TWM588820U

TWM588820U - 觸控裝置用之導電板

Info

Publication number: TWM588820U
Application number: TW108211775U
Authority: TW
Inventors: 林勇任
Original assignee: 郡宏光電股份有限公司
Priority date: 2019-09-04
Filing date: 2019-09-04
Publication date: 2020-01-01

Abstract

本新型提供一種觸控裝置用之導電板，包括一透光性支撐基板、一對分別形成於該透光性支撐基板之相反設置的一第一表面及一第二表面的光學調整膜層結構，及一對分別形成於各自所對應之光學調整膜層結構上的導電膜層結構。各光學調整膜層結構沿一背向該透光性支撐基板的堆疊方向依序包括一折射率大於2的第一光學調整層、一附著層，及一折射率小於該第一光學調整層的第二光學調整層。各導電膜層結構包括一對彼此間隔地堆疊於各自所對應之光學調整膜層結構上的氧化銦錫層，及一疊於各自所對應之各對氧化銦錫層間的銅導體層。

Description

觸控裝置用之導電板

本新型是有關於一種導電板，特別是指一種觸控裝置用之導電板。

參閱圖1，一種現有之觸控裝置用的導電板1，包括一由聚對苯二甲酸二乙酯(polyethylene terephthalate，簡稱PET)所構成的支撐基板11、一對形成於該支撐基板11之一上表面與一下表面的硬塗層12、一形成於該對硬塗層12之上層硬塗層12上的光學調整層13，及一形成於該光學調整層13上的導電膜層結構14。該導電膜層結構14具有一形成於該光學調整層13上的氧化銦錫(ITO)層141、一形成於該氧化銦錫層141上的銅導體層142及一形成於該鎳銅合金層143。

該現有之觸控裝置用的導電板1一般是供應給下游廠商以透過蝕刻技術來對該導電膜層結構14蝕刻出其觸控裝置用的線路。然而，下游廠商在實施完蝕刻技術後往往出現線路不完整的問題。

經上述說明可知，改良觸控裝置用之導電板以供下游廠商能蝕刻出完整的線路，是所屬技術領域中的相關技術人員有待解決的課題。

因此，本新型的目的，即在提供一種能供應給觸控裝置下游廠商蝕刻出完整線路之觸控裝置用之導電板。

於是，本新型觸控裝置用之導電板，包括一透光性支撐基板、一對分別形成於該透光性支撐基板之相反設置的一第一表面及一第二表面的光學調整膜層結構，及一對分別形成於各自所對應之光學調整膜層結構上的導電膜層結構。各光學調整膜層結構沿一背向該透光性支撐基板的堆疊方向依序包括一折射率大於2的第一光學調整層、一附著層，及一折射率小於該第一光學調整層的第二光學調整層。各導電膜層結構包括一對彼此間隔地堆疊於各自所對應之光學調整膜層結構上的氧化銦錫層，及一疊於各自所對應之各對氧化銦錫層間的銅導體層。

本新型的功效在於：各導電膜層結構中之位於最外層的該氧化銦錫層能避免觸控裝置下游廠商透過蝕刻劑蝕刻其導電膜層結構時破壞其最終線路的完整性。

參閱圖2，本新型觸控裝置用之導電板一實施例，包括一透光性支撐基板2、一對分別形成於該透光性支撐基板2之相反設置的一第一表面21及一第二表面22的光學調整膜層結構3，及一對分別形成於各自所對應之光學調整膜層結構3上的導電膜層結構4。在本新型該實施例中，該透光性支撐基板2是由聚對苯二甲酸二乙酯(PET)、環狀烯烴共聚物(cyclic olefin copolymer；簡稱COC)、無色聚醯亞胺(colorless polyimide，簡稱CPI)、光學級聚醯亞胺(optical polyimide，簡稱OPI)或環狀烯烴聚合物(cyclic olefin polymer，簡稱COP)所製成。

各光學調整膜層結構3沿一背向該透光性支撐基板2的堆疊方向依序包括一折射率大於2的第一光學調整層31、一附著層33，及一折射率小於該第一光學調整層31的第二光學調整層32。本新型該實施例是藉由各光學調整膜層結構3之第一光學調整層31與第二光學調整層32兩者間的折射率差以改善透光性。然而，基於各光學調整膜層結構3之第一光學調整層31與第二光學調整層32兩者間的附著性不佳，因而透過各自所對應之附著層33來提升其第一光學調整層31與第二光學調整層32兩者間的附著性。較佳地，各光學調整膜層結構3之附著層33由非晶矽(amorphous Si)、一氧化矽(SiO)或鉻(Cr)所製成，並具有一小於5 nm的厚度；各光學調整膜層結構3之第一光學調整層31是選自TiO ₂、Ti ₃O ₅、Ta ₂O ₅、Nb ₂O ₅或ZrO ₂；各光學調整膜層結構3之第二光學調整層32是結晶性SiO ₂。

各導電膜層結構4包括一對彼此間隔地堆疊於各自所對應之光學調整膜層結構3上的氧化銦錫層41，及一疊於各自所對應之各對氧化銦錫層41間的銅導體層42。各導電膜層結構4還包括一並用以防止各自所對應之銅導體層42產生氧化的鎳銅合金層43。各導電膜層結構4之鎳銅合金層43是疊於各自所對應之銅導體層42與該對氧化銦錫層41之最外層的氧化銦錫層41間。

