TWI900397B

TWI900397B - 發光元件

Info

Publication number: TWI900397B
Application number: TW114101852A
Authority: TW
Inventors: 曾煥偉; 周君瑋; 廖佳君
Original assignee: 南寶樹脂化學工廠股份有限公司
Priority date: 2022-11-03
Filing date: 2023-10-03
Publication date: 2025-10-01
Also published as: TWI873889B; TW202420615A; TW202519086A

Abstract

一種發光元件包括基板、第一發光單元、第二發光單元、第三發光單元、藍光吸收光阻層以及原子層沉積（ALD）阻氣層。第一發光單元包括第一微發光二極體（micro LED）元件以及包覆第一微發光二極體元件的第一光轉換層，第二發光單元包括第二微發光二極體元件以及包覆第二微發光二極體元件的第二光轉換層，且第三發光單元包括第三微發光二極體元件以及包覆第三微發光二極體元件的第三光轉換層。藍光吸收光阻層覆蓋第一發光單元與第二發光單元，且外露出第三發光單元。ALD阻氣層包覆第一發光單元、第二發光單元、第三發光單元以及藍光吸收光阻層。

Description

發光元件

本發明是有關於一種具有微發光二極體元件的發光元件。

目前具有量子點的微發光二極體（micro LED）的顯示器普遍存在產品可靠度低、使用壽命短等問題。另外，由於量子點無法將所有藍光完全轉換為紅光或綠光，因此需要紅色或綠色濾光片來濾掉未被量子點轉換的多餘藍光，同時允許所需的紅光或綠光通過。然而，彩色濾光片的紅光或綠光穿透率通常低於80%。在此情況下，可用的紅光或綠光也會因彩色濾光片而減少，從而降低發光元件的效能。

一些現有技術，例如分散式布拉格反射器（Distributed Bragg Reflector，DBR），可將藍光反射回量子點層，以增加藍光的總轉換率。然而，DBR或是其他類似的光學元件會使得較多不需要的藍光穿透過該濾光片，且DBR更昂貴難以製造。

本發明提供一種發光元件包括基板、第一發光單元、第二發光單元、第三發光單元、藍光吸收光阻層以及原子層沉積（ALD）阻氣層。第一發光單元、第二發光單元以及第三發光單元配置在基板上。第一發光單元包括第一微發光二極體（micro LED）元件以及包覆第一微發光二極體元件的第一光轉換層，第二發光單元包括第二微發光二極體元件以及包覆第二微發光二極體元件的第二光轉換層，第三發光單元包括第三微發光二極體元件以及包覆第三微發光二極體元件的第三光轉換層，且第一發光單元、第二發光單元以及第三發光單元發出不同顏色的光。藍光吸收光阻層覆蓋第一發光單元與第二發光單元，且外露出第三發光單元。ALD阻氣層包覆第一發光單元、第二發光單元、第三發光單元以及藍光吸收光阻層。

本發明提供一種發光元件包括第一層級以及第二層級。第一層級包括多個藍光發光單元配置在第一基板上。第二層級配置在第一層級上。第二層級包括：第一發光單元，對應於多個藍光發光單元的第一部分，其中第一發光單元包括第一光轉換層與第一藍光吸收光阻層覆蓋第一光轉換層；第二發光單元，對應於多個藍光發光單元的第二部分，其中第二發光單元包括第二光轉換層與第二藍光吸收光阻層覆蓋第二光轉換層；第三發光單元，對應於多個藍光發光單元的第三部分，其中第三發光單元包括第三光轉換層且不具有藍光吸收光阻層；第二基板，覆蓋第一發光單元、第二發光單元以及第三發光單元；以及ALD阻氣層，包覆第一發光單元、第二發光單元、第三發光單元以及第二基板。

