TWM497898U - 共極式ｌｅｄ發光裝置 - Google Patents

Description

共極式LED發光裝置

本創作是有關一種發光裝置，且特別是有關於一種能以交流電力直接驅動發光的共極式LED發光裝置。

近幾年來，發光二極體(LED)的應用已逐漸廣泛，且隨著技術領域的不斷提升，目前已研發出高照明輝度的高功率發光二極體，其足以取代傳統的照明光源。

再者，本創作申請人在先前已提出一種能以交流電力直接驅動發光的LED發光裝置(如：台灣新型第M472157號專利)，其可直接應用於市電系統，即無須額外再安裝交流-直流轉換器，因此可降低生產成本並擴大應用範圍。

然而，可惜的是，上述能以交流電力直接驅動發光的LED發光裝置中，第一LED晶片與第二LED晶片是分別獨立地電性連接於兩LED驅動元件，也就是說，第一LED晶片與第二LED晶片之間並無電性連接關係。因此，先前能以交流電力直接驅動發光的LED發光裝置在使用時，會存在有多種不同的功率，進而需要針對不同功率來選擇搭配不同的散熱體，此無形中產生應用上的侷限性。若是僅針對最大功率情形採用相對應的散熱體，則明顯有浪費且提高成本的問題。

於是，本創作人有感上述缺失之可改善，乃特潛心研究並配合學理之運用，終於提出一種設計合理且有效改善上述缺失之本創作。

本創作實施例在於提供一種共極式LED發光裝置，其能在以交流電力直接驅動發光的前提下，有效地解決因不同功率所產生之問題。

本創作實施例提供一種共極式LED發光裝置，包括：一電路板，具有一基板與一電路層，該基板具有位於相反側的一第一表面與一第二表面，該電路層設於該基板的第一表面，且該電路層具有一LED線路、一電子元件線路、及至少兩電極，該電子元件線路電性連接於該LED線路，而該些電極電性連接於該電子元件線路；數組直流LED晶片，其裝設於該LED線路，並且每組直流LED晶片與其所搭配的LED線路部位定義有一共極接點與一驅動接點；以及數個電子元件，其裝設於該電子元件線路，並且該些電子元件包含數個整流元件及一定電流元件，每個整流元件與其所搭配的電子元件線路部位定義有一定電流接點以及一LED接點；該些定電流接點皆電性連接於該定電流元件，而該些LED接點則分別電性連接於該些驅動接點，並且該些共極接點電性連接於該定電流元件；其中，該些電極用以電性連接於一外部交流電源，以透過控制該外部交流電源使其所提供之交流電力能選擇性地與該些驅動接點的至少其中之一導通並流經該導通的至少一驅動接點所對應之電路層部位與電子元件，而能令該導通的至少一驅動接點所對應之直流LED晶片發光。

綜上所述，本創作實施例所提供的共極式LED發光裝置能在以交流電力直接驅動發光的前提下，透過外部交流電源所提供之交流電力以使該些組直流LED晶片的至少一組直流LED晶片發光。而不論是何種發光情況，所述共極式LED發光裝置經由該些組的LED晶片之共極設置以及將該些組的LED晶片一同連接於所述定電流元件，使得LED晶片總功率大致維持相同，進而令共極式LED發光裝置的散熱體選擇更為簡易。並且，由於LED晶片總功率大致相同，更是有助於在上述的任何發光情況時，皆能使任 一組的LED晶片發光亮度維持一致。

