TWM450773U - 一種電路結構 - Google Patents

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Description

一種電路結構
本新型係有關於電路結構，更詳而言之，係有關於一種應用於手持式行動通訊裝置之電路連接環境的電路結構，可將SIM卡與microSD快閃記憶卡予以電性連接。
隨著行動通訊技術之快速發展，以及無線數據傳輸速率之不斷提昇，伴隨著行動通訊裝置或手機之大量普及化，因此，在行動金融支付交易上，行動通訊裝置或手機已成為行動支付工具，例如，於螢幕上所展現之網頁中的電子商店，進行網上購物以及付款，又，就手機之付費機制而言，仍不脫離手機業者所提供之小額付費型式及/或網上購物信用卡號付費方式及/或ATM轉帳方式。
然，可將手機與近距離通訊NFC(Near field Communication)技術結合，以實現行動支付或身份識別之需求，而具有近距離通訊NFC功能之手機可稱之為NFC手機，並可利用NFC手機做為行動支付工具。
惟，目前NFC手機的運作模式是，依一般應用需求而將具有近距離通訊NFC功能之軟體/硬體/韌體，於出廠時即內建於NFC手機中，或搭配行動業者所發出之SWP SIM卡配合NFC功能使用，若使用者之需求並未內建於其中，或行動業者無法發出可搭配NFC功能之SWP SIM卡，則NFC手機將無法提供相對應之服務，換言之，目前之NFC手機無法滿足客製化之需求，而使用者無法按照其實際應用需求而選取不同之相對應服務。
所以如何尋求一種方式，能讓行動通訊裝置或手機，能滿足使用者之 客製化需求，能讓行動通訊裝置或手機提供更多元、豐富及便利之客製化NFC應用與服務，進而滿足及實現客戶之實際需求與應用，例如，行動支付或身份識別之用途，乃是待解的問題。
本新型之主要目的便是在於提供一種電路結構，係應用於手持式行動通訊裝置內部之電路連接環境中，可利用本新型之電路結構而將手持式行動通訊裝置之SIM卡與microSD快閃記憶卡予以電性連接，而使手持式行動通訊裝置及/或SIM卡能與microSD快閃記憶卡進行訊號及/或數據及/或資料傳輸。
本新型之又一目的便是在於提供一種電路結構，係應用於手持式行動通訊裝置內部之電路連接環境中，使具備NFC SWP SIM功能之手持式行動裝置，可依實際應用需求，而將相關服務與機制於SWP microSD快閃記憶卡動態擴充後，利用本新型之電路結構而將具備NFC SWP SIM功能之SIM卡與SWP microSD快閃記憶卡予以電性連接，以讓手持式行動裝置能提供更多元、豐富及便利之客製化NFC應用與服務，進而滿足及實現客戶之實際需求與應用，例如，行動支付或身份識別之用途。
根據以上所述之目的，本新型提供一種電路結構，該電路結構包含第一連接電路、第二連接電路、以及導電電路。
第一連接電路，該第一連接電路係位於軟板(軟性印刷電路板FPC，Flexible Print Circuit)之一表面，至少具有SIM卡插槽接觸點用以與SIM卡插槽電性接觸，另，視實施例施行情況而定，可及/或，具有microSD快 閃記憶卡接觸點用以與microSD快閃記憶卡電性接觸，及/或，具有microSD快閃記憶卡插槽接觸點用以與microSD快閃記憶卡插槽電性接觸。
第二連接電路，該第二連接電路係位於該軟板之另一表面，至少具有SIM卡接觸點用以與SIM卡電性接觸，另，視實施例施行情況而定，可及/或，具有microSD快閃記憶卡接觸點用以與microSD快閃記憶卡電性接觸，及/或，具有microSD快閃記憶卡插槽接觸點用以與microSD快閃記憶卡插槽電性接觸。
導電電路，該導電電路係為位於軟板中之通孔電路，用以將第一連接電路與第二連接電路予以電性連接。
為使熟悉該項技術人士瞭解本新型之目的、特徵及功效，茲藉由下述具體實施例，並配合所附之圖式，對本新型詳加說明如後。
