TWM567503U - High-frequency RF connecting member and high-frequency RF jumper, board end shielding metal body and board end shielding metal body module - Google Patents

Abstract

一種高頻RF連接構件及其高頻RF跳線、板端屏蔽金屬體與板端屏蔽金屬體模組，係將同軸線纜的線纜中心導體的端末直接電性接觸電路基板而傳遞高頻RF訊號，且針對高頻RF連接構件的結構進行設計，以對高頻RF訊號的傳導提供較為完善的屏蔽環境，進而有效減少高頻RF訊號傳導時受到電磁耦合等干擾，甚至可用於67G Hz頻段以及67G Hz頻段以上的高頻RF訊號的傳導。再者，本創作高頻RF連接構件的板端屏蔽金屬體具有止擋結構，以止擋高頻RF跳線向上離開，使得整體高度相較於現有的RF連接構件大幅度降低，以滿足薄型化RF連接構件的尺寸需求。

Description

高頻RF連接構件及其高頻RF跳線、板端屏蔽金屬體與板端屏蔽金屬體模組

本創作係有關於一種RF連接構件，詳而言之，係關於一種高頻RF連接構件及其高頻RF跳線、板端屏蔽金屬體與板端屏蔽金屬體模組。

按，近幾年以來，RF連接構件被廣泛地應用在各種電子產品上，一般而言，移動式通信裝置的天線模組即由RF連接構件所構成，RF連接構件均會透過RF連接構件的線端連接器，與板端連接器嵌合而傳導RF訊號。

關於板端連接器，如圖1所示，板端連接器2係焊接於電路基板上，且板端連接器2的中間部位設有柱狀體的板端中心端子21與呈圓筒形狀的板端屏蔽端子23，板端屏蔽端子23係環繞板端中心端子21而設置，板端中心端子21的底側延伸出板端中心端子接腳22，板端屏蔽端子23的底側係具有延伸的板端屏蔽端子接腳24，使用時可藉由SMT焊接或其它連接方式，將這些接腳22、24連接於電路基板的指定位置上。關於線端連接器，如圖2所示，線端連接器3包括線端中心端子31及線端屏蔽殼體32，線端中心端子31與同軸線纜的線纜中心導體（即習稱的芯線，未顯示）電性連通，線端屏蔽殼體32與同軸線纜的外部導體（未顯示）電性連通。線端連接器3可嵌合到如圖1所示的板端連接器2，使線端中心端子31與板端中心端子21電性連通，且使線端屏蔽殼體32與板端屏蔽殼體23電性連通，以使得同軸線纜與電路基板的RF訊號連通。

針對現有線端連接器與板端連接器的嵌合過程，請參閱圖3，線端連接器3由上往下移動以嵌合板端連接器2，藉由板端屏蔽端子23與線端屏蔽殼體32間因接觸而產生的干涉力(也稱嵌合力)，而維持線端連接器3與板端連接器2的嵌合（請參閱圖4）。

然，由於近年來移動式通信裝置的薄型化需求，導致線端連接器與其搭配使用的板端連接器的整體高度被不斷地要求降低，舉例來說，線端連接器與板端連接器的整體高度已從最早的3.5mm被要求減少到1.2mm，現在還有1.0mm以下的要求，甚至還有與其他零組件同樣高度的0.60mm要求。所述線端連接器與板端連接器的整體高度越小，雖然越符合電子產品薄型化的發展趨勢，但是卻會因為板端屏蔽端子與線端屏蔽殼體間的接觸面積不足(即干涉高度不足)，而造成連接器間嵌合不到位造成嵌合力不足，導致線端連接器容易在受到外力衝擊時從板端連接器上脫離，而影響電子產品的正常運作，甚至造成電子產品的損壞，這對RF連接構件的設計產生了極大的困難度。

再者，如圖3所示線端屏蔽殼體32存在破孔321使得屏蔽效果不佳，且如圖5及圖6所示同軸線纜5的線纜中心導體51係透過線端連接器4的線端中心端子41傳輸RF訊號而有RF訊號衰減的問題，因此，現有RF連接構件受限於結構設計的屏蔽效果不佳且有訊號衰減的問題而無法傳導高頻的RF訊號，只能用於傳導6G Hz以下頻段例如GPS或WIFI的RF訊號。但依據預定在2020年全面導入的5G世代的WiGig規範可知，RF訊號從15G Hz頻段到55~67G Hz頻段的高頻訊號都會被使用，甚至80G Hz頻段的超高頻RF訊號還會被使用到汽車自動導航上。

