UA102180C2

UA102180C2 - Uv radiation detector with integrated light filter

Info

Publication number: UA102180C2
Application number: UAA201204061A
Authority: UA
Inventors: Владимир Иванович Ковригин; Владимир Леонтьевич Перевертайло; Александр Владимирович Перевертайло; Эдуард Анатольевич Шкиренко
Original assignee: Владимир Иванович Ковригин; Владимир Леонтьевич Перевертайло; Александр Владимирович Перевертайло; Эдуард Анатольевич Шкиренко
Priority date: 2012-04-02
Filing date: 2012-04-02
Publication date: 2013-06-10

Abstract

A UV radiation detector with integrated light filter is intended for measurement of UV radiation intensity within the range of 200-400 nm waves as input converter of UV radiation energy to electric signal and can be used for monitoring UV radiation of A, B and C ranges under conditions of high-mountain and space environment, for control measurements in medicine, in production and in communication systems. Disclosed is an integrated device which comprises a UV-sensitive photodiode with comb anode, reference photodiode with integrated light filter and comb anode arranged within the first anode gaps. Both diodes are arranged on silicon substrate and have common cathode. The difference of photocurrents of both diodes is a function of UV flux which intensity is measured.

Description

Детектор УФ випромінювання з інтегрованим світлофільтром призначений для виміру інтенсивності УФ випромінювання в діапазоні хвиль 200-400 нм як вхідний перетворювач енергіїThe UV radiation detector with an integrated light filter is designed to measure the intensity of UV radiation in the 200-400 nm wave range as an input energy converter

УФ випромінювання в електричний сигнал і може бути використаний для радіаційного контролюUV radiation into an electrical signal and can be used for radiation control

УФ випромінювання А, В і С діапазонів в умовах високогірного та космічного середовища, для потреб контрольних вимірів в медицині, виробництві та в системах зв'язку.UV radiation of A, B and C ranges in high-altitude and space environments, for the needs of control measurements in medicine, production and communication systems.

Як вхідний перетворювач енергії для подібних детекторів в більшості використовуються кремнієві фотодіоди. Потік фотонів потрапляє до р-п-переходу через напівпрозорий електрод з високолегованою областю під ним. Типовим представником цього класу перетворювачів енергії є діод 58553 фірми Нататаїзи /НАМАМАТ5О РНОТОМІСВ5 К.К., Боїїй е(асфе Оімізіоп |11.Silicon photodiodes are mostly used as an input energy converter for such detectors. The flow of photons enters the p-p junction through a translucent electrode with a highly doped region below it. A typical representative of this class of energy converters is the diode 58553 of the company Natataisi /NAMAMAT5O RNOTOMISV5 K.K., Boyii e(asfe Oimiziop |11.

Поширеність застосування подібних приладів, незважаючи на невисоку квантову ефективність кремнію в УФ діапазоні, зумовлена їх дешевизною порівняно з фотодіодами на широкозонних матеріалах, відпрацьованістю існуючої кремнієвої технології, легкістю інтеграції в складніші пристрої. Чутливість фотодіода, освітлюваного через напівпрозору р- область, описана, як представлено в статті А. Рашспага еї а! А 5ййсоп ріпе/0М зеїІесіїме 5іпре-зпарей рпоїоадіоде//The widespread use of such devices, despite the low quantum efficiency of silicon in the UV range, is due to their cheapness compared to photodiodes on wideband materials, the maturity of the existing silicon technology, and the ease of integration into more complex devices. The sensitivity of a photodiode illuminated through a semi-transparent p-region is described as presented in the article by A. Rashspag ei a! A 5yysop ripe/0M zeiIesiime 5ipre-zparei rpoioadiode//

Зепвзог5 апа Асіцайгз5 76 (1999) 172-177 |З), таким виразом: х х в(х)- алі) то ві етохах |" вах! (0)Zepvzog5 apa Asitsaygz5 76 (1999) 172-177 |Z), with the following expression: х х в(х)- ali) to в етохах |" wow! (0)

Йм о Хо де:Ym o Ho de:

Ам - енергія фотона, д - елементарний заряд,Am - photon energy, d - elementary charge,

Т - коефіцієнт прозорості вхідного вікна, п - внутрішня квантова ефективність, а - коефіцієнт поглинання світла,T is the transparency coefficient of the entrance window, n is the internal quantum efficiency, and is the light absorption coefficient,

Хв - глибина потенціального бар'єру,Min is the depth of the potential barrier,

Хо - товщина мертвого шару, 5 - частка неосновних носіїв, поглинутих в мертвому шарі, що не рекомбінували перед тим, як дістатися до металевого контакту.Ho is the thickness of the dead layer, 5 is the fraction of minor carriers absorbed in the dead layer that did not recombine before reaching the metal contact.

