WO1991020130A1 - Output buffer circuit - Google Patents

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Inventor
Katsuhiro Hisaka
Original Assignee
Oki Electric Industry Co., Ltd.
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/003Modifications for increasing the reliability for protection
    • H03K19/00346Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents
    • H03K19/00361Modifications for eliminating interference or parasitic voltages or currents in field effect transistor circuits
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits

Definitions

  • the present invention relates to an output buffer circuit, and is particularly suitable for use in a semiconductor integrated circuit for reducing unnecessary emission radio waves.
  • An output buffer circuit built in a semiconductor integrated circuit is required to be able to drive a relatively large load capacitance connected to an output terminal at a high speed.
  • an output buffer circuit with a large current driving capability is driven at high speed, a large current suddenly flows through the power supply line and the ground line when the load capacity is changed. Noise is likely to be generated on the wire and the ground wire.
  • the input signal level and the output voltage judgment level are close to the ground level, so that noise on the ground line is a problem.
  • the present invention provides an output buffer circuit that can reduce noise while minimizing degradation in high-speed performance.
  • the primary purpose is to provide.
  • a second object of the present invention is to provide an output buffer circuit that focuses on changes in transistor characteristics due to temperature, power supply, and manufacturing variations, and makes it possible to keep the output response time constant even when conditions change. It is to be.
  • a first invention provides an output buffer circuit having an output terminal, a first power supply, and a second power supply,
  • a first transistor connected between the first power supply and the output terminal, wherein the first transistor electrically connects the first power supply and the output terminal during a first predetermined period;
  • a second transistor connected between the second power supply and the output terminal, the second transistor having a control terminal for controlling an electrical connection between the second power supply and the output terminal.
  • Control means for outputting a first control signal of a second logic level to
  • Delay means for receiving the first control signal, receiving the first control signal at the second logic level, and outputting the delayed signal at the second logic level after a predetermined delay time Delay means;
  • Control signal supply means for receiving the first control signal and the delay signal, and providing a second control signal to the control terminal, wherein the predetermined delay time after the first predetermined period is: The second control signal, which gradually shifts from the first logic level to the second logic level, shifts to the second logic level relatively quickly after receiving the delay signal. And a control signal supply means for supplying the control signal to the control terminal.
  • an output buffer circuit having an output terminal, a first power supply, and a second power supply
  • a first switch connected between the first power supply and the output terminal, the first switch electrically connecting the first power supply to the output terminal during a first predetermined period
  • a first field effect transistor having a first and a second ⁇ electrode and a control electrode, wherein the first electrode is connected to the second power source;
  • the second electrode is a first FE connected to the output terminal,
  • a second 'FE having first and second electrodes and a control electrode
  • a capacitor connected between the second electrode of the second FET and the control electrode of the first FET
  • a first control means for applying a control signal to the control electrode of the first FET during a second predetermined period after the first predetermined period;
  • FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a waveform diagram for explaining the circuit operation of FIG. 1
  • FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a waveform diagram for explaining the circuit operation of FIG. 3
  • FIG. 5 is a circuit diagram of a modification of the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 shows an output buffer circuit according to a first embodiment of the present invention
  • FIG. 2 shows a waveform diagram for explaining the operation of the circuit shown in FIG.
  • the tri-state output circuit 11 shown in FIG. 1 responds to the output buffer control signals S 11 and S 12, and outputs a low-level signal representing logic “0” and a high-level signal representing logic “1”.
  • the output signal S10 which is a level signal and a "high impedance" signal, is output from the output terminal 17 via the node 16 and is connected between the voltage Vcc and the ground voltage Vss.
  • a P-channel transistor (hereinafter referred to as PMOS) having a drain connected in common via a node 16 and an N-channel transistor for discharging output load capacitance ( Hereinafter, it is called NM NM S.) Tr 11 is connected to the it column.
  • a switch circuit 12 and a capacitor C 10 are connected in series between the gate of NMQSTr 11 of the tri-state output circuit 11 and the node 16.
  • the switch circuit 12 is configured by connecting two transistors Tr 12 and Tr 13 in parallel, and controls the on / off control of these transistors Tr 12 and Tr 13. Inver evening This is done in circuit 13.
  • a delay circuit 14 in which four stages of inverters are connected in series is connected between the switch circuit 12 and the inverter circuit 13 and a transistor is connected. The polarity of these transistors is made different by using PM ⁇ S for the transistor Tr12 and NM ⁇ S for the transistor Tr13.
  • the transistor Tr 12 is controlled by the output signal node n 11 of the delay circuit 14, and the output of the delay circuit 14 is inverted by the inverter circuit 15.
  • the transistor Tr 13 is controlled by the generated signal node n 12.
  • a fourth transistor Tr14 having the same polarity as that of the third transistor Tr13 is connected in parallel with the capacitor C10, and this transistor Tr14 is connected to the transistor Tr10. It is controlled by the output signal node n 1 1 of the ray circuit 14.
  • a resistor R 1 ⁇ ) is connected between the inverter circuit 13 and the power supply, and a MOS transistor Tr having a polarity different from that of the third transistor Tr 13. 15 is connected in parallel with the resistor R10, and the on / off of this transistor Tr15 is controlled by the same node n12 as that of the third transistor Tr13. ing.
  • the output signal node n 13 of the inverter circuit 13 rises from the ground level to the power level as shown in FIG. Go on.
  • the rise time of the node n13 is determined by the resistor R10 and the capacitor C10.
  • the power E of the node n 13 slowly rises as shown in FIG. 2B.
  • the node n 1 2 force The node ⁇ 11 rises from a low level to a high level as the level falls.
  • the switch circuit 12 is turned off, the capacitor C10 is disconnected from the output circuit, and the transistors Tr14, Tr15 are respectively turned on, and the resistance The upper and lower ends of the capacitor R10 and the capacitor C0 are short-circuited respectively.
  • the mirror integration effect due to the action of the resistor R 10 and the capacitor C 10 was canceled, and the output signal S 10 was discharged at a stroke after the time t 2 as shown in FIG. 2E.
  • the discharge of the output load capacitance is gradually performed only during the delay time set by the delay circuit 14, and the output voltage is changed to the intermediate voltage. After that, the battery must be discharged at once.
  • the peak current IV ss 10 flowing through the output transistor Tr 11 of the tri-state output circuit 11 can be dispersed, so that noise to the ground line can be reliably reduced. Supine And the speed sacrifices can be minimized.
