TWM567962U - Antenna device - Google Patents
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Abstract
本新型揭示一種天線裝置,包括:設置一基板的一表面之上的一高頻導電段、一接地電極、二第一低頻導電段、二第一彎折導電段、二第二低頻導電段、與一第二彎折導電段,以及設置在該基板的另一表面之上的一覆蓋電極。本新型的技術特徵在於利用高頻導電段所具有的一面積擴增部與兩組第一低頻導電段之間的水平電性耦合來增加天線裝置於低頻訊號的傳輸頻寬。進一步地,再利用覆蓋電極隔著基板覆蓋部分的該第二彎折導電段、全部的該接地電極、部分的訊號輸入部、以及部份的該二第一低頻導電段的方式來達成垂直電性耦合,藉此提升此天線裝置於傳輸低頻訊號的天線效率。
Description
本新型係關於天線結構的相關技術領域,尤指具高效能、高頻寬、與低駐波電壓比(Voltage standing wave ratio, VSWR)等優點的一種天線裝置。
隨著物聯網與雲端運算科技的逐漸成熟,無線通訊產業在這些年也跟著蓬勃發展,最佳的證明是人們日常生活的各種電子產品或家電產品也都已經被賦予無線傳輸之功能。必須特別說明的是,這些具有無線連網功能的電子產品或家電產品通常透過無線網路基地台(WiFi access point (AP))或無線網路路由器(WiFi router)連上互聯網(Internet)。此外,由於第4代(4G)行動通訊技術已經發展成熟且第5代(5G)行動通訊技術也即將被導入使用,除了將乙太網路訊號轉換成WiFi訊號之外,無線網路基地台(或路由器)也進一步地被設計成可以直接將4G、4G LTE、5G之行動通訊的無線訊號轉換成WiFi訊號。
必須知道的是,目前台灣政府釋出的4G LTE包含1800Mhz(Band3)、900Mhz(Band8)、與700MHz(Band 28)這三個主要頻段。其中,900Mhz與700MHz都是屬於低頻訊號(<1 GHZ),且其無線訊號主要具有以下特徵:波長長、無方向性、功率傳送增益大、與繞射能力強。相反地,1800Mhz則屬於高頻訊號,且其無線訊號主要具有以下特徵:波長短、有方向性(指向性)、無線訊號的穿透力強但衰減大、與繞射能力差。因此,為了使得無線網路基地台(或路由器)可以基於1800Mhz、900Mhz、與700MHz之中的至少兩種頻段來有效率地收/發無線訊號,台灣新型專利號M498974係揭示了一種天線裝置。
圖1顯示台灣新型專利號M498974所揭示的天線裝置的上視圖。如圖1所示,該天線裝置2’係包括:一基板20’、由一第一輻射部211’與一第二輻射部212’所組成的一輻射電極21’、一高頻導電路徑22’、圍繞該高頻導電路徑22’的二第一低頻導電路徑23’、以及圍繞該第一低頻導電路徑23’的二第二低頻導電路徑24’。特別地,該高頻導電路徑22’之上係形成有一匹配導電路徑25’,且該匹配導電路徑25’的兩端係連接該二第一低頻導電路徑23’。另一方面,該第二低頻導電路徑24’之上係形成複數個彎折導電路徑241’,且該些彎折導電路徑241’係隔著該第一低頻導電路徑23’而相對於該匹配導電路徑25’。實際應用此天線裝置2’之時,係將一高頻連接器3’的一訊號輸入端子31’電連接至該高頻導電路徑22’的一訊號饋入端221’,並同時將該高頻連接器3’的接地端子32’電連接至一接地端231’;其中,該接地端231’係位於兩個第一低頻導電路徑23’的聯接處,並相對於該訊號饋入端221’。
台灣新型專利號M498974所揭示的天線裝置2’於電壓駐波比(Voltage standing wave ratio, VSWR)方面顯示出優秀的特性,整理於下表(1)之中。 表(1)
<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> 頻率 (GHz) </td><td> VSWR </td></tr><tr><td> 0.7 </td><td> ~3 </td></tr><tr><td> 0.96 </td><td> ~2.4 </td></tr><tr><td> 1.7 </td><td> ~2.4 </td></tr><tr><td> 1.9 </td><td> ~2.5 </td></tr><tr><td> 2.0 </td><td> ~2.2 </td></tr></TBODY></TABLE>
