TWM581304U

TWM581304U - Double capacitor common antenna

Info

Publication number: TWM581304U
Application number: TW108203339U
Authority: TW
Inventors: 鄧立中; 盧彥龍
Original assignee: 安諾電子股份有限公司
Priority date: 2019-03-20
Filing date: 2019-03-20
Publication date: 2019-07-21

Abstract

一種雙電容共伴天線，包括一絕緣基板及一設在該絕緣基板的一第一面上的輻射單元。該輻射單元包含一具有相反的兩端的饋入部；一第一輻射部，其具有由該饋入部的一端朝相反方向延伸的一第一段及一第二段；一第二輻射部，其具有由該饋入部的另一端朝相反方向延伸的一第三段及一第四段，且該第三段與該第一段部分相貼近，而於兩者之間形成一第一電容結構；一第三輻射部，其與該第二段部分相貼近，而於兩者之間形成一第二電容結構。

Description

雙電容共伴天線

本新型是有關於一種LTE(長期演進技術，Long Term Evolution）天線，特別是指一種具有雙電容耦合結構的LTE天線。

現有LTE天線的最低操作(工作)頻率只到700MHz，而無法傳輸/接收700MHz以下的射頻訊號，因此使用現有LTE天線的電子裝置若需要傳輸/接收700MHz以下的射頻訊號時，需另外增設一用以傳輸/接收700MHz以下射頻訊號的天線，但這另外增設的天線除了會額外佔用電子裝置有限的內部空間外，還需改變電子裝置原本的內部空間配置，而勢必導致電子裝置的製造成本增加。故若能使現有LTE天線的操作頻段達到700MHz以下，就不需為了另外增設天線而改變電子裝置原本的內部空間配置，也不致增加電子裝置本身的製造成本。

因此，本新型之目的，即在提供一種雙電容共伴天線，其操作頻段最低可以涵蓋到600MHz。

於是，本新型雙電容共伴天線，包括：一絕緣基板，具有一第一面；一輻射單元，設在該第一面上並包含：一饋入部，具有相反的兩端；一第一輻射部，其具有由該饋入部的一端朝相反方向延伸的一第一段及一第二段；一第二輻射部，其具有由該饋入部的另一端朝相反方向延伸的一第三段及一第四段，且該第三段與該第一段部分相貼近，而於兩者之間形成一第一電容結構；一第三輻射部，其與該第二段部分相貼近，而於兩者之間形成一第二電容結構。

在本新型的一些實施態樣中，該第一輻射部由該饋入部的一端沿該第一面的一第一側緣朝相反方向延伸，而形成沿該第一側緣延伸的該第一段及該第二段，且該第一段還延伸至該第一面之與該第一側緣的一端相連的一第二側緣。

在本新型的一些實施態樣中，該第二輻射部由該饋入部的另一端沿該第一面的一與該第一側緣相對的第三側緣朝相反方向延伸，而形成沿該第三側緣延伸的該第三段及該第四段，且該第三段與該第一輻射部的該第一段位於該饋入部的一側，該第四段與該第一輻射部的該第二段位於該饋入部的另一側；其中該第三段還沿該第一面的該第二側緣延伸並與該第一段部分相貼近，而於兩者之間形成該第一電容結構。

在本新型的一些實施態樣中，該第三輻射部具有一第五段及一第六段，該第五段沿一與該第一面的該第一側緣的另一端相連的第四側緣延伸，該第六段由該第五段朝該第四段方向延伸，且該第五段及該第六段與該第二段部分相貼近，而於其間形成該第二電容結構。

在本新型的一些實施態樣中，該第二輻射部還具有一第一延伸段，其設在該絕緣基板之與該第一面相反的第二面且透過該絕緣基板上的一貫孔與該第三段連接。

在本新型的一些實施態樣中，該第三輻射部還具有一第二延伸段，其設在該第二面且透過該絕緣基板上的一貫孔與該第五段連接。

在本新型的一些實施態樣中，該第四段靠近該饋入部的一端還形成一槽孔。

在本新型的一些實施態樣中，該輻射單元是形成在具有該絕緣基板的FR-4印刷電路板上。

本新型之功效在於：藉由該第一電容結構和該第二電容結構產生的電容耦合效應，能夠使本新型之雙電容共伴天線的最低操作頻率達到600MHz，而滿足業界對於LTE天線操作在更低頻段的需求，並進一步增加LTE天線的操作(使用)頻寛。