Втрата чутливості завдяки існуванню мертвого шару досить значна навіть для кращих зразків фотодіодів. Додаткову втрату чутливості вносить поглинання в високолегованій області над переходом, яка є невід'ємною частиною діоду. зо Відомий кремнієвий діод, описаний в роботі Н. 7іттетптапп еї а!Ї Базі Стоз Іпіедгагейд ЕіпдегThe loss of sensitivity due to the existence of a dead layer is quite significant even for the best samples of photodiodes. An additional loss of sensitivity is introduced by absorption in the highly doped region above the junction, which is an integral part of the diode. zo The well-known silicon diode described in the work of N. 7ittetptapp ei a!Y Bazi Stoz Ipiedgageid Eipdeg

Рпоїодіоде5 Тог а М/іде 5ресігта! Напде// Ргосеєдіпд5 ої Ше Зг2гпа Еигореап 5оїїа-5іаїе ОемісеRpoiodiode5 Tog a M/ide 5resigta! Napde// Rgoseedipd5 oi She Zg2gpa Eigoreap 5oiia-5iaie Oemise

Везеагсі Сопіегепсе Неїйа Рігепге, Нау, 24-26 Зері. 2002 ІЗ), прийнятий заявниками як частковий прототип. Чутливість даного приладу в УФ діапазоні підвищено за рахунок гребінчастої форми аноду, завдяки чому в проміжках анодної структури відсутня р- область з мертвим шаром, до того ж, пари носіїв породжуються, починаючи з поверхні діода, в тонкому (порядку сотні нанометрів для ультрафіолету) робочому шарі. Однак висока чутливість таких діодів у видимому та ІЧ діапазоні змушує застосовувати додаткові світлофільтри, що або поглинають значну частину падаючого випромінювання, або коштують дорожче самого діода.Vezeagsi Sopiegepse Neiia Rigepge, Nau, 24-26 Zeri. 2002 IZ), accepted by the applicants as a partial prototype. The sensitivity of this device in the UV range is increased due to the comb shape of the anode, due to which there is no p-region with a dead layer in the gaps of the anode structure, in addition, carrier pairs are generated, starting from the surface of the diode, in a thin (on the order of hundreds of nanometers for ultraviolet) working layers However, the high sensitivity of such diodes in the visible and IR ranges forces the use of additional light filters that either absorb a significant part of the incident radiation or cost more than the diode itself.

Тому розробка кремнієвих фотоприймачів, малочутливих до видимого та ІЧ випромінювання досі актуальна.Therefore, the development of silicon photodetectors that are not very sensitive to visible and IR radiation is still relevant.

Відомий УФ фотодіод зі зменшеною чутливістю в видимому та ІЧ діапазонах, прийнятий заявниками як частковий прототип. Конструкція та принцип дії прототипу описані в роботі |2|.A known UV photodiode with reduced sensitivity in the visible and IR ranges, accepted by the applicants as a partial prototype. The design and principle of operation of the prototype are described in work |2|.

В даній конструкції ефект селективності досягнуто за рахунок використання залежності поглинання світла в кремнії від довжини хвилі та розділення носіїв, породжених фотонами різних енергій за рахунок створеного в структурі потенціального бар'єру на відстані 400 нм від вхідної поверхні. Сам УФ діод сформований в тонкому п-шарі, виконаному в р-підкладці. Анод діоду з р. областю під ним має гребінчасту структуру та виконаний на поверхні приладу. Катод фотодіода розташований на лицевій стороні приладу. На тильній стороні підкладки виконано додатковий анод, замкнений на катод. Носії, породжені малоенергетичними фотонами в шарах,In this design, the effect of selectivity is achieved due to the use of the dependence of light absorption in silicon on the wavelength and the separation of carriers generated by photons of different energies due to the potential barrier created in the structure at a distance of 400 nm from the input surface. The UV diode itself is formed in a thin p-layer made in a p-substrate. The anode of the diode with a region under it has a comb structure and is made on the surface of the device. The cathode of the photodiode is located on the front side of the device. An additional anode, locked to the cathode, is made on the back side of the substrate. Carriers generated by low-energy photons in layers,

БО розташованих нижче потенціального бар'єру, відводяться до нижнього переходу і рекомбінують.BOs located below the potential barrier are taken to the lower transition and recombined.