本發明提供一種發光元件的形成方法包括：在基板上形成第一微發光二極體（micro LED）元件、第二微發光二極體元件以及第三微發光二極體元件；在第一微發光二極體元件上形成第一光轉換層，從而形成第一發光單元；在第二微發光二極體元件上形成第二光轉換層，從而形成第二發光單元；在第三微發光二極體元件上形成第三光轉換層，從而形成第三發光單元，其中第一發光單元、第二發光單元以及第三發光單元發出不同顏色的光；在基板上塗佈藍光吸收光阻材料，以覆蓋第一發光單元、第二發光單元以及第三發光單元；對藍光吸收光阻材料進行曝光製程，以固化覆蓋第一發光單元與第二發光單元的藍光吸收光阻材料的一部分；進行顯影製程，以移除藍光吸收光阻材料的剩餘部分，從而形成覆蓋第一發光單元與第二發光單元且外露出第三發光單元的藍光吸收光阻層；以及進行原子層沉積製程，以形成包覆第一發光單元、第二發光單元、第三發光單元以及藍光吸收光阻層的ALD阻氣層。

基於上述，本發明將藍光吸收光阻層覆蓋紅光發光單元與綠光發光單元，而外露出藍光發光單元。在此情況下，藍光吸收光阻層可有效地吸收未被紅色或綠色量子點轉換的多餘藍光，同時允許較多的紅光或綠光通過。因此，本發明的發光元件可增加色純度，進而提升顯示器的效能並提供更廣的色域。

參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之標號表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。

圖1是依照本發明一實施例的一種發光元件的剖面示意圖。圖2是依照本發明一實施例的一種發光元件的形成方法的流程圖。圖3是依照本發明一實施例的一種發光元件的俯視示意圖。

請參照圖1，本發明一實施例之發光元件1包括：基板100、第一發光單元110、第二發光單元120、第三發光單元130、藍光吸收光阻層140以及原子層沉積（ALD）阻氣層160。在一實施例中，基板100可以是玻璃基板、聚合物基板、具有金屬導線於其中的複合基板等。

具體來說，第一發光單元110、第二發光單元120以及第三發光單元130可配置在基板100上。在一實施例中，第一發光單元110包括第一微發光二極體（micro LED）元件102A以及包覆所述第一微發光二極體元件102A的第一光轉換層112A；第二發光單元120包括第二微發光二極體元件102B以及包覆第二微發光二極體元件102B的第二光轉換層112B；而第三發光單元130包括第三微發光二極體元件102C以及包覆第三微發光二極體元件102C的第三光轉換層112C。第一發光單元110、第二發光單元120以及第三發光單元130可發出不同顏色的光。舉例來說，第一發光單元110可發出紅光，第二發光單元120可發出綠光，而第三發光單元130可發出藍光。在此實施例中，第一發光單元110可視為紅光發光單元，第二發光單元120可視為綠光發光單元，而第三發光單元130可視為藍光發光單元。本實施例之發光元件1還包括黑色矩陣（Black matrix）104配置在第一發光單元110、第二發光單元120以及第三發光單元130之間，以防止光線在第一發光單元110、第二發光單元120以及第三發光單元130之間透射。

如圖2所示，第一發光單元110、第二發光單元120以及第三發光單元130的形成方法包括以下步驟。首先，進行步驟S102，在基板100上形成第一微發光二極體元件102A、第二微發光二極體元件102B以及第三微發光二極體元件102C。在本實施例中，第一微發光二極體元件102A、第二微發光二極體元件102B以及第三微發光二極體元件102C皆為藍光微發光二極體元件（可統稱為藍光微發光二極體元件102），且可發射例如波長約為450 nm的藍光。接著，在第一微發光二極體元件102A上形成第一光轉換層112A，從而形成第一發光單元110；在第二微發光二極體元件102B上形成第二光轉換層112B，從而形成第二發光單元120；且在第三微發光二極體元件102C上形成第三光轉換層112C，從而形成第三發光單元130。在一實施例中，藍光微發光二極體元件102可為微無機發光二極體元件、微有機發光二極體元件或微量子點發光二極體元件。