在本新型被詳細描述之前，應當注意在以下的說明內容中，類似的元件是以相同的編號來表示。

參閱圖1所示，本新型雙電容共伴天線的一實施例主要包括一絕緣基板1及一設在該絕緣基板1的一第一面11上的輻射單元2。具體而言，在本實施例中，該輻射單元2是能夠發射電磁波的金屬材料且形成在具有該絕緣基板1的一印刷電路板上，例如以FR-4玻璃纖維板做為該絕緣基板1的印刷電路板，但不以此為限。亦即，該輻射單元2也可以其它製程，例如LDS製程形成在一具有該絕緣基板1的塑料載體上。

在本實施例中，該輻射單元2包含一饋入部21、一第一輻射部22、一第二輻射部23以及一第三輻射部24。該饋入部21供一發射端或訊號源(圖未示)饋入一射頻訊號，以透過該第一輻射部22、第二輻射部23及第三輻射部24發射該射頻訊號；反之，該第一輻射部22、第二輻射部23及第三輻射部24亦可接收射頻訊號並透過該該饋入部21傳輸至一接收端(圖未示)，且該饋入部21具有相反的兩端211、212。

該第一輻射部22具有由該饋入部21的一端211延伸且方向相反的一第一段221及一第二段222；具體而言，在本實施例中，該第一輻射部22是由該饋入部21的一端211沿該第一面11的一第一側緣111朝相反方向延伸，而形成沿該第一側緣111延伸的該第一段221及該第二段222，且該第一段221的末端延伸至接近一與該第一側緣111一端相連的一第二側緣112處彎折，並朝一與該第二側緣112一端相連的一第三側緣113方向延伸。

該第二輻射部23具有由該饋入部21的另一端212延伸且方向相反的一第三段231及一第四段232，其中該第三段231與該第一段221部分相貼近，而於兩者之間形成一第一電容結構25；具體而言，在本實施例中，該第二輻射部23是由該饋入部21的另一端212沿該第一面11之與該第一側緣111相對的該第三側緣113朝相反方向延伸，而形成沿該第三側緣113延伸的該第三段231及該第四段232，且該第三段231與該第一輻射部22的該第一段221位於該饋入部21的一側，該第四段232與該第一輻射部22的該第二段222位於該饋入部21的另一側；其中該第三段231還沿著該第一面11的該第二側緣112延伸至該第一側緣111而與該第一段221部分相貼近，而於兩者(第一段221與第三段231)之間形成該第一電容結構25。

該第三輻射部24與該第一輻射部22的該第二段222部分相貼近，而於兩者之間形成一第二電容結構26。具體而言，在本實施例中，該第三輻射部24具有一沿一與該第一面11的該第一側緣111另一端相連的第四側緣114延伸的第五段241及一由該第五段241靠近中間處朝該第四段232方向延伸的第六段242，且該第五段241的一部分及該第六段242與該第一輻射部22的該第二段222部分相貼近，而於其間(第五段241、第六段242及第二段222)形成該第二電容結構26。

此外，該第二輻射部23的該第四段232靠近該饋入部21的一端還形成一槽孔233。

而且，為了增加電容耦合面積以增加電容耦合量，如圖2所示，在本實施例中，該第二輻射部23還具有一第一延伸段233，其設在該絕緣基板1之與該第一面11相反的第二面12，位於該第三段231下方且透過該絕緣基板上的一貫孔(圖未示)與該第三段231連接，以增加該第一電容結構25的電容耦合量。並且，該第三輻射部24還具有一設在該第二面12，位於該第五段241下方且透過貫孔(圖未示)與該第五段241連接的第二延伸段243，以增加該第二電容結構26的電容耦合量。

因此，藉由上述的天線構造以及該第一電容結構25和該第二電容結構26產生的電容耦合效應，能夠使本實施例做為LTE天線的雙電容共伴天線的操作頻段最低以可達到600MHz，最高則可以達到5920MHz；其中，舉例來說，該第一段221的操作頻段是在(但不限於)1710~2200MHz，該第二段222的操作頻段是在(但不限於)600~960MHz，該第三段231的操作頻段是在(但不限於)2300~2690MHz，該第四段232的操作頻段是在(但不限於)1447~1511MHz，該第三輻射部24的操作頻段是在(但不限於)3400~3800MHz，該槽孔(天線)233的操作頻段是在(但不限於)5150~5920MHz。