Недоліком даного прототипу є те, що в шарі вище потенціального бар'єру низькоенергетичні фотони також породжують пари носіїв, що створює струм завади, близький до струму сигналу.The disadvantage of this prototype is that in the layer above the potential barrier, low-energy photons also generate pairs of carriers, which creates an interference current close to the signal current.

Крім того, мала товщина сформованої п-бази і обумовлена поглинанням кремнію мала глибина залягання потенціального бар'єру змусили розробників до створення тонкого (р-)-п переходу з формуванням досить низькоомної п-області, що значно збільшило електроємність діода і викликало необхідність застосування субмікронної структури анода з підвищеними втратами падаючої енергії на непрозорих ділянках анода. Крім того, такі діоди досить дорогі, що видно по переважному застосуванню раніше описаних типів фотодіодів.In addition, the small thickness of the formed p-base and the small depth of the potential barrier due to the absorption of silicon forced the developers to create a thin (p-)-p junction with the formation of a rather low-resistance p-region, which significantly increased the capacitance of the diode and necessitated the use of a submicron anode structures with increased losses of incident energy on opaque areas of the anode. In addition, such diodes are quite expensive, which is evident from the predominant use of the previously described types of photodiodes.

Задача - створення пристрою, вільного від вказаних недоліків вибраних прототипів. Технічне рішення поставленої задачі досягається тим, що, маючи на меті створення пристрою з використанням кремнієвої технології, чутливого до УФ випромінювання, зі зменшеною чутливістю до видимого та ІЧ випромінювання та зменшеною електричною ємністю, заявники пропонують інтегрований пристрій, в склад якого входить УФ чутливий діод та електрично такий самий опорний діод, в топологію якого введений елемент, прозорість якого залежить від довжини хвилі падаючого випромінювання, і ці діоди виконані на спільній напівпровідниковій підкладці з високоомного матеріалу та мають спільний катод, причому анод кожного діода знаходиться в проміжках анода іншого діода. Інтегральне виконання гарантує близькість електричних параметрів.The task is to create a device free from the indicated shortcomings of the selected prototypes. The technical solution to the problem is achieved by the fact that, with the aim of creating a device using silicon technology, sensitive to UV radiation, with reduced sensitivity to visible and IR radiation and reduced electrical capacity, the applicants propose an integrated device, which includes a UV sensitive diode and electrically the same reference diode, in the topology of which an element is introduced, the transparency of which depends on the wavelength of the incident radiation, and these diodes are made on a common semiconductor substrate of high-resistance material and have a common cathode, and the anode of each diode is located in the gaps between the anode of another diode. Integral implementation guarantees proximity of electrical parameters.

Фотострум першого діода є функцією вимірюваного та заважаючого компонентів падаючого потоку, фотострум опорного діода залежить в основному від заважаючого компоненту.The photocurrent of the first diode is a function of the measured and interfering components of the incident current, the photocurrent of the reference diode depends mainly on the interfering component.

Корисним сигналом є різниця фотострумів або різниця напруг на анодах діодів. Обидва струми описуються формулами, наведеними в |2| з поясненнями. ів в. дев я в вто взрв нена в)A useful signal is the photocurrent difference or the voltage difference on the anodes of the diodes. Both currents are described by the formulas given in |2| with explanations. iv v. virgin I exploded on Tuesday)

М -о пм Мо оM -o pm Mo o

Для нашого випадку фактор с (частка носіїв, що не подолали потенціальний бар'єр) дорівнює 0 (бар'єр в базі відсутній), МУ - ширина смужки аноду, О - відстань між смужками.For our case, the factor c (the fraction of carriers that have not overcome the potential barrier) is equal to 0 (there is no barrier in the base), MU is the width of the anode strip, O is the distance between the strips.