  • the fourth transistor Tr 14 is provided, and when the switch circuit 12 is turned off, the capacitor C 10 is short-circuited. This is to prevent n 14 from exceeding the gate level of the second transistor Tr 12, and by doing so, Tr 12 and Tr 13 It is possible to configure the switch circuit 12 using such a MOS transistor.
  • the present invention can be similarly applied to the power supply side described only when the present invention is applied to the transistor on the ground side.
  • a series circuit composed of a capacitance component and a switch circuit is provided between an input terminal and an output terminal of a transistor for a transistor provided in a circuit of an output stage.
  • a delay circuit that operates the switch circuit after a predetermined time has elapsed is provided, and the switch circuit is turned off when a predetermined time has elapsed since the start of the operation.
  • the capacitance component is separated from the discharge transistor, so that when the output is at a high level and the current consumption is large, the integration function can be used to reduce the gradient of the current change, and The load capacity can be discharged at a stretch after the output has dropped to an intermediate level, thereby suppressing unnecessary radiation and noise and achieving high-speed operation. Both make it possible. Therefore, it is possible to provide an integrated circuit that can be used in an environment in which unnecessary radiation waves are regulated or in a device that performs high-density mounting without impairing its high-speed operation.
  • FIG. 3 is an output buffer circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
  • An input terminal is an input of an inverter 31 for receiving an output buffer control signal S30.
  • the output of the receiver 31 is input to the inverter 32, and its output (node n33) is connected to the gates of the discharge circuit transistors Tr32 and Tr33 of the output circuit. This transistor drives Tr32 and Tr33.
  • the charge-up transistor Tr 31 is controlled by the output buffer control signal S 31.
  • Tr34 and Tr35 there are NMOS transistors connected in parallel, Tr34 and Tr35, and the quantity components
  • Tr 34 is an inverted signal of the output of the inverter 31, and the power supply level is one n V t (in the figure, V cc — 2 V t, n is the number of stages of the load MOS transistor Tr37, and Vt is the level of the transistor Tr37 threshold).
  • the gate of Tr 35 is
  • NM0S transistor Tr36 is connected between the power supply line Vcc and C30, and the output power of the inverter 31 is applied to the gate of the transistor Tr36.
  • V s s 30 does not flow.
  • the node n32 enters the fining state, and its level can be between 1 Vt and ⁇ . Therefore, the voltage rise is suppressed by the transistor Tr35 and the node 1134 Is set to the threshold Vt of the load MOS transistor Tr38, the node n32 does not become a negative voltage.
  • Tr36 is ON, and the capacitance component C30 is charged.
  • the rise time of the node n33 is a value integrated by the action of the CN0 and the N3 resistor RTr34 of Tr34.
  • the power supply voltage V cc is a high voltage, for example, 5.5 V
  • the resistance of RT r 34 is low, and the mirror effect of C 30 is large.
  • the supply voltage Vcc becomes low (5 V)
  • RTr34 changes to high resistance, and the mirror integration effect decreases.
  • the mirror effect is reduced due to the decrease in the current driving force gm of Tr 34, and the delay in speed can be suppressed. it can.
  • the gm of Tr34 is improved, and the efficiency of the mirror effect is also improved, so that excessive high-speed switching can be suppressed.
  • the mirror when discharging the output load capacitance, the mirror is normally used only when the high voltage, the low temperature, and the low Vi at which the peak current is maximized.
  • the effect is used, and the mirror effect is kept small in other cases, so that noise can be suppressed without sacrificing speed.

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Abstract

An output buffer circuit having output terminals, a first and a second power supply, a transistor (Tr16), connected between the first power supply and the output terminal, and a transistor (Tr11) connected between the second power supply and the output terminal, in which a control signal (n13) whose potential level is shifted gradually from the potential level of the second power supply to the one of the first power supply in the delay period of time determined by a delay circuit (14) is fed to the gate electrode of the transistor (Tr11). Thereby, an output buffer circuit which can reduce noise suppressing the lowering of its high speed performance as small as possible can be offered.

Description

明 細 書  Specification
出 力 バ ッ フ ァ 回 路  Output buffer circuit
技術分野  Technical field
本発明は出力バッ フ ァ回路に係わり、 特に、 半導体集 積回路において不要幅射電波を低減させるようにしたも のに用いて好適なものである。  The present invention relates to an output buffer circuit, and is particularly suitable for use in a semiconductor integrated circuit for reducing unnecessary emission radio waves.
背景技術  Background art
半導体集積回路に内蔵される出力バッ ファ回路は、 出 力端子に接続される比較的大きな負荷容量を高速で駆動 出来るこ とが要求される。 しかし、 電流駆動能力が大き い出力バッ ファ回路が高速で駆動すると、 負荷容量のチ ヤ ージア ップゃデイ スチヤ 一ジ時に電源供給線や接地線 に大電流が急峻に流れるので、 上記電源供給線や接地線 にノイズが発生し易く なる。 特に、 半導体巢稂回路では 入力信号レベルや出力電圧判定レベルが接地レ ルに近 いので、 接地線へのノ イズが問題とされる。  An output buffer circuit built in a semiconductor integrated circuit is required to be able to drive a relatively large load capacitance connected to an output terminal at a high speed. However, when an output buffer circuit with a large current driving capability is driven at high speed, a large current suddenly flows through the power supply line and the ground line when the load capacity is changed. Noise is likely to be generated on the wire and the ground wire. In particular, in the semiconductor circuit, the input signal level and the output voltage judgment level are close to the ground level, so that noise on the ground line is a problem.
そこで、 このような問題が生じないようにするために- 出力イ ンバータ回路の入出力間に ミ ラ一容量 Cを設けた 出カバッ フ マ回路が特開昭 6 0 — 6 2 7 2 5号公報で提 案されている。  In order to prevent such a problem from occurring, an output buffer circuit having a mirror capacitor C between the input and output of the output inverter circuit has been proposed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 60-62725. Proposed in the gazette.
し力、しな力くら、 この出力バ ッ フ ァ回路は、 ミ ラ一容量 による波形の立上がり Z立下がり抑止作用が常に利いて いるため高速動作が困難であつた。  In this output buffer circuit, high-speed operation is difficult because the function of suppressing the rise and fall of the waveform by the mirror capacitance is always effective.
