TWM462438U

TWM462438U - 廢氣環改良結構

Info

Publication number: TWM462438U
Application number: TW102207427U
Authority: TW
Inventors: li-hong Wu
Original assignee: Hda Grand Internat Co Ltd
Priority date: 2013-04-24
Filing date: 2013-04-24
Publication date: 2013-09-21

Description

廢氣環改良結構

本創作係有關於一種廢氣環改良結構，特別係有關一種腔體體積與排氣面積呈最佳比例設置之廢氣環改良結構。

目廢氣環主要應用於化學氣相沉積中，該化學氣相沉積屬半導體磊晶製程中之一道製程，於該製程中，常會以大量特定氣體於晶圓上進行氣相沉積，待化學反應完成後，廢氣環便收集該特定氣體並由排氣孔排出。

傳統廢氣環內側壁之吸氣孔因設計上之缺陷，使得吸氣孔在收集特定氣體時的氣流不穩定，以致無法順利且有效經由排氣孔排出，導致排氣效果不佳，造成操作人員操作時之危險，且因該特定氣體多為高溫且具侵蝕性，如此之下，造成使用壽命短需經常更換，造成成本負擔提高。

有鑑於此，本創作人乃潛心研思、設計組製，期能提供一種提高排氣時之氣流穩定度之廢氣環，以達到提高排氣效率之目的，為本創作所欲研創之創作動機者。

本創作之主要目的，在於提供一種腔體體積與排氣面積呈最佳比例設置之廢氣環改良結構。

為達上述目的，本創作之廢氣環改良結構，包括一環形腔體，具有一靠近該環形腔體環心之內環壁、一連接該內環壁之環形面以及一形成於該環形腔體內之容置空間，該內環壁靠近該環形面處依序設置複數個吸氣通道，該環形面設有至少一排氣孔；以及一環形導流板，位於該容置空間靠近該內環壁處並設置於該環形面，且靠近該環形面處依序設置複數個導流通道，該環形導流板並將該容置空間分隔成靠近該內環壁之第一氣室以及一第二氣室；其中，該容置空間之截面積與該些吸氣通道之總面積之比值存在一最佳吸氣比例係數，該第二氣室之截面積與該些導流通道之總面積之比值存在一最佳導流比例係數，該最佳吸氣比例係數界於1.15~1.3，該最佳導流比例係數界於0.135~0.175。

