TWM575639U

TWM575639U - Sound membrane structure

Info

Publication number: TWM575639U
Application number: TW107212031U
Authority: TW
Inventors: 陳建盛; 李濠志; 李維仁
Original assignee: 輔仁大學學校財團法人輔仁大學
Priority date: 2018-09-03
Filing date: 2018-09-03
Publication date: 2019-03-11

Abstract

一種音膜結構，其中該音膜結構係置放於一發聲裝置內部，而該發聲裝置係至少包含有一框架、一設於該框架中之音膜結構及一懸邊，該懸邊之內周緣係連接該音膜結構，而該懸邊之外周緣係連接該框架，其中該音膜結構係包含一振膜本體及一至少一個四吡咯化合物層，該四吡咯化合物層係結合於該振膜本體之表面上，而該四吡咯化合物層之使用將能夠達到修飾10-20KHz之音質的表現效果。

Description

音膜結構

本創作是有關一種音膜結構，特別是指一種能夠修飾音質表現之音膜結構。

揚聲器，係一種將電能轉換為聲音的裝置。揚聲器之結構具有一框架、一磁性組件、一振膜及一懸邊等。該懸邊係連接該振膜及該框架，使振膜得以於框架上振動，並藉由磁性組件產生的磁力推動振膜而產生聲音。

當振膜振動時，所產生之振波係沿著振膜向外傳達到懸邊，然而，大多數的揚聲器難以將懸邊及振膜的阻抗作適當的匹配，該振波行進至該懸邊時，仍無法確實地消除該振波的能量，使得該振波再度反彈至該振膜中，從而產生餘振波。

而目前對於電腦揚聲器及手機揚聲器更是主要發展方向，以蘋果電腦來講，對於揚聲器的主要評鑑條件是環保，因此，製作流程不能使用毒化物及鹵化物，而不同振膜材料說明如下：

(1)振膜是編織天然布膜，其中，最高檔的原料主體是蠶絲布，其主體是蠶所吐出的蛋白質絲，缺點是售價高昂，此類產品應用於超高單價的單體揚聲器。

(2)振膜是編織人造布膜，此類別的商品，是多數殷實的傳統產業，應用傳統的製作流程。

(3)振膜是高分子膜，生物無法分解，音質表現稍差，實用級商品。

而進一步使用頻譜儀分析，先使用沒有結合四吡咯化合物層之揚聲器進行分析，如第4A圖所示，於10~20kHz的高頻區域之間，其高音分貝會產生持續陡降，因此，其音質表現非常不穩定，而到20kHz時，可以發現高音分貝持續下降的趨勢並未停止。

因此，然而不論是哪一種材料所製成的振模，為了市場的要求，音質的表現是非常重要的，而以目前市面上的材料來看，當頻率介於10-20KHz時，其音質表現非常不穩定，尤其是10-20KHz這個區間，其聲音越來越小聲的幅度將會變得很明顯，然而為了克服上述問題，本申請案透過於振膜表面上結合至少一個四吡咯化合物層，經過頻譜分析，明顯能夠將聲音陡降的幅度趨緩，使其維持一穩定分貝數，因此將能夠達到修飾10-20KHz之音質的效果，如此應為一最佳解決方案。

本創作之音膜結構，其中該音膜結構係置放於一發聲裝置內部，而該發聲裝置係至少包含有一框架、一設於該框架中之音膜結構及一懸邊，該懸邊之內周緣係連接該音膜結構，而該懸邊之外周緣係連接該框架，其中該音膜結構係包含一振膜本體；至少一個四吡咯化合物層，係用以結合於該振膜本體之表面上，而該四吡咯化合物層之厚度係小於該振膜本體之厚度。

更具體的說，所述四吡咯化合物層之重量係為60~140μg/cm²。

更具體的說，所述振膜本體係能夠為高分子膜、高分子布或是編織布。

更具體的說，所述四吡咯化合物層係為卟吩、紫質、銅葉綠素鈉或是鎂葉綠素鈉所形成之複合配方。

更具體的說，所述發聲裝置係為揚聲器、音箱或耳機裝置。

1‧‧‧音膜結構

11‧‧‧振膜本體

12‧‧‧四吡咯化合物層

2‧‧‧懸邊

3‧‧‧揚聲器

31‧‧‧框架

4‧‧‧耳機結構

41‧‧‧外殼

42‧‧‧耳罩

43‧‧‧框架

[第1圖]係本創作用於揚聲器之結構示意圖。

[第2圖]係本創作音膜結構之與揚聲器結合示意圖。

[第3圖]係本創作音膜結構之與耳機結合示意圖。

[第4A圖]係習用沒有結合四吡咯複合化合物之振膜頻譜分析示意圖。

[第4B圖]係本創作音膜結構之第一實施之振膜頻譜分析示意圖。

[第4C圖]係本創作音膜結構之第二實施之振膜頻譜分析示意圖。

有關於本創作其他技術內容、特點與功效，在以下配合參考圖式之較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。

