UA71526A - A plasma device on alternating current for ionic-plasma treatment of inner surface of tube - Google Patents
A plasma device on alternating current for ionic-plasma treatment of inner surface of tube Download PDFInfo
- Publication number
- UA71526A UA71526A UA20031213400A UA20031213400A UA71526A UA 71526 A UA71526 A UA 71526A UA 20031213400 A UA20031213400 A UA 20031213400A UA 20031213400 A UA20031213400 A UA 20031213400A UA 71526 A UA71526 A UA 71526A
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- electrodes
- discharge
- plasma
- pipe
- tube
- Prior art date
Links
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 title claims abstract description 4
- 230000000977 initiatory effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 238000004804 winding Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims abstract description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 claims description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 11
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 238000010835 comparative analysis Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Treatment Of Fiber Materials (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Винахід відноситься до галузі технологічного обладнання для нанесення іонно-плазмових покриттів на 2 внутрішню поверхню труб, переважно із значним відношенням довжини до діаметру.The invention relates to the field of technological equipment for applying ion-plasma coatings to the inner surface of pipes, preferably with a significant length-to-diameter ratio.
Відоме технічне рішення плазмового пристрою вакуумно-дугового типу на змінному струмі, що використовується для генерування геттерних плівок в електрофізичних високовакуумних насосах. Плазмовий пристій містить три електроди. Один електрод є спільним і вмикається до середньої точки вторинної обмотки трансформатору - розрядного джерела. Два інші електрода виготовлені з геттерного матеріалу (титану) і 70 являються катодами, які вмикаються в розрядне коло в той час, коли на них з'являється від'ємний відносно спільного електрода потенціал. Порядком вмикання напруги на робочі катоди і подачі синфазних ініціюючих імпульсів напруги на ініціюючі електроди, керує тиристорна система управління (ТСУ). Пристрій-аналог демонструє можливість реалізації живлення вакуумно-дугового розряду від джерела струму промислової частоти, а також показує можливість суттєвого розширення діапазону регулювання потужності розряду за 72 рахунок регулювання частоти розрядних імпульсів і фази вмикання розрядного струму. Конструкція пристрою-аналогу не може бути використана для обробки внутрішньої поверхні труб.A technical solution of a plasma device of the vacuum-arc type on alternating current is known, which is used to generate getter films in electrophysical high-vacuum pumps. The plasma jet contains three electrodes. One electrode is common and is connected to the middle point of the secondary winding of the transformer - the discharge source. The other two electrodes are made of getter material (titanium) and 70 are cathodes that are included in the discharge circuit at the time when a negative potential relative to the common electrode appears on them. The order of turning on the voltage to the working cathodes and supplying in-phase initiating voltage pulses to the initiating electrodes is controlled by the thyristor control system (TCS). The analog device demonstrates the possibility of powering a vacuum-arc discharge from an industrial frequency current source, and also shows the possibility of significantly expanding the range of regulation of the discharge power by adjusting the frequency of the discharge pulses and the phase of switching on the discharge current. The design of the analogue device cannot be used for processing the inner surface of pipes.
Найближчим аналогом - прототипом винаходу є технічне рішення, що описане в |2). Описаний вакуумно-дуговий пристрій з електродами вісьової симетрії, який потенційно може бути використаний для іонно-плазмової обробки внутрішньої поверхні труби. В прототипі розроблені схеми розрядного джерела.The closest analogue - the prototype of the invention is the technical solution described in |2). A vacuum-arc device with axially symmetrical electrodes is described, which can potentially be used for ion-plasma treatment of the inner surface of the pipe. Discharge source circuits are developed in the prototype.
