TWM530000U - 氣動式單體的改良結構 - Google Patents

Description

氣動式單體的改良結構

本創作係關於一種單體結構，更詳而言之，本創作係關於一種氣動式單體的改良結構。

根據結構以及發聲的原理不同，發聲裝置的種類可以分為動圈式喇叭、壓電喇叭、陶瓷壓電喇叭、紙喇叭以及氣動式喇叭等許多種類。其中，氣動式喇叭是一種採用氣動式高音單體的喇叭。第1圖中顯示的為習知的氣動式單體的結構。如第1圖所示，習知的氣動式單體1的結構係包括一振膜2以及一固定壁4。振膜2可以是由塑膠薄膜所製成，且振膜2的其中一表面上係設置有如鋁膜等可以導電的結構。設置有導電結構的振膜2經反覆折疊後係被固定於固定壁4中，藉此構成習知的氣動式單體結構。上述的氣動式單體1係被放置於一磁場中。當振膜2上的線路通電時，折疊的振膜2便會因為磁場而產生動作，藉此透過振膜的振動推動空氣而朝第1圖中箭頭標示的上、下方向發出聲音。

此種習知的氣動式單體的優點在於發聲面積大，因此其可以推動空氣的量也較多；此外，這種氣動式單體也具有振膜質量輕、頻率響應寬，以及反應速度快等優點。然而，由於如上所述之習知的 氣動式單體1的振膜2上僅有一面設置有可以導電的線路，因此，此種習知氣動式單體在聲音表現性能上仍然有改良的空間存在。

基於上述理由，本創作的目的在於提供一種氣動式單體的改良結構，其係藉由在振膜的兩個表面上設置導電結構來充分利用振膜的面積，藉此在不增加單體尺寸的情況下增加振膜的磁通量，達到增進單體效率、改善中頻延伸並且更進一步增進高頻表現等目的。

為達成前述目的，本創作係提供一種氣動式單體的改良結構，包括：一振膜層、一第一導電結構以及一第二導電結構。所述的振膜層具有一第一面以及一第二面，並且具有彼此相對的一第一側以及一第二側。所述的第一導電結構係設置在振膜層的第一面上，且第一導電結構係從位於第一側的一第一接觸點迂迴地繞設至位於振膜層第二側的一第二接觸點。所述的第二導電結構係設置在振膜層的第二面上，且第二導電結構係於第二接觸點穿透振膜層與第一導電結構電性連接。其中，第二導電結構係從第二接觸點以與第一導電結構對稱的方式迂迴地繞設至位於第二面第一側的一第三接觸點，使得第一導電結構與第二導電結構重疊的部分的電流方向相同。設置有第一導電結構與第二導電結構的上述振膜層經摺疊數次後係夾固於固定側壁之間，藉此形成該氣動式單體的改良結構。

根據本創作的一實施例，所述的振膜層具有長方形的形 狀，而第一導電結構與第二導電結構係相對於振膜層兩個短邊的中心點相連的中心線對稱地設置。

根據本創作的一實施例，第一導電結構與第二導電結構係以連續上下顛倒的ㄇ字型迂迴地繞設於振膜層上。

1‧‧‧氣動式單體

2‧‧‧振膜

4‧‧‧固定壁

10‧‧‧氣動式單體的改良結構

20‧‧‧振膜層

21‧‧‧第一面

22‧‧‧第二面

23‧‧‧第一側

24‧‧‧第二側

31‧‧‧第一導電結構

32‧‧‧第二導電結構

331‧‧‧第一接觸點

332‧‧‧第二接觸點

333‧‧‧第三接觸點

40‧‧‧固定側壁

A‧‧‧中心線

第1圖為習知氣動式單體的結構示意圖；第2A圖為根據本創作一實施例的振膜層的第一面的平面圖；第2B圖為根據本創作一實施例的振膜層的第二面的平面圖；第3圖為根據本創作一實施例的氣動式單體的改良結構的平面示意圖；第4圖為根據本創作一實施例的氣動式單體的改良結構的剖視示意圖。

以下配合圖式及元件符號對本創作的實施方式做更詳細的說明，俾使熟習該項技藝者在研讀本說明書後能據以實施。

第2A圖為顯示本創作的氣動式單體的改良結構之振膜層第一面的平面圖；第2B圖為顯示本創作的氣動式單體的改良結構之振膜層第二面的平面圖。如2A圖以及第2B圖所示，本創作的氣動式單體的改良結構10，主要係包括一振膜層20、一第 一導電結構31以及一第二導電結構32。

所述的振膜層20具有一第一面21、一第二面22，以及彼此相對的一第一側23以及一第二側24。在本創作的實施例中，第一導電結構31是一導電的線圈，其係設置在振膜層21的第一面上23，並且是以連續上下顛倒的ㄇ字型迂迴地從第一側23的第一接觸點331繞設至第二側24的第二接觸點332，如第2A圖所示。