雖然台灣新型專利號M498974所揭示的天線裝置2’於電壓駐波比方面顯示出優秀的特性,但是其並無特別揭示天線效率的有關量測數據。根據文獻一的記載,平面天線的天線效率之最低標準為40%。於此,文獻一指的是: Chu et.al, “Planar Printed Strip Monopole With a Closely-Coupled Parasitic Shorted Strip for Eight-Band LTE/GSM/UMTS Mobile Phones”, IEEE TRANSACTIONS ON ANTENNAS AND PROPAGATION, 58(10)(2010), pp. 3426-3432。另一方面,台灣新型專利號M498974特別以不同形狀比例的第一輻射部211’與第二輻射部212’組成輻射電極21’,又同時在高頻導電路徑22’之上形成有匹配導電路徑25’並於第二低頻導電路徑24’之上形成有複數個彎折導電路徑241’;熟悉電路板的電極設計與蝕刻的工程師應該知道,過於複雜的電極走線設計可能導致所述天線裝置2’於批次製造上的良率問題。
由此可知,雖然台灣新型專利號M498974揭示了相當具有未來應用潛力的一組天線裝置2’,但是該天線裝置2’仍具有許多實務面的缺陷與不足。有鑑於此,本案之創作人係極力加以研究創作,而終於研發完成本新型之一種天線裝置。
本新型之主要目的在於提出一種天線裝置,包括:設置一基板的一表面之上的一高頻導電段、一接地電極、二第一低頻導電段、二第一彎折導電段、二第二低頻導電段、與一第二彎折導電段,以及設置在該基板的另一表面之上的一覆蓋電極。本新型的技術特徵在於利用高頻導電段所具有的一面積擴增部與兩組第一低頻導電段之間的水平電性耦合來增加天線裝置於低頻訊號的傳輸頻寬。進一步地,再利用覆蓋電極隔著基板覆蓋該第二彎折導電段、全部的該接地電極、部分的該訊號輸入部、以及部份的該二第一低頻導電段的方式來達成垂直電性耦合,藉此提升此天線裝置於傳輸低頻訊號的天線效率。
值得說明的是,實驗數據係證實,本新型之天線裝置於高頻與低頻的電壓駐波比(Voltage standing wave ratio, VSWR)皆顯示出優秀的特性。同時,實驗數據亦證實,本新型之天線裝置不僅於傳輸高頻訊號之時能夠維持高天線效率,同時於傳輸低頻訊號之時的天線效率也大於65%,遠遠優於規範的40%。
為了達成上述本新型之主要目的,本案之創作人係提供所述天線裝置的一實施例,係包括: 一基板; 一輻射電極,係形成於該基板的一頂部表面之上; 一高頻導電段,係形成於該基板的該頂部表面之上;其中,該高頻導電段的一端係連接該輻射電極,且其另一端則作為一訊號輸入部; 一接地電極,係形成於該基板的該頂部表面之上,並與該訊號輸入部相距一第一間隙; 二第一低頻導電段,係形成於該基板的該頂部表面之上,並分別以相距一第二間隙的方式位於該高頻導電段的兩側;並且,該二第一低頻導電段係以其一端分別連接該接地電極的兩端側; 二第一彎折導電段,係形成於該基板的該頂部表面之上,並分別以相距該第二間隙的方式位於該高頻導電段的兩側;並且,每個第一彎折導電段係以其一端連接至每個第一低頻導電段的另一端; 二第二低頻導電段,係形成於該基板的該頂部表面之上,並且每個第二低頻導電段係與每個第一低頻導電段相距一第三間隙;並且,每個第二低頻導電段係以其一端連接每個第一彎折導電段的另一端; 一第二彎折導電段,係形成於該基板的該頂部表面之上,並與該接地電極相距一第四間隙;其中,該第二彎折導電段的兩端係分別連接至該二第二低頻導電段的另一端;以及 一覆蓋電極,係形成於該基板的一底部表面之上,並隔著該基板而覆蓋部分的該第二彎折導電段、全部的該接地電極、部分的該訊號輸入部、以及部份的該二第一低頻導電段; 其中,該基板之上更設有複數個貫穿孔,使得該第二彎折導電段與該覆蓋電極透過該複數個貫穿孔而電性連接; 其中,該高頻導電段更包括一面積擴增部,且該面積擴增部與該訊號輸入部之間相距一第五間隙,並與每個第一低頻導電段之間相距一第六間隙。
為了能夠更清楚地描述本新型所提出之一種天線裝置,以下將配合圖式,詳盡說明本新型之較佳實施例。
