UA66351C2 - Semiconductor containing major volume proportion of material with ordered structure - Google Patents
Semiconductor containing major volume proportion of material with ordered structure Download PDFInfo
- Publication number
- UA66351C2 UA66351C2 UA99073909A UA99073909A UA66351C2 UA 66351 C2 UA66351 C2 UA 66351C2 UA 99073909 A UA99073909 A UA 99073909A UA 99073909 A UA99073909 A UA 99073909A UA 66351 C2 UA66351 C2 UA 66351C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- substance
- monocrystalline silicon
- fact
- substances
- substance according
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 title abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 173
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000005325 percolation Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 37
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 11
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 abstract 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 33
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 33
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 28
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000004627 transmission electron microscopy Methods 0.000 description 14
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 13
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 13
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 7
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 3
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- 230000001594 aberrant effect Effects 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 238000009395 breeding Methods 0.000 description 1
- 230000001488 breeding effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 210000002257 embryonic structure Anatomy 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- -1 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 230000000877 morphologic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007736 thin film deposition technique Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 101150047903 vapA gene Proteins 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/204—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table including AIVBIV alloys, e.g. SiGe, SiC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/028—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Description
Опис винаходу
Цей винахід стосується в цілому напівпровідників. Зокрема, винахід стосується напівпровідникової 2 речовини, що має об'ємну фракцію речовин із проміжним порядком (розміри кристаліту 10-50 Ангстрем), але який не містить у собі розмір об'ємного відсотка, необхідний для утворення перколяційного каналу всередині речовини.
Відомий рівень техніки
У межах відносно короткого часу напівпровідникові речовини уможливили створення широкого ряду оптичних 0 | електронних пристроїв, які зіграли значну роль у формуванні нашого світу. Вплив напівпровідникових пристроїв поширився від поля військових дій до спортивної площадки і від кухні до космосу. На самих ранніх стадіях напівпровідникова технологія була обмежена використовуванням монокристалічних речовин. Ці речовини були обов'язково високо чистими і мали морфологію з екстремально регулярною і далекою періодичністю. Подвійні і взаємозалежні обмеження періодичності зі стехіометрії обмежували композиційну 72 область, і, отже, фізичні властивості речовин кристалічних напівпровідників. У результаті монокристалічні пристрої були дорогими, важкими для виготовлення й обмеженими у своїх властивостях.
Тоді як стандартний підхід диктував у той час, що напівпровідникову поведінку тільки можна виявити у високо упорядкованих речовинах, було визнано 5.К.ОузПіпезКу, що вимоги періодичності можна перебороти, і що напівпровідникову поведінку виявляють у різних неупорядкованих речовинах. У цьому відношенні дивись вгапога В. ОумвПпіпзКу, "Кемегвіріеє ЕІесігісаї Змйспіпд Рпепотепа апа Оізогдегей Зігисійгев", РНувіса! Кеміем/
Ї енегв, моЇ.21, Мо20, Мом.11, 1968, 1450(С) і Могей Н. Сопеп, Н. Ргійгевспе апа 5.К. ОмеПпіпезКу, "Зітріє Вапа
Моде! тог Атогрпоив бЗетісопадисіїпуд АїПШоувз", РНузісаІ! Кеміем/ І еЦег5, моІ.22, Мо20, Мау 19, 1969, 1065 (С).
Відсутність далекої періодичності характеризує неупорядковані речовини. Обмеження періодичності і стехіометрії віддалені в неупорядкованих напівпровідниках, і в результаті тоді можливо помістити атоми в с тривимірні конфігурації, попередньо заборонені параметрами решіток кристалічних речовин. Таким чином, був. (У представлений цілий новий спектр напівпровідникових речовин, що мають нові фізичні, хімічні й електричні властивості. За допомогою вибору відповідних композицій речовин можна задано проектувати властивості неупорядкованих напівпровідників у широкому діапазоні величин. Неупорядковані напівпровідники можна осаджувати за допомогою способів для тонких плівок на відносно великі площі і за низьку ціну, і в результаті -- стали комерційно здійсненними багато типів нових напівпровідникових пристроїв. Перша група неупорядкованих напівпровідників у цілому еквівалентна їх кристалічним аналогам, у той час як друга група виявляє фізичні властивості, що не можуть бути досягнуті кристалічними речовинами. о
В результаті згаданого вище неупорядковані напівпровідникові речовини досягли широкого визнання, і Ге) великий ряд пристроїв, виготовлених із них, знаходить значне комерційне використання. Наприклад, 3о фотогальванічні пристрої з великою площею звичайно роблять з аморфного кремнію і сплавів, заснованих на ее, германії. Такі речовини і пристрої зазначені, наприклад, у патентах США МоМо4226898 і 4217374 ОузПіпекКу і інших. Неупорядковані речовини сплавів також використовували для виготовлення фотодетекторних пристроїв для використання в сканерах для документів, у драйверах для дисплеїв СО, фотокамерах і т.п. У цьому « відношенні дивись патент США Мо4788594 ОувзпПіпеКу і інших. Неупорядковані напівпровідникові речовини також - 70 використовували в пристроях для збереження великого об'єму оптичних і електронних даних. с Аморфні речовини тепер використовують у деякій мірі для застосування великої різноманітності взаємодій
Із» між складовими атомами або молекулами на відміну від обмеженої кількості і видів взаємодій, що накладаються кристалічними решітками. У даному винаході переваги кристалічних і аморфних властивостей можуть бути комбіновані для тих пристроїв і застосувань, у яких періодичність є істотною для фізики. Періодичність можна установити в аморфній матриці за допомогою використання даного винаходу. Речовина може містити в собі б повторювані в просторі композиційні елементи, атоми, групи атомів або шарів без повної об'ємної заборони
Ге») кристалічної періодичності.