因此，開發一種可降低整體高度且可傳導15G Hz頻段以上甚至67GHz頻段以上的RF連接構件有其必要性與急迫性，目前已經成為現在業界亟欲挑戰克服的技術議題。

鑒於上述先前技術之缺點，本創作係提供一種高頻RF連接構件，係包括：一同軸線纜，該同軸線纜係包含有一線纜中心導體、一線纜絕緣體與一線纜屏蔽導體，該線纜中心導體的端末係具有一線纜中心導體端末接觸部；一線端屏蔽金屬體，該線端屏蔽金屬體係包含一線端屏蔽金屬體前端罩與一線端屏蔽金屬體鉚接部，該線端屏蔽金屬體鉚接部係鉚接該線纜屏蔽導體，俾與該線纜屏蔽導體電性連通，該線纜中心導體與該線纜絕緣體係延伸進入該線端屏蔽金屬體前端罩，且該線纜中心導體端末接觸部係延伸出該線纜絕緣體，其中，該線纜絕緣體係電性隔絕該線纜中心導體與該線纜屏蔽導體，且於該線端屏蔽金屬體前端罩內，該線纜絕緣體係電性隔絕該線纜中心導體與該線端屏蔽金屬體前端罩，該線端屏蔽金屬體前端罩係具有一金屬體前端罩凸緣；一板端屏蔽金屬體，該板端屏蔽金屬體係具有一板端屏蔽金屬體鑲入口，該線端屏蔽金屬體前端罩係經由該板端屏蔽金屬體鑲入口，進入該板端屏蔽金屬體，俾使該金屬體前端罩凸緣側向鑲入該板端屏蔽金屬體，且該板端屏蔽金屬體具有一板端屏蔽金屬體止擋結構，該板端屏蔽金屬體止擋結構係凸出於該板端屏蔽金屬體鑲入口的上方，俾可提供阻力止擋該線端屏蔽金屬體前端罩經由該板端屏蔽金屬體鑲入口的上方進出該板端屏蔽金屬體；以及一電路基板，該電路基板係包含有一基板訊號源接觸部與一基板屏蔽迴路，其中，該基板訊號源接觸部與該基板屏蔽迴路兩者之間係電性隔絕，該基板屏蔽迴路係包圍該基板訊號源接觸部，該線纜中心導體端末接觸部係直接電性接觸該基板訊號源接觸部，以傳導高頻的RF訊號到該基板訊號源接觸部；該板端屏蔽金屬體係分別直接電性接觸該線端屏蔽金屬體與該基板屏蔽迴路，使該板端屏蔽金屬體、該線端屏蔽金屬體與該基板屏蔽迴路三者電性連通而形成一屏蔽環境，俾對該線端屏蔽金屬體前端罩提供電性屏蔽。

另外，本創作還提供一種高頻RF跳線，係用於傳導高頻的RF訊號至一電路基板，該電路基板係包含有至少一基板訊號源接觸部，該高頻RF跳線係包括：一同軸線纜，該同軸線纜係包含有一線纜中心導體、一線纜絕緣體與一線纜屏蔽導體，該線纜中心導體的端末係具有一線纜中心導體端末接觸部；以及一線端屏蔽金屬體，該線端屏蔽金屬體係包含一線端屏蔽金屬體前端罩與一線端屏蔽金屬體鉚接部，該線端屏蔽金屬體鉚接部係鉚接該線纜屏蔽導體，俾與該線纜屏蔽導體電性連通，該線纜中心導體與該線纜絕緣體係延伸進入該線端屏蔽金屬體前端罩，且該線纜中心導體端末接觸部係延伸出該線端絕緣體，其中，該線纜絕緣體係電性隔絕該線纜中心導體與該線纜屏蔽導體，且於該線端屏蔽金屬體前端罩內，該線纜絕緣體係電性隔絕該線纜中心導體與該線端屏蔽金屬體前端罩；其中，該線纜中心導體端末接觸部係直接電性接觸該基板訊號源接觸部，以傳導高頻RF訊號到該基板芯線接觸部。

再者，本創作又提供一種與上述高頻RF跳線結構配合的板端屏蔽金屬體，其中，該線端屏蔽金屬體前端罩係具有一金屬體前端罩凸緣，該電路基板還包含有一基板屏蔽迴路，該基板訊號源接觸部與該基板屏蔽迴路兩者之間係電性隔絕，該基板屏蔽迴路係包圍該基板訊號源接觸部，其中，該板端屏蔽金屬體係包括：一板端屏蔽主體鑲入口，其中，該線端屏蔽金屬體前端罩係經由該板端屏蔽主體鑲入口，進入該板端屏蔽主體，俾使該金屬體前端罩凸緣側向鑲入該板端屏蔽金屬體，且該板端屏蔽金屬體具有一板端屏蔽金屬體止擋結構，該板端屏蔽金屬體止擋結構係凸出於該板端屏蔽主體鑲入口的上方，俾可提供阻力止擋該線端屏蔽金屬體前端罩經由該板端屏蔽主體鑲入口的上方進出該板端屏蔽金屬體；該板端屏蔽金屬體係分別直接電性接觸該線端屏蔽金屬體與該基板屏蔽迴路，使該板端屏蔽主體、該線端屏蔽金屬體與該基板屏蔽迴路三者電性連通而形成一屏蔽環境，俾對該線端屏蔽金屬體前端罩提供電性屏蔽。

