UA22241U - Method for manufacturing sollar cell - Google Patents
Method for manufacturing sollar cell Download PDFInfo
- Publication number
- UA22241U UA22241U UAU200608000U UAU200608000U UA22241U UA 22241 U UA22241 U UA 22241U UA U200608000 U UAU200608000 U UA U200608000U UA U200608000 U UAU200608000 U UA U200608000U UA 22241 U UA22241 U UA 22241U
- Authority
- UA
- Ukraine
- Prior art keywords
- contacts
- parts
- manufacturing
- solution
- plates
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 20
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical class O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 10
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 abstract description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 14
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- -1 415 for example Substances 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Weting (AREA)
Abstract
Description
Опис винаходуDescription of the invention
Корисна модель відноситься до способу виготовлення перетворювачів сонячної енергії в електричну 2 (сонячних елементів) і може знайти застосування в напівпровідниковій технології виготовлення сонячних елементів на основі кремнію різної модифікації (монокристалічного, мультикристалічного, нанокристалічного й ін.).The useful model refers to the method of manufacturing solar energy into electrical energy converters 2 (solar cells) and can be used in the semiconductor technology of manufacturing solar cells based on silicon of various modifications (monocrystalline, multicrystalline, nanocrystalline, etc.).
Розробка нових методів формування електричних контактів до сонячних елементів є однієї з ключових проблем на шляху рішення основних задач напівпровідникової сонячної фотоенергетики. В даний час у 70 промисловості домінує технологія зсгееп-ргіпіпо, використовувана при виготовленні 9090 усіх кремнієвих сонячних елементів, що заснована на трафаретній печатці і відпалу метал утримуючих паст (наприклад, срібло- і алюміній утримуючих паст). Задача зниження перехідного опору таких контактів є актуальною з моменту їхнього виникнення по дійсний час, тому що, в остаточному підсумку, це визначає ефективність перетворення сонячного елементу. 12 Відомі способи виготовлення сонячних елементів |1, 2, 3), що включають наступні технологічні операції: хімічне травлення пластин після різання для видалення механічних ушкоджень, кислотна обробка для нейтралізації лужних залишків, формування р "-шару, формування рельєфної лицьової поверхні підкладки методами фотолітографії або хімічного травлення; створення шару електронного типу провідності; нанесення антивідбиваючих покрить; формування контактів.The development of new methods of forming electrical contacts to solar cells is one of the key problems on the way to solving the main problems of semiconductor solar photoenergy. Currently, 70 industries are dominated by the sgeep-rhippo technology used in the manufacture of 9090 all-silicon solar cells, which is based on screen printing and annealing of metal-retaining pastes (eg, silver and aluminum-retaining pastes). The task of reducing the transient resistance of such contacts is relevant from the moment of their occurrence to the actual time, because, ultimately, this determines the efficiency of the conversion of the solar cell. 12 Known methods of manufacturing solar cells |1, 2, 3), which include the following technological operations: chemical etching of the plates after cutting to remove mechanical damage, acid treatment to neutralize alkaline residues, formation of the p "-layer, formation of the relief front surface of the substrate by photolithography methods or chemical etching, creation of a layer of electronic type of conductivity, application of anti-reflective coatings, formation of contacts.
У результаті одержують сонячні елементи з високими параметрами: напруга холостого ходу 620-670мВ, щільність струму короткого замикання 36-40мА/см?, коефіцієнт корисної дії ККД 18-24965, але при цьому зростає трудомісткість виготовлення на 35-4095 і вартість.As a result, solar cells with high parameters are obtained: no-load voltage of 620-670mV, short-circuit current density of 36-40mA/cm?, efficiency factor of 18-24965, but at the same time, the labor intensity of manufacturing increases by 35-4095 and the cost.
