describes a component made of silver-coated polyester as a shielding material, which is intended to be transparent for the intended area of use as a filler for electronic devices. The formed layer of silver is electrically conductive.
Die vorliegende Erfindung sieht ihre Aufgabe in der Entwicklung eines Bauteils für die Absorption von Mikrowellen, bei dem je nach Erfordernis ein bestimmtes Dämpfungsprofil einstellbar ist. Dabei soll das Bauteil auch bei längerer und intensiver Beanspruchung, z. B. durch Temperatureinwirkung einen verbesserten Erhalt seiner Funktionsfähigkeit aufweisen. Schließlich soll eine problemlose und zu reproduzierbaren Ergehnissen führende Fertigung möglich sein. Zur Lösung dieser Aufgabe sieht die Erfindung ein Bauteil für die Absorption von Mikrowellen vor, das eine auf einem Träger aus elektrisch isolierendem Material aufgebrachte Schicht aufweist und dadurch gekennzeichnet ist, daßThe present invention sees its task in the development of a component for the absorption of microwaves, in which a specific attenuation profile can be set as required. The component should also with prolonged and intensive use, e.g. B. have improved preservation of its functionality by exposure to temperature. After all, it should be possible to produce without problems and with reproducible results. To achieve this object, the invention provides a component for the absorption of microwaves, which has a layer applied to a carrier made of electrically insulating material and is characterized in that
- die Schicht in einer Dicke von 5 bis 50 nm ausgebildet ist,the layer is formed in a thickness of 5 to 50 nm,
- die Schicht eine dem erforderlichen Dämpfungsprofil angepaßte Kontur aufweist,the layer has a contour adapted to the required damping profile,
- die Schicht aus Kupfer, Bronze, Messing oder Aluminium oder aus Titankarbid oder Titannitrid besteht,- the layer consists of copper, bronze, brass or aluminum or of titanium carbide or titanium nitride,
- der Träger aus einem Material mit einer elektromagnetischen Wechselfeldleitfähigkeit < 10 —8 S/cm besteht.- The carrier consists of a material with an electromagnetic alternating field conductivity <10 -8 S / cm.
Gemäß einer vorzugsweisen Ausführungsform ist die Schicht i einer Dicke bis zu lediglich 20 nm ausgebildet.According to a preferred embodiment, the layer i is formed to a thickness of only 20 nm.
Der Erfindung liegt die Erkenntnis zugrunde, daß der sogenannte SIMIT-Effekt, der bisher lediglich bei Partikeln im Submikronbereich beobachtet wurde, auch bei aus feinen Teilchen gebildeten dünnen Schichten auftritt. Unter dem sogenannten SIMIT-Effekt versteht man einen größen-induzierten Metall-Isolator/Übergang (size-induced metal-insulator transition) . Obwohl also die erfindungsgemä vorgesehenen Schichtmaterialien normalerweise, d.h. im Kompaktzustand, als gute elektrische Leiter oder Halbleiter bekannt sind, verlieren sie in bestimmtem Maße ihre elektrische Leitfähigkeit, wenn sie als Schichten mit einer Dicke von nicht mehr als 50 nm vorliegen und stellen dann praktisch eine Isolatorschicht dar.The invention is based on the finding that the so-called SIMIT effect, which has hitherto been observed only in the case of particles in the submicron range, also occurs in thin layers formed from fine particles. The so-called SIMIT effect means a size-induced metal-insulator transition. Thus, although the layer materials provided according to the invention normally, i.e. in the compact state, known as good electrical conductors or semiconductors, they lose their electrical conductivity to a certain extent if they exist as layers with a thickness of not more than 50 nm and then practically constitute an insulator layer.
Durch die Maßnahme, die Schicht mit einer bestimmten Kontur auszubilden, ist ein bestimmtes gewünschtes Mikrowellendämpfungsprofil einstellbar, so daß eine Rückkoppelung der elektromagnetischen Wellen vermieden werden kann.As a result of the measure of forming the layer with a certain contour, a certain desired microwave attenuation profile can be set, so that a Feedback of the electromagnetic waves can be avoided.
Besteht gemäß einer weiteren vorzugsweisen Ausführungsform der Träger aus einem runden Stäbchen, ist die Schicht vorzugsweise so ausgebildet, daß die Schichtdicke von der Mitte des Trägers zu dessen beiden Enden bis auf eine Dicke von 5 nm abnimmt, wobei die Enden des Trägers auch unbeschichtet sein können. Es entsteht dabei eine als tonnenförmig zu bezeichnende Kontur des Bauteils.If, according to a further preferred embodiment, the carrier consists of a round rod, the layer is preferably designed such that the layer thickness decreases from the center of the carrier to its two ends to a thickness of 5 nm, the ends of the carrier also being uncoated . The result is a contour of the component that can be called barrel-shaped.
Die hervorragende Eignung des erfindungsgemäßen Bauteils fü die Absorption von Mikrowellen, insbesondere im Frequenzbereich von > 1 bis 150 GHGz, ist insofern überraschend, als die bekannten Vorschläge, zu denen auch die DE-A-3 802 150 gehört, im Gegensatz zur vorliegenden Erfindung nicht von einer zusammenhängenden Schicht, sondern von mesoskopischen Partikeln ausgingen, die durch Einlagerung in ein nicht leitendes Trägermaterial nach Maßgabe eines gewünschten Absorptionsgrades mit unterschiedlichem Füllgrad und in verschiedenen Größen eingebracht wurden, wobei die Teilchen fein verteilt sind, so daß sie im wesentlichen gegeneinander isoliert sind. Die erfindungsgemäß vorgesehenen sehr dünnen metallischen Schichten weisen demgegenüber miteinander in Verbindung stehende Partikel auf, die eine im mesoskopischen Bereich liegende Größe aufweisen; vorzugsweise liegt die durchschnittliche Teilchengröße zwischen 5 und 10 nm. Gegenüber den bekannten Kohlenstoff- oder