且如圖3所示，本實施例的雙電容共伴天線在600~960MHz、1447~1511MHz、1710~2200MHz、2300~2690MHz、 3400~3800MHz、5150~5920MHz共六個頻段中，其駐波比(SWR)都在2.68以下，而且如圖4所示，其天線效率皆在30%以上，而能實際應用做為LTE天線。

綜上所述，上述實施例藉由該第一電容結構25和該第一電容結構26產生的電容耦合效應，能夠使本實施例雙電容共伴天線的最低操作頻率達到600MHz，而滿足業界對於LTE天線操作在更低頻段的需求，並進一步增加LTE天線的操作(使用)頻寛，確實達到本新型的功效與目的。

惟以上所述者，僅為本新型之實施例而已，當不能以此限定本新型實施之範圍，凡是依本新型申請專利範圍及專利說明書內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本新型專利涵蓋之範圍內。

1‧‧‧絕緣基板 11‧‧‧第一面 12‧‧‧第二面 111‧‧‧第一側緣 112‧‧‧第二側緣 113‧‧‧第三側緣 114‧‧‧第四側緣 2‧‧‧輻射單元 21‧‧‧饋入部 211、212‧‧‧端 22‧‧‧第一輻射部 221‧‧‧第一段 222‧‧‧第二段 23‧‧‧第二輻射部 230‧‧‧槽孔 231‧‧‧第三段 232‧‧‧第四段 233‧‧‧第一延伸段 24‧‧‧第三輻射部 241‧‧‧第五段 242‧‧‧第六段 243‧‧‧第二延伸段 25‧‧‧第一電容結構 26‧‧‧第二電容結構

本新型之其他的特徵及功效，將於參照圖式的實施方式中清楚地顯示，其中：圖1是本新型雙電容共伴天線的一實施例的正面構造示意圖；圖2是本實施例的背面構造示意圖；圖3是本實施例的返回損失實測數據圖；及圖4是本實施例的天線效率實測數據圖。

Claims

一種雙電容共伴天線，包括：一絕緣基板，具有一第一面；及一輻射單元，設在該第一面上並包含：一饋入部，具有相反的兩端；一第一輻射部，其具有由該饋入部的一端朝相反方向延伸的一第一段及一第二段；一第二輻射部，其具有由該饋入部的另一端朝相反方向延伸的一第三段及一第四段，且該第三段與該第一段部分相貼近，而於兩者之間形成一第一電容結構；以及一第三輻射部，其與該第二段部分相貼近，而於兩者之間形成一第二電容結構。
如請求項1所述的雙電容共伴天線，其中該第一輻射部由該饋入部的一端沿該第一面的一第一側緣朝相反方向延伸，而形成沿該第一側緣延伸的該第一段及該第二段，且該第一段還延伸至該第一面之與該第一側緣的一端相連的一第二側緣。
如請求項2所述的雙電容共伴天線，其中該第二輻射部由該饋入部的另一端沿該第一面的一與該第一側緣相對的第三側緣朝相反方向延伸，而形成沿該第三側緣延伸的該第三段及該第四段，且該第三段與該第一輻射部的該第一段位於該饋入部的一側，該第四段與該第一輻射部的該第二段位於該饋入部的另一側；其中該第三段還沿該第一面的該第二側緣延伸並與該第一段部分相貼近，而於兩者之間形成該第一電容結構。
如請求項2所述的雙電容共伴天線，其中該第三輻射部具有一第五段及一第六段，該第五段沿一與該第一面的該第一側緣的另一端相連的第四側緣延伸，該第六段由該第五段朝該第四段方向延伸，且該第五段及該第六段與該第二段部分相貼近，而於其間形成該第二電容結構。
如請求項1至4其中任一項所述的雙電容共伴天線，其中該第二輻射部還具有一第一延伸段，其設在該絕緣基板之與該第一面相反的第二面且透過該絕緣基板上的一貫孔與該第三段連接。
如請求項5所述的雙電容共伴天線，其中該第三輻射部還具有一第二延伸段，其設在該第二面且透過該絕緣基板上的一貫孔與該第五段連接。
如請求項1至4其中任一項所述的雙電容共伴天線，其中該第四段靠近該饋入部的一端還形成一槽孔。
如請求項1至4其中任一項所述的雙電容共伴天線，其中該輻射單元是形成在具有該絕緣基板的FR-4印刷電路板上。