У конструкції сонячних елементів з ефективністю перетворення 2195 (4 формують на тильній поверхні дб пластини рознесені по вертикалі області з комплементарними один одному провідними властивостями. Контакти до цих областей створюють у вікнах, виконаних у шарі оксиду кремнію, що пасивує, методом фотолітографії. У - промисловій технології використовується дорогий монокристалічний кремній з часом життя носіїв заряду більш 1мс, що значно збільшує вартість таких сонячних елементів. Використання в технології процесів фотолітографії для формування заданої топології контактів підвищує трудомісткість виготовлення і вартість виробу. «-In the construction of solar cells with a conversion efficiency of 2195 (4 db), vertically spaced regions with complementary conductive properties are formed on the back surface of the plates. Contacts to these regions are created in windows made in a layer of passivating silicon oxide by the method of photolithography. In - industrial technology uses expensive monocrystalline silicon with a charge carrier life time of more than 1ms, which significantly increases the cost of such solar cells. The use of photolithography processes in the technology to form a given topology of contacts increases the complexity of manufacturing and the cost of the product. "-
Для зниження перехідного опору товстоплівкових контактів використовують різні способи. Так, у способі виготовлення товстоплівкового контакту (5| після формування контактів наносять флюс, що містить хімічно «І активні компоненти, і роблять нагрівання до температури, достатньої для травлення окислів металів на поверхні сч напівпровідникової підкладки, що перешкоджає утворенню гарного омічного контакту. Крім того, починалися спроби зниження перехідного опору тильного контакту за рахунок уведення додаткових шарів, що містять с з нетрадиційні для товстоплівкових покрить метали |б1. Найбільш відомим є спосіб обробки вже сформованого сч контакту в розчині плавикової кислоти, що дозволяє здійснити зниження перехідного опору за рахунок руйнування сполучний контакт скла |71.Different methods are used to reduce the transient resistance of thick-film contacts. Thus, in the method of manufacturing a thick-film contact (5| after forming the contacts, a flux containing chemically active components is applied and heated to a temperature sufficient to etch metal oxides on the surface of the semiconductor substrate, which prevents the formation of a good ohmic contact. In addition , attempts were made to reduce the transient resistance of the back contact due to the introduction of additional layers containing non-traditional for thick film coatings metals |b1. The most famous is the method of processing the already formed contact in a solution of hydrofluoric acid, which allows to reduce the transient resistance due to the destruction of the binder glass contact |71.
До недоліків перерахованих методів варто віднести травлення окісних шарів як на границі контакт-підкладка, так і в об'ємі контакту, що порушує монолітну структуру самого контакту, погіршує його « 20 адгезію і стабільність. Руйнування контакту при травленні викликає необхідність обмеження часу і температури -о процесу обробки, що не дозволяє провести оптимізацію електричних властивостей контакту. с Найближчим прототипом є спосіб виготовлення товстоплівкового контакту зі зниженим перехідним опором до :з» кремнієвих сонячних елементів І8Ї, у якому на сформований товстоплівковий контакт осаджують шар металу електролітичним або хімічним методом; при наступній термообробці на ділянках, де обложений шар металу, 415 наприклад, нікель, досягає поверхні підкладки, утвориться силіцид, що сприяє поліпшенню якості омічнихThe disadvantages of the listed methods include the etching of oxide layers both at the contact-substrate boundary and in the contact volume, which disrupts the monolithic structure of the contact itself, impairs its adhesion and stability. Destruction of the contact during etching makes it necessary to limit the time and temperature of the processing process, which does not allow optimization of the electrical properties of the contact. c The closest prototype is the method of manufacturing a thick-film contact with a reduced transition resistance to :c» silicon solar cells I8Y, in which a layer of metal is deposited on the formed thick-film contact by an electrolytic or chemical method; during subsequent heat treatment, silicide will form in the areas where the deposited layer of metal, 415 for example, nickel, reaches the surface of the substrate, which contributes to improving the quality of ohmic
