TWI849280B - 磁控濺射鍍膜裝置及其工作方法 - Google Patents
磁控濺射鍍膜裝置及其工作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI849280B TWI849280B TW110102100A TW110102100A TWI849280B TW I849280 B TWI849280 B TW I849280B TW 110102100 A TW110102100 A TW 110102100A TW 110102100 A TW110102100 A TW 110102100A TW I849280 B TWI849280 B TW I849280B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- magnetron sputtering
- coated
- workpiece
- distance
- coating device
- Prior art date
Links
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 title claims abstract description 143
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 85
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 81
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 7
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 101001121408 Homo sapiens L-amino-acid oxidase Proteins 0.000 description 3
- 102100026388 L-amino-acid oxidase Human genes 0.000 description 3
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 101000827703 Homo sapiens Polyphosphoinositide phosphatase Proteins 0.000 description 1
- 102100023591 Polyphosphoinositide phosphatase Human genes 0.000 description 1
- 101100012902 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) FIG2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100233916 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) KAR5 gene Proteins 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000006115 industrial coating Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
- C23C14/505—Substrate holders for rotation of the substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本發明提供一種磁控濺射鍍膜裝置及其工作方法。其中，磁控濺射鍍膜裝置包括：真空鍍膜室；可旋轉工件架，可沿其中心軸在所述真空鍍膜室內旋轉，具有複數個側壁，所述側壁用於承載待鍍膜工件，所述待鍍膜工件具有待鍍面，所述待鍍面向遠離中心軸的方向凸出；至少一個磁控濺射源，設置於所述真空鍍膜室內，用於向所述待鍍膜工件的表面濺射鍍膜材料顆粒，所述磁控濺射源與所述待鍍面之間具有間隙。利用所述磁控濺射鍍膜裝置制出的鍍膜均一性好。
