WO1992011606A1 - Method and system for thermal modelling of a component - Google Patents
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Definitions
- the invention relates to a method for thermal modeling of a component and to a system implementing this method. It is applicable in particular to the thermal modeling of electronic components produced in integrated circuits.
- the invention makes it possible to economically and reliably obtain the thermal model of an electronic semiconductor component or only of the housing containing or not its active semiconductor element.
- the study of an electronic sub-assembly called "electronic card", as represented in FIG. 1, comprising an insulating substrate S and allowing the interconnection between a variable number of components in housings C, generally includes a study phase thermal to ensure the proper functioning of this card under the specified conditions of use of said electronic card.
- the invention also relates to a system for thermal modeling of a component having characteristics, dimensions and nature of determined materials, characterized in that it comprises: means for identifying different thermal paths leading towards the outside of the component housing in depending on the type of box each path with impedances; means for determining the thermal resistance of each thermal path as a function of determined technical characteristics.
- a component housing may or may not contain an electronic circuit.
- the invention is applicable to both types of configuration. In what follows we will consider a box without differentiating the two types of configuration.
- a thermal network is established, which has been represented in FIG. 2 in the form of an analog electrical network comprising resistors connecting the dissipated power source "Pu, which constitutes the integrated electronic circuit, to the electronic card C and surrounding environment.
- This network therefore represents thermal paths in box B leading to external parts of box B.
- this thermal network takes into account the different dimensions of the box and the nature of the materials which constitute it, that is to say the thermal conductivity at different points of the box.
- the establishment of this thermal network is therefore specific to the type of housing and incorporates simplifications arising from the type of housing.
- thermal network of a component according to the invention is as shown in FIG. 3.
- the point PI is the dissipating face of the integrated circuit and the point P2 is the rear face of the circuit (opposite the dissipating face). Generally the rear face (P2) is glued or brazed to the housing.
- the point PI is considered to be connected to the point P2 by a resistor Z1.
- the point PI is connected to the upper face of the housing, on a certain interface surface A1, by an impedance Z2.
- the point P2 is connected to an interface zone A2 on the upper face of the housing by a resistor Z3 and to an interface zone C11 of the lower face of the housing on the printed circuit board side by a resistor Z5.
- the point P3 is connected to an interface zone A3 on the upper face and the periphery of the housing by a resistor Z4. It is also connected, by a resistor Z6, to an interface zone CI2 on the underside of the housing and by an impedance Z8 to the lugs CI3 for connecting the housing to the 2 printed circuit board.
- the resistors Z2 and Z3 are connected to the interface zones Al and A2 by contacts K2 and K3 which are open if the case is ceramic and are closed if the case is plastic.
- the contacts K5 and K6 which connect the resistors Z5 and Z6 to the interface zone C11 is closed, for example, if the box is glued to the printed circuit board.
- FIG. 6 shows by way of example the thermal network of a component whose housing is made of ceramic and which is glued to the printed circuit board. On this network, the resistors Z2, Z3 and Z6 do not exist and the contact K5 is closed.
- the different thermal resistances of the network of FIG. 3 are determined from the physical characteristics of the component which are represented by dimensions of the component and thermal conductivities corresponding to the natures of the materials constituting the component.
- a resistance can represent, inside the housing, either a propagation of the heat in the direction of the thickness of the housing (perpendicular to the largest faces of the housing) or a propagation in the plane of the housing (parallel to the large faces of the case).
- resistors can be considered to consist of at least one penetration resistance and one conduction resistance.
- Figures 4 and 5 illustrate in a simplified way the physical meaning of these resistances.
- FIG 4 illustrates a resistance corresponding to a propagation of heat in the thickness direction of the housing.
- the housing B has an upper face As and a lower face Ai.
- the heat source Pu of the component is located in the housing B between the faces As and Ai.
- Heat dissipation from the Pu heat source to the upper side is represented by flux lines. This dissipation takes place in the area Yl in a radiant manner: the heat from the source P enters the housing. It is done in the zone Y2 in a diffusing way: the heat is directed in the most direct way thermally towards the face As.
- Figure 5 illustrates heat dissipation to a side portion of the housing.
- the heat from the Pu source penetrates and radiates into the body of the housing.
- the heat is conducted by the shortest thermal path to the lateral dissipation parts of the housing.
- Each zone Y1, Y2, Y3, Y4 corresponds to an elementary resistance RI, R2, R3, R4. To determine these elementary resistances, simplifying hypotheses are provided.
- R3 1/4 H k + (1-e -0,3W / Aj / f kA
- R4 (Log B / A) / 2 1T kW
- B penetration and conduction length according to the plane of the housing
- Bl radius of the section of the conduction flux according to the thickness of the housing
- dG khd ⁇ / Log L2 / L1
- G (i) being the conductance between isotherms i and i + 1
- the different components (boxes) that exist are classified by type so that each type can correspond to a thermal network of a given configuration.
- one or more elementary resistors RI to R4 are associated with each resistance of the network.
- the resistance of the network For example, on the network of figure 3, for a given type, the resistance
- Zl could be composed of an elementary resistance of penetration RI and an elementary resistance of conduction R2. We thus determine as many networks as there are types of boxes.
- the boxes commonly used can be distinguished in particular by: the materials the shapes the number of electrical outlets etc. . .
- PLCC Physical Chip Carrier
- connection grid can be made of a copper alloy or a ferro-nickel alloy (KOVAR for example). These grids differ significantly in thermal conductivity.
- the method of acquiring thermal models as just described has the advantage of being able to be applied by low-skilled personnel, the overall cost of use is very low.
- a thermal network comprising a certain number of resistors each consisting of one or more elementary resistors RI to R4, the values of which are determined.
- the various thermal resistances of the thermal network of FIG. 3 end up on an interface zone of the component with the environment external to the component. There are thus areas of interfaces with the ambient environment.
- the component being mounted on a support such as a printed circuit board, there are also areas of interface with the support (printed circuit board).