ГФ контактів. При цьому значення послідовного опору дорівнює 0,015Ом, ефективність перетворення сонячних елементів 16,6905 |8І. іме) Недоліком пропонованого способу є проведення додаткового процесу термообробки для формування 7 силіцидів металів, використання трудомісткого процесу електролітичного осадження металу, що неминуче приводить до підвищення трудомісткості виготовлення і вартості сонячних елементів. Крім того, даний спосіб не т. вирішує задачі ефективної пасивації поверхні і відкритих торців сонячних елементів. ще Задачею пропонованої корисної моделі є підвищення ефективності перетворення, зниження енергетичних витрат і трудомісткості виготовлення за рахунок проведення після формування контактів короткочасного процесу обробки кремнієвих пластин, наприклад, методом занурення пластин у водно-гліцериновий розчин плавикової й азотної кислот, ЩО забезпечує зниження перехідного опору контактів, механічних напруг, пасивацію поверхні і торців сонячних елементів. с Поставлена задача вирішується виготовленням сонячного елементу, що включає операції формування шару електронного типу провідності, травлення торців пластини, створення на тильній поверхні підкладки шару р'-типу провідності і формування контактів. 60 Новим є те, що після формування контактів пластини обробляють у водно-гліцериновому розчині плавикової й азотної кислот. Крім того, пластини обробляють у розчині складу: 4ч4. плавикової кислоти, 1ч4. азотної кислоти і 12-22ч. деіонізованої води протягом 10-100с., а також пластини обробляють у розчині складу: 4ч. плавикової кислоти, їч. азотної кислоти і 12-22ч. деіонізованої води, 2-3956 гліцерину протягом 10-100с.HF contacts. At the same time, the value of series resistance is 0.015 Ohm, the conversion efficiency of solar cells is 16.6905 |8I. i.e.) The disadvantage of the proposed method is an additional heat treatment process for the formation of 7 metal silicides, the use of a time-consuming process of electrolytic deposition of metal, which inevitably leads to an increase in the labor intensity of manufacturing and the cost of solar cells. In addition, this method does not solve the problem of effective passivation of the surface and open ends of solar cells. Also, the purpose of the proposed useful model is to increase the efficiency of the conversion, reduce the energy costs and laboriousness of manufacturing by conducting a short-term process of processing silicon wafers after the formation of contacts, for example, by immersing the wafers in a water-glycerine solution of hydrofluoric and nitric acids, WHICH provides a reduction in the transient resistance of the contacts, mechanical stresses, passivation of the surface and ends of solar cells. c The task is solved by manufacturing a solar cell, which includes the operations of forming a layer of electronic type of conductivity, etching the ends of the plate, creating a p'-type layer of conductivity on the back surface of the substrate, and forming contacts. 60 What is new is that after forming the contacts, the plates are processed in a water-glycerine solution of hydrofluoric and nitric acids. In addition, the plates are processed in a solution of the following composition: 4x4. hydrofluoric acid, 1h4. nitric acid and 12-22h. of deionized water for 10-100 seconds, and the plates are treated in a solution of the composition: 4h. hydrofluoric acid, nitric acid and 12-22h. of deionized water, 2-3956 of glycerin for 10-100s.
Вищевказаний результат досягається вибором складу розчину і технологічних режимів проведення хімічної 65 обробки кремнієвих пластин з контактами.The above-mentioned result is achieved by choosing the composition of the solution and technological modes of chemical processing of silicon wafers with contacts.
Суть способу полягає у виготовленні сонячних елементів з мілкозалягаючими р-п переходами для досягнення високого значення напруги холостого ходу, збільшення струму короткого замикання, коефіцієнту заповнення, зниження перехідного опору і, як наслідок, підвищення ККД. Для напруги холостого ходу визначальними внутрішніми факторами є висока бар'єрна напруга, що є результатом високого ступеня легування в п- і р-областях, низька щільність струму насичення, отримана при зниженні впливів поверхневих ефектів і ефектів сильного легування. Звичайно при виготовленні р-п переходів лицьові шари сонячних елементів містять "мертвий шар", що з'являється через сильне легування (10 19.1020см73), в якому фотогенеровані носії заряду (електрони та дірки) рекомбінують і не приймають участь у створенні фотоструму.The essence of the method is to manufacture solar cells with shallow p-p junctions to achieve a high open-circuit voltage value, increase the short-circuit current, fill factor, decrease the transition resistance and, as a result, increase the efficiency. For the no-load voltage, the determining internal factors are a high barrier voltage, which is the result of a high degree of doping in the p- and p-regions, a low saturation current density, obtained by reducing the effects of surface effects and the effects of heavy doping. Usually, during the manufacture of p-p junctions, the front layers of solar cells contain a "dead layer" that appears due to strong doping (10 19.1020cm73), in which photogenerated charge carriers (electrons and holes) recombine and do not participate in the creation of a photocurrent.