Враховуючи наведені залежності, заявники пропонують наступне. 1. Детектор УФ випромінювання з інтегрованим світлофільтром, що згідно фіг. 1 складається з напівпровідникової, наприклад, п-кремнієвої підкладки (1), на якій розташовані УФ чутливий діод з анодним електродом (2), контактною площадкою (9) і р.- областю (3) під ним та опорний діод з анодним електродом (4), контактною площадкою (8) і р-- областю (5) під ним, в топологію якого введений елемент (10), прозорість якого знижується при зменшенні довжини хвилі падаючого випромінювання, наприклад, шар фосфоросилікатного скла, і ці діоди мають спільний катод (7) з п областю (б) під ним. Вихідний сигнал - диференціальний, власна чутливість обох діодів визначається згідно з формулою (2). 2. Пристрій згідно з фіг. 2, в якому як частково прозорий елемент застосовано сформовану р'- область (11).Taking into account the above dependencies, the applicants propose the following. 1. UV radiation detector with an integrated light filter, which according to fig. 1 consists of a semiconductor, for example, p-silicon substrate (1), on which a UV-sensitive diode with an anode electrode (2), a contact pad (9) and a p-region (3) below it and a reference diode with an anode electrode ( 4), the contact pad (8) and the p region (5) below it, in the topology of which an element (10) is introduced, the transparency of which decreases when the wavelength of the incident radiation decreases, for example, a layer of phosphosilicate glass, and these diodes have a common cathode (7) with n area (b) below it. The output signal is differential, the inherent sensitivity of both diodes is determined according to formula (2). 2. The device according to fig. 2, in which the formed p'-region (11) is used as a partially transparent element.

З. Пристрій згідно з фіг. З р- області (3) та (5) розширено майже до контакту, причому зо електричні характеристики обох діодів лишилися ідентичними, власна чутливість обох діодів визначається згідно з формулою (1), а необхідне послаблення УФ складової випромінювання в опорному діоді отримане завдяки збільшеній товщині р. області (5).C. The device according to fig. Z-regions (3) and (5) are expanded almost to contact, and the electrical characteristics of both diodes remain identical, the inherent sensitivity of both diodes is determined according to formula (1), and the necessary attenuation of the UV radiation component in the reference diode is obtained due to the increased thickness region (5).

Перелік графічних матеріалів 1. Фіг. 1 представляє схематичну будову пристрою за п. 1 з умовним зображенням підкладки, УФ чутливого діоду з анодним електродом, контактною площадкою і р- областю під ним та опорного діоду з анодним електродом, контактною площадкою і р- областю під ним, фільтруючим елементом та спільний катод з п-- областю під ним. 2. Фіг. 2 представляє схематичну будову пристрою за п. 1 з умовним зображенням підкладки, УФ чутливого діоду з анодним електродом, контактною площадкою і р- областю під ним та опорного діоду з анодним електродом, контактною площадкою і р- областю під ним, додатковою р-- областю та спільний катод з п-- областю під ним. 3. Фіг. З представляє схематичну будову пристрою за п. 1 з умовним зображенням підкладки, УФ чутливого діоду з анодним електродом, контактною площадкою і поширеною р областю під ним та опорного діоду з анодним електродом, контактною площадкою і поширеною р'- областю під ним та спільний катод з п-- областю під ним.List of graphic materials 1. Fig. 1 represents the schematic structure of the device according to item 1 with a conventional image of the substrate, a UV-sensitive diode with an anode electrode, a contact pad and a p-region below it, and a reference diode with an anode electrode, a contact pad and a p-region below it, a filter element and a common cathode with n-- area below it. 2. Fig. 2 shows the schematic structure of the device according to item 1 with a conventional image of the substrate, a UV-sensitive diode with an anode electrode, a contact pad and a p-region below it, and a reference diode with an anode electrode, a contact pad and a p-region below it, an additional p-region and a common cathode with an n region below it. 3. Fig. C represents the schematic structure of the device according to item 1 with a conventional image of the substrate, a UV-sensitive diode with an anode electrode, a contact pad and a widespread p region under it, and a reference diode with an anode electrode, a contact pad and a widespread p' region under it, and a common cathode with n-- the area under it.

