TWI842341B - 高密度嵌入式寬邊耦合衰減器 - Google Patents

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Abstract

本發明提供促進高密度嵌入式寬邊耦合衰減器之系統及技術。在各種實施例中，一種衰減器可包含一輸出線。在各種態樣中，該衰減器可進一步包含寬邊耦合至該輸出線之一反射終止之輸入線。在各種情況下，該反射終止之輸入線之一下游末端可短接至接地。在其他情況下，該反射終止之輸入線之一下游末端可自接地斷開。在各種狀況下，該輸出線可展現一非回送佈局。

Description

高密度嵌入式寬邊耦合衰減器
本發明係關於衰減器，且更具體言之，係關於高密度嵌入式寬邊耦合衰減器。
當將控制信號傳輸至超導量子位元時，該控制信號可傳遞通過一或多個寬邊耦合衰減器以促進雜訊減少。令人遺憾的是，低密度寬邊耦合衰減器佔據大量實體空間，此可使控制信號之間距降級。因此，可解決此等技術問題中之一或多者的系統及/或技術可為合乎需要的。
以下呈現發明內容以提供對本發明之一或多個實施例之基本理解。此發明內容並不意欲識別關鍵或具決定性元件，或劃定特定實施例之任何範疇或申請專利範圍之任何範疇。其唯一目的在於以簡化形式呈現概念以作為稍後呈現之更詳細描述的序言。在本文中所描述之一或多個實施例中，描述可促進高密度嵌入式寬邊耦合衰減器之裝置、系統、電腦實施方法、設備及/或電腦程式產品。
根據一或多個實施例，提供一種設備。在各種態樣中，該設備可包含一輸出線。在各種情況下，該設備可進一步包含寬邊耦合至該輸出線之一反射終止之輸入線。在各種狀況下，該反射終止之輸入線之一下游末端可短接至接地。在其他狀況下，該反射終止之輸入線之一下游末端可自接地斷開。在各種態樣中，該輸出線可展現一非回送佈局。
根據一或多個實施例，提供一種衰減器。在各種態樣中，該衰減器可包含一輸出帶狀線傳輸電線。在各種情況下，該衰減器可進一步包含寬邊耦合至該輸出帶狀線傳輸電線之一反射終止之輸入帶狀線傳輸電線。在各種狀況下，該反射終止之輸入帶狀線傳輸電線可為在一接地之間的一跡線，且該跡線之一下游末端可短接至該接地。在其他狀況下，該反射終止之輸入帶狀線傳輸電線可為在一接地之間的一跡線，且該跡線之一下游末端可與該接地電斷接。在各種態樣中，該輸出帶狀線傳輸電線可展現一非回送佈局。
根據一或多個實施例，提供一種裝置。在各種態樣中，該裝置可包含一量子位元。在各種情況下，該裝置可進一步包含耦接至該量子位元之一輸出線。在各種狀況下，該裝置可進一步包含寬邊耦合至該輸出線之一反射終止之輸入線。在各種態樣中，該反射終止之輸入線可耦接至一信號產生器。在各種情況下，該反射終止之輸入線之一下游末端可短接至接地。在各種其他情況下，該反射終止之輸入線之一下游末端可自接地斷開。在各種狀況下，該輸出線可展現一非回送配置。
在各種實施例中，上述設備、衰減器及/或裝置可實施為製造方法。
以下詳細描述僅為說明性的且並不意欲限制實施例及/或實施例之應用或使用。此外，並不意欲受在前述先前技術或發明內容章節中或在實施方式章節中呈現的任何明示或暗示資訊約束。
現在參看圖式描述一或多個實施例，在該等圖式中類似參考編號始終用以係指類似元件。在以下描述中，出於解釋之目的，闡述許多特定細節以便提供對一或多個實施例之更透徹理解。然而，顯然，在各種狀況下，可在無此等特定細節之情況下實踐一或多個實施例。
當將控制信號(例如，微波載頻調及/或脈衝)傳輸至超導量子位元時，該控制信號可傳遞通過一或多個寬邊耦合衰減器(例如，四個埠中之兩者終止的定向耦合器)，以便促進雜訊減少。如一般熟習此項技術者應瞭解，藉由使用寬邊耦合衰減器(例如，藉由使用定向耦合器)而非純電阻衰減器，大部分衰減功率可在不同於在衰減器之後的系統所看到之負載的負載中耗散，此可導致超過(例如，好於)純電阻衰減器的熱雜訊效能。
舉例而言，任何合適之波形產生器(例如，電壓振盪器)可藉由任何合適之驅動線纜線(例如，具有單一通道之同軸纜線及/或具有多個平行帶狀線通道之撓曲纜線)耦接至任何合適之超導量子位元(例如，transmon量子位元)。此外，超導量子位元可實體地位於低溫溫度腔室內(例如，超導屬性傾向於在低溫溫度下最普遍)，而波形產生器可實體地位於非低溫溫度腔室內(例如，信號產生電路系統及/或其他控制電路系統常常在室溫下經實施)。因為波形產生器可實體上位於非低溫溫度腔室內(例如，可處於室溫下)，所以由波形產生器產生之控制信號可包括過量雜訊。將超導量子位元暴露於此雜訊可為不合需要的。因此，一或多個寬邊耦合衰減器(例如，一或多個冷寬邊耦合衰減器)可嵌入於驅動線纜線內以解決此雜訊。更具體言之，當控制信號沿著驅動線纜線傳播時，控制信號可依序傳遞通過一或多個寬邊耦合衰減器中之每一者，且此類一或多個寬邊耦合衰減器中之每一者可減小(例如，衰減)控制信號之雜訊及振幅兩者。結果可為，當控制信號到達超導量子位元(例如，在驅動線纜線之末端處)時，控制信號可具有極少雜訊，代價為亦具有顯著減小之振幅。為了解決振幅減小問題，波形產生器可以可控制地將控制信號之初始振幅設定成任何合適之值(例如，可使控制信號具有極大初始振幅)，以便確保控制信號之最終衰減振幅(例如，在傳遞通過一或多個寬邊耦合衰減器之後)可處於任何合適之所要位準。
令人遺憾的是，寬邊耦合衰減器(例如，定向耦合器)可常常以低密度方式(例如，以不適應高信號密度之方式)予以建構及/或以其他方式予以組態。換言之，低密度寬邊耦合衰減器可佔據大量實體空間，此可降級及/或以其他方式不利地影響傳遞通過衰減器之控制信號的間距。特定言之，低密度寬邊耦合衰減器可包括下游末端藉由電阻器耦接至接地的輸入線(例如，輸入帶狀線傳輸電線)，且可進一步包括寬邊耦合至輸入線且展現回送配置及/或佈局之輸出線(例如，輸出帶狀線傳輸電線)。
由於寬邊耦合之性質(例如，由於具有強近端串擾及弱近端串擾的平行耦合傳輸線之性質)，低密度寬邊耦合衰減器之輸出線展現回送配置/佈局。更具體言之，可藉由將輸入線之寬邊(例如，相對於邊緣)部分定位成空間上鄰近輸出線之寬邊部分來促進輸入線與輸出線之間的寬邊耦合。在一些狀況下，輸入線之寬邊部分與輸出線之寬邊部分可實質上彼此平行地延行，且可藉由任何合適之介電材料及/或任何合適之實體距離分離。在任何狀況下，空間鄰近可導致在輸入線之寬邊部分與輸出線之寬邊部分之間發生近端串擾。換言之，在通向遠離信號產生器並朝向超導量子位元之方向上沿著輸入線傳播的控制信號可經由近端串擾使衰減信號開始沿著輸出線傳播。然而，由於此近端串擾，衰減信號可在與控制信號傳播所在之方向相反的方向上傳播。因此，由於控制信號沿著輸入線朝向超導量子位元並遠離波形產生器傳播，因此衰減信號可開始沿著輸出線朝向波形產生器並遠離超導量子位元傳播。為了確保衰減信號替代地朝向超導量子位元並遠離波形產生器傳播，可將輸出線實體地回送(例如，實體地重新選路至迴路及/或轉彎中；在自身上實體地摺疊)。在任何狀況下，控制信號可由將輸入線耦接至接地之電阻器耗散，且由於輸出線之回送配置，衰減信號可朝向超導量子位元前進。
令人遺憾的是，輸出線之此回送配置可具有過大實體佔據面積及/或可以其他方式被認為消耗過多空間。亦即，嵌入驅動線纜線內之低密度寬邊耦合衰減器可使得驅動線纜線在衰減器之位置處實體地較厚。此增加之厚度可浪費空間及/或可不利地影響(例如，可增大)控制信號間距，此可為不合需要的。
因此，可解決此等技術問題中之一或多者的系統及/或技術可為合乎需要的。