具體來說，第一發光單元110的形成步驟可包括：在基板100上塗佈紅色量子點光阻材料。在一實施例中，紅色量子點光阻材料是將紅色量子點均勻散佈在光阻材料中。對紅色量子點光阻材料進行第一曝光製程，以固化覆蓋第一微發光二極體元件102A的紅色量子點光阻材料的一部分。在一實施例中，第一曝光製程可將光線照射在覆蓋第一微發光二極體元件102A的紅色量子點光阻材料的一部分，而不將光線照射在覆蓋第二微發光二極體元件102B與第三微發光二極體元件102C的紅色量子點光阻材料的其他部分。也就是說，覆蓋第二微發光二極體元件102B與第三微發光二極體元件102C的紅色量子點光阻材料的其他部分並未被固化。然後，進行第一顯影製程，以移除紅色量子點光阻材料的剩餘部分（亦即未照光部分），從而形成第一光轉換層112A（以下稱為紅色量子點光阻層112A）。在本實施例中，紅色量子點光阻層112A覆蓋第一微發光二極體元件102A且外露出第二微發光二極體元件102B與第三微發光二極體元件102C。另外，在進行第一曝光製程之前可進行預先烘烤（pre-bake）步驟，而在進行第一顯影製程之後，可進行後烘烤（post-bake）步驟。

相似地，第二發光單元120的形成步驟可包括：在基板100上塗佈綠色量子點光阻材料；對綠色量子點光阻材料進行第二曝光製程，以固化覆蓋第二微發光二極體元件102B的綠色量子點光阻材料的一部分；以及進行第二顯影製程，以移除綠色量子點光阻材料的剩餘部分，從而形成覆蓋第二微發光二極體元件102B上且外露出第三微發光二極體元件102C的第二光轉換層112B（以下稱為綠色量子點光阻層112B）。在一實施例中，綠色量子點光阻材料是將綠色量子點均勻散佈在光阻材料中。

相似地，第三發光單元130的形成步驟可包括：在基板100上塗佈白色光阻材料；對白色光阻材料進行第三曝光製程，以固化覆蓋第三微發光二極體元件102C的白色光阻材料的一部分；以及進行第三顯影製程，以移除白色光阻材料的剩餘部分，從而形成覆蓋第三微發光二極體元件102C的第三光轉換層112C（以下稱為白色光阻層112C）。在一實施例中，白色光阻層112C不含量子點。在一實施例中，白色光阻層可包括光散射粒子，例如二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋁、二氧化鋯或其組合。在此情況下，白色光阻層112C可使從第三微發光二極體元件102C發射之藍光更為均勻。

雖然上述實施例是以第一發光單元110、第二發光單元120以及第三發光單元130的形成次序來描述，但本發明不以此為限。在其他實施例中，第一發光單元110、第二發光單元120以及第三發光單元130亦可以不同次序來形成。也就是說，舉例來說，可形成第二發光單元120之後，再形成第一發光單元110與第三發光單元130。

在形成第一發光單元110、第二發光單元120以及第三發光單元130之後，如圖2所示，進行步驟S106，在基板100上塗佈藍光吸收光阻材料，以覆蓋第一發光單元110、第二發光單元120以及第三發光單元130。在一實施例中，藍光吸收光阻材料包括硫化鎘、鉻酸鉛、釩酸鉍、顏料黃181、顏料黃191或其組合，且可以旋轉塗佈法來形成。藍光吸收光阻材料可吸收大於99%的波長約為450 nm的藍光，且紅光和綠光穿透率大於90%。

接著，進行步驟S108，對該藍光吸收光阻材料進行曝光製程，以固化覆蓋第一發光單元110與第二發光單元120的藍光吸收光阻材料的一部分。在一實施例中，曝光製程可將光線照射在覆蓋第一發光單元110與第二發光單元120的藍光吸收光阻材料的一部分，而不將光線照射在覆蓋第三發光單元130的藍光吸收光阻材料的其他部分。也就是說，覆蓋第三發光單元130的藍光吸收光阻材料的其他部分並未被固化。