Description
本發明涉及真空濺射的技術領域，尤其涉及一種磁控濺射鍍膜裝置及其工作方法。
近年來，磁控濺射鍍膜裝置在工業化鍍膜生產中的應用日益廣泛，特別是，隨著觸控式螢幕相關的終端產品市場持續升溫，利用磁控濺射鍍膜裝置製備性能優良的觸控式螢幕所需的鍍膜成為趨勢之一。
現有的磁控濺射鍍膜裝置通常包括真空的真空鍍膜室、可旋轉工件架和磁控濺射源。其中，所述可旋轉工件架可沿其中心軸在所述真空的真空鍍膜室內旋轉，為了更好的承載多個平板型待鍍膜工件，將所述可旋轉工件架設置為多面體結構，而所述多面體結構的外側壁用於承載待鍍膜工件，所述磁控濺射源用於向待鍍膜工件表面濺射鍍膜材料。
然而，在所述可旋轉工件架旋轉的過程中，所述待鍍膜工件上每個點的旋轉半徑不同，使得所述磁控濺射源到待鍍膜工件不同區域的距離不同，從而導致在待鍍膜工件表面所形成的鍍膜的厚度不一致，這將給終端產品帶來顏色、光學性能的不一致。
本發明提供了一種磁控濺射鍍膜裝置及其工作方法，以提高製備出的鍍膜的均一性。
本發明公開一種磁控濺射鍍膜裝置，包括：真空鍍膜室；可旋轉工件架，可沿其中心軸在所述真空鍍膜室內旋轉，具有複數個側壁，所述側壁用於承載待鍍膜工件，所述待鍍膜工件具有待鍍面，所述待鍍面向遠離中心軸的方向凸出；至少一個磁控濺射源，設置於所述真空鍍膜室內，用於向所述待鍍膜工件的表面濺射鍍膜材料顆粒，且所述磁控濺射源與所述待鍍面之間具有間隙。
較佳的，所述待鍍膜工件位於所述可旋轉工件架的外側壁，所述磁控濺射源位於所述可旋轉工件架外。
較佳的，所述待鍍膜工件位於所述可旋轉工件架的內側壁，所述磁控濺射源位於所述可旋轉工件架內。
較佳的，所述側壁向遠離中心軸的方向凸出。
較佳的，所述側壁為平面；還包括：支撐台，位於所述側壁上，具有向遠離中心軸方向凸出的支撐面，所述支撐面用於支撐所述待鍍膜工件。
較佳的，所述待鍍膜工件全部支撐於所述側壁或者支撐面上。
較佳的，所述側壁的中心到中心軸具有第一距離，所述側壁的邊緣到中心軸具有第二距離，所述待鍍面向遠離中心軸方向凸出的距離小於或等於第二距離與第一距離之差的2倍。
較佳的，所述待鍍面向遠離中心軸方向凸出的距離小於或等於第二距離與第一距離之差。
較佳的，所述待鍍面向遠離中心軸方向凸出的距離大於等於第二距離與第一距離之差的80%，並小於或等於第二距離與第一距離之差的1.2倍。
較佳的，所述可旋轉工件架沿其中心軸旋轉的過程中，所述磁控濺射源與待鍍面的不同區域相對時，所述待鍍面到磁控濺射源的距離相等。
較佳的，所述待鍍膜工件的材料包括有機材料或無機材料。
較佳的，當所述待鍍膜工件的材料為氧化矽、矽或者碳化矽時，所述待鍍膜工件的厚度小於或等於0.7毫米。
較佳的，所述待鍍膜工件通過固定裝置承載於所述側壁上。
較佳的，沿所述可旋轉工件架的高度方向，所述待鍍膜工件的個數為1個或者多個。
較佳的，所述待鍍膜工件的形狀為圓形或者多邊形。
較佳的，沿所述可旋轉工件架的高度方向上，所述磁控濺射源的尺寸大於或等於待鍍膜工件的尺寸。
較佳的，沿所述可旋轉工件架的高度方向上，所述磁控濺射源的尺寸小於待鍍膜工件的尺寸，還包括：高度調節裝置，用於使所述磁控濺射源沿所述可旋轉工件架高度方向移動。
較佳的，還包括：等離子源，位於所述真空鍍膜室內。
相應的，本發明還提供一種磁控濺射鍍膜裝置的工作方法，包括：提供上述磁控濺射鍍膜裝置；使所述可旋轉工件架沿其中心軸在所述真空鍍膜室內旋轉，使待鍍面的不同區域分別與磁控濺射源相對，以在所述待鍍面的不同區域形成鍍膜。
與習知技術相比，本發明技術方案具有以下有益效果：
本發明提供的磁控濺射鍍膜裝置中，所述可旋轉工件架具有複數個側壁，所述側壁用於承載待鍍膜工件，所述待鍍膜工件具有待鍍面，所述待鍍面向遠離中心軸的方向凸出，使得待鍍面的不同區域與磁控濺射源相對時，所述磁控濺射源到待鍍面的距離差異較小，則所述磁控濺射源到待鍍面不同區域濺射的鍍膜材料顆粒的量差異較小。因此，有利於提高待鍍膜工件不同區域所形成鍍膜厚度的均一性。