再一，本創作又提供一種與複數上述高頻RF跳線結構配合的板端屏蔽金屬體模組，其中，該至少一基板訊號源接觸部係為複數基板訊號源接觸部，該板端屏蔽金屬體模組係包括：複數板端屏蔽金屬體模組鑲入口，其中，各該高頻RF跳線的線端屏蔽金屬體前端罩係經由該複數板端屏蔽金屬體模組鑲入口的其中一者，進入該板端屏蔽金屬體模組，俾使各該高頻RF跳線的金屬體前端罩凸緣側向鑲入該板端屏蔽金屬體模組；且該板端屏蔽金屬體具有複數板端屏蔽金屬體止擋結構，各該板端屏蔽金屬體止擋結構係凸出於該複數板端屏蔽金屬體模組鑲入口其中一者的上方，俾可提供阻力止擋各該高頻RF跳線的線端屏蔽金屬體前端罩，經由該複數板端屏蔽金屬體模組鑲入口其中一者的上方，進出該板端屏蔽金屬體模組；該板端屏蔽金屬體模組係分別直接電性接觸各該高頻RF跳線的線端屏蔽金屬體與該基板屏蔽迴路，使該板端屏蔽金屬體模組、該線端屏蔽金屬體與該基板屏蔽迴路三者電性連通而形成一屏蔽環境，俾對各該高頻RF跳線的線端屏蔽金屬體前端罩提供電性屏蔽。

相較於先前技術，本創作的高頻RF連接構件及其高頻RF跳線、板端屏蔽金屬體與板端屏蔽金屬體模組，主要係將同軸線纜的線纜中心導體的端末直接電性接觸電路基板而傳遞高頻RF訊號，且針對高頻RF連接構件的結構進行設計，以對高頻RF訊號的傳導提供較為完善的屏蔽環境，進而有效減少高頻RF訊號傳導時受到電磁耦合等干擾，甚至可用於67G Hz頻段以及67G Hz頻段以上的高頻RF訊號的傳導。再者，本創作高頻RF連接構件的板端屏蔽金屬體具有止擋結構，以止擋高頻RF跳線向上離開，藉以降低高頻RF連接構件的整體高度，以滿足薄型化RF連接構件的尺寸需求，並解決高頻RF連接構件嵌合不到位造成嵌合力不足導致高頻RF跳線脫離失效的問題。

以下內容將搭配圖式，藉由特定的具體實施例說明本創作之技術內容，熟悉此技術之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本創作之其他優點與功效。本創作亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用。本說明書中的各項細節亦可基於不同觀點與應用，在不背離本創作之精神下，進行各種修飾與變更。尤其是，於圖式中各個元件的比例關係及相對位置僅具示範性用途，並非代表本創作實施的實際狀況。

為使揭露內容更為簡潔而容易明瞭，以下針對相同或近似功能的元件將採用相同的符號進行說明，且省略相同或均等特徵的描述。

針對本創作的技術揭露，請參閱圖7至圖28，其中，如圖16至圖18所示，本創作提供有一種高頻RF連接構件1，用以傳導高頻的RF訊號，所述高頻RF連接構件1係包括：高頻RF跳線11、電路基板12與板端屏蔽金屬體13。電路基板12係包含有基板訊號源接觸部121與基板屏蔽迴路122，其中，基板訊號源接觸部121與基板屏蔽迴路122兩者之間係電性隔絕，基板屏蔽迴路122係包圍基板訊號源接觸部121，俾對基板訊號源接觸部121提供屏蔽環境。另外，所述高頻RF連接構件1還包括板端絕緣體16，用以埋設板端屏蔽金屬體13的本體。