本文中所描述之各種實施例可解決此等技術問題中之一或多者。具體言之，本文中所描述之各種實施例可提供可促進高密度嵌入式寬邊耦合衰減器之系統及/或技術。換言之，本文中所描述之各種實施例的本發明人設計了用於寬邊耦合衰減器(例如用於定向耦合器)之架構，其相比於低密度寬邊耦合衰減器之架構可佔據更少的實體空間(例如，更密集及/或幾何上更緊湊)及/或可維持此類低密度寬邊耦合衰減器之有益的熱雜訊效能。更具體言之，本發明人設計了一種用於建構不具有及/或以其他方式不需要回送輸出線之寬邊耦合衰減器的技術。
特定言之，本發明人設計之架構在各種態樣中可包括彼此寬邊耦合之輸出線(例如，任何合適之輸出帶狀線傳輸電線)及輸入線(例如，任何合適之輸入帶狀線傳輸電線)，其中輸出線之上游末端可藉由任何合適電阻器耦接至接地，及/或其中輸入線可經反射終止而非電阻終止。換言之，輸入線之下游末端可不藉由電阻器耦接至接地。實情為，輸入線之下游末端在一些狀況下可短接至接地(例如，可在無任何明顯電阻負載的情況下直接耦接至接地)，及/或在其他狀況下可自接地斷開(例如，可與接地電斷接及/或可以其他方式藉由斷路與接地分離)。在任何狀況下，當輸入線之下游末端短接至接地或藉由斷路與接地分離時，輸入線之下游末端可被認為經反射終止及/或以其他方式具有反射終端。亦即，當沿著輸入線傳播之信號到達反射終端(例如，到達短路及/或到達斷路)時，信號可反向(例如，可經反射)以便現在在與其先前傳播方向相反之方向上沿著輸入線傳播。在各種態樣中，本發明人認識到，此反射終端可用以消除對回送輸出線之需求。
舉例而言，假設控制信號沿著輸入線在下游方向(例如，在通向超導量子位元並遠離波形產生器之方向上)傳播。隨著控制信號傳遞通過寬邊耦合至輸出線之輸入線之部分，可在輸入線與輸出線之間發生近端串擾。此近端串擾可致使第一衰減信號(例如，相比於控制信號具有較低雜訊及/或較低振幅之信號)開始沿著輸出線在與控制信號之傳播方向相反的方向上傳播。因此，由於控制信號在此時間點可在下游方向上傳播，因此第一衰減信號可替代地在上游方向上(例如，在通向波形產生器並遠離超導量子位元之方向上)傳播。因為輸出線之上游末端可藉由電阻器耦接至接地，所以第一衰減信號可由電阻器耗散。
在某時間點，仍在下游方向上沿著輸入線行進的控制信號可到達輸入線之反射終端。在各種態樣中，當控制信號遭遇反射終端時(例如，當控制信號遭遇短路及/或斷路時)，控制信號可向後反射且因此可開始沿著輸入線在上游方向上(例如，朝向波形產生器並遠離超導量子位元)傳播。在各種情況下，反射控制信號可傳遞通過寬邊耦合至輸出線之輸入線之部分，此可再次導致在輸入線與輸出線之間發生近端串擾。此近端串擾可導致第二衰減信號(例如，相比於反射控制信號具有較低雜訊及/或較低振幅的信號)開始沿著輸出線在與反射控制信號之傳播方向相反的方向上傳播。因此，由於反射控制信號在此時間點可在上游方向上傳播，因此第二衰減信號可替代地在下游方向上傳播。亦即，第二衰減信號可沿著輸出線朝向超導量子位元並遠離波形產生器行進。
應注意，第二衰減信號之此下游傳播方向可在不實體地回送及/或實體地轉向輸出線的情況下來達成。換言之，藉由實施反射終止之輸入線，可消除對回送輸出線之需求。換言之，包括反射終止之輸入線的寬邊耦合衰減器可被認為比低密度寬邊耦合衰減器更緻密、幾何上更緊湊及/或以其他方式具有更小的實體佔據面積。在各種狀況下，本文中所描述之寬邊耦合衰減器的此更高密度、更高幾何緊湊性及/或更小實體佔據面積可導致控制信號之間距降級更小。
因此，本文中所描述之各種實施例可被認為可顯著減小寬邊耦合衰減器之實體大小且因此減小與寬邊耦合衰減器相關聯之間距降級的系統及/或技術。
本發明之各種實施例可用於使用硬體及/或軟體來解決本質上具有高度技術性的問題(例如以促進高密度嵌入式寬邊耦合衰減器)，該等問題並非抽象的，不僅僅係自然規律，不僅僅係自然現象，且不能作為人類的一組心理行為來執行。實情為，本文所描述之各種實施例包括有形電路結構/架構及/或關於此類有形電路結構/架構之方法，該等有形電路結構/架構可經實施以便減小寬邊耦合衰減器之實體大小及/或空間佔據面積。實際上，如上文所提及，寬邊耦合衰減器可常常以低密度方式建構，具有回送輸出線。此回送輸出線可消耗大量實體空間及/或可不利地影響控制信號間距。令人遺憾的是，現有系統/技術並未提供對此等技術問題之任何解決方案。
相比之下，本文中所描述之各種實施例可解決此等技術問題中之一或多者。具體言之，本文中所描述之系統/技術可包括建構寬邊耦合衰減器以具有反射終止之輸入線。在各種情況下，反射終止之輸入線可省去對回送輸出線之需求。更具體言之，在下游方向上沿著反射終止之輸入線傳播的控制信號可遭遇反射終端(例如，短路及/或斷路)，此可導致控制信號向後反射。換言之，反射終端可導致控制信號現在在上游方向上沿著反射終止之輸入線傳播。當反射控制信號傳遞通過寬邊耦合至輸出線的反射終止之輸入線之一部分時，可發生近端串擾，其可使得衰減信號開始在下游方向上沿著輸出線傳播。由於衰減信號已經在下游方向上傳播，因此可不需要實體地回送及/或轉向輸出線。在各種態樣中，此寬邊耦合衰減器可被認為相比於低密度寬邊耦合衰減器具有更高密度、更高等級之空間/幾何緊湊性，及/或佔據更少實體空間。因此，此寬邊耦合衰減器可經歷與低密度寬邊耦合衰減器相比更小的間距降級及/或與更小間距降級相關聯。因為本文中所描述之各種實施例可緩解與低密度寬邊耦合衰減器相關聯之問題(例如，過多空間佔據面積、間距降級)，所以此類實施例當然構成衰減器領域中之具體及有形的技術改良。
此外，必須強調，本文中所描述之各種實施例並非僅針對暫時性信號及/或傳播波形。如本文中所解釋，各種實施例可解決與低密度寬邊耦合衰減器相關聯之過度空間消耗及/或間距降級的技術問題。具體言之，如本文中所描述，本發明人設計對此等技術問題之解決方案，其中此解決方案包括建構寬邊耦合衰減器以便具有反射終止之輸入線。如本文中所解釋，包括反射終止之輸入線可消除對回送輸出線之需求。特定言之，此係由於反射終端(例如，短路及/或斷路)可如何影響控制信號之傳播方向。因此，在不論述/描述控制信號(例如，微波載頻調/脈衝)及/或此類控制信號之傳播方向的情況下，無法智慧型地解釋本文中所描述之各種實施例。儘管對控制信號進行了此描述/論述，但本文中所描述之各種實施例並非針對此類控制信號而沒有顯著更多。實情為，此類實施例係針對操控及/或導引此類控制信號之具體、有形及非暫時性電路結構/架構(例如，寬邊耦合至反射終止之輸入帶狀線傳輸電線的輸出帶狀線傳輸電線)。
此外，本文中所描述之各種實施例可基於所揭示教示控制有形的基於硬體及/或基於軟體之裝置。舉例而言，本發明之實施例可包括有形的量子位元(例如，由約瑟夫森接面構成之超導量子位元)及/或可攜載及/或衰減用於此類有形量子位元之控制信號之有形的帶狀線傳輸電線。
應瞭解，諸圖及本文揭示內容描述各種實施例之非限制性實例。應進一步瞭解，該等圖未必按比例繪製。
圖1至圖2繪示根據本文中所描述之一或多個實施例的利用經短接之反射終端之實例非限制性高密度嵌入式寬邊耦合衰減器的電路圖100及200。
如圖1中所展示，在各種態樣中，高密度嵌入式寬邊耦合衰減器可包括反射終止之輸入線102及輸出線104。在各種狀況下，反射終止之輸入線102可為具有任何合適尺寸、具有任何合適形狀及/或由任何合適材料(例如，超導材料)建構以用於傳輸微波載頻調及/或脈衝的任何合適纜線及/或電線(例如，反射終止之輸入線102可為帶狀線)。類似地，輸出線104可為具有任何合適尺寸、具有任何合適形狀及/或由任何合適材料(例如，超導材料)建構以用於傳輸微波載頻調及/或脈衝的任何合適之纜線及/或電線(例如，輸出線104亦可為帶狀線)。
在各種狀況下，反射終止之輸入線102可具有由「IN」表示之第一末端(例如，上游末端)，如圖1中所展示。此外，反射終止之輸入線102可具有短接至接地108之第二末端(例如下游末端)，因此稱為「反射終端」(例如，短路可被認為係反射終端)。