Також можна забезпечити різні конфігурації індивідуальних атомів або груп атомів, які можна комбінувати з о іншими атомами або групами атомів і поширити по всій речовині. Як установлено, індивідуальні атоми або групи сл 20 атомів у цих речовинах не повинні знаходитися в регулярній конфігурації, але можуть мати змінювану просторову конфігурацію, як у, наприклад, поступово змінювану або непослідовну по всій речовині. За та допомогою вірного вибору атомів або груп атомів, їх орбіталей і ізольованих конфігурацій можна створити анізотропні ефекти, не дозволені в будь-якому попередньому типі речовини.
Ці операції забезпечують змінювані геометричні навколишні умови для того самого атома або ряду атомів 29 так, що ці атоми можна з'єднати з іншими навколишніми атомами в різні координатні конфігурації, а також у
ГФ) незвичайні зв'язки, що не зв'язують, які приводять до зовсім нових хімічних навколишніх умов. Операції забезпечують засоби для організації різних хімічних навколишніх умов, які можна поширити і локалізувати по о всій речовині в бажаній просторовій конфігурації. Наприклад, одна частина або частка речовини може мати цілком різні локальні навколишні умови від інших частин. Змінювані електронні стани, що виходять від різних 60 просторових конфігурацій, які формують, і різних хімічних навколишніх умов, які можна проектувати, можна показати в багатьох параметрах, як, наприклад, тип щільності станів або зміна станів у забороненій енергетичній зоні напівпровідника, якщо не врахувати того, що ця щільність станів може бути розташована в просторі.
Власне кажучи речовину винаходу представляє речовина, що композиційно модулюється, яке використовує 65 самі концепції нерегулярності, негомогенності, Хаотичності" або локалізованого порядку, яких уникали в попередньому рівні техніки для досягнення переваг, які не були подані в попередніх речовинах. Локальні навколишні умови не повинні бути повторені періодично по всій речовині, як, наприклад, у речовинах, що композиційно модулюються, попереднього рівня техніки. Крім того, речовини, які описані цим винаходом, через вище описані ефекти конкретних типів хаотичності і їх розташування в просторовій конфігурації не можуть бути подані в якості істинно аморфних речовин, які звичайно створюють за допомогою попереднього рівня техніки, тому що речовина представляє більш ніж випадкове розміщення атомів. Може бути досягнуте розміщення атомів і орбіталей конкретного типу, що можуть або взаємодіяти з їх локальним оточенням або один з одним у залежності від їх відстані по всій аморфній речовині й аморфній матриці. Композитна речовина, мабуть, є 7/0 Гомогенною, але позиції орбіталей атомів можуть мати взаємозв'язки, спроектовані для додання особливого значення конкретному параметру, як, наприклад, спінової компенсації або декомпенсації Речовини, так утворені, дають нове значення хаотичності, заснованому не тільки на самих найближчих сусідніх взаємозв'язках, але на "хаотичності" серед функціональних груп, які можуть представляти шари або групи, при величині відстані, яка може бути така ж маленька, як одиночний атомний діаметр. Отже, був поданий абсолютно новий клас 7/5 "синтетичних нерівноважних мультихаотичних" речовин.
Було знайдено, що властивості напівпровідникових речовин у неупорядкованому стані будуть залежати від їх морфології і локального хімічного порядку, і на них можна впливати за допомогою різних способів приготування.
Наприклад, нерівноважні виробничі способи можуть забезпечити локальний порядок і/або морфологію відмінні від тих, які досягнуті за допомогою рівноважних способів і в результаті можуть змінювати фізичні властивості 2о речовини. У більшій частині випадків аморфний напівпровідник буде мати більш низьку питому електричну провідність, ніж відповідна кристалічна речовина, і в багатьох випадках енергія ширини забороненої зони, коефіцієнт оптичної абсорбції й електронної енергії активації відповідних аморфних і кристалічних речовин будуть різними. Наприклад, було знайдено, що аморфні кремнієві речовини звичайно мають ширину забороненої зони, яка дорівнює приблизно 1,6-1,8еВ, у той час як кристалічний кремній має ширину забороненої зони, яка сч ов Дорівнює 1,1еВ. Також важливо відзначити, що аморфні кремнієві речовини мають пряму заборонену зону, у той час як відповідна кристалічна речовина має непряму заборонену зону, і в результаті оптична абсорбція і) аморфного кремнію значно вище, ніж кристалічного кремнію на межі зони або біля неї. Слід також відзначити, що темнова питома електрична провідність недопованого аморфного кремнію на декілька порядків величини нижче, ніж кристалічного кремнію. Таким чином, можна бачити, що різні фізичні властивості кремнію сильно залежать -п зо Від його морфології і локального порядку. Аналогічні відношення знайдені у великій кількості інших напівпровідникових речовин. о
Принцип поданого винаходу полягає у здатності контролювати локальний порядок напівпровідникової со речовини від порядку, що відповідає цілком аморфній фазі, через різні інші локальні організації, які включають у себе проміжний порядок, до стану, в якому локальний порядок настільки регулярно періодичний, ісе) з5 Що речовина знаходиться в монокристалічному стані. Найбільш важливою і цікавою областю даного винаходу є (ау здатність, одержувана за допомогою цього, контролювати локальний порядок напівпровідникової речовини для створення речовини, що має корисні властивості відмінні або від аморфного або кристалічного станів.