如圖7至圖10所示，高頻RF跳線11係至少由同軸線纜111與線端屏蔽金屬體112所組成。於本創作中，同軸線纜111係包含有線纜中心導體1111、線纜絕緣體1112與線纜屏蔽導體1113。線纜中心導體1111的端末係設置有線纜中心導體端末接觸部11111，可選擇性地，如圖19所示的實施例中，線纜中心導體1111的端末係給予一個角度的折彎，使得線纜中心導體端末接觸部11111可在不透過其他導體的情況下，直接電性接觸電路基板12，以避免線纜中心導體1111的高頻RF訊號，在傳導到電路基板12的過程中，因傳導介質的改變而發生訊號衰減，使得本創作的高頻RF連接構件1針對高頻RF訊號的傳導具有優異的性能。

如圖9所示的實施例中，線端屏蔽金屬體112係包含線端屏蔽金屬體前端罩1121與線端屏蔽金屬體鉚接部1122。線端屏蔽金屬體前端罩1121係沿著線纜絕緣體1112端末的周壁延伸，而環抱線纜絕緣體1112端末的周壁，俾對同軸線纜111提供支撐，以確保線纜中心導體端末接觸部11111能夠朝預定方向延伸，而直接電性接觸電路基板14，以將高頻的RF訊號傳導到電路基板14。線端屏蔽金屬體鉚接部1122係鉚接線纜屏蔽導體1113，俾與線纜屏蔽導體1113直接電性接觸，使線端屏蔽金屬體112電性連通同軸線纜111的線纜屏蔽導體1113，如此，本創作的同軸線纜111與線端屏蔽金屬體112係可構成一種與板端屏蔽金屬體13配合的如圖8所示的高頻RF跳線11，藉由同軸線纜111的線纜中心導體1111直接電性接觸電路基板12而傳導高頻RF訊號，並透過線端屏蔽金屬體112的線端屏蔽金屬體前端罩1121，對傳導高頻RF訊號的中心導體端末接觸部11111提供電性屏蔽。

再者，線纜中心導體1111與線纜絕緣體1112係延伸進入線端屏蔽金屬體前端罩1121，且線纜中心導體端末接觸部11111係延伸出線纜絕緣體1112，其中，線纜絕緣體1112係電性隔絕線纜中心導體1111與線纜屏蔽導體1113，俾令線纜中心導體1111與線纜屏蔽導體1113之間不會產生電性短路，且於線端屏蔽金屬體前端罩1121內，線纜絕緣體1112係電性隔絕線纜中心導體1111與線端屏蔽金屬體前端罩1121，俾令線纜中心導體端末接觸部11111與線端屏蔽金屬體前端罩1121之間不會產生電性短路，以確保線纜中心導體端末接觸部11111對高頻RF訊號的傳導。

線端屏蔽金屬體前端罩1121係具有金屬體前端罩凸緣11211，相應地，板端屏蔽金屬體13係具有板端屏蔽金屬體鑲入口133，金屬體前端罩凸緣11211係經由板端屏蔽金屬體鑲入口133進入板端屏蔽金屬體13，俾使金屬體前端罩凸緣11211側向鑲入於板端屏蔽金屬體13，而將高頻RF跳線11的金屬體前端罩凸緣11211鑲設於板端屏蔽金屬體13與電路基板12之間，以讓線纜中心導體端末接觸部11111，可在不透過其他導體的情況下，直接電性接觸基板訊號源接觸部121，以傳導高頻的RF訊號到基板訊號源接觸部121，且讓板端屏蔽金屬體13在不透過其他導體的情況下，分別直接電性接觸線端屏蔽金屬體112與基板屏蔽迴路122，使板端屏蔽金屬體13、線端屏蔽金屬體112與基板屏蔽迴路122三者電性連通而形成一屏蔽環境（所述屏蔽環境於圖20中係以虛線示意），俾對線端屏蔽金屬體前端罩1121提供電性屏蔽，而形成與同軸線纜近似的完整屏蔽架構，以避免線纜中心導體端末接觸部11111傳導高頻RF訊號時，在線端屏蔽金屬體前端罩1121中受到電磁耦合等干擾。

本創作的高頻RF連接構件，主要係透過側向鑲設的操作方式使高頻RF跳線11與板端屏蔽金屬體13的結構配合，此外，如圖17所示的實施例中，板端屏蔽金屬體13還具有板端屏蔽金屬體止擋結構131，此板端屏蔽金屬體止擋結構131係凸出於板端屏蔽金屬體鑲入口133的上方，使得板端屏蔽金屬體鑲入口133上方的口徑尺寸小於金屬體前端罩凸緣11211的徑向尺寸，俾可提供阻力止擋線端屏蔽金屬體前端罩1121，經由板端屏蔽金屬體鑲入口133的上方離開板端屏蔽金屬體13，因此，板端屏蔽金屬體13可有效止擋鑲設的高頻RF跳線11向上離開，使得線纜中心導體端末接觸部11111保持直接電性接觸基板訊號源接觸部121，也使得板端屏蔽金屬體13、線端屏蔽金屬體112與基板屏蔽迴路122三者保持電性連通而形成一屏蔽環境，是以，本創作高頻RF連接構件的高頻RF跳線11與板端屏蔽金屬體13之間不存在，因嵌合不到位造成嵌合力不足導致高頻RF跳線11脫離失效的問題，如此，本創作除可有效降低構件結構設計的複雜度，還可讓整體高度相較於現有的RF連接構件大幅度降低，以滿足薄型化RF連接構件的尺寸要求。