在各種態樣中，輸出線104可具有由電阻負載110耦接至接地112之第一末端(例如上游末端)。在各種情況下，接地112及接地108可為共同的。在各種情況下，電阻負載110可由任何合適之電阻器及/或電阻膜建構(例如，可具有任何合適之電阻值)。在各種態樣中，輸出線104可具有由「OUT」表示之第二末端(例如下游末端)，如圖1中所展示。
亦如所展示，反射終止之輸入線102的一部分可在空間上鄰近輸出線104之一對應部分(例如，可在輸出線104之對應部分的任何合適實體距離內及/或可實質上平行於輸出線104之該對應部分延行)。此空間鄰近可導致反射終止之輸入線102變得寬邊耦合至輸出線104。此可在圖1中表示為寬邊耦合區106。
在各種態樣中，圖1中所展示之高密度嵌入式寬邊耦合衰減器可操作及/或運作如下。初始信號114可沿著反射終止之輸入線102傳播。特定言之，初始信號114可在反射終止之輸入線102之第一末端處被接收且可朝向至接地108之短路傳播。可由任何合適之波形產生器(未圖示)產生之初始信號114可為任何合適的微波載頻調及/或脈衝(例如，可具有任何合適的振幅、頻率及/或持續時間)。在各種態樣中，當初始信號114沿著反射終止之輸入線102傳播時，初始信號114可傳遞通過寬邊耦合至輸出線104的反射終止之輸入線102之部分(例如，可傳遞通過寬邊耦合區106)。此可導致在反射終止之輸入線102與輸出線104之間發生近端串擾，此可導致第一衰減信號116開始沿著輸出線104傳播。在各種態樣中，由於此近端串擾，第一衰減信號116可具有與初始信號114對應的(例如相同的)頻率及/或持續時間，但第一衰減信號116相比於初始信號114可具有較少雜訊及/或較小振幅。此外，由於此近端串擾且如圖1中所展示，第一衰減信號116可在與初始信號114傳播之方向相反的方向上傳播。因此，由於初始信號114自圖1之視角可在向下方向上(例如在下游方向上)沿著反射終止之輸入線102傳播，因此第一衰減信號116自圖1之視角可在向上方向上(例如，在上游方向上)沿著輸出線104傳播。在各種狀況下，第一衰減信號116可最終遭遇電阻負載110並由電阻負載110耗散。此外，在各種情況下，初始信號114可最終遭遇至接地108之短路。因為至接地108之短路可被認為係反射終端，所以初始信號114可藉由至接地108之短路而向後反射。此關於圖2更詳細地加以展示。
如所展示，圖2描繪在初始信號114已藉由至接地108之短路而向後反射之後的與圖1中所描繪相同的高密度嵌入式寬邊耦合衰減器。更具體言之，反射信號202可被認為係當初始信號114藉由至接地108之短路而向後反射時獲得的所得微波載頻調及/或脈衝。在各種態樣中，反射信號202可具有與初始信號114對應的(例如，相同的)振幅、頻率及/或持續時間，但反射信號202可具有與初始信號114相反的傳播方向。亦即，反射信號202可在上游方向上沿著反射終止之輸入線102傳播，而初始信號114在下游方向上沿著反射終止之輸入線102傳播。在任何狀況下，當反射信號202沿著反射終止之輸入線102傳播時，反射信號202可傳遞通過寬邊耦合至輸出線104的反射終止之輸入線102之部分(例如，可傳遞通過寬邊耦合區106)。此可(再次)導致在反射終止之輸入線102與輸出線104之間發生近端串擾，此可導致第二衰減信號204開始沿著輸出線104傳播。在各種態樣中，由於此近端串擾，第二衰減信號204可具有與反射信號202對應的(例如，相同的)頻率及/或持續時間，但第二衰減信號204相比於反射信號202可具有較少雜訊及/或較小振幅。此外，由於此近端串擾且如圖2中所展示，第二衰減信號204可在與反射信號202傳播之方向相反的方向上傳播。因此，由於反射信號202可圖2之視角在向上方向上(例如在上游方向上)沿著反射終止之輸入線102傳播，因此第二衰減信號204自圖2之視角可在向下方向上(例如，在下游方向上)沿著輸出線104傳播。換言之，第二衰減信號204可在通向遠離初始信號114之原點的方向上沿著輸出線104傳播(例如，可朝向圖2之「OUT」表示傳播)。
應注意，圖1至圖2中所描繪之高密度嵌入式寬邊耦合衰減器可導致第二衰減信號204在與初始信號114相同的方向上(例如，遠離初始信號114之原點，及/或朝向諸如量子位元之任何合適之信號接收裝置)傳播，而無需將輸出線104待回送及/或以其他方式重新選路。具體言之，包括至接地108短路可省去及/或以其他方式消除對回送輸出線104之需求。因此，圖1至圖2中所展示之高密度嵌入式寬邊耦合衰減器可被認為比低密度嵌入式寬邊耦合衰減器在幾何上更緊湊及/或佔據更少的實體空間(例如，因此稱為「高密度」)。因此，第二衰減信號204可經歷比將以其他方式可能的間距降級更小的間距降級。至少出於此等原因，圖1至圖2中所展示之高密度嵌入式寬邊耦合衰減器可被認為改善了困擾低密度嵌入式寬邊耦合衰減器的各種技術問題。
圖3至圖4繪示根據本文中所描述之一或多個實施例的利用斷開之反射終端之實例非限制性高密度嵌入式寬邊耦合衰減器的電路圖300及400。換言之，圖3至圖4繪示高密度嵌入式寬邊耦合衰減器之替代構造。
如圖3至圖4中所展示，反射終止之輸入線102、輸出線104、接地108、電阻負載110、接地112、寬邊耦合區106、初始信號114、第一衰減信號116、反射信號202及第二衰減信號204可如上文所描述。在各種狀況下，如所展示，圖1至圖2中所展示之高密度嵌入式寬邊耦合衰減器與圖3至圖4中所展示之高密度嵌入式寬邊耦合衰減器之間的差異在於，在圖3至圖4中所展示之高密度嵌入式寬邊耦合衰減器中，反射終止之輸入線102之第二末端(例如下游末端)可不短接至接地108。實情為，且如圖3至圖4所繪示，在各種態樣中，反射終止之輸入線102之第二末端(例如，下游末端)可藉由斷路302而與接地108分離。換言之，反射終止之輸入線102之第二末端可被認為自接地108斷開及/或被認為以其他方式與接地108電斷接。在各種情況下，斷路302可為任何合適之斷路。
在任何狀況下，斷路302可被認為係反射終端，正如至接地108之短路一樣。因此，圖3至圖4中所展示之高密度嵌入式寬邊耦合衰減器可以與圖1至圖2中所展示之方式相同及/或類似的方式運作。具體言之，初始信號114可在反射終止之輸入線102之第一末端(例如，上游末端)處被接收且可在下游方向上沿著反射終止之輸入線102傳播。當初始信號114傳遞通過寬邊耦合區106時，可發生近端串擾，其可導致第一衰減信號116開始在上游方向(例如，與初始信號114之傳播方向相反)上沿著輸出線104傳播。最終，第一衰減信號116可遭遇電阻負載110並由電阻負載110耗散，且初始信號114可遭遇斷路302。在遭遇斷路302後，初始信號114可向後反射，藉此產生反射信號202，如圖4中所展示。當反射信號202傳遞通過寬邊耦合區106時，可再次發生近端串擾，其可導致第二衰減信號204開始在下游方向(例如，與反射信號202之傳播方向相反)上沿著輸出線104傳播。再次，結果可為，第二衰減信號204可在與初始信號114相同的方向上(例如，遠離初始信號114之原點，及/或朝向諸如超導量子位元之任何合適之信號接收裝置)傳播，而不必回送及/或以其他方式對輸出線104重新選路。
因此，如圖1至圖4展示，反射終止之輸入線102在一些狀況下可藉由經短接至接地108予以實施，且在其他狀況下可藉由保持自接地108斷開予以實施。在任一狀況下，皆可不需要回送輸出線104，此可產生空間上更緊湊之寬邊耦合衰減器。