Graphitschichten, die auch bereits zum Überzug von Absorberstäben bei einer Wandelfeldröhre vorgeschlagen wurden, bietet die Erfindung den Vorteil, durch Auswahl der geeigneten Metall oder deren Legierung ein für den vorgesehenen Anwendungsbereich geeignetes Bauteil mit vergleichsweise guter Korrosionsfestigkeit herstellen zu können. Es werden vorzugsweise Kupfer, Bronze, Messing oder Aluminium eingesetzt, die eine ausreichende Korrosionsbeständigkeit bewirken. Als weitere Beschichtungswerkstoffe sind Titankarbid und Titannitrid geeignet. Neben Keramik als Trägermaterial ist Glaskeramik, Porzellan oder Glas als Werkstoff zur Herstellung des Trägers ebenfalls hervorrage geeignet.The outstanding suitability of the component according to the invention for the absorption of microwaves, in particular in the frequency range from> 1 to 150 GHGz, is surprising insofar as, in contrast to the present invention, the known proposals, to which DE-A-3 802 150 belongs, do not starting from a coherent layer, but from mesoscopic particles which were introduced by incorporation into a non-conductive carrier material in accordance with a desired degree of absorption with different degrees of filling and in different sizes, the particles being finely distributed so that they are essentially insulated from one another. In contrast, the very thin metallic layers provided according to the invention have particles which are connected to one another and have a size lying in the mesoscopic range; the average particle size is preferably between 5 and 10 nm. Compared to the known carbon or graphite layers, which have also already been proposed for coating absorber rods in a convertible tube, the invention offers the advantage of selecting a suitable metal or its alloy for the intended one Component suitable for use with comparatively good To be able to produce corrosion resistance. Copper, bronze, brass or aluminum are preferably used, which provide adequate corrosion resistance. Titanium carbide and titanium nitride are suitable as further coating materials. In addition to ceramic as the carrier material, glass ceramic, porcelain or glass is also excellently suitable as a material for producing the carrier.
Die Herstellung der erfindungsgemäßen Bauteile erfolgt vorzugsweise dadurch, daß die Schicht durch Kathodenzerstäubung (Sputtern) auf dem Träger aus elektris isolierendem Material aufgebracht wird. Die Schicht kann jedoch auch durch elektrolytische Abscheidung oder durch Vakuumbedampfung aufgetragen werden. Geeignete Träger sind mindestens 0,5 mm dick und weisen eine Maximaldicke bzw. einen Minimal-/Maximaldurchmesser von 0,5 / 2 mm auf.The components according to the invention are preferably produced by applying the layer to the carrier made of electrically insulating material by sputtering. However, the layer can also be applied by electrolytic deposition or by vacuum evaporation. Suitable supports are at least 0.5 mm thick and have a maximum thickness or a minimum / maximum diameter of 0.5 / 2 mm.
Wird das erfindungsgemäße Bauteil zur Herstellung von mikroelektronischen Schaltkreisen verwendet, kann als elektrisch isolierendes Material für den Träger auch ein Kunststoff genommen werden, insbesondere ein bis 200°C temperaturstabiler Kunststoff.If the component according to the invention is used for the production of microelectronic circuits, a plastic can also be used as the electrically insulating material for the carrier, in particular a plastic that is temperature-stable up to 200 ° C.
Vorzugsweise werden jedoch auch hier Keramikwerkstoffe eingesetzt, insbesondere Berylliumoxid oder Werkstoffe auf Aluminiumoxidbasis mit mehr als 92 Gew.% Alimuinuiumoxid. Diesen Keramikwerkstoffen sind sogenannte Sinterhilfsmittel wie z.B,. Magnesiumoxid in untergeordneter Menge, beigefügtHowever, ceramic materials are preferably also used here, in particular beryllium oxide or materials based on aluminum oxide with more than 92% by weight of aluminum oxide. These ceramic materials are so-called sintering aids such as. Magnesium oxide in a minor amount, added
Besonders bevorzugt ist die Verwendung des erfindungsgemäße Bauteils als Absorberstab für elektrische Wellen in einer Wanderfeldröhre, einem Mikrowellenverstärker oder einem Generator. Das nachfolgende Beispiel erläutert die Erfindung:It is particularly preferred to use the component according to the invention as an absorber rod for electrical waves in a traveling wave tube, a microwave amplifier or a generator. The following example explains the invention:
Beispielexample
Ein aus Träger dienendes rundes Stäbchen aus Aluminiumoxidkeramik mit einem Durchmesser von 2 mm und einer Länge von 110 mm weist in seinem Mittelabschnitt eine aus Kupfer bestehende und sich über den gesamten Umfang erstreckende Schicht aus Kupfer auf. Der mit der Schicht versehene Mittelabschnitt ist insgesamt 20 mm lang, wobei die Schicht von der Mitte des Trägers aus - in Richtung auf die beiden Enden des Trägers - in je 2,5 mm Länge, also insgesamt 5 mm, in einer Dicke von 20 nm ausgebildet ist. Anschließend fällt die Schichtdicke in Richtung auf die Trägerenden auf einer Länge von 7,5 mm auf 5 nm ab; die beiden Enden des Trägers sind nicht beschichtet. A round rod made of aluminum oxide ceramic serving as a support and having a diameter of 2 mm and a length of 110 mm has in its central section a copper layer consisting of copper and extending over the entire circumference. The middle section provided with the layer is a total of 20 mm long, the layer from the center of the carrier - in the direction of the two ends of the carrier - in each case 2.5 mm in length, that is to say a total of 5 mm, with a thickness of 20 nm is trained. The layer thickness then drops in the direction of the carrier ends over a length of 7.5 mm to 5 nm; the two ends of the carrier are not coated.