- the thermal network is therefore associated with interface zones.
- the interface areas depend on the type of component. They are characterized by their surfaces; each interface zone being a heat exchange zone between the component and the medium with which it is in contact.
- each interface zone is linked to the type of component and its calculation is made using geometric characteristics of the component.
- FIG. 9 represents an exemplary embodiment of a system applying the method of the invention. This system includes:
- a device type recognition device 9 which ensures that this type of box can be processed by the system and if so provides type information on a TY output.
- This fault has CAR inputs on which it receives the technical characteristics of a component for which a thermal model must be established. It is also connected to the TY output. It checks that the characteristics it receives are consistent with each other and consistent with the type of housing. It provides on a CT sort the characteristics of the component and the type of housing.
- a resistance determination device 3 connected to the output and calculating, as a function of the information transmitted on CT, a determined number of thermal resistances.
- a device 4 for determining interface zones and for calculating the area of these zones as a function of the information transmitted on the CT output "an assembly device 5 connected to devices 3 and 4, receiving from them values of resistors and surface values and providing a network of resistors leading to external elements of the housing (interface zones) with, associated with this network, impedance values and surface values of interface zones.
- An operating device 6 receiving the assembly result of the device 5 and implementing this result.
- This operating device 6 can be a display device making it possible to view the thermal model of a component with its different resistances and its interface zones and can be incorporated into a system for implanting on a card.
- This device 6 can itself be the system for installing components on printed circuit boards. A such a system will therefore be able to take into account each component with its different interface zones and its resistances connecting the electronic circuit of the component to the different interface zones. This implantation system will therefore implant the components with a more complete knowledge of each of them.
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Abstract
In a method and system for thermal modelling of a component, various thermal parts inside the component package constituting a thermal network are first identified, then the various thermal resistances making up this thermal network are determined. The thermal model obtained is then entered in an operating system such as a system for positioning a set of components. Application is found in the production of thermal models of electronic components.
Description
PROCEDE ET SYSTEME DE MODELISATION THERMIQUE D'UN COMPOSANT METHOD AND SYSTEM FOR THERMAL MODELING OF A COMPONENT
L'invention concerne un procédé de modélisation thermique d'un composant et un système mettant en application ce procédé . Elle est applicable notamment à la modélisation thermique de composants électroniques réalisés en circuits intégrés .The invention relates to a method for thermal modeling of a component and to a system implementing this method. It is applicable in particular to the thermal modeling of electronic components produced in integrated circuits.
Plus particulièrement l'invention permet d'obtenir de manière économique et fiable, le modèle thermique d'un composant électronique à semi- conducteur ou seulement du boîtier contenant ou non son élément actif à semi- conducteur. L'étude d'un sous-ensemble électronique appelé "carte électronique" , tel que représenté en figure 1 , comprenant un substrat isolant S et permettant l'interconnexion entre un nombre variable de composants en boîtiers C, comprend généralement un phase d'étude thermique permettant de s'assurer du bon fonctionnement de cette carte dans les conditions spécifiées d'usage de la dite carte électronique .More particularly, the invention makes it possible to economically and reliably obtain the thermal model of an electronic semiconductor component or only of the housing containing or not its active semiconductor element. The study of an electronic sub-assembly called "electronic card", as represented in FIG. 1, comprising an insulating substrate S and allowing the interconnection between a variable number of components in housings C, generally includes a study phase thermal to ensure the proper functioning of this card under the specified conditions of use of said electronic card.
Cette phase d'étude est, pour des raisons d'efficacité technique et économique conduite par voie de simulation numérique de préférence à l'expérimentation . Selon la technique actuelle, on dispose pour chaque composant de la valeur de dissipation thermique ou d'une seule valeur de résistance thermique . On considère par ailleurs un composant comme étant pratiquement une source ponctuelle de chaleur. Or, dans la réalité la chaleur dissipée par un composant tel qu'un circuit intégré se propage par toutes les parties du composant en contact avec le milieu extérieur (différentes faces du composant, pattes de connexion, fixation du composant à la carte de circuit imprimé , etc . . . ) .This study phase is, for reasons of technical and economic efficiency conducted by digital simulation rather than experimentation. According to the current technique, there is for each component the value of heat dissipation or a single value of thermal resistance. A component is also considered to be practically a point source of heat. However, in reality the heat dissipated by a component such as an integrated circuit is propagated by all the parts of the component in contact with the external medium (different faces of the component, connection tabs, fixing of the component to the printed circuit board , etc.).
De DIUS , un modèlp ne présentant qu'une seule résistance thermique ne tient pas compte des différentes conditions ambiantes ni de la constitution des cartes . Ce modèle thermique devrait donc être en réalité un réseau de courbes .
La simulation de l'implantation de composants sur une carte ne prend donc pas en compte tous les paramètres que l'on devrait prendre. Il n'est pourtant pas possible de prendre en compte tous les paramètres en raison de la complexité de la diffusion thermique dans un composant. L'invention fournit donc une solution prenant en compte la constitution du composant tant en ce qui concerne les dimensions des différentes parties du composant que les compositions des matériaux de ces différentes parties . L'invention est donc basée sur la réalité matérielle du composant et sur son comportement physique .From DIUS, a model with only one thermal resistance does not take into account the different ambient conditions or the composition of the cards. This thermal model should therefore actually be a network of curves. The simulation of the implantation of components on a card therefore does not take into account all the parameters that should be taken. However, it is not possible to take into account all the parameters due to the complexity of the thermal diffusion in a component. The invention therefore provides a solution taking into account the constitution of the component both with regard to the dimensions of the different parts of the component and the compositions of the materials of these different parts. The invention is therefore based on the material reality of the component and on its physical behavior.