発明の開示  Disclosure of the invention
本発明は上述の問題点に鑑み、 高速性能の低下を最小 限に抑えながらノ イ ズを低減出来る出力バッ ファ回路を 提供するこ とを第 1 の目的とする。 In view of the above problems, the present invention provides an output buffer circuit that can reduce noise while minimizing degradation in high-speed performance. The primary purpose is to provide.
この発明の第 2の目的は、 温度, 電源, 製造バラツキ による トラ ンジスタ特性の変化に着目 し、 条件の変化に おいても出力応答時間を一定にすることを可能とした出 カバッ ファ回路を提供することである。 A second object of the present invention is to provide an output buffer circuit that focuses on changes in transistor characteristics due to temperature, power supply, and manufacturing variations, and makes it possible to keep the output response time constant even when conditions change. It is to be.
即ち、 第 1 の発明は、 出力端子と第 1 電源と第 2電源 とを有する出力バッ フ ァ回路において、  That is, a first invention provides an output buffer circuit having an output terminal, a first power supply, and a second power supply,
前記第 1 電源と前記出力端子との間に接続した第 1 の トランジスタであって、 第 1 の所定期間に前記第 1 電源 と前記出力端子とを電気的に接続する第 1 の トラ ンジス 夕と、  A first transistor connected between the first power supply and the output terminal, wherein the first transistor electrically connects the first power supply and the output terminal during a first predetermined period; ,
前記第 2 ίίΐ源と前記出力端子との問に接続した第 2の ト ラ ン ジスタであって、 前記第 2電源と前記出力端子と の電気的接続を制御する制御端子を有する第 2の トラ ン ジス夕と、 ' '  A second transistor connected between the second power supply and the output terminal, the second transistor having a control terminal for controlling an electrical connection between the second power supply and the output terminal. The evening and the ''
前記第 2の トラ ンジス夕の制御端子に結合し、 前記第 1 の所定期間に第 1 の論理レベルの第 1 の制御信号を出 力し、 前記第 1 の所定期間後の第 2の所定期間に第 2の 論理レベルの第 1 の制御信号を出力する制御手段と、  Coupled to a control terminal of the second transistor, outputting a first control signal of a first logic level during the first predetermined period, and outputting a first control signal of a first logic level for a second predetermined period after the first predetermined period Control means for outputting a first control signal of a second logic level to
前記第 1 の制御信号を受信する遅延手段であって、 前 記第 2の論理レベルの第 1 の制御信号を受信し、 その所 定遅延時間後に前記第 2の論理レベルの遅延信号を出力 する遅延手段と、  Delay means for receiving the first control signal, receiving the first control signal at the second logic level, and outputting the delayed signal at the second logic level after a predetermined delay time Delay means;
前記第 1 の制御信号と前記遅延信号とを受信し、 第 2 の制御信号を前記制御端子に与える制御信号供給手段で あって、 前記第 1 の所定期間後から前記所定遅延時間は、 前記第 1 の論理レベルから徐々 に前記第 2の論理レベル へ移行する前記第 2の制御信号を、 前記遅延信号受信後 は比較的急速に前記第 2の論理レベルへ移行する第 2の 制御信号を前記制御端子に与える制御信号供給手段とを 有するものである。 Control signal supply means for receiving the first control signal and the delay signal, and providing a second control signal to the control terminal, wherein the predetermined delay time after the first predetermined period is: The second control signal, which gradually shifts from the first logic level to the second logic level, shifts to the second logic level relatively quickly after receiving the delay signal. And a control signal supply means for supplying the control signal to the control terminal.
また、 第 2の発明は、 出力端子と第 1 電源と第 2電源 とを有する出力バッファ回路において、  According to a second invention, in an output buffer circuit having an output terminal, a first power supply, and a second power supply,
前記第 1 電源と前記出力端子との間に接続した第 1 の スィ ッチであって、 第 1 の所定期間に前記第 1 電源と前 記出力端子とを電気的に接続する第 1 のスィ ッチと、  A first switch connected between the first power supply and the output terminal, the first switch electrically connecting the first power supply to the output terminal during a first predetermined period; And
第 1 と^ 2の ^極及び制御電極とを有する第 1 のフィ —ル ド · エフェク ト ' トラ ンジスタ ( F E T ) であって, 前記第 1 の電極は前記第 2電源と接続し、 前記第 2の電 極は前記出力端子と接続した第 1 の F E丁と、  A first field effect transistor (FET) having a first and a second ^ electrode and a control electrode, wherein the first electrode is connected to the second power source; The second electrode is a first FE connected to the output terminal,
第 1 と第 2の電極及び制御電極とを有する第' 2の F E A second 'FE having first and second electrodes and a control electrode
Tであって、 前記第 1 の電極は前記第 1 の F E Tの前記 第 2の電極と接続した第 2の F E Tと、 T, wherein the first electrode is connected to the second electrode of the first FET and a second FET,
前記第 2の F E Tの前記第 2の電極と前記第 1 の F E Tの前記制御電極との間に接続したコンデンサと、  A capacitor connected between the second electrode of the second FET and the control electrode of the first FET;
前記第 1 の F E Tの前記制御電極に、 前記第 1 の所定 期間後の第 2の所定期間に制御信号を与える第 1 制御手 段と、  A first control means for applying a control signal to the control electrode of the first FET during a second predetermined period after the first predetermined period;
前記第 2の所定期間に、 前記第 2の F E Tの前記制御 電極に対し、 前記第 1 電源に関係した電圧を与える第 2 制御手段とを有したものである。 図面の簡単な説明 And a second control means for applying a voltage related to the first power supply to the control electrode of the second FET during the second predetermined period. BRIEF DESCRIPTION OF THE FIGURES
図 1 は、 本発明第 1 の実施例の回路図、  FIG. 1 is a circuit diagram of a first embodiment of the present invention,
図 2は、 図 1 の回路動作を説明するための波形図、 図 3 は、 本発明第 2の実施例の回路図、  FIG. 2 is a waveform diagram for explaining the circuit operation of FIG. 1, FIG. 3 is a circuit diagram of a second embodiment of the present invention,
図 4 は、 図 3の回路動作を説明するための波形図、 図 5は、 本発明第 2の実施例の変形例の回路図である。  FIG. 4 is a waveform diagram for explaining the circuit operation of FIG. 3, and FIG. 5 is a circuit diagram of a modification of the second embodiment of the present invention.