Це Її є основною причиною зменшення ККД. Даний спосіб дозволяє зменшити величину рекомбінаційного струму, 70 поліпшити якість омічного перехідного контакту, зменшити коефіцієнт відбиття сонячного випромінювання, що забезпечує підвищення ККД.This is the main reason for the decrease in efficiency. This method makes it possible to reduce the value of the recombination current, improve the quality of the ohmic transient contact, reduce the reflection coefficient of solar radiation, which ensures an increase in efficiency.
Приклад.Example.
Виготовлення сонячних елементів проводять у наступній послідовності: 1. Хімічна обробка пластин кремнію після різання, наприклад, обробкою в лужних розчинах натрію або калію. 2. Текстурування поверхні пластин обробкою в гарячих лужних розчинах натрію або калію з уведенням стабілізуючих добавок.The production of solar cells is carried out in the following sequence: 1. Chemical treatment of silicon plates after cutting, for example, treatment in alkaline solutions of sodium or potassium. 2. Texture of the surface of the plates by treatment in hot alkaline solutions of sodium or potassium with the introduction of stabilizing additives.
З. Дифузія фосфору. 4. Плазмохімічне травлення торців пластин. 5. Формування контактних систем на тильній і лицьовій поверхнях: - нанесення на тильну сторону алюмінієвої і срібно-алюмінієвої паст, - нанесення срібної пасти на лицьову сторону пластини, - термообробка. 6. Обробка пластин у водному розчині азотної і плавикової кислот, наприклад, складу: 4ч. плавикової кислоти, 1ч. азотної кислоти і 20ч. деіонизованої води протягом бос.C. Diffusion of phosphorus. 4. Plasma chemical etching of plate ends. 5. Formation of contact systems on the back and front surfaces: - application of aluminum and silver-aluminum pastes on the back side, - application of silver paste on the front side of the plate, - heat treatment. 6. Treatment of plates in an aqueous solution of nitric and hydrofluoric acids, for example, composition: 4h. hydrofluoric acid, 1 tsp. nitric acid and 20 h. of deionized water during bos.
При використанні розчину зі змістом води менш 12ч. відбувається погіршення адгезіонних характеристик контактів, зниження напруги холостого ходу і, як наслідок, зменшення приросту коефіцієнту корисної дії ККД. ЗWhen using a solution with a water content of less than 12 hours. there is a deterioration of the adhesion characteristics of the contacts, a decrease in the no-load voltage and, as a result, a decrease in the increase in the efficiency factor. WITH
При використанні складу розчину зі змістом деіїонізованої води більш 22ч. не забезпечується зниження перехідного опору і підвищення параметрів сонячних елементів. У таблиці 1 приведені характеристики сонячних елементів, що оброблялися в розчині складу: 4ч. плавикової кислоти, 1ч. азотної кислоти і 20ч. деіонізованої «-- води протягом 10-100с. Як видно з отриманих результатів, оптимальний час для даного типу розчину відповідає 60-100с. Крім того, збільшення часу (більше 100с) приводить до погіршення стану металізації та підвищення М вартості виробу. сWhen using the composition of the solution with the content of deionized water more than 22h. a decrease in the transient resistance and an increase in the parameters of the solar cells are not ensured. Table 1 shows the characteristics of solar cells processed in a solution of composition: 4h. hydrofluoric acid, 1 tsp. nitric acid and 20 h. of deionized "-- water for 10-100s. As can be seen from the obtained results, the optimal time for this type of solution corresponds to 60-100s. In addition, an increase in time (more than 100s) leads to a deterioration of the state of metallization and an increase in the M cost of the product. with
Додавання до складу розчину гліцерину дозволило одержати рівномірне травлення по всій поверхні, придушення утворення великих міхурів водню, що виділяється, і ефективну пасивацію поверхні і торців сонячних с елементів. При змісті гліцерину менш 295 у розчині не вдавалося домогтися рівномірності обробки пластин Ге розміром 125х125мм, а при перевищенні значення 395 не забезпечувалася ефективна пасивація поверхні, що приводило до зменшення приросту ККД. ч ї ї обробки, с|замикання, 95 холостого ходу, 90 ККД, 96 заповнення, 95 - ї» 4 ю бю 1 яв000000100ю5001ви010000вя т в1в100000096 вив ю вою -ьThe addition of glycerol to the composition of the solution made it possible to obtain uniform etching over the entire surface, suppression of the formation of large bubbles of released hydrogen, and effective passivation of the surface and ends of the solar cells. When the glycerol content is less than 295 in the solution, it was not possible to achieve uniformity in the treatment of Ge plates with a size of 125x125 mm, and when the value of 395 was exceeded, effective surface passivation was not ensured, which led to a decrease in the increase in efficiency. processing, closing, 95 idling, 90 efficiency, 96 filling, 95"