第二導電結構32與第一導電結構31同樣為一導電的線圈，其係設置在振膜層21的第二面22上，並且係於第二接觸點332處穿透振膜層20與第一導電結構電性連接。如第2B圖所示，第二導電結構32具有與第一導電結構31相同的形狀，但是第二導電結構23是以與第一導電結構31對稱的方式設置。在此實施例中，由於第一導電結構31具有連續上下顛倒的ㄇ字型，因此，第二導電結構32同樣是以連續上下顛倒的ㄇ字型迂迴地從第二接觸點332繞設至第二面22第一側23的第三接觸點333。

第3圖顯示的為本創作的氣動式單體的改良結構的平面示意圖。在第3圖中，為了方便進行說明，設置於第一面21的第一導電結構31是以實線的方式表示，而設置於第二面22的第二導電結構32則是以虛線的方式表示。如第3圖所示，第一導電結構31與第二導電結構32係以相對於振膜層20兩個短邊的中心點相連的中心線A對稱的方式配置，使得第一導電結構31與第二導電結構32的ㄇ字型的兩個平行邊重疊，但第二導電結構32 的ㄇ字型開口的方向與第一導電結構31的ㄇ字型開口的方向相反。此外，如第3圖中箭頭所標示的電流方向所示，第一導電結構31與第二導電結構32係被配置為使得兩者重疊的部分電流方向相同，藉此避免分別設置在不同表面的兩者互相干擾。

具有上述配置之第一導電結構31與第二導電結構32的振膜層20，係在摺疊數次後被設置於固定側壁40之間，藉此形成氣動式單體的改良結構，如第4圖所示。固定側壁40可以為一方型盒體的其中兩個側壁。第4圖中振膜層20的折疊次數僅為示例，並非用於限制本創作的範圍。

值得一提的是，雖然在本創作的實施例中第一導電結構與第二導電結構係配置為連續上下顛倒的ㄇ字型，但在不脫離本創作保護的範疇與精神的條件下，其也可以為任何其他適合的形狀；舉例來說，第一導電結構與第二導電結構也可以為連續上下顛倒的U字型、W字型、Z字型等常見的線圈配置形狀。

本創作的氣動式單體的改良結構由於在振膜層的兩個表面上都設置了導電結構，因此當氣動式單體通電發聲時，可以大幅的增加單體的磁通量，進而使得氣動式單體的效率提升，單體中頻的延伸改善，並且使得高頻的音質更為細膩。更具體來說，本創作的氣動式單體結構的頻寬比習知的氣動式單體結構更寬，且本創作的氣動式單體結構的高音音頻也比習知的氣動式單體結構更高。

由以上實施例可知，本創作所提供之氣動式單體的改良結構確具產業上之利用價值，惟以上之敘述僅為本創作之較佳實施例說明，凡精於此項技藝者可依據上述之說明而作其它種種之改良，惟這些改變仍屬於本創作之精神及以下所界定之專利範圍中。

20‧‧‧振膜層

21‧‧‧第一面

22‧‧‧第二面

23‧‧‧第一側

24‧‧‧第二側

31‧‧‧第一導電結構

32‧‧‧第二導電結構

331‧‧‧第一接觸點

332‧‧‧第二接觸點

333‧‧‧第三接觸點

A‧‧‧中心線

Claims (4)

1. 一種氣動式單體的改良結構，包括：一振膜層，具有一第一面以及一第二面，且該振膜層具有彼此相對的一第一側以及一第二側；一第一導電結構，設置在該振膜層的該第一面上，且該第一導電結構係從位於該第一側的一第一接觸點迂迴地繞設至位於該振膜層該第二側的一第二接觸點；以及一第二導電結構，設置在該振膜層的該第二面上，且該第二導電結構係於該第二接觸點穿透該振膜層與該第一導電結構電性連接，其中，該第二導電結構係從該第二接觸點以與該第一導電結構對稱的方式迂迴地繞設至位於該第二面該第一側的一第三接觸點，使得該第一導電結構與該第二導電結構重疊的部分的電流方向相同；其中，設置有該第一導電結構與該第二導電結構的該振膜層經摺疊後係設置於固定側壁之間，藉此形成該氣動式單體的改良結構。
2. 根據申請專利範圍第1項所述之氣動式單體的改良結構，其中，該振膜層具有長方形的形狀。
3. 根據申請專利範圍第1項或第2項所述之氣動式單體的改良結構，其中，該第一導電結構與該第二導電結構係相對於該振膜層兩個短邊的中心點相連的中心線對稱地設置。
4. 根據申請專利範圍第1項所述之氣動式單體的改良結構，其中，該第一導電結構與該第二導電結構係以連續上下顛倒的ㄇ字型迂迴地繞設於該振膜層上。