再者，板端屏蔽金屬體13的內壁係具有板端屏蔽金屬體旋轉引導面1321，俾接觸線端屏蔽金屬體前端罩1121，而引導線端屏蔽金屬體前端罩1121相對板端屏蔽金屬體13旋轉，以對高頻RF跳線11進行旋轉操作，如此，高頻RF跳線11就可相對電路基板12旋轉以適應各方位的使用環境。

如圖8至圖10所示，高頻RF連接構件1還包括線端屏蔽補強件15，而線端屏蔽補強件15具有補強件環繞部151與補強件延伸部152，補強件環繞部151係環繞線端屏蔽金屬體前端罩1121的周壁而延伸，而遮蔽線端屏蔽金屬體前端罩1121在製造程序中所生成例如為破孔的缺陷，以避免所述的缺陷破壞由線端屏蔽金屬體前端罩1121所預定形成的屏蔽環境。再者，如圖9所示，補強件延伸部152係延伸至線端屏蔽金屬體鉚接部1122與線纜屏蔽導體1113之間，俾令線端屏蔽金屬體鉚接部1122藉由補強件延伸部152鉚接線纜屏蔽導體1113，如此可鉚接定位線端屏蔽補強件15，還可確保線端屏蔽補強件15、線端屏蔽金屬體前端罩1121與線纜屏蔽導體1113三者電性連通而形成一屏蔽環境，俾增強線端屏蔽金屬體前端罩1121電性屏蔽的性能。

如圖23至圖26所示，針對具有複數基板訊號源接觸部121的電路基板12，本創作提供有一種板端屏蔽金屬體模組14，可與複數前述高頻RF跳線11配合，以提供多個傳導通道傳導高頻的RF訊號，於本創作中，所述板端屏蔽金屬體模組14係包括：複數板端屏蔽金屬體模組鑲入口143，其中，各該高頻RF跳線11的線端屏蔽金屬體前端罩1121，係經由複數板端屏蔽金屬體模組鑲入口143的其中一者，進出板端屏蔽金屬體模組14，俾使各該高頻RF跳線11的金屬體前端罩凸緣11211側向鑲入板端屏蔽金屬體模組14，使得板端屏蔽金屬體模組14係分別直接電性接觸各該高頻RF跳線11的線端屏蔽金屬體112與基板屏蔽迴路122，而讓板端屏蔽金屬體模組14、線端屏蔽金屬體112與基板屏蔽迴路122三者電性連通而形成一屏蔽環境，俾對各該高頻RF跳線11的線端屏蔽金屬體前端罩1121提供電性屏蔽。

再者，板端屏蔽金屬體模組14係具有複數板端屏蔽金屬體模組止擋結構141，各該板端屏蔽金屬體模組止擋結構141係凸出於複數板端屏蔽金屬體模組鑲入口143其中一者的上方，使得板端屏蔽金屬體模組鑲入口143上方的口徑尺寸小於金屬體前端罩凸緣11211的徑向尺寸，俾可提供阻力止擋各該高頻RF跳線11的線端屏蔽金屬體前端罩1121，經由複數板端屏蔽金屬體模組鑲入口143其中一者的上方，進出板端屏蔽金屬體模組14。板端屏蔽金屬體模組14還具有複數板端屏蔽金屬體旋轉引導面142，俾分別接觸各該高頻RF跳線11的線端屏蔽金屬體前端罩1121，而分別引導各該高頻RF跳線11的線端屏蔽金屬體前端罩1121相對所進入的板端屏蔽金屬體模組14旋轉，而使各該高頻RF跳線11的線端屏蔽金屬體前端罩1121得相對該板端屏蔽金屬體13旋轉，如此，可與板端屏蔽金屬體模組14配合的複數前述高頻RF跳線11就可相對電路基板12進行旋轉操作，以適應各方位的使用環境。