Різні властивості аморфного і кристалічного кремнію дають різні переваги різним пристроям. Висока рухомість носіїв у кристалічному кремнії важлива у високошвидкісних напівпровідникових схемах, у той час як « високий рівень оптичної абсорбції аморфного кремнію ідеальний для фотогальванічних пристроїв, тому що з с повну абсорбцію світла можна досягти за допомогою відносно тонких шарів речовини, сприяючи одержанню легкого Ї дешевого пристрою. У деяких випадках одне з властивостей даної морфології і локального порядку ;» напівпровідника може бути ідеальним для конкретної мети, у той час як розмір іншої властивості тієї ж самої речовини не може бути настільки добре придатний. Наприклад, вище відзначена висока оптична абсорбція аморфного кремнію ідеальна для фотогальванічного пристрою; однак, досить широка ширина забороненої зони б аморфного кремнію не дозволяє йому приймати довгохвильову частину сонячного спектра. Використання кристалічної речовини з більш вузькою шириною забороненої зони у фотогальванічних пристроях збільшує
Ме. частку використовуваного спектра світла, ЇЇ висока питома провідність, висока рухомість і велика довжина 2) дифузії неосновних носіїв у кристалічному кремнії зменшує послідовний опір фотогальванічного пристрою, таким дор чином, збільшуючи його загальну ефективність; але у випадку заміни кристалічні елементи є відносно товстими 1 через їх низку абсорбцію, і, отже, вони є тендітними, об'ємними і дорогими. як Попередньо ОузпПіпзКу і Інші створили речовини, які містили в собі кластери атомів звичайно з діаметром між 12 і 50 Ангстремами. Дивись патент США Мо5103284, виданий 7 квітня 1992 і з назвою "Напівпровідник з упорядкованими кластерами". Кластери або кристаліти мали ступінь порядку, який відмінний і від кристалічної й ов аморфної форм речовини. Маленький розмір і упорядкованість кластерів дозволив їм коректувати їх зонну структуру для ослаблення за допомогою цього правила відбору по вектору К. ОузпПіпекКу і інші знайшли, що різні
Ф) фізичні властивості напівпровідникових речовин не зв'язані згідно з морфологією і локальним порядком, коли ці ка речовини складені з упорядкованих кластерів. Це ослаблення правила відбору відбувалося, тому що речовини містили в собі об'ємну фракцію речовин із проміжним порядком, яка була досить висока для утворення бо перколяційного каналу всередині речовини.
Початковий розмір критичного граничного значення для істотної зміни у фізичних властивостях речовин в упорядкованому кластерному стані залежить від розміру, форми й орієнтації конкретних кластерів. Однак він є відносно постійним для різних типів речовин. Існують моделі 1-0, 2-О ії 3-0, що пророкують об'ємну фракцію кластерів, необхідну для досягнення граничного значення, і ці моделі залежать від форми упорядкованих 65 кластерів. Наприклад, у моделі 1-00 (яка може бути аналогічна потокові носія заряду через тонкий провід) об'ємні фракції кластерів у матриці повинні дорівнювати 10095 для досягнення граничного значення. В моделі
2-0 (яка може бути розглянута у вигляді кластерів, які мають в основному конічну форму і таких, що простягаються через товщину матриці) об'ємна фракція повинна дорівнювати приблизно 4595 для досягнення граничного значення, і, нарешті, модель 3-0 (яка може бути розглянута як в основному сферичні кластери в речовині матриці) об'ємна фракція повинна тільки дорівнювати приблизно 16-1995 для досягнення граничного значення.
Отже, речовини, що розкриті і обмовляються у формулі патенту США Мо5103284, мають щонайменше 16-19 об'ємних відсотків речовини з проміжним порядком для сферичних кластерів, щонайменше 45 об'ємних відсотків для кластерів, що мають конічну форму і 100 об'ємних відсотків для ниткоподібних кластерів. 70 Представлені винахідники тепер знайшли, що речовини, які містять будь-який розмір об'ємного відсотка речовини з проміжним порядком (тобто упорядковані кластери), будуть мати властивості, які (у той час як вони необов'язково не зв'язані) відмінні від речовин без речовини з проміжним порядком. Ці речовини особливо корисні у формі тонких плівок, використовуваних у пристроях таких, як: фотогальванічні пристрої, тонкоплівкові діоди, тонкоплівкові транзистори, фотодатчики і т.д.
Короткий опис винаходу
Представлені винахідники створили високоякісну немонокристалічну речовину кремнієвого сплаву, яка включає в себе розмір об'ємного відсотка областей для речовини кремнієвого сплаву з проміжним порядком (ПП), але яка не містить у собі розмір об'ємного відсотка, необхідний для утворення перколяційного каналу всередині речовини. Причому інша частина речовини представляє або аморфну або суміш аморфного і Мікрокристалічного речовин. Речовини були приготовлені за допомогою способу ХОПФСП, що використовує різні розміри водневого розведення для створення речовин, що містять різні кількості речовини з ПП.