L'invention concerne donc un procédé de modélisation thermique d'un composant comportant une source de chaleur et possédant des caractéristiques techniques déterminéesThe invention therefore relates to a method of thermal modeling of a component comprising a heat source and having determined technical characteristics
(dimensions et nature des matériaux) , caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : identification de différents trajets thermiques conduisant la chaleur vers des éléments extérieurs du boîtier de composant en fonction du type du boîtier, chaque trajet comportant au moins une résistance thermique ; - détermination de chaque résistance thermique en fonction des caractéristiques techniques du boîtier.(dimensions and nature of materials), characterized in that it comprises the following steps: identification of different thermal paths leading the heat to external elements of the component case according to the type of the case, each path comprising at least one thermal resistance ; - determination of each thermal resistance according to the technical characteristics of the box.
L'invention concerne également un système de modélisation thermique d'un composant possédant des caractéristiques, dimensions et nature de matériaux déterminés, caractérisé en ce qu'il comporte : des moyens pour identifier différents trajets thermiques conduisant vers l'extérieur du boîtier du composant en fonction du type du boîtier chaque trajet comportant des impédances ; - des moyens pour déterminer la résistance thermique de chaque trajet thermique en fonction de caractéristiques techniques déterminées .The invention also relates to a system for thermal modeling of a component having characteristics, dimensions and nature of determined materials, characterized in that it comprises: means for identifying different thermal paths leading towards the outside of the component housing in depending on the type of box each path with impedances; means for determining the thermal resistance of each thermal path as a function of determined technical characteristics.
Les différents objets et caractéristiques de l'invention apparaîtront dans la description qui va suivre et dans les figures annexées qui représentent :
- la figure 1, un exemple de carte électronique connue dans la technique ;The various objects and characteristics of the invention will appear in the description which follows and in the appended figures which represent: - Figure 1, an example of an electronic card known in the art;
- la figure 2, un exemple de réalisation d'un réseau thermique selon l'invention ; la figure 3, une généralisation d'un réseau thermique selon l'invention ;- Figure 2, an embodiment of a thermal network according to the invention; Figure 3, a generalization of a thermal network according to the invention;
- la figure 4, des lignes de flux thermique selon l'épaisseur d'un boîtier de composant ; la figure 5, des lignes de flux thermique parallèlement aux faces principales d'un boîtier de composant ;- Figure 4, heat flow lines according to the thickness of a component housing; Figure 5, heat flow lines parallel to the main faces of a component housing;
- la figure 6, un exemple de réalisation dérivé de l'exemple général de la figure 3 ;- Figure 6, an embodiment derived from the general example of Figure 3;
- les figures 7 et 8, des exemples de détermination de conductances thermiques avec des isothermes elliptiques ; - la figure 9, un exemple de réalisation d'un système mettant en oeuvre l'invention.- Figures 7 and 8, examples of determining thermal conductances with elliptical isotherms; - Figure 9, an embodiment of a system implementing the invention.
Selon l'invention on prévoit de réaliser un modèle thermique d'un composant illustrant autant que possible son comportement thermique. Un boîtier de composant peut contenir ou non un circuit électronique. L'invention est applicable aux deux types de configurations. Dans ce qui suivra on considérera un boîtier sans différencier les deux types de configurations .According to the invention, provision is made to produce a thermal model of a component illustrating as much as possible its thermal behavior. A component housing may or may not contain an electronic circuit. The invention is applicable to both types of configuration. In what follows we will consider a box without differentiating the two types of configuration.
Pour cela on établit un réseau thermique qu'on a représenté sur la figure 2 sous la forme d'un réseau analogue électrique comprenant des résistances reliant la source de puissance dissipée " Pu, que constitue le circuit électronique intégré, à la carte électronique C et à l'ambiance extérieure l'entourant. Ce réseau représente donc des chemins thermiques dans le boîtier B conduisant vers des parties extérieures du boîtier B .For this, a thermal network is established, which has been represented in FIG. 2 in the form of an analog electrical network comprising resistors connecting the dissipated power source "Pu, which constitutes the integrated electronic circuit, to the electronic card C and surrounding environment. This network therefore represents thermal paths in box B leading to external parts of box B.
Pour un type de* boîtier donné ce réseau thermique tient compte des différentes dimensions du boîtier et de la nature des matériaux qui le constituent, c'est-à-dire de la conductivité thermique en différents points du boîtier.
L'établissement de ce réseau thermique est donc spécifique au type de boîtier et incorpore des simplifications découlant du type de boîtier.For a given type of * box, this thermal network takes into account the different dimensions of the box and the nature of the materials which constitute it, that is to say the thermal conductivity at different points of the box. The establishment of this thermal network is therefore specific to the type of housing and incorporates simplifications arising from the type of housing.
De façon générale, un réseau thermique d'un composant selon l'invention est tel que représenté en figure 3.In general, a thermal network of a component according to the invention is as shown in FIG. 3.
Le point PI est la face dissipante du circuit intégré et le point P2 est la face arrière du circuit (opposée à la face dissipante) . Généralement la face arrière (P2) est collée ou brasée au boîtier.The point PI is the dissipating face of the integrated circuit and the point P2 is the rear face of the circuit (opposite the dissipating face). Generally the rear face (P2) is glued or brazed to the housing.
10 De façon générale, le point PI est considéré comme étant relié au point P2 par une résistance Zl.In general, the point PI is considered to be connected to the point P2 by a resistor Z1.
Le point PI est relié à la face supérieure du boîtier, sur une certaine surface d'interface Al, par une impédance Z2.The point PI is connected to the upper face of the housing, on a certain interface surface A1, by an impedance Z2.
Le point P2 est relié à une zone d'interface A2 de la ^ face supérieure du boîtier par une résistance Z3 et à une zone d'interface Cil de la face inférieure du boîtier côté carte de circuits imprimés par une résistance Z5.The point P2 is connected to an interface zone A2 on the upper face of the housing by a resistor Z3 and to an interface zone C11 of the lower face of the housing on the printed circuit board side by a resistor Z5.
Généralement, on peut considérer un point d'échange thermique P3 relié à P2 par une résistance Z7.Generally, one can consider a heat exchange point P3 connected to P2 by a resistor Z7.
