Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Винницкий Национальный Технический УниверситетfiledCriticalВинницкий Национальный Технический Университет
Priority to UAU201200229UpriorityCriticalpatent/UA70968U/uk
Publication of UA70968UpublicationCriticalpatent/UA70968U/uk
Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits
(AREA)
Abstract
Мікроелектронний сенсор магнітного поля, який містить двостоковий магніточутливий МОН-транзистор, джерело постійної напруги, два резистори, загальну шину та дві вихідні клеми. Введені двозатворний МОН-транзистор, індуктивність та ємність. Як двостоковий магніточутливий МОН-транзистор використано двостоковий двозатворний магніточутливий МОН-транзистор.
UAU201200229U2012-01-062012-01-06Мікроелектронний сенсор магнітного поля
UA70968U
(uk)