Речовина кремнієвого сплаву додатково містить водень і/або галоген такий, як фтор. Речовина переважно знаходиться у формі тонкої плівки, що корисна в пристроях таких, як фотогальванічні пристрої, діоди, транзистори і фотодатчики. сч
Короткий опис креслень
Фіг.1 представляє мікрофотографію, одержану за допомогою просвічувальної електронної мікроскопії (ТЕМ), і) (ПЕМ) у світлому полі еталонної кремнієвої речовини, створеної, не використовуючи ніякого водневого розведення;
Фіг2 представляє ПЕМ у світлому полі еталонної гідрованої речовини кремнієвого сплаву, створеної, «- зо Використовуючи низьке водневе розведення;
Фіг.3 і 4 представляють ПЕМ у світлому полі і темному полі, відповідно, гідрованої речовини кремнієвого о сплаву згідно з даним винаходом, створеної, використовуючи високе водневе розведення; с
Фіг.5 представляє ПЕМ у світлому полі (збільшення: 3,63 мільйони крат) гідрованої речовини кремнієвого сплаву фіг. З і 4, зокрема, ілюструючи, що речовина даного винаходу містить речовину з ПП; ісе)
Фіг.6 представляє ПЕМ у світлому полі (збільшення: 2,64 мільйони крат) гідрованої речовини кремнієвого «о сплаву згідно з даним винаходом, створеної за допомогою способу ХОПФСП, що використовує середнє водневе розведення; і
Фіг. 7 представляє ПЕМ у світлому полі (збільшення: 3,52 мільйони крат) гідрованої речовини кремнієвого сплаву згідно з даним винаходом, створеної за допомогою способу ХОПФСП, що використовує високе водневе « розведення. шщ с Докладний опис винаходу . Існування речовини з проміжним порядком (ПП) відомо вже, щонайменше, із 1981р. Дивись, наприклад, и? статтю написану одним із представлених винахідників, 5.К.ОмзПіпеКу, із співавторами і названу "Пе пайшге ої іпіегтедіаїе гапде огдег іп 51:Е:НІ(Р) аїоу взувієетв", Т8ви еї аЇ., дошгпа!І Ое РПузідие СоПодце С4, Мо.10, 42, рр.С4-269-72, Осіорег 1981. Представлені винахідники досліджували осадження кремнієвих речовин за
Ге» допомогою способу хімічного осадження з парової фази, стимульованого плазмою (РЕСМО) (ХОПФСП) із дисилану (ЗіоНв) і водню (Нео). Зовсім недавно вони досліджували осадження, використовуючи високе водневе
Ме, розведення. Дивись, наприклад, "е(арійу вішаєв ої Нудгодепаїе(й атогрпоиз звійсоп оайоу зоїаг сеїЇв 2) ргерагед м/йй Пудгодеп айшіоп", Мапуд ей а). 687-92, 1994; і "Нудгодеп айшіоп ейпПесів оп а-5іН апа во а-зібенН таїегіаїзн ргорепієв апа зоїаг сеї репогтапсе", Хи еї аї., Іпіегпабйопа! Сопіегепсе оп Атогрпоив о Зетісопдисіоге (ІСАЗ 16), Зеріетбрег 1995. шк Представлені винахідники тоді знайшли, що дуже високе водневе розведення протягом осадження СМО (ХОП) кремнію приводить до речовин, що мають об'ємні фракції речовини з проміжним порядком (ПП).
Представлені винахідники також знайшли, що ці речовини, одночасно не маючи незв'язаних властивостей ов речовин, зазначених у патенті 5103284, мають властивості, які поліпшені в порівнянні з властивостями тих речовин, що не мають речовин з ПП.
Ф) Як використана тут, речовина з проміжним порядком (ПП) повинна бути визначена в якості речовини, що має ка атомні агрегати з дуже ближньою періодичністю і складена з ряду високо упорядкованих, відносно малих атомних агрегатів, що звичайно простираються не більш ніж на 50 атомних діаметрів Точні розміри агрегатів у бо цих речовинах будуть залежати від конкретної напівпровідникової обговорюваної речовини, але звичайно вони знаходяться в діапазоні від 10 до 80 Ангстрем і переважно приблизно 30-50 Ангстрем. Речовини з ПП мають періодичність і локальний порядок, відмінні від аморфної або цілком кристалічної речовини.
У речовинах із ПП локальний порядок поширений, але не досягає точки утворення далекого порядку; і, отже, константи решітки кристалічного стану не стають визначальним фактором властивостей речовини. У речовинах 65 із ПП довжини зв'язків і кути є набагато більш змінюваними, ніж у речовинах із далекою періодичністю.
Зразки були приготовлені за допомогою способу ХОПФСП, що використовує різні розміри водневого розведення для створення речовин, що містять різні кількості речовини з ПП. Параметри осадження зразків приведені в Таблиці. й
Пожзенвессму 00000004 035 09 025 02 01 оз ов ов 2
Пеперавссму 111111111099 0199099 099 099099 492 492492 0 о видкстьосаджентя (юю 01000101 ововв ся ля
Тиокосадження сор) 10000016 150 150001501650016 (35 13135 05 ппообемніяє 71111111 ел! |лои2 | 24 | лоля лБЛ7 звоо во ве за! о
Моофисталчнафазаоєємнія 000013 2022 ов» зі3е 6т 090 і Моефіентзаповнення видних 00720100 0068055 ов
Моефцєнтзаповнення детедований) 06710106 о 055 046
Детадацяєю 000000000693111110001100000и8, ва ва
Товщина тиру 000000002060100100100001000042001 0 а2оо лю »
У той час як існує різноманітність способів, за допомогою яких речовини даного винаходу можна приготувати (тобто способи осадження тонких плівок, як, наприклад, лазерний випар, розпилення, хімічне осадження з парової фази, процеси плазмового осадження і процеси напилювання), самим кращим є хімічне осадження з с парової фази, стимульоване плазмою (ХОПФСП), Даний спосіб КЕ (ХОПФСП) є стандартним у більшій частині відношень, якщо не вважати того, що температуру контролюють, і рівень водневого розведення є дуже високим. і9)
Наприклад, відношення водню до дисилану є звичайно більше, ніж приблизно 98:1 і переважно більше, ніж приблизно 99:1.