Claims

PATENTANSPRÜCHE PATENT CLAIMS
1. Bauteil für die Absorption von Mikrowellen, aufweisend eine auf einem Träger aus elektrisch isolierendem Material aufgebrachte Schicht, dadurch gekennzeichnet, daß1. Component for the absorption of microwaves, comprising a layer applied to a carrier made of electrically insulating material, characterized in that
- die Schicht in einer Dicke von 5 bis 50 nm ausgebildet ist,the layer is formed in a thickness of 5 to 50 nm,
- die Schicht eine dem erforderlichen Dämpfungsprofil angepaßte Kontur aufweist.- The layer has a contour adapted to the required damping profile.
- die Schicht aus Kupfer, Bronze, Messing oder Aluminium oder aus Titankarbid oder Titannitrid besteht,- the layer consists of copper, bronze, brass or aluminum or of titanium carbide or titanium nitride,
- der Träger aus einem Material mit einer elektromagnetischen Wechselfeldleitfähigkeit < 10 —8 S/cm besteht.- The carrier consists of a material with an electromagnetic alternating field conductivity <10 -8 S / cm.
2. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht eine Dicke bis zu 20 nm aufweist.2. Component according to claim 1, characterized in that the layer has a thickness of up to 20 nm.
3. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger stabellenförmig rund ist.3. Component according to one of claims 1 and 2, characterized in that the carrier is round like a bar.
4. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht im Mittelabschnitt des Trägers die höchste Dicke aufweist, wobei die Schichtdicke zu den beiden Enden des Trägers bis auf 5 n abnimmt und die Enden des Trägers unbeschichtet sind.4. Component according to one of claims 1 to 3, characterized in that the layer in the central portion of the carrier has the highest thickness, the layer thickness decreases to the two ends of the carrier to 5 n and the ends of the carrier are uncoated.
5. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Trägers Keramik, Porzellan, Glas, Glaskeramik oder temperaturstabiler Kunststoff ist. 5. Component according to one of claims 1 to 4, characterized in that the material of the carrier is ceramic, porcelain, glass, glass ceramic or temperature-stable plastic.
6. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Material des Trägers aus Keramikwerkstoffen auf Aluminium-Basis mit mehr als 92 Gew.% Alumiumoxid, aus Aluminiumnitrid oder Berylliumoxi besteht.6. Component according to one of claims 1 to 5, characterized in that the material of the carrier consists of ceramic materials based on aluminum with more than 92% by weight of aluminum oxide, aluminum nitride or beryllium oxide.
7. Verwendung des Bauteils nach einem der Ansprüche 1 bis 6 als Dämpfungselement in mikroelektronischen Schaltkreisen.7. Use of the component according to one of claims 1 to 6 as a damping element in microelectronic circuits.
8. Verwendung des Bauteils nach einem der Ansprüche 1 bis 6 als Absorberelement für elektromagnetische Wellen in einem Mikrowellengerät.8. Use of the component according to one of claims 1 to 6 as an absorber element for electromagnetic waves in a microwave oven.
9. Verwendung des Bauteils nach einem der Ansprüche 1 bis 6 und 8 als Absorberelement zur Verhinderung von Rückkopplungen in Wanderfeldröhren. 9. Use of the component according to one of claims 1 to 6 and 8 as an absorber element to prevent feedback in traveling wave tubes.
PCT/EP1992/002371 1991-10-14 1992-10-14 Microwave-absorbing component, and the use of such a component WO1993008586A1 (en)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4133850.2 1991-10-14
DE4133850 1991-10-14
DEP4231962.5 1992-09-24
DE19924231962 DE4231962A1 (en) 1992-09-24 1992-09-24 Microwave-absorbing component for shielding applications

