UA65921C2 - Method for producing the original copy of an optical signalogram - Google Patents
Method for producing the original copy of an optical signalogram Download PDFInfo
- Publication number
- UA65921C2 UA65921C2 UA2003076124A UA2003076124A UA65921C2 UA 65921 C2 UA65921 C2 UA 65921C2 UA 2003076124 A UA2003076124 A UA 2003076124A UA 2003076124 A UA2003076124 A UA 2003076124A UA 65921 C2 UA65921 C2 UA 65921C2
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- optical
- photoresist
- signalogram
- layer
- recording
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 30
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 8
- 239000005387 chalcogenide glass Substances 0.000 claims description 7
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 2
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 2
- 241000669069 Chrysomphalus aonidum Species 0.000 description 1
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
Description
Винахід відноситься до накопичення інформації, і може бути використаний при виготовленні оригіналів оптичної сигналограми СО-, ЮМО-дисків, або направляючих доріжок реверсивних інформаційних дисків, а також може бути також застосований при виготовленні високоякісних синтезованих дифракційних оптичних елементів (плоских об'єктивів, просторово-частотних фільтрів, фотошаблонів коректорів хвильового фронту), кодових дисків, растрів, лімбів, кругових шкал, тощо.The invention relates to the accumulation of information, and can be used in the manufacture of original optical signalograms of CO-, UMO-disks, or guide tracks of reversible information disks, and can also be used in the manufacture of high-quality synthesized diffraction optical elements (flat lenses, spatial frequency filters, photo templates of wavefront correctors), code discs, rasters, limbs, circular scales, etc.
Пропонований винахід належить до способів, що базуються на використанні неорганічних резистів на основі шарів халькогенідних стекол (ХС) для технологій оптичного запису інформації, пов'язаних із виробництвом СО або ЮМО-дисків. В основі цих технологій лежить виготовлення оригінала оптичної сигналограми (ОС), що являє собою плоску скляну основу, на якій у шарі фоторезисту формується рельєфна структура у вигляді направляючих доріжок, або рельєфних інформаційних елементів - пітів. З оригіналу ОС методами гальванопластики знімається нікелева матриця, з допомогою якої інжекційним литтям під тиском розплавленого полікарбонату здійснюється тиражування копій СО(ОМО)-дисків. Неорганічні резисти на основіThe proposed invention belongs to methods based on the use of inorganic resists based on layers of chalcogenide glasses (CS) for optical information recording technologies related to the production of CO or UMO discs. The basis of these technologies is the production of the original optical signalgram (OS), which is a flat glass base on which a relief structure is formed in the photoresist layer in the form of guide tracks, or relief information elements - pits. A nickel matrix is removed from the original OS using electroplating methods, with the help of which copies of CO(OMO) disks are replicated by injection molding under pressure of molten polycarbonate. Inorganic based resists
ХС володіють рядом переваг перед традиційними органічними резистами, які використовуються в промисловому виробництві компакт-дисків. Зокрема, вони наносяться методами вакуумного напилення, внаслідок чого забезпечується однорідність резистного шару по товщині, характеризуються дуже високою роздільною здатністю (25000лін/мм), а також світлочутливі в широкому спектральному діапазоні (0,2-0,бмкм).CSs have a number of advantages over traditional organic resistors, which are used in the industrial production of CDs. In particular, they are applied by vacuum sputtering methods, as a result of which the uniformity of the resist layer in thickness is ensured, they are characterized by a very high resolution (25,000 lin/mm), and they are also sensitive to light in a wide spectral range (0.2-0.bm).
Відомий спосіб виготовлення оригіналу оптичної сигналограми (ас. СРСР Ме1153354, МПК" Сс1187/26, 1985р.Ї, який включає вакуумне нанесення на дискову основу неорганічного фоторезисту у вигляді тонкоплівкової структури, що складається із шарів металу (Ад) та халькогенідного скла (Абго53), її експонування модульованим гостро сфокусованим лазерним пучком, і селективне хімічне травлення неекспонованих ділянок структури Ад-Ав25з, внаслідок чого формується рельєф у вигляді випуклостей. Цей спосіб забезпечує високу селективність травлення опромінених і неопромінених ділянок фоторезиста.A known method of manufacturing the original optical signalgram (as. USSR Me1153354, IPC" Сс1187/26, 1985), which includes vacuum application of inorganic photoresist in the form of a thin-film structure, consisting of layers of metal (Ad) and chalcogenide glass (Abgo53) on the disc base , its exposure with a modulated, sharply focused laser beam, and selective chemical etching of unexposed areas of the Ad-Av25z structure, resulting in the formation of a relief in the form of bulges. This method ensures high selectivity of etching of irradiated and non-irradiated areas of the photoresist.