然後，進行步驟S110，進行顯影製程，以移除藍光吸收光阻材料的剩餘部分，從而形成覆蓋第一發光單元110與第二發光單元120且外露出第三發光單元130的藍光吸收光阻層140，如圖1所示。也就是說，藍光吸收光阻層140覆蓋紅光發光單元110與綠光發光單元120，且外露出藍光發光單元130。在此情況下，藍光吸收光阻層140可有效地吸收未被紅色或綠色量子點轉換的多餘藍光，同時允許較多的紅光或綠光通過。在本實施例中，藍光吸收光阻層140可吸收大於99%的波長約為450 nm的藍光，且使得紅光或綠光穿透率大於90%。相較於紅光或綠光穿透率約為70%至80%的傳統彩色濾光片，本實施例之發光元件1可有效提升紅光或綠光的穿透率同時增加色純度，進而提升顯示器的效能並提供更廣的色域。另外，在進行曝光製程之前可進行預先烘烤（pre-bake）步驟，而在進行顯影製程之後，可進行後烘烤（post-bake）步驟。

在形成藍光吸收光阻層140之後，可在基板100上形成平坦層150。在一實施例中，平坦層150覆蓋藍光吸收光阻層140並延伸覆蓋第三發光單元130與部分黑色矩陣104。在本實施例中，平坦層150可以是透明膠層，以使第一發光單元110、第二發光單元120以及第三發光單元130所發出的光線能夠穿透。另外，平坦層150可使得發光元件1的頂面更加平坦，以利於後續ALD阻氣層160的形成。

回頭參照圖2，在形成平坦層150之後，進行步驟S112，進行原子層沉積製程，以形成包覆第一發光單元110、第二發光單元120、第三發光單元130以及藍光吸收光阻層140的ALD阻氣層160。具體來說，ALD阻氣層160可覆蓋橫向包封第一發光單元110、第二發光單元120以及第三發光單元130的黑色矩陣104的側壁、藍光吸收光阻層140的側壁、平坦層150的側壁以及平坦層150的頂面。ALD阻氣層160可有效地阻擋濕氣、氧氣、揮發性物質等外部環境因素，以提升本實施例之發光元件1的可靠度與使用壽命。在一實施例中，ALD阻氣層160包括單層結構、雙層結構或是多層結構。舉例來說，在一實施例中，ALD阻氣層160A是由氧化鋁162/二氧化矽164/氧化鋁162所構成的三層結構，如圖5A所示。在另一實施例中，ALD阻氣層160B是由氧化鋁162/二氧化矽164/氧化鋁162/二氧化矽164/氧化鋁162所構成的五層結構，如圖5B所示。氧化鋁層162因緻密度較高，故可有效阻擋外界的濕氣、氧氣等環境因素。二氧化矽層164則是較柔韌可用以當作緩衝層，釋放氧化鋁層162的應力，防止氧化鋁層162破裂。在另一實施例中，二氧化矽164可替換為氧化鋅、二氧化鋯、二氧化鈦、或二氧化鉿。氧化鋁162與二氧化矽164的厚度可依實際需求來調整，本發明實施例不限制該厚度範圍。