発明を実施するための最良の形態  BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
図 1 は、 本発明の第 1 の実施例である出力バッファ回 路を示し、 図 2は、 図 1 に示した回路の動作を説明する ための波形図を示すものである。 図 1 に示した トライス テー ト出力回路 1 1 は、 出力バッ フ ァ制御信号 S 1 1 , S 1 2に応答し、 論理 " 0 " を意味するローレベル信号、 論理 " 1 " を意味するハイ レベル信号及び "ハイイ ンピ 一ダンス" 信号である出力信号 S 1 0をノー ド 1 6を介 して出力端子 1 7 より出力するものであり、 電 電圧 V c c と接地電圧 V s s との間にノー ド 1 6を介して ドレ イ ンを共通に接続した Pチャ ンネル型 トランジスタ (以 下、 P MO S という。 ) T r 1 6 と出力負荷容量ディ ス チャージ用の Nチャ ンネル型 トラ ンジスタ (以下、 NM 〇 S という。 ) T r 1 1 とを it列に接続したものである。  FIG. 1 shows an output buffer circuit according to a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 shows a waveform diagram for explaining the operation of the circuit shown in FIG. The tri-state output circuit 11 shown in FIG. 1 responds to the output buffer control signals S 11 and S 12, and outputs a low-level signal representing logic “0” and a high-level signal representing logic “1”. The output signal S10, which is a level signal and a "high impedance" signal, is output from the output terminal 17 via the node 16 and is connected between the voltage Vcc and the ground voltage Vss. A P-channel transistor (hereinafter referred to as PMOS) having a drain connected in common via a node 16 and an N-channel transistor for discharging output load capacitance ( Hereinafter, it is called NM NM S.) Tr 11 is connected to the it column.
この トライ ステー ト出力回路 1 1 の NMQ S T r 1 1 のゲー ト とノー ド 1 6 との間には、 スィ ッチ回路 1 2 と コンデンサ C 1 0 とが直列に接続されている。  A switch circuit 12 and a capacitor C 10 are connected in series between the gate of NMQSTr 11 of the tri-state output circuit 11 and the node 16.
スィ ッチ回路 1 2は、 2つの トラ ンジスタ T r 1 2 , T r 1 3を並列に接続して構成され、 これらの トランジ ス夕 T r 1 2、 T r 1 3のオン Zオフ制御をイ ンバー夕 回路 1 3で行っている。 そして、 第 1 の実施例ではスィ ツチ回路 1 2 とイ ンバ一夕回路 1 3 との間にイ ンバー夕 を 4段直列に接続したディ レー回路 1 4 を接続する とと もに、 ト ラ ンジスタ T r 1 2に PM〇 S、 T r 1 3 に N M〇 Sを使用するようにして、 これらの トラ ンジスタの 極性を異ならせている。 そ して、 ト ラ ンジスタ T r 1 2 をディ レー回路 1 4 の出力信号ノ 一 ド n 1 1 で制御する とと もに、 ディ レー回路 1 4の出力をイ ンバー夕回路 1 5で反転させた信号ノ 一 ド n 1 2で トラ ンジスタ T r 1 3 を制御する。 The switch circuit 12 is configured by connecting two transistors Tr 12 and Tr 13 in parallel, and controls the on / off control of these transistors Tr 12 and Tr 13. Inver evening This is done in circuit 13. In the first embodiment, a delay circuit 14 in which four stages of inverters are connected in series is connected between the switch circuit 12 and the inverter circuit 13 and a transistor is connected. The polarity of these transistors is made different by using PM〇S for the transistor Tr12 and NM〇S for the transistor Tr13. The transistor Tr 12 is controlled by the output signal node n 11 of the delay circuit 14, and the output of the delay circuit 14 is inverted by the inverter circuit 15. The transistor Tr 13 is controlled by the generated signal node n 12.
さ らに、 第 3の トラ ンジスタ T r 1 3 と同 じ極性を有 する第 4 の トラ ンジスタ T r 1 4 をコ ンデンサ C 1 0 と 並列に接続し、 この トラ ンジスタ T r 1 4をディ レー回 路 1 4の出力信号ノ ー ド n 1 1 で制御している。 また、 イ ンバ一夕回路 1 3 と電源との間に抵抗器 R 1 ί)を接続 する とと もに、 第 3の トラ ンジスタ T r 1 3 と異なる極 性を有する MO S トラ ンジスタ T r 1 5を抵抗器 R 1 0 と並列に接続し、 この ト ラ ンジスタ T r 1 5のォン /ォ フを第 3の トラ ンジスタ T r 1 3 と同 じノ ー ド n 1 2で 制御している。  Further, a fourth transistor Tr14 having the same polarity as that of the third transistor Tr13 is connected in parallel with the capacitor C10, and this transistor Tr14 is connected to the transistor Tr10. It is controlled by the output signal node n 1 1 of the ray circuit 14. In addition, a resistor R 1 ί) is connected between the inverter circuit 13 and the power supply, and a MOS transistor Tr having a polarity different from that of the third transistor Tr 13. 15 is connected in parallel with the resistor R10, and the on / off of this transistor Tr15 is controlled by the same node n12 as that of the third transistor Tr13. ing.
このよう に構成された第 1 の実施例の出力バッ フ ァ回 路においては、 イ ンバー夕回路 1 3の人力電極に与えら れる入力信号 S 1 1 力 図 2 Aに示すように時点 t 0で ハイ レベル力、ら π— レベルに変化する と、 イ ンバー夕回 路 1 3の出力信号ノ 一 ド n 1 3は図 2 Bに示すように接 地レべルから電源レベルに立上がつて行く 。 このとき、 第 4 の ト ラ ン ジスタ T r 1 4 と第 5 の ト ラ ン ジスタ T r 1 5 は共にオフ状態なので、 ノ一ド n 1 3の立上がり時 間は抵抗器 R 1 0 とコンデンサ C 1 0の作用によって積 分された値となり、 図 2 Bに示すようにノー ド n 1 3の 電 Eはゆつ く り と立上がって行く。 In the output buffer circuit of the first embodiment configured as described above, the input signal S 11 applied to the human electrode of the inverter circuit 13 at the time t 0 as shown in FIG. The output signal node n 13 of the inverter circuit 13 rises from the ground level to the power level as shown in FIG. Go on. At this time, Since both the fourth transistor Tr14 and the fifth transistor Tr15 are off, the rise time of the node n13 is determined by the resistor R10 and the capacitor C10. As a result, the power E of the node n 13 slowly rises as shown in FIG. 2B.