本發明提供一種磁控濺射鍍膜裝置，包括：真空鍍膜室；可旋轉工件架，可沿其中心軸在所述真空鍍膜室內旋轉，具有複數個側壁，所述側壁用於承載待鍍膜工件，所述待鍍膜工件具有待鍍面，所述待鍍面向遠離中心軸的方向凸出；至少一個磁控濺射源，設置於所述真空鍍膜室內，用於向所述待鍍膜工件的表面濺射鍍膜材料顆粒，且所述磁控濺射源與所述待鍍面之間具有間隙。利用所述磁控濺射鍍膜裝置製備出的鍍膜的均一性較好。
為使本發明的上述目的、特徵和有益效果能夠更為明顯易懂，下面結合附圖對本發明的具體實施例做詳細的說明。
圖1是本發明一種磁控濺射鍍膜裝置的俯視示意圖。
請參考圖1，真空鍍膜室10；可旋轉工件架6，可沿其中心軸O在所述真空鍍膜室10內旋轉，具有複數個側壁，所述側壁用於承載待鍍膜工件S，所述待鍍膜工件S具有待鍍面A，所述待鍍面A向遠離中心軸O的方向凸出；至少一個磁控濺射源7，設置於所述真空鍍膜室10內，用於向所述待鍍膜工件S的表面濺射鍍膜材料顆粒，且所述磁控濺射源7與所述待鍍面A之間具有間隙。
所述真空鍍膜室10內為真空環境，所述磁控濺射源7向待鍍膜工件S的待鍍面A濺射鍍膜材料顆粒，以在所述待鍍面A形成鍍膜。
在本實施例中，所述待鍍膜工件S位於所述可旋轉工件架6的外側壁61，所述磁控濺射源7位於所述可旋轉工件架6外。
在本實施例中，所述外側壁61為平面，還包括：支撐台20，位於所述外側壁61上，具有向遠離中心軸O方向凸出的支撐面B，所述支撐面B用於支撐所述待鍍膜工件S。
所述待鍍膜工件S通過固定裝置承載於所述支撐台20上，所述固定裝置包括：卡槽，所述待鍍膜工件S的邊緣通過卡槽與所述支撐台20固定在一起。
所述待鍍膜工件S是否能折彎且不斷裂與待鍍膜工件S基材的材料相關，所述待鍍膜工件S的材料包括有機材料或無機材料，當所述待鍍膜工件S基材的材料較柔軟，則所述待鍍膜工件S較易折彎且不斷裂。但是，較脆的材料厚度越厚越容易斷裂。隨著待鍍膜工件S製造製程的發展，較脆的所述待鍍膜工件S的厚度越來越薄，而較薄的脆性待鍍膜工件S在折彎時不易斷裂。
在本實施例中，當所述待鍍膜工件的材料為氧化矽、矽或者碳化矽時，所述待鍍膜工件S的厚度為小於或等於0.7毫米。由於所述待鍍膜工件S的待鍍面A向遠離中心軸O的方向凸出，使得待鍍膜工件S不同區域到中心軸O的距離差異較小，即：待鍍膜工件S上每個點的旋轉半徑差異較小，而所述磁控濺射源7到待鍍面A的距離等於磁控濺射源7到中心軸O的距離與待鍍工件S到中心軸O的距離的差值，所述磁控濺射源7到中心軸O的距離相等，使得磁控濺射源7到待鍍膜工件S不同區域的距離差異較小，那麼，磁控濺射源7到待鍍膜工件S不同區域濺射的鍍膜材料顆粒的量的差異較小，因此，有利於提高待鍍膜工件S不同區域所形成鍍膜厚度的差異性較好。
具體的，定義所述外側壁61的中心M1到中心軸O具有第一距離R1，所述外側壁61的邊緣M2到中心軸O具有第二距離R2，若所述待鍍面A上的每個點向遠離中心軸O方向凸出的距離d小於第二距離R2與第一距離R1之差時，所述磁控濺射源7與待鍍膜工件S中心的距離略大於磁控濺射源7到邊緣的距離，使待鍍膜工件S中心鍍膜的厚度略薄於邊緣鍍膜的厚度，但此時，邊緣與中心鍍膜厚度的差異在可接受範圍內，即待鍍膜工件S表面鍍膜厚度的一致性較好。
若所述待鍍面A向遠離中心軸O方向凸出的距離d等於第二距離R2與第一距離R1之差時，所述待鍍膜工件S中心與邊緣到磁控濺射源7的距離相等，則待鍍膜工件S表面不同區域鍍膜厚度的一致性較好。
若所述待鍍面A向遠離中心軸O方向凸出的距離d大於第二距離R2與第一距離R1之差小於第二距離R2與第一距離R1之差的2倍，使得待鍍膜工件S中心到磁控濺射源7的距離略小於邊緣到磁控濺射源7的距離，使待鍍膜工件中心鍍膜的厚度略厚於邊緣鍍膜的厚度，但此時，邊緣與中心鍍膜厚度的差異在可接受範圍內，即待鍍膜工件S表面鍍膜厚度的一致性較好。
所述待鍍面A向遠離中心軸O方向凸出的距離d大於等於第二距離R2與第一距離R1之差的80%，並小於或等於第二距離R2與第一距離R1之差的1.2倍，使得所述待鍍膜工件S中心與邊緣到磁控濺射源7的距離差異更小，有利於進一步待鍍膜工件S表面不同區域鍍膜厚度的一致性。
