TWM329864U - Structure of light emitted diode package - Google Patents

Description

M329864 八、創作說明： 【新型所屬之技術領域】 本創作係關於一種發光二極體封裝結構，特別係關於 一種具不同材質封裝部之發光二極體封裝結構。 【先前技術】

一般習知之發光二極體（light emitting di〇des)之封裝 應用中，例如·傳統之燈泡型（Lamp type，亦稱為砲彈型） 高功率發光二極體，均以環氧樹脂（Epoxyresins)作為發 光二極體封裝外層之膠材。然而，由於發光二極體（特別 是藍白光）所發出之光源中含有紫外光（ultravi〇let Hght， uv)之波段，會造成環氧樹脂之碳化，產生焦黃之現象， 故，發光二極體之光源便無法有效地透過於其外層而放射 出去。 有於此，業界便改以石夕膠（siiic〇ne)膠材來取代環 氧樹脂作為發光二極體之封裝外層，⑦膠膠材本身並不合 受到紫外光波段之影響，而不致產生碳化現象。然而，ς 然矽膠之膠材較環氧樹脂之膠材具有彈性，卻不如環氧樹 脂般地堅固，不易固^發光二極體與腳架，經常於搬運安 裝時’造成外力破壞，加切膠之成本遠較環氧樹脂昂貴， 使得許多業者仍須尋求更合適讀決方案崎低封裝外層 之成本。 【新型内容】 因此，本創作係提供一種發光二極體封裝結構，用以 M329864 提供更麵固的發光二極體腳架，也降低封裝外層之成本。 小=達成上述目的，本創作之發光二極體封裝結構，至 >包^一腳架、承载部、發光二極體晶片、上封裝部及下 封f部’承载部設於腳架之一端，發光二極體晶片設於承 載：上’下封裝外層由一第-膠材所射出成型，而包覆於 腳条具發光l日m，用以加強腳架於發光二極 體上之穩固性，而上封裝外層由一第二谬材所製成，並設 於下封裝外層之上方。 【實施方式】 以下將以圖式及詳細說明清楚說明本創作之精神，如孰朵 此技術之人貞在瞭解賴作讀佳實_後，#可由本創^ 教不之技術’加以改變及修飾，其並不脫離本創作之精神 ® ° " 本況明書中所謂之上下方向，係以各圖式中所示之方 向為基礎，例如第1圖所示，為繪製本創作發光二極體之 結構分解圖，其中上封裝部40設於下封裝部％上， 的位置關係係同理可得之而省略其說明。〜 本新型係-種發光二極體封裝結構，由—較佳 提到’請參閱如第丄圖所示’至少包含一腳架1〇二二 Γ發光一Γ體晶片30、上封裝部4〇及下封裂部50,腳 架！。由金屬材質所製成，具有第一接腳 0 : 1〇2,用以與相關電路相連’而承栽部2。設於第一接:= 之-端，通常被一銀膠層固設於第—接腳m 腳1 置發光二極體晶片30(LEDchip)，而發光二極體晶片⑽ M329864 可以一導線103連接第二接腳i〇2，使其形成電氣連接， 但發光一極體晶片30與第二接腳102亦不一定需要以導線 1〇3之方式相連接，尚可以共晶（Eutectic reacti〇n)之 方式達成電氣連接，最後再由一第一膠材以射出成型之製 造方式形成可透光或不可透光之一下封裝部5〇，下封裝部 5〇包覆於腳架1〇裝設有發光二極體晶片3〇之一端，用以