以下將透過實施例來解釋本新型內容，其係關於一種電路結構。然而，本新型之實施例並非用以限制實施本新型之任何特定的環境、應用或特殊方式。因此，關於實施例之說明僅為闡釋本新型之目的，而非用以限制本新型。需說明者，以下實施例及圖式中，與本新型非直接相關之元件均已省略而未繪示；且為求簡易瞭解起見，各元件間之尺寸關係並非依照實際比例繪示出。
第一圖為一示意圖，用以顯示說明本新型之電路結構。如第一圖中所示之，電路結構1包含第一連接電路2、第二連接電路3、以及導電電路4。
第一連接電路2，該第一連接電路2係位於軟板(未圖示出)之一表面， 至少具有SIM卡插槽接觸點(未圖示出)用以與SIM卡插槽(未圖示出)電性接觸，另，視實施例施行情況而定，可及/或，具有microSD快閃記憶卡接觸點(未圖示出)用以與microSD快閃記憶卡(未圖示出)電性接觸，及/或，具有microSD快閃記憶卡插槽接觸點(未圖示出)用以與microSD快閃記憶卡插槽電性接觸。
第二連接電路3，該第二連接電路3係位於該軟板之另一表面，至少具有SIM卡接觸點(未圖示出)用以與SIM卡電性接觸，另，視實施例施行情況而定，可及/或，具有microSD快閃記憶卡插槽接觸點(未圖示出)用以與microSD快閃記憶卡插槽電性接觸，及/或，具有microSD快閃記憶卡接觸點(未圖示出)用以與microSD快閃記憶卡(未圖示出)電性接觸。
導電電路4，該導電電路4係為位於軟板(未圖示出)中之通孔電路，用以將第一連接電路2與第二連接電路3予以電性連接。
在此，該軟板係位於該手持式行動通訊裝置內，而該手持式行動通訊裝置係可為，例如，智慧型手機或平板電腦。
第二圖為一側面示意圖，用以顯示說明本新型之電路結構的一實施例。如第二圖中所示之，電路結構1包含第一連接電路2、第二連接電路3、以及導電電路4。
電路結構1包含第一連接電路2、第二連接電路3、以及導電電路4，在此，軟板5係位於手持式行動通訊裝置(未圖示出)內，而該手持式行動通訊裝置係可為，例如，智慧型手機或平板電腦。
第一連接電路2，該第一連接電路2係位於軟板5之一表面51，至少具有複數個SIM卡插槽接觸點201、202、203、204、205、206(如第三圖中 所示之)用以與SIM卡插槽(未圖示出)電性接觸、以及複數個microSD快閃記憶卡插槽接觸點207、208(如第三圖中所示之)用以與microSD快閃記憶卡插槽(未圖示出)電性接觸；在此，該些複數個SIM卡插槽接觸點201、203、204、205、206係經由通孔電路(導電電路4)而分別對應與第二連接電路3之SIM卡接觸點301、302、305、304、303(如第四圖中所示之)電性連接，其中，由於SIM卡C6點被屏蔽，因而，第二連接電路3並無SIM卡C6接觸點，致使SIM卡插槽接觸點202無須與第二連接電路3之任何SIM卡接觸點電性連接；而該些複數個microSD快閃記憶卡插槽接觸點207、208係經由通孔電路(導電電路4)而分別對應與第二連接電路3之複數個microSD快閃記憶卡接觸點307、308電性連接。
第二連接電路3，該第二連接電路3係位於該軟板5之另一表面52，具有複數個SIM卡接觸點301、302、303、304、305(如第四圖中所示之)用以與SIM卡電性接觸，及/或，具有複數個microSD快閃記憶卡接觸點307、308(如第四圖中所示之)用以與microSD快閃記憶卡電性接觸；在此，其中，該些複數個SIM卡接觸點301、302、303、304、305係經由通孔電路(導電電路4)而分別對應與第一連接電路2之SIM卡插槽接觸點201、203、206、205、204電性連接，其中，由於SIM卡C6點被屏蔽，因而，第二連接電路3並無SIM卡C6接觸點，致使第二連接電路3之任何SIM卡接觸點無須與第一連接電路2之任何SIM卡插槽接觸點電性連接；而該些複數個microSD快閃記憶卡接觸點307、308係經由通孔電路(導電電路4)而分別對應與第一連接電路2之複數個microSD快閃記憶卡插槽接觸點207、208電性連接。