Критичним елементом будь-якого процесу осадження є контроль розміру кристаліту для підтримки речовини «-- в режимі осадження з проміжним порядком. У цілому процеси досить повільного росту на дуже великій кількості зародків будуть створювати речовину, що має в цьому випадку збільшену об'ємну частку речовини з ПП. о
Наприклад, у даному плазмовому процесі осадження має місце пряма реакція, в якій попередній газоподібний со дисилан розкладають для створення твердого кремнієвого осадженого шару.
Цей процес також містить у собі зворотну реакцію, в якій висока концентрація водню приводить до реакції з ее,
Недавно осадженим кремнієм, за допомогою якої травлять цей кремній і регенерують газоподібну сполуку. Ге)
Швидкість осадження представляє функцію рівноваги прямої і зворотної реакцій. Збільшення кількості речовини, що травить (тобто водню), до високих концентрацій прискорює процес травлення і за допомогою цього сповільнює швидкість осадження і збільшує ріст речовини з ПП. Крім того, або замість згаданого вище, іншу сполуку, що травить, як наприклад, фтор, можна додати в процес для аналогічного зменшення швидкостей « осадження. - с При збільшенні водневого розведення газоподібної суміші, що реагує, зростає об'ємна фракція проміжного й порядку в осадженій речовині, і представлені винахідники знайшли, що для цього ефекту існує границя. Тобто "» поза певним деяким водневим рівнем розведення, збільшення водневого рівня розведення викликає осадження мікрокристалічних речовин із збільшеною об'ємною фракцією. Це, у свою чергу, може приводити до зменшення об'ємної фракції речовини з ПП. Представлені винахідники також побачили, що ця границя розведення чутлива
Ге») до температури. Тобто границя розведення при температурі підкладинки З00"С, мабуть, значно нижче, ніж границя приблизно 1507С. Отже, за допомогою регулювання водневого розведення, температури підкладинки й б інших параметрів осадження, які впливають на швидкість осадження, можна контролювати об'ємну фракцію со речовини з ПП в осадженій речовині.
У той час як функції фтору в якості речовини, що травить, зменшують ріст кристалів і, отже, передбачають і-й приготування речовини з ПП даного винаходу, ефекти фтору поширюються за його роль в якості простого -З травника. Фтор представляє супергалоген, і як такий викликає ефекти, не досяжні за допомогою використання водню або інших галогенів в осаджуючій атмосфері. Фтор діє для забезпечення різного, але поліпшеного локального порядку в речовині і для контролю розміру і морфології речовини з проміжним порядком. Фтор також реагує з відхиляючимися морфологічними й електричними станами при їх утворенні в речовині, за допомогою цього контролюючи об'ємні електричні властивості речовини. іФ) Отже, при використанні в осадженні фтор грає декілька важливих ролей в осадженні речовини даного ко винаходу в плазмі або стані пару, а також на поверхні речовини з ПП, в об'ємі речовини з ПП і на границях між речовиною з ПП і іншою частиною речовини. Він також корисний для зменшення щільності дефектних станів у бо забороненій зоні речовини. Фтор є дуже активною речовиною, що травить, і в цілому віддають перевагу зменшувати його активність, наприклад, розведенням воднем.
Звертаючись тепер до характеристики речовин зразків, варто сказати, що фіг.1 представляє мікрофотографію, одержану за допомогою просвічувальної електронної мікроскопії (ПЕМ) у світлому полі (збільшення: 3,63 мільйони крат) кремнієвої речовини (зразок й КЕ 5357), створеної за допомогою способу 65 ХОПФСП при температурі підкладинки З00"С, не використовуючи ніякого водневого розведення. З розгляду мікрофотографії ясно, що речовина є зовсім аморфною без ознак якогось проміжного або далекого порядку
(факт, що випливає з даних Раманівського розсіювання, приведених тут нижче).
Фіг2 представляє ПЕМ у світлому полі (збільшення: 3,63 мільйони крат) гідрованої речовини кремнієвого сплаву (зразок й 8014), створеного за допомогою способу ХОПФСП при температурі підкладинки З00"С,
Використовуючи низьке водневе розведення. З розгляду мікрофотографії ясно, що речовина, у той час як вона є все ще головним чином аморфною, представляє деякі ознаки проміжного порядку.
Фіг.3 і 4 представляють ПЕМ»5 у світлому голі і темному полі, відповідно (збільшення: 400 тисяч крат) гідрованої речовини кремнієвого сплаву (зразок й 8013), створеного за допомогою способу ХОПФСП при температурі підкладинки З00"С, використовуючи високе водневе розведення. З розгляду мікрофотографії ясно, 7/0 що речовина містить і мікрокристалічну і некристалічну "аморфну" речовину. Слід відзначити, що при цьому збільшення речовини з ПП не може бути замічене.
Фігура 5 представляє ПЕМ у світлому полі (збільшення: 3,63 мільйони крат) гідрованої речовини кремнієвого сплаву фіг.3 і 4. З розгляду цієї мікрофотографії ясно, що речовина містить мікрокристалічну й аморфну речовини і речовину з ПП. Речовина з ПП може бути чітко замічена в нижньому лівому куту мікрофотографії.
Фіг.6 представляє ПЕМ у світлому полі (збільшення: 2,64 мільйони крат) гідрованої речовини кремнієвого сплаву (зразок й 111208), створеного за допомогою ХОПФСП при температурі підкладинки 1507, використовуючи середнє водневе розведення. З розгляду цієї мікрофотографії ясно, що речовина містить речовину з ПП, яка може бути замічена у вигляді серпентинових упорядкованих областей на мікрофотографії.