Найпростіша електрична схема пристрою-прототипу показана на фіг1а. Схема містить трансформатор, вторинна обмотка якого має середню точку, сполучену із спільним електродом-трубою. Два катоди розташовані в порожнині труби з особистими електродами ініціювання вакуумно-дугового розряду. Порядок подачі розрядної і ініціюючої напруги регулюється тиристорною системою управління. В (21) зазначається, що для надійної роботи плазмового пристрою з вакуумно-дуговим розрядом на змінному струмі необхідна надійна, швидкодіюча система ініціювання розряду. Для розрядів не потребуючих ініціювання (наприклад магнетронний, або тліючий розряд) « наявність системи ініціювання не обов'язкова. Технічне рішення-прототип не може бути використане повністю, так як в ньому не передбачається режим попередньої обробки поверхні і відсутнє технічне рішення для обробки довгої труби.The simplest electrical circuit of the prototype device is shown in Fig. 1a. The circuit includes a transformer whose secondary winding has a midpoint connected to a common electrode-tube. Two cathodes are located in the cavity of the tube with individual electrodes for initiating the vacuum-arc discharge. The order of supply of discharge and initiating voltage is regulated by the thyristor control system. In (21) it is noted that for the reliable operation of a plasma device with a vacuum-arc discharge on an alternating current, a reliable, fast-acting discharge initiation system is required. For discharges that do not require initiation (for example, a magnetron or glow discharge) "the presence of an initiation system is not mandatory. The technical solution-prototype cannot be used in full, since it does not provide for a surface pretreatment mode and there is no technical solution for processing a long pipe.
В основу винаходу покладено завдання створення плазмового пристрою на змінному струмі, в якому були б о реалізовані наступні вимоги: с - можливість попередньої обробки поверхні перед нанесенням покриття; - можливість обробки довгої труби малого діаметру; о - наявність в пристрої швидкодіючої, високо надійної системи ініціювання дугового розряду. «--The basis of the invention is the task of creating a plasma device on alternating current, in which the following requirements would be implemented: c - the possibility of pre-treatment of the surface before applying the coating; - the possibility of processing a long pipe of small diameter; o - the presence of a fast-acting, highly reliable arc discharge initiation system in the device. "--
У припущеному винаході поставлена задача вирішується тим, що в одній конструкції передбачається 3о використання різних типів розрядів. Технічне рішення плазмового пристрою містить один спільний електрод -- в анод, з'єднаний з середньою точкою вторинної обмотки трансформатора - джерела живлення розряду, два робочих електрода -- катоди, з'єднані з початком і кінцем вторинної обмотки через тиристори і систему тиристорного управління вмиканням розрядної напруги (ТСУ), який відрізняється тим, що: «In the proposed invention, the problem is solved by the fact that the use of different types of discharges is assumed in one design. The technical solution of the plasma device includes one common electrode - the anode, connected to the middle point of the secondary winding of the transformer - the discharge power source, two working electrodes - cathodes, connected to the beginning and end of the secondary winding through thyristors and a thyristor control system discharge voltage (TSU), which is distinguished by the fact that: "
ТСУ має функцію зміни полярності спільного і робочих електродів на протилежну, спільним електродом З 0 плазмового пристрою являється оброблювальна труба, яка одним кінцем з'єднана з системою вакуумної с відкачки, а на її протилежному кінці змонтований гермоввід, через який в порожнину оброблювальної труби доThe TSU has the function of changing the polarity of the common and working electrodes to the opposite, the common electrode Z 0 of the plasma device is the processing pipe, which is connected at one end to the vacuum pumping system, and at its opposite end a hermetic pipe is mounted, through which into the cavity of the processing pipe to
Із» блоку електродів підводяться струмопідводи, підводи охолоджуючої води, плазмоутворюючого газу і привід обертання блоку електродів навколо вісі труби і переміщення вздовж її поверхні, причому кількість робочих електродів є парна, електроди розміщуються по колу в поперечному перетині труби, діаметрально протилежно один одному. і Згідно з другим варіантом винаходу, плазмовий пристрій відрізняється від плазмового пристрою за п.1 тим, - що: пара негативних електродів пристрою може мати особисті магнітні системи для формування зони розряду на і-й робочій поверхні електроду, а пара позитивних електродів може мати на робочій поверхні ребра для ка 20 ефективного затримання розпилених забруднень.Current leads, cooling water leads, plasma-forming gas leads and a drive for rotating the electrode block around the axis of the pipe and moving along its surface are brought from the electrode block, and the number of working electrodes is even, the electrodes are placed in a circle in the cross section of the pipe, diametrically opposite to each other. and According to the second variant of the invention, the plasma device differs from the plasma device according to item 1 in that: a pair of negative electrodes of the device can have personal magnetic systems for forming a discharge zone on the i-th working surface of the electrode, and a pair of positive electrodes can have on on the working surface of the rib for ka 20 effective retention of sprayed pollution.