20 Le point P3 est relié à une zone d'interface A3 de la face supérieure et de la périphérie du boîtier par une résistance Z4. Il est relié également, par une résistance Z6, à une zone d'interface CI2 de la face inférieure du boîtier et par une impédance Z8 aux pattes CI3 de connexion du boîtier à la 2 plaque de circuits imprimés .The point P3 is connected to an interface zone A3 on the upper face and the periphery of the housing by a resistor Z4. It is also connected, by a resistor Z6, to an interface zone CI2 on the underside of the housing and by an impedance Z8 to the lugs CI3 for connecting the housing to the 2 printed circuit board.
Selon le type du boîtier certaines résistances du réseau de la figure 3 n'existent pas ou sont de très grande valeur. Pour permettre d'appliquer à tous les composants le réseau de la figure 3 on a associé, de façon symbolique, un ^ contact à certaines résistances . Selon le type de boîtier, on élimine du réseau une ou plusieurs résistances en considérant que le contact, associé à une résistance qui ne doit pas exister, est ouvert.Depending on the type of the box, certain resistances of the network of FIG. 3 do not exist or are of very high value. To make it possible to apply the network of FIG. 3 to all the components, a contact has been associated, symbolically, with certain resistances. Depending on the type of box, one or more resistors are eliminated from the network, considering that the contact, associated with a resistance which must not exist, is open.
Par exemple, les résistances Z2 et Z3 sont connectées aux zones d'interfaces Al et A2 par des contacts K2 et K3 qui
sont ouverts si le boîtier est en céramique et qui sont fermés si le boîtier est en plastique.For example, the resistors Z2 and Z3 are connected to the interface zones Al and A2 by contacts K2 and K3 which are open if the case is ceramic and are closed if the case is plastic.
Les contacts K5 et K6 qui connectent les résistances Z5 et Z6 à la zone d'interface Cil est fermé par exemple, si le boîtier est collé à la carte de circuits imprimés.The contacts K5 and K6 which connect the resistors Z5 and Z6 to the interface zone C11 is closed, for example, if the box is glued to the printed circuit board.
La figure 6 représente à titre d'exemple le réseau thermique d'un composant dont le boîtier est en céramique et qui est collé sur la carte de circuits imprimés . Sur ce réseau, les résistances Z2, Z3 et Z6 n'existent pas et le contact K5 est fermé .FIG. 6 shows by way of example the thermal network of a component whose housing is made of ceramic and which is glued to the printed circuit board. On this network, the resistors Z2, Z3 and Z6 do not exist and the contact K5 is closed.
Les différentes résistances thermiques du réseau de la figure 3 sont déterminées à partir des caractéristiques physiques du composant qui sont représentées par des dimensions du composant et des conductivités thermiques correspondant aux natures des matériaux constituant le composant .The different thermal resistances of the network of FIG. 3 are determined from the physical characteristics of the component which are represented by dimensions of the component and thermal conductivities corresponding to the natures of the materials constituting the component.
Une résistance peut représenter, à l'intérieur du boîtier, soit une propagation de la chaleur dans le sens de l'épaisseur du boîtier (perpendiculairement aux plus grandes faces du boîtier) ou une propagation dans le plan du boîtier (parallèlement aux grandes faces du boîtier) .A resistance can represent, inside the housing, either a propagation of the heat in the direction of the thickness of the housing (perpendicular to the largest faces of the housing) or a propagation in the plane of the housing (parallel to the large faces of the case).
Ces deux types de résistances peuvent être considérées comme étant constituées d'au moins une résistance de pénétration et une résistance de conduction. Les figures 4 et 5 illustrent de manière simplifiée la signification physique de ces résistances .These two types of resistors can be considered to consist of at least one penetration resistance and one conduction resistance. Figures 4 and 5 illustrate in a simplified way the physical meaning of these resistances.
La figure 4 illustre une résistance correspondant à une propagation de la chaleur dans le sens de l'épaisseur du boîtier. Le boîtier B comporte une face supérieur As et une face inférieure Ai. La source de chaleur Pu du composant (circuit électronique) est située dans le boîtier B entre les faces As et Ai. Une dissipation de la chaleur de la source de chaleur Pu vers la face supérieure est représentée par des lignes de flux. Cette dissipation se fait dans la zone Yl de manière rayonnante : la chaleur issue de la source P pénètre dans le
boîtier. Elle se fait dans la zone Y2 de manière diffusante : la chaleur se dirige de la façon la plus directe thermiquement vers la face As.Figure 4 illustrates a resistance corresponding to a propagation of heat in the thickness direction of the housing. The housing B has an upper face As and a lower face Ai. The heat source Pu of the component (electronic circuit) is located in the housing B between the faces As and Ai. Heat dissipation from the Pu heat source to the upper side is represented by flux lines. This dissipation takes place in the area Yl in a radiant manner: the heat from the source P enters the housing. It is done in the zone Y2 in a diffusing way: the heat is directed in the most direct way thermally towards the face As.
La figure 5 illustre une dissipation de la chaleur vers une partie latérale du boîtier. Dans une zone Y3, la chaleur issue de la source Pu pénètre et rayonne dans le corps du boîtier. Dans une zone Y4 la chaleur est conduite par le chemin thermique le plus court vers des parties latérales de dissipation du boîtier.Figure 5 illustrates heat dissipation to a side portion of the housing. In an area Y3, the heat from the Pu source penetrates and radiates into the body of the housing. In a zone Y4 the heat is conducted by the shortest thermal path to the lateral dissipation parts of the housing.
A chaque zone Yl, Y2, Y3, Y4 correspond une résistance élémentaire RI, R2, R3, R4. Pour déterminer ces résistances élémentaires on prévoit des hypothèses simplificatrices .Each zone Y1, Y2, Y3, Y4 corresponds to an elementary resistance RI, R2, R3, R4. To determine these elementary resistances, simplifying hypotheses are provided.