圖5至圖10繪示根據本文中所描述之一或多個實施例的高密度嵌入式寬邊耦合衰減器之實例非限制性方塊圖。換言之，圖5至圖10以非限制性方式展示高密度嵌入式寬邊耦合衰減器可如何實體地建構及/或製造。更具體言之，圖5至圖10以非限制性方式展示可如何使用四層帶狀線架構實體地結構化高密度嵌入式寬邊耦合衰減器。
在各種態樣中，圖5描繪利用四層帶狀線架構之高密度嵌入式寬邊耦合衰減器的側向橫截面圖500。在各種情況下，如所展示，此四層帶狀線架構之第一層可包括接地層502，此四層帶狀線架構之第二層可包括接地層508及輸出跡線512，此四層帶狀線架構之第三層可包括接地層506及反射終止之輸入跡線514，及/或此四層帶狀線架構之第四層可包括接地層504。
在各種態樣中，接地層502可具有任何合適之形狀，可具有任何合適之尺寸，及/或可由任何合適之材料(例如超導材料)構成。同樣地，接地層504可具有任何合適之形狀，可具有任何合適之尺寸，及/或可由任何合適之材料(例如超導材料)構成。一般熟習此項技術者應瞭解，在各種情況下，接地層502及接地層504可具有彼此相同及/或不同的形狀，彼此相同及/或不同的尺寸，及/或彼此相同及/或不同的材料。在任何狀況下，接地層502及接地層504可在縱向方向上實質上彼此平行地延行(例如，延行至圖5之頁面中及/或延行出圖5之頁面)。
在各種情況下，如所展示，接地層508、輸出跡線512、接地層506及/或反射終止之輸入跡線514可包夾於接地層502與接地層504之間，其中間隙空間由介電質510填充。在各種狀況下，介電質510可為任何合適之介電材料且可具有任何合適之形狀及/或尺寸。
在各種態樣中，接地層506可具有任何合適之形狀，可具有任何合適之尺寸，及/或可由任何合適之材料(例如超導材料)構成。類似地，在各種情況下，接地層508可具有任何合適之形狀，可具有任何合適之尺寸，及/或可由任何合適之材料(例如超導材料)構成。在各種態樣中，接地層508及接地層506可具有彼此相同及/或不同的形狀、彼此相同及/或不同的尺寸及/或彼此相同及/或不同的材料。
在各種情況下，如所展示，接地層502、接地層504、接地層506及接地層508可藉由任何合適數目個接地通孔516耦接在一起。因此，接地層502、接地層504、接地層506及/或接地層508可被認為形成共同接地。在各種情況下，接地通孔516可具有任何合適之形狀，可具有任何合適之尺寸，及/或可由任何合適之材料(例如超導材料)構成。在一些態樣中，接地通孔516可由與接地層502、接地層504、接地層506及/或接地層508相同及/或不同之材料構成。
在各種態樣中，如所展示，接地層508可具有縱向中心切口區，輸出跡線512可沿著該縱向中心切口區延行(例如，輸出跡線512可具有延伸至圖5之頁面中及/或延伸出圖5之頁面的縱向方向)。在各種情況下，輸出跡線512可為具有任何合適形狀，具有任何合適尺寸及/或由任何合適材料(例如超導材料)構成的任何合適之電線及/或纜線。在一些狀況下，輸出跡線512可由與接地層508相同及/或不同之材料構成。如一般熟習此項技術者應瞭解，因為輸出跡線512可沿著接地層508之縱向中心切口區延行且可由接地層502及/或接地層504包夾(例如，因為輸出跡線512可在接地層508、接地層502及/或接地層504之間縱向地延行)，所以接地層508、接地層502、接地層504及輸出跡線512可被認為集體地形成及/或構成帶狀線電線架構。
同樣地，如所展示，接地層506可具有縱向中心切口區，反射終止之輸入跡線514可沿著該縱向中心切口區延行(例如，反射終止之輸入跡線514可具有延伸至圖5之頁面中及/或延伸出圖5之頁面的縱向方向)。在各種情況下，反射終止之輸入跡線514可為具有任何合適形狀，具有任何合適尺寸及/或由任何合適材料(例如超導材料)構成的任何合適之電線及/或纜線。在一些狀況下，反射終止之輸入跡線514可由與接地層506相同及/或不同之材料構成。此外，在各種態樣中，反射終止之輸入跡線514及輸出跡線512可具有彼此相同及/或不同的形狀，彼此相同及/或不同的尺寸，及/或彼此相同及/或不同的材料。如一般熟習此項技術者應瞭解，因為反射終止之輸入跡線514可沿著接地層506之縱向中心切口區延行且可由接地層502及/或接地層504包夾(例如，因為反射終止之輸入跡線514可在接地層506、接地層502及/或接地層504之間縱向地延行)，所以接地層506、接地層502、接地層504及反射終止之輸入跡線514可被認為集體地形成及/或構成帶狀線電線架構。
在各種狀況下，輸出跡線512及反射終止之輸入跡線514可實質上彼此平行地縱向地延行(例如，可實質上彼此平行地延行至圖5之頁面中及/或延行出圖5之頁面)。
在各種態樣中，接地層502、接地層504、接地層506、接地層508及/或接地通孔516可被認為集體地形成及/或充當圖1至圖4之接地108及/或接地112。此外，在各種情況下，輸出跡線512可被認為形成及/或充當圖1至圖4之輸出線104。此外，在各種狀況下，反射終止之輸入跡線514可被認為形成及/或充當圖1至圖4之反射終止之輸入線102。實際上，如圖5中所展示，輸出跡線512之寬邊(相對於邊緣)及反射終止之輸入跡線514之寬邊可面向彼此且可由介電質510之任何合適之量及/或厚度分離。換言之，輸出跡線512之寬邊及反射終止之輸入跡線514之寬邊可被認為彼此空間鄰近。如一般熟習此項技術者應瞭解，此可導致近端串擾，且因此在輸出跡線512與反射終止之輸入跡線514之間發生寬邊耦合。如一般熟習此項技術者將進一步瞭解，此近端串擾及/或此寬邊耦合之電特性(例如，發生多少信號衰減)可取決於反射終止之輸入跡線514之形狀、尺寸及/或材料，可取決於輸出跡線512之形狀、尺寸及/或材料，可取決於將反射終止之輸入跡線514與輸出跡線512分離的距離，及/或可取決於介電質510。因此，近端串擾之所要量(例如，寬邊耦合之所要量)可藉由可控地製造反射終止之輸入跡線514之形狀、尺寸及/或材料，藉由可控地製造輸出跡線512之形狀、尺寸及/或材料，藉由可控地製造將反射終止之輸入跡線514與輸出跡線512分離的距離及/或藉由可控地製造介電質510來促進。
最後，圖5標記縱向切割平面518之位置。各個剩餘圖(例如，圖9至圖10)描繪沿著及/或根據縱向切割平面518之圖5之四層帶狀線架構。
在各種態樣中，圖6描繪圖5中所展示之四層帶狀線架構的空中縱向橫截面圖600。更具體言之，圖6繪示圖5中所展示之四層帶狀線架構之第二層的俯瞰圖，該第二層可包括接地層508及輸出跡線512。應注意，四層帶狀線架構之縱向方向自圖6之視角可在上下方向上延伸，然而相同縱向方向自圖5之視角可延伸至頁面中及/或延伸出頁面。
如可看到，圖6標記側向切割平面602之位置。在各種狀況下，圖5可被認為繪示沿著及/或根據側向切割平面602之四層帶狀線架構。
如亦可看到，圖6表示縱向切割平面518之位置，其亦標記於圖5中。再次，各個剩餘圖(例如，圖9至圖10)繪示沿著及/或根據縱向切割平面518之四層帶狀線架構。
如可進一步看到，圖6繪示接地層508之縱向中心切口部分的俯瞰圖，輸出跡線512可經由該縱向中心切口部分、沿著該縱向中心切口部分及/或在該縱向中心切口部分之間縱向地延行。在各種態樣中，如所展示，輸出跡線512之第一末端(例如，上游末端)可藉由電阻膜604耦接至接地層508。在各種情況下，電阻膜604可具有任何合適之形狀，可具有任何合適之尺寸，及/或可由任何合適之電阻材料構成。在各種狀況下，電阻膜604可被認為形成及/或充當圖1至圖4之電阻負載110。在各種態樣中，如所展示，輸出跡線512之第二末端(例如，下游末端)可由圖6中之「OUT」表示。應注意，圖6中之「OUT」表示可被認為對應於圖1至圖4之「OUT」表示(例如，輸出跡線512之由圖6中之「OUT」標記的下游末端可形成及/或充當輸出線104之由圖1至圖4中之「OUT」標記的下游末端)。