承上所述之廢氣環改良結構，其中，該吸氣通道係為通孔。

承上所述之廢氣環改良結構，其中，該吸氣通道係為開槽。

承上所述之廢氣環改良結構，其中，該導流通道係為通孔。

承上所述之廢氣環改良結構，其中，該導流通道係為開槽。

承上所述之廢氣環改良結構，其中，該吸氣通道與該導流通道係對應設置。

為了能夠更進一步瞭解本創作之特徵、特點和技術內容，請參閱以下有關本創作之詳細說明與附圖，惟所附圖式僅提供參考與說明用，非用以限制本創作。

10‧‧‧環形腔體

100‧‧‧內環壁

101‧‧‧環形面

102‧‧‧容置空間

103‧‧‧環形導流板

1000‧‧‧吸氣通道

1010‧‧‧排氣孔

1020‧‧‧第一氣室

1021‧‧‧第二氣室

1030‧‧‧導流通道

Ri‧‧‧內環壁半徑

Ro‧‧‧外壁半徑

Rc‧‧‧環形導流板半徑

H‧‧‧容置空間之高度

G‧‧‧區域

D‧‧‧間隙

第1圖係為本創作廢氣環改良結構之立體圖。

第2圖係為本創作廢氣環改良結構第一實施例之立體斷面圖。

第3圖係為本創作廢氣環改良結構之側剖面圖。

第4圖係為本創作廢氣環改良結構第二實施例之立體斷面圖。

第5圖係為本創作廢氣環改良結構第二實施例之局部側視圖。

第6圖係為本創作廢氣環改良結構第二實施例之局部上視圖。

請參閱第1圖及第2圖，第1圖係為本創作廢氣環改良結構之立體圖，第2圖係為本創作廢氣環改良結構第一實施例之立體斷面圖；如圖所示，本創作之廢氣環改良結構，包括一環形腔體10(於本實施例中為圓形環)，具有一靠近該環形腔體10環心之內環壁100、一連接該內環壁100之環形面101以及一形成於該環形腔體10內之容置空間102，該內環壁100靠近該環形面101處依序設置複數個吸氣通道100，於本實施例中，該吸氣通道1000為通孔，該環形面101設有至少一排氣孔1010；以及一環形導流板103，位於該容置空間102靠近該內環壁100處並設置於該環形面101，且靠近該環形面101處依序設置複數個導流通道1030，於本實施例中，該導流通道1030為通孔，且該些吸氣通道1000與該些導流通道1030係對應設置，該環形導流板103並將該容置空102間分隔成靠近該內環壁100之第一氣室1020以及一第二氣室1021，且使該第二氣室1021連通該排氣孔1010；其中，該容置空間102之截面積與該些吸氣通道1000之總面積之比值存在一最佳吸氣比例係數，該第二氣室1021之截面積與該些導流通道1030之總面積之比值存在一最佳導流比例係數，該最佳吸氣比例係數界於1.15~1.3，該最佳導流比例係數界於0.135~0.175。

請參閱第3圖，係為本創作廢氣環改良結構之側剖面圖；如圖所示，X-X線係為圓心，Ri係為內環壁半徑，Ro係為外壁半徑，Rc係為環形導流板103半徑，H為容置空間之高度，假設吸氣通道1000之半徑為Rn及總數為N，由於該容置空間102之截面積與該些吸氣通道1000之總面積之比值存在一界於1.15~1.3之最佳吸氣比例係數K1，故可得以下數學式：[H^＊ (Ro-Ri)]/(N^＊ π^＊ Rn² )=K1

當內環壁半徑、外壁半徑及容置空間之高度決定後，即可由上述數學式計算出吸氣通道1000需要的數量及孔徑，此外，環形導流板103之半徑為Rc，假設導流通道1030之半徑為Rm及總數為M，由於該第一氣室1020之截面積與該些導流通道1030之總面積之比值存在一界於0.135~0.175之最佳導流比例係數K2，故可得以下數學式：[H^＊ (Ro-Rc)]/(N^＊ π^＊ Rm² )=K2當內環壁半徑、導流板半徑及容置空間之高度決定後，即可由上述數學式計算出導流通道1030需要的數量及孔徑。

請參閱第4圖，係為本創作廢氣環改良結構第二實施例之立體斷面圖；如圖所示，本實施例與第一實施例之差異在於該些吸氣通道1000及該些導流通道1030係為開槽，假設吸氣通道1000之總數為N，其長為Ln，高為Hn，些導流通道1030之總數為M，其長為Lm，高為Hm，根據上述之數學式可得：[H^＊ (Ro-Ri)]/(N^＊ Ln^＊ Hn)=K1

[H^＊ (Ro-Rc)]/(N^＊ Lm^＊ Hm)=K2當內環壁半徑、外壁半徑、導流板半徑及容置空間之高度決定後，即可由上述數學式計算出吸氣通道1000及導流通道1030需要的數量以及開槽所需之長度與高度，於本實施例中，H為30 mm，Ro為645/2 mm，Ri為525/2 mm，代入上式並取K1=1.25可求得開槽所需的總面積為1440 mm² ，再依此去計算吸氣通道所對應的長Ln及高Hn；導流板半徑Rc為535/2 mm，Ro為645/2 mm，代入上式並取K2=0.15可求得導流通道所需的總面積為11000 mm² ，依此去計算導流通道1000所對應的長Lm及高Hm。

請參閱第5圖，係為本創作廢氣環改良結構第二實施例之局部側視圖；如圖所示，以開槽形式之各吸氣通道1000其間隙G的數量會大量少於開孔方式之吸氣通道1000之間隙，請參閱第6圖，係為本創作廢氣環改良結構第二實施例之局部上視圖，如圖所示，當吸氣通道1000吸氣時，會在間隙G於環內一側形成一無法吸氣的區域D，會造成一定量的耗損，因此間隙G的數量越少越好，故開槽形式的吸氣通道1000效果會較好，因在相同條件下，其間隙G會少於開孔方式之間隙。

如上所述之廢氣環改良結構，藉由導出腔體截面積與排氣面積之最佳比例，當需要改變廢氣環之大小時，依據本創作即可立即得知最佳的排氣面積，並計算得出需要的孔數、孔徑等相關數值，此外，藉由環形腔體內設置環形導流板，並開設導流通道，使排氣實之氣流更穩定，此外，環形導流板亦具有支撐整個環腔體之功效，使環形腔體之結構更穩固，故本創作實已改善習知技術之缺點。

以上所述僅為本創作之較佳可行實施例，非因此即侷限本創作之專利範圍，舉凡運用本創作說明書及圖式內容所為之等效結構變化，均理同包含於本創作之範圍內，合予陳明。