為使能更進一步瞭解本創作之特徵及技術內容，請參閱以下有關本創作之詳細說明與附圖，但是此等說明與所附圖式僅係用來說明本創作，而非對本創作的權利範圍作任何的限制。

100‧‧‧共極式LED發光裝置

1‧‧‧電路板

11‧‧‧基板

111‧‧‧第一表面

112‧‧‧第二表面

12‧‧‧電路層

121‧‧‧LED線路

1211‧‧‧驅動接點

1212‧‧‧共極接點

122‧‧‧電子元件線路

123‧‧‧電極

2‧‧‧內阻隔牆

21‧‧‧內容置空間

3‧‧‧外阻隔牆

31‧‧‧外容置空間

4‧‧‧直流LED晶片

5‧‧‧電子元件

51‧‧‧LED驅動元件

52‧‧‧整流元件

521‧‧‧LED接點

522‧‧‧定電流接點

53‧‧‧定電流元件

54‧‧‧電壓抑制元件

6‧‧‧第一封裝體

61‧‧‧出光面

7‧‧‧第二封裝體

71‧‧‧反射面

200‧‧‧光學配件

201‧‧‧反射杯

202、202’‧‧‧開口

300‧‧‧外部交流電源

圖1為本創作共極式LED發光裝置的立體示意圖。

圖2為圖1的剖視示意圖。

圖3為圖1的分解示意圖。

圖4為圖1的另一分解示意圖。

圖5為圖1的又一分解示意圖。

圖6為本創作共極式LED發光裝置之反射面的反射率示意圖。

圖7為本創作共極式LED發光裝置連接外部交流電源的發光示意圖。

圖8A為圖7的部分電路示意圖。

圖8B為圖7另一態樣的部分電路示意圖。

圖9為圖7的共陽極電路示意圖。

圖10為圖7的共陰極電路示意圖。

圖11為本創作LED燈具的示意圖。

圖12為本創作LED燈具另一態樣的示意圖。

請參閱圖1，其為本創作的一實施例，需先說明的是，本實施例對應圖式所提及之相關數量與數量，僅用以具體地說明本創作的實施方式，以便於了解其內容，而非用以侷限本創作的權利範圍。

請參閱圖1和圖2所示，本實施例為一種共極式LED發光裝置100，包括一電路板1、設於電路板1上的一內阻隔牆2與一外 阻隔牆3、設在電路板1上的數組直流LED晶片4與數個電子元件5、設於電路板1與內阻隔牆2所包圍之空間內的一第一封裝體6、及設於內阻隔牆2外側的一第二封裝體7。本實施例於下述先說明共極式LED發光裝置100各元件之可能的實施構造，而後再適時介紹各元件之間的彼此連接關係。

如圖3至圖5，所述電路板1包含有一基板11與一電路層12，上述基板11大致呈方形(如：長方形或正方形)且具有位於相反側的一第一表面111與一第二表面112。其中，所述基板11可為金屬基板和絕緣基板，當採用金屬基板時，更包含一介電層(圖略)設置於金屬基板和電路層12之間，介電層覆蓋於金屬基板的板面上，且介電層邊緣大致與金屬基板邊緣切齊。金屬基板可為鋁基板或銅基板，不以此為限。絕緣基板可為陶瓷基板或樹脂板。而於本實施例中，基板11是以絕緣基板為例。

所述電路層12設於基板11的第一表面111，且電路層12具有一LED線路121、一電子元件線路122、及至少兩電極123，上述電子元件線路122電性連接於LED線路121，而兩電極123則電性連接於電子元件線路122。須說明的是，有關電性連接之方式可以透過打線等方式實施，在此不加以侷限。於本實施例的圖式中是以兩個電極123為例，但此亦可依設計者的需求而調整成更多的電極123數量。

所述內阻隔牆2之材質較佳為陶瓷材料，但不侷限於此。內阻隔牆2大致呈圓形且固設於電路板1的大致中央部位上(即位於基板11的第一表面111與部分電路層12上)。其中，遠離基板11的內阻隔牆2頂緣，其至基板11第一表面111的距離(相當於內阻隔牆2之高度)大於任一直流LED晶片4頂緣至基板11第一表面111的距離(相當於直流LED晶片4的高度)。

再者，所述內阻隔牆2與電路板1共同包圍界定出一內容置空間21，而上述LED線路121至少部分顯露於內容置空間21， 用以供直流LED晶片4作為置晶與打線之用。

所述外阻隔牆3之材質較佳為陶瓷材料，但不侷限於此。外阻隔牆3亦大致呈圓形且設置於電路板1上(即位於基板11的第一表面111與部分電路層12上)，並且外阻隔牆3位於內阻隔牆2外側，而外阻隔牆3的圓心重疊於內阻隔牆2的圓心。其中，遠離基板11的外阻隔牆3頂緣，其至基板11第一表面111的距離(相當於外阻隔牆3之高度)大於任一電子元件5頂緣至基板11第一表面111的距離(相當於電子元件5之高度)。而於本實施例中，所述外阻隔牆3之高度大致等於內阻隔牆2之高度，但實際應用時不受限於此。