請參閱圖2與圖3,係分別顯示本新型之一種天線裝置的上視圖與底視圖。並且,請同時參閱圖4,係顯示本新型之天線裝置的立體分解圖。如圖所示,本新型之天線裝置1係於結構上包括:一基板10、一輻射電極11、一高頻導電段12、一接地電極13、二第一低頻導電段14、二第一彎折導電段15、二第二低頻導電段16、一第二彎折導電段17、以及一覆蓋電極CE。其中,該輻射電極11係包括:一第一輻射部113、連接該第一輻射部113的一第二輻射部112、與連接該第二輻射部112的一第三輻射部111。特別地,第三輻射部111係以其一第一端側連接該第二輻射部112,並同時以一第二端側連接該高頻導電段12。
請再繼續同時參閱圖5與圖6,係顯示輻射電極、高頻導電段、接地電極、第一低頻導電段、第一彎折導電段、第二低頻導電段、第二彎折導電段、與覆蓋電極的平面圖。特別解釋的是,圖5所顯示的該輻射電極11、該高頻導電段12、該接地電極13、該二第一低頻導電段14、該二第一彎折導電段15、該二第二低頻導電段16、與該第二彎折導電段17係利用網點填滿,而覆蓋電極CE則以白色填滿。另一方面,圖6所顯示的該輻射電極11、該高頻導電段12、該接地電極13、該二第一低頻導電段14、該二第一彎折導電段15、該二第二低頻導電段16、與該第二彎折導電段17則是以純線條表示,而覆蓋電極CE以虛線表示。圖5與圖6的呈現方式是為了令電子工程師能夠更加容易地理解本新型之天線裝置1的技術特徵。
根據本新型之設計,該輻射電極11係形成於該基板10的一頂部表面之上,且該覆蓋電極CE則形成於該基板10的一底部表面之上。由於基板10本身具有兩個表面,因此此兩個表面可以被視為上(頂部)表面與下(底部)表面。然而,此處所謂的“上”實為“下”的相對詞;簡單地說,若輻射電極11形成於基板10的一表面之上,那麼覆蓋電極CE必須相對於該輻射電極11而形成於基板10的另一表面之上。
承上述,高頻導電段12係形成於該基板10的頂部表面之上;其中,該高頻導電段12的一端係連接該輻射電極11,且其另一端則作為一訊號輸入部121。並且,接地電極13係形成於該基板10的該頂部表面之上,並與該訊號輸入部121相距一第一間隙。另一方面,二個第一低頻導電段14皆形成於基板10的頂部表面之上,並分別以相距一第二間隙的方式位於該高頻導電段12的兩側;同時,該二第一低頻導電段14係以其一端分別連接該接地電極13的兩端側。如圖所示,該二第一彎折導電段15皆形成於基板10的頂部表面之上,並分別以相距該第二間隙的方式位於該高頻導電段12的兩側;並且,每個第一彎折導電段15係以其一端連接至每個第一低頻導電段14的另一端。
再者,根據本新型之設計,該二第二低頻導電段16係形成於基板10的頂部表面之上,並且每個第二低頻導電段16係與每個第一低頻導電段14相距一第三間隙。如圖所示,特別地,每個第二低頻導電段16係以其一端連接每個第一彎折導電段15的另一端。另一方面,該第二彎折導電段17係形成於基板10的頂部表面之上,並與該接地電極13相距一第四間隙;其中,該第二彎折導電段17的兩端係分別連接至該二第二低頻導電段16的另一端。值得注意的是,形成於基板10之底部表面的該覆蓋電極CE係隔著基板10而覆蓋部分的該第二彎折導電段17、全部的該接地電極13、部分的該訊號輸入部121、以及部份的該二第一低頻導電段14。此外,該基板10之上更設有複數個貫穿孔101,使得該第二彎折導電段17與該覆蓋電極CE透過該複數個貫穿孔101而電性連接。
根據本新型之設計,該高頻導電段12更包括一面積擴增部122,且該面積擴增部122與該訊號輸入部121之間相距一第五間隙,並與每個第一低頻導電段14之間相距一第六間隙。就所提到的電極之間的間隙、電極的長度、或電極的寬度而言,於設計上係令第三間隙大於第二間隙,令第四間隙大於第一間隙,令第六間隙大於第二間隙,令第五間隙的長度短於該高頻導電段12的面積擴增部122的長度,令第二輻射部112的寬度小於該第一輻射部113,並令第三輻射部111的該第一端側的寬度係大於該第二端側的寬度。另一方面,就電極或導電段的面積部分而言,於設計上係令第一彎折導電段15的面積大於該高頻導電段12的該面積擴增部122,令第二彎折導電段17的面積亦大於該面積擴增部122,並令該訊號輸入部121的面積與該面積擴增部122的面積相同。同時,令第一低頻導電段14受到該覆蓋電極CE所覆蓋的面積小於該訊號輸入部121受到該覆蓋電極CE所覆蓋的面積,且令第二彎折導電段17受到該覆蓋電極CE所覆蓋的面積大於該訊號輸入部121受到該覆蓋電極CE所覆蓋的面積。