加強第一接腳101與第二接腳1〇2於發光二極體上之穩固 性，提高其信賴性，本實施例中第一膠材可為堅固的塑膠 材料如·發泡聚乙浠（Extruded Polyethylene，EPE )、 聚氯乙烯（P〇1yvinyl chloride，PVC )、聚苯乙烯 (Polystyrene ^ PS )、發泡聚丙烯（Extruded Polypropylene，EPP等等，而上封裝部4〇由一第二膠材 =澆鑄或射出成形之方式，設於下封裝部5〇之上方，本實 把例中第二膠材可為抗紫外光之石夕膠（silicon)或非紫外 光之環氧樹脂（Epoxy resins)。 對於加強第一接腳101與第二接腳102於發光二極體 上之穩固性，提高其信賴性之技術手段，下封裝部50未必 用以包覆於腳架10裝設有發光二極體晶片30之一端，本 2 ^具有另__實施例’請見第2圖所示’為緣製本新型 貫：例之示意圖，下封裝部5〇可套於第一接腳ι〇ι ⑽上’遠離上封裝部⑼之位置，’下封裝部 過二口 Μ，第一開口 61可供第-接請通 當下封p第二開口 62可供第二接請通過，因此， 時，便破安裝於第一接腳101與第二接腳102上 更了加強第-接腳101肖第二接腳102於發光二極體 M329864 上之穩固性，再由上封裝部40之形成，如此，腳架1 〇被 下封裝部50及上封裝部40之雙重固定下，可降低受到外 力而遭到損壞之機率。 至於發光二極體晶片30内之各層結構，如：ρ極層 (P-electrode)、Ν 極層（N-electrode)、Ρ 型氮化鎵 層（P-Gan)、多量子井結構（Multiple Quantum Well， MQW)、N型氮化鎵層（N—GaN)及基材層（substrate)之 各層次順序及作用，由於已為習知技藝中眾所皆知之知 識，並非本新型之重點，因此，便不在本新型中詳加資述。 雖然本創作已以一較佳實施例揭露如上，然其並非用 以限定本創#，任何熟習此技藝I，在不脫離本創作之精 神和範圍内，當可作各種之更動與潤飾，因此本創作之保 濩乾圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 圖式簡單說明 明下特徵，與實施例能更 苐1圖為繪製本新型之眘 解圖 圖 。 之貝苑例之發光二極體之結構分 第2圖為繪製本新型一每 力 灵施例發光二極體之示意 主要元件符號說明】 M329864 ίο:腳架 101 :第一接腳 102 ：第二接腳 103 :導線 20 ··承載部 30 :發光二極體晶片 40 ··上封裝部 50 :下封裝部 61 :第一開口 62 ·•第二開口

Claims (1)

1. M329864 九、申請專利範圍： 1· 一種發光二極體封裝結構 一腳架； 至少包含： 一承載部 係設置於該腳架上； 一發光二極體晶片， 一下封裝部，係由一 設置有該承載部之部份， 一極體晶片於該腳架上· 係分別設置於該承載部上； 弟膠材所射出而成型於該腳架 且穩固地封裝該承載部及該發光 及 、^係由一第二膠材而成型於該下封裝部之 2·如申請專利範圍第 構’其中該支架包括： 一第一支腳，其一端以以及 1項所述之發光二極體封裝結 一銀膠層固設於該承載部上； 第一支腳，其一端以一導線與該發光二極體晶片電 氣相接。 •如申請專利範圍第2項所述之發光二極體封裝結 構其中该第二支腳之一端以共晶之方式與該發光二極體 晶片電氣相接。 4·如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結 構，其中該第二膠材為矽膠（Silicon)。 M329864 5.如申請專利範圍第1項所述之發光二極體封裝結 構，其中該第一膠材為塑谬材質。 6·如申請專利範圍第5項所述之發光二極體封裝結 構，其中該第一膠材為發泡聚乙烯（Extruded Polyethylene，EPE)、聚氯乙烯（Polyvinyl chloride， PVC)、聚苯乙烯（polystyrene，PS)或發泡聚丙浠（Extruded polypropylene ， EPP) 〇 7· —種發光二極體封裝結構，至少包含： 一腳架； 一承載部，係設置於該腳架上； 一發光二極體晶片，係分別設置於該承載部上·， 一下封裝部，係由一第一膠材所射出而成型於該腳 架上，用以固定該腳架；及 設置 二極

   一上封裝部，係由一第二膠材而成型於該腳架 有該承載部之部份，且穩固地封裳該承載部及該發光 體晶片於該腳架上。 Λ又 極體封装結 8·如申請專利範圍第7項所述之發光 構，其中該支架包括： 以及 -第-支腳’其—端以一銀膠層固設於該承載部上； 氣相接 第二支腳，其一端以一導線與該發光 極體晶片電 11 M329864 構，其中範圍第8項所述之發光二極體封裝結 穿過，而另有二開口，其一開口由該第—接腳 開口由該第二接腳穿過。 1〇·如申請專利範圍第9項所述之發光二極體封裝 -構其中该第二支腳之一端以共晶之方式與該發光二極 體晶片電氣相接。 11·如申請專利範圍第7項所述之發光二極體封裝 結構’其中該第二膠材為矽膠（silicon)。 12·如申請專利範圍第9項所述之發光二極體封裝 結構，其中該第一膠材為塑膠材質。 13.如申請專利範圍第12項所述之發光二極體封 裝結構’其中該第一膠材為發泡聚·乙浠（Extruded Polyethylene，EPE)、聚氯乙烯（Polyvinyl chloride， PVC )、聚苯乙稀（polystyrene，PS)或發泡聚丙稀（Extruded polypropylene ， EPP) 〇 12