Згідно з третім варіантом винаходу, плазмовий пристрій відрізняється від технічних рішень за пп. 1-2, с тим, що: співвісно з блоком робочих електродів пристрою, безпосередньо біля його краю, але електричне ізольовано від нього, розміщується блок газорозрядного ініціювання розряду, який містить магнітну систему з кільцевим 25 міжполюсним проміжком, геометричне відповідним основному розрядному проміжку, в якому розташовується в. кільцевий анод-газорозподілювач з підводом до нього плазмоутворюючого газу і позитивного відносно робочих електродів потенціалу.According to the third variant of the invention, the plasma device differs from technical solutions according to paragraphs 1-2, with the fact that: coaxially with the block of working electrodes of the device, directly near its edge, but electrically isolated from it, a block of gas-discharge initiation of the discharge is placed, which contains a magnetic system with an annular interpolar gap 25, geometrically corresponding to the main discharge gap, in which is located in ring anode-gas distributor with a supply to it of plasma-forming gas and a positive potential relative to the working electrodes.
Суть припущеного винаходу пояснюється кресленням, де на фіг.2 приведено конструктивну схему плазмового пристрою і фіг.1б, де приведена схема живлення електродів плазмового пристрою. Оброблювальна 60 труба 1 одним кінцем підключена до системи вакуумної відкачки 8, а на протилежному кінці має гермоввід 7, через який до електродів подаються необхідні напруги, охолоджуюча вода і плазмоутворюючий газ. Через гермоввід блок електродів з'єднується з механізмом переміщення, що розміщується поза вакуумною камерою і забезпечує його обертання навколо вісі і переміщення вздовж оброблювальної труби. Однакові за призначенням парні електроди 2 і З розміщуються в поперечному перетині труби 1 А-А. Блок газорозрядного ініціювання бо розряду складається з магнітної системи, яка містить постійні магніти 6 і магнітний полюс 5. Магнітна система створює радіальне магнітне поле в міжелектродному проміжку 4. На фіг.2 протилежним полюсом магнітної системи є феромагнітна стінка оброблюваної труби. За міжелектродним проміжком розмішується анод-газорозподілювач 5 системи газорозрядного ініціювання розряду.The essence of the proposed invention is explained by the drawing, where Fig. 2 shows the construction diagram of the plasma device and Fig. 1b, where the diagram of the power supply of the electrodes of the plasma device is shown. The processing pipe 60 1 is connected at one end to the vacuum pumping system 8, and at the opposite end has a hermetic valve 7, through which the necessary voltages, cooling water and plasma-forming gas are supplied to the electrodes. Through the hermetic seal, the electrode block is connected to the movement mechanism, which is located outside the vacuum chamber and ensures its rotation around the axis and movement along the processing pipe. Paired electrodes 2 and З, identical in purpose, are placed in the cross-section of pipe 1 А-А. The block of gas discharge initiation of the discharge consists of a magnetic system that contains permanent magnets 6 and a magnetic pole 5. The magnetic system creates a radial magnetic field in the interelectrode gap 4. In Fig. 2, the opposite pole of the magnetic system is the ferromagnetic wall of the treated pipe. The anode-gas distributor 5 of the gas-discharge initiation system is mixed between the electrodes.