繼續地參閱圖2至圖6,並請同時參閱圖7所顯示的殼體與高頻電連接器的立體圖。如圖所示,實際應用本新型之天線裝置1之時,係將一高頻電連接器HF的一訊號輸入端子HF1電性連接至該高頻導電段12的該訊號輸入部121,並同時將該高頻電連接器HF的一接地端子HF2電性連接至該接地電極13。接著,利用該殼體HS將該基板10、該輻射電極11、該高頻導電段12、該接地電極13、該二第一低頻導電段14、該二第一彎折導電段15、該二第二低頻導電段16、該第二彎折導電段17、該覆蓋電極CE、該訊號輸入端子HF1、以及該接地端子HF2容置於其中。
技術特徵
如圖2所示,本新型的技術特徵係利用高頻導電段12的面積擴增部122與兩組第一低頻導電段14之間的水平電性耦合來增加天線裝置1於低頻訊號的傳輸頻寬。進一步地,再利用覆蓋電極CE隔著基板10覆蓋該第二彎折導電段17、全部的該接地電極13、部分的該訊號輸入部121、以及部份的該二第一低頻導電段14的方式來達成垂直電性耦合,藉此提升此天線裝置1於傳輸低頻訊號的天線效率。
實驗數據
圖8係顯示頻率相對於VSWR的曲線圖。由圖8的實驗數據可以輕易得知,本新型之天線裝置1於高頻與低頻的電壓駐波比(Voltage standing wave ratio, VSWR)皆顯示出優秀的特性。進一步地,下表(2)整理了本新型之天線裝置1於不同頻率下所表現出的電壓駐波比與天線效率之數值。由表(2)的實驗數據可知,本新型之天線裝置1不僅於傳輸高頻訊號之時能夠維持高天線效率,同時於傳輸低頻訊號之時的天線效率也大於65%,遠遠優於規範的40%。 表(2)
<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> 頻率 (MHz) </td><td> 效率 (%) </td><td> VSWR </td></tr><tr><td> 704 </td><td> 85.04 </td><td> 2.22 </td></tr><tr><td> 716 </td><td> 81.75 </td><td> 1.91 </td></tr><tr><td> 734 </td><td> 83.19 </td><td> 2.08 </td></tr><tr><td> 746 </td><td> 85.59 </td><td> 2.26 </td></tr><tr><td> 756 </td><td> 83.36 </td><td> 2.21 </td></tr><tr><td> 777 </td><td> 72.76 </td><td> 1.81 </td></tr><tr><td> 787 </td><td> 69.8 </td><td> 1.56 </td></tr><tr><td> 824 </td><td> 75.88 </td><td> 1.6 </td></tr><tr><td> 849 </td><td> 65.57 </td><td> 1.34 </td></tr><tr><td> 869 </td><td> 65.13 </td><td> 1.56 </td></tr><tr><td> 894 </td><td> 75.6 </td><td> 2.07 </td></tr><tr><td> 1710 </td><td> 70.71 </td><td> 2.07 </td></tr><tr><td> 1755 </td><td> 82.52 </td><td> 2.85 </td></tr><tr><td> 1850 </td><td> 83.79 </td><td> 2.91 </td></tr><tr><td> 1910 </td><td> 81.94 </td><td> 2.77 </td></tr><tr><td> 1930 </td><td> 84.22 </td><td> 2.79 </td></tr><tr><td> 1990 </td><td> 82.86 </td><td> 2.62 </td></tr><tr><td> 2110 </td><td> 89.6 </td><td> 3.52 </td></tr><tr><td> 2115 </td><td> 83.67 </td><td> 3.25 </td></tr></TBODY></TABLE>