如又可進一步看到，圖6繪示接地通孔516之俯瞰圖。儘管圖6將接地通孔516繪示為具有圓形橫截面，但此僅為為了易於說明之非限制性實例。在各種狀況下，接地通孔516可具有成任何合適形狀之橫截面。此外，儘管圖6描繪八個接地通孔516，但此僅為為了易於說明之非限制性實例。在各種狀況下，可實施任何合適數目個接地通孔516。
在各種態樣中，圖7描繪圖5中所展示之四層帶狀線架構的空中縱向橫截面圖700。更具體言之，圖7繪示圖5中所展示之四層帶狀線架構之第三層的俯瞰圖，該第三層可包括接地層506及反射終止之輸入跡線514。應注意，四層帶狀線架構之縱向方向自圖7之視角可在上下方向上延伸(例如，正如在圖6中一樣)，然而相同縱向方向自圖5之視角可延伸至頁面中及/或延伸出頁面。
正如圖6一樣，圖7標記側向切割平面602 (例如，圖5描繪沿著該側向切割平面及/或根據該側向切割平面之四層帶狀線架構)及縱向切割平面518 (例如，圖9至圖10將描繪沿著該縱向切割平面及/或根據該縱向切割平面之四層帶狀線架構)的位置。又，圖7展示接地通孔516之非限制性實施例。
現在，如可看到，圖7繪示接地層506之縱向中心切口部分的俯瞰圖，反射終止之輸入跡線514可經由該縱向中心切口部分、沿著該縱向中心切口部分及/或在該縱向中心切口部分之間縱向地延行。在各種態樣中，如所展示，反射終止之輸入跡線514之第一末端(例如上游末端)可由圖7中之「IN」表示。應注意，圖7中之「IN」表示可被認為對應於圖1至圖4之「IN」表示(例如，反射終止之輸入跡線514之由圖7中之「IN」標記的上游末端可形成及/或充當反射終止之輸入線102之由圖1至圖4中之「IN」標記的上游末端)。如亦可看到，反射終止之輸入跡線514之第二末端(例如，下游末端)可直接耦接至接地層506。換言之，反射終止之輸入跡線514的第二末端可短接至接地層506。因此，在各種態樣中，圖7可被認為繪示展示於圖1至圖2中之反射終止之輸入線102的實例非限制性結構(例如，展示短接之反射終端)。
在各種態樣中，圖8描繪圖5中所展示之四層帶狀線架構的替代空中縱向橫截面圖800。更具體言之，圖8繪示圖5中所展示之四層帶狀線架構之第三層的替代俯瞰圖，該第三層可包括接地層506及反射終止之輸入跡線514。應注意，四層帶狀線架構之縱向方向自圖8之視角可在上下方向上延伸(例如，正如在圖6中一樣)，然而相同縱向方向自圖5之視角可延伸至頁面中及/或延伸出頁面。
正如圖6一樣，圖8標記側向切割平面602 (例如，圖5描繪沿著該側向切割平面及/或根據該側向切割平面之四層帶狀線架構)及縱向切割平面518 (例如，圖9至圖10將描繪沿著該縱向切割平面及/或根據該縱向切割平面之四層帶狀線架構)的位置。又，圖8展示接地通孔516之非限制性實施例。
現在，如可看到，圖8繪示接地層506之縱向中心切口部分的俯瞰圖，反射終止之輸入跡線514可經由該縱向中心切口部分、沿著該縱向中心切口部分及/或在該縱向中心切口部分之間縱向地延行。在各種態樣中，如所展示，反射終止之輸入跡線514之第一末端(例如上游末端)可由圖8中之「IN」表示。正如圖7一樣，圖8中之「IN」表示可被認為對應於圖1至圖4之「IN」表示(例如，反射終止之輸入跡線514之由圖8中之「IN」標記的上游末端可形成及/或充當反射終止之輸入線102之由圖1至圖4中之「IN」標記的上游末端)。如亦可看到，反射終止之輸入跡線514之第二末端(例如，下游末端)可與接地層506電分離及/或斷接。換言之，反射終止之輸入跡線514之第二末端可自接地層506斷開(例如，可藉由介電質510與接地層506分離)。因此，在各種態樣中，圖8可被認為繪示展示於圖3至圖4中之反射終止之輸入線102的實例非限制性結構(例如，展示斷開之反射終端)。
在各種態樣中，圖9描繪圖5、圖6及圖7中所展示之四層帶狀線架構的剖面縱向橫截面圖900。更具體言之，圖9繪示圖5、圖6及圖7中所展示之四層帶狀線架構之所有四個層的剖面圖(例如，其中實施經短接之反射終端)。應注意，該四層帶狀線架構之縱向方向自圖9之視角可在左右方向上延伸，然而彼相同縱向方向自圖5之視角可延伸至頁面中及/或延伸出頁面，且然而彼相同縱向方向自圖6及圖7之視角可在上下方向上延伸。在各種態樣中，圖9可被認為繪示沿著及/或根據縱向切割平面518之四層帶狀線架構，該縱向切割平面標記於圖5、圖6及圖7中。
如可看到，反射終止之輸入跡線514及輸出跡線512可由接地層504及接地層502縱向包夾，其中間隙空間由介電質510填充。如亦可看到，輸出跡線512之第一末端(例如，上游末端)可藉由電阻膜604耦接至接地層508，且輸出跡線512之第二末端(例如，下游末端)可由「OUT」表示標記。如可進一步看到，反射終止之輸入跡線514之第一末端(例如，上游末端)可由「IN」表示標記，且反射終止之輸入跡線514之第二末端(例如，下游末端)可短接至接地層506。如又可進一步看到，反射終止之輸入跡線514之某一部分及輸出跡線512之某一部分可彼此空間鄰近地縱向地延行，此可產生近端串擾且因此產生寬邊耦合。為了觀看方便，圖1至圖4之寬邊耦合區106標記於圖9中，以展示可在輸出跡線512與反射終止之輸入跡線514之間發生近端串擾之處。如另外所看到，圖9標記側向切割平面602之位置，該側向切割平面亦標記於圖6至圖7中，且圖5描繪根據該側向切割平面及/或沿著該側向切割平面之四層帶狀線架構。
在各種態樣中，圖10描繪圖5、圖6及圖8中所展示之四層帶狀線架構的剖面縱向橫截面圖1000。更具體言之，圖10繪示圖5、圖6及圖8中所展示之四層帶狀線架構之所有四個層的剖面圖(例如，其中實施斷開之反射終端)。應注意，該四層帶狀線架構之縱向方向自圖10之視角可在左右方向上延伸，然而彼相同縱向方向自圖5之視角可延伸至頁面中及/或延伸出頁面，且然而彼相同縱向方向自圖6及圖8之視角可在上下方向上延伸。在各種態樣中，圖10可被認為繪示沿著及/或根據縱向切割平面518之四層帶狀線架構，該縱向切割平面標記於圖5、圖6及圖8中。
如可看到，反射終止之輸入跡線514及輸出跡線512可由接地層504及接地層502縱向包夾，其中間隙空間由介電質510填充。如亦可看到，輸出跡線512之第一末端(例如，上游末端)可藉由電阻膜604耦接至接地層508，且輸出跡線512之第二末端(例如，下游末端)可由「OUT」表示標記。如可進一步看到，反射終止之輸入跡線514之第一末端(例如上游末端)可由「IN」表示標記，且反射終止之輸入跡線514之第二末端(例如下游末端)可自接地層506斷開(例如，可藉由介電質510與接地層506分離)。正如在圖9中一樣，圖1至圖4之寬邊耦合區106標記於圖10中，以展示可在輸出跡線512與反射終止之輸入跡線514之間發生近端串擾之處。如另外所看到，圖10標記側向切割平面602之位置，該側向切割平面亦標記於圖6至圖8中，且圖5描繪根據該側向切割平面及/或沿著該側向切割平面之四層帶狀線架構。
一般熟習此項技術者應瞭解，圖5至圖10展示可如何實體地結構化高密度寬邊耦合衰減器的非限制性實例。一般熟習此項技術者應進一步瞭解，展示於圖5至圖10中之任何結構可藉由任何合適之製造技術(例如，光微影、沈積、蝕刻)來製造。
儘管圖5至圖10將反射終止之輸入跡線514展示為定位於輸出跡線512之上方及/或頂部上，但此僅為為了易於說明之非限制性實例。在各種狀況下，輸出跡線512可定位於反射終止之輸入跡線514上方及/或頂部上。