再者，所述外阻隔牆3、內阻隔牆2、與電路板1共同包圍界定出一外容置空間31，所述電子元件線路122至少部分顯露於外容置空間31，用以供電子元件5安裝之用；而上述兩電極123至少部分顯露於外阻隔牆3之外，用以供外部電源連接之用。

更詳細地說，所述兩電極123位於外阻隔牆3徑向方向上的相反兩側部位，並且所述兩電極123所在的位置大致位於基板11的相對向之兩角落。並且所述兩電極123用以電性連接於一外部交流電源300(如圖7)，使外部交流電源300所提供之交流電力經由電路層12與該些電子元件5之傳輸與轉換，而能令置於LED線路121上的直流LED晶片4發光。

所述該些組的直流LED晶片4設置於內容置空間21，每組直流LED晶片4包含有數個串聯的直流LED晶片4，上述直流LED晶片4較佳為裸晶態樣，並且直流LED晶片4電性連接於電路層12的LED線路121。其中，該些直流LED晶片4於本實施例中是以串聯作為說明之用，但於實際應用時，該些直流LED晶片4之間的連接方式可以依設計者需求而使用串聯、並聯、或串並聯，在此不加以限制。

所述電子元件5較佳為裸晶態樣且大致呈圓環狀地排列設置 於外容置空間31，並且電子元件5電性連接於電路層12的電子元件線路122。進一步地說，本實施例透過將電子元件5以圓環狀排列的方式設置於直流LED晶片4的周圍，藉以使電子元件5的排列更為密集，進而令基板11的尺寸能夠縮小。

再者，所述電子元件5包含有數個LED驅動元件51、數個整流元件52(如：橋式整流器)、一定電流元件53、及數個電壓抑制元件54，但於實際應用時，電子元件5所包含的元件種類與數量可依設計者需求而加以調整，並不侷限於此。舉例來說，在一未繪示的實施例中，所述電子元件5亦可以同時包含有線性元件與非線性元件。附帶說明一點，本實施例所述的電子元件5是排除上述所指的直流LED晶片4。

補充說明一點，上述直流LED晶片4與電子元件5裝設於電路層12的方式可以是覆晶(flip chip)、迴焊(reflow)、超音波(ultrasonic)、表面貼裝技術(SMT)、或打線(wire bonding)等方式，在此不加以限制。

更詳細地說，所述電壓抑制元件54呈並聯地電性連接於整流元件52(如圖8A或圖8B所示)，當共極式LED發光裝置100所連接的外部交流電源300發生故障(如：開關突波、靜電、或雷擊影響)導致共極式LED發光裝置100之電路的電壓升高時，電壓抑制元件54所承受的電壓亦會隨之升高，當電壓抑制元件54所承受的電壓大於一電壓臨界值(亦可稱之為崩潰電壓值)時，電壓抑制元件54形成一電壓洩放路徑或實質上的短路路徑。

也就是說，因外部交流電源300故障而突然升高電壓所產生之電流大部分會經由電壓抑制元件54所形成的短路路徑而導向接地。藉此，可降低因外部交流電源300故障而突然升高電壓所產生之電流對該些電子元件5或直流LED晶片4的傷害。但須說明的是，所述『實質上的短路路徑』是指作為供大部分電流通過之路徑，亦即，在能供大部分電流通過之前提下，『實質上的短路 路徑』的廣義範圍亦可涵蓋低阻抗路徑。

再者，所述電壓抑制元件54可以是金屬氧化物壓敏電阻(MOV，Metal Oxide Varistor)或是瞬態電壓抑制器(TVS，Transient Voltage Suppressor)等元件。換個角度來說，所述電壓抑制元件54可如圖8A所示設置於整流元件52之後且為單向元件或雙向元件，又或者，所述電壓抑制元件54可如圖8B所示設置於整流元件52之前且為雙向元件。

請參閱圖9所示，其為本實施例共極式LED發光裝置100的共陽極電路示意圖，以下將就本實施例共極式LED發光裝置100的共極特點作一介紹。為便於說明，以上所述的數組直流LED晶片4在圖9中僅以兩組呈現，並且該兩組直流LED晶片4可以是用以發出同色光線或是不同色光線。但於實際應用時，所述直流LED晶片4的組數並不受限於兩組。

其中，每組直流LED晶片4與其所搭配的LED線路121部位定義有一驅動接點1211與一共極接點1212，並且每組直流LED晶片4所定義的共極接點1212相鄰且電性連接於其所鄰近的直流LED晶片4陽極。