Основний його недолік, пов'язаний з розмірними обмеженнями, якими є термо- (фізичні, хімічні) процеси, що проявляються при дії високо інтенсивного імпульсного лазерного випромінювання на фоторезист. В таких умовах експонування значною мірою змінюється пороговість фоторезистної структури Ад-Ав25з, зокрема, істотно звужується динамічний інтервал світлочутливості, зумовленої фото стимульованою дифузією іонів Ад у шар Аб2г5з3з. В результаті цього домінуючу роль починають відігравати тісно взаємозв'язані між собою термічні та гідродинамічні процеси, розвиток яких носить лавиноподібний характер. Результатом дії цих факторів є поверхнево-топологічні зміни в експонованих областях структури Ад-Ав25з3, які спричинюють спотворення сигналу і приводять до погіршення якості сигналограми.Its main drawback is related to dimensional limitations, which are thermo- (physical, chemical) processes that occur when the photoresist is exposed to high-intensity pulsed laser radiation. Under such exposure conditions, the threshold of the Ad-Av25z photoresist structure changes significantly, in particular, the dynamic range of photosensitivity due to the photo-stimulated diffusion of Ad ions into the Ab2g5z3z layer significantly narrows. As a result of this, closely interconnected thermal and hydrodynamic processes, the development of which has an avalanche-like character, begin to play a dominant role. The result of the action of these factors are surface topological changes in the exposed areas of the Ad-Av25z3 structure, which cause signal distortion and lead to a deterioration in the signalogram quality.
За прототип вибрано спосіб формування направляючих доріжок оптичного інформаційного диска, який може бути використаний також і для виготовлення оригіналу ОС (ас. СРСР Ме1817598, МПК? с1187/26, 1991р.), що включає нанесення у вакуумі на підкладку адгезійного шару Ст і шару фоторезисту А5бг5з, експонування його лазерним випромінюванням уздовж ділянок, що відповідають направляючим доріжкам або інформаційним пітам, селективне травлення неекспонованих ділянок фоторезисту, селективне травлення рельєфоформуючого шару через захисну маску з експонованого фоторезисту, який після цього видаляють. На відміну від вище описаного способу, прототип позбавлений недоліків, пов'язаних з розмірними ефектами, оскільки фоторезистні властивості шару Абгоз зумовлені фото структурними змінами, які не супроводжуються масоперенесенням речовини, а пов'язані тільки з перебудовою міжатомних або міжмолекулярних зв'язків. Такі фото індуковані зміни властивостей шару ХС є без інерційними і не підпадають під перелік розмірних обмежень лазерної літографії. Це дозволяє підвищити щільність і якість направляючих доріжок або пітів оптичної сигналограми. Недоліком способу є низька світлочутливість фоторезисту на основі АбгОз при експонуванні Аг-лазером, довжини світлових хвиль випромінювання якого знаходяться в діапазоні довгохвильового краю поглинання шару Абгоз (А--500нм). Крім того, для шару фоторезисту АБ253 характерне істотне підвищення світлочутливості за рахунок нагріву при лазерному експонуванні |Оптозлектрон. и полупроводн. техника (Киев).- 25, с.52, 1993). В результаті спостерігається і більш різка залежність ширини доріжок (або пітів) від потужності лазерного випромінювання на виході з мікрооб'єктиву. Це означає, що інтервал оптимальних значень потужностей, при яких формується мікрорельєф з відтворюваними характеристиками, звужується, тобто знижується достовірність запису оптичної сигналограми.The method of forming the guide tracks of the optical information disk was chosen as the prototype, which can also be used for the production of the original OS (Association of the USSR Me1817598, IPC? p1187/26, 1991), which includes the application of an adhesive layer St and a layer of photoresist on the substrate in a vacuum A5bg5z, exposing it to laser radiation along the areas corresponding to the guide tracks or information pits, selective etching of unexposed areas of the photoresist, selective etching of the relief-forming layer through a protective mask from the exposed photoresist, which is then removed. Unlike the method described above, the prototype is devoid of disadvantages related to dimensional effects, since the photoresist properties of the Abgoz layer are caused by photo-structural changes that are not accompanied by mass transfer of matter, but are only related to the rearrangement of interatomic or intermolecular bonds. Such photo-induced changes in the properties of the CS layer are non-inertial and do not fall under the list of dimensional limitations of laser lithography. This allows you to increase the density and quality of the guide tracks or pits of the optical signalogram. The disadvantage of the method is the low light sensitivity of the AbgOz-based photoresist when exposed to an Ag laser, the wavelengths of which are in the range of the long-wave absorption edge of the Abgoz layer (А--500nm). In addition, the layer of photoresist AB253 is characterized by a significant increase in photosensitivity due to heating during laser exposure | Optozlectron. and semiconductor technique (Kyiv). - 25, p. 52, 1993). As a result, a sharper dependence of the width of the tracks (or pits) on the power of the laser radiation at the exit from the microlens is observed. This means that the interval of optimal power values, at which a microrelief with reproducible characteristics is formed, is narrowed, that is, the reliability of the recording of the optical signalogram decreases.