本新型該實施例還選擇性地包括一對硬塗層5，該對硬塗層5是分別形成於該透光性支撐基板2的第一表面21上與第二表面22上，以分別介於各自所對應之第一光學調整層31與該透光性支撐基板2間。在本新型該實施例中，各硬塗層5是由 ZrO ₂所製成。此處須補充說明的是，基於ZrO ₂的折射率約為2.16；因此，本新型該實施例之各硬塗層5亦可取代各自所對應之光學調整膜層結構3的第一光學調整層31，且當本新型該實施例之各第一光學調整層31為ZrO ₂時，各第一硬塗層5是可被省略掉。也就是說，當各光學調整膜層結構3之第一光學調整層31及各自所對應之硬塗層5兩者的其中一者材料為ZrO ₂時，則另一者可被省略，而可以單一膜層同時達成保護及光學調整的目的。

在本新型該實施例中，位於最外層的各氧化銦錫層41除了能防止各自所對應的鎳銅合金層43的氧化問題外，更是用來做為觸控裝置之下游廠商於蝕刻線路時的一保護層使用，以藉此避免下游廠商利用蝕刻技術所蝕刻出來的線路遭到蝕刻劑(etchant)的過度破壞，導致最終線路有不完整的問題。

經本新型該實施例前述之詳細說明可知，本新型在各導電膜層結構4之鎳銅合金層43上額外形成位於最外層的該氧化銦錫層41，除了能防止各自所對應的鎳銅合金層43的氧化問題外，觸控裝置下游廠商透過蝕刻技術蝕刻其導電膜層結構4時，更能透過各導電膜層結構4之位於最外層的該氧化銦錫層41來維持最終線路的完整性，以藉此避免該實施例之各導電膜層結構4於蝕刻過程中受蝕刻劑過度破壞。

綜上所述，本新型觸控裝置用之導電板之各導電膜層結構4中之位處於最外層的該氧化銦錫層41，能避免觸控裝置下游廠商透過蝕刻劑蝕刻其導電膜層結構4時破壞其最終線路的完整性，故確實能達成本新型的目的。

惟以上所述者，僅為本新型的實施例而已，當不能以此限定本新型實施的範圍，凡是依本新型申請專利範圍及專利說明書內容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本新型專利涵蓋的範圍內。

2‧‧‧透光性支撐基板 33‧‧‧附著層 21‧‧‧第一表面 4‧‧‧導電膜層結構 22‧‧‧第二表面 41‧‧‧氧化銦錫層 3‧‧‧光學調整膜層結構 42‧‧‧銅導體層 31‧‧‧第一光學調整層 43‧‧‧鎳銅合金層 32‧‧‧第二光學調整層 5‧‧‧硬塗層

本新型的其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地呈現，其中：圖1是一正視示意圖，說明現有一種現有之觸控裝置用之導電板；及圖2是一正視示意圖，說明本新型觸控裝置用之導電板的一實施例。

2‧‧‧透光性支撐基板

21‧‧‧第一表面

22‧‧‧第二表面

3‧‧‧光學調整膜層結構

31‧‧‧第一光學調整層

32‧‧‧第二光學調整層

33‧‧‧附著層

4‧‧‧導電膜層結構

41‧‧‧氧化銦錫層

42‧‧‧銅導體層

43‧‧‧鎳銅合金層

5‧‧‧硬塗層

Claims

一種觸控裝置用之導電板，包含：一透光性支撐基板；一對光學調整膜層結構，分別形成於該透光性支撐基板之相反設置的一第一表面及一第二表面，各光學調整膜層結構沿一背向該透光性支撐基板的堆疊方向依序包括一折射率大於2的第一光學調整層、一附著層，及一折射率小於該第一光學調整層的第二光學調整層；及一對導電膜層結構，分別形成於各自所對應之光學調整膜層結構上，且各導電膜層結構包括一對彼此間隔地堆疊於各自所對應之光學調整膜層結構上的氧化銦錫層，及一疊於各自所對應之各對氧化銦錫層間的銅導體層。
如請求項1所述的觸控裝置用之導電板，其中，各光學調整膜層結構之附著層由非晶矽、一氧化矽或鉻所製成。
如請求項1所述的觸控裝置用之導電板，其中，各光學調整膜層結構之附著層具有一小於5 nm的厚度。
如請求項1所述的觸控裝置用之導電板，其中，各光學調整膜層結構之第一光學調整層是選自TiO ₂、Ti ₃O ₅、Ta ₂O ₅、Nb ₂O ₅或ZrO ₂；各光學調整膜層結構之第二光學調整層是SiO ₂。
如請求項1所述的觸控裝置用之導電板，其中，該透光性支撐基板是由聚對苯二甲酸二乙酯、環狀烯烴共聚物、無色聚醯亞胺、光學級聚醯亞胺或環狀烯烴聚合物所製成。
如請求項1所述的觸控裝置用之導電板，還包含一對硬塗層，該對硬塗層分別形成於該透光性支撐基板的第一表面與第二表面上以分別介於各自所對應之第一光學調整層與該透光性支撐基板間。
如請求項6所述的觸控裝置用之導電板，其中，各硬塗層是由ZrO ₂所製成。
如請求項1所述的觸控裝置用之導電板，其中，各導電膜層結構還包括一鎳銅合金層，各導電膜層結構之鎳銅合金層疊於各自所對應之銅導體層與該對氧化銦錫層之最外層的氧化銦錫層間。