在替代實施例中，請參考圖6，ALD阻氣層160C包括單層氧化鋁162，並且被有機保護層161、169及電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）阻氣層166包覆，以形成第一有機保護層161/氧化鋁162/PECVD阻氣層166/第二有機保護層169所構成的四層結構。第一有機保護層161及第二有機保護層169將氧化鋁層162及PECVD阻氣層166夾置其中，進而防止氧化鋁層162及PECVD阻氣層166因質地過脆而破裂，並提升ALD阻氣層160C與其接觸結構/層之間的附著力。氧化鋁層162及PECVD阻氣層166因緻密度較高，故可有效阻擋外界的濕氣、氧氣等環境因素。此外，PECVD阻氣層166之製程需經過離子轟擊，氧化鋁162可有效保護量子點光阻層，防止量子點被離子轟擊破壞。也就是說，氧化鋁162可比PECVD阻氣層166更靠近量子點光阻層112A、112B（圖1），以防止量子點被離子轟擊破壞。第一有機保護層161及第二有機保護層169可分別包括光固化或熱固化之壓克力樹脂、環氧樹脂或矽膠樹脂。在一實施例中，第一有機保護層161及第二有機保護層169可具有相同材料。在其他實施例中，第一有機保護層161及第二有機保護層169可具有不同材料。PECVD阻氣層可包括氮化矽（SiN _x）或氮氧化矽（SiO _xN _y）。第一有機保護層161、氧化鋁162、PECVD阻氣層166以及第二有機保護層169的厚度可依實際需求來調整，本發明實施例不限制該厚度範圍。

請參照圖3，第一發光單元110、第二發光單元120以及第三發光單元130可排列為像素10。多個像素10可排列成多個行與多個列的陣列。在一實施例中，每一個像素10具有單一個第一發光單元110、兩個第二發光單元120以及單一個第三發光單元130，並排列成2X2的陣列，但本發明不以此為限。在其他實施例中，每一個像素10可具有任意數量的發光單元且可任意排列。

圖4是依照本發明替代實施例的一種發光元件的剖面示意圖。

請參照圖4，本發明替代實施例之發光元件2包括：第一層級T1以及第二層級T2。具體來說，第一層級T1包括多個發光單元208配置在第一基板100上。在一實施例中，每一個發光單元208包括藍光微發光二極體元件202以及包覆藍光微發光二極體元件202的透明光阻材料206。在此實施例中，發光單元208可視為藍光發光單元。在一實施例中，藍光微發光二極體元件202可為微無機發光二極體元件、微有機發光二極體元件或微量子點發光二極體元件。另外，第一層級T1還包括黑色矩陣104配置在藍光發光單元208之間，以防止光線在藍光發光單元208之間透射。

第二層級T2可配置在第一層級T1上。具體來說，第二層級T2包括第一發光單元210、第二發光單元220以及第三發光單元230。在一實施例中，第一發光單元210對應於藍光發光單元208的第一部分。第一發光單元210可包括第一光轉換層212與覆蓋第一光轉換層212的藍光吸收光阻層240。在一實施例中，第二發光單元220對應於藍光發光單元208的第二部分。第二發光單元220可包括第二光轉換層222與覆蓋第二光轉換層222的藍光吸收光阻層240。在一實施例中，第三發光單元230對應於藍光發光單元208的第三部分。第三發光單元230可包括第三光轉換層且不具有藍光吸收光阻層。在一實施例中，第三光轉換層可以是包括光散射粒子（例如二氧化矽、二氧化鈦、氧化鋁、二氧化鋯或其組合）的白色光阻層。第一發光單元210、第二發光單元220以及第三發光單元230可發出不同顏色的光。舉例來說，第一光轉換層212可以是紅色量子點光阻層以使第一發光單元210受藍光激發後發出紅光；第二光轉換層222可以是綠色量子點光阻層以使第二發光單元120受藍光激發後發出綠光；而第三發光單元230可以是第三光轉換層以使發光單元208通過此第三光轉換層均勻地發出藍光。值得注意的是，在本實施例中，紅光發光單元210與綠光發光單元220具有藍光吸收光阻層240，且藍光發光單元230不具有藍光吸收光阻層240。在此情況下，藍光吸收光阻層240可有效地吸收未被紅色或綠色量子點轉換的多餘藍光，同時允許較多的紅光或綠光通過。在本實施例中，藍光吸收光阻層240可吸收大於99%的波長約為450 nm的藍光，且使得紅光或綠光穿透率大於90%。相較於紅光或綠光穿透率約為70%至80%的傳統彩色濾光片，本實施例之發光元件2可有效提升紅光或綠光的穿透率同時增加色純度，進而提升顯示器的效能並提供更廣的色域。