導電電路4，該導電電路4係為位於軟板5中之通孔電路53，用以將第一連接電路2與第二連接電路3予以電性連接。
第三圖為一示意圖，用以顯示說明於第二圖中之第一連接電路。如第二圖中所示之，第一連接電路2係至少包含SIM卡插槽接觸點201、202、203、204、205、206用以與SIM卡插槽(未圖示出)電性接觸，以及，microSD快閃記憶卡插槽接觸點207、208用以與microSD快閃記憶卡插槽(未圖示出)電性接觸；在此，該些複數個SIM卡插槽接觸點201、203、204、205、206係經由通孔電路(導電電路4)而分別對應與第二連接電路3之SIM卡接觸點301、302、305、304、303(如第四圖中所示之)電性連接，其中，由於SIM卡C6點被屏蔽，因而，第二連接電路3並無SIM卡C6接觸點，致使SIM卡插槽接觸點202無須與第二連接電路3之任何SIM卡接觸點電性連接；而該些複數個microSD快閃記憶卡插槽接觸點207、208係經由通孔電路(導電電路4)而分別對應與第二連接電路3之複數個microSD快閃記憶卡接觸點307、308電性連接。
另，第一連接電路2可復包含導電線路209，該導電線路209用以將SIM卡插槽接觸點202與microSD快閃記憶卡插槽接觸點208予以電性連接，使手持式行動通訊裝置(例如，手機)之SWP訊號可從SIM卡插槽接觸點202經由該導電線路209而傳送到microSD快閃記憶卡插槽接觸點208，且，由於SIM卡插槽接觸點202係做為SWP訊號傳輸之用，因而，SIM卡插槽接觸點202無須於第二連接電路3具有相對應之SIM卡接觸點，換言之，第二連接電路3並無SIM卡C6之接觸點。
在此，例如，SIM卡插槽接觸點201、203、204、205、206分別對應於 SIM卡接觸點301、302、305、304、303，並經由通孔電路(導電電路4)而與之電性連接；而microSD快閃記憶卡插槽接觸點207、208分別對應於microSD快閃記憶卡接觸點307、308，並經由通孔電路(導電電路4)而與之電性連接。
在此，經由導電線路209、SIM卡插槽接觸點202、以及microSD快閃記憶卡插槽接觸點208，而讓手持式行動通訊裝置(例如，手機)之SWP訊號，可從SIM卡插槽接觸點202經由該導電線路209而傳送到microSD快閃記憶卡插槽接觸點208，並可再從microSD快閃記憶卡插槽接觸點208經由通孔電路(導電電路4)而傳送至microSD快閃記憶卡接觸點308，而microSD快閃記憶卡接觸點308係與microSD快閃記憶卡PIN9為電性接觸，因而，使手持式行動通訊裝置(例如，手機)之SWP訊號可傳送至microSD快閃記憶卡的PIN9，使手持式行動通訊裝置及/或SIM卡，能與microSD快閃記憶卡能相互進行訊號及/或數據及/或資料傳輸。
第四圖為一示意圖，用以顯示說明於第二圖中之第二連接電路。如第四圖中所示之，第二連接電路3係至少包含SIM卡接觸點301、302、303、304、305係分別對應與SIM卡之C5、C7、C1、C2、C3點電性接觸，而microSD快閃記憶卡接觸點307、308分別與microSD快閃記憶卡PIN10、PIN9電性接觸；另，第二連接電路3可復包含導電線路309，該導電線路309用以將SIM卡接觸點303與microSD快閃記憶卡接觸點307予以電性連接。
在此，其中，第一連接電路2之SIM卡插槽接觸點206經由經由通孔電路(導電電路4)而與SIM卡接觸點303電性連接，而SIM卡接觸點303係與SIM卡C1點(Vcc)電性接觸，因而，microSD快閃記憶卡接觸點307訊號 為Vcc，SIM卡插槽接觸點206訊號為Vcc，而與SIM卡接觸點303電性連接之microSD快閃記憶卡PIN10訊號為Vcc，使得SIM卡C1點(Vcc)訊號能傳送至microSD快閃記憶卡PIN10。
第五圖為一側面示意圖，用以顯示說明本新型之電路結構的又一實施例。如第五圖中所示之，電路結構1包含第一連接電路2、第二連接電路3、以及導電電路4。