Порівняльний аналіз із прототипом показує, що пропоноване технічне рішення має наступні суттєві відокремлюючі ознаки: - вакуумна відкачка відбувається безпосередньо із порожнини оброблювальної труби; - блок електродів плазмового пристрою має можливістю переміщення відносно внутрішньої поверхні оброблювальної труби; 70 - блок електродів плазмового пристрою може обертатися навколо вісі оброблювальної труби; - в зону вакуумно-дугового розряду подається плазмоутворюючий газ; - біля блоку електродів розміщується блок газорозрядного ініціювання розряду який містить магнітну систему і анод-газорозподільник; - розрядне джерело підключається до електродів розрядного блоку через тиристорний перемикач /5 полярності.A comparative analysis with the prototype shows that the proposed technical solution has the following significant distinguishing features: - vacuum pumping takes place directly from the cavity of the processing pipe; - the block of electrodes of the plasma device can be moved relative to the inner surface of the processing pipe; 70 - the block of electrodes of the plasma device can rotate around the axis of the processing pipe; - plasma-forming gas is supplied to the vacuum-arc discharge zone; - a gas-discharge initiation block is located near the electrode block, which contains a magnetic system and an anode-gas distributor; - the discharge source is connected to the electrodes of the discharge block through a thyristor switch /5 polarity.
Порівняльний аналіз показує, що ознаки винаходу відповідають критерію ,новітності" ії є достатніми для всіх випадків, на які поширюється об'єм правової охорони.Comparative analysis shows that the features of the invention meet the criterion of "novelty" and are sufficient for all cases covered by the scope of legal protection.
Плазмовий пристрій на змінному струмі працює наступним чином. Можливо декілька режимів роботи пристрою. а) Підготовка внутрішньої поверхні труби і нанесення покриття здійснюється тліючим розрядом. В цьому разі порядок технологічних операцій наступний. В порожнину оброблювальної труби подається плазмоутворюючий газ. Попередня обробка поверхні здійснюється подачею позитивних півперіодів розрядного струму на електроди для підготовки поверхні. При цьому оброблювальна труба підключена до середньої точки вторинної обмотки трансформатору і являється катодом. При обертанні блоку електродів навколо вісі труби відбувається іонне ов травлення оброблювальної поверхні. при виконанні наступної операції полярність електродів перемикається на протилежну, труба виконує роль анода, а на пару електродів, що виготовлені із матеріалу покриття, подаються « від'ємні півперіоди розрядного струму. Розпилений іонним бомбардуванням матеріал катодів конденсується на оброблювальній поверхні і формує функціональне покриття. Операція нанесення покриття відбувається при обертанні блоку електродів навколо вісі труби. Після нанесення покриття на ділянці труби, що дорівнює довжині Ге зо робочих електродів, блок електродів переміщується на наступну ділянку труби. Операції обробки повторюються. б) При використанні попередньої підготовки поверхні тліючим розрядом і нанесенні покриття магнетронним с розпилюючи пристроєм, конструкція розрядного блоку і порядок виконання технологічних операцій не ю змінюються. в) При нанесені покриття вакуумно-дуговим випалювачем, в конструкції блоку електродів з'являється новий --An AC plasma device works as follows. Several operating modes of the device are possible. a) Preparation of the inner surface of the pipe and application of the coating is carried out with a glow discharge. In this case, the order of technological operations is as follows. Plasma-forming gas is fed into the cavity of the processing pipe. Pre-treatment of the surface is carried out by applying positive half-cycles of the discharge current to the electrodes for surface preparation. At the same time, the processing tube is connected to the middle point of the secondary winding of the transformer and is the cathode. When the electrode block rotates around the axis of the pipe, ion etching of the processing surface occurs. during the next operation, the polarity of the electrodes is switched to the opposite, the pipe acts as an anode, and a pair of electrodes made of the coating material are supplied with negative half-cycles of the discharge current. The cathode material sprayed