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO1993008586A1 true WO1993008586A1 (en) 1993-04-29

Family

ID=25908177

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP1992/002371 WO1993008586A1 (en) 1991-10-14 1992-10-14 Microwave-absorbing component, and the use of such a component

Country Status (1)

Country Link
WO (1) WO1993008586A1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0595622A2 (en) * 1992-10-29 1994-05-04 Litton Systems, Inc. A traveling wave tube loss button

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3343291A1 (en) * 1983-11-30 1985-06-05 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Travelling-wave tube and method of manufacturing it
US4585901A (en) * 1984-02-13 1986-04-29 Pennwalt Corporation EMI/RFI vapor deposited composite shielding panel
DE3843255A1 (en) * 1988-12-22 1990-06-28 Licentia Gmbh Travelling-wave tube

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3343291A1 (en) * 1983-11-30 1985-06-05 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Travelling-wave tube and method of manufacturing it
US4585901A (en) * 1984-02-13 1986-04-29 Pennwalt Corporation EMI/RFI vapor deposited composite shielding panel
DE3843255A1 (en) * 1988-12-22 1990-06-28 Licentia Gmbh Travelling-wave tube

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0595622A2 (en) * 1992-10-29 1994-05-04 Litton Systems, Inc. A traveling wave tube loss button
EP0595622A3 (en) * 1992-10-29 1995-04-05 Litton Systems Inc A traveling wave tube loss button.

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3625631C2 (en)
DE2557598C2 (en) Shielded coaxial connector for coupling two coaxial cables
EP0825666B1 (en) Window pane antenne with a transparent conductive layer
DE1590768C3 (en) Process for the production of a coherent thin, metal-conductive resistance layer on an insulating support body
DE2448738A1 (en) Production of a composite - by coating a metal powder with another metal applying onto a carrier with a binder and sintering
EP0471138A2 (en) Process for producing an electrical measuring resistor
WO1993008586A1 (en) Microwave-absorbing component, and the use of such a component
DE4237818A1 (en) Window antenna for motor vehicles
EP0007115B1 (en) Metal piece, the surface of which can take an unwanted electrostatic charge, and its application
DE4231962A1 (en) Microwave-absorbing component for shielding applications
DE2210885C3 (en) High current connection
DE3246289A1 (en) ELECTRICALLY CONDUCTIVE MATERIAL
DE19960465A1 (en) Flat conductor ribbon cable
DE1035798B (en) Waveguide operated in a vacuum
DE4029681C2 (en)
DE2352712A1 (en) WAVE LINE WITH LOCKING CAPACITOR
DE4006353C2 (en)
DE2157707C3 (en) Delay line
DE812379C (en) Process for the production of thin coherent surface layers made of precious metal, especially silver and gold
DE1294568B (en) Method for fastening the turns of a helical delay line arranged between ceramic retaining bars, in particular for a traveling wave tube
DE3905444A1 (en) CERAMIC CAPACITOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
DE3311046A1 (en) Method for the manufacture of an electrode on a dielectric ceramic material for high-frequency applications
DE2349743A1 (en) ELECTRICAL RESISTOR ELEMENT
EP1647069A2 (en) Vehicle antenna
DE3002112A1 (en) Paste with given electrical conductivity - has polyester vehicle contg. additive imparting required conductivity, useful for thick film circuit etc.

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): US

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AT BE CH DE DK ES FR GB GR IE IT LU MC NL SE

DFPE Request for preliminary examination filed prior to expiration of 19th month from priority date (pct application filed before 20040101)
WA Withdrawal of international application
122 Ep: pct application non-entry in european phase