再者，所述共極式LED發光裝置100的LED驅動元件51與定電流元件53數量各限定為單個，而整流元件52及電壓抑制元件54則可區分為兩組，並且所述兩組的整流元件52及電壓抑制元件54分別電性連接於上述兩組直流LED晶片4。

更詳細地說，每個整流元件52與其所搭配的電子元件線路122部位定義有一LED接點521與一定電流接點522。該些LED接點521則分別電性連接於該些驅動接點1211，該些定電流接點522皆電性連接於定電流元件53的一端，而該些共極接點1212則電性連接於定電流元件53的另一端。上述各組直流LED晶片4所對應的共極接點1212皆電性連接於定電流元件53，以形成陽極電路設置。

藉此，透過控制所述外部交流電源300使其所提供之交流電力能選擇性地與該些驅動接點1211的至少其中之一導通並流經該導通的至少一驅動接點1211所對應之電路層12部位與電子元件5，而能令該導通的至少一驅動接點1211所對應之直流LED晶片4發光。

更詳細地說，本實施例的共極式LED發光裝置100能透過外部機制分配外部交流電源300所提供之交流電力，以使兩組直流LED晶片4同時發光或是僅使其中一組直流LED晶片4發光。而不論是上述何種發光情況，所述共極式LED發光裝置100經由該些組的LED晶片4之共極設置以及將該些組的LED晶片4一同連接於所述定電流元件53，使得LED晶片4總功率大致維持相同，進而令共極式LED發光裝置100的散熱體選擇更為簡易。並且，由於LED晶片總功率大致相同，更是有助於在上述的任何發光情況時，皆能使任一組的LED晶片4發光亮度維持一致。

若當該兩組直流LED晶片4可以是用以發出不同色光線的情況時，本實施例所提供的共極式LED發光裝置100能分別用以驅動上述兩組不同發光型態的直流LED晶片4，藉以調整上述兩組不同發光型態的直流LED晶片4的發光比例，進而達到混光的效果。

此外，本實施例共極式LED發光裝置100於上述中雖以圖9所示的共陽極電路示意圖為例，但並不以此為限。舉例來說，請參閱圖10所示，其為本實施例共極式LED發光裝置100的共陰極電路示意圖，其與圖9的差異主要在於，每組直流LED晶片4所定義的共極接點1212電性連接於其所鄰近的直流LED晶片4陰極。

所述第一封裝體6呈透光狀且可以由矽樹脂(silicone)或是環氧樹脂(epoxy resin)所製成，更進一步地說，所述第一封裝體6可為一種單純的透明膠體或內混有螢光粉的螢光膠體，但本實施例 不以此為限。

再者，所述第一封裝體6填設於內阻隔牆2與電路板1所共同圍繞定義的內容置空間21之中，藉以使直流LED晶片4能被第一封裝體6所封裝(即直流LED晶片4包覆於第一封裝體6之內)。換個角度來看，透過上述第一封裝體6被限位在內阻隔牆2所圍繞的封裝範圍內，以使得第一封裝體6的封裝範圍及填膠量得到有效的控制。

所述第二封裝體7較佳為不導電膠體，第二封裝體7主要填設於電路板1、內阻隔牆2、及外阻隔牆3所共同包圍的外容置空間31之中，藉以使第二封裝體7包覆該些電子元件5於其內，也就是說，裸晶態樣的電子元件5能被第二封裝體7所封裝。

藉此，透過第二封裝體7同時一體封裝電子元件5於其內，以大幅度地降低生產共極式LED發光裝置100時所需耗費的封裝成本。並且由於第二封裝體7為不導電膠體，因而使得第二封裝體7能具備有隔絕電路之功能，進而避免共極式LED發光裝置100有跳火之情事發生。

於遠離基板11的第一封裝體6表面(如圖1中的第一封裝體6頂面)與第二封裝體7表面(如圖1中的第二封裝體7頂面)，兩者於本實施例中皆平行於基板11的第一表面111且大致呈共平面設置，但不以此為限。

更詳細地說，所述第一封裝體6具有一遠離基板11的出光面61，而第二封裝體7具有一遠離基板11的反射面71。其中，上述反射面71相對於波長為400nm至500nm的光線具有大於85%之反射率(較佳為90%以上)。亦即，第二封裝體7能使用如圖6所示之任一曲線所代表的材質，或是說，圖6所示之任一曲線即代表上述反射面71的反射率。