そして、 ディ レ一 0路 1 4で設定されている所定のデ ィ レ一時間が経過した時点 t 1 になると、 図 2 Cおよび Dに示すようにノー ド n 1 2力 ノヽィ レベルから α—レべ ルに立下がるとともに、 ノー ド η 1 1 がローレベルから ハイ レベルに立上がつて行く。 これにより、 時点 t 2に おいてスィ ッチ回路 1 2がオフとなり コンデンサ C 1 0 が出力回路から切り離されるとともに、 ト ラ ン ジス タ T r 1 4 . T r 1 5がそれぞれオンとなり、 抵抗器 R 1 0 およびコンデンサ C 〖 0は上端と下端とがそれぞれ短絡 される。 '  At time t1 when a predetermined delay time set in the delay line 14 has passed, at time t1, as shown in FIGS. 2C and D, the node n 1 2 force The node η 11 rises from a low level to a high level as the level falls. As a result, at time t2, the switch circuit 12 is turned off, the capacitor C10 is disconnected from the output circuit, and the transistors Tr14, Tr15 are respectively turned on, and the resistance The upper and lower ends of the capacitor R10 and the capacitor C0 are short-circuited respectively. '
これにより、 抵抗器 R 1 0およびコンデンサ C 1 0な どの作用による ミ ラ一積分効果がキャ ンセルされ、 図 2 Eに示すように出力信号 S 1 0 は時点 t 2以後は一気に デイ スチャージされたものとなる。 すなわち、 第 1 の実 施例の出力バッファ回路の場合には、 出力負荷容量のデ イ スチャージをディ レー回路 1 4 によって設: ^されるデ ィ レー時間のみ緩やかに行い、 出力電圧が中間電圧程度 まで低下してからは一気にディ スチャージすることにな る。 この結果、 トライ ステー ト出力回路 1 1 の出力用 ト ラ ンジス夕 T r 1 1 が流すピーク電流 I V s s 1 0を分 散するこ とが出来るのて、 接地線へのノ ィズを確実に仰 えるこ とが出来るとともに、 スピー ドの犧牲を最小限抑 えることが出来る。 As a result, the mirror integration effect due to the action of the resistor R 10 and the capacitor C 10 was canceled, and the output signal S 10 was discharged at a stroke after the time t 2 as shown in FIG. 2E. It will be. That is, in the case of the output buffer circuit of the first embodiment, the discharge of the output load capacitance is gradually performed only during the delay time set by the delay circuit 14, and the output voltage is changed to the intermediate voltage. After that, the battery must be discharged at once. As a result, the peak current IV ss 10 flowing through the output transistor Tr 11 of the tri-state output circuit 11 can be dispersed, so that noise to the ground line can be reliably reduced. Supine And the speed sacrifices can be minimized.
ところで、 上述の実施例において、 第 4の トランジス 夕 T r 1 4 を設け、 スィ ッチ回路 1 2をォ にしたとき にコンデンサ C 1 0を短絡させるようにしているのは、 昇圧からノー ド n 1 4が第 2の トラ ンジスタ T r 1 2の ゲ一 ト レベル以上になってしまうのを防止するためであ り、 このようにするこ とによ り T r 1 2 , T r 1 3 のよ うな M O S トランジスタを用いてスィ ッチ回路 1 2を構 成するこ とを可能にしている。  By the way, in the above-mentioned embodiment, the fourth transistor Tr 14 is provided, and when the switch circuit 12 is turned off, the capacitor C 10 is short-circuited. This is to prevent n 14 from exceeding the gate level of the second transistor Tr 12, and by doing so, Tr 12 and Tr 13 It is possible to configure the switch circuit 12 using such a MOS transistor.
なお、 上記第 1 の実施例においてはグラ ン ド側の トラ ンジス夕に本発明を適用した場合についてのみ説明した 力 電源側についても同様に適用することができる。  In the first embodiment, the present invention can be similarly applied to the power supply side described only when the present invention is applied to the transistor on the ground side.
本発明第 1 の実施例は上述したように、 出力段の回路 に設けられているデイ スチヤ一ジ用 トラ ンジス夕の入力 端子と出力端子との間に容量成分とスィ ツチ回路とから なる直列回路を接続するとともに、 上記スィ ッチ回路を 所定の時間経過後に動作させるディ レー回路を設け、 彼 分動作が開始されてから所定の時間が経過したときに上 記スィ ッチ回路をオフにして上記容量成分を上記ディ ス チャージ用 ト ラ ンジスタから切り離すようにしたので、 出力がハイ レベルで電流消費の大きいときには積分機能 を利用 して電流の変化勾配を小さ くすることが出来ると ともに、 出力が中間レベル程度まで低下してからは負荷 容量を一気にデイ スチャージするこ とが出来、 不要幅射 電波やノ イズを抑えることと高速動作性を得ることの両 方を可能にする。 したがって、 不要幅射電波の規制され る環境や高密度実装を行う機器などに使用可能な集積回 路を、 その高速動作性を損なう ことなく提供することが 。 As described above, in the first embodiment of the present invention, a series circuit composed of a capacitance component and a switch circuit is provided between an input terminal and an output terminal of a transistor for a transistor provided in a circuit of an output stage. In addition to connecting the circuit, a delay circuit that operates the switch circuit after a predetermined time has elapsed is provided, and the switch circuit is turned off when a predetermined time has elapsed since the start of the operation. As a result, the capacitance component is separated from the discharge transistor, so that when the output is at a high level and the current consumption is large, the integration function can be used to reduce the gradient of the current change, and The load capacity can be discharged at a stretch after the output has dropped to an intermediate level, thereby suppressing unnecessary radiation and noise and achieving high-speed operation. Both Make it possible. Therefore, it is possible to provide an integrated circuit that can be used in an environment in which unnecessary radiation waves are regulated or in a device that performs high-density mounting without impairing its high-speed operation.