在本實施例中，所述可旋轉工件架6沿其中心軸O旋轉的過程中，所述磁控濺射源7與待鍍面A的不同區域相對時，所述待鍍面A到磁控濺射源7的距離相等，使得磁控濺射源7到待鍍膜面A濺射的鍍膜材料顆粒的量相等，使得待鍍面A不同區域所形成鍍膜厚度一致。其中，所述磁控濺射源7與待鍍面A的不同區域相對是指：定義磁控濺射源7的中心為N，當所述待鍍膜面A上的某一點位於ON連線上，則認為待鍍面A的該點與磁控濺射源7相對。
在本實施例中，以所述可旋轉工件架6為六面體為例進行說明，相應的，所述可旋轉工件架6具有6個外側壁61。
在其它實施例中，所述可旋轉工件架為其它多面體結構。
在本實施例中，以所述磁控濺射源7的個數為3個進行說明，3個所述磁控濺射源7沿所述真空鍍膜室10的內側壁均勻分佈。
在其它實施例中，所述磁控濺射源的個數還可以為其它值。
所述可旋轉工件架6沿中心軸O旋轉的意義在於：使得待鍍膜工件S依次經過不同的磁控濺射源7，每個所述磁控濺射源7都用於向所述待鍍膜工件S表面進行鍍膜，這樣有利於提高在待鍍膜面A鍍膜的效率。
在本實施例中，還包括：等離子源9，位於所述真空鍍膜室10的內側壁，所述等離子源9用於產生等離子體，濺射過程需要等離子，利用電場加速等離子體中的離子轟擊磁控濺射源，磁控濺射源上的顆粒被轟擊後快速向待鍍膜工件表面飛去形成鍍膜。在其他實施例中，僅具有所述磁控濺射源，不具有所述等離子源。
在本實施例中，還包括：加熱器8，所述加熱器8用於對可旋轉工件架6進行加熱。
在本實施例中，所述待鍍膜工件S完全支撐於所述支撐面B上，即：所述待鍍膜工件S的背面完全與所述支撐面B貼合，使得由加熱器8傳遞至待鍍膜工件S的熱量較均勻，有利於提高待鍍膜工件S表面鍍膜厚度的一致性。
在其它實施例中，所述待鍍膜工件部分支撐於所述支撐面上。
圖2是圖1磁控濺射鍍膜裝置的一種側視示意圖。
在本實施例中，以沿所述可旋轉工件架6的高度方向H排布2個待鍍膜工件S進行說明。
在其它實施例中，沿可旋轉工件架6的高度H方向，所述待鍍膜工件的個數為1個或多於2個。
在本實施例中，沿可旋轉工件架6的高度H方向，所述磁控濺射源7的尺寸等於2個待鍍膜工件S的尺寸，使得所述磁控濺射源7能夠同時對2個待鍍膜工件S進行鍍膜，有利於提高鍍膜效率。
在其它實施例中，沿可旋轉工件架的高度方向，所述磁控濺射源的尺寸大於2個待鍍膜工件的尺寸。
在本實施例中，所述待鍍膜工件S的形狀為圓形。
在其它實施例中，所述待鍍膜工件的形狀為多邊形。
圖3是圖1中磁控濺射鍍膜裝置的另一種側視示意圖。
在本實施例中，以沿所述可旋轉工件架6的高度方向H排布2個待鍍膜工件S進行說明。
在其它實施例中，沿可旋轉工件架6的高度方向，所述待鍍膜工件的個數為1個或多於2個。
在一種實施例中，沿所述可旋轉工件架7的高度H方向，所述磁控濺射源7的尺寸小於待鍍膜工件S，則所述磁控濺射源7僅僅能給對待鍍膜工件S的部分進行鍍膜。磁控濺射鍍膜裝置還包括：高度調節裝置，用於使磁控濺射源7沿可旋轉工件架6的高度H方向進行移動，使磁控濺射源7與待鍍膜工件S未被鍍膜的區域相對以對其進行鍍膜。
在本實施例中，所述待鍍膜工件S的形狀為方形。
在其它實施例中，所述待鍍膜工件的形狀為圓形或者其它形狀。
圖4是本發明另一種磁控濺射鍍膜裝置的俯視示意圖。
在本實施例中，所述可旋轉工件架6的外側壁61向遠離中心軸O方向凸出，所述待鍍膜工件S位於所述可旋轉工件架6的外側壁61，所述磁控濺射源7位於所述可旋轉工件架6外，所述磁控濺射源7用於向所述待鍍膜工件S的表面濺射鍍膜材料顆粒，以在所述待鍍膜工件S的待鍍面A上形成鍍膜。
由於所述待鍍膜工件S的待鍍面A向遠離中心軸O的方向凸出，則待鍍膜工件S不同區域到中心軸O的距離差異較小，即：待鍍膜工件S上每個點的旋轉半徑差異較小，而所述磁控濺射源7到待鍍面A的距離等於磁控濺射源7到中心軸O的距離與待鍍工件S到中心軸O的距離的差值，所述磁控濺射源7到中心軸O的距離相等，使得磁控濺射源7到待鍍膜工件S不同區域的距離差異較小，那麼，磁控濺射源7到待鍍膜工件S不同區域濺射的鍍膜材料顆粒的量的差異較小，因此，有利於提高待鍍膜工件S不同區域所形成鍍膜厚度的差異性較好。