Фіг.7 представляє ПЕМ у світлому полі (збільшення: 3,52 мільйони крат) гідрованої речовини кремнієвого 2о сплаву (зразок й 111234), створеного за допомогою способу ХОПФСП при температурі підкладинки 1507С, використовуючи високе водневе розведення. З розгляду цієї мікрофотографії ясно, що речовина містить мікрокристалічну й аморфну речовину і речовину із ПП. Серпентинова речовина з ПП може бути чітко замічена в центрі мікрофотографії.
На додаток до доказу ПЕМ, представлені винахідники використовували Раманівське розсіювання для сч ов Характеристики осаджених зразків. Спектр, одержаний за допомогою поперечного оптичного (ПО) Раманівського о розсіювання, має максимуми для чотирьох зразків тонкоплівкового гідрованого кремнію, одержаного за допомогою ХОПФСП при температурі підкладинки З00"С і відношеннях, що змінюються, силану до водню.
Один із зразків був осаджений, не використовуючи водневого розведення силану (зразок й КЕ 5357). Інші зразки представляють кремній, осаджений, використовуючи різні розміри водневого розведення силану в суміші - де зо осадження (тобто зразки 8013, 8035 і 8014, відповідно). Зі спектрів, одержаних за допомогою Раманівського розсіювання, винахідники виявили, що при збільшенні водневого розведення силану пік ПО зрушується від юю типового "аморфного" 474см" навіть до приблизно 482,3см" для зразка (тобто 8013), приготовленого в умовах со із високим розведенням. Крім того, зразок (8013), приготовлений в умовах із високим розведенням, показує інший пік із центром 5177см. Цей додатковий пік відносять до мікрокристалічних включень, які утворені при цій ї-о високій температурі в зразку, приготовленому в умовах із високим розведенням. (Дивись вище обговорення (Се) мікрофотографій ПЕМ).
Зрушення піка ПО від 474см 7 аж до приблизно 482,Зсм", мабуть, відбувається з колись нерозпізнаної властивості. Ця властивість, мабуть, указує на присутність речовини з ПП. Тобто дані Раманівського « розсіювання вказують на присутність областей упорядкованих речовин, які є менше, ніж мікрокристалічні включення, і відмінними від них. Вважають, що включення з ПП є кристалітами з розміром 10-80 Ангстрем, - с згрупованими в серпентинові ланцюжки. ч» Порівняння обох піків ПО для зразка (8013), приготовленого в умовах із високим водневим розведенням, і " зразка (КЕ 5357), приготовленого в умовах без водневого розведення, сполученими і вирівняними за допомогою лазерних плазмових ліній на той самий графік, показує, що пік ПО зразка (8013), приготовленого в умовах із високим водневим розведенням, містить у собі мікрокристалічний пік при приблизно 517 см", який не
Ме. замічений у зразку (КЕ 5357), приготовленому в умовах без водневого розведення. Порівняння також показує
Ге) додатковий пік при приблизно 490см"", який не замічений у зразку (БЕ 5357), приготовленому в умовах без водневого розведення. Аналогічне порівняння для зразків, приготовлених в умовах і: середнім і низьким о водневим розведенням, відповідно, указує, що пік при 490см7 точно існує. 1 20 Інший зразок (ІІ 1208) був виготовлений, використовуючи високе водневе розведення і низьку температуру ще підкладинки (1502С). Ця речовина має пік ПО при приблизно 482см" і не має ніякого мікрокристалічного піка.
Раманівське розсіювання ясно вказує на пік речовини з ПП.
Напівпровідники поданого винаходу можуть бути приготовлені з великого ряду речовин, і їх можна св Застосовувати в широкому ряді напівпровідникових пристроїв. У той час як попереднє обговорення було, насамперед, присвячено пристроям, виготовленим із кремнієвих сплавів для фотогальванічних застосувань (Ф) варто зрозуміти, що принципи, розкриті тут, можна аналогічно поширити на інші типи пристроїв, як наприклад:
ГІ тонкоплівкові діоди, тонкоплівкові транзистори, фотодатчики і т.д. і інші речовини, як наприклад: сплави кремнію з германієм, вуглецем, киснем і т.д. і допований кремній. Не передбачається, що згадані вище фігури, во обговорення й опис лімітують практичне використання поданого винаходу тільки його ілюстраціями. Саме наступні пункти формули винаходу, що включають у себе всі еквіваленти, визначають об'єм винаходу.
Claims (18)
1. Немонокристалічна кремнієва речовина, яка відрізняється тим, що містить області речовини з проміжним порядком з розмірами кристалів від 10А до 50ОА, які складають щонайменше 8 об'ємних відсотків, але не містить більшого або рівного об'ємного відсотка, що призводить до утворення перколяційного каналу усередині речовини, причому решта речовини є речовиною або аморфною, або сумішшю аморфної і мікрокристалічної Дечовин.
2. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що вона додатково містить водень.
З. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 2, яка відрізняється тим, що вона додатково включає галоген.
4. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 3, яка відрізняється тим, що галоген є фтором.
5. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що зазначена речовина додатково 7/0 Включає галоген.
6. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 5, яка відрізняється тим, що галоген є фтором.
7. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що зазначена речовина виконана у вигляді тонкої плівки.
8. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 7, яка відрізняється тим, що зазначена тонка плівка є 7/5 складовою фотогальванічного пристрою.
9. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що зазначена тонка плівка є складовою діода.
10. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 7, яка відрізняється тим, що зазначена тонка плівка є складовою транзистора.
11. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 7, яка відрізняється тим, що зазначена тонка плівка є складовою фотодатчика.
12. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що зазначені області з проміжним порядком є серпентиновими кластерами.
13. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що зазначені області речовини з сч ов проміжним порядком є 1-вимірними і об'ємний процент цих областей становить від 8 до менше ніж 100905.
14. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що зазначені області речовини з і) проміжним порядком є 2-вимірними і об'ємний процент цих областей становить від 8 до менше ніж 45965.
15. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що зазначені області речовини з проміжним порядком є З-вимірними і об'ємний процент цих областей становить від 8 до менше ніж 19965. - зо
16. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що зазначена речовина також містить германій. о
17. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що зазначена речовина також с містить вуглець.
18. Немонокристалічна кремнієва речовина за п. 1, яка відрізняється тим, що зазначена речовина також ісе) Зз5 Містить кисень. со
- . и? (о) (о) (95) 1 - іме) 60 б5
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/766,219 US6087580A (en) | 1996-12-12 | 1996-12-12 | Semiconductor having large volume fraction of intermediate range order material |
| PCT/US1997/023128 WO1998026459A1 (en) | 1996-12-12 | 1997-12-11 | Semiconductor having large volume fraction of intermediate range order material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA66351C2 true UA66351C2 (en) | 2004-05-17 |
Family
ID=25075766
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA99073909A UA66351C2 (en) | 1996-12-12 | 1997-11-12 | Semiconductor containing major volume proportion of material with ordered structure |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6087580A (uk) |
| EP (1) | EP0953214A4 (uk) |
| JP (1) | JP2001506407A (uk) |
| KR (1) | KR20000057559A (uk) |
| AU (1) | AU738173B2 (uk) |
| BR (1) | BR9714012A (uk) |
| CA (1) | CA2274717C (uk) |
| RU (1) | RU2197035C2 (uk) |
| TW (1) | TW387158B (uk) |
| UA (1) | UA66351C2 (uk) |
| WO (1) | WO1998026459A1 (uk) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6723421B2 (en) * | 2001-10-05 | 2004-04-20 | Energy Conversion Devices, Inc. | Semiconductor with coordinatively irregular structures |
| US6985377B2 (en) * | 2002-10-15 | 2006-01-10 | Nanochip, Inc. | Phase change media for high density data storage |
| US7052587B2 (en) | 2003-06-27 | 2006-05-30 | General Motors Corporation | Photoelectrochemical device and electrode |
| US20050059186A1 (en) * | 2003-09-15 | 2005-03-17 | Kelly Nelson A. | Photoelectrochemical device and method of making |
| US20050232061A1 (en) * | 2004-04-16 | 2005-10-20 | Rust Thomas F | Systems for writing and reading highly resolved domains for high density data storage |
| US7301887B2 (en) * | 2004-04-16 | 2007-11-27 | Nanochip, Inc. | Methods for erasing bit cells in a high density data storage device |
| JP4899118B2 (ja) * | 2005-04-14 | 2012-03-21 | 凸版印刷株式会社 | 非単結晶半導体材料の製造方法 |
| US20070256734A1 (en) * | 2006-05-08 | 2007-11-08 | United Solar Ovonic Llc | Stabilized photovoltaic device and methods for its manufacture |
| WO2008039461A2 (en) * | 2006-09-27 | 2008-04-03 | Thinsilicon Corp. | Back contact device for photovoltaic cells and method of manufacturing a back contact |
| US7947149B2 (en) * | 2007-01-25 | 2011-05-24 | United Solar Ovonic Llc | Lamination process and roller for use therein |
| US20080295882A1 (en) * | 2007-05-31 | 2008-12-04 | Thinsilicon Corporation | Photovoltaic device and method of manufacturing photovoltaic devices |
| TWI366277B (en) * | 2007-12-13 | 2012-06-11 | Ind Tech Res Inst | P-type doped layer of photoelectric conversion device and method of fabriacating the same |
| US20100078064A1 (en) * | 2008-09-29 | 2010-04-01 | Thinsilicion Corporation | Monolithically-integrated solar module |
| JP4781421B2 (ja) * | 2008-12-02 | 2011-09-28 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜装置 |
| JP2012522404A (ja) * | 2009-06-10 | 2012-09-20 | シンシリコン・コーポレーション | 光起電モジュール、及び複数半導体層スタックを有する光起電モジュールを製造する方法 |
| US20110114156A1 (en) * | 2009-06-10 | 2011-05-19 | Thinsilicon Corporation | Photovoltaic modules having a built-in bypass diode and methods for manufacturing photovoltaic modules having a built-in bypass diode |
| US20120222730A1 (en) * | 2011-03-01 | 2012-09-06 | International Business Machines Corporation | Tandem solar cell with improved absorption material |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4522663A (en) * | 1980-09-09 | 1985-06-11 | Sovonics Solar Systems | Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices |
| JPS5767020A (en) * | 1980-10-15 | 1982-04-23 | Agency Of Ind Science & Technol | Thin silicon film and its manufacture |
| US4490208A (en) * | 1981-07-08 | 1984-12-25 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method of producing thin films of silicon |