図 3は、 この発明の第 2の実施例を示す出力バッ フ ァ 回路図であって、 入力端子 ®は出力バッファ制御信号 S 3 0を受信するイ ンバー夕 3 1 の入力であり、 イ ンバー 夕 3 1 の出力がイ ンバー夕 3 2に入力され、 その出力 (ノー ド n 3 3 ) が出力回路のデイ スチャージ用 トラン ジス夕 T r 3 2, T r 3 3のゲー トに接続し、 この トラ ン ジス夕 T r 3 2 , T r 3 3を駆動する。 一方、 チヤ一 ジアップ用 トランジスタ T r 3 1は、 出力バッ ファ制御 信号 S 3 1 によって制御される。  FIG. 3 is an output buffer circuit diagram showing a second embodiment of the present invention. An input terminal is an input of an inverter 31 for receiving an output buffer control signal S30. The output of the receiver 31 is input to the inverter 32, and its output (node n33) is connected to the gates of the discharge circuit transistors Tr32 and Tr33 of the output circuit. This transistor drives Tr32 and Tr33. On the other hand, the charge-up transistor Tr 31 is controlled by the output buffer control signal S 31.
ノー ド n 3 2 とノー ド n 3 3の間には、 並列接続した NMO S 卜ラ ンジス夕 T r 3 4 , T r 3 5 と、 量成分 Between the nodes n32 and n33, there are NMOS transistors connected in parallel, Tr34 and Tr35, and the quantity components
C 3 0が直列に接続してあり、 T r 3 4のゲー トは、 ィ ンバ一夕 3 1 の出力の反転信号で、 電源レベル一 n V t (図では、 V c c— 2 V t、 nは負荷 MO S トラ ンジス 夕 T r 3 7の段数、 V tは トランジスタ T r 3 7のしき い値) のレベルが入力される。 T r 3 5のゲー トは、 ノC 30 is connected in series, and the gate of Tr 34 is an inverted signal of the output of the inverter 31, and the power supply level is one n V t (in the figure, V cc — 2 V t, n is the number of stages of the load MOS transistor Tr37, and Vt is the level of the transistor Tr37 threshold). The gate of Tr 35 is
- ド n 3 2に接続し、 ノー ド n 3 2から順方向のダイォ ー ドとなる。 さ らに電源線 V c cと C 3 0の間に N M 0 S トラ ンジスタ T r 3 6が接続されており、 イ ンバー夕 3 1 の出力力くトランジスタ T r 3 6のゲー トに与えられ る。 -Connected to node n32, the forward diode from node n32. In addition, an NM0S transistor Tr36 is connected between the power supply line Vcc and C30, and the output power of the inverter 31 is applied to the gate of the transistor Tr36. .
図 4に示したように先ず、 時刻 t 0において、 入力端 子 ®が " L ow" レベルの信号 S 3 0を受信している場 合はノー ド n 3 3は " L " となり、 出カディ スチャージ 用 ト ラ ン ジス タ T r 3 2 , T r 3 3は O F F状態で、 IAs shown in FIG. 4, first, at time t 0, the input terminal When the slave receives the signal S 30 at the “Low” level, the node n 33 becomes “L” and the output discharge transistor Tr 32, Tr 33 Is OFF and I
V s s 3 0は流れない。 この時ノー ド n 3 2はフ π—テ イ ング状態となり、 そのレベルが一 V t〜∞の間となり えるので、 トラ ンジスタ T r 3 5により電圧上昇を抑え、 またノ ー ド 11 3 4の レベルを負荷 MO S ト ラ ン ジスタ T r 3 8のしきい値 V tにすることにより、 ノー ド n 3 2 はマィナス電圧にならない。 また、 時刻 t 0では T r 3 6が ON状態であり、 容量成分 C 3 0が充電される。 V s s 30 does not flow. At this time, the node n32 enters the fining state, and its level can be between 1 Vt and ∞. Therefore, the voltage rise is suppressed by the transistor Tr35 and the node 1134 Is set to the threshold Vt of the load MOS transistor Tr38, the node n32 does not become a negative voltage. At time t0, Tr36 is ON, and the capacitance component C30 is charged.
次に入力端子④が "H" レベルへと変化した信号 S 3 0を受信すると、 ノー ド n 3 4は、 V tから V c c— 2 Next, when the input terminal ④ receives the signal S 30 that has changed to the “H” level, the node n 34 changes from V t to V c c— 2
V tへと上昇し、 T r 3 4は 0 N状態、 T r 3 6は 0 F Fとなり、 T r 3 2 , T r 3 3が◦ N状態となり、 I V s s 3 0が流れる力〈、 この時、 ノ ー ド n 3 3の立上り時 間は、 C 3 0 と T r 3 4の 0 N抵抗 R T r 3 4の作用に よって積分された値となる。 なお、 図 4に実線で示した ように供給電源電圧 V c cが高電圧、 例えば、 5. 5 Vの 時には、 R T r 3 4は低抵抗となり、 C 3 0による ミ ラ —積分効果は大き く なる。 一方、 供給電源電圧 V c cが 低電圧 ( 5 V) になると R T r 3 4は高抵抗へと変化 し、 ミ ラー積分効果が減少する。 よって、 ノ イズの影響 の少ない低い供給電圧のときは、 スピー ドを犠牲にする こ となく、 ノイ ズの影鞸をうけやすい高い供給電圧のと きのみ、 ピーク電流 I V s s 3 0を分散するこ とができ、 効率よ く ノ イズを抑えるこ とができる。 また、 製造バラツキによる トラ ンジスタのしきい値 V t の変動がおこった場合、 V tが高いと、 ノー ド n 3 4 は供給電源電圧より大き く低くなり、 その結果 R T r 3 4 は大き くなり、 ミ ラー効果の減少により出力応答時間 は遅れず、 他方、 その V tが低い場合はミ ラー効果が大 き く なり、 過剰な高速スイ ッチングも抑えられる。 V t rises, Tr 34 becomes 0 N state, Tr 36 becomes 0 FF, Tr 32 and Tr 33 become ◦N state, and the force flowing through IV ss 30 becomes At this time, the rise time of the node n33 is a value integrated by the action of the CN0 and the N3 resistor RTr34 of Tr34. As shown by the solid line in FIG. 4, when the power supply voltage V cc is a high voltage, for example, 5.5 V, the resistance of RT r 34 is low, and the mirror effect of C 30 is large. Become. On the other hand, when the supply voltage Vcc becomes low (5 V), RTr34 changes to high resistance, and the mirror integration effect decreases. Therefore, when the supply voltage is low and the influence of noise is small, the peak current IV ss30 is dispersed only at the high supply voltage where noise is likely to occur without sacrificing speed. Noise can be suppressed efficiently. Also, if the transistor threshold value Vt fluctuates due to manufacturing variations, if Vt is high, node n34 will be much lower than the supply voltage, and as a result RTr34 will be large. Therefore, the output response time is not delayed due to the reduction of the mirror effect, while when the Vt is low, the mirror effect becomes large and excessive high-speed switching is suppressed.