關於本創作對高頻RF訊號的傳導效果，請參照圖27與圖28，係分別為圖18與圖26所示高頻RF連接構件傳導高頻RF訊號的S11參數模擬圖，一般來說，S11參數值表示的就是回波損耗，即有多少能量被反射回源端，S11參數值越小越好，現在業界對於傳導67GHz頻段的高頻訊號的S11參數值的規範為-10dB，對此，根據圖27與圖28的揭露可知，本創作在進行100G Hz頻段的高頻RF訊號傳導時，S11參數值已達到小於-10dB的優異表現，亦即，本創作可在傳導100G Hz頻段的高頻RF訊號時，將S11參數值控制在-10dB以下，是以，本創作確實可有效避免高頻RF訊號的傳導發生電磁耦合干擾，而具備優異的高頻RF訊號傳導效果。

綜上所述，本創作的高頻RF連接構件及其高頻RF跳線、板端屏蔽金屬體與板端屏蔽金屬體模組，主要係將同軸線纜的線纜中心導體的端末在不透過其他導體的情況下直接電性接觸電路基板，而將高頻RF訊號由同軸線纜的線纜中心導體直接傳遞到電路基板，且針對高頻RF連接構件的結構進行設計，以對高頻RF訊號的傳導提供完整的屏蔽環境，而避免高頻RF訊號在傳導過程中受到電磁耦合等干擾而衰減，甚至可用於67G Hz頻段以及67G Hz頻段以上的高頻RF訊號的傳導。另外，本創作高頻RF連接構件的板端屏蔽金屬體具有止擋結構，以止擋高頻RF跳線向上離開，使得整體高度相較於現有的RF連接構件大幅度降低，以滿足薄型化RF連接構件的尺寸需求。本創作高頻RF連接構件的板端屏蔽金屬體具有引導面，以引導高頻RF跳線相對電路基板旋轉，以適應各方位的使用環境。

上述實施例僅例示性說明本創作之原理及功效，而非用於限制本創作。任何熟習此項技術之人士均可在不違背本創作之精神及範疇下，對上述實施例進行修飾與改變。因此，本創作之權利保護範圍，應如本創作申請專利範圍所列。

1‧‧‧高頻RF連接構件

11‧‧‧高頻RF跳線

111‧‧‧同軸線纜

1111‧‧‧線纜中心導體

11111‧‧‧線纜中心導體端末接觸部

1112‧‧‧線纜絕緣體

1113‧‧‧線纜屏蔽導體

112‧‧‧線端屏蔽金屬體

1121‧‧‧線端屏蔽金屬體前端罩

11211‧‧‧金屬體前端罩凸緣

1122‧‧‧線端屏蔽金屬體鉚接部

12‧‧‧電路基板

121‧‧‧基板訊號源接觸部

122‧‧‧基板屏蔽迴路

13‧‧‧板端屏蔽金屬體

131‧‧‧板端屏蔽金屬體止擋結構

132‧‧‧板端屏蔽金屬體旋轉引導面

1321‧‧‧板端屏蔽金屬體鑲設引導部

133‧‧‧板端屏蔽金屬體鑲入口

16‧‧‧板端絕緣體

14‧‧‧板端屏蔽金屬體模組

141‧‧‧板端屏蔽金屬體模組止擋結構

142‧‧‧板端屏蔽金屬體模組旋轉引導面

1421‧‧‧板端屏蔽金屬體模組鑲設引導部

143‧‧‧板端屏蔽金屬體模組鑲入口

15‧‧‧線端屏蔽補強件

151‧‧‧補強件環繞部

152‧‧‧補強件延伸部

2‧‧‧板端連接器

21‧‧‧板端中心端子

22‧‧‧板端中心端子接腳

23‧‧‧板端屏蔽殼體

24‧‧‧板端遮蔽端子接腳

3‧‧‧線端連接器

31‧‧‧線端中心端子

32‧‧‧線端屏蔽殼體

321‧‧‧破孔

4‧‧‧線端連接器

41‧‧‧線端中心端子

5‧‧‧同軸線纜

51‧‧‧線纜中心導體

圖1為習知的板端連接器的示意圖。

圖2為習知的線端連接器的示意圖。

圖3為圖2所示的線端連接器與圖1所示的板端連接器的結合動作示意圖。

圖4為圖2所示的線端連接器與圖1所示的板端連接器的結合動作完成示意圖。

圖5為習知的線端連接器的示意圖。

圖6為圖5所示習知線端連接器的分解圖。

圖7，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的構成高頻RF跳線的第一步驟示意圖。

圖8，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的構成高頻RF跳線的第二步驟示意圖。

圖9，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的構成高頻RF跳線的第三步驟示意圖。

圖10，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的構成高頻RF跳線的第四步驟示意圖。

圖11，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的板端屏蔽金屬體的示意圖。

圖12，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的板端屏金屬體埋設於板端絕緣體的示意圖。

圖13，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的高頻RF跳線鑲設於板端屏蔽金屬體的第一步驟示意圖。