У таблиці 2 приведені характеристики сонячних елементів, що оброблялися в розчині складу: 4ч. плавикової кислоти, 1ч. азотної кислоти і 18ч. деіонізованої води. й обробки, с|замикання, 95 холостого ходу, 90 ККД, заповнення, 95 во во 17777777 111111юю1711лвє 0 111111вб3Table 2 shows the characteristics of solar cells that were treated in a solution of composition: 4h. hydrofluoric acid, 1 tsp. nitric acid and 18 h. deionized water. and processing, closing, 95 idling, 90 efficiency, filling, 95 в в 17777777 111111юю1711лве 0 111111вб3
Як видно з приведених даних, зміна концентрації плавикової й азотної кислот змінює час, при якому досягають максимальний приріст КПД. Однак, при змісті води в кількості 11ч. і менш відбувається зменшення бо ККД, а при змісті води вище 22ч. приріст ККД не відбувається. Крім того, збільшення часу приводить до підвищення вартості виробу.As can be seen from the given data, a change in the concentration of hydrofluoric and nitric acids changes the time at which the maximum increase in efficiency is achieved. However, with a water content of 11 h. and there is a less decrease in efficiency, and when the water content is higher than 22h. there is no increase in efficiency. In addition, an increase in time leads to an increase in the cost of the product.
Пропонований спосіб не тільки не містить додаткової температурної операції, але забезпечує поряд зі зниженням послідовного опору (0,007Ом замість 0,015Ом у прототипі) підвищення струму короткого замикання, / Шунтуючого опору і коефіцієнту корисної дії. Це вказує на його перевагу стосовно прототипу.The proposed method not only does not contain an additional temperature operation, but provides, along with a decrease in series resistance (0.007Ω instead of 0.015Ω in the prototype), an increase in the short-circuit current, shunt resistance and efficiency. This indicates its superiority over the prototype.
У результаті щільність струму короткого замикання виготовлених за пропонованим способом сонячних елементів досягає значень до 40мА/см 7, напруга холостого ходу 620мВ, ефективність перетворення ККД 18,5905, а трудомісткість виготовлення знижена на 25-3095. У результаті запропонованого способу обробки, що відрізняється низькою трудомісткістю, забезпечене максимальне підвищення струму короткого замикання на 70. 14,59о, фактора заповнення на 1290, ККД на 2395, шунтуючого опору на 25095, зниження послідовного опору на 7095. Слід зазначити, що запропонований спосіб обробки сонячних елементів після формування контактів особливо ефективний при занижених параметрах сонячних елементів. Так, наприклад, при значенні ККД 9,1690 до обробки значення зросло до 13,6995 після запропонованої обробки, тобто приріст склав 49,595, коефіцієнт заповнення виріс з 52,5895 до 75,2790, тобто приріст склав 43,295, а послідовний опір зменшився з 0,038Ом до 75 0,009Ом (322906).As a result, the short-circuit current density of solar cells manufactured by the proposed method reaches values of up to 40mA/cm 7, the open-circuit voltage is 620mV, the conversion efficiency is 18.5905, and the labor intensity of manufacturing is reduced by 25-3095. As a result of the proposed method of processing, which is characterized by low labor intensity, a maximum increase in short-circuit current by 70.14.59o, a filling factor by 1290, an efficiency by 2395, a shunt resistance by 25095, a decrease in series resistance by 7095 is ensured. It should be noted that the proposed method treatment of solar cells after the formation of contacts is especially effective at low parameters of solar cells. So, for example, with an efficiency value of 9.1690 before treatment, the value increased to 13.6995 after the proposed treatment, i.e. the gain was 49.595, the fill factor increased from 52.5895 to 75.2790, i.e. the gain was 43.295, and the series resistance decreased from 0.038 Ohm to 75 0.009Ohm (322906).