by ion bombardment condenses on the processing surface and forms a functional coating. The coating operation occurs when the electrode block rotates around the axis of the pipe. After coating the section of the pipe equal to the length of the working electrodes, the block of electrodes is moved to the next section of the pipe. Processing operations are repeated. b) When using preliminary preparation of the surface with a glow discharge and coating with a magnetron sputtering device, the design of the discharge unit and the order of technological operations do not change. c) When the coating is applied with a vacuum-arc burner, a new one appears in the structure of the electrode block --
Зз5 Конструктивний елемент - система газорозрядного ініціювання дугового розряду. Вона працює наступним чином. чаЗз5 Structural element - system of gas-discharge initiation of arc discharge. It works as follows. Cha
В між полюсному проміжку магнітної системи створюється радіальне магнітне поле. Плазмоутворюючий газ подається в робочу зону через кілцевий газорозподілювач. При подачі на анод системи ініціювання розряду імпульсу високої напруги, позитивного відносно робочого електроду, в схрещених ЕХВ полях створюються умови для запалювання Холівського розряду. Холлівський розряд подає в проміжок між електродами дугового розряду « порцію плазми, яка ініціює запалення вакуумно-дугового розряду. При використанні для попередньої підготовки з с поверхні тліючого розряду, необхідно мати два комутуємих розрядних джерела - високовольтне джерело для операції підготовки поверхні і низьковольтне джерело для живлення вакуумно-дугового розряду. ;» г) Оптимальною конфігурацією плазмового пристрою на змінному струмі є конструкція з використанням і для підготовки поверхні і для нанесення покриття вакуумно-дугового розряду. В цьому разі, при обертанні блока електродів, спочатку проводиться ерозійне травлення вакуумно-дуговим розрядом оброблюваної поверхні. -І Потім до джерела живлення розряду підключається пара електродів для нанесення покриття і полярність електродів змінюється на протилежну. Після переміщення блоку електродів на наступну ділянку труби, порядок - операцій повторюється. с Таким чином, плазмовий пристрій на змінному струмі дозволяє оброблювати внутрішню поверхню довгих труб. Використання газорозрядного ініціювання розряду дозволяє надійно реалізувати оптимальну конфігурацію о плазмового пристрою з однотипними технологічними операціями для підготовки і нанесення покриття, що сприяєA radial magnetic field is created between the poles of the magnetic system. The plasma-forming gas is supplied to the working area through an annular gas distributor. When a high-voltage pulse positive relative to the working electrode is applied to the anode of the discharge initiation system, the conditions for ignition of the Hall discharge are created in the crossed EHV fields. The Hall discharge delivers a portion of plasma into the space between the electrodes of the arc discharge, which initiates the ignition of the vacuum-arc discharge. When used for preliminary preparation of the glow discharge surface, it is necessary to have two switching discharge sources - a high-voltage source for the surface preparation operation and a low-voltage source for powering the vacuum-arc discharge. ;" d) The optimal configuration of an alternating current plasma device is a design using both vacuum-arc discharge for surface preparation and coating. In this case, during the rotation of the electrode block, erosion etching with a vacuum-arc discharge of the treated surface is first performed. -And then a pair of electrodes for coating is connected to the discharge power source and the polarity of the electrodes is reversed. After moving the block of electrodes to the next section of the pipe, the order of operations is repeated. c Thus, the plasma device on alternating current allows processing the inner surface of long pipes. The use of gas-discharge initiation of the discharge allows you to reliably implement the optimal configuration of the plasma device with the same type of technological operations for the preparation and application of the coating, which contributes
Ф підвищенню надійності технологічного устаткування, і ефективності технології обробки.F increasing the reliability of technological equipment and the efficiency of processing technology.