再者，所述反射面71覆蓋在遠離基板11的內阻隔牆2頂緣，並且反射面71與出光面61呈無間隙地相連。而在共極式LED發 光裝置100的俯視角度下，遠離基板11的內阻隔牆2頂緣完全被第二封裝體7的反射面71所遮蔽，所以無法被看到。藉此，第二封裝體7的反射面71能用以將光線有效地進行反射，以避免遠離基板11的內阻隔牆2頂緣產生吸收光線之情事，進而提升所述共極式LED發光裝置100整體之光效。

附帶說明一點，第二封裝體7除覆蓋遠離基板11的內阻隔牆2頂緣之外，也可一併覆蓋外阻隔牆3的頂緣與外表面，具體實施態樣在此不加以限制。

以上為共極式LED發光裝置100的構造說明，上述共極式LED發光裝置100即為一完整的產品，其能直接地被應用(如圖7的共極式LED發光裝置100連接於外部交流電源300)或搭配其他裝置使用，可能的應用情況如下述實施例說明之。

請參閱圖11和圖12所示，本創作的另一實施例提供一種LED燈具，包括如上述實施例所載之共極式LED發光裝置100以及裝設於共極式LED發光裝置100的一光學配件200。其中，光學配件200於本實施例中是以一反射杯201為例，但亦可以是其他類型之光學配件(如：透鏡)。

所述反射杯201的外型大致呈中空的截圓錐狀，亦即，反射杯201的兩端各形成有一大致呈圓形且尺寸不同的開口202、202’，並且反射杯201較小的開口202鄰近於共極式LED發光裝置100之第二封裝體7，而上述較小的開口202之圓心對應於內阻隔牆2的圓心。

由於共極式LED發光裝置100之第二封裝體7形成有反射面71，所以上述反射杯201在選用時，只須符合其較小之開口202的直徑大於等於內阻隔牆2的直徑，並小於等於外阻隔牆3的直徑。換言之，共極式LED發光裝置100能與更多尺寸之反射杯201搭配使用而不影響出光效果。

補充說明一點，由於本實施例所述之共極式LED發光裝置100 必須能以交流電力直接驅動發光，藉以便於使用者運用，而就本領域的通常知識者來說，能以交流電力直接驅動發光的共極式LED發光裝置100，其當然也能用以連接直流電源(圖略)。換言之，本實施例是在說明本創作的共極式LED發光裝置100具有能以交流電力直接驅動發光的功能，但並非侷限於此。

[本創作實施例的可能功效]

綜上所述，本創作實施例所提供的共極式LED發光裝置能在以交流電力直接驅動發光的前提下，透過外部機制使外部交流電源所提供之交流電力，令該些組直流LED晶片的至少一組直流LED晶片發光。而不論是何種發光情況，所述共極式LED發光裝置經由該些組的LED晶片之共極設置以及將該些組的LED晶片一同連接於所述定電流元件，使得LED晶片總功率大致維持相同，進而令共極式LED發光裝置的散熱體選擇更為簡易。並且，由於LED晶片總功率大致相同，更是有助於在上述的任何發光情況時，皆能使任一組的LED晶片發光亮度維持一致。

再者，所述共極式LED發光裝置能在以交流電力直接驅動發光的前提下，透過第二封裝體內設有電壓抑制元件，藉以有效地避免因超額之電壓而造成共極式LED發光裝置內的電子元件或直流LED晶片損壞。

又，所述共極式LED發光裝置透過將電子元件圓環狀地排列設置在外容置空間，藉以能進一步縮小基板所使用的尺寸；並且，經由形成圓環狀的第二封裝體，用以使共極式LED發光裝置頂面能有效地反射光線，進而令裝設在共極式LED發光裝置之光學配件開口尺寸能有更大的選用範圍。

另，透過第二封裝體形成相對於波長400nm至500nm的光線具有大於85%反射率的反射面，進而有效地提升共極式LED發光裝置的整體光效。

以上所述僅為本創作之較佳可行實施例，其並非用以侷限本創作之專利範圍，凡依本創作申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本創作之涵蓋範圍。