Отже, за рахунок зазначених у пропонованому способі сукупності і послідовності операцій, режимів їхнього проведення, складу розчину досягається значне підвищення якості сонячних елементів і зниження енергетичних витрат при їхньому виготовленні.Therefore, due to the totality and sequence of operations, the modes of their implementation, the composition of the solution specified in the proposed method, a significant increase in the quality of solar cells and a decrease in energy costs during their manufacture is achieved.
Приведені результати, на думку авторів, свідчать про переваги пропонованого способу.According to the authors, the given results indicate the advantages of the proposed method.
Джерела інформації: 1. Кпоріосп у., Сійп2 5.МУ., Вімо ОЮ., Мапа МУ., Зспапйег Е. Апа УУешіпуд МУ. "Боїаг сеїв м/ййп ейісіепсіев ароме 2195 ргосезвей йот СгоспгаівКкі дгом/п війсоп /Сопі.Кесога 257 |ІБЕЕ Рроіомоїївіс Зресіаївів Сопі.,Sources of information: 1. Kporiosp u., Siip2 5.MU., Vimo OYU., Mapa MU., Zspapyeg E. Apa UUeshipud MU. "Boiag seiv m/yip eiisiepsiev arome 2195 rgosezvei yot SgospgaivKki dgom/p viysop /Sopi.Kesoga 257 |IBEE Rroiomoiivis Zresiaiviv Sopi.,
УУазпіпдіюоп О.С., ІЕЄЕЕ Ргезз, Різсагїамжау, 1996.- Р.405-408. 2. йпао 3. МУапуд А. АМегптай Р. апа ОСгееп М.А. "24905 ейПісіепі війсоп воЇаг сеїв м/ййп добі Іауег апігейесіоп соайіпдв апа гедисей гезівіапсе Іовзв" /Аррі. Рпуз. І ен.-1995.-66.-Р.3636-3638. ЗUUazpipdiyuop O.S., IEEEE Rgezz, Rizsagiamzhau, 1996. - R. 405-408. 2. ypao 3. MUapud A. AMegptay R. apa OSgeep M.A. "24905 eyPisiepi viysop voYag seiv m/yip dobi Iaueg apigeyesiop soayipdv apa gedisey geziviapse Iovzv" / Arri. Rpuz. I en.-1995.-66.-R.3636-3638. WITH
З. Патент Росії Мо2139601, кл. НОТІ 31/18, оп., 10.10.99 - Закс М.Б., Коломоец Г.Ю., Пинов А.Б, СитниківZ. Patent of Russia Mo2139601, cl. NOTES 31/18, op., 10.10.99 - Zaks M.B., Kolomoets G.Yu., Pynov A.B., Sytnykiv
А.М., Солодуха О.І. "Спосіб виготовлення сонячного елементу з п"-р-р--структурою". 4. М/.Р.Мийїдап, О.Н.Ковзе, М.).Сидгіпоміс Мапиїасійге ої зоїаг сейв м/йй 2195 Еісіепсу /191. ЕигореапA.M., Solodukha O.I. "Manufacturing method of a solar cell with p"-r-r--structure". 4. M/.R. Miyidap, O.N. Kovze, M.). Sidgipomis Mapiiasiige oi zooiag seiv m/yy 2195 Eisiepsu / 191. Eigoreap
Рпоїомоїїаіс 5оЇїаг Епегду Сопіегепсе, 7-11 дипе 2004, Рагіз Егапсе.- Р.387-390. - 5. Патент США Мо4475682 від 9.10.1984р. «т 6. Патент США Мо5118362 від 06.02.1992р. 7. Заадоцп М., Еллаоціа Н., Вевзваіїв О., Рогтайоп ої рогоив звійісоп бог Іагде-агеа звіїсоп звоїаг сеїв: сRpoiomoiiais 5oYiag Epegdu Sopiegepse, 7-11 December 2004, Ragiz Egapse. - R. 387-390. - 5. US Patent No. 4475682 dated October 9, 1984. "t 6. US Patent No. 5118362 dated February 6, 1992. 7. Zaadotsp M., Ellaotsia N., Vevzvaiiv O., Rogtaiop oi rogoiv zviyisop god Iagde-agea zviisop zvoiag seiv: p
Апем тейїпоа //оїаг Епегду Маїегіаівз 5 боїаг СеїІв.-1999.-59.-Р.377-385. с 8. Патент Росії Мо2139600, кл. НОТІ 31/18 від 10.10.99. сApem teyipoa //oiag Epegdu Maiegiaivz 5 boiag SeiIv.-1999.-59.-R.377-385. p 8. Patent of Russia Mo2139600, cl. NOTES 31/18 dated 10.10.99. with