另外，發光元件2還包括黑色矩陣204、第二基板200、平坦層250以及ALD阻氣層260。黑色矩陣204可配置在第一發光單元210、第二發光單元220以及第三發光單元230之間，以防止光線在第一發光單元210、第二發光單元220以及第三發光單元230之間透射。第二基板200可配置在黑色矩陣204上且延伸覆蓋第一發光單元210、第二發光單元220以及第三發光單元230。平坦層250可配置在ALD阻氣層260與第一發光單元210之間、ALD阻氣層260與第二發光單元220之間以及ALD阻氣層260與第三發光單元230之間。ALD阻氣層260可包覆第一發光單元210、第二發光單元220、第三發光單元230、平坦層250以及第二基板200。具體來說，ALD阻氣層260可覆蓋第二基板200的側壁、橫向包覆第一發光單元210、第二發光單元220以及第三發光單元230的黑色矩陣204的側壁以及平坦層250的側壁與底面。也就是說，ALD阻氣層260可在第一層級T1的頂面與第二層級T2的底面之間延伸。在本實施例中，ALD阻氣層260可有效地阻擋濕氣、氧氣、揮發性物質等外部環境因素，以提升本實施例之發光元件2的可靠度與使用壽命。

值得注意的是，發光元件2所選用的藍光微發光二極體元件202的尺寸（例如寬度或長度）可小於發光元件1所選用的藍光微發光二極體元件102的尺寸。在一實施例中，藍光微發光二極體元件202的尺寸約為10 μm至15 μm，而藍光微發光二極體元件102的尺寸約為50 μm。在此情況下，發光元件2可適用於小尺寸的顯示器且具有較高的解析度，而發光元件1則適用於大尺寸的顯示器。

綜上所述，本發明將藍光吸收光阻層覆蓋紅光發光單元與綠光發光單元，而外露出藍光發光單元。在此情況下，藍光吸收光阻層可有效地吸收未被紅色或綠色量子點轉換的多餘藍光，同時允許較多的紅光或綠光通過。因此，本發明的發光元件可增加色純度，進而提升顯示器的效能並提供更廣的色域。

1、2：發光元件 10：像素 100：基板 102、202：藍光微發光二極體元件 102A：第一微發光二極體元件 102B：第二微發光二極體元件 102C：第三微發光二極體元件 104、204：黑色矩陣 110、210：第一發光單元（紅光發光單元） 112A、212：第一光轉換層（紅色量子點光阻層） 112B、222：第二光轉換層（綠色量子點光阻層） 112C：第三光轉換層（白色光阻層） 120、220：第二發光單元（綠光發光單元） 130、230：第三發光單元（藍光發光單元） 140、240：藍光吸收光阻層 150、250：平坦層 160、160A、160B、160C、260：ALD阻氣層 161：第一有機保護層 162：氧化鋁（氧化鋁層） 164：二氧化矽（二氧化矽層） 166：電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）阻氣層 169：第二有機保護層 206：透明光阻材料 208：發光單元（藍光發光單元） T1：第一層級 T2：第二層級

圖1是依照本發明一實施例的一種發光元件的剖面示意圖。圖2是依照本發明一實施例的一種發光元件的形成方法的流程圖。圖3是依照本發明一實施例的一種發光元件的俯視示意圖。圖4是依照本發明替代實施例的一種發光元件的剖面示意圖。圖5A是依照本發明一實施例的一種發光元件的阻氣層的剖面示意圖。圖5B是依照本發明另一實施例的一種發光元件的阻氣層的剖面示意圖。圖6是依照本發明替代實施例的一種發光元件的阻氣層的剖面示意圖。