Завданням даного винаходу є зниження енергоємності та підвищення достовірності процесу запису оригіналу оптичної сигналограми.The task of this invention is to reduce the energy consumption and increase the reliability of the process of recording the original optical signalgram.
Поставлене завдання виконується таким чином, що у відомому способі виготовлення оригіналу оптичної сигналограми, який включає нанесення у вакуумі на підкладку адгезійного та фоторезистного шарів, експонування фоторезисту лазерним випромінюванням уздовж ділянок, що відповідають направляючим доріжкам або інформаційним пітам, селективне травлення неекспонованих ділянок фоторезисту, згідно винаходу, до складу неорганічного фоторезисту вводять від 5 до 25ат.9о селену.The task is performed in such a way that in the known method of manufacturing the original optical signalgram, which includes applying adhesive and photoresist layers in a vacuum to the substrate, exposing the photoresist with laser radiation along the areas corresponding to the guide tracks or information pits, selective etching of the unexposed areas of the photoresist, according to the invention , from 5 to 25 at.9o of selenium is introduced into the composition of the inorganic photoresist.
Суттєвою особливістю запропонованого винаходу є використання в якості неорганічного фоторезисту для запису оригіналу оптичної сигналограми термічно напилених у вакуумі шарів ХО потрійного складу АваоЗво- хЗех, де 5«х«25. Як показали дослідження інфрачервоних та комбінаційних спектрів ХС потрійної системи Ав- 5-56, вони мають псевдо бінарний характер | А морфнье полупроводники. Под ред. М.Бродски.-М.:Мир, 1982.- 419с|. Тобто вони являють собою неперервні тверді розчини заміщення, в яких атоми 5 і бе розміщені випадковим чином у положеннях двокоординованих атомів сітки скла. Псевдобінарний характер сплавів системи Ав5-5-56 підтверджує також той факт, що потрійних хімічних сполук у цій системі не виявлено. Усі ці обставини вказують на більшу досконалість властивостей шарів ХС потрійного складу Авз-5-5е порівняно із шарами бінарного складу Аб2бз (Аблобво). Інтервал кількісного вмісту бе у складі фоторезисту Ав5-5-56, придатного для запису сигналограми оптичного диска, встановлений експериментально. При вмісті селену менше 5Бат.бю світлочутливість фоторезисту суттєво зменшується, наближаючись до величини світлочутливості фоторезисту на основі Аблобво, що приводить до зростання енергоємності процесу експонування. При х»25, навпаки, зростає світлочутливість у довгохвильовому діапазоні видимого спектра. Ця обставина спричинює вплив системи авто фокусування, в якій використовується підсвітка за допомогою випромінювання допоміжного Не-Ме лазера, на процес запису сигналограми. Це приводить до спотворення форми профілю рельєфної структури сигналограми, а отже, до зниження достовірності її запису.An essential feature of the proposed invention is the use as an inorganic photoresist for recording the original optical signalogram of layers of XO thermally deposited in a vacuum of the ternary composition AvaoZvoxZeh, where 5"x"25. Studies of the infrared and Raman spectra of CS of the Av-5-56 ternary system have shown that they have a pseudo-binary character | And morph semiconductors. Ed. M. Brodsky.-M.: Mir, 1982. - 419 p. That is, they are continuous solid solutions of substitution in which atoms 5 and b are placed randomly in the positions of two-coordinated atoms of the glass lattice. The pseudobinary nature of alloys of the Av5-5-56 system is also confirmed by the fact that no ternary chemical compounds were detected in this system. All these circumstances point to the greater perfection of the properties of the layers of CS of the ternary composition Avz-5-5e compared to the layers of the binary composition Ab2bz (Ablobvo). The interval of the quantitative content of Be in the composition of photoresist Av5-5-56, suitable for recording the signalogram of an optical disc, was established experimentally. When the selenium content is less than 5 Bat.byu, the photosensitivity of the photoresist significantly decreases, approaching the value of the photosensitivity of the photoresist based on Ablobvo, which leads to an increase in the energy consumption of the exposure process. At x"25, on the contrary, light sensitivity in the long-wave range of the visible spectrum increases. This circumstance causes the influence of the auto-focusing system, which uses illumination using the radiation of an auxiliary Ne-Me laser, on the signalogram recording process. This leads to a distortion of the shape of the profile of the relief structure of the signalogram, and therefore to a decrease in the reliability of its recording.
