UA48601A - Полупроводниковый измеритель содержания газа - Google Patents
Полупроводниковый измеритель содержания газа Download PDFInfo
- Publication number
- UA48601A UA48601A UA2001107209A UA2001107209A UA48601A UA 48601 A UA48601 A UA 48601A UA 2001107209 A UA2001107209 A UA 2001107209A UA 2001107209 A UA2001107209 A UA 2001107209A UA 48601 A UA48601 A UA 48601A
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- gas
- resistor
- sensitive
- terminal
- field
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- AMLFJZRZIOZGPW-UHFFFAOYSA-N prop-1-en-1-amine Chemical group CC=CN AMLFJZRZIOZGPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
Предлагаемый полупроводниковый измеритель содержания газа содержит полевой транзистор, чувствительный к содержанию газа, биполярный транзистор, два источника постоянного напряжения, резистор, чувствительный к содержанию газа, катушку индуктивности, конденсатор и постоянный резистор. Первый выходной контактный зажим первого источника постоянного напряжения соединен с первым выводом постоянного резистора. Второй вывод постоянного резистора соединен с базой биполярного транзистора. Эмиттер биполярного транзистора соединен с истоком полевого транзистора. Затвор полевого транзистора соединен с первым выводом резистора, чувствительного к содержанию газа. Коллектор биполярного транзистора соединен со вторым выводом резистора, чувствительного к содержанию газа, первым выводом катушки индуктивности и первым выходным контактным зажимом измерителя. Второй вывод катушки индуктивности соединен с первым выводом конденсатора и первым выходным контактным зажимом второго источника постоянного напряжения. Второй выходной контактный зажим второго источника постоянного напряжения соединен со вторым выводом конденсатора, стоком полевого транзистора, вторым выходным контактным зажимом первого источника постоянного напряжения и вторым выходным контактным зажимом измерителя.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2001107209A UA48601A (ru) | 2001-10-23 | 2001-10-23 | Полупроводниковый измеритель содержания газа |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UA2001107209A UA48601A (ru) | 2001-10-23 | 2001-10-23 | Полупроводниковый измеритель содержания газа |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA48601A true UA48601A (ru) | 2002-08-15 |
Family
ID=74216695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UA2001107209A UA48601A (ru) | 2001-10-23 | 2001-10-23 | Полупроводниковый измеритель содержания газа |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA48601A (ru) |
-
2001
- 2001-10-23 UA UA2001107209A patent/UA48601A/ru unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11289601B2 (en) | Negative capacitance semiconductor sensor | |
| CN102375015B (zh) | 场效应气体传感器、用于制造场效应气体传感器的方法和用于探测气体的方法 | |
| KR101322354B1 (ko) | 습도 센서, 습도 센싱 방법 및 이를 위한 트랜지스터 | |
| JP2011215105A (ja) | 化学センサ及び検出方法 | |
| Lai et al. | Body effect minimization using single layer structure for pH-ISFET applications | |
| UA48601A (ru) | Полупроводниковый измеритель содержания газа | |
| CN105301079A (zh) | 用于待测物离子活度检测的半导体器件及其检测方法 | |
| UA47906A (ru) | Устройство для измерения газа | |
| UA48600A (ru) | Микроэлектронный датчик наличия газа | |
| RU2053504C1 (ru) | Полупроводниковый датчик газа | |
| CN210156384U (zh) | 半导体结构 | |
| Nasser et al. | A porous silicon P-type interdigitated extended-gate field effect transistor pH sensor | |
| UA48602A (ru) | Измеритель содержания газа | |
| UA46385A (uk) | Вимірювач вологості | |
| UA129556U (uk) | Прилад для вимірювання концентрації газів | |
| UA46483A (uk) | Напівпровідниковий пристрій для виміру вологості | |
| Jan et al. | Characteristics of the hydrogen ion-sensitive field effect transistors with sol–gel-derived lead titanate gate | |
| KR100308761B1 (ko) | 온도 및 습도 복합형 센서의 제조방법 | |
| UA155933U (uk) | Мікроелектронний частотний пристрій для вимірювання концентрації газу | |
| UA62016C2 (en) | Microelectronic moisture meter | |
| Chiang et al. | Sensing characteristics of ISFET based on AlN thin film | |
| EP4686940A1 (en) | Sensor device and corresponding methods | |
| Lee et al. | A field effect transistor type gas sensor based on polyaniline | |
| Chern et al. | Temperature dependence of the gate-controlled portion of ion-controlled diodes | |
| UA46381A (uk) | Мікроелектронний давач вологості |