Робота заявленого пристрою 1. Короткохвильове (УФ) та довгохвильове (видиме та ІЧ) випромінювання потрапляє одночасно на обидва діоди. УФ складова потоку, що падає на опорний діод, послаблюється за рахунок поглинання фільтруючим шаром (10) перед попаданням до фоточутливої області діоду.Operation of the claimed device 1. Short-wave (UV) and long-wave (visible and IR) radiation falls on both diodes simultaneously. The UV component of the flow falling on the reference diode is weakened due to absorption by the filter layer (10) before reaching the photosensitive area of the diode.

БО Таким чином, через обидва діоди з однаковою побудовою електрично активних елементів, мають різну освітленість і, відповідно, різний опір. При однакових струмах живлення діодів це призводить до різного падіння напруги на кожному з них. Сигнал, пропорційний УФ складовій потоку, отримується або на виході операційного підсилювача при підключенні обох анодів до його входів, або визначається при безпосередньому вимірі різниці потенціалів на анодах. 2. Робота заявленого пристрою згідно з п. 2 формули не має особливостей відносно п. 1, за винятком того, що УФ поглинаючий шар (11) опорного діода виконано як додаткову непідключену р-- область.BO Thus, due to both diodes with the same construction of electrically active elements, they have different illumination and, accordingly, different resistance. With the same supply currents of the diodes, this leads to a different voltage drop on each of them. A signal proportional to the UV component of the flow is obtained either at the output of the operational amplifier when both anodes are connected to its inputs, or is determined by direct measurement of the potential difference across the anodes. 2. The operation of the claimed device according to item 2 of the formula has no features with respect to item 1, except that the UV absorbing layer (11) of the reference diode is made as an additional unconnected p-- region.

3. Робота заявленого пристрою згідно з п.3. Operation of the declared device according to p.

З не має особливостей відносно п. 1, за винятком того, що при однакових електричних параметрах діодів для зменшення УФ засвічування опорного діоду використано потовщення р-- області (5).C has no peculiarities in relation to item 1, except that with the same electrical parameters of the diodes, to reduce the UV illumination of the reference diode, the thickening of the p region (5) was used.

Claims

FORMULA OF THE INVENTION

1. UV radiation detector with an integrated light filter, consisting of a semiconductor, for example p-silicon substrate, on which a UV photodiode with a comb anode is located, and a reference photodiode with a comb anode and a light filter in front of it, which differs in that the anode (2) with p region (3) below it is located in the gaps between the anode (4) and p region (5) of the reference diode, both diodes have a common cathode (7) with pya region (6) below it, and a light filter (10), the transparency of which decreases with reducing the wavelength of the incident radiation, for example, a layer of phosphorosilicate glass covers the photosensitive area of the reference diode and is made as an element of its design.

2. The device according to claim 1, which is characterized by the fact that the light filter (11), which covers the photosensitive area of the reference diode, is made as an unconnected p-- area of a given thickness.

3. The device according to claim 1, which differs in that the role of a light filter, which reduces the sensitivity of the reference diode to UV radiation, is performed by the p-region (5), the thickness of which exceeds the thickness of the p-- region (3). i IV mV THIS NMMOMK I CENTURY IN i : more | OR Z : ;

PI. ше ПК г ЭХ Б Po pon ni pe zhi o in a nn nn NN Fig:

ddknuh uyu KAK KAH AHHHHAHAHHHHKKKK KAK K MAK KAKAKKKAAHAHAHAHM X grav | in her 5th Z 1 TI fur a i NO M NN: X Ne KN nok o Z Uh her SK their x Mo MO Z o DE nku MA KAK x VN Ken umenyuoosoev ooo bi Zoososgosm nn o i VEK COMI TEH BEKE RE KUM uki KER um V EN BE ia I NNYA VEK I Vr pz fk Ii Ii NO VER YAKU ku ich i gg KKU st sti ZE h ken nen NN NN NN NI BE VVE ZHEO VOSE BE Eto ZVO HVOROI VK a I BOX PERSONS NOT SE ENN i va ION o sv OO r 1 EV YA I ME de OO VEOEVKOSH Zhe x TZ Z ZE OZ ELIS TER R OH OYI 33 Y OZNA V Z NNYA VO I V MO OME NN S YAN ZNNNU I Ky. I: mov 2 media Z SEN OBO EV u UZ i a AK i M MENN IZ I ZE KV YUK BEN OSEL BO B ZE i TRK KO VzhOrok rai fo I OO KN iii A Dozi i Z EN NKU Ot I OK ZEE EI u ECO IN ZHEO Sh OV I OKO; IN TK: YELLOW p cat y I GOATS X me TOO EVERYONE t ha y y I AZ EK ih IEE pana y Vk ENN . OKO pe TE ZK OROS k i OKO BE B ALSO ZMO TIC OH oso I OO SYUOEE s ge UNK nn TU same ENN EE ZE re | ECO MZHK RO Br koi OZ EE KOHZ sh EC V KO Z TEO OO ZE it HUK ZHAV SE U y z opi I I ŽI kA t HE OSA KK Oh yi yi Kos E VK OBE OZ yi- FW V BO rr B ECO ZOVE YU ZR. Z KV er prove svoe SO SEZE S VC OB: ; IV VAK KO ZEUS OO ZBE SK OV ISHCHE R s: ZE Bery pr svv ZNZ Z Z NI EE NU Z TE se Eh 1OOs3xE poh IYAYAU NE t KOSI x Ku p CHA NEECHNYA OK ECO IA BANN: EE o . KH s EK ENN TU what GNN E GI OKO I KIZ still Eh KZ KK skh tja E ore HAKI u SHI I KZMYeKUr NI I UNN rota EE E EE OK ve KV: OKO K oj ro EK OSBB ZK MVT VZ SV VZ VVE SES ZREOBYU SH KOHZ VE ZE 33 TK: DEN OH r Ot E BE KO Ke EV ryu WBERE i pot zhioya their TEO KOSA with YOU syu. and her TI; FROM I t J E Z o KN SHE INNOCENT: NU VEN E. from SNY ZI I NU 31: 135233 i I KE KUN gi K; 3 i Kosy KE (U Koch za: 13 i I CHK ENN and 3 cho Kos re (U ra 352 333 i I I CHK ENN gu I i ee Me i i 133 i III - In : sh- a r RE i 15431 i TEEEOESHK K zh 2 ЗBE FAILURE Eh BEZ BE TE OECHE Z V a a ZE: V EE і 3 ИЗ : KOEESETEO SYA V і I DE EE EE і EE ENNE I I I I I : : SHKKTBSHI PVEK Br ORI ZE ZNU CHAK UNN K I : : KOVO SVO AS OKO ZV EOZ V PIV SHE | en i en ne VE ENN vek NE Z NI NN Z sce ZK OV EVYAE STE OZ. I I Z ie I ne NYA OO f OKO NE Z SHK REVE KO ЖЖ TR th і kot і I KOVEKEE OZ Z SO VE Z MEN NA VE EE VN NOT Z Z MOZ ZNU ZE ENN Her YAZ ECO o Nr p OKO: ; ш RE KO ZZHEOBRKOSYA OO E I ZE p ET IZ ХК Eh і , z. NK NI IZ tu FROM JELLY I IN GOAT ra v ECO EYE A SHE MOH KOD I y WOK UEOKE EOGUBE ED x more OATS WEAPON BOB VO OKO Z Ko tr KO Ehr r Za o KE shk KI x : sha MK OVE IC ESE SZZ NOI REVE SK ZKU Z - o I KNOW NN EN ZU UNN I How Z M ZV Z KN KE VYS GU ZE U SMYVU CHNU Z i di Xia KE Z YAN V KUNA ZE SE OZ KE s x St s 1 th oo ru t 133 zd IZ YAMU I YAN I JAN and I: pe ZE KOVO NOT ruts 1 I KOHZ JESEI. OZ x Kt also TEO ZR BEK OO 3 3 I TES EL OZ V K-x I OZ OK KUYA Yara ram I Z NYA u Ikkkkkakh o VEK Z KU PECHE KIM I I I TEKOETEO Z V hi. TK IZ (U ii KU g . IZ i ZK ih K. sh yi; ZE BOSBEO ET ZECOKLEZ : as SCHE yi OV | I EE: KE TK Mecca But Korea I I N ITE EE Z V : і: ZE KE Po i OKO Z Yaoiy s EE she, ; BE - sho dn NN OBOV Z DANA SK i i Kv vyh I GOATS I x S DKLAKMAAII i I VED Z iy i NO A u NU Z V | sem Z NN Z Z g» ks Na x i ия ХЕ ИЗ х a oh. kh nk nn zh so dk SHO t te h. MORE 35 Eh -I VU t their h OK TK E3U yah GE VI VV KV KV KV DYN A V U ZK V OK V ZV OV KV V o V I VISIBLE : 5 on KJ TKITAdNYA o a anna de A X tk : o it with SHK 2 H E : Pyu i p i A E : Be DIT SH U Z ih z u SHYTY PNI, more i. Sh Va ek v p v v o OK EN M В В В В В х т в х т ченая Я Ш VODU при яйх АхААКАК. in E ROZ Y IN : IZ - U 1. kuhni kuki un KHMK NK M UMA MKK KKU KK KK MAMA MKK ANA KK i s: ; i Z : E Z rya 3 IZ From 3 » ; i EN s : Tr gi Tu E i E: : Cat IZ 1 p IZ her zhk K K Denne 1 Kr NE r: Z ; vita Ki Her I Z VI To I: Me N h E I BO ii M E x 1 EV UNNEN z z Z SHOE her 5 11 KO t IN t: Vl her E: V KoshiueE ii IZ 1 GYANEU her KZ t: Ge her r V y ShT them 1 From Ex GU z. IZi uhti K ih yaryn ne NI, N V SE KI ki Z 1 GU Kk hi 13 3 ti : z E pa i ti ich 11 k t 3 KE YAN her Z zhi koi r 1 EK 11 Z her 3 TE KO her with Ko AN SHU BO dr OBO la Z x SHI EYANKU E yi ikh chnu p: ki her S p kh "ya yi Ki 3 1 zn ki ka shh U 13 I x Ko a pe VI Z NO KO Koli Ж y: i KU I 11 rYANEU hi 3 KE GNN her : ! E KE KE Z Z RYN her 3 TE EE Ky E KE: their ro X. x ШЭ : her KE ti Z ХЕ GK x her E z I ! х NE ІЧ 11 her tika her YAN Kn E K MK ok MN s nyn u NN ZK Z EN a NU Z NN vo OV I Ko VE: E code | E.O Z VE KO: :