如此,上述係已完整且清楚地說明本新型之天線裝置;並且,經由上述可知本新型係具有下列之優點:
(1)本新型揭示一種天線裝置1,包括:設置一基板10的一表面之上的一高頻導電段12、一接地電極13、二第一低頻導電段14、二第一彎折導電段15、二第二低頻導電段16、與一第二彎折導電段17,以及設置在該基板10的另一表面之上的一覆蓋電極CE。本新型的技術特徵在於利用高頻導電段12所具有的一面積擴增部122與兩組第一低頻導電段14之間的水平電性耦合來增加天線裝置1於低頻訊號的傳輸頻寬。進一步地,再利用覆蓋電極CE隔著基板10覆蓋該第二彎折導電段17、全部的該接地電極13、部分的該訊號輸入部121、以及部份的該二第一低頻導電段14的方式來達成垂直電性耦合,藉此提升此天線裝置1於傳輸低頻訊號的天線效率。
(2)並且,實驗數據係證實,本新型之天線裝置1於高頻與低頻的電壓駐波比(Voltage standing wave ratio, VSWR)皆顯示出優秀的特性。同時,實驗數據亦證實,本新型之天線裝置1不僅於傳輸高頻訊號之時能夠維持高天線效率,同時於傳輸低頻訊號之時的天線效率也大於65%,遠遠優於規範的40%。
必須加以強調的是,上述之詳細說明係針對本新型可行實施例之具體說明,惟該實施例並非用以限制本新型之專利範圍,凡未脫離本新型之技藝精神所為之等效實施或變更,均應包含於本案之專利範圍中。
<本新型>
1‧‧‧天線裝置
10‧‧‧基板
11‧‧‧輻射電極
12‧‧‧高頻導電段
13‧‧‧接地電極
14‧‧‧第一低頻導電段
15‧‧‧第一彎折導電段
16‧‧‧第二低頻導電段
17‧‧‧第二彎折導電段
CE‧‧‧覆蓋電極
113‧‧‧第一輻射部
112‧‧‧第二輻射部
111‧‧‧第三輻射部
121‧‧‧訊號輸入部
122‧‧‧面積擴增部
HF‧‧‧高頻電連接器
HF1‧‧‧訊號輸入端子
HF2‧‧‧接地端子
HS‧‧‧殼體
101‧‧‧貫穿孔
<習知>
2’‧‧‧天線裝置
20’‧‧‧基板
211’‧‧‧第一輻射部
212’‧‧‧第二輻射部
21’‧‧‧輻射電極
22’‧‧‧高頻導電路徑
23’‧‧‧第一低頻導電路徑
24’‧‧‧第二低頻導電路徑
25’‧‧‧匹配導電路徑
241’‧‧‧彎折導電路徑
221’‧‧‧訊號饋入端
231’‧‧‧接地端
3’‧‧‧高頻連接器
31’‧‧‧訊號輸入端子
32’‧‧‧接地端子
圖1係顯示台灣新型專利號M498974所揭示的天線裝置的上視圖; 圖2係顯示本新型之一種天線裝置的上視圖; 圖3係顯示本新型之天線裝置的底視圖; 圖4係顯示本新型之天線裝置的立體分解圖; 圖5係顯示輻射電極、高頻導電段、接地電極、第一低頻導電段、第一彎折導電段、第二低頻導電段、第二彎折導電段、與覆蓋電極的平面圖; 圖6係顯示輻射電極、高頻導電段、接地電極、第一低頻導電段、第一彎折導電段、第二低頻導電段、第二彎折導電段、與覆蓋電極的平面圖; 圖7係顯示殼體與高頻電連接器的立體圖;以及 圖8係顯示頻率相對於VSWR的曲線圖。
Claims (9)
- 一種天線裝置,係包括: 一基板; 一輻射電極,係形成於該基板的一頂部表面之上; 一高頻導電段,係形成於該基板的該頂部表面之上;其中,該高頻導電段的一端係連接該輻射電極,且其另一端則作為一訊號輸入部; 一接地電極,係形成於該基板的該頂部表面之上,並與該訊號輸入部相距一第一間隙; 二第一低頻導電段,係形成於該基板的該頂部表面之上,並分別以相距一第二間隙的方式位於該高頻導電段的兩側;並且,該二第一低頻導電段係以其一端分別連接該接地電極的兩端側; 二第一彎折導電段,係形成於該基板的該頂部表面之上,並分別以相距該第二間隙的方式位於該高頻導電段的兩側;並且,每個第一彎折導電段係以其一端連接至每個第一低頻導電段的另一端; 二第二低頻導電段,係形成於該基板的該頂部表面之上,並且每個第二低頻導電段係與每個第一低頻導電段相距一第三間隙;並且,每個第二低頻導電段係以其一端連接每個第一彎折導電段的另一端; 一第二彎折導電段,係形成於該基板的該頂部表面之上,並與該接地電極相距一第四間隙;其中,該第二彎折導電段的兩端係分別連接至該二第二低頻導電段的另一端;以及 一覆蓋電極,係形成於該基板的一底部表面之上,並隔著該基板而覆蓋部分的該第二彎折導電段、全部的該接地電極、部分的該訊號輸入部、以及部份的該二第一低頻導電段; 其中,該基板之上更設有複數個貫穿孔,使得該第二彎折導電段與該覆蓋電極透過該複數個貫穿孔而電性連接; 其中,該高頻導電段更包括一面積擴增部,且該面積擴增部與該訊號輸入部之間相距一第五間隙,並與每個第一低頻導電段之間相距一第六間隙。