電路結構1包含第一連接電路2、第二連接電路3、以及導電電路4。
第一連接電路2，該第一連接電路2係位於軟板6之一表面61，具有SIM卡插槽接觸點211、212、213、214、215、216(如第六圖中所示之)用以與SIM卡插槽(未圖示出)電性接觸、以及microSD快閃記憶卡接觸點317、318(如第六圖中所示之)用以與microSD快閃記憶卡電性接觸；在此，該些複數個SIM卡插槽接觸點211、213、214、215、216係經由導電電路4而分別對應與第二連接電路3之SIM卡接觸點311、312、313、314、315(如第七圖中所示之)電性連接，其中，由於SIM卡C6點被屏蔽，因而，第二連接電路3並無SIM卡C6接觸點，致使SIM卡插槽接觸點212無須與第二連接電路3之任何SIM卡接觸點電性連接。
第二連接電路3，該第二連接電路3係位於該軟板6之另一表面62，至少具有SIM卡接觸點311、312、313、314、315(如第七圖中所示之)以與microSD快閃記憶卡插槽(未圖示出)電性接觸，另，由於該些複數個microSD快閃記憶卡接觸點317、318與該些複數個SIM卡插槽接觸點211、213、214、215、216係共同位於第一連接電路2上，因而，於第二連接電路3上無須具有任何microSD快閃記憶卡插槽接觸點；在此，其中，該些複 數個SIM卡接觸點311、312、313、314、315係經由導電電路4而分別對應與第一連接電路2之SIM卡插槽接觸點211、213、214、215、216電性連接，其中，由於SIM卡C6點被屏蔽，因而，第二連接電路3並無SIM卡C6接觸點，致使第二連接電路3之任何SIM卡接觸點無須與第一連接電路2之任何SIM卡插槽接觸點電性連接。
導電電路4，該導電電路4係為通孔電路，用以將第一連接電路2與第二連接電路3予以電性連接。
第六圖為一示意圖，用以顯示說明於第五圖中之第一連接電路。如第六圖中所示之，第一連接電路2係包含複數個SIM卡插槽接觸點211、212、213、214、215、216用以與SIM卡插槽(未圖示出)電性接觸、複數個microSD快閃記憶卡接觸點317、318分別與microSD快閃記憶卡電性接觸、以及導電線路250、260。
在此，該些複數個SIM卡插槽接觸點211、212、213、214、215、216係經由通孔電路(導電電路4)分別對應與第二連接電路3之SIM卡接觸點311、312、313、314、315電性連接；第一連接電路2復包含導電線路250、260，該導電線路250用以將SIM卡插槽接觸點212與microSD快閃記憶卡接觸點317予以電性連接，使手持式行動通訊裝置(例如，手機)之SWP訊號可從SIM卡插槽接觸點212經由該導電線路250而傳送到microSD快閃記憶卡接觸點317，且，再經由該microSD快閃記憶卡接觸點317而將SWP訊號傳送至microSD快閃記憶卡PIN9；該導電線路260用以將SIM卡插槽接觸點216與microSD快閃記憶卡接觸點318予以電性連接，使得來自於SIM卡接觸點313之SIM卡C1訊號(Vcc)能經由該導電線路260而傳送到 microSD快閃記憶卡接觸點318，且，再經由該microSD快閃記憶卡接觸點318而將訊號(Vcc)傳送至microSD快閃記憶卡PIN10。
第七圖為一示意圖，用以顯示說明於第五圖中之第二連接電路。如第七圖中所示之，第二連接電路3係包含複數個SIM卡接觸點311、312、313、314、315分別與SIM卡電性接觸，且，由於該些複數個microSD快閃記憶卡接觸點317、318與該些複數個SIM卡插槽接觸點211、213、214、215、216係共同位於第一連接電路2上，因而，於第二連接電路3上無須具有任何microSD快閃記憶卡插槽接觸點。