定義所述待鍍膜工件S邊緣連線L的中心M1到中心軸O的距離為第一距離R1，所述連線L邊緣M2到中心軸O的距離為第二距離R2。所述待鍍膜A向遠離中心軸O方向凸出的距離d小於第二距離R2與第一距離差值的2倍，使得待鍍面A不同區域到磁控濺射源7的距離差異較小，因此，有利於提高待鍍面A上鍍膜厚度的一致性。
在本實施例中，所述待鍍膜工件S的背面完全與所述外側壁61貼合。
在其它實施例中，所述待鍍膜工件的背面部分與外側壁貼合。
所述待鍍膜工件S通過固定裝置固定於所述外側壁61上。
在本實施例中，所述待鍍膜工件S通過卡槽固定於所述外側壁61上。
圖5是本發明又一種磁控濺射鍍膜裝置的俯視示意圖。
在本實施例中，所述待鍍膜工件S位於所述可旋轉工件架6的內側壁62上，所述磁控濺射源7位於所述可旋轉工件架6內，所述內側壁62為平面，還包括：支撐台20，位於所述內側壁62上，具有向遠離中心軸O凸出的支撐面D，所述支撐面D用於支撐所述待鍍膜工件S。
在其他實施例中，不設置支撐台，所述可旋轉工件架的內側壁向遠離中心軸的方向凸出。
由於所述待鍍工件S的待鍍面C向遠離中心軸O的方向凸出，使得待鍍膜工件S不同區域到中心軸O的距離差異較小，即：待鍍膜工件S上每個點的旋轉半徑差異較小，而所述磁控濺射源7到待鍍面C的距離等於待鍍工件S到中心軸O的距離與磁控濺射源7到中心軸O距離的差值，所述磁控濺射源7到中心軸O的距離相等，使得磁控濺射源7到待鍍膜工件S不同區域的距離差異較小，那麼，磁控濺射源7到待鍍膜工件S不同區域濺射的鍍膜材料顆粒的量的差異較小，因此，有利於提高待鍍膜工件S不同區域所形成鍍膜厚度的差異性較好。
定義所述內側壁62的中心M1到中心軸O具有第一距離R1，所述內側壁62的邊緣M2到中心軸O具有第二距離R2，所述待鍍面C向遠離中心軸O方向凸出的距離d小於第二距離R2與第一距離差值的2倍，使得待鍍面C不同區域到磁控濺射源7的距離差異較小，因此，有利於提高待鍍面C上鍍膜厚度的一致性。
所述待鍍膜工件S通過固定裝置固定於所述內側壁62上。
在本實施例中，所述固定裝置為卡槽，所述待鍍膜工件S通過卡槽固定於所述內側壁62上。
圖6是本發明磁控濺射鍍膜裝置的工作方法流程圖。
請參考圖6，提供上述磁控濺射鍍膜裝置；使所述可旋轉工件架沿其中心軸在所述真空鍍膜室內旋轉，使待鍍面的不同區域分別與磁控濺射源相對，以在所述待鍍面的不同區域形成鍍膜。
由於所述待鍍面向遠離中心軸的方向凸出，使得待鍍面的不同區域與磁控濺射源相對時，所述磁控濺射源到待鍍面不同區域的距離差異較小，則所述磁控濺射源到待鍍面不同區域濺射的鍍膜材料顆粒的量差異較小，因此，有利於提高待鍍膜工件不同區域所形成鍍膜厚度的均一性。
儘管本發明的內容已經通過上述較佳的實施例作了詳細介紹，但應當認識到上述的描述不應被認為是對本發明的限制。在所屬技術領域中具有通常知識者閱讀了上述內容後，對於本發明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此，本發明的保護範圍應由所附的申請專利範圍來限定。
10:真空鍍膜室
20:支撐台
6:可旋轉工件架
61:外側壁
7:磁控濺射源
8:加熱器
9:等離子源
A,C:待鍍面
B,D:支撐面
d:距離
H:高度方向
M1:中心
M2:邊緣
N:磁控濺射源的中心
O:中心軸
R1:第一距離
R2:第二距離
S:待鍍膜工件
圖1是本發明一種磁控濺射鍍膜裝置的俯視示意圖；
圖2是圖1中磁控濺射鍍膜裝置的一種側視示意圖；
圖3是圖1中磁控濺射鍍膜裝置的另一種側視示意圖；
圖4是本發明另一種磁控濺射鍍膜裝置的俯視示意圖；
圖5是本發明又一種磁控濺射鍍膜裝置的俯視示意圖；
圖6是本發明磁控濺射鍍膜裝置的工作方法流程圖。
10:真空鍍膜室
20:支撐台
6:可旋轉工件架
61:外側壁
7:磁控濺射源
8:加熱器
9:等離子源
A:待鍍面
B:支撐面
d:距離
M1:中心
M2:邊緣
N:磁控濺射源的中心
O:中心軸
R1:第一距離
R2:第二距離
S:待鍍膜工件
Claims (18)