圖14，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的高頻RF跳線鑲設於板端屏蔽金屬體的第二步驟示意圖。

圖15，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的電路基板的示意圖。

圖16，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的部分元件分解圖。

圖17，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的部分元件組合圖。

圖18，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的使用狀態示意圖。

圖19，係圖18中沿線段AA截切的截面圖。

圖20，係圖18中沿線段BB截切的截面圖。

圖21，係圖18中沿線段CC截切的截面圖。

圖22，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的線端屏蔽金屬體前端罩得相對板端屏蔽金屬體金屬體旋轉的示意圖。

圖23，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的板端屏蔽金屬體模組的示意圖。

圖24，係圖23所示高頻RF連接構件的使用狀態示意圖。

圖25，係本創作一實施例之高頻RF連接構件的板端屏蔽金屬體模組的示意圖。

圖26，係圖25所示高頻RF連接構件的使用狀態示意圖。

圖27，係圖18所示高頻RF連接構件傳導高頻RF訊號的S11參數模擬圖。

圖28，係圖26所示高頻RF連接構件傳導高頻RF訊號的S11參數模擬圖。

Claims (7)

1. 一種高頻RF跳線，係用於傳導高頻的RF訊號至一電路基板，該電路基板係包含有至少一基板訊號源接觸部，該高頻RF跳線係包括：一同軸線纜，該同軸線纜係包含有一線纜中心導體、一線纜絕緣體與一線纜屏蔽導體，該線纜中心導體的端末係具有一線纜中心導體端末接觸部；以及一線端屏蔽金屬體，該線端屏蔽金屬體係包含一線端屏蔽金屬體前端罩與一線端屏蔽金屬體鉚接部，該線端屏蔽金屬體鉚接部係鉚接該線纜屏蔽導體，俾與該線纜屏蔽導體電性連通，該線纜中心導體與該線纜絕緣體係延伸進入該線端屏蔽金屬體前端罩，且該線纜中心導體端末接觸部係延伸出該線端絕緣體，其中，該線纜絕緣體係電性隔絕該線纜中心導體與該線纜屏蔽導體，且於該線端屏蔽金屬體前端罩內，該線纜絕緣體係電性隔絕該線纜中心導體與該線端屏蔽金屬體前端罩；其中，該線纜中心導體端末接觸部係直接電性接觸該基板訊號源接觸部，以傳導高頻RF訊號到該基板芯線接觸部。
2. 一種板端屏蔽金屬體，該板端屏蔽金屬體係跟申請專利範圍第1項所述的高頻RF跳線的結構配合，其中，該線端屏蔽金屬體前端罩係具有一金屬體前端罩凸緣，該電路基板還包含有一基板屏蔽迴路，該基板訊號源接觸部與該基板屏蔽迴路兩者之間係電性隔絕，該基板屏蔽迴路係包圍該基板訊號源接觸部，其中，該板端屏蔽金屬體係包括：一板端屏蔽主體鑲入口，其中，該線端屏蔽金屬體前端罩係經由該板端屏蔽主體鑲入口，進入該板端屏蔽主體，俾使該金屬體前端罩凸緣側向鑲入該板端屏蔽金屬體，且該板端屏蔽金 屬體具有一板端屏蔽金屬體止擋結構，該板端屏蔽金屬體止擋結構係凸出於該板端屏蔽主體鑲入口的上方，俾可提供阻力止擋該線端屏蔽金屬體前端罩經由該板端屏蔽主體鑲入口的上方進出該板端屏蔽金屬體；該板端屏蔽金屬體係分別直接電性接觸該線端屏蔽金屬體與該基板屏蔽迴路，使該板端屏蔽主體、該線端屏蔽金屬體與該基板屏蔽迴路三者電性連通而形成一屏蔽環境，俾對該線端屏蔽金屬體前端罩提供電性屏蔽。