在此，該些複數個SIM卡接觸點311、312、313、314、315係經由導電電路4而分別對應與第一連接電路2之SIM卡插槽接觸點211、213、216、215、214電性連接，而SIM卡接觸點311、312、313、314、315分別與SIM卡之C5、C7、C1、C2、C3點電性接觸。
第八圖為一側面示意圖，用以顯示說明本新型之電路結構的又一實施例。如第二圖中所示之，電路結構1包含第一連接電路2、第二連接電路3、以及導電電路4。
電路結構1包含第一連接電路2、第二連接電路3、以及導電電路4，在此，軟板5係位於手持式行動通訊裝置(未圖示出)內，而該手持式行動通訊裝置係可為，例如，智慧型手機或平板電腦。
第一連接電路2，該第一連接電路2係位於軟板7之一表面71，至少具有複數個SIM卡插槽接觸點221、222、223、224、225、226(如第九圖中所示之)用以與SIM卡插槽(未圖示出)電性接觸；在此，該些複數個SIM卡插槽接觸點221、223、224、225、226係經由通孔電路(導電電路4)而分別 對應與第二連接電路3之SIM卡接觸點321、322、325、324、323(如第十圖中所示之)電性連接，其中，由於SIM卡C6點被屏蔽，因而，第二連接電路3並無SIM卡C6接觸點，致使SIM卡插槽接觸點222無須與第二連接電路3之任何SIM卡接觸點電性連接；且，由於為使手持式行動通訊裝置(例如，手機)之SWP訊號能傳送至microSD快閃記憶卡的PIN9，因而，將經由導電線路4而使SIM卡插槽接觸點222與第二連接電路3之microSD快閃記憶卡接觸點328電性連接，讓手持式行動通訊裝置(例如，手機)之SWP訊號能經由SIM卡插槽接觸點222、導電線路4而傳送到microSD快閃記憶卡接觸點328，而microSD快閃記憶卡接觸點328係與microSD快閃記憶卡PIN9為電性接觸，因而，使手持式行動通訊裝置(例如，手機)之SWP訊號可傳送至microSD快閃記憶卡的PIN9，使手持式行動通訊裝置及/或SIM卡，能與microSD快閃記憶卡能相互進行訊號及/或數據及/或資料傳輸。
第二連接電路3，該第二連接電路3係位於該軟板7之另一表面72，具有複數個SIM卡接觸點321、322、323、324、325(如第十圖中所示之)用以與SIM卡電性接觸，及/或，具有複數個microSD快閃記憶卡接觸點327、328(如第十圖中所示之)用以與microSD快閃記憶卡電性接觸；在此，其中，該些複數個SIM卡接觸點321、322、323、324、325係經由通孔電路(導電電路4)而分別對應與第一連接電路2之SIM卡插槽接觸點221、223、226、225、224電性連接，其中，由於SIM卡C6點被屏蔽，因而，第二連接電路3並無SIM卡C6接觸點，致使第二連接電路3之任何SIM卡接觸點無須與第一連接電路2之任何SIM卡插槽接觸點電性連接。
導電電路4，該導電電路4係為位於軟板7中之通孔電路73，用以將 第一連接電路2與第二連接電路3予以電性連接。
第九圖為一示意圖，用以顯示說明於第八圖中之第一連接電路。如第九圖中所示之，第一連接電路2係至少包含SIM卡插槽接觸點221、222、223、224、225、206用以與SIM卡插槽(未圖示出)電性接觸。
在此，該些複數個SIM卡插槽接觸點221、223、224、225、226係經由通孔電路(導電電路4)而分別對應與第二連接電路3之SIM卡接觸點321、322、325、324、323(如第十圖中所示之)電性連接，其中，由於SIM卡C6點被屏蔽，因而，第二連接電路3並無SIM卡C6接觸點，致使SIM卡插槽接觸點222無須與第二連接電路3之任何SIM卡接觸點電性連接；且，由於為使手持式行動通訊裝置(例如，手機)之SWP訊號能傳送至microSD快閃記憶卡的PIN9，因而，將經由導電線路4而使SIM卡插槽接觸點222與第二連接電路3之microSD快閃記憶卡接觸點328電性連接，讓手持式行動通訊裝置(例如，手機)之SWP訊號能經由SIM卡插槽接觸點222、導電線路4而傳送到microSD快閃記憶卡接觸點328，而microSD快閃記憶卡接觸點328係與microSD快閃記憶卡PIN9為電性接觸，因而，使手持式行動通訊裝置(例如，手機)之SWP訊號可傳送至microSD快閃記憶卡的PIN9，使手持式行動通訊裝置及/或SIM卡，能與microSD快閃記憶卡能相互進行訊號及/或數據及/或資料傳輸。