1：發光元件 100：基板 102：藍光微發光二極體元件 102A：第一微發光二極體元件 102B：第二微發光二極體元件 102C：第三微發光二極體元件 104：黑色矩陣（Black matrix） 110：第一發光單元（紅光發光單元） 112A：第一光轉換層（紅色量子點光阻層） 112B：第二光轉換層（綠色量子點光阻層） 112C：第三光轉換層（白色光阻層） 120：第二發光單元（綠光發光單元） 130：第三發光單元（藍光發光單元） 140：藍光吸收光阻層 150：平坦層 160：ALD阻氣層

Claims

一種發光元件，包括：基板；第一發光單元、第二發光單元以及第三發光單元，配置在所述基板上，其中所述第一發光單元包括第一微發光二極體元件以及包覆所述第一微發光二極體元件的第一光轉換層，所述第二發光單元包括第二微發光二極體元件以及包覆所述第二微發光二極體元件的第二光轉換層，所述第三發光單元包括第三微發光二極體元件以及包覆所述第三微發光二極體元件的第三光轉換層，且所述第一發光單元、所述第二發光單元以及所述第三發光單元發出不同顏色的光；藍光吸收光阻層，覆蓋所述第一發光單元與所述第二發光單元，且外露出所述第三發光單元，其中所述藍光吸收光阻層直接接觸所述第一光轉換層與所述第二光轉換層；以及原子層沉積（ALD）阻氣層，包覆所述第一發光單元、所述第二發光單元、所述第三發光單元以及所述藍光吸收光阻層。
如請求項1所述的發光元件，其中所述第一、第二及第三微發光二極體元件為微無機發光二極體元件、微有機發光二極體元件或微量子點發光二極體元件。
如請求項1所述的發光元件，其中所述第一發光單元發出紅光，所述第二發光單元發出綠光，而所述第三發光單元發出藍光。
如請求項3所述的發光元件，其中所述第一光轉換層包括紅色量子點光阻層，所述第二光轉換層包括綠色量子點光阻層，且所述第三光轉換層包括不含量子點的白色光阻層。
如請求項1所述的發光元件，更包括：黑色矩陣，配置在所述第一發光單元、所述第二發光單元以及所述第三發光單元之間；以及平坦層，配置在所述ALD阻氣層與所述藍光吸收光阻層之間且延伸覆蓋所述第三發光單元與所述黑色矩陣。
如請求項1所述的發光元件，其中所述ALD阻氣層包括由氧化鋁/二氧化矽/氧化鋁所構成的三層結構。
如請求項1所述的發光元件，其中所述ALD阻氣層包括由氧化鋁/二氧化矽/氧化鋁/二氧化矽/氧化鋁所構成的五層結構。
如請求項6所述的發光元件，其中所述ALD阻氣層中的二氧化矽替換為氧化鋅、二氧化鋯、二氧化鈦或二氧化鉿。
如請求項1所述的發光元件，其中所述ALD阻氣層包括氧化鋁，並且被有機保護層及電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）阻氣層包覆，以形成由第一有機保護層/氧化鋁/PECVD阻氣層/第二有機保護層所構成的四層結構。
如請求項9所述的發光元件，其中所述第一有機保護層和所述第二有機保護層分別包括光固化或熱固化之壓克力樹脂、環氧樹脂或矽膠樹脂。
如請求項9所述的發光元件，其中所述PECVD阻氣層包括氮化矽（SiN _x）或氮氧化矽（SiO _xN _y）。
如請求項1所述的發光元件，其中所述藍光吸收光阻層的材料包括硫化鎘、鉻酸鉛、釩酸鉍、顏料黃181、顏料黃191或其組合。
如請求項1所述的發光元件，其中所述第一光轉換層直接接觸所述第一微發光二極體元件，所述第二光轉換層直接接觸所述第二微發光二極體元件，且所述第三光轉換層直接接觸所述第三微發光二極體元件。