儘管圖5至圖10將反射終止之輸入跡線514及輸出跡線512展示為彼此豎直地對準，但此僅為為了易於說明之非限制性實例。在各種狀況下，反射終止之輸入跡線514及輸出跡線512可按彼此水平偏移任何合適距離，使得反射終止之輸入跡線514及輸出跡線512不彼此豎直對準。
一般熟習此項技術者應瞭解，圖5至圖10中所展示之非限制性四層帶狀線架構可嵌入至任何合適之驅動線纜線中(例如，驅動線纜線可為同軸纜線，或驅動線纜線可為柔性纜線)。
儘管本文中之揭示內容主要將高密度嵌入式寬邊耦合衰減器之各種實施例描述為展現帶狀線架構(例如，圖5至圖10中所展示之四層帶狀線架構)，但此僅為為了易於說明之非限制性實例。在各種態樣中，高密度寬邊耦合衰減器可展現任何合適之電線結構(例如，可不僅限於帶狀線)。舉例而言，當輸出電線寬邊耦合至反射終止之輸入電線時，可形成高密度寬邊耦合衰減器，即使當輸出電線並非為帶狀線時及/或甚至當反射終止之輸入電線並非為帶狀線時。
迄今為止，本文中之揭示內容已主要描述高密度寬邊耦合衰減器之電特性(例如，關於圖1至圖4)及此高密度寬邊耦合衰減器可如何經實體地結構化(例如，關於圖5至圖10)。在各種狀況下，剩餘圖可有助於解釋可如何利用及/或使用此類高密度寬邊耦合衰減器。
圖11至圖15繪示根據本文中所描述之一或多個實施例的菊鏈在一起之兩個實例非限制性高密度嵌入式寬邊耦合衰減器的電路圖1100、1200、1300、1400及1500。換言之，圖11至圖15展示兩個或多於兩個高密度寬邊耦合衰減器可如何彼此串聯連接。
如圖11中所展示，可存在兩個高密度寬邊耦合衰減器：衰減器1102及/或衰減器1104。在各種狀況下，如所展示，衰減器1102可具有短接之反射終端(例如，諸如圖1至圖2中所展示之反射終端)。同樣地，衰減器1104亦可具有短接之反射終端。然而，此僅為為了易於解釋之非限制性實例。在各種態樣中，衰減器1102及/或衰減器1104可具有斷開之反射終端(例如，諸如圖3至圖4中所展示之反射終端)。實際上，在一些情況下，衰減器1102及衰減器1104中之一者可具有斷開之反射終端，且衰減器1102及衰減器1104中之另一者可具有短接之反射終端。
在任何狀況下，如所展示，皆可藉由將衰減器1102之輸出線之下游末端耦接至衰減器1104之反射終止之輸入線的上游末端來實現菊鏈。圖12至圖15繪示此菊鏈架構可如何操作及/或運作。
如圖12中所展示，信號1202可由衰減器1102之反射終止之輸入線的上游末端接收。在各種態樣中，信號1202可為具有任何合適之頻率、振幅及/或持續時間的任何合適之微波載頻調及/或脈衝。如所展示，衰減器1102中之近端串擾可使衰減信號1204開始沿著衰減器1102之輸出線傳播，其中該衰減信號1204可為具有與信號1202相同/類似頻率及/或持續時間的任何合適之微波載頻調/脈衝，其中該衰減信號1204相比於信號1202可具有減小之振幅及/或減少之雜訊，及/或其中該衰減信號1204之傳播方向可與信號1202之傳播方向相反。因此，由於信號1202可在下游方向上沿著衰減器1102之反射終止之輸入線傳播，因此衰減信號1204可在上游方向上沿著衰減器1102之輸出線傳播。最終，衰減信號1204可由電阻負載耗散，該電阻負載將衰減器1102之輸出線之上游末端耦接至接地。此外，信號1202可最終到達衰減器1102之反射終端，此可導致信號1202向後反射，如圖13中所展示。
如圖13中可看到，反射信號1302可被認為係信號1202遭遇衰減器1102之反射終端的結果。因此，反射信號1302可為具有與信號1202相同/類似之頻率、振幅及/或持續時間，但具有與信號1202相反之傳播方向的任何合適之微波載頻調/脈衝。因此，反射信號1302可在上游方向上沿著衰減器1102之反射終止之輸入線傳播。如所展示，可再次發生衰減器1102中之近端串擾，此可導致衰減信號1304開始沿著衰減器1102之輸出線傳播，其中該衰減信號1304可為具有與反射信號1302相同/類似頻率及/或持續時間的任何合適之微波載頻調/脈衝，其中該衰減信號1304相比於反射信號1302可具有減小之振幅及/或減少之雜訊，及/或其中該衰減信號1304之傳播方向可與反射信號1302之傳播方向相反。因此，由於反射信號1302可在上游方向上沿著衰減器1102之反射終止之輸入線傳播，因此衰減信號1304可在下游方向上沿著衰減器1102之輸出線傳播。最終，衰減信號1304可由衰減器1104之反射終止之輸入線的上游末端接收。
如圖14中所展示，衰減器1104中之近端串擾可導致另外衰減信號1402開始沿著衰減器1104之輸出線傳播，其中該另外衰減信號1402可為具有與衰減信號1304相同/類似頻率及/或持續時間的任何合適之微波載頻調/脈衝，其中該另外衰減信號1402相比於衰減信號1304可具有減小之振幅及/或減少之雜訊，及/或其中該另外衰減信號1402之傳播方向可與衰減信號1304之傳播方向相反。因此，由於衰減信號1304可在下游方向上沿著衰減器1104之反射終止之輸入線傳播，因此另外衰減信號1402可在上游方向上沿著衰減器1104之輸出線傳播。最終，另外衰減信號1402可由電阻負載耗散，該電阻負載將衰減器1104之輸出線之上游末端耦接至接地。此外，衰減信號1304可最終到達衰減器1104之反射終端，此可導致衰減信號1304向後反射，如圖15中所展示。
如圖15中可看到，反射衰減信號1502可被認為係衰減信號1304遭遇衰減器1104之反射終端的結果。因此，反射衰減信號1502可為具有與衰減信號1304相同/類似之頻率、振幅及/或持續時間，但具有與衰減信號1304相反之傳播方向的任何合適之微波載頻調/脈衝。因此，反射衰減信號1502可在上游方向上沿著衰減器1104之反射終止之輸入線傳播。如所展示，可再次發生衰減器1104中之近端串擾，其可導致另外衰減信號1504開始沿著衰減器1104之輸出線傳播，其中該另外衰減信號1504可為具有與反射衰減信號1502相同/類似頻率及/或持續時間的任何合適之微波載頻調/脈衝，其中該另外衰減信號1504相比於反射衰減信號1502可具有減小之振幅及/或減少之雜訊，及/或其中該另外衰減信號1504之傳播方向可與反射衰減信號1502之傳播方向相反。因此，由於反射衰減信號1502可在上游方向上沿著衰減器1104之反射終止之輸入線傳播，因此另外衰減信號1504可在下游方向上沿著衰減器1104之輸出線傳播。最終，反射衰減信號1502可遭遇將衰減器1102之輸出線的上游末端耦接至接地之電阻負載，此可使反射衰減信號1502耗散。
以此方式，兩個或多於兩個高密度寬邊耦合衰減器可菊鏈在一起。此外，儘管圖11至圖15中未明確地展示，但任何其他合適之電路元件可與衰減器1102及/或與衰減器1104成直線實施(例如，一或多個電路濾波器可定位於衰減器1102的上游、定位於衰減器1104的下游，及/或定位於衰減器1102與衰減器1104之間)。
圖16繪示根據本文中所描述之一或多個實施例的可將信號產生器耦接至量子位元裝置之實例非限制性高密度嵌入式寬邊耦合衰減器的電路圖1600。
在各種實施例中，可存在信號產生器1602及/或量子位元裝置1604。在各種態樣中，信號產生器1602可為任何合適之波形產生器(例如，可為電壓及/或電流源振盪器)。在各種情況下，量子位元裝置1604可包括任何合適數目個任何合適類型的量子位元(例如，超導量子位元、自旋量子位元)。在任何狀況下，可需要量子位元裝置1604由信號產生器1602驅動(例如，可需要量子位元裝置1604暴露於由信號產生器1602產生之驅動載頻調)。在各種狀況下，可實施一或多個高密度寬邊耦合衰減器以促進此驅動。