- 一種磁控濺射鍍膜裝置，其中，包括：一真空鍍膜室；一可旋轉工件架，可沿其中心軸在該真空鍍膜室內旋轉，具有複數個側壁，該側壁用於承載一待鍍膜工件，該待鍍膜工件具有一待鍍面；至少一個磁控濺射源，設置於該真空鍍膜室內，用於向該待鍍膜工件的表面濺射鍍膜材料顆粒，且該磁控濺射源與該待鍍面之間具有間隙，該磁控濺射源到該待鍍面的距離等於該磁控濺射源到該中心軸的距離與該待鍍工件到該中心軸的距離的差值，其中，該磁控濺射源到該中心軸的距離相等；以及一卡槽，用於固定該待鍍膜工件側壁的邊緣，使在與該可旋轉工件架的該中心軸垂直的面內，該側壁的中心到該中心軸具有一第一距離，該側壁的邊緣到該中心軸具有一第二距離，該第二距離小於該第一距離，該待鍍面向遠離該中心軸的方向凸出的距離小於該第二距離與該第一距離之差的2倍，使得該待鍍膜工件的中心到該磁控濺射源的距離小於該待鍍膜工件的邊緣到該磁控濺射源的距離，使該待鍍膜工件的中心鍍膜的厚度厚於該待鍍膜工件的邊緣鍍膜的厚度，該邊緣鍍膜與該中心鍍膜厚度的差異在可接受範圍內。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，該待鍍膜工件位於該可旋轉工件架的外側壁，該磁控濺射源位於該可旋轉工件架外。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，該待鍍膜工件位於該可旋轉工件架的內側壁，該磁控濺射源位於所述可旋轉工件架內。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，該側壁向遠離中心軸的方向凸出。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，該側壁為平面；還包括：一支撐台，位於該側壁上，具有向遠離中心軸方向凸出的一支撐面，該支撐面用於支撐該待鍍膜工件。
- 如請求項4或5所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，該待鍍膜工件全部支撐於該側壁或者該支撐面上。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，該待鍍面向遠離中心軸方向凸出的距離小於或等於該第二距離與該第一距離之差。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，該待鍍面向遠離中心軸方向凸出的距離大於或等於該第二距離與該第一距離之差的80%，並小於或等於該第二距離與該第一距離之差的1.2倍。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，該可旋轉工件架沿其中心軸旋轉的過程中，該磁控濺射源與該待鍍面的不同區域相對時，該待鍍面到該磁控濺射源的距離相等。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，該待鍍膜工件的材料包括有機材料或無機材料。
- 如請求項10所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，當該待鍍膜工件的材料為氧化矽、矽或者碳化矽時，該待鍍膜工件的厚度小於或等於0.7毫米。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，該待鍍膜工件通過一固定裝置承載於該側壁上。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，沿該可旋轉工件架的高度方向，該待鍍膜工件的個數為1個或者多個。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，該待鍍膜工件的形 狀為圓形或者多邊形。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，沿該可旋轉工件架的高度方向上，該磁控濺射源的尺寸大於或等於該待鍍膜工件的尺寸。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，沿該可旋轉工件架的高度方向上，該磁控濺射源的尺寸小於該待鍍膜工件的尺寸，該磁控濺射鍍膜裝置還包括：一高度調節裝置，用於使該磁控濺射源沿該可旋轉工件架高度方向移動。
- 如請求項1所述的磁控濺射鍍膜裝置，其中，還包括：一等離子源，位於該真空鍍膜室內。