さらに温度依存による出力応答時間の変化に対しても、 高温時は、 T r 3 4 の電流駆動力 g mが低下するこ とに より ミ ラー効果が減少され、 スピー ドの遅れを抑えるこ とができる。 低温時には T r 3 4の g mは良く なるため、 ミ ラー効果の効率も良く なるため、 過剰な高速スィ ッチ ングは抑えられる。  In addition, even when the output response time changes due to temperature dependence, at high temperatures, the mirror effect is reduced due to the decrease in the current driving force gm of Tr 34, and the delay in speed can be suppressed. it can. At low temperatures, the gm of Tr34 is improved, and the efficiency of the mirror effect is also improved, so that excessive high-speed switching can be suppressed.
以上説明したように本発明第 2の実施例によれば、 出 力負荷容量をデイ スチャージする時に、 通常では、 ピー ク電流が最大となる状態の高電圧、 低温、 低 V i時のみ ミ ラー効果を利用し、 それ以外の状態ではミ ラー効果を 小さ く おさえるので、 スピー ドを犠牲にすることなく ノ ィズを抑えることができる。  As described above, according to the second embodiment of the present invention, when discharging the output load capacitance, the mirror is normally used only when the high voltage, the low temperature, and the low Vi at which the peak current is maximized. The effect is used, and the mirror effect is kept small in other cases, so that noise can be suppressed without sacrificing speed.
また、 図 3のように、 デイ スチャージ トランジスタを T r 3 2 と T r 3 3 との 2段にすることにより、 出力負 荷による影響を、 見えなくすることにより、 ミ ラー効果 を効率よく利用することができる。  Also, as shown in Fig. 3, by using two stages of discharge transistors, Tr32 and Tr33, the effect of output load is made invisible, so that the mirror effect can be used efficiently. can do.
なお、 上記第 2の実施例においても、 グラン ド側の ト ラ ンジス夕 T r 3 2 , T r 3 3 に本発明を適用した場合 についてのみ以上説明したが、 図 5に示したように、 供 給電源側の トランジスタ T r 3 1 についても同様に適用 することができる。 In the second embodiment, only the case where the present invention is applied to the transistors Tr32 and Tr33 on the ground side has been described above, but as shown in FIG. The same applies to the transistor Tr 31 on the power supply side. can do.
産業上の利用可能性  Industrial applicability
以上詳細に説明したように、 本発明によれば、 高速性 能の低下を最小限に抑えながら、 ノィズを低減出来る出 カバッフ ァ回路を提供できる。  As described above in detail, according to the present invention, it is possible to provide an output buffer circuit capable of reducing noise while minimizing a decrease in high-speed performance.

Claims

請 求 の 範 囲 The scope of the claims
. 出力端子と第 1 電源と第 2電源とを有する出力バッ ファ回路において、 In an output buffer circuit having an output terminal, a first power supply, and a second power supply,
前記第 1電源と前記出力端子との間に '接続した第 1 の トラ ンジスタであって、 第 1 の所定期間に前記第 1 電源と前記出力端子とを電気的に接続する第 1 の トラ ンジス夕 と、  A first transistor connected between the first power supply and the output terminal, wherein the first transistor electrically connects the first power supply to the output terminal for a first predetermined period; Evening and
前記第 2電源と前記出力端子との間に接続した第 2 の トランジスタであって、 前記第 2電源と前記出力端 チとの電気的接続を制御する制御端子を有する第 2の トラ ンジスタと、  A second transistor connected between the second power supply and the output terminal, the second transistor having a control terminal for controlling an electrical connection between the second power supply and the output terminal;
前記第 2の トラ ンジスタの制御端子に結合し、 前記 第 1 の所定期間に第 1 の論理レベルの第 1 の制御信号 を出力し、 前記第 1 の所定期間後の第 2の所定期間に 第 2の論理レベルの第 1 の制御信号を出力す'る制御手 段と、  Coupled to a control terminal of the second transistor, outputs a first control signal of a first logic level during the first predetermined period, and outputs a first control signal of a first logic level during a second predetermined period after the first predetermined period; A control means for outputting a first control signal having a logic level of 2;
前記第 1 の制御信号を受信する遅延手段であって、 前記第 2の論理レベルの第 1 の制御信号を受信し、 そ の所定遅延時間後に前記第 2の論理レベルの遅延信号 を出力する遅延手段と、  Delay means for receiving the first control signal, the delay means for receiving the first control signal of the second logic level, and outputting the delayed signal of the second logic level after a predetermined delay time Means,
前記第 1 の制御信号と前記遅 ^信号とを受信し、 第 2の制御信号を前記制御端子に与える制御信号供給手 段であって、 前記第 1 の所定期間後から前記所定遅延 時間は、 前記第 1 の論理レベルから徐々 に前記第 2の 論理レベルへ移行する前記第 2の制御信号を、 前記遅 延信号受信後は比較的急速に前記第 2の論理レベルへ 移行する第 2の制御信号を前記制御端子に与える制御 信号供給手段とを有するこ とを特徴とした出力バッ フ ァ回路。 A control signal supply means for receiving the first control signal and the delay signal and providing a second control signal to the control terminal, wherein the predetermined delay time after the first predetermined period is Changing the second control signal, which gradually shifts from the first logic level to the second logic level, to the second logic level relatively quickly after receiving the delay signal; An output buffer circuit, comprising: a control signal supply unit that supplies a second control signal to be shifted to the control terminal.
2 . 請求の範囲 1 項記載の出カバッ ファ回路において、 前記第 1 及び第 2の トラ ンジスタがフィ ール ド ' ェ フエク ト · トランジスタであり、  2. The output buffer circuit according to claim 1, wherein the first and second transistors are field effect transistors,
前記制御手段は、 前記第 1 電源と前記第 2電源との 間に接続されたイ ンバー夕回路であるこ とを特徴とし た出力バッ フ ァ回路。  The output buffer circuit, wherein the control means is an inverter circuit connected between the first power supply and the second power supply.