En effet, un boîtier étant généralement de forme parallélépipédique avec les plus grandes faces de formes rectangulaires ou carrées, il est très difficile de calculer la propagation thermique. Pour remédier à cela, on a considéré que les isothermes dans de tels boîtiers sont de forme elliptiques ou circulaires . Par exemple en considérant des isothermes circulaires, la valeur des résistances élémentaires RI à R4 sera donnée par les formules suivantes .In fact, since a box is generally of rectangular shape with the largest faces of rectangular or square shapes, it is very difficult to calculate the thermal propagation. To remedy this, it has been considered that the isotherms in such cases are elliptical or circular in shape. For example by considering circular isotherms, the value of the elementary resistances RI to R4 will be given by the following formulas.
R3 = 1/4 H k + (1-e -0,3W/Aj / f kA R4 = (Log B/A)/2 1T kWR3 = 1/4 H k + (1-e -0,3W / Aj / f kA R4 = (Log B / A) / 2 1T kW
Dans ces relations, les différents paramètres ont les significations suivantes en liaison avec les figures 4 et 5 : = épaisseur du boîtierIn these relationships, the different parameters have the following meanings in conjunction with FIGS. 4 and 5: = thickness of the housing
WO = longueur de la résistance de pénétration selon l'épaisseur du boîtier k = coefficient de conduction thermiqueWO = length of the penetration resistance depending on the thickness of the housing k = coefficient of thermal conduction
A = longueur de pénétration thermique selon le plan du boîtierA = thermal penetration length along the plane of the housing
B = longueur de pénétration et de conduction selon le plan du boîtier
Bl = rayon de la section du flux de conduction selon l'épaisseur du boîtier;B = penetration and conduction length according to the plane of the housing Bl = radius of the section of the conduction flux according to the thickness of the housing;
Comme on peut donc le voir ces différentes relations font intervenir des paramètres physiques du composant incluant les principales dimensions du composant et des caractéristiques liées à la nature des matériaux .As we can therefore see, these different relationships involve physical parameters of the component including the main dimensions of the component and characteristics related to the nature of the materials.
Dans le cas des boîtiers rectangulaires, les isothermes sont considérées elliptiques .In the case of rectangular boxes, the isotherms are considered elliptical.
Le calcul de la résistance thermiques de propagation entre deux isothermes fait appel à une intégration angulaire .The calculation of the thermal resistance of propagation between two isotherms calls for an angular integration.
Sur la figure 7, le flux de chaleur va d'une isotherme elliptique El repérée par le couple de dimensions (al, Bl) vers une isotherme E2 (a2, b2) . Les ellipses ne sont pas forcément homothétiques, mais sont de même centre géométrique . Le matériau est supposé homogène et de conductivité thermique k dans la zone de propagation .In FIG. 7, the heat flow goes from an elliptical isotherm El identified by the pair of dimensions (al, Bl) to an isotherm E2 (a2, b2). Ellipses are not necessarily homothetic, but have the same geometric center. The material is assumed to be homogeneous and of thermal conductivity k in the propagation zone.
Comme cela est représenté sur la figure 8, on considère un volume de matériau d'épaisseur h entre les deux isothermes et compris entre Θ et θ + δ Θ . La longueur L de ce volume vaut L = L2 - Ll que l'on peut calculer en connaissant l'angle exprimé en radians et les valeurs de al , a2 , bl et b2As shown in Figure 8, we consider a volume of material of thickness h between the two isotherms and between Θ and θ + δ Θ. The length L of this volume is equal to L = L2 - Ll which can be calculated by knowing the angle expressed in radians and the values of al, a2, bl and b2
Ll = 1 / cos2 θ/al2 + sin2 0/bl2 Ll = 1 / cos 2 θ / al 2 + sin 2 0 / bl 2
L2 = 1 / cos2 0 /a22 + sin2 Q/b22 L2 = 1 / cos 2 0 / a2 2 + sin 2 Q / b2 2
Il est donc possible de calculer la conductance dG de ce volume si on considère que, microscopiquement , les ellipses sont des portions de cercles . Ll et L2 sont donc les rayons des cercles passant par (xl, yl) et x2, y2) et tels que, localement, le rayon de courbure du cercle soit égal à celui de l'ellipse .It is therefore possible to calculate the conductance dG of this volume if we consider that, microscopically, the ellipses are portions of circles. L1 and L2 are therefore the radii of the circles passing through (xl, yl) and x2, y2) and such that, locally, the radius of curvature of the circle is equal to that of the ellipse.
Dans l'élément de volume connu, le phénomène s'assimile localement à de la propagation dans une tranche de cylindre, ce qui permet de calculer dG . dG = khd Θ/Log L2/L1In the known volume element, the phenomenon is locally assimilated to propagation in a cylinder slice, which makes it possible to calculate dG. dG = khd Θ / Log L2 / L1
On peut obtenir la conductance totale du volume entre
ellipses en intégrant dG entre 0 et 211.We can obtain the total conductance of the volume between ellipses by integrating dG between 0 and 211.
On obtient ainsi la valeur de la conductance thermique :The value of the thermal conductance is thus obtained:
Cette intégrale • n'a pas de solution analytique directe, il faut donc utiliser une méthode de calcul numérique de G. Le pas angulaire va donc être discrétisé pour permettre le calcul.This integral • does not have a direct analytical solution, it is thus necessary to use a method of numerical computation of G. The angular step will thus be discretized to allow computation.