舉例而言，如所展示，衰減器1606可將信號產生器1602耦接至量子位元裝置1604。在各種態樣中，如可看到，衰減器1606可展現利用經短接之反射終端(例如，諸如圖1至圖2中所展示之經短接之反射終端)的高密度寬邊耦合結構。然而，此僅為非限制性實例。在各種情況下，衰減器1606可替代地具有斷開之反射終端(例如，諸如圖3至圖4中所展示之斷開之反射終端)。在任何狀況下，衰減器1606之反射終止之輸入線的上游末端可耦接至信號產生器1602，且衰減器1606之輸出線的下游末端可耦接至量子位元裝置1604。因此，當藉由信號產生器1602產生驅動載頻調時，該驅動載頻調可在到達量子位元裝置1604之前由衰減器1606衰減。
在各種態樣中，信號產生器1602、衰減器1606及/或量子位元裝置1604可經實施於及/或實體上位於任何合適數目個溫度級及/或溫度腔室內。此類溫度級/腔室可在圖16中由溫度級分界1608表示及/或由溫度級分界1610表示。舉例而言，在一些狀況下，信號產生器1602可實施於非低溫溫度級/腔室中(例如，可在室溫下及/或接近室溫實施)，量子位元裝置1604可實施於低溫溫度級/腔室中，且衰減器1606可實施於中間溫度級/腔室中。因此，溫度級分界1608可被認為標記非低溫溫度級/腔室與中間溫度級/腔室之間的分離點，且溫度級分界1610可被認為標記中間溫度級/腔室與低溫溫度級/腔室之間的分離點。
然而，此僅為非限制性實例。在一些狀況下，信號產生器1602及衰減器1606可在彼此相同的溫度級/腔室中實施(例如，兩者在非低溫溫度級/腔室中實施，或兩者在中間溫度級/腔室中實施)。在其他狀況下，衰減器1606及量子位元裝置1604可在彼此相同的溫度級/腔室中實施(例如，兩者在低溫溫度級/腔室中實施)。在又其他狀況下，信號產生器1602、衰減器1606及量子位元裝置1604全部三者可在彼此相同之溫度級/腔室中實施(例如，全部在低溫溫度級/腔室中實施)。
儘管圖16中未明確地展示，但一般熟習此項技術者應瞭解，可在信號產生器1602與量子位元裝置1604之間實施任何合適數目個中間溫度級/腔室。
儘管圖16中未明確地展示，但一般熟習此項技術者應瞭解，可實施多於一個衰減器以將信號產生器1602耦接至量子位元裝置1604 (例如，兩個或多於兩個衰減器可在信號產生器1602與量子位元裝置1604之間菊鏈在一起)。此外，儘管圖16中未明確地展示，但一般熟習此項技術者應瞭解，任何其他合適之電路結構可實施於信號產生器1602與量子位元裝置1604之間(例如，任何合適數目個電路濾波器可與衰減器1606成直線實施及/或在兩個或多於兩個菊鏈之衰減器之間成直線實施)。
圖17至圖18繪示根據本文中所描述之一或多個實施例的用於促進高密度嵌入式寬邊耦合衰減器之實例非限制性方法1700及1800的流程圖。
在各種實施例中，動作1702可包括提供輸出線(例如，104)。在各種態樣中，動作1704可包括將輸出線寬邊耦合至反射終止之輸入線(例如102)。儘管圖17中未明確地展示，但反射終止之輸入線的下游末端在一些狀況下可短接至接地(例如，如圖1至圖2中所展示)且在其他狀況下可自接地斷開(例如，如圖3至圖4中所展示)。儘管圖17中未明確地展示，但輸出線可展現非回送佈局(例如，如圖1至圖4中所展示)。儘管圖17中未明確地展示，但輸出線之上游末端可由至少一個電阻負載(例如，110)終止至接地，及/或輸出線之下游末端可耦接至裝置(例如，1604)。
在各種實施例中，動作1802可包括提供輸出帶狀線傳輸電線(例如集體地為512、502、504及508)。在各種態樣中，動作1804可包括將反射終止之輸入帶狀線傳輸電線(例如，集體地為514、502、504及506)寬邊耦合至輸出帶狀線傳輸電線。儘管圖18中未明確地展示，但反射終止之輸入帶狀線傳輸電線可包含接地(例如，集體地為502、504及/或506)之間的跡線(例如514)，且該跡線之下游末端可短接至接地(例如，如圖7及圖9中所展示)。儘管圖18中未明確地展示，但反射終止之輸入帶狀線傳輸電線可包含接地(例如，集體地為502、504及/或506)之間的跡線(例如514)，且該跡線之下游末端可與接地電斷接(例如，如圖8及圖10中所展示)。儘管圖18中未明確地展示，但輸出帶狀線傳輸電線可包含接地(例如，集體地為502、504及/或508)之間的跡線(例如512)，且該跡線之上游末端可藉由電阻膜(例如604)耦接至接地。儘管圖18中未明確地展示，但輸出帶狀線傳輸電線可展現一非回送佈局。
在各種實施例中，與本文中所描述之各種態樣相關聯的另一方法可包括：提供量子位元(例如，1604)；提供可耦接至量子位元之輸出線(例如，衰減器1606之輸出線)；及/或提供可寬邊耦合至輸出線及/或可耦接至信號產生器(例如1602)之反射終止之輸入線(例如衰減器1606之反射終止之輸入線)。在各種態樣中，量子位元可位於低溫溫度腔室(例如，由1610標記)內，信號產生器可位於非低溫溫度腔室(例如，由1608標記)內，及/或輸出線與反射終止之輸入線之間的寬邊耦合可在低溫溫度腔室中、在非低溫溫度腔室中及/或在低溫溫度腔室與非低溫溫度腔室之間發生(例如，如關於圖16所解釋)。
因此，本文中所描述之各種實施例包括用於高密度寬邊耦合衰減器之新穎架構，其可消耗比低密度寬邊耦合衰減器少的實體空間。換言之，本文中所描述之教示可消除對回送寬邊耦合衰減器之輸出線的需求，此可減小寬邊耦合衰減器之實體大小及/或可減少由寬邊耦合衰減器引起的間距降級。
儘管本文中之揭示內容主要描述將信號產生器耦接至量子位元及/或量子位元裝置之高密度寬邊耦合衰減器的各種實施例，但此僅為非限制性實例。在各種狀況下，高密度寬邊耦合衰減器可將任何合適之計算裝置耦接至信號產生器。
儘管本文中之揭示內容主要將高密度寬邊耦合衰減器之各種實施例描述為包括短接之反射終端或斷開之反射終端，但此等僅為非限制性實例。在各種態樣中，高密度寬邊耦合衰減器可包括任何合適之反射終端(例如，可不僅限於短路及/或斷路)。
一般熟習此項技術者應瞭解，本文中之揭示內容描述本創新之各種實施例的非限制性實例。為了易於描述及/或解釋，當論述本創新之各種實施例時，本文中之揭示內容之各個部分利用術語「每一」。一般熟習此項技術者應瞭解，術語「每一」之此類使用係非限制性實例。換言之，當本文中之揭示內容提供應用於一些特定物件及/或組件中之「每一者」的描述時，應理解，此為本創新之各種實施例的非限制性實例，且應進一步理解，在本創新之各種其他實施例中，可能為此描述適用於少於「每一」彼特定物件及/或組件的狀況。
圖中之流程圖及方塊圖繪示根據本文中所描述之各種實施例之系統、方法及電腦程式產品之可能實施的架構、功能性及操作。就此而言，流程圖或方塊圖中之每一區塊可表示指令之模組、區段或部分，其包含用於實施特定邏輯功能之一或多個可執行指令。在一些替代實施中，區塊中所提及之功能可能不以諸圖中所提及之次序發生。舉例而言，取決於所涉及之功能性，連續展示的兩個區塊事實上可實質上同時地執行，或該等區塊有時可以反向次序執行。亦應注意，方塊圖及/或流程圖繪示之每一區塊以及方塊圖及/或流程圖繪示中之區塊組合可由執行指定功能或動作或執行特殊用途硬體及電腦指令之組合的基於特殊用途硬體之系統實施。