3. 一種板端屏蔽金屬體模組，該板端屏蔽金屬體模組係跟複數申請專利範圍第1項所述的高頻RF跳線的結構配合，其中，該至少一基板訊號源接觸部係為複數基板訊號源接觸部，該板端屏蔽金屬體模組係包括：複數板端屏蔽金屬體模組鑲入口，其中，各該高頻RF跳線的線端屏蔽金屬體前端罩係經由該複數板端屏蔽金屬體模組鑲入口的其中一者，進入該板端屏蔽金屬體模組，俾使各該高頻RF跳線的金屬體前端罩凸緣側向鑲入該板端屏蔽金屬體模組；且該板端屏蔽金屬體具有複數板端屏蔽金屬體止擋結構，各該板端屏蔽金屬體止擋結構係凸出於該複數板端屏蔽金屬體模組鑲入口其中一者的上方，俾可提供阻力止擋各該高頻RF跳線的線端屏蔽金屬體前端罩，經由該複數板端屏蔽金屬體模組鑲入口其中一者的上方，進出該板端屏蔽金屬體模組；該板端屏蔽金屬體模組係分別直接電性接觸各該高頻RF跳線的線端屏蔽金屬體與該基板屏蔽迴路，使該板端屏蔽金屬體模組、該線端屏蔽金屬體與該基板屏蔽迴路三者電性連通而形成一屏蔽環境，俾對各該高頻RF跳線的線端屏蔽金屬體前端罩提供電性屏蔽。
4. 如申請專利範圍第3項所述的板端屏蔽金屬體模組，還具有複數板端屏蔽金屬體旋轉引導面，俾分別接觸各該高頻RF跳線的線端屏蔽金屬體前端罩，而分別引導各該高頻RF跳線的線端屏蔽金屬體前端罩相對所進入的該板端屏蔽金屬體模組旋轉。
5. 一種高頻RF連接構件，係包括：一同軸線纜，該同軸線纜係包含有一線纜中心導體、一線纜絕緣體與一線纜屏蔽導體，該線纜中心導體的端末係具有一線纜中心導體端末接觸部；一線端屏蔽金屬體，該線端屏蔽金屬體係包含一線端屏蔽金屬體前端罩與一線端屏蔽金屬體鉚接部，該線端屏蔽金屬體鉚接部係鉚接該線纜屏蔽導體，俾與該線纜屏蔽導體電性連通，該線纜中心導體與該線纜絕緣體係延伸進入該線端屏蔽金屬體前端罩，且該線纜中心導體端末接觸部係延伸出該線纜絕緣體，其中，該線纜絕緣體係電性隔絕該線纜中心導體與該線纜屏蔽導體，且於該線端屏蔽金屬體前端罩內，該線纜絕緣體係電性隔絕該線纜中心導體與該線端屏蔽金屬體前端罩，該線端屏蔽金屬體前端罩係具有一金屬體前端罩凸緣；一板端屏蔽金屬體，該板端屏蔽金屬體係具有一板端屏蔽金屬體鑲入口，該線端屏蔽金屬體前端罩係經由該板端屏蔽金屬體鑲入口，進入該板端屏蔽金屬體，俾使該金屬體前端罩凸緣側向鑲入該板端屏蔽金屬體，且該板端屏蔽金屬體具有一板端屏蔽金屬體止擋結構，該板端屏蔽金屬體止擋結構係凸出於該板端屏蔽金屬體鑲入口的上方，俾可提供阻力止擋該線端屏蔽金屬體前端罩經由該板端屏蔽金屬體鑲入口的上方進出該板端屏蔽金屬體；以及一電路基板，該電路基板係包含有一基板訊號源接觸部與一基板屏蔽迴路，其中，該基板訊號源接觸部與該基板屏蔽迴路兩者之間係電性隔絕，該基 板屏蔽迴路係包圍該基板訊號源接觸部，該線纜中心導體端末接觸部係直接電性接觸該基板訊號源接觸部，以傳導高頻的RF訊號到該基板訊號源接觸部；該板端屏蔽金屬體係分別直接電性接觸該線端屏蔽金屬體與該基板屏蔽迴路，使該板端屏蔽金屬體、該線端屏蔽金屬體與該基板屏蔽迴路三者電性連通而形成一屏蔽環境，俾對該線端屏蔽金屬體前端罩提供電性屏蔽。
6. 如申請專利範圍第5項所述的高頻RF連接構件，還包括一線端屏蔽補強件，該線端屏蔽補強件具有一補強件環繞部與一補強件延伸部，該補強件環繞部係環繞該線端屏蔽金屬體前端罩的周壁而延伸，俾補強該線端屏蔽金屬體前端罩的屏蔽性，該補強件延伸部係延伸至該線端屏蔽金屬體鉚接部與該線纜屏蔽導體之間，俾令該線端屏蔽金屬體鉚接部藉由該補強件延伸部鉚接該線纜屏蔽導體，使該線端屏蔽補強件與該線纜屏蔽導體兩者電性連通。
7. 如申請專利範圍第5項所述的高頻RF連接構件，其中，該板端屏蔽金屬體係具有一板端屏蔽金屬體旋轉引導面，俾接觸該線端屏蔽金屬體前端罩，而引導該線端屏蔽金屬體前端罩相對該板端屏蔽金屬體旋轉。