Dans la pratique et pour le cas de dimensions de l'ordre de la taille des composants, on choisit un pas de 8.72 10 -4 radians (0.05 degrés) ce qui met en parallèle 1800 volumes élémentaires de calcul. De plus, dans le cas pratique, on décompose le chemin thermique qui va d'une isotherme elliptique à une autre en introduisant des isothermes elliptiques entre les deux frontières (en pratique 4) . Celles-ci sont réparties géométriquement entre les deux limites. On obtient des conductances entre les isothermes, que l'on convertit en résistances afin d'avoir la résistance thermique totale :In practice and for the case of dimensions of the order of the size of the components, a step of 8.72 10 -4 radians (0.05 degrees) is chosen, which puts 1800 elementary calculation volumes in parallel. In addition, in the practical case, the thermal path which goes from one elliptical isotherm to another is broken down by introducing elliptical isotherms between the two boundaries (in practice 4). These are distributed geometrically between the two limits. We obtain conductances between the isotherms, which we convert into resistors in order to have the total thermal resistance:
R = 1/G1 + 1+G2 + 1/G3 + 1/G4 + 1/G5R = 1 / G1 + 1 + G2 + 1 / G3 + 1 / G4 + 1 / G5
G(i) étant la conductance entre les isothermes i et i+1 En résumé pour déterminer le modèle thermique d'un composant il convient de déterminer le type auquel il appartient.G (i) being the conductance between isotherms i and i + 1 In summary to determine the thermal model of a component it is necessary to determine the type to which it belongs.
Les différents composants (boîtiers) qui existent sont classés par type de telle façon qu'à chaque type puisse correspondre un réseau thermique d'une configuration donnée. Pour le réseau thermique notamment avec des isothermes circulaires, on associe à chaque résistance du réseau une ou plusieurs résistances élémentaires RI à R4. Par exemple, sur le réseau de la figure 3, pour un type donné, la résistanceThe different components (boxes) that exist are classified by type so that each type can correspond to a thermal network of a given configuration. For the thermal network in particular with circular isotherms, one or more elementary resistors RI to R4 are associated with each resistance of the network. For example, on the network of figure 3, for a given type, the resistance
Zl pourra être composée d'une résistance élémentaire de pénétration RI et d'une résistance élémentaire de conduction R2.
On détermine ainsi autant de réseaux qu'il y a de types de boîtiers .Zl could be composed of an elementary resistance of penetration RI and an elementary resistance of conduction R2. We thus determine as many networks as there are types of boxes.
On estime actuellement que tous les boîtiers qui existent peuvent être classés dans une douzaine voire une quinzaine de réseaux thermiques ainsi constitués .It is currently estimated that all the boxes that exist can be classified in a dozen or even fifteen thermal networks thus formed.
Les boîtiers couramment utilisés peuvent se différencier notamment par : les matériaux les formes le nombre de sorties électriques etc . . .The boxes commonly used can be distinguished in particular by: the materials the shapes the number of electrical outlets etc. . .
Ils peuvent être classés en TYPES la liste ci- dessous n'étant pas exhaustive, a) Boîtiers céramiques : DIL (Dual in Line)They can be classified into TYPES the list below is not exhaustive, a) Ceramic boxes: DIL (Dual in Line)
PGA (Pin Grid Area)PGA (Pin Grid Area)
LDCC (leaded ceramic Chip carrier)LDCC (leaded ceramic Chip carrier)
LCCC (leadless ceramic chip carrier)LCCC (leadless ceramic chip carrier)
b) Boîtiers plastiques :b) Plastic cases:
DIL (Dual in line)DIL (Dual in line)
SO (Small out Une)SO (Small out One)
VSOP (Very Small outline Package)VSOP (Very Small outline Package)
PLCC (Plastic Chip Carrier) A chaque type correspond un grand nombre de boîtier et à chaque boîtier correspond beaucoup de composants .PLCC (Plastic Chip Carrier) Each type corresponds to a large number of boxes and to each box there are many components.
De plus, dans ces deux types de boîtiers, la grille de connexion peut être en alliage cuivreux ou en alliage ferro -nickel (KOVAR par exemple) . Ces grilles diffèrent de façon importante par les conductivité s thermiques .In addition, in these two types of boxes, the connection grid can be made of a copper alloy or a ferro-nickel alloy (KOVAR for example). These grids differ significantly in thermal conductivity.
Le procédé d'acquisition des modèles thermiques tel qu'il vient d'être décrit présente l'intérêt de pouvoir être appliqué par du personnel peu qualifié, le coût global d'utilisation est très réduit.The method of acquiring thermal models as just described has the advantage of being able to be applied by low-skilled personnel, the overall cost of use is very low.
Il utilise exclusivement :
- des données géométriques du boîtierIt exclusively uses: - geometric data of the housing
- les valeurs de conductivités thermiques des matériaux Le procédé offre en outre la possibilité de générer et d'utiliser des valeurs par défaut lorsque des valeurs réelles ne sont pas accessibles.- the thermal conductivity values of the materials The process also offers the possibility of generating and using default values when actual values are not accessible.
Ce procédé a été rendu possible par le choix d'hypothèses de simplifications acceptables concernant le type de relations des isothermes. Notamment l'étude préalable a montré que celles-ci sont assimilables à des ellipses dans le cas général des boîtiers de forme rectangulaire, à des cercles dans le cas particulier des boîtiers de forme carrée.This process was made possible by the choice of acceptable simplification hypotheses concerning the type of relations of the isotherms. In particular, the prior study has shown that these are comparable to ellipses in the general case of rectangular-shaped boxes, to circles in the particular case of square-shaped boxes.
Ayant déterminé le type de composant, on a ainsi déterminé un réseau thermique comportant un certain nombre de résistances chacune constituée d'une ou plusieurs résistances élémentaires RI à R4 dont on détermine les valeurs.Having determined the type of component, a thermal network has thus been determined comprising a certain number of resistors each consisting of one or more elementary resistors RI to R4, the values of which are determined.
Les différentes résistances thermiques du réseau thermique de la figure 3 aboutissent sur une zone d'interface du composant avec le milieu extérieur au composant. On a ainsi des zones d'interfaces avec le milieu ambiant. Le composant étant monté sur un support tel qu'une carte de circuits imprimés, on a également des zones d'interface avec le support (carte de circuits imprimés) .The various thermal resistances of the thermal network of FIG. 3 end up on an interface zone of the component with the environment external to the component. There are thus areas of interfaces with the ambient environment. The component being mounted on a support such as a printed circuit board, there are also areas of interface with the support (printed circuit board).