in. NK x z GU KI ICH g Zh Kv ih IZ s I 1 GKU I i x s VE Kv E i Oh i ZV NU I | OO VO Oz X kOOEA r 13 rati IZKE Ge i3 KE: to and for NU ri MY UYU Z po M BOB i VOMS OBOVN ; zhk: i about KEOOV p GYANu ki t 33 ZE t V U Z : і і і і Kon k 11 У і і і 3 KE m і Ж і шх: і . ly s 11 pts. U KE GUNU her K t: LI. x ALLA s NN IZ i NU EK 3 TE Vl t E x KKAKAMKAIIIIKI sh KENE MNN EK KUN GUILTY FOR: VN ZK Za NI I x Oka i an ny ESHE NN NSHCE i E St TE t I 11 Kk ih I (zhu her t g: fo i roko 3 1 NKU her 3 TE Ge her Z PE Ve I her ki 1: ko her I her KER rya yK is o Or sV OO KE BT E. sho OH M t. ZOV BZH r Z E U y t 3 15 In her In their GKU her: I Kk p I KO EN NE SHE Mov BO: Z their KTZ is k t ИЗ 13 KOH g U K st t 3 st shpa pa OV 7 3: NKU 13 Ma KE kl her x piHkHkKKy s 1 vlt t I 11 kl her her GUNAe 13 E JH How i TE and m TKU t THE M jJ I Jhe MY. sl ohhhhhnyuv and KO mimo KOH E You Dlyininnn KD non her her ! Z : ih I: E KO sho Z In vy; і E ki YAN her Ж Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х Х 3 ГЯЗ

Kh. kn v i V v i ih BONN oz z u. every day xx xx ЧК КК ини. Zh u bukh Z v po zhe dak a Ti Z Koo o KU Z Ka GU Z jak . : i KE Ya :vvavvaa nn V Mini A VK Z du U Ya pi : p o t. child. I: :

Y. i M. t, x 7. what with I V x SHT, m. and V v y M itUM hu Ya V lo NN s ; i p -k PI. t, t p

pcs. y y p t S y her Ou

Fig. З -ШЗ--3--- 8-88: 87: 8: 8::.: 8: ::8:.8:.: .8.:):/:8::. 9.