Запропонований спосіб виготовлення оригіналу оптичної сигналограми реалізується наступним чином. На очищену дискову скляну підкладку діаметром 1б0мм з допомогою термічного випаровування у вакуумі «103Па послідовно наносять адгезійний шар Ст та шар неорганічного фоторезисту на основі ХО потрійного складуThe proposed method of manufacturing the original optical signalgram is implemented as follows. An adhesive layer of St and a layer of inorganic photoresist based on ХО of ternary composition are successively applied to a cleaned disk glass substrate with a diameter of 1б0mm with the help of thermal evaporation in a vacuum of 103Pa
АвалобвохОєх, де 5-х«25. Товщину адгезійного та фоторезистного шарів вибирають з інтервалів (5-8)нм і (165- 170)нм, відповідно. Експонування здійснювали на стенді запису оригіналів оптичних сигналограм компакт- дисків, в якій гостро сфокусований пучок модульованого випромінювання аргонового лазера (А-488нм) спрямовувався на покриту резистним шаром дискову підкладку, що оберталась з частотою 10Гуц. Крок переміщення лазерної плями по поверхні шару резисту в радіальному напрямі становив 1,6мкм. Діаметр сфокусованого пучка на рівні 0,5 Іо (Іо - інтенсивність випромінювання в максимумі її розподілу в перерізі пучка) дорівнював 0О,8мкм. Після експонування шару фоторезисту проводили його проявлення в селективному травнику негативного типу. При цьому неекспоновані ділянки фоторезисту повністю видалялись, а експоновані залишались на підкладці. Топографію одержаного мікрорельєфу досліджували з допомогою атомного силового мікроскопа Оітепвіоп 3100.AvalobvokhOyekh, where 5-x«25. The thickness of the adhesive and photoresist layers is chosen from the intervals of (5-8) nm and (165-170) nm, respectively. The exposure was carried out on a stand for recording the originals of the optical signalograms of CDs, in which a sharply focused beam of modulated argon laser radiation (A-488nm) was directed at a disk substrate covered with a resistive layer rotating at a frequency of 10 Hz. The step of moving the laser spot along the surface of the resist layer in the radial direction was 1.6 μm. The diameter of the focused beam at the level of 0.5 Io (Io is the radiation intensity at the maximum of its distribution in the cross section of the beam) was equal to 0O.8μm. After exposure of the photoresist layer, its development was carried out in a negative-type selective herbarium. At the same time, the unexposed areas of the photoresist were completely removed, and the exposed areas remained on the substrate. The topography of the resulting microrelief was studied using an Oitepviop 3100 atomic force microscope.
Використання в якості фоторезистного шару для запису оригіналу сигналограми оптичного диска шару ХО потрійної системи Ав-5-5е, а також оптимізація її компонентного складу (АблобвохОєх де 5Б«кх«25) запропоновано вперше і є важливим для вирішення поставленого завдання - зниження енергоємності та підвищення достовірності процесу запису оригіналу оптичної сигналограми. Таким чином, запропоноване технічне рішення задовольняє критеріям "новизна" та "суттєві відмінності".The use as a photoresist layer for recording the original signalogram of the optical disk of the XO layer of the Av-5-5e ternary system, as well as the optimization of its component composition (AblobvokhOyekh de 5B«kh«25) is proposed for the first time and is important for solving the task - reducing energy intensity and increasing reliability of the process of recording the original optical signalogram. Thus, the proposed technical solution satisfies the "novelty" and "significant differences" criteria.