Список використаних джерел. 1. Саксаганский Г.Л. Злектрофизические насосьі. М.: Знергоатомиздат. 1988, - 275с. 2. Дороднов А.М., Мирошкин С.И. Вакуумнье зрозионнье генераторь! и ускорители плазмь! на переменном з» токе, ТВТ, т.18, вьіп.5, с.1076-1087.References. 1. Saksagansky G.L. Electrophysical pumps. M.: Znergoatomizdat. 1988, - 275 p. 2. Dorodnov A.M., Myroshkin S.I. Vacuum generator! and plasma accelerators! on alternating current, TVT, vol. 18, issue 5, p. 1076-1087.
ПЕНЯ моя»My PENA"
СТSt
6060
Фіг. 1 б5 з 7 1 1 4 56 хо жк рія уFig. 1 b5 of 7 1 1 4 56 ho zhk ria u
І; ик сш с--ін- ТІ і оті іч «НІ , я о 7 ЗМ т І 70 іх зAND; ik ssh s--in- TI i oti ich "NO , I am at 7 ZM t I 70 ih with
Фіг. 7Fig. 7
Claims (2)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA20031213400A UA71526A (en) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | A plasma device on alternating current for ionic-plasma treatment of inner surface of tube |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA20031213400A UA71526A (en) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | A plasma device on alternating current for ionic-plasma treatment of inner surface of tube |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA71526A true UA71526A (en) | 2004-11-15 |
Family
ID=74282687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA20031213400A UA71526A (en) | 2003-12-31 | 2003-12-31 | A plasma device on alternating current for ionic-plasma treatment of inner surface of tube |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA71526A (en) |
-
2003
- 2003-12-31 UA UA20031213400A patent/UA71526A/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6440281B1 (en) | Device for the prevention of arcing in vacuum sputtering installations | |
| US6037717A (en) | Cold-cathode ion source with a controlled position of ion beam | |
| US9551066B2 (en) | High-power pulsed magnetron sputtering process as well as a high-power electrical energy source | |
| JP5694183B2 (en) | Closed drift magnetic field ion source device including self-cleaning anode and substrate modification process using the device | |
| KR20140113530A (en) | Dc pulse etcher | |
| US6246059B1 (en) | Ion-beam source with virtual anode | |
| KR20010013110A (en) | Continuous deposition of insulating material using multiple anodes alternated between positive and negative voltages | |
| JPH05311433A (en) | Method and device for coating substrate | |
| SE0102134D0 (en) | Plasma generation method and apparatus | |
| US20170178869A1 (en) | Hollow cathode ion source | |
| JP3269834B2 (en) | Sputtering apparatus and sputtering method | |
| RU2009100667A (en) | PLANT FOR COMBINED ION-PLASMA TREATMENT AND COATING | |
| EP1716728A2 (en) | Plasma-generating device and method of treating a gaseous medium | |
| EP3390688B1 (en) | Hollow cathode ion source and method of extracting and accelerating ions | |
| RU2011154038A (en) | PLANT FOR ION BEAM AND PLASMA PROCESSING | |
| UA71526A (en) | A plasma device on alternating current for ionic-plasma treatment of inner surface of tube | |
| US10573499B2 (en) | Method of extracting and accelerating ions | |
| AU2001242287A1 (en) | Method and device for plasma-treating the surface of substrates by ion bombardment | |
| US20160064191A1 (en) | Ion control for a plasma source | |
| JPS6298542A (en) | Ion source | |
| US20140007813A1 (en) | Ion control for a plasma source | |
| RU2098512C1 (en) | Vacuum-arc plasma source | |
| RU2423754C2 (en) | Method and device to manufacture cleaned substrates or pure substrates exposed to additional treatment | |
| RU79892U1 (en) | DEVICE FOR ELECTRIC ARC EVAPORATION OF METALS IN VACUUM | |
| SU761603A1 (en) | Device for electric arc evaporation in vacuum |