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線裝置,其中,該第三間隙係大於該第二間隙,該第四間隙係大於該第一間隙,且該第六間隙係大於該第二間隙。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線裝置,其中,該第五間隙的長度係短於該面積擴增部的長度。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線裝置,其中,該第一低頻導電段受到該覆蓋電極所覆蓋的面積係小於該訊號輸入部受到該覆蓋電極所覆蓋的面積,且該第二彎折導電段受到該覆蓋電極所覆蓋的面積係大於該訊號輸入部受到該覆蓋電極所覆蓋的面積。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線裝置,其中,該訊號輸入部的面積係與該面積擴增部的面積相同。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線裝置,其中,該輻射電極係包括: 一第一輻射部; 一第二輻射部,係連接該第一輻射部,且其寬度係小於該第一輻射部;以及 一第三輻射部,係以其一第一端側連接該第二輻射部,並同時以一第二端側連接該高頻導電段;其中,該第一端側的寬度係大於該第二端側的寬度。
- 如申請專利範圍第3項所述之天線裝置,其中,該第一彎折導電段的面積係大於該高頻導電段的該面積擴增部,且該第二彎折導電段的面積亦大於該高頻導電段的該面積擴增部。
- 如申請專利範圍第6項所述之天線裝置,其中,該第三輻射部的面積係小於該第二輻射部。
- 如申請專利範圍第1項所述之天線裝置,更包括: 一高頻電連接器,係以其一訊號輸入端子係電性連接至該高頻導電段的該訊號輸入部,且該高頻電連接器的一接地端子係電性連接至該接地電極;以及 一殼體,係用以將該基板、該輻射電極、該高頻導電段、該接地電極、該二第一低頻導電段、該二第一彎折導電段、該二第二低頻導電段、該第二彎折導電段、該覆蓋電極、該訊號輸入端子、以及該接地端子容置於其中。
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TW107207348U TWM567962U (zh) | 2018-06-01 | 2018-06-01 | Antenna device |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW107207348U TWM567962U (zh) | 2018-06-01 | 2018-06-01 | Antenna device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWM567962U true TWM567962U (zh) | 2018-10-01 |
Family
ID=64870883
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107207348U TWM567962U (zh) | 2018-06-01 | 2018-06-01 | Antenna device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWM567962U (zh) |
-
2018
- 2018-06-01 TW TW107207348U patent/TWM567962U/zh unknown
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