Запропонований спосіб пояснюється наступними прикладами його здійснення.The proposed method is explained by the following examples of its implementation.
Приклад 1Example 1
На дискові скляні підкладки діаметром 160мм з допомогою термічного випаровування у вакуумі 1,37103Па послідовно наносили шари Сг та неорганічних фоторезистів Абаобво і Аблоб405его. Товщини адгезійного та фоторезистного шарів вибирали з інтервалів (5-8)нм і (165-170)нм, відповідно. Експонування здійснювали на установці запису оригіналів оптичних сигналограм компакт-дисків, в якій гостро сфокусований пучок модульованого випромінювання аргонового лазера (А-476бнм) спрямовувався на покриту резистним шаром дискову підкладку, що оберталась з частотою 10Гц. Крок переміщення лазерної плями по поверхні шару резисту в радіальному напрямі становив 1,бмкм. Діаметр сфокусованого пучка на рівні 0,5 Іо (Іо - інтенсивність випромінювання в максимумі її розподілу в перерізі пучка) складав «мкм. Проявлення шарів фоторезистівLayers of Cg and inorganic photoresists Abaobvo and Ablob405ego were successively applied to disk glass substrates with a diameter of 160 mm using thermal evaporation in a vacuum of 1.37103Pa. The thicknesses of the adhesive and photoresist layers were chosen from the intervals of (5-8) nm and (165-170) nm, respectively. The exposure was carried out on a device for recording the originals of optical signalograms of compact discs, in which a sharply focused beam of modulated radiation from an argon laser (A-476bnm) was directed at a disc substrate covered with a resistive layer rotating at a frequency of 10 Hz. The step of moving the laser spot along the surface of the resist layer in the radial direction was 1.bm. The diameter of the focused beam at the level of 0.5 Io (Io is the radiation intensity at the maximum of its distribution in the cross section of the beam) was "μm. Exposure of photoresist layers
Абаобво і Аба0б405620о здійснювали у безводних селективних травниках негативної дії. При цьому неекспоновані ділянки резистного шару повністю видалялись, а на підкладці залишались експоновані, які утворювали рельєфну мікроструктуру оптичної сигналограми. Топологію отриманих мікроструктур досліджували за допомогою мікроскопу атомних сил Оітепзіоп 3100. Результати досліджень залежності зміни ширини пітів ДЬ від зміни потужності випромінювання на виході мікрооб'єктиву для різних фоторезистів представлені у таблиці 1.Abaobvo and Aba0b405620o exerted a negative effect in anhydrous selective herbalists. At the same time, the unexposed areas of the resist layer were completely removed, and the exposed areas that formed the relief microstructure of the optical signalogram remained on the substrate. The topology of the obtained microstructures was studied with the help of an Oitepziop 3100 atomic force microscope. The results of studies of the dependence of the change in the width of the pits on the change in the radiation power at the output of the microlens for different photoresists are presented in Table 1.
Таблиця 1Table 1
Залежність відхилення ширини пітів (АБ) від зміни потужності випромінювання на виході мікрооб'єктиву (АР) для різних фоторезистів 111 |АБобво(прототиї) | АбобобЗею бмм | (08 | 77/08 2Dependence of the deviation of the pit width (AB) on the change in the radiation power at the output of the microlens (AR) for different photoresists 111 |ABobvo(prototia) | AbobobZeyu bmm | (08 | 77/08 2
І Абмкмо | жхб05 | Об?And Abmkmo | zhhb05 | About?