Au réseau thermique sont donc associées des zones d'interfaces. Les zones d'interfaces dépendent du type de composant. Elles sont caractérisées par leurs surfaces ; chaque zone d'interface étant une zone d'échange de chaleur entre le composant et le milieu avec lequel il est en contact.The thermal network is therefore associated with interface zones. The interface areas depend on the type of component. They are characterized by their surfaces; each interface zone being a heat exchange zone between the component and the medium with which it is in contact.
La détermination de chaque zone d'interface est liée au type de composant et son calcul se fait à l'aide de caractéristiques géométriques du composant.The determination of each interface zone is linked to the type of component and its calculation is made using geometric characteristics of the component.
La figure 9 représente un exemple de réalisation d'un système appliquant le procédé de l'invention. Ce système comporte :FIG. 9 represents an exemplary embodiment of a system applying the method of the invention. This system includes:
- un dispositif de reconnaissance (9) du type de boîtier qui s'assure que ce type boîtier peut être traité par le
système et qui dans l'affirmative fournit une information de type sur une sortie TY.- a device type recognition device (9) which ensures that this type of box can be processed by the system and if so provides type information on a TY output.
- un dispositif de réception (2) et de contrôle de cohérence des caractéristiques techniques du boîtier et de génération des valeurs par défaut. Ce défaut possède des entrées CAR sur lesquels il reçoit ls caractéristiques techniques d'un composant pour lequel on doit établir un modèle thermique. Il est par ailleurs connecté à la sortie TY. Il contrôle que les caractéristiques qu'il reçoit sont cohérentes entre elles et cohérentes avec le type de boîtier. Il fournit sur une sorte CT les caractéristiques du composant et le type de boîtier .- a device for receiving (2) and checking the consistency of the technical characteristics of the box and generating default values. This fault has CAR inputs on which it receives the technical characteristics of a component for which a thermal model must be established. It is also connected to the TY output. It checks that the characteristics it receives are consistent with each other and consistent with the type of housing. It provides on a CT sort the characteristics of the component and the type of housing.
- un dispositif de détermination de résistances 3 connecté à la sortie et calculant, en fonction des informations transmises sur CT, un nombre déterminé de résistances thermiques . un dispositif 4 de détermination de zones d'interfaces et de calcul de la surface de ces zones en fonction des informations transmises sur la sortie CT " un dispositif d'assemblage 5 connecté aux dispositifs 3 et 4, recevant de ceux-ci des valeurs de résistances et des valeurs de surfaces et fournissant un réseau de résistances conduisant vers des éléments extérieurs du boîtier (zones d'interfaces) avec, associé à ce réseau, des valeurs d'impédances et des valeurs de surfaces de zones d'interfaces .- a resistance determination device 3 connected to the output and calculating, as a function of the information transmitted on CT, a determined number of thermal resistances. a device 4 for determining interface zones and for calculating the area of these zones as a function of the information transmitted on the CT output "an assembly device 5 connected to devices 3 and 4, receiving from them values of resistors and surface values and providing a network of resistors leading to external elements of the housing (interface zones) with, associated with this network, impedance values and surface values of interface zones.
- un dispositif d'exploitation 6 recevant le résultat d'assemblage du dispositif 5 et mettant en oeuvre ce résultat.- An operating device 6 receiving the assembly result of the device 5 and implementing this result.
Ce dispositif d'exploitation 6 peut être un dispositif d'affichage permettant de visualiser le modèle thermique d'un composant avec ses différentes résistances et ses zones d'interfaces et peut être incorporé à un système d'implantation sur carte .This operating device 6 can be a display device making it possible to view the thermal model of a component with its different resistances and its interface zones and can be incorporated into a system for implanting on a card.
Ce dispositif 6 peut être lui-même le système d'implantation de composants sur cartes de circuits imprimés . Un
tel système sera donc à même de prendre en compte chaque composant avec ses différentes zones d'interfaces et ses résistances reliant le circuit électronique du composant aux différentes zones d'inter aces . Ce système d'implantation implantera donc les composants avec une connaissance plus complète de chacun d'eux.This device 6 can itself be the system for installing components on printed circuit boards. A such a system will therefore be able to take into account each component with its different interface zones and its resistances connecting the electronic circuit of the component to the different interface zones. This implantation system will therefore implant the components with a more complete knowledge of each of them.
Il est bien évident que la description qui précède n'a été faite qu'à titre d'exemple et que d'autres variantes peuvent être envisagées. Notamment, les formules de détermination des impédances peuvent prendre en compte d'autres paramètres que ceux indiqués. De plus, il a été mentionné dans ce qui précède que l'invention est applicable à la réalisation de modèles thermiques de composants électroniques. Cependant, elle pourrait être applicable à tout autre type de composants.
It is obvious that the above description has been given only by way of example and that other variants can be envisaged. In particular, the formulas for determining the impedances may take account of parameters other than those indicated. In addition, it has been mentioned in the above that the invention is applicable to the production of thermal models of electronic components. However, it could be applicable to any other type of component.
Claims
1. Procédé de modélisation thermique d'un composant comportant une source de chaleur et possédant les caractéristiques techniques déterminées (dimensions et matière des matériaux) , caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes : identification de différents trajets thermiques conduisant vers des éléments extérieurs du boîtier de composant en fonction du type de boîtier, chaque trajet comportant au moins une résistance thermique ; 0 - détermination de chaque résistance thermique en fonction des caractéristiques techniques du boîtier, chaque trajet thermique aboutissant sur un élément d'interface extérieur du boîtier du composant, une étape supplémentaire consistant à déterminer la surface de chacun de ces éléments 5 extérieurs .1. A method of thermal modeling of a component comprising a heat source and having the determined technical characteristics (dimensions and material of the materials), characterized in that it comprises the following stages: identification of different thermal paths leading to external elements of the component housing as a function of the type of housing, each path comprising at least one thermal resistance; 0 - determination of each thermal resistance as a function of the technical characteristics of the housing, each thermal path leading to an external interface element of the component housing, an additional step consisting in determining the surface of each of these external elements.