第十圖為一示意圖，用以顯示說明於第八圖中之第二連接電路。如第十圖中所示之，第二連接電路3係至少包含SIM卡接觸點321、322、323、324、325係分別對應與SIM卡之C5、C7、C1、C2、C3點電性接觸，而microSD快閃記憶卡接觸點327、328分別與microSD快閃記憶卡PIN10、PIN9電性 接觸。
另，第二連接電路3可復包含導電線路340，該導電線路340用以將SIM卡接觸點323與microSD快閃記憶卡接觸點327予以電性連接；在此，其中，SIM卡接觸點323係與SIM卡C1點(Vcc)電性接觸，因而，microSD快閃記憶卡接觸點327訊號為Vcc，又，快閃記憶卡接觸點327係與microSD快閃記憶卡PIN10電性接觸，因而使microSD快閃記憶卡PIN10訊號為Vcc，使得SIM卡C1點(Vcc)訊號能傳送至microSD快閃記憶卡PIN10。
於以上之該些實施例中，軟板係由一層以上之軟性印刷電路板材料所組成，SIM卡可為近距離通訊NFC SWP SIM卡之型式，microSD快閃記憶卡可為單線傳輸協議SWP microSD快閃記憶卡之型式，而SIM卡接觸點、microSD快閃記憶卡接觸點亦可隨之成為近距離通訊NFC SWP SIM卡接觸點與單線傳輸協議SWP microSD快閃記憶卡接觸點，端視實際施行情況而定。
而單線傳輸協議SWP microSD快閃記憶卡，可依實際應用需求，而將相關服務與機制於SWP microSD快閃記憶卡動態擴充後，利用本新型之電路結構而將具備NFC SWP SIM功能之SIM卡與SWP microSD快閃記憶卡予以電性連接，以讓手持式行動裝置能提供更多元、豐富及便利之客製化NFC應用與服務，進而滿足及實現客戶之實際需求與應用，例如，行動支付或身份識別之用途。
且，SIM卡接觸點、microSD快閃記憶卡接觸點的數目，可依實際施行情況而有所改變；另，用以連接SIM卡接觸點與microSD快閃記憶卡接觸點的導電電路及/或導電線路的形狀/長短亦可隨實際施行情況而有所調整；又，SIM卡插槽接觸點數目，可依實際施行情況而有所改變；再，用以連接 SIM卡插槽接觸點與microSD快閃記憶卡插槽的導電電路及/或導電線路的形狀/長短亦可隨實際施行情況而有所調整；另，於上述實施例中，經由導電線路而將一SIM卡插槽接觸點與一microSD快閃記憶卡插槽接觸點予以電性連接，惟，於實際施行時，當SIM卡插槽接觸點與microSD快閃記憶卡插槽接觸點電性連接時，各自之數目可不限定於一，換言之，為至少一SIM卡插槽接觸點與至少一microSD快閃記憶卡插槽接觸點電性連接。
惟，microSD快閃記憶卡插槽接觸點並非為必要之，而可予以省略；又，於上述實施例中，經由導電線路而將一SIM卡接觸點與一microSD快閃記憶卡接觸點予以電性連接，惟，於實際施行時，當SIM卡接觸點與microSD快閃記憶卡接觸點電性連接時，各自之數目可不限定於一，換言之，可為至少一SIM卡接觸點與至少一microSD快閃記憶卡接觸點電性連接。
在此，以上所述之各種狀況，其理相同、類似於實施例中所述之，是故，在此不再贅述之。
綜合以上之該些實施例，我們可以得到本新型之一種電路結構，係應用於手持式行動通訊裝置內部之電路連接環境中，可利用本新型之電路結構而將手持式行動通訊裝置之SIM卡與microSD快閃記憶卡予以電性連接，而使手持式行動通訊裝置及/或SIM卡，能與microSD快閃記憶卡進行訊號及/或數據及/或資料傳輸。本發明之電路結構包含以下優點：