3 . 請求の範囲 2項記載の出力バッファ回路において、 前記イ ンバー夕回路の出力は、 第 1 のノー ドを介し て前記第 2の トランジスタの前記制御端子に接続し、 前記制御信号供給手段は、 前記第 1 のノー ドに接続 した第 1 の端子を有するコンデンサと、 前記コンデン ザの第 2の端子と前記出力端子との間に接続'した第 1 のスィ ッチ手段と、 前記第 2の端子と前記第 1 のノ ー ドとの間に接続した第 2のスィ ッチ手段と、 前記第 1 電源と前記イ ンバータ回路との間に接続した抵抗と、 前記抵抗と並列接続した第 3のスィ ッチ手段とを有し. 前記第 1 のスイ ツチ手段は前記第 2の論理レベルの前 記遅延信号に応答して、 非導通状態となり、 前記第 2 及び第 3 のスィ ッチは、 前記第 2の論理レベルの前記 遅延信号に応答して、 導通状態となるこ とを特徴とし た出カバッ ファ回路。  3. The output buffer circuit according to claim 2, wherein an output of the inverter circuit is connected to the control terminal of the second transistor via a first node, and the control signal supply unit includes: A capacitor having a first terminal connected to the first node; first switch means connected between a second terminal of the capacitor and the output terminal; Second switch means connected between the first terminal and the first node; a resistor connected between the first power supply and the inverter circuit; and a second switch connected in parallel with the resistor. The first switch means is turned off in response to the delay signal of the second logic level, and the second and third switches are turned off. Responding to the delay signal at the second logic level, Output buffer circuit characterized by the following.
4 . 出力端子と第 1 電源と第 2電源とを有する出力バッ フ ァ回路において、 前記第 1 電源と前記出力端子との間に接続した第 1 のスィ ッチであって、 第 1 の所定期間に前記第 1 電源 と前記出力端子とを電気的に接続する第 1 のスィ ッチ と、 '、 4. In an output buffer circuit having an output terminal, a first power supply, and a second power supply, A first switch connected between the first power supply and the output terminal, the first switch electrically connecting the first power supply and the output terminal for a first predetermined period; J and, ',
第 1 と第 2の電極及び制御電極とを有する第 1 のフ ィ ール ド · エフェク ト · トランジスタ ( F E T ) であ つて、 前記第 1 の電極は前記第 2電源と接続し、 前記 第 2の電極は前記出力端子と接続した第 1 の F E Tと、 第 1 と第 2の電極及び制御電極とを有する第 2の F E Tであって、 前記第 1 の電極ば前記第 1 の F E Tの 前記第 2の電極と接続した第 2の F E Tと、  A first field-effect transistor (FET) having first and second electrodes and a control electrode, wherein the first electrode is connected to the second power supply; The first electrode is a first FET connected to the output terminal, and a second FET having first and second electrodes and a control electrode, wherein the first electrode is the first FET of the first FET. A second FET connected to the second electrode;
前記第 2の F E Tの^記第 2の電極と前記第 1 の F E Tの前記制御電極との間に接続したコンデンサと、 前記第 1 の F E Tの前記制御電極に、 前記第 1 の所 定期間後の第 2の所定期間に制御信号を与え 第 1 制 御手段と、  A capacitor connected between the second electrode of the second FET and the control electrode of the first FET; and a control electrode of the first FET, after the first predetermined period. Providing a control signal during a second predetermined period of the first control means;
前記第 2 の所定期間に、 前記第 2の F E Tの前記制 御電極に対し、 前記第 1 電源に関係した電圧を与える 第 2制御手段とを有した出カバッファ回路。  An output buffer circuit comprising: a second control means for applying a voltage related to the first power supply to the control electrode of the second FET during the second predetermined period.
5 . 請求の範囲 4項記載の出力バッ ファ回路において、 前記第 1 の F E Tの第 2の電極は、 第 3 の F E Tを 介して前記出力端子と接続し、 前記第 3の F E Tの制 御電極は前記制御信号を受信することを特徵とした出 カバッ フ 7回路。  5. The output buffer circuit according to claim 4, wherein a second electrode of the first FET is connected to the output terminal via a third FET, and a control electrode of the third FET. Is an output buffer 7 circuit specially designed to receive the control signal.
6 . 請求の範囲 5項記載の出力バッ ファ回路において、 前記第 1 の F E Tの前記第 2の電極とコンデンサと の間に、 第 2の F E Tと並列に接続した第 4の F E T を有し、 前記第 4の F Ε Τの制御電極は、 前記第 1 の F E Tの第 2の電極と接続したこ とを特徴とした出力 ノくッ ファ回路。 、 6. The output buffer circuit according to claim 5, wherein the second electrode of the first FET, a capacitor, and And a fourth FET connected in parallel with the second FET, wherein the fourth F Τ control electrode is connected to the second electrode of the first FET. The output buffer circuit. ,
7. 請求の範囲 6項記載の出力バッ ファ回路において、 第 2の F ETの第 2電極と第 1 電源との間に接続し た第 5の F E Tを有し、 前記第 5の £丁は前記第 2 の所定期間 0 F F状態となることを特徴と した出カバ ッファ回路。  7. The output buffer circuit according to claim 6, further comprising: a fifth FET connected between the second electrode of the second FET and the first power supply, wherein the fifth FET is connected to the first FET. The output buffer circuit, wherein the output buffer circuit is in the 0 FF state for the second predetermined period.
8. 請求の範囲 7項記載の出力バッ ファ回路において、 前記第 5の F Ε Τは、 前記第 1 の期間 ON状態とな ることを特徵とした出力バッ ファ回路。  8. The output buffer circuit according to claim 7, wherein the fifth F pin is in an ON state during the first period.
9. 請求の範囲 4項記載の出カバッファ回路において、 前記第 2制御手段は、 第 1電源に接続した第 6の F E Tと、 第 6の F E Tと第 2の F E Tの制御亀極との 間に接続した抵抗手段とを有し、 前記第 6の F E Tは 前記第 2の所定期間に ON状態となるこ とを特徴と し た出カバッ ファ回路。  9. The output buffer circuit according to claim 4, wherein the second control means includes: a sixth FET connected to the first power supply; and a control electrode between the sixth FET and the second FET. An output buffer circuit, comprising: a connected resistor means; and wherein the sixth FET is turned on during the second predetermined period.
10. 請求の範囲 9項記載の出力バッファ回路において、 ' 前記第 6の F E Tは前記第 1 の所定期間に 0 F F状 態となることを特徵とした出カバ :ッ ファ回路。 10. In the output buffer circuit in the range 9 claim of claim, 'leaving the sixth FET was Toku徵to become on purpose 0 FF shape to said first predetermined period birch: Tsu file circuit.
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