Claims (3)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU200608000U UA22241U (en) | 2006-07-17 | 2006-07-17 | Method for manufacturing sollar cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| UAU200608000U UA22241U (en) | 2006-07-17 | 2006-07-17 | Method for manufacturing sollar cell |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| UA22241U true UA22241U (en) | 2007-04-25 |
Family
ID=38136533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| UAU200608000U UA22241U (en) | 2006-07-17 | 2006-07-17 | Method for manufacturing sollar cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| UA (1) | UA22241U (en) |
-
2006
- 2006-07-17 UA UAU200608000U patent/UA22241U/en unknown
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4335668B2 (en) | Manufacturing method of solar cell | |
| JP5223004B2 (en) | Crystalline silicon PV cell with selective emitters manufactured by low temperature precision etch-back and passivation process | |
| WO2010125861A1 (en) | Backside-electrode type solar battery and manufacturing method thereof | |
| EP2460178B1 (en) | Surface treatment of silicon | |
| US20100068886A1 (en) | Method of fabricating a differential doped solar cell | |
| RU2008142611A (en) | METHOD FOR PRODUCING SOLAR BATTERY ELECTRODES AND DEVICE FOR ELECTROCHEMICAL DEPOSITION | |
| CN105247686A (en) | Solar battery cell, method for producing same, and solar battery module | |
| JP2011238903A (en) | Structure of solar cell grid stacks and method for manufacturing the same | |
| EP3101696B1 (en) | Solar cell and solar cell manufacturing method | |
| US9184333B2 (en) | Contact and interconnect metallization for solar cells | |
| JP5945066B2 (en) | Photovoltaic element manufacturing method | |
| EP3602636B1 (en) | Method for forming metal electrodes concurrently on silicon regions of opposite polarity | |
| RU2570814C2 (en) | Fabrication of solar cell and solar cell thus made | |
| CN113380922A (en) | Preparation method and selective emitter solar cell | |
| UA22241U (en) | Method for manufacturing sollar cell | |
| CN115117185A (en) | Method for processing laminated battery piece | |
| WO2013143350A1 (en) | Solar cell, module and method for manufacturing solar cell electrode | |
| CN112133768A (en) | Manufacturing method of back contact solar cell and back contact solar cell | |
| ur Rehman et al. | Copper conducting electrode with nickel as a seed layer for selective emitter crystalline silicon solar cells | |
| TWI845484B (en) | Interdigitated back-contacted solar cell with p-type conductivity and manufacturing thereof and photovoltaic module | |
| Cho et al. | Shinsung Solar Energy high efficiency commercial crystalline Si solar cells | |
| Ebong et al. | Understanding the mechanism of light induced plating of silver on screen-printed contacts for high sheet resistance emitters with low surface phosphorus concentration | |
| CN113707762A (en) | TBC solar cell and manufacturing method thereof | |
| TW202010143A (en) | Solar cell and method for manufacturing the same | |
| UA16254U (en) | Method for producing a solar cell |