1.提供一種電路結構，係應用於手持式行動通訊裝置內部之電路連接環境中，可利用本新型之電路結構而將手持式行動通訊裝置之SIM卡與microSD快閃記憶卡予以電性連接，而使手持式行動通訊裝置及/或SIM卡與microSD快閃記憶卡能進行訊號及/或數據及/或資料傳輸。
2.使具備NFC SWP SIM功能之手持式行動裝置，可依實際應用需求，而將相關服務與機制於SWP microSD快閃記憶卡動態擴充後，利用本新型之電路結構而將具備NFC SWP SIM功能之SIM卡與SWP microSD快閃記憶卡予以電性連接，以讓手持式行動裝置能提供更多元、豐富及便利之客製化NFC應用與服務，進而滿足及實現客戶之實際需求與應用，例如，行動支付或身份識別之用途。
藉由以上較佳具體實施例之詳述係希望能更加清楚描述本新型之特徵與精神，而並非以上述所揭露的較佳具體實施例來對本新型之範疇加以限制。相反地，其目的是希望能涵蓋各種改變及具相等性的安排於本新型所欲申請之專利範圍內。
1‧‧‧電路結構
2‧‧‧第一連接電路
3‧‧‧第二連接電路
4‧‧‧導電電路
5‧‧‧軟板
6‧‧‧軟板
7‧‧‧軟板
51‧‧‧表面
52‧‧‧表面
53‧‧‧通孔電路
61‧‧‧表面
62‧‧‧表面
63‧‧‧通孔電路
71‧‧‧表面
72‧‧‧表面
73‧‧‧通孔電路
201 202 203 204 205 206‧‧‧SIM卡插槽接觸點
207 208‧‧‧microSD快閃記憶卡插槽接觸點
209‧‧‧導電線路
211 212 213 214 215 216‧‧‧SIM卡插槽接觸點
221 222 223 224 225 226‧‧‧SIM卡插槽接觸點
250‧‧‧導電線路
260‧‧‧導電線路
301 302 303 304 305‧‧‧SIM卡接觸點
307 308‧‧‧microSD快閃記憶卡接觸點
309‧‧‧導電線路
311 312 313 314 315‧‧‧SIM卡接觸點
317 318‧‧‧microSD快閃記憶卡接觸點
321 322 323 324 325‧‧‧SIM卡接觸點
327 328‧‧‧microSD快閃記憶卡接觸點
340‧‧‧導電線路
第一圖為一示意圖，用以顯示說明本新型之電路結構；第二圖為一側面示意圖，用以顯示說明本新型之電路結構的一實施例；第三圖為一示意圖，用以顯示說明於第二圖中之第一連接電路；第四圖為一示意圖，用以顯示說明於第二圖中之第二連接電路；第五圖為一側面示意圖，用以顯示說明本新型之電路結構的又一實施例；第六圖為一示意圖，用以顯示說明於第五圖中之第一連接電路；第七圖為一示意圖，用以顯示說明於第五圖中之第二連接電路；第八圖為一側面示意圖，用以顯示說明本新型之電路結構的再一實施例； 第九圖為一示意圖，用以顯示說明於第八圖中之第一連接電路；以及第十圖為一示意圖，用以顯示說明於第八圖中之第二連接電路。
1‧‧‧電路結構
2‧‧‧第一連接電路
3‧‧‧第二連接電路
4‧‧‧導電電路

Claims (10)

  1. 一種電路結構，係應用於手持式行動通訊裝置之電路連接環境中，係包含：第一連接電路，該第一連接電路係位於軟板之一表面，至少具有：複數個SIM卡插槽接觸點，該些複數個SIM卡插槽接觸點用以與SIM卡插槽電性接觸；以及第二連接電路，該第二連接電路係位於該軟板之另一表面，至少具有：複數個SIM卡接觸點，該些複數個SIM卡接觸點用以與SIM卡電性接觸；以及複數個microSD快閃記憶卡接觸點，該些複數個microSD快閃記憶卡接觸點用以與microSD快閃記憶卡電性接觸；以及導電電路，該導電電路用以將該第一連接電路與該第二連接電路予以電性連接。