- 一種磁控濺射鍍膜裝置的工作方法，其中，包括：提供如請求項1至請求項17任一項所述的一磁控濺射鍍膜裝置；使該可旋轉工件架沿其中心軸在該真空鍍膜室內旋轉，使該待鍍面的不同區域分別與該磁控濺射源相對，以在該待鍍面的不同區域形成鍍膜。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202010197819.7 | 2020-03-19 | ||
| CN202010197819.7A CN113493903A (zh) | 2020-03-19 | 2020-03-19 | 磁控溅射镀膜装置及其工作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202136552A TW202136552A (zh) | 2021-10-01 |
| TWI849280B true TWI849280B (zh) | 2024-07-21 |
Family
ID=77993711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW110102100A TWI849280B (zh) | 2020-03-19 | 2021-01-20 | 磁控濺射鍍膜裝置及其工作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113493903A (zh) |
| TW (1) | TWI849280B (zh) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090065348A1 (en) * | 2006-03-22 | 2009-03-12 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd., | Method of arc ion plating and target for use therein |
| CN208883985U (zh) * | 2018-09-26 | 2019-05-21 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种通用多面体溅射镀膜装置 |
| CN110760807A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-02-07 | 松山湖材料实验室 | 陶瓷板真空溅射镀膜装置及其镀膜方法 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108893721A (zh) * | 2018-09-26 | 2018-11-27 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种通用多面体溅射镀膜装置及其设计方法 |
| CN110438463A (zh) * | 2019-07-29 | 2019-11-12 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种解决镀膜产品横向均匀性的方法及其镀膜装置 |
| CN212375363U (zh) * | 2020-03-19 | 2021-01-19 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 磁控溅射镀膜装置 |
-
2020
- 2020-03-19 CN CN202010197819.7A patent/CN113493903A/zh active Pending
-
2021
- 2021-01-20 TW TW110102100A patent/TWI849280B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20090065348A1 (en) * | 2006-03-22 | 2009-03-12 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho (Kobe Steel Ltd., | Method of arc ion plating and target for use therein |