2. Procédé selon la revendication 1 , caractérisé en ce que la détermination d'une résistance thermique se fait par détermination d'une première résistance thermique de diffusion dans le sens de l'épaisseur du boîtier du composant (impédance 0 directe) et une deuxième résistance thermique de diffusion parallèlement au plan du composant (impédance rayonnante) .2. Method according to claim 1, characterized in that the determination of a thermal resistance is done by determining a first diffusion thermal resistance in the thickness direction of the component case (direct impedance 0) and a second thermal diffusion resistance parallel to the plane of the component (radiating impedance).
3. Procédé selon la revendication 2 , caractérisé en ce que chaque résistance thermique de diffusion peut être constituée d'une résistance élémentaire de pénétration (RI, R3) et d'une résistance élémentaire de conduction (R2 , R4) .3. Method according to claim 2, characterized in that each diffusion thermal resistance can consist of an elementary penetration resistance (RI, R3) and an elementary conduction resistance (R2, R4).
4. Procédé selon la revendication 1 , caractérisé en ce qu'on assemble les valeurs de résistances et les valeurs de surface pour connaître les trajets thermiques reliant le circuit émetteur de chaleur aux éléments extérieurs . J 4. Method according to claim 1, characterized in that the resistance values and the surface values are assembled to know the thermal paths connecting the heat emitting circuit to the external elements. J
5. Procédé selon la revendication 4, caractόrisέ en ce qu'on visualise le résultat .5. Method according to claim 4, caractόrisέ in that the result is displayed.
6. Procédé selon la revendication 4 , caractérisé en ce que le modèle thermique du composant est mis en oeuvre dans un procédé d'implantation de circuits intégrés sur une carte de circuits imprimés .6. Method according to claim 4, characterized in that the thermal model of the component is implemented in a process for installing integrated circuits on a printed circuit board.
7. Système de modélisation thermique d'un composant possédant des caractéristiques (dimensions et nature de matériaux déterminées) , caractérisé en ce qu'il comporte : des moyens pour identifier différents trajets thermiques conduisant vers " l'extérieur du boîtier du composant chaque trajet comportant des résistances en fonction du type de boîtier ; - des moyens pour déterminer la résistance thermique de chaque trajet thermique en fonction de caractéristiques techniques déterminées .7. A thermal modeling system for a component having characteristics (dimensions and nature of materials determined), characterized in that it comprises: means for identifying different thermal paths leading to the outside of the component housing each path comprising resistances as a function of the type of case; - means for determining the thermal resistance of each thermal path as a function of determined technical characteristics.
8. Système selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens de détermination de résistances thermiques comportent au moins un premier moyen de détermination de résistances de diffusion dans le sens de l'épaisseur du boîtier thermique et au moins un deuxième moyen de détermination de résistance de diffusion thermique selon le plan du boîtier.8. System according to claim 7, characterized in that the means for determining thermal resistances comprise at least a first means for determining diffusion resistances in the thickness direction of the thermal housing and at least a second means for determining thermal diffusion resistance along the plane of the housing.
9. Système selon la revendication 8, caractérisé en ce que le moyen de détermination de résistances thermiques dans le sens de l'épaisseur du boîtier et le moyen de détermination de résistances thermiques parallèlement au plan du boîtier comportent chacun un moyen de détermination de résistance de pénétration et un moyen de détermination de résistance de conduction thermique.9. System according to claim 8, characterized in that the means for determining thermal resistance in the direction of the thickness of the housing and the means for determining thermal resistance parallel to the plane of the housing each comprise a means for determining resistance of penetration and a means of determining thermal conduction resistance.
10. Système selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens de détermination de résistances thermiques interprètent un composant de forme parallélépipédique en un composant de forme elliptique . 10. System according to claim 7, characterized in that the means for determining thermal resistances interpret a component of parallelepiped shape in a component of elliptical shape.
11. Système selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens de détermination de résistances fonctionnent sur la base des formules suivantes :11. System according to claim 7, characterized in that the means for determining resistances operate on the basis of the following formulas:
a) moyen de détermination de résistances de conduction thermique selon l'épaisseur du bottier : résistance de pénétrationa) means for determining thermal conduction resistances according to the thickness of the shoemaker: penetration resistance
- résistance de conduction :- conduction resistance:
R2 = (W-W0)/k 11 Bl2 R2 = (W-W0) / k 11 Bl 2
b) moyen de détermination de résistances de conduction thermique parallèlement au plan du boîtier :b) means for determining thermal conduction resistances parallel to the plane of the housing:
- résistance de pénétration :- penetration resistance:
R3 = 1/4 1T kW + (1-e"0' 3 W/Λ)/ 1T kAR3 = 1/4 1T kW + (1-e "0 ' 3 W / Λ ) / 1T kA
- résistance de conduction :- conduction resistance:
R4 = (LogB/A)/ 2 H kWR4 = (LogB / A) / 2 H kW
dans ces formules, les différents paramètres Bl et B2 ayant les significations suivantes :in these formulas, the different parameters Bl and B2 having the following meanings:
W : l'épaisseur du composantW: the thickness of the component
WO : l'épaisseur du composant selon laquelle se fait la pénétrationWO: the thickness of the component according to which the penetration takes place
A : la dimension de la surface inductrice de chaleur k : une caractéristique thermique du matérieu (conductivité)A: the dimension of the heat inducing surface k: a thermal characteristic of the material (conductivity)
Bl : la dimension de la surface dissipanteBl: the size of the dissipating surface
B : longueur de pénétration et de conduction selon le pian du boîtier. B: length of penetration and conduction according to the plane of the housing.
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