| JPS60146251A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Sharp Corp | 電子写真用感光体の製造方法 |
| DE3610401A1 (de) * | 1985-03-28 | 1987-02-12 | Sumitomo Electric Industries | Halbleiterelement und verfahren zu dessen herstellung und gegenstand, in dem dieses element verwendet wird |
| US5282993A (en) * | 1990-02-07 | 1994-02-01 | Siemens Aktiengesellschaft | Light-stable semiconductor material based on amorphous germanium and a method for its production |
| US5103284A (en) * | 1991-02-08 | 1992-04-07 | Energy Conversion Devices, Inc. | Semiconductor with ordered clusters |
| JP3073327B2 (ja) * | 1992-06-30 | 2000-08-07 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法 |
| US5358755A (en) * | 1993-08-13 | 1994-10-25 | Amoco Corporation | Amorphous hydrogenated silicon-carbon alloys and solar cells and other semiconductor devices produced therefrom |
| GB2301939B (en) * | 1994-03-25 | 1998-10-21 | Amoco Enron Solar | Increasing Stabilized Performance of Amorphous Silicon Based Devices Produced by Highly Hydrogen Diluted Lower Temperature Plasma Deposition |
| US5677236A (en) * | 1995-02-24 | 1997-10-14 | Mitsui Toatsu Chemicals, Inc. | Process for forming a thin microcrystalline silicon semiconductor film |
-
1996
- 1996-12-12 US US08/766,219 patent/US6087580A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-11-12 UA UA99073909A patent/UA66351C2/uk unknown
- 1997-12-11 BR BR9714012-0A patent/BR9714012A/pt not_active Application Discontinuation
- 1997-12-11 JP JP52704298A patent/JP2001506407A/ja active Pending
- 1997-12-11 RU RU99114852/28A patent/RU2197035C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1997-12-11 WO PCT/US1997/023128 patent/WO1998026459A1/en active IP Right Grant
- 1997-12-11 KR KR1019990705286A patent/KR20000057559A/ko active IP Right Grant
- 1997-12-11 EP EP97950967A patent/EP0953214A4/en not_active Ceased
- 1997-12-11 CA CA002274717A patent/CA2274717C/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-11 AU AU53833/98A patent/AU738173B2/en not_active Ceased
-
1998
- 1998-02-18 TW TW086118881A patent/TW387158B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1998026459A1 (en) | 1998-06-18 |
| EP0953214A4 (en) | 2000-05-10 |
| EP0953214A1 (en) | 1999-11-03 |
| KR20000057559A (ko) | 2000-09-25 |
| TW387158B (en) | 2000-04-11 |
| CA2274717C (en) | 2004-10-26 |
| CA2274717A1 (en) | 1998-06-18 |
| JP2001506407A (ja) | 2001-05-15 |
| BR9714012A (pt) | 2000-05-09 |
| RU2197035C2 (ru) | 2003-01-20 |
| AU5383398A (en) | 1998-07-03 |
| US6087580A (en) | 2000-07-11 |
| AU738173B2 (en) | 2001-09-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| UA66351C2 (en) | Semiconductor containing major volume proportion of material with ordered structure | |
| Bin Rafiq et al. | WS2: a new window layer material for solar cell application | |
| Storm et al. | High mobility, highly transparent, smooth, p-type CuI thin films grown by pulsed laser deposition | |
| Johnson et al. | Atomic scale investigation of aluminum incorporation, defects, and phase stability in β-(AlxGa1− x) 2O3 films | |
| US5103284A (en) | Semiconductor with ordered clusters | |
| Major et al. | Control of grain size in sublimation-grown CdTe, and the improvement in performance of devices with systematically increased grain size | |
| Li et al. | Low temperature growth of high crystallinity GeSn on amorphous layers for advanced optoelectronics | |
| Aubin et al. | Very low temperature epitaxy of heavily in situ phosphorous doped Ge layers and high Sn content GeSn layers | |
| Ran et al. | Growth of high-quality SnS epitaxial films by H2S flow pulsed laser deposition | |
| Yamauchi et al. | Layer matching epitaxy of NiO thin films on atomically stepped sapphire (0001) substrates | |
| Shapiro et al. | Temperature dependence of stacking faults in catalyst-free GaAs nanopillars | |
| EP1743360A2 (en) | Method for depositing high-quality microcrystalline semiconductor materials | |
| US10263136B1 (en) | Direct band gap group IV semiconductors and methods of preparing the same | |
| Müller et al. | High-quality Schottky barrier diodes on β-gallium oxide thin films on glass substrate | |
| Dhaka et al. | Synthesis and properties of ultra-long InP nanowires on glass | |
| Kim et al. | Pulsed laser deposition of Zr–N codoped p-type ZnO thin films | |
| Shinkawa et al. | Hole-tunneling Si0. 82Ge0. 18/Si asymmetric-double-quantum-well resonant tunneling diode with high resonance current and suppressed thermionic emission | |
| Zhang et al. | Synthesis and characterization of PbTe thin films by atomic layer deposition | |
| KR101356693B1 (ko) | 폴리 실리콘을 포함하는 반도체 소자 및 그 제조 방법 | |
| Xin et al. | Super-V-shaped structure on 3C-SiC grown on the C-face of 4H-SiC | |
| US8247031B2 (en) | Method for growing thin film | |
| MXPA99005516A (en) | Semiconductor having large volume fraction of intermediate range order material | |
| Kim et al. | Ordered domain structures of nitrogen-doped GaInP layers grown by organometallic vapor phase epitaxy | |
| Razzokov et al. | STUDY OF THE STRUCTURE OF (Si2) 1-x (GaP) x EPITAXIAL LAYERS USING QUANTUM CHEMICAL CALCULATIONS | |
| Nakamura et al. | Formation of epitaxial nanodots on Si substrates with controlled interfaces and their application |