UA65673U - СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ PbTe:Co n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ - Google Patents

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ PbTe:Co n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ

Info

Publication number
UA65673U
UA65673U UAU201106694U UAU201106694U UA65673U UA 65673 U UA65673 U UA 65673U UA U201106694 U UAU201106694 U UA U201106694U UA U201106694 U UAU201106694 U UA U201106694U UA 65673 U UA65673 U UA 65673U
Authority
UA
Ukraine
Prior art keywords
pbte
alloyed
producing
zone
type conductivity
Prior art date
Application number
UAU201106694U
Other languages
English (en)
Ukrainian (uk)
Inventor
Дмитрий Михайлович Фреик
Виктор Васильевич Борик
Лилия Вадимовна Туровская
Владимир Михайлович Бойчук
Любовь Иосифовна Межиловская
Original Assignee
Прикарпатский Национальный Университет Имени Василия Стефаника
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Прикарпатский Национальный Университет Имени Василия Стефаника filed Critical Прикарпатский Национальный Университет Имени Василия Стефаника
Priority to UAU201106694U priority Critical patent/UA65673U/ru
Publication of UA65673U publication Critical patent/UA65673U/ru

Links

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)

Abstract

Способ получения легированных кристаллов PbTe:Со n-типа проводимости заключается в том, что исходное вещество из отдельных компонентов, расположенное в кварцевой вакуумированной ампуле, помещают в двухзонную печь. Температура первой зоны печи относительно температуры плавления исходного вещества выше, а температура второй – ниже. Ампулу с исходным веществом выдерживают в первой зоне и перемещают во вторую зону до осуществления кристаллизации, охлаждают. В качестве исходного вещества используют чистый свинец, теллур и кобальт.
UAU201106694U 2011-05-30 2011-05-30 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ PbTe:Co n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ UA65673U (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201106694U UA65673U (ru) 2011-05-30 2011-05-30 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ PbTe:Co n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
UAU201106694U UA65673U (ru) 2011-05-30 2011-05-30 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ PbTe:Co n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
UA65673U true UA65673U (ru) 2011-12-12

Family

ID=50840666

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
UAU201106694U UA65673U (ru) 2011-05-30 2011-05-30 СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ PbTe:Co n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ

Country Status (1)

Country Link
UA (1) UA65673U (ru)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW201612179A (en) A process for preparing a crystalline organic semiconductor material
UA65673U (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ PbTe:Co n-ТИПА ПРОВОДИМОСТИ
UA44461U (ru) Способ получения термоэлектрических сплавов на основе теллурида олова, свинца и германия
RU2014108691A (ru) Способ получения термоэлектрических материалов
RU2015117180A (ru) Низкотемпературный термоэлектрик и способ его получения
MD402Z (ru) Способ быстрого выращивания монокристалла висмута
UA80800U (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТАБИЛЬНОГО ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО n-PbTe:Sb ЭЛЕМЕНТА
UA63536U (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННЫХ СПЛАВОВ PbTe:Bi n-ТИПА
UA80203U (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СЕГНЕТОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО МАТЕРИАЛА СОСТАВА (TlInS2)X(TlInSe2)1-X
UA27517U (en) Method for producing lead telluride-based thermoelectric material
UA36477U (ru) СПОСоБ получения ТЕРМОэлектрического ТЕЛлУРИДа ГЕРМАНия Р-ТИПа
UA57333U (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО PACTBOPA p-PbSnTe
UA65674U (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО n-PbTe:Bi
UA51831U (ru) Способ получения термоэлектрического теллурида свинца
RU2009134231A (ru) Способ сплавления порошка кремния
UA80799U (ru) Способ получения легированного термоэлектрического теллурида свинца
MD4266C1 (ru) Способ получения монокристалла ZnSe
MD575Y (en) Method for recrystallization of bismuth filament in glass insulation
UA57049U (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЛЕГИРОВАННОГО НИКЕЛЕМ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО n-PbTe:Ni
UA36476U (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ТЕЛлУРИДа ОЛОВА
UA56813U (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СПЛАВА PbSnTe p-ТИПА
UA81126U (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ КУПРУМ (I) ПЕНТАТИОФОСФАТА (V) йодида Cu6PS5I МЕТОДОМ направленной кристаллизации из расплава
UA40445U (ru) СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТЕЛЛУРИДА ГЕРМАНИЯ р-ТИПА
UA52341U (ru) СПОСОБ СИНТЕЗА И ПОЛУЧЕНИЯ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКОГО n-PbTe С ИЗБЫТКОМ СВИНЦА
UA81118U (ru) СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МЕДИ (I) ГЕКСАТИОФОСФАТА Cu7PS6 МЕТОДОМ направленной кристаллизации из расплава