請參閱第1圖，為本創作之音膜結構之結構示意圖，如圖中所示，該音膜結構1係包含一振膜本體11及至少一個四吡咯化合物層12，其中該四吡咯化合物層2係用以結合於該振膜本體11之表面上，而該振膜本體11凸起部位上的四吡咯化合物層12之厚度係高於兩側之厚度，且該四吡咯化合物層12之厚度係小於該振膜本體11之厚度；其中該振膜本體11係能夠為高分子膜、高分子布或是編織布，而該四吡咯化合物層12係為卟吩(Porphine)、銅葉綠素鈉(Sodium Copper Chlorophyllin)或是鎂葉綠素鈉(Sodium Magnesium Chlorophyllin)所形成，其中該卟吩、銅葉綠素鈉與鎂葉綠素鈉都是屬於四吡咯化合物(Tetrapyrrole)。

其中該音膜結構1之振膜本體11外周緣係與一環形的懸邊2相結合，而當該音膜結構1應用於一揚聲器3時，如第2圖所示，該揚聲器3係至少包含一框架31，其中該音膜結構1係設置於該框架31中，而該懸邊2外周緣係連接於該框架31，而該懸邊2內周緣則連接該音膜結構1，其中該音膜結構1係利用該懸邊2之撓性而可於框架31上振動。

而該音膜結構1更能夠應用於一耳機結構4，如第3圖所示，該耳機結構4係具有一外殼41及一耳罩42，而該外殼41與該耳罩42之間的空間內具有一空間，該空間內係至少具有一框架43，其中該音膜結構1係設置於該框架43中，而該懸邊2外周緣係連接於該框架43，而該懸邊2內周緣則連接該音膜結構1，其中該音膜結構1係利用該懸邊2之撓性而可於框架43上振動；另外，為了使該揚聲器3能夠正常運作，該揚聲器3更有其他構件(例如磁鐵、線圈、彈波等等)，以磁鐵與線圈來講，主要是係裝設於該框架與該音膜結構之間，藉以產生相吸或相斥的磁力，並使其磁力壓縮空氣產生音波，而可推動該音膜結構在該線圈之軸向上運動，而該彈波主要功能是對整體的振動系統起一個支撐定位的作用，除了上述構件之外，發聲裝置因不同功能而有些許構件的差異，因此本申請案並不特別詳述習用發聲裝置之結構，僅要具有振膜之發聲裝置皆屬本申請案保護之範圍。

而於本申請案之第一實施例中，該四吡咯化合物層12係由卟吩所形成(本實施例中所使用的卟吩重量為100μg/cm²，但四吡咯化合物層之重量亦能夠為60、65、70、75、80、85、90、95、100、105、110、115、120、125、130、135或140μg/cm²)，並再進行頻譜儀分析，如第4B圖所示，與習知第4A圖相較之下，當10~20kHz的高頻區域之間，亦會產生陡降現象，但是其頻率到20kHz時，高音分貝將會停留於-36dB處，因此，該卟吩所形成的四吡咯化合物層12將能夠對10~20kHz的高頻區域之高音衰減狀態達到遏止的效果。

而於本申請案之第二實施例中，該四吡咯化合物層12係由銅葉綠素鈉所形成(本實施例中所使用的銅葉綠素鈉重量為100μg/cm²，但四吡咯化合物層之重量亦能夠為60、65、70、75、80、85、90、95、100、105、110、115、120、125、130、135或140μg/cm²)，並再進行頻譜儀分析，如第4C圖所示，與習知第4A圖相較之下，當10~20kHz的高頻區域之間，亦會產生陡降現象，但陡降趨勢並不是持續一直向下降，而高音頻率到20kHz時，高音分貝將會停留於-40dB處，因此該銅葉綠素鈉所形成的四吡咯化合物層12將能夠對10~20kHz的高頻區域之高音衰減狀態達到遏止的效果。

另外，本案可添加金屬離子，用以更緊密該四吡咯化合物層12與該振膜本體11結合，其中該金屬離子可為鍶、錳、鋅、銅、銀或金。

本創作所提供之音膜結構，與其他習用技術相互比較時，其優點如下：

(1)本創作能夠於振膜表面上結合至少一個四吡咯化合物層，經過頻譜分析，本創作將能夠達到修飾10-20kHz之高音音質的效果。

(2)本創作於振膜表面上結合至少一個四吡咯化合物層，於10~20kHz的高頻區域之間時，除了能夠減緩高音分貝的緩降程度之外，更能夠避免聲音越降越低的情況發生。

本創作已透過上述之實施例揭露如上，然其並非用以限定本創作，任何熟悉此一技術領域具有通常知識者，在瞭解本創作前述的技術特徵及實施例，並在不脫離本創作之精神和範圍內，不可作些許之更動與潤飾，因此本創作之專利保護範圍須視本說明書所附之請求項所界定者為準。

Claims

一種音膜結構，係置放於一發聲裝置內部，該發聲裝置係至少包含有一框架、一設於該框架中之音膜結構及一懸邊，該懸邊之內周緣係連接該音膜結構，而該懸邊之外周緣係連接該框架，其中該音膜結構係包含：一振膜本體；至少一個四吡咯化合物層，係用以結合於該振膜本體之表面上，而該四吡咯化合物層之厚度係小於該振膜本體之厚度。
如請求項1所述之音膜結構，其中該四吡咯化合物層之重量為60~140μg/cm²。
如請求項1所述之音膜結構，其中該振膜本體係能夠為高分子膜、高分子布或是編織布。
如請求項1所述之音膜結構，其中該四吡咯化合物層係為卟吩所形成。
如請求項1所述之音膜結構，其中該四吡咯化合物層係為銅葉綠素鈉所形成。
如請求項1所述之音膜結構，其中該發聲裝置係為揚聲器、音箱或耳機裝置。