UA67188U - Спосіб очищення металургійного кремнію - Google Patents

Спосіб очищення металургійного кремнію

Info

Publication number
UA67188U
UA67188U UAU201107592U UAU201107592U UA67188U UA 67188 U UA67188 U UA 67188U UA U201107592 U UAU201107592 U UA U201107592U UA U201107592 U UAU201107592 U UA U201107592U UA 67188 U UA67188 U UA 67188U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
silicon
melt
metal
fuse
treatment
Prior art date
Application number
UAU201107592U
Other languages
English (en)
Russian (ru)
Inventor
Петр Иванович Лобода
Юрий Петрович Стовбун
Original Assignee
Национальный Технический Университет Украины "Киевский Политехнический Институт"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Национальный Технический Университет Украины "Киевский Политехнический Институт" filed Critical Национальный Технический Университет Украины "Киевский Политехнический Институт"
Priority to UAU201107592U priority Critical patent/UA67188U/uk
Publication of UA67188U publication Critical patent/UA67188U/uk

Links

Landscapes

  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Спосіб очищення металургійного кремнію включає з'єднання металургійного кремнію з розплавом металу-розчинника, нагрівання розплаву металу-розчинника, створення температурного градієнту в розплаві металу-розчинника, кристалізації кремнію на кристалічній затравці. Метал-розчинник та металургійний кремній формують у вигляді порошкової заготовки. Для кристалізації кремнію використовують кремнієву затравку, порошкову заготовку розміщують над кремнієвою затравкою. Кремнієву затравку нагрівають до оплавлення її верхньої частини. Порошкову заготовку занурюють у розплав кремнієвої затравки та утримують до утворення між ними стійкої зони розплаву та переміщують зону розплаву вздовж порошкової заготовки.
UAU201107592U 2011-06-16 2011-06-16 Спосіб очищення металургійного кремнію UA67188U (uk)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201107592U UA67188U (uk) 2011-06-16 2011-06-16 Спосіб очищення металургійного кремнію

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201107592U UA67188U (uk) 2011-06-16 2011-06-16 Спосіб очищення металургійного кремнію

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA67188U true UA67188U (uk) 2012-02-10

Family

ID=52288038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU201107592U UA67188U (uk) 2011-06-16 2011-06-16 Спосіб очищення металургійного кремнію

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA67188U (uk)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
MY161961A (en) Semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon and method for producing it
TW201129729A (en) Device for producing a single crystal composed of silicon by remelting granules
EP2334849A4 (en) GRAFIT MELT TAG FOR ELECTROMAGNETIC SILICON INDUCTION HEATING AND SILICONE MELTING AND REFINEMENT DEVICE USING GRAFIT MELT TAG
WO2012099343A3 (en) Resistance heated sapphire single crystal ingot grower, method of manufacturing resistance heated sapphire sngle crystal ingot, sapphire sngle crystal ingot, and sapphire wafer
MX359531B (es) Recuperación de calor de un proceso de reenfriamiento de túnel.
NZ702432A (en) Starting a smelting process
MX2011010834A (es) Metodo para revestir un sustrato.
UA111829C2 (uk) Спосіб прямого плавлення
UA67188U (uk) Спосіб очищення металургійного кремнію
MX2023007656A (es) Aleaciones a base de hierro de alta resistencia, procesos para elaborarlas y articulos que resultan de las mismas.
IN2014CN04231A (uk)
MY183217A (en) Method for producing multicrystalline silicon
EA201390127A1 (ru) Способ легирования полупроводникового материала
PL401015A1 (pl) Sposób rafinacji krzemu metalurgicznego
MY165871A (en) Method and apparatus for producing a single crystal
RU2011105239A (ru) Способ рафинирования металлургического кремния
MY160009A (en) Method for producing a silicon single crystal
MD575Z (ro) Procedeu de recristalizare a firului de bismut în izolaţie de sticlă
SG159442A1 (en) Method for producing a single crystal of semiconductor material
UA87648U (uk) Спосіб переробки лому виробів електронної техніки
MD402Y (en) Process for rapid growth of bismuth monocrystal
UA44461U (uk) Спосіб отримання термоелектричних сплавів на основі телуриду олова, свинцю і германію
UA57950U (uk) Спосіб очищення кремнію і його сполук
WO2013032703A3 (en) Purification of a metalloid by consumable electrode vacuum arc remelt process
UA84834U (uk) Спосіб балістичного термічного аналізу ендотермічних ефектів у розплаві