| CN208883985U (zh) * | 2018-09-26 | 2019-05-21 | 光驰科技(上海)有限公司 | 一种通用多面体溅射镀膜装置 |
| CN110760807A (zh) * | 2019-12-03 | 2020-02-07 | 松山湖材料实验室 | 陶瓷板真空溅射镀膜装置及其镀膜方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN113493903A (zh) | 2021-10-12 |
| TW202136552A (zh) | 2021-10-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI703236B (zh) | 用於共同濺射多個靶材之方法和設備 | |
| JP6411975B2 (ja) | 成膜装置及び成膜基板製造方法 | |
| KR20120139919A (ko) | 내지문과 반사방지를 위한 코팅방법 및 코팅장치 | |
| KR20120079716A (ko) | 내지문 코팅 방법 및 장치 | |
| WO2016052239A1 (ja) | 成膜装置 | |
| TWI636151B (zh) | 熱化學氣相沉積系統及基板處理方法 | |
| KR20140111555A (ko) | 복수 개의 박막으로 이루어진 지문 방지층의 조성물과 그 제조 방법. | |
| KR20050033485A (ko) | 변형된 표면 텍스쳐를 갖는 스퍼터 타겟 | |
| JP4321785B2 (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
| TWI849280B (zh) | 磁控濺射鍍膜裝置及其工作方法 | |
| JP2513976B2 (ja) | 複数の球状部品の被覆方法 | |
| JP4345869B2 (ja) | スパッタ成膜用の膜厚補正機構 | |
| CN212375363U (zh) | 磁控溅射镀膜装置 | |
| US20120128948A1 (en) | Coated article and method for manufacturing same | |
| US3859956A (en) | Multiworkpiece condensation coating apparatus | |
| JP2005113267A (ja) | 表面構造が改良されたスパッタターゲット及びその製造方法 | |
| TWI827905B (zh) | 磁控濺射鍍膜裝置及其工作方法 | |
| JP4656744B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
| TWI493060B (zh) | 銀白色膜結構及其鍍膜方法 | |
| TWI783178B (zh) | 成膜裝置 | |
| US20140174914A1 (en) | Methods and Systems for Reducing Particles During Physical Vapor Deposition | |
| US20130228121A1 (en) | Adjustable mask for use in optical coating process | |
| Glocker et al. | System for Sputtering Uniform Optical Coatings on Flat and Curved Surfaces Without Masks | |
| TW202323560A (zh) | 圓心對稱型3d基板鍍膜方法 | |
| JPH02236277A (ja) | スパッタリング方法 |