另外，術語「或」意欲意謂包括性「或」而非排他性「或」。亦即，除非另外指定或自上下文清楚可見，否則「X使用A或B」意欲意謂自然包括性排列中之任一者。亦即，若X使用A；X使用B；或X使用A及B兩者，則「X使用A或B」在前述例項中之任一者下被滿足。此外，除非另外指定或自上下文顯而易見係針對單數形式，否則如在本說明書及隨附圖式中所使用之詞「一(a及an)」通常應解釋為意謂「一或多個」。如本文中所使用，術語「實例」及/或「例示性」用以意謂充當實例、例項或說明。為避免疑問，本文中所揭示之主題不受此類實例限制。此外，本文中描述為「實例」及/或「例示性」之任何態樣或設計未必解釋為比其他態樣或設計較佳或有利，亦不意欲排除一般熟習此項技術者已知之等效例示性結構及技術。
上文已描述之內容僅包括系統及電腦實施方法之實例。當然，不可能出於描述本發明之目的而描述組件或電腦實施方法之每一可設想組合，但一般熟習此項技術者可認識到，本發明之許多其他組合及排列係可能的。此外，就術語「包括」、「具有」、「擁有」及其類似者用於實施方式、申請專利範圍、附錄及圖式中而言，此類術語意欲以類似於術語「包含」在申請專利範圍中用作過渡詞時解譯「包含」之方式而為包括性的。
各種實施例之描述已出於說明之目的而呈現，但並不意欲為詳盡的或限於所揭示之實施例。在不脫離所描述實施例之範疇及精神的情況下，許多修改及變化對一般熟習此項技術者而言將顯而易見。本文中所使用的術語經選擇以最佳解釋實施例的原理、實際應用或對市場中發現之技術的技術改良，或使得其他一般熟習此項技術者能夠理解本文中所揭示之實施例。
100:電路圖 102:反射終止之輸入線 104:輸出線 106:寬邊耦合區 108:接地 110:電阻負載 112:接地 114:初始信號 116:第一衰減信號 200:電路圖 202:反射信號 204:第二衰減信號 300:電路圖 302:斷路 400:電路圖 500:側向橫截面圖 502:接地層 504:接地層 506:接地層 508:接地層 510:介電質 512:輸出跡線 514:反射終止之輸入跡線 516:接地通孔 518:縱向切割平面 600:空中縱向橫截面圖 602:側向切割平面 604:電阻膜 700:空中縱向橫截面圖 800:替代空中縱向橫截面圖 900:剖面縱向橫截面圖 1000:剖面縱向橫截面圖 1100:電路圖 1102:衰減器 1104:衰減器 1200:電路圖 1202:信號 1204:衰減信號 1300:電路圖 1302:反射信號 1304:衰減信號 1400:電路圖 1402:另外衰減信號 1500:電路圖 1502:反射衰減信號 1504:另外衰減信號 1600:電路圖 1602:信號產生器 1604:量子位元裝置 1606:衰減器 1608:溫度級分界 1610:溫度級分界 1700:實例非限制性方法 1702:動作 1704:動作 1800:實例非限制性方法 1802:動作 1804:動作
圖1至圖2繪示根據本文中所描述之一或多個實施例的利用經短接之反射終端之實例非限制性高密度嵌入式寬邊耦合衰減器的電路圖。
圖3至圖4繪示根據本文中所描述之一或多個實施例的利用斷開之反射終端之實例非限制性高密度嵌入式寬邊耦合衰減器的電路圖。
圖5至圖10繪示根據本文中所描述之一或多個實施例的高密度嵌入式寬邊耦合衰減器之實例非限制性方塊圖。
圖11至圖15繪示根據本文中所描述之一或多個實施例的菊鏈在一起之兩個實例非限制性高密度嵌入式寬邊耦合衰減器的電路圖。
圖16繪示根據本文中所描述之一或多個實施例的將信號產生器耦接至量子位元裝置之實例非限制性高密度嵌入式寬邊耦合衰減器的電路圖。
圖17至圖18繪示根據本文中所描述之一或多個實施例的用於促進高密度嵌入式寬邊耦合衰減器之實例非限制性方法的流程圖。
1700:實例非限制性方法
1702:動作
1704:動作

Claims (25)

  1. 一種纜線，其包含：在該纜線內之一輸出線，其中最靠近該纜線之一第一末端之該輸出線之一末端藉由至少一個電阻負載終止至接地；及在該纜線內之一反射終止之輸入線，其寬邊耦合至該輸出線，其中最靠近該纜線之一第二末端之該反射終止之輸入線之一末端短接至接地，且其中該第二末端不同於該第一末端。
  2. 如請求項1之纜線，其中該反射終止之輸入線在該纜線之一層堆疊之一層中。
  3. 如請求項1之纜線，其中該輸出線展現一非回送佈局。
  4. 如請求項2之纜線，其中最靠近該纜線之該第二末端之該輸出線之另一末端耦接至一裝置。
  5. 如請求項2之纜線，其中該輸出線在該層堆疊之另一層中，該另一層鄰近包含該反射終止之輸入線之該層。
  6. 如請求項5之纜線，其中該層及該另一層在該層堆疊之兩個接地平面層之間。
  7. 如請求項1之纜線，其中該纜線為一可撓纜線。
  8. 一種用於形成一纜線之方法，其包含：在該纜線內提供一輸出線，其中最靠近該纜線之一第一末端之該輸出線之一末端藉由至少一個電阻負載終止至接地；及將該輸出線寬邊耦合至該纜線內之一反射終止之輸入線，其中最靠近該纜線之一第二末端之該反射終止之輸入線之一末端短接至接地，且其中該第二末端不同於該第一末端。
  9. 如請求項8之方法，其中該反射終止之輸入線在該纜線之一層堆疊之一層中。
  10. 如請求項8之方法，其中該輸出線展現一非回送佈局。
  11. 如請求項9之方法，其中最靠近該纜線之該第二末端之該輸出線之另一末端耦接至一裝置。
  12. 如請求項9之方法，其中該輸出線在該層堆疊之另一層中，該另一層鄰近包含該反射終止之輸入線之該層。
  13. 如請求項12之方法，其中該層及該另一層在該層堆疊之兩個接地平面層之間。
  14. 如請求項8之方法，其中該纜線為一可撓纜線。
  15. 一種衰減器，其包含：一輸出帶狀線傳輸電線，其中最靠近該衰減器之一第一末端之該輸出帶狀線傳輸電線之一末端藉由至少一個電阻負載終止至接地；及一反射終止之輸入帶狀線傳輸電線，其寬邊耦合至該輸出帶狀線傳輸電線，其中最靠近該衰減器之一第二末端之該反射終止之輸入帶狀線傳輸電線之一末端短接至接地，且其中該第二末端與該第一末端相對。
  16. 如請求項15之衰減器，其中該反射終止之輸入帶狀線傳輸電線在該衰減器之一層堆疊之一層中。
  17. 如請求項16之衰減器，其中該輸出帶狀線傳輸電線在該層堆疊之另一層中，該另一層鄰近包含該反射終止之輸入帶狀線傳輸電線之該層。
  18. 如請求項15之衰減器，其中該輸出帶狀線傳輸電線展現一非回送佈局。
  19. 如請求項16之衰減器，其中該輸出線在該層堆疊之另一層中，該另一層鄰近包含該反射終止之輸入線之該層。
  20. 如請求項15之衰減器，其中該衰減器在一可撓纜線中。
  21. 一種形成一衰減器之方法，其包含：形成該衰減器之一層堆疊，其包含：一輸出帶狀線傳輸電線，其中最靠近該衰減器之一第一末端之該輸出線之一末端藉由至少一個電阻負載終止至接地；及一反射終止之輸入帶狀線傳輸電線，其寬邊耦合至該輸出帶狀線傳輸電線，其中最靠近該衰減器之一第二末端之該反射終止之輸入帶狀線傳輸電線之一末端短接至接地，且其中該第二末端與該第一末端相對。
  22. 如請求項21之方法，其中該反射終止之輸入帶狀線傳輸電線在該衰減器之一層堆疊之一層中。
  23. 如請求項22之方法，其中該輸出帶狀線傳輸電線在該層堆疊之另一層中，該另一層不同於包含該反射終止之輸入帶狀線傳輸電線之該層。
  24. 如請求項21之方法，其中該輸出帶狀線傳輸電線展現一非回送佈局。
  25. 如請求項21之方法，其中形成該層堆疊包含：形成包含一第一接地層之一第一層；形成鄰近於該第一層之一第二層，其中該第二層包含該輸出帶狀線傳輸電線；形成鄰近於該第二層之一第三層，其中該第三層包含該反射終止之 輸入帶狀線傳輸電線；及形成鄰近於該第三層之一第四層，其中該第四層包含一第二接地層。
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