Наведені в таблиці дані показують, що оптимальне значення ширини інформаційного піта оптичної сигналограми (6:0,8мкм) для фоторезиста Авлобаозего досягається при меншій потужності випромінювання, ніж для фоторезиста Аблобво, що свідчить про зниження енергоємності процесу запису сигналограми в запропонованому способі. Також для фоторезиста Авлобаобего спостерігається менша залежність ширини пітаThe data presented in the table show that the optimal value of the width of the information pit of the optical signalgram (6:0.8μm) for the Avlobaozego photoresistor is achieved at a lower radiation power than for the Ablobvo photoresistor, which indicates a decrease in the energy consumption of the signalogram recording process in the proposed method. Also, a smaller dependence on the width of the pit is observed for Avlobaobego photoresist
Б від потужності лазерного випромінювання на виході з мікрооб'єктиву Р. Як видно з таблиці 1, відхилення потужності від оптимального значення на однакову величину ДР-ж0,1мВт спричинює різну зміну ширини пітів: для Аблобво і Авблоблобего, на 6,295 і 2,595, відповідно. Це означає, що достовірність процесу запису в пропонованому способі істотно вища, ніж у прототипі. Таким чином, використання шарів Аблаоб4о5ег2о дозволяє з високою відтворюваністю формувати якісну рельєфну мікроструктуру оригіналів оптичних дисків.B from the power of the laser radiation at the output of the microlens P. As can be seen from Table 1, the deviation of the power from the optimal value by the same amount of DR-x0.1mW causes a different change in the width of the pits: for Ablobvo and Avbloblobego, by 6.295 and 2.595, respectively. This means that the reliability of the recording process in the proposed method is significantly higher than in the prototype. Thus, the use of Ablaob4o5eg2o layers makes it possible to form a high-quality relief microstructure of original optical discs with high reproducibility.
Claims (1)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2003076124A UA65921C2 (en) | 2003-07-01 | 2003-07-01 | Method for producing the original copy of an optical signalogram |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2003076124A UA65921C2 (en) | 2003-07-01 | 2003-07-01 | Method for producing the original copy of an optical signalogram |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA65921A UA65921A (en) | 2004-04-15 |
| UA65921C2 true UA65921C2 (en) | 2006-11-15 |
Family
ID=34517211
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2003076124A UA65921C2 (en) | 2003-07-01 | 2003-07-01 | Method for producing the original copy of an optical signalogram |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA65921C2 (en) |
-
2003
- 2003-07-01 UA UA2003076124A patent/UA65921C2/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| UA65921A (en) | 2004-04-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI231409B (en) | Photoresist material and micro-fabrication method | |
| KR100248442B1 (en) | Process for producing optical disks | |
| WO2004034391A1 (en) | Method of producing optical disk-use original and method of producing optical disk | |
| JP2007533064A (en) | Optical master substrate having mask layer and method for manufacturing high-density relief structure | |
| JP2008234752A (en) | Write once information recording medium and master substrate | |
| TWI243372B (en) | Method of manufacturing original disk for optical disks, and method of manufacturing optical disk | |
| JPH04241237A (en) | Stamper for high-density recording disk and production thereof | |
| JP2001066783A (en) | Material for forming fine pattern, and fine pattern forming method using the same | |
| UA65921C2 (en) | Method for producing the original copy of an optical signalogram | |
| JP4101736B2 (en) | Master, stamper, optical recording medium, and ROM disk manufacturing method | |
| US20060290018A1 (en) | Process for produicng stamper for direct mastering, and stamper produced by such process and optical disc | |
| KR100629831B1 (en) | Method of forming mother for use in optical disc manufacture | |
| WO2005056223A1 (en) | Structure body and method of producing the structure body, medium for forming structure body, and optical recording medium and method of reproducing the optical recording medium | |
| US20060099532A1 (en) | Method for manufacturing a substrate for use in a stamper manufacturing process, as well as a substrate obtained by using such a method | |
| JPH0845115A (en) | Production of master disk for optical disk | |
| KR20050021313A (en) | Method for manufacturing a master of an optical information recording medium, method for forming a pattern, a master, a stamper, an optical information recording medium and a resist | |
| JPH01126304A (en) | Photosensitive polymer and its use | |
| JP4463224B2 (en) | Convex structure base and manufacturing method thereof, master for recording medium comprising convex structure base and manufacturing method thereof | |
| JP2003323748A (en) | Metal die stamper for ultra-resolution optical disk and its manufacturing method | |
| JP2000021031A (en) | Production of master disk of optical recording medium | |
| JPH02235229A (en) | Mask for producing information recording medium | |
| JPH0831020A (en) | Production of master disk, device for heating the same, stamper and optical disk | |
| JP2008299256A (en) | Resist, method of manufacturing stamper for multilayer optical recording medium, and stamper for manufacturing multilayer optical recording medium | |
| JPS5936341A (en) | Manufacture of grooved substrate | |
| JPS6045956A (en) | Formation of master for optical disk |