100‧‧‧共極式LED發光裝置

121‧‧‧LED線路

1211‧‧‧驅動接點

1212‧‧‧共極接點

4‧‧‧直流LED晶片

52‧‧‧整流元件

521‧‧‧LED接點

522‧‧‧定電流接點

53‧‧‧定電流元件

300‧‧‧外部交流電源

Claims (10)

1. 一種共極式LED發光裝置，包括：一電路板，具有一基板與一電路層，該基板具有位於相反側的一第一表面與一第二表面，該電路層設於該基板的第一表面，且該電路層具有一LED線路、一電子元件線路、及至少兩電極，該電子元件線路電性連接於該LED線路，而該些電極電性連接於該電子元件線路；數組直流LED晶片，其裝設於該LED線路，並且每組直流LED晶片與其所搭配的LED線路部位定義有一共極接點與一驅動接點；以及數個電子元件，其裝設於該電子元件線路，並且該些電子元件包含數個整流元件及一定電流元件，每個整流元件與其所搭配的電子元件線路部位定義有一定電流接點以及一LED接點；該些定電流接點皆電性連接於該定電流元件，而該些LED接點則分別電性連接於該些驅動接點，並且該些共極接點電性連接於該定電流元件；其中，該些電極用以電性連接於一外部交流電源，以透過控制該外部交流電源使其所提供之交流電力能選擇性地與該些驅動接點的至少其中之一導通並流經該導通的至少一驅動接點所對應之電路層部位與電子元件，而能令該導通的至少一驅動接點所對應之直流LED晶片發光。
2. 如請求項1所述之共極式LED發光裝置，其中，該些電子元件包含一LED驅動元件、一整流元件、及一電壓抑制元件，而該電壓抑制元件以及該直流LED晶片呈並聯之電性連接，該電壓抑制元件以及該整流元件呈並聯之電性連接；其中，當該電壓抑制元件所承受的電壓大於一電壓臨界值時，該電壓抑制元件形成一電壓洩放路徑或實質上的短路路徑。
3. 如請求項2所述之共極式LED發光裝置，其中，該電壓抑制元 件為設置於該整流元件之後的單向元件或雙向元件，或者該電壓抑制元件為設置於該整流元件之前的雙向元件。
4. 如請求項2所述之共極式LED發光裝置，其中，該電壓抑制元件為金屬氧化物壓敏電阻(MOV)或是瞬態電壓抑制器(TVS)。
5. 如請求項1所述之共極式LED發光裝置，其進一步包含有一透光狀的第一封裝體與一第二封裝體，該第一封裝體形成於該第一表面且包覆該些組的直流LED晶片於其內，該第二封裝體形成於該第一表面且包覆該些電子元件於其內。
6. 如請求項5所述之共極式LED發光裝置，其中，該第二封裝體具有一遠離該電路板的反射面，並且該反射面相對於波長為400nm至500nm的光線具有大於85%之反射率。
7. 如請求項6所述之共極式LED發光裝置，其進一步具有大致呈圓形且設置於該電路板的一內阻隔牆與一外阻隔牆，該內阻隔牆與該電路板共同包圍界定出一內容置空間，該LED線路至少部分顯露於該內容置空間，且該直流LED晶片位於該內容置空間中；該外阻隔牆位於該內阻隔牆外側，並且該外阻隔牆的圓心重疊於該內阻隔牆的圓心，該外阻隔牆、該內阻隔牆、與該電路板共同包圍界定出一外容置空間，該電子元件線路至少部分顯露於該外容置空間，且該些電子元件大致呈圓環狀地排列設置於該外容置空間中，而該些電極至少部分顯露於該外阻隔牆之外。
8. 如請求項7所述之共極式LED發光裝置，其中，該第一封裝體具有一遠離該電路板的出光面，該反射面覆蓋在遠離該電路板的該內阻隔牆頂緣，該反射面與該出光面大致呈共平面設置，並且該反射面與該出光面呈無間隙地相連。
9. 如請求項1至8中任一請求項所述之共極式LED發光裝置，其中，每組直流LED晶片包含有數個串聯的直流LED晶片，並且每組直流LED晶片所定義的共極接點電性連接於其所鄰近 的直流LED晶片陰極。
10. 如請求項1至8中任一請求項所述之共極式LED發光裝置，其中，每組直流LED晶片包含有數個串聯的直流LED晶片，並且每組直流LED晶片所定義的共極接點電性連接於其所鄰近的直流LED晶片陽極。