  2. 一種電路結構，係應用於手持式行動通訊裝置之電路連接環境中，係包含：第一連接電路，該第一連接電路係位於軟板之一表面，至少具有：複數個SIM卡插槽接觸點，該些複數個SIM卡插槽接觸點用以與SIM卡插槽電性接觸；以及複數個microSD快閃記憶卡插槽接觸點，該些複數個microSD快閃記憶卡插槽接觸點用以與microSD快閃記憶卡插槽電性接觸；第二連接電路，該第二連接電路係位於該軟板之另一表面，至少具有：複數個SIM卡接觸點，該些複數個SIM卡接觸點用以與SIM卡電 性接觸；以及複數個microSD快閃記憶卡接觸點，該些複數個microSD快閃記憶卡接觸點用以與microSD快閃記憶卡電性接觸；以及導電電路，該導電電路用以將該第一連接電路與該第二連接電路予以電性連接。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之電路結構，其中，該第一連接電路復包含一導電線路，該導電線路用以將該複數個SIM卡插槽接觸點中的至少一SIM卡插槽接觸點與該複數個microSD快閃記憶卡插槽接觸點中的至少一microSD快閃記憶卡插槽接觸點予以電性連接。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電路結構，其中，該第二連接電路復包含一導電線路，該導電線路用以將該複數個SIM卡接觸點中的至少一SIM卡接觸點與該複數個microSD快閃記憶卡接觸點中的至少一microSD快閃記憶卡接觸點予以電性連接。
  5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之電路結構，其中，該導電電路係為位於該軟板中之通孔電路，該軟板係位於該手持式行動通訊裝置內，而該手持式行動通訊裝置係為智慧型手機或平板電腦。
  6. 一種電路結構，係應用於手持式行動通訊裝置之電路連接環境中，係包含：第一連接電路，該第一連接電路係位於軟板之一表面，至少具有：複數個SIM卡插槽接觸點，該些複數個SIM卡插槽接觸點用以與SIM卡插槽電性接觸；以及複數個microSD快閃記憶卡接觸點，該些複數個microSD快閃記 憶卡接觸點用以與microSD快閃記憶卡電性接觸；第二連接電路，該第二連接電路係位於該軟板之另一表面，至少具有：複數個SIM卡接觸點，該些複數個SIM卡接觸點用以與SIM卡電性接觸；以及導電電路，該導電電路用以將該第一連接電路與該第二連接電路予以電性連接。
  7. 一種電路結構，係應用於手持式行動通訊裝置之電路連接環境中，係包含：第一連接電路，該第一連接電路係位於軟板之一表面，至少具有：複數個SIM卡插槽接觸點，該些複數個SIM卡插槽接觸點用以與SIM卡插槽電性接觸；以及複數個microSD快閃記憶卡接觸點，該些複數個microSD快閃記憶卡接觸點用以與microSD快閃記憶卡電性接觸；第二連接電路，該第二連接電路係位於該軟板之另一表面，至少具有：複數個SIM卡接觸點，該些複數個SIM卡接觸點用以與SIM卡電性接觸；以及複數個microSD快閃記憶卡插槽接觸點，該些複數個microSD快閃記憶卡插槽接觸點用以與microSD快閃記憶卡插槽電性接觸；以及導電電路，該導電電路用以將該第一連接電路與該第二連接電路予以電性連接。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之電路結構，其中，該第一連接電路復包含 一導電線路，該導電線路用以將該複數個SIM卡插槽接觸點中的至少一SIM卡插槽接觸點與該複數個microSD快閃記憶卡插槽接觸點中的至少一microSD快閃記憶卡插槽接觸點予以電性連接。
  9. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之電路結構，其中，該第二連接電路復包含一導電線路，該導電線路用以將該複數個SIM卡接觸點中的至少一SIM卡接觸點與該複數個microSD快閃記憶卡接觸點中的至少一microSD快閃記憶卡接觸點予以電性連接。
  10. 如申請專利範圍第6項或第7項所述之電路結構，其中，該導電電路係為位於該軟板中之通孔電路，該軟板係位於該手持式行動通訊裝置內，而該手持式